JP5439984B2 - 光電変換装置および放射線撮像装置 - Google Patents
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Description
V0={Cs/(Cs+Cgs×1000)}×V1
となり、出力電圧は約1/100になってしまう。すなわち、大面積のエリアセンサを構成する場合には出力電圧は大幅にダウンすることになる。
入射光または入射エネルギーにより励起される電荷を収集する光電変換素子を含む単位画素が行列状に配置されてなり、
前記光電変換素子は、
第1の半導体層と、
前記第1の半導体層と逆導電型の第2の半導体層と、
前記第1、第2の半導体層の各導電型の間の導電型からなり、前記第1、第2の半導体層間に介在する第3の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層との間に形成された絶縁層と、
前記第2の半導体層の面積よりも小さい面積で前記絶縁層に形成されたコンタクトホールとを含み、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層とは、前記コンタクトホールを介して接している。
また、この光電変換装置と、入射する放射線を光電変換装置の感度域に波長変換する波長変換体とを組み合わせることによって放射線撮像装置を構成できる。
1.本発明が適用される光電変換装置
2.本発明(実施形態)の特徴部分
2−1.実施例1(画素分離構造を採らない場合の例)
2−2.実施例2(画素分離構造を採る場合の例)
3.変形例
(システム構成)
図1は、本発明が適用される光電変換装置のシステム構成の概略を示すシステム構成図である。
図2は、単位画素20の回路構成の一例を示す回路図である。本例に係る単位画素20は、光電変換素子21、リセットトランジスタ22、読出用トランジスタ23および行選択トランジスタ24を有する構成となっている。この単位画素20に対して、画素駆動線17として例えば2本の配線、具体的には行選択線171およびリセット制御線172が画素行ごとに配線されている。
上記構成の単位画素20が行列状に配置されてなる光電変換装置10は、α線、β線、γ線、X線に代表される放射線を当該光電変換装置10の感度域に波長変換する波長変換体との組合せにより、放射線に基づく情報を読み取る放射線撮像装置を構成することができる。具体的には、図3に示すように、光電変換装置10の画素アレイ部12の受光側に蛍光体(例えば、シンチレータ)のような波長変換体40を設けることにより放射線撮像装置50を構成することができる。
上記構成の光電変換装置10または放射線撮像装置30において、本発明は、光電変換素子21の構造を特徴としている。光電変換素子21は、第1の半導体層と、当該第1の半導体層と逆導電型の第2の半導体層と、第1、第2の半導体層の各導電型の間の導電型からなり、第1、第2の半導体層間に介在する第3の半導体層とを含む、例えばPINフォトダイオードである。
(画素構造)
図4は、実施例1に係る画素構造を示す要部の断面図である。ここでは、光電変換素子21がPINフォトダイオードからなる場合を例に挙げて説明するものとする。
また、図示しないが、PINフォトダイオード60Aの上部に、X線などの放射線を可視光に変換するいわゆるシンチレータと呼ばれる蛍光体を配することで、入射した放射線により感光されて信号電荷を発生する放射線検出器(放射線感光器)を構成することができる。具体的には、PINフォトダイオード60Aの上部に、有機平坦化膜、スピンオングラス材料等からなる平坦化膜を形成し、その上部に蛍光体をCsI、NaI、CaF2等によって形成する。PINフォトダイオード60Aに代えて当該放射線検出器を用いることで、先述した放射線撮像装置50を構成できる。
上述したように、絶縁層(66,68)に形成されたn型半導体層71の面積よりも小さい面積(上部開口面積)のコンタクトホール69を介してp型半導体層64とi型半導体層70とが接する構造とすることで、次のような作用効果を得ることができる。すなわち、この画素構造によれば、p型半導体層64とn型半導体層71が空間的に隔てられ、かつ、p型半導体層64のi型半導体層70と接するエッジ(コンタクトホール69の下部開口端)はn型半導体層71のエッジよりも内側に位置する。
(画素構造)
図9は、実施例2に係る画素構造を示す要部の断面図である。図9において、図4と同等部分(対応する部分)には同一符号を付して示し、重複説明は省略する。本実施例2でも、光電変換素子21がPINフォトダイオードからなる場合を例に挙げて説明するものとする。
このように、画素列の画素配列方向の画素間に第3の層間絶縁膜77を形成し、当該層間絶縁膜77によってi型半導体層70およびn型半導体層71を画素間で分離することで、大きな電位差が生じ易い隣接する2つの画素行の画素間でのクロストークを確実に抑えることができる。画素行の画素配列方向の画素間の分離に関しては、実施例1の画素構造のように、電源配線73または遮光層74によって入射光または入射エネルギーを遮蔽する遮光構造を採るようにしても良い。また、同じ画素行における画素間の方が隣接する2つの画素行における画素間よりもクロストークが小さいことから、遮光構造をも採らないようにすることも可能である。
上記実施形態では、画素を駆動する行走査部13を含む周辺回路部を、画素アレイ部12と同じ基板11上に設ける構成を採っているが、当該周辺回路部を基板11の外部に設ける構成を採ることも可能である。
Claims (9)
- 入射光または入射エネルギーにより励起される電荷を収集する光電変換素子を含む単位画素が行列状に配置されてなり、
前記光電変換素子は、
第1の半導体層と、
前記第1の半導体層と逆導電型の第2の半導体層と、
前記第1、第2の半導体層の各導電型の間の導電型からなり、前記第1、第2の半導体層間に介在するとともに、隣接画素の光電変換素子との間で連続して形成されている第3の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層との間に形成された絶縁層と、
前記第2の半導体層の面積よりも小さい面積で前記絶縁層に形成されたコンタクトホールと、
前記隣接画素との間に設けられ、前記第3の半導体層に対する入射光または入射エネルギーを遮断する遮光層とを含み、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層とは、前記コンタクトホールを介して接している
光電変換装置。 - 前記第1の半導体層は、多結晶シリコンによって形成され、
前記第3の半導体層は、微結晶シリコンまたは非結晶シリコンによって形成される
請求項1記載の光電変換装置。 - 前記第1の半導体層の導電型はp型である
請求項2記載の光電変換装置。 - 前記遮光層は、前記第2の半導体層に電位を供給する配線を兼ねる
請求項1記載の光電変換装置。 - 前記第1の半導体層は、前記光電変換素子で収集された信号電荷を読み出す電極を兼ねている
請求項1記載の光電変換装置。 - 前記単位画素は、前記光電変換素子で収集され、前記第1の半導体層によって読み出される信号電荷をゲートで受けて、当該信号電荷に応じた電気信号を読み出すソースフォロワ型の読出用トランジスタを有する
請求項5記載の光電変換装置。 - 画素列の画素配列方向において、前記第2,第3の半導体層を単位画素間で分離する構造を有する
請求項1記載の光電変換装置。 - 入射光または入射エネルギーにより励起される電荷を収集する光電変換素子を含む単位画素が行列状に配置されてなり、
前記光電変換素子は、
第1の半導体層と、
前記第1の半導体層と逆導電型の第2の半導体層と、
前記第1、第2の半導体層の各導電型の間の導電型からなり、前記第1、第2の半導体層間に介在するとともに、隣接画素の光電変換素子との間で連続して形成されている第3の半導体層と、
前記隣接画素との間に設けられ、前記第3の半導体層に対する入射光または入射エネルギーを遮断する遮光層とを含み、
前記第1の半導体層は、そのエッジが前記第2の半導体層のエッジよりも内側になるように形成されている
光電変換装置。 - 入射光または入射エネルギーにより励起される電荷を収集する光電変換素子を含む単位画素が行列状に配置されてなる光電変換装置と、
前記光電変換装置の入射面側に配置され、入射する放射線を前記光電変換装置の感度域に波長変換する波長変換体とを備え、
前記光電変換素子は、
第1の半導体層と、
前記第1、第2の半導体層の各導電型の間の導電型からなり、前記第1、第2の半導体層間に介在するとともに、隣接画素の光電変換素子との間で連続して形成されている第3の半導体層と、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層との間に形成された絶縁層と、
前記第2の半導体層の面積よりも小さい面積で前記絶縁層に形成されたコンタクトホールと、
前記隣接画素との間に設けられ、前記第3の半導体層に対する入射光または入射エネルギーを遮断する遮光層とを含み、
前記第1の半導体層と前記第3の半導体層とは、前記コンタクトホールを介して接している
放射線撮像装置。
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