JP2011107002A - 放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】素子基板に備えられた配線やパッシベーション層に割れ等が生じることを的確に防止することが可能な放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】放射線検出パネル３は、表面に複数の光電変換素子１５が二次元状に配列された素子基板４と、放射線を光に変換するシンチレータ６が表面に形成され、シンチレータ６と複数の光電変換素子１５とが対向する状態で配置されたシンチレータ基板５と、複数の光電変換素子１５およびシンチレータ６の周囲の部分に配置され、素子基板４とシンチレータ基板５とを接着する接着剤２２と、接着剤２２に含まれ、素子基板４とシンチレータ基板５との間隔を確保する複数のスペーサＳと、を備え、さらに、素子基板４とスペーサＳとの間に配置された接着剤硬化層２２ａ（緩衝層）を備えている。
【選択図】図１１

Description

本発明は、放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法に関する。

基板上にフォトダイオード等の複数の光電変換素子を二次元状に配列し、光電変換素子の放射線入射側にシンチレータを配置した放射線検出パネルを用いた放射線画像検出器（Flat Panel Detector（ＦＰＤ）ともいう。）が開発されている。
このような放射線画像検出器は、通常、放射線検出パネルに照射された放射線をシンチレータで可視光等の他の波長の光に変換し、変換した光を光電変換素子に入射させて素子内で電荷を発生させ、発生した電荷を取り出すことで、放射線情報を変換して最終的に電気信号として検出するように構成される。

放射線検出パネルとしては、例えば特許文献１に示されるように、基板の一方の面上に形成された光電変換素子等を被覆するように透明な樹脂等が塗布されて平坦化層（シンチレータ下地層）が形成され、その上方、すなわちその放射線入射側にシンチレータが配置される。
その際、シンチレータとして、図３０に示すように、例えばＣｓＩ：Ｔｌ等の母体材料内に発光中心物質が付活された蛍光体１０２を柱状に成長させて柱状結晶とし、そのような柱状結晶が多数形成されてなるシンチレータ１０１が用いられる場合があり、その場合、シンチレータ１０１は、通常、柱状構造の軸方向が、図示しない基板表面に直交するように配置される。

このように配置されると、放射線の照射を受けたシンチレータ１０１の各蛍光体１０２の内部で光が発生し、あたかも光ファイバのように光がそれぞれ蛍光体１０２の柱状結晶内を軸方向に伝播して鋭角状の先端Ｐａから出力され、蛍光体１０２の柱状結晶の直下に位置する図示しない光電変換素子に的確に入射する。そのため、蛍光体１０２内で発生した光の軸方向に直交する方向への拡散が抑制され、得られた放射線画像の鮮鋭性が向上するという利点がある。

ところで、特許文献１では、図３１に示すように、柱状結晶構造の蛍光体１０２を有するシンチレータ１０１を支持基板１０３（以下「シンチレータ基板１０３」という。）上に形成しておき、そのシンチレータ基板１０３と、光電変換素子１０４が形成された基板１０５（以下「素子基板１０５」という。）と、をシンチレータ１０１の蛍光体１０２の鋭角状の先端Ｐａと光電変換素子１０４とが対向する状態で貼り合わせて放射線検出パネル１００を形成する技術が記載されている。なお、図３１の例では、１０７は走査線や信号線などの配線を表し、１０８は光電変換素子１０４や配線１０７などを被覆するパッシベーション層を表し、光電変換素子１０４等はパッシベーション層１０８を介して表面が平坦化された平坦化層１０６で被覆されている。

そして、シンチレータ１０１の蛍光体１０２の鋭角状の先端Ｐａ側をホットメルト樹脂１０９で被覆してシンチレータ保護層を形成しておき、ホットメルト樹脂１０９の接着性を活用してシンチレータ１０１と平坦化層１０６とを接着することで素子基板１０５とシンチレータ基板１０３とを貼り合わせることが提案されている。

しかしながら、このように、ホットメルト樹脂１０９や新たに塗布される接着剤１１０を介してシンチレータ１０１と平坦化層１０６とを貼り合わせた場合、シンチレータ１０１の蛍光体１０２の各柱状結晶の長さが均一でなかったり、ホットメルト樹脂１０９の厚さが均一でなかったり、或いは、接着剤１１０が均一に塗布されない等して、蛍光体１０２の鋭角状の先端Ｐａと光電変換素子１０４との距離Ｌが全体的に必ずしも一様でない状態に形成される場合がある。

このように、蛍光体１０２の鋭角状の先端Ｐａと光電変換素子１０４との距離Ｌが一様でないと、距離Ｌが短い部分では、蛍光体１０２の鋭角状の先端Ｐａから出力された光がさほど拡散されないうちに光電変換素子１０４に入射されるため、画像の鮮鋭性が高くなるが、距離Ｌが長い部分では、蛍光体１０２の先端Ｐａから出力された光の一部が柱状結晶の軸方向に直交する方向に拡散されて直下の光電変換素子１０４に入射されない割合が増えるため、その部分では画像の鮮鋭性が低下する。そのため、得られた放射線画像の鮮鋭性が、放射線画像の各部分ごとにまちまちになり、一様でなくなってしまうという問題があった。

この問題は、シンチレータ１０１の蛍光体１０２を上記のような柱状結晶状に形成する場合だけでなく、図３２に示すように、層状に形成した場合でも同様である。すなわち、例えば、層状に形成されたシンチレータ１０１の蛍光体１０２と光電変換素子１０４や平坦化層１０６との間に塗布される接着剤１１０が均等な厚さで塗布されていない等の理由で、蛍光体１０２の光電変換素子１０４側の先端（端面）Ｐｂと光電変換素子１０４との距離Ｌに長短が生じると、蛍光体１０２から光電変換素子１０４に出力される光の拡散の度合いが距離Ｌによって変わるため、得られる放射線画像の鮮鋭性が、放射線画像の各部分ごとにまちまちになり、一様でなくなる場合があった。

この問題を解決するためには、シンチレータ１０１の蛍光体１０２の先端Ｐａ，Ｐｂと光電変換素子１０４との距離Ｌが放射線検出パネル１００の全域で一様となるように放射線検出パネル１００を形成することが必要である。

これを実現する方法としては、例えば、ホットメルト樹脂１０９や接着剤１１０などを用いずに、例えば図３３に示すように、シンチレータ１０１の蛍光体１０２の先端Ｐａ，Ｐｂと平坦化層１０６とが直接当接する状態、或いは、蛍光体１０２の先端Ｐａ，Ｐｂと平坦化層１０６との間に厚さが均一のフィルム等が介在する状態に素子基板１０５とシンチレータ基板１０３とを対向させる方法が考えられる。

そして、例えば、素子基板１０５とシンチレータ基板１０３との間の内部空間Ｃを減圧し、大気圧で外側から内部空間Ｃ側に素子基板１０５とシンチレータ基板１０３とが押圧されるように構成することで、シンチレータ１０１の蛍光体１０２の先端Ｐａ，Ｐｂが平坦化層１０６に当接し、或いは、フィルム等を介して平坦化層１０６に当接する状態が維持される。そして、蛍光体１０２の先端Ｐａ，Ｐｂと光電変換素子１０４との距離Ｌを、放射線検出パネル１００の全域において常時一様に保つことが可能となり、放射線画像の鮮鋭性が画像全域で一様となる状態を維持することができる。

また、素子基板１０５とシンチレータ基板１０３との間が減圧された状態を維持するためには、図３３に示したように、素子基板１０５とシンチレータ基板１０３との間のシンチレータ１０１等の周囲の部分に接着剤１１１を配置して硬化させ、素子基板１０５とシンチレータ基板１０３と接着剤１１１とで、外界から区画され密閉され減圧された内部空間Ｃを形成することが必要となる。

その際、特許文献２では、例えば図３４に示すように、素子基板１０５とシンチレータ基板１０３との間に機械的シムとしてスペーサ１１２を配置して、素子基板１０５とシンチレータ基板１０３との間で正確な距離を規定することが提案されている。

特開２００６−７８４７１号公報 特表２００３−５３２０７２号公報

しかしながら、図３４に示したように接着剤１１１中にスペーサ１１２を配置して素子基板１０５とシンチレータ基板１０３とを貼り合わせる場合、大気圧で外側から内部空間Ｃ側に素子基板１０５とシンチレータ基板１０３とが押圧されるが、その際、シンチレータ基板１０３に対する単位面積あたりの荷重は最大１ｋｇ／ｃｍ^２になる。大気圧によりシンチレータ基板１０３に加わった外力は、接着剤１１１中のスペーサ１１２を介して素子基板１０５に備えられた配線１０７やパッシベーション層１０８に加わるため、場合によって、配線１０７やパッシベーション層１０８におけるスペーサ１１２と接する部分に割れや亀裂が入ることがある。そして、このように配線１０７やパッシベーション層１０８に割れや亀裂が入ると、放射線検出パネルの短寿命化や信頼性の低下、配線１０７の断線等による初期不良などの不具合を誘発してしまうという問題がある。

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、素子基板に備えられた配線やパッシベーション層に割れ等が生じることを的確に防止することが可能な放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法を提供することを目的とする。

前記の問題を解決するために、本発明の放射線検出パネルは、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板と、
放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第２の基板と、
前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着剤と、
前記接着剤に含まれ、前記第１の基板と前記第２の基板との間隔を確保する複数のスペーサと、を備え、
さらに、前記第１の基板と前記スペーサとの間に配置された緩衝層を備えることを特徴とする。

また、本発明の放射線画像検出器は、上記の本発明の放射線検出パネルを備えることを特徴とする。

また、本発明の放射線検出パネルの製造方法は、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板の前記複数の光電変換素子の周囲の部分に、複数のスペーサを含む接着剤を配置する接着剤配置工程と、
前記接着剤における前記第１の基板と接する側を硬化させて接着剤硬化層を形成する硬化層形成工程と、
前記接着剤を介して、前記第１の基板と放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第２の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
前記第１の基板、前記第２の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
を有することを特徴とする。

また、本発明の放射線検出パネルの製造方法は、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板の前記複数の光電変換素子の周囲の部分に、接着剤を配置する接着剤配置工程と、
前記接着剤における前記第１の基板と接する側を硬化させて接着剤硬化層を形成する硬化層形成工程と、
前記接着剤に対して複数のスペーサを配置するスペーサ配置工程と、
前記接着剤を介して、前記第１の基板と放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第２の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
前記第１の基板、前記第２の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
を有することを特徴とする。

また、本発明の放射線検出パネルの製造方法は、
表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板に対して、前記複数の光電変換素子を被覆して、前記複数の光電変換素子の周囲の部分まで延設された平坦化層を形成する平坦化層形成工程と、
前記平坦化層における前記複数の光電変換素子の周囲の部分に設けられた延設部分、または、放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第２の基板の前記シンチレータの周囲の部分に、複数のスペーサを含む接着剤を配置する接着剤配置工程と、
前記平坦化層および前記接着剤を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
前記平坦化層、前記第２の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
を有することを特徴とする。

また、本発明の放射線画像検出器の製造方法は、上記の本発明の放射線検出パネルの製造方法により製造された放射線検出パネルを用いて放射線画像検出器を製造することを特徴とする。

本発明のような方式の放射線検出パネル、放射線画像検出器、放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法によれば、第１の基板とスペーサとの間に緩衝層を配置するため、緩衝層が力を分散させるクッションの役割を果たす。したがって、第１の基板に対して局所的に力が加わることを防止できるため、第１の基板に備えられた配線やパッシベーション層に割れ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように第１の基板に備えられた配線やパッシベーション層に割れ等が生じることが的確に防止されるため、放射線検出パネルの短寿命化や信頼性の低下、配線の断線等による初期不良などの不具合の誘発を確実に防止することが可能となる。

第１の実施の形態に係る放射線画像検出器の外観斜視図である。 図１のII−II線に沿う断面図である。 第１の実施の形態に係る放射線検出パネルが備える第１の基板表面の構成を示す平面図である。 図３の第１の基板上の小領域に形成された光電変換素子と薄膜トランジスタ等の構成を示す拡大図である。 ＣＯＦやＰＣＢ基板などが取り付けられた第１の基板を説明する図である。 蛍光体が柱状構造を有するシンチレータの構成およびその第２の基板への貼付を説明する拡大模式図である。 第１の実施の形態に係る放射線検出パネルの拡大断面図である。 接着剤中に含まれるスペーサの例を示す図であり、（Ａ）は断面円形状の棒状のスペーサ、（Ｂ）は球形状のスペーサを表す。 スペーサの直径が小さすぎて第１の基板と第２の基板とが接近した場合の放射線検出パネルの接着剤近傍の部分の拡大断面図である。 第１の実施の形態に係る放射線検出パネルの接着剤近傍の部分の拡大断面図である。 第１の実施の形態に係る放射線検出パネルの接着剤近傍の部分の断面斜視図である。 接着剤硬化層の厚みについて、開口率を種々変化させる実験を行った際の結果を示す図である。 ダミー配線が備えられていない放射線検出パネルの接着剤近傍の部分の拡大断面図である。 シンチレータの蛍光体が層状に形成された放射線検出パネルの拡大断面図である。 第１の実施の形態に係る放射線検出パネルの製造方法を示すフローチャートである。 減圧貼り合わせ工程等に用いられるチャンバの構成例を示す図である。 フィルムの下方空間が減圧されて第１の基板と第２の基板とが貼り合わされた状態を表す図である。 第１の基板上に間隙が形成されるように配置された接着剤を表す斜視図である。 第１の基板と第２の基板との仮貼り合わせにより接着剤の間隙の部分に開口部が形成されることを説明する図である。 減圧貼り合わせ工程で接着剤が延在方向に押し広げられて開口部が封止されることを説明する図である。 第２の基板とシンチレータとの間に設けられた遮光層を表す図である。 第１の実施の形態に係る放射線検出パネルの製造方法の変形例を示すフローチャートである。 第１の実施の形態に係る放射線画像検出器の製造方法を示すフローチャートである。 第２の実施の形態に係る放射線画像検出器の断面図である。 第２の実施の形態に係る放射線検出パネルが備える第１の基板表面の構成を示す平面図である。 第２の実施の形態に係る放射線検出パネルの拡大断面図である。 第２の実施の形態に係る放射線検出パネルの接着剤近傍の部分の断面斜視図である。 ＣＯＦやＰＣＢ基板などが取り付けられた第１の基板を説明する図である。 第２の実施の形態に係る放射線検出パネルの製造方法を示すフローチャートである。 蛍光体が柱状構造を有するシンチレータの構成を説明する拡大模式図である。 シンチレータの蛍光体の鋭角状の先端と光電変換素子とが対向する状態で貼り合わされて形成された放射線検出パネルの例を表す図である。 蛍光体と平坦化層との間の接着剤が均等な厚さで塗布されていない放射線検出パネルを表す図である。 シンチレータの蛍光体の先端と平坦化層とが直接当接する構成とされた放射線検出パネルの例を表す図である。 素子基板とシンチレータ基板との間に配置されたスペーサを示す図である。

以下、図を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。

［第１の実施の形態］
まず、第１の実施の形態に係る放射線検出パネル３、放射線画像検出器１、放射線検出パネル３の製造方法および放射線画像検出器１の製造方法について説明する。

［放射線検出パネルおよび放射線画像検出器］
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３および放射線画像検出器１の構成について説明する。

なお、以下では、図１や図２に示すように、放射線画像検出器１や放射線検出パネル３における各部材の相対的な位置関係、特に上下関係について、放射線画像検出器１の筐体２における放射線が入射する面Ｘ側を上側に向け、筐体２における放射線が入射する面Ｘとは反対側の面Ｙ側を下側に向けて配置した場合の位置関係に基づいて説明する。

図１は、本実施形態に係る放射線画像検出器１の外観斜視図であり、図２は、図１のII−II線に沿う断面図である。
放射線画像検出器１は、図１や図２に示すように、放射線検出パネル３が筐体２内に収納されて構成されている。

筐体２は、カーボン板やプラスチックなどの材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板５１とバック板５２とで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
また、筐体２の側面部分には、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ５３、蓋５４、外部の装置と接続される端子５５、電源スイッチ５６等が配置されている。

筐体２の内部には、図２に示すように、第１の基板４（以下「素子基板４」という。）、第２の基板５（以下「シンチレータ基板５」という。）、シンチレータ６等を備えた放射線検出パネル３が配置されている。
また、放射線検出パネル３の下方には、図示しない鉛の薄板等を介して基台７が配置され、基台７には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＡＭ（Random Access Memory）などの各種の電子部品８等が配設されたＰＣＢ基板９、緩衝部材１０等が取り付けられている。

本実施形態では、素子基板４は、放射線や紫外線などの光を透過するガラス基板で構成されている。
図３は、素子基板４表面の構成を示す平面図である。素子基板４の表面（すなわちシンチレータ６（図２参照）に対向する側の面）４ａ上には、ＡｌやＭｏなどからなる複数の走査線１１とＡｌやＭｏなどからなる複数の信号線１２とが互いに交差するように配設されている。また、ＡｌやＭｏなどからなる複数のバイアス線１３が、複数の信号線１２と平行に配置されており、本実施形態では、各バイアス線１３は、素子基板４上の一方側の端部で１本のＡｌやＭｏなどからなる結線１４により結束されている。

また、素子基板４の表面４ａ上で複数の走査線１１と複数の信号線１２により区画された各小領域Ｒには、光電変換素子１５がそれぞれ設けられている。このように、本実施形態では、素子基板（第１の基板）４は、その表面４ａに複数の光電変換素子１５が二次元状に配列されて形成されている。また、光電変換素子１５はそれぞれバイアス線１３に接続されており、本実施形態では、図示しないバイアス電源からバイアス線１３を介して光電変換素子１５にバイアス電圧が印加されるようになっている。

本実施形態では、光電変換素子１５として、放射線の照射を受けたシンチレータ６から出力された光の照射を受けると光エネルギを吸収して内部に電子正孔対を発生させることで光エネルギを電荷に変換するフォトダイオードが用いられている。
また、図４の拡大図に示すように、各小領域Ｒには、各光電変換素子１５につき１つの薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下「ＴＦＴ」という。）１６が設けられており、ＴＦＴ１６のソース電極１６ｓが光電変換素子１５の１つの電極と、ドレイン電極１６ｄが信号線１２と、ゲート電極１６ｇが走査線１１とそれぞれ接続されている。すなわち、配線である走査線１１や信号線１２は、光電変換素子１５（具体的にはＴＦＴ１６）と接続している。

また、走査線１１、信号線１２および結線１４の端部は、それぞれ入出力端子（パッドともいう）１８に接続されている。
具体的には、本実施形態の放射線検出パネル３では、図３に示すように、上記のように構成された素子基板４の表面４ａにおける複数の光電変換素子１５の周囲の部分、すなわち図３に一点鎖線で示される検出領域Ｔよりも外側の部分に、走査線１１および信号線１２が延設されて、それぞれ入出力端子１８に接続されている。
また、図５に示すように、走査線１１、信号線１２、結線１４、光電変換素子１５等は、これらを腐食や損傷から保護する絶縁層、すなわち窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）等からなるパッシベーション層１７で被覆されている。

ここで、本実施形態では、配線である走査線１１や信号線１２は、所定の本数毎（本実施形態では８本毎）に組になっており、図３に示すように、同じ組の各配線に接続された入出力端子１８同士は近接して配置されている。したがって、複数の光電変換素子１５の周囲の部分、すなわち検出領域Ｔよりも外側の部分において、配線は、同じ組の配線同士の間隔が入出力端子１８に近づくに従って狭まるように配置されている。そのため、検出領域Ｔよりも外側の部分では、同じ組の各配線が配置された第１領域Ｔ１と、配線が配置されていない第２領域Ｔ２と、が後述する接着剤２２の延在方向に交互に隣接する状態になっている。
そして、本実施形態では、図３に示すように、第２領域Ｔ２に、素子基板４の駆動に全く寄与しない、ＡｌやＭｏなどからなるダミー配線２０が複数配置されている。
なお、実際には、走査線１１や信号線１２は、例えば６４本や１２８本毎にそれぞれ１つの組とされている。

また、図５に示すように、各入出力端子１８には、ＣＯＦ（Chip On Film）１９が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）などの異方性導電性接着材料１９ａを介して圧着されている。また、ＣＯＦ１９は、素子基板４の裏面４ｂ側に引き回されており、裏面４ｂ側でＰＣＢ基板９とＣＯＦ１９とが圧着されて接続されるようになっている。

また、図５に示すように、素子基板４の表面４ａにおける複数の光電変換素子１５等が形成された部分、すなわち検出領域Ｔには、複数の光電変換素子１５等による表面の凹凸を平坦化し、図５では図示を省略するシンチレータ６が光電変換素子１５に対向するように配置された際にその下地とするために、パッシベーション層１７を介して複数の光電変換素子１５等を被覆するように透明な樹脂等が塗布されて平坦化層２１が形成されている。

本実施形態では、平坦化層２１は、シンチレータ６の蛍光体６ａから出力される光を透過する透明のアクリル系感光性樹脂で形成されている。なお、図５では、シンチレータ６のほか、電子部品８等の図示が省略されている。

シンチレータ６（図２参照）は、入射した放射線を別の波長の光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。具体的には、本実施形態では、シンチレータ６として、Ｘ線等の放射線が入射すると、波長が３００ｎｍ〜８００ｎｍの電磁波、すなわち可視光を中心として紫外光から赤外光にわたる光を出力するものが用いられている。蛍光体としては、例えばＣｓＩ：Ｔｌ等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものが好ましく用いられる。

シンチレータ６は、本実施形態では、図３０に示したシンチレータ１０１と同様に、図６の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜６ｂの上に、例えば気相成長法により蛍光体６ａを成長させて形成されたものであり、蛍光体６ａの柱状結晶からなっている。気相成長法としては、蒸着法やスパッタ法などが好ましく用いられる。

いずれの手法においても、蛍光体６ａを支持膜６ｂ上に独立した細長い柱状結晶として気相成長させることができる。蛍光体６ａの各柱状結晶は、支持膜６ｂ付近では太く、先端（図６中では下側の端部）Ｐａに向かうに従って細くなっていき、先端Ｐａは鋭角状の略円錐形状となるように成長して形成される。

本実施形態では、このようにして蛍光体６ａが柱状結晶として形成されたシンチレータ６は、蛍光体６ａの柱状結晶の鋭角状の先端Ｐａが下側、すなわち前述した素子基板４の複数の光電変換素子１５側を向くように、その支持膜６ｂがシンチレータ基板（第２の基板）５の下方側の表面５ａに貼付されている。このようにして、シンチレータ６は、シンチレータ基板５で支持されている。

なお、蛍光体６ａの柱状結晶の全体がフィルム等で覆われた状態でシンチレータ６が形成される場合もあり、その場合には、フィルムの厚さは均一とされ、後述するように蛍光体６ａの先端Ｐａが平坦化層２１の表面に当接する際には、蛍光体６ａの先端Ｐａがフィルムを介して平坦化層２１の表面に当接する状態となる。

本実施形態では、シンチレータ基板５はガラス基板で構成されているが、この他にも、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）等の樹脂板や樹脂フィルムなどで構成することも可能である。

図７は、図２における放射線検出パネル３の端部部分の拡大図である。なお、図７において、放射線検出パネル３の各部材の相対的な大きさや厚さ、部材間の間隔等は、必ずしも実際の放射線検出パネル３の構造を反映していない。

図７に示すように、放射線検出パネル３は、シンチレータ基板５が、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが複数の光電変換素子１５や平坦化層２１に対向するように配置されて形成されている。

また、素子基板４とシンチレータ基板５との間隙部分であってシンチレータ６や複数の光電変換素子１５の周囲の部分には、その全周にわたって接着剤２２が配置されており、素子基板４とシンチレータ基板５とは接着剤２２によって接着されている。また、素子基板４とシンチレータ基板５との間の部分には、それらと接着剤２２とにより、外部から区画された内部空間Ｃが形成されている。

素子基板４とシンチレータ基板５とが接着剤２２によりシンチレータ６や複数の光電変換素子１５の周囲の部分の全周にわたって接着しているため、シンチレータ６や光電変換素子１５などを含む内部空間Ｃは密閉されている。また、内部空間Ｃは、その内部圧力が大気圧より低くなるように、その内部が減圧されて形成されている。また、シンチレータ６は湿気があると劣化する場合があるため、減圧されている内部空間Ｃの内部の空気がドライエアや、Ａｒ等の不活性ガスで置換されていればより好ましい。

接着剤２２は、例えば、加熱することにより硬化する熱硬化型の接着剤や、光を照射すると硬化する光硬化型の接着剤が好ましく用いられる。熱硬化型の接着剤としては、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂を用いた接着剤やさらに硬化促進剤等が添加された接着剤などを用いることが可能である。
また、光硬化型の接着剤としては、光開始剤や光重合性化合物などを含むエポキシ系やアクリル系などの紫外線硬化型樹脂等を用いることが可能であり、カチオン重合系の紫外線硬化型の接着剤が好ましく用いられる。
なお、以下では、接着剤２２として光硬化型の接着剤の一種である紫外線硬化型の接着剤を用いた場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

本実施形態では、接着剤２２中には、図８（Ａ）に示すような断面円形状の棒状のスペーサＳ（Ｓａ）や、図８（Ｂ）に示すような球形状のスペーサＳ（Ｓｂ）が複数含まれている。そして、そのスペーサＳと素子基板４（具体的には、素子基板４が備える走査線１１や信号線１２、パッシベーション層１７など）との間には、図５に示すように、接着剤２２における素子基板４と接する側を硬化させることによって形成された接着剤硬化層２２ａが緩衝層として配置されている。

その際、内部空間Ｃが減圧されているため、大気圧により素子基板４やシンチレータ基板５を介して接着剤２２を押し潰す方向に外力が加わるが、図９に示すように、スペーサＳの直径が小さすぎると、接着剤２２（接着剤硬化層２２ａを含む）やスペーサＳによって素子基板４とシンチレータ基板５との間隔を維持できなくなる可能性がある。
そのため、外力で素子基板４とシンチレータ基板５とが接近して、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが平坦化層２１等に強く押し付けられて損傷してしまう場合がある。蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが損傷すると、得られた放射線画像の鮮鋭性が低下する。

また、逆に、スペーサＳの直径が大きすぎると、接着剤２２に近い部分ではシンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが平坦化層２１から離れてしまい、シンチレータ６と光電変換素子１５との距離が遠くなる。
しかし、接着剤２２から遠いシンチレータ部分では、大気圧により蛍光体６ａの先端Ｐａが平坦化層２１の表面に当接するため、シンチレータ６と光電変換素子１５との距離が近くなる。そのため、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａと光電変換素子１５との距離が放射線検出パネル３の全域で一様でなくなり、得られる放射線画像の鮮鋭性が損なわれてしまう。

そこで、スペーサＳとしては、図１０に示すように、スペーサＳの直径と接着剤硬化層２２ａ（緩衝層）の厚みとの合計が、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａが平坦化層２１の表面に当接するように配置された状態における素子基板４とシンチレータ基板５との間隔と略同一になるようなスペーサを用いることが好ましい。

このようなスペーサＳを用いることで、上記のような事態が生じることを防止して、大気圧を利用してシンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａを適切に平坦化層２１に当接させることが可能となる。また、そのため、シンチレータ６を損傷することなく、蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａと光電変換素子１５との距離を、放射線検出パネル３の全域において一様とすることが可能となる。また、そのため、画像全体において鮮鋭性が一様な放射線画像を得ることが可能となる。

スペーサＳは、例えば、Ｚｒなどの金属、樹脂、シリカ（ＳｉＯ_２）、セラミック等の適宜の材料で形成される。

また、本実施形態においては、複数のスペーサＳは、図１１に示すように、素子基板４とシンチレータ基板５との間に配置された接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置されていることとする。スペーサＳ同士の間隔は、後述するように素子基板４とシンチレータ基板５とが減圧貼り合わせされる際等に、素子基板４やシンチレータ基板５に外力が加わっても割れや亀裂などが入らないように、素子基板４やシンチレータ基板５の材質やスペーサＳ自体の材質などに応じて適宜の間隔に設定される。

このように、複数のスペーサＳを、接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置することによって、素子基板４やシンチレータ基板５に加わった外力を複数のスペーサＳが的確に分散して対抗するため、素子基板４やシンチレータ基板５に割れや亀裂などが生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように素子基板４やシンチレータ基板５に割れや亀裂などが生じることが的確に防止されるため、割れ等が生じてその近傍の光電変換素子１５やシンチレータ６の蛍光体６ａが損傷される等の不具合が生じることが確実に防止される。
また、割れ等が生じないため、内部空間Ｃに外気が流入せず、内部空間Ｃの減圧状態が維持される。そのため、シンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと平坦化層２１とが離間してシンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと光電変換素子１５とが離れて画像の鮮鋭性が失われたり、内部空間Ｃに湿気を帯びた外気が流入して内部空間Ｃが湿気を有する状態になってシンチレータ６が劣化したりするといった不具合の発生を確実に防止することが可能となる。

また、本実施形態では、ダミー配線２０は、所定の開口率で素子基板４の第２領域Ｔ２に配置されている。
開口率とは、第２領域Ｔ２全体の面積に対する、当該第２領域Ｔ２のうちのダミー配線２０が形成されていない部分の面積の割合である。すなわち、開口率１００％は、第２領域Ｔ２にダミー配線２０を形成しない場合に相当し、開口率９０％は、第２領域Ｔ２に形成されたダミー配線２０の面積が当該第２領域Ｔ２全体の面積の１０％である場合に相当する。

接着剤硬化層２２ａは、後述するように、素子基板４に配置された接着剤２２に対して、素子基板４における光電変換素子１５等が配置されていない面側から紫外線を照射することによって形成される。その際、接着剤２２は、検出領域Ｔよりも外側の部分、すなわち第１領域Ｔ１や第２領域Ｔ２などに配置されているため、接着剤２２に紫外線を照射して接着剤硬化層２２ａを形成する場合、第１領域Ｔ１に配置された接着剤２２に入射する紫外線は、配線である走査線１１や信号線１２によって一部遮光され、第２領域Ｔ２に配置された接着剤２２に入射する紫外線は、ダミー配線２０によって一部遮光される。

ところで、接着剤硬化層２２ａの厚みにばらつきがあると、接着剤２２（接着剤硬化層２２ａを含む）とスペーサＳとからなるシール部Ｑにおけるシンチレータ基板５と接する側の面に段差が生じる。後述するように素子基板４とシンチレータ基板５とが減圧貼り合わせされる際等に、シンチレータ基板５はシール部Ｑに強く押し付けられるが、段差のあるシール部Ｑに押し付けられて、シンチレータ５がその許容曲率よりも大きな曲率で曲がると、シンチレータ基板５に割れや亀裂などが入って、シンチレータ基板５が破損してしまう。

本実施形態では、接着剤硬化層２２ａの厚みのばらつきが接着剤硬化層２２ａの設計厚みの±１０μｍの範囲を超え、それに伴いシール部Ｑにおけるシンチレータ基板５と接する側の面に２０μｍよりも大きな段差が生じると、その段差にシンチレータ基板５が耐え切れずに破損してしまう場合があることが分かっている。

接着剤硬化層２２ａの厚みは、接着剤２２に入射する紫外線の光量に応じて変化する。そして、接着剤２２に入射する紫外線の光量は、第１領域Ｔ１や第２領域Ｔ２の開口率に応じて変化する。
そこで、発明者らは、接着剤硬化層２２ａの厚みについて、開口率を種々変化させる実験を行った。

その結果を図１２に示す。図１２の横軸は、接着剤硬化層２２ａの厚みを示し、縦軸はその厚みに形成された確率を示す。例えば、接着剤硬化層２２ａの設計厚みが５０μｍである場合、横軸の「＋１０」は６０μｍを表し、「−１０」は４０μｍを表す。

図１２に示すように、開口率が１７％〜９０％の場合、接着剤硬化層２２ａの厚みのばらつきは、許容範囲である設計厚み±１０μｍ以内となり、開口率１００％の場合、接着剤硬化層２２ａの厚みのばらつきは、許容範囲を超えることが分かる。
これにより、第２領域Ｔ２にダミー配線２０を配置しないと、シンチレータ基板５が破損してしまう可能性が高くなることが分かった。
また、第２領域Ｔ２の開口率を約１５％〜９０％となるように設定すれば、接着剤硬化層２２ａの厚みのばらつきが許容範囲以内となることが分かった。

そして、第１領域Ｔ１の開口率は約４０％〜６０％であるため、本実施形態では、第２領域Ｔ２の開口率は、約１５％〜９０％、より好ましくは第１領域Ｔ１の開口率と略同一の約４０％〜６０％となるように設定されている。
このように構成すれば、検出領域Ｔよりも外側の部分の開口率は、接着剤２２の延在方向に略均一となる。

なお、ダミー配線２０の配置の仕方や本数、幅などは、図３に示すものに限ることはなく、第２領域Ｔ２が所定の開口率となるのであれば適宜任意に変更可能である。
また、ダミー配線２０は、走査線１１や信号線１２と同一の材料で形成したものに限ることはなく、走査線１１や信号線１２と同様に光（本実施形態では紫外線）を遮光できるものであれば任意である。

また、本実施形態では、接着剤２２として紫外線硬化型の接着剤を用いたため、接着剤硬化層２２ａを形成する際に紫外線を照射するようにしたが、例えば、接着剤としてその他の光硬化型の接着剤を用いる場合、接着剤硬化層２２ａを形成する際等に照射する光の種類は適宜変更可能である。また、接着剤として熱硬化型の接着剤を用いる場合は、接着剤硬化層２２ａを形成する際、接着剤２２全体が硬化してしまわないように、例えば遠赤外線等を照射すると良い。

また、本実施形態では、シンチレータ６の蛍光体６ａが、上記のように柱状結晶構造を有する場合について説明したが、シンチレータ６の蛍光体６ａは必ずしも柱状結晶構造を有するものである必要はなく、本発明は、例えば図１４に示したように、蛍光体６ａが層状に形成されたシンチレータ６^＊を用いる場合にも同様に適用することが可能である。

この場合、シンチレータ６^＊は、例えばＧＯＳ（Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓ：Ｔｂ）等で構成された蛍光体６ａをシンチレータ基板５に塗布して層状に形成される。そして、シンチレータ６^＊が光電変換素子１５に対向するようにシンチレータ基板５が素子基板４上に載置され、素子基板４とシンチレータ基板５とが接着剤２２で接着される。そして、内部空間Ｃが減圧されて密閉される。

このように構成すれば、上記の実施形態の場合と同様に、大気圧により、内部空間Ｃの内部でシンチレータ６^＊の蛍光体６ａの光電変換素子１５側の先端（端面）Ｐｂが平坦化層２１に対して全面的に当接させるようになる。
そのため、蛍光体６ａの先端Ｐｂと光電変換素子１５との距離を放射線検出パネル３の全域において一様とすることが可能となり、放射線検出パネル３の素子基板４上の全ての光電変換素子１５において鮮鋭性が一様となり、画像全体において鮮鋭性が一様な放射線画像を検出することが可能となる。

次に、本実施形態に係る放射線検出パネル３や放射線画像検出器１の作用について説明する。

放射線検出パネル３の製造工程において、素子基板４とシンチレータ基板５とを減圧貼り合わせする際、大気圧で外側から内部空間Ｃ側に素子基板４とシンチレータ基板５とが押圧される。その際、例えば図３４に示すように、スペーサＳが、素子基板４（具体的には、素子基板４が備える走査線１１や信号線１２、パッシベーション層１７など）に接触している場合には、大気圧によりシンチレータ基板５に加わった外力は、スペーサＳを介して直接素子基板４に加わる。この場合、スペーサＳと素子基板４とは、スペーサＳが棒状のスペーサＳａである場合には線で、スペーサＳが球形状のスペーサＳｂである場合には点で接触しているため、素子基板４にはスペーサＳを介して局所的に大きな力が加わることになる。これにより、素子基板４が備える走査線１１や信号線１２、パッシベーション層１７などに割れ等が生じることがある。

これに対し、本実施形態では、図１０等に示すように、放射線検出パネル３が、素子基板４とスペーサＳとの間に、緩衝層として接着剤硬化層２２ａを備えている。
このように接着剤硬化層２２ａを備えることで、シンチレータ基板５に加わった外力は、スペーサＳを介して接着剤硬化層２２ａに加わり、さらに、接着剤硬化層２２ａを介して素子基板４に加わるが、接着剤硬化層２２ａは加わった力を分散させるクッションの役割を果たすため、素子基板４に対して局所的に力が加わることを防止することが可能となる。

また、放射線検出パネル３の製造工程において、接着剤硬化層２２ａを形成する際、素子基板４に配置された接着剤２２に対して紫外線を照射する。その際、接着剤２２に入射する紫外線は、第１領域Ｔ１では走査線１１や信号線１２によって一部遮光されるが、例えば図１３に示すように、第２領域Ｔ２にダミー配線２０が配置されていないと、第２領域Ｔ２では接着剤２２に入射する紫外線は遮光されないため、第２領域Ｔ２に配置される接着剤硬化層２２ａは、第１領域Ｔ１に配置される接着剤硬化層２２ａよりも厚くなる。これにより、接着剤２２（接着剤硬化層２２ａを含む）とスペーサＳとからなるシール部Ｑにおけるシンチレータ基板５と接する側の面に段差が生じるため、素子基板４とシンチレータ基板５とを減圧貼り合わせする際等に、シンチレータ基板５に割れ等が生じることがある。

これに対し、本実施形態では、図３や図１１に示すように、素子基板４が、第２領域Ｔ２に配置され、接着剤２２に入射する紫外線を一部遮光する複数のダミー配線２０を備えている。
このように第２領域Ｔ２にダミー配線２０を配置することで、第１領域Ｔ１に配置される接着剤硬化層２２ａの厚みと、第２領域Ｔ２に配置される接着剤硬化層２２ａの厚みと、の差が小さくなったり、なくなったりする。すなわち、第２領域Ｔ２にダミー配線２０を配置しない場合と比較して、接着剤硬化層２２ａの厚みが大きくばらつくことがないため、シンチレータ基板５に割れ等が生じる程度の大きな段差がシール部Ｑに発生しないようになる。

以上説明した第１の実施の形態に係る放射線検出パネル３および放射線画像検出器１によれば、素子基板４（第１の基板）とスペーサＳとの間に、緩衝層として接着剤硬化層２２ａが配置されている。
したがって、接着剤硬化層２２ａが力を分散させるクッションの役割を果たし、素子基板４に対して局所的に力が加わることを防止できるため、素子基板４に備えられた配線（走査線１１や信号線１２）やパッシベーション層１７に割れ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように素子基板４に備えられた走査線１１や信号線１２、パッシベーション層１７に割れ等が生じることが的確に防止されるため、放射線検出パネル３の短寿命化や信頼性の低下、配線の断線等による初期不良などの不具合の誘発を確実に防止することが可能となる。

また、本実施形態のように、素子基板４の表面４ａにおける走査線１１や信号線１２が配置されていない第２領域Ｔ２に、複数のダミー配線２０を配置するよう構成すれば、走査線１１や信号線１２が配置された第１領域Ｔ１だけでなく、第２領域Ｔ２でも、接着剤２２に入射する光が一部遮光されるため、第２領域Ｔ２にダミー配線２０を配置しない場合と比較して、第１領域Ｔ１上に配置される接着剤硬化層２２ａの厚みと、第２領域Ｔ２上に配置される接着剤硬化層２２ａの厚みと、の差が小さくなる。
したがって、接着剤２２の延在方向に略均一の厚さの接着剤硬化層２２ａが形成され、シンチレータ基板５に割れ等が生じる程度の大きな段差がシール部Ｑに発生することがないため、シンチレータ基板５に割れ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように、シンチレータ基板５に割れ等が生じることが的確に防止されるため、歩留まりが向上し、スクラップコストの低減等によって製造コストの低減が期待できる。

［放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法］
次に、本実施形態に係る放射線検出パネル３の製造方法および放射線検出器１の製造方法について説明する。

なお、以下では、蛍光体６ａが柱状結晶構造を有するシンチレータ６を用いた放射線検出パネル３や放射線画像検出器１の製造方法について説明するが、蛍光体６ａが層状に形成されたシンチレータ６^＊を用いた放射線検出パネル３や放射線画像検出器１の製造方法についても同様に説明され、本発明が適用される。

まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３の製造方法について、図１５に示すフローチャートに基づいて説明する。

まず、予め平坦化層２１が形成された素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分、すなわち検出領域Ｔよりも外側の部分の第１領域Ｔ１や第２領域Ｔ２などに、複数のスペーサＳを含む接着剤２２を配置する（接着剤配置工程：ステップＳ１）。

ここで、素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分に、複数のスペーサＳが接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置される状態に接着剤２２を配置する方法としては、種々の方法を採用することができる。
例えば、接着剤２２に予め複数のスペーサＳを投入して攪拌し、シリンジ等を用いて複数のスペーサＳを含む接着剤２２を素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分に塗布することで、複数のスペーサＳが接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置される状態を実現することができるのであれば、その方法を採用することができる。
また、先に、素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分にスペーサＳを含まない接着剤２２を塗布して配置しておき、素子基板４上に配置した接着剤２２に対して複数のスペーサＳを接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて配置する方法を採用することもできる。

次いで、図示しない紫外線照射装置を用いて、素子基板４上に配置した接着剤２２に対して、素子基板４における接着剤２２が配置された面とは反対側の面側から紫外線を照射し、接着剤２２における素子基板４と接する側を硬化させて接着剤硬化層２２ａを形成する（硬化層形成工程：ステップＳ２）。

この際、本実施形態では、素子基板４が第２領域Ｔ２に配置されたダミー配線２０を備えているため、接着剤２２の延在方向に略均一の厚さの接着剤硬化層２２ａが形成される。

なお、本実施形態では、接着剤２２として紫外線硬化型の接着剤を用いたため、接着剤硬化層２２ａを形成する際に紫外線を照射するようにしたが、例えば、接着剤としてその他の光硬化型の接着剤を用いる場合、接着剤硬化層２２ａを形成する際等に照射する光の種類は適宜変更可能である。また、接着剤として熱硬化型の接着剤を用いる場合は、接着剤硬化層２２ａを形成する際、接着剤２２全体が硬化してしまわないように、例えば遠赤外線等を照射すると良い。

次いで、接着剤２２を介して、素子基板４とシンチレータ基板５とを、シンチレータ６と複数の光電変換素子１５とが対向する状態で仮貼り合わせする（仮貼り合わせ工程：ステップＳ３）。

なお、仮貼り合わせとは、後述する減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）において素子基板４とシンチレータ基板５とを本格的に貼り合わせる前に、素子基板４上にシンチレータ基板５を載置して、接着剤２２により素子基板４とシンチレータ基板５とが仮に貼り合わされた状態をいう。

次に、このようにして仮貼り合わせされた放射線検出パネル３に対して減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）等の処理を行うが、本実施形態では、これらの処理を、図１６に示すようなチャンバ３０内で行っている。
なお、このチャンバ３０と同様の機能を奏するものであれば、減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）等の処理を行う装置は図１６に示すチャンバ３０に限定されない。

本実施形態では、チャンバ３０は、基台３１と、フィルム３２と、基台３１に対して着脱可能な蓋部材３３と、を備えている。そして、基台３１と蓋部材３３との各側面には、Ｏリング状のシール部材３４ａ，３４ｂがそれぞれ配設されており、蓋部材３３が基台３１に取り付けられた際には、基台３１のシール部材３４ａと蓋部材３３のシール部材３４ｂで上下からフィルム３２を挟持するようにしてフィルム３２を密封状に固定している。

また、基台３１の底部は平面状に形成されており、図示しない開口部を介して減圧用ポンプ３５が取り付けられている。フィルム３２は、紫外線を透過し、伸縮性を有する素材で形成されている。また、本実施形態では、蓋部材３３には、その内部に紫外線照射装置３６が取り付けられており、さらに、図示しない開口部を介してポンプ３７が取り付けられている。なお、ポンプ３７を設ける代わりに、蓋部材３３に単に開口部を設けるように構成することも可能である。

仮貼り合わせ工程（ステップＳ３）が終了すると、図１６に示したように、仮貼り合わせされた放射線検出パネル３をチャンバ３０の基台３１上に載置する。
そして、放射線検出パネル３のシンチレータ基板５の上方側からシンチレータ基板５を被覆するようにフィルム３２を載置し（フィルム載置工程：ステップＳ４）、基台３１のシール部材３４ａと蓋部材３３のシール部材３４ｂで上下からフィルム３２を挟持するようにしてフィルム３２の上方から基台３１に蓋部材３３を取り付ける。

ここで、前述したように、素子基板４とシンチレータ基板５と接着剤２２とで外部から区画された内部空間Ｃ内の湿気（水蒸気）を排除するために、チャンバ３０内の空気、或いは少なくとも放射線検出パネル３を含むフィルム３２の下方の空間（以下「下方空間Ｒ１」という。）内の空気をドライエアや不活性ガスで置換するように構成してもよい。

次いで、減圧用ポンプ３５を駆動して、放射線検出パネル３を含むフィルム３２の下方空間Ｒ１を減圧することで、放射線検出パネル３の内部空間Ｃを大気圧より低い圧力（例えば０．２気圧〜０．５気圧）に徐々に減圧していく。

チャンバ３０の蓋部材３３とフィルム３２との間の空間（以下「上方空間Ｒ２」という。図１６参照）は下方空間Ｒ１よりも高圧になるため、チャンバ３０の下方空間Ｒ１を減圧していくと、図１７に示すように、放射線検出パネル３のシンチレータ基板５の上方からフィルム３２が張り付くようになり、放射線検出パネル３は、フィルム３２を介して上方の上方空間Ｒ２からの圧力で押圧されて、素子基板４とシンチレータ基板５とが貼り合わされる（減圧貼り合わせ工程：ステップＳ５）。

ところで、仮貼り合わせ工程（ステップＳ３）の終了時点で、素子基板４やシンチレータ基板５が接着剤２２に密着してしまうと、内部空間Ｃが、内部圧力が大気圧の状態で密閉される。そして、この状態で上記のような減圧貼り合わせを行うと、外部は減圧されるが、内部空間Ｃの内部は大気圧のままであるため、内部空間Ｃの気体が接着剤２２によるシールを破って外部に噴出して、接着剤２２によるシールが破壊されてしまい、接着不良を生じてしまう。

また、接着剤２２によるシールが破壊された部分で内部空間Ｃと外部とつなぐ気体の流路が形成されてしまうため、外部を大気圧に戻すと内部空間Ｃに外気が流入する。そのため、湿気（水蒸気）を含む外気が流入して、シンチレータ６が劣化する等の不具合が生じてしまう。

そこで、本実施形態では、上記の接着剤配置工程（ステップＳ１）の段階で、図１８に示すように、接着剤２２を、素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分に、接着剤２２の延在方向に間隙Ｇが形成されるように塗布して配置することとする。
なお、図１８および後述する図１９、図２０では、スペーサＳの図示が省略されている。また、間隙Ｇは１カ所だけでなく、複数の箇所に形成することも可能である。

このように間隙Ｇを形成すると、仮貼り合わせ工程（ステップＳ３）で素子基板４とシンチレータ基板５とが仮貼り合わせされた際、図１９に示すように、接着剤２２の間隙Ｇの部分に、内部空間Ｃとその外側の空間とを連通する開口部２４が形成される。そして、チャンバ３０等を用いた減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）で、下方空間Ｒ１を徐々に減圧すると、内部空間Ｃの内部の気体が接着剤２２の開口部２４を通って排出され、内部空間Ｃの内部の圧力が減圧される。

また、開口部２４の開口の大きさ、すなわち接着剤２２の間隙Ｇの間隔を適切な大きさに形成しておけば、図２０に示すように、上方空間Ｒ２からの大気圧による押圧等で放射線検出パネル３の素子基板４とシンチレータ基板５とが互いに接近する際に、接着剤２２が延在方向に押し広げられて接着剤２２同士が結合して開口部２４を封止し、内部空間Ｃを密閉することが可能となる。

このようにして、減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）では、下方空間Ｒ１が減圧される際に、内部空間Ｃの内部の気体が開口部２４を通って排出されて内部空間Ｃが減圧されるとともに、フィルム３２を介する上方空間Ｒ２からの圧力による押圧のため、シンチレータ基板５が素子基板４側に徐々に移動し、シンチレータ６，６^＊の蛍光体６ａの先端Ｐａ，Ｐｂと素子基板４の平坦化層２１とが図７や図１４などに示した状態に当接する。

そして、その状態で、開口部２４が封止されて、接着剤２２と素子基板４やシンチレータ基板５とが密着した状態で素子基板４とシンチレータ基板５とが接着剤２２を介して貼り合わされる。また、内部空間Ｃが所定の圧力（例えば０．２気圧〜０．５気圧）に減圧された状態で密閉される。

なお、その際、チャンバ３０の蓋部材３３側のポンプ３７を駆動させてチャンバ３０の上方空間Ｒ２を適度に加圧したり減圧したりして、放射線検出パネル３の素子基板４とシンチレータ基板５とを確実に貼り合わせるように構成することも可能であり、チャンバ３０の上方空間Ｒ２の圧調整は適宜行われる。

また、前述したように、チャンバ３０の蓋部材３３にポンプ３７を設ける代わりに単なる開口部を設けた場合でも、チャンバ３０の上方空間Ｒ２の内部圧力が大気圧に維持され、下方空間Ｒ２よりも高圧となるため、放射線検出パネル３を適度に加圧して素子基板４とシンチレータ基板５とを確実に貼り合わせることが可能となる。

減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）が終了すると、続いて、貼り合わされた放射線検出パネル３に対して、チャンバ３０の蓋部材３３に設けられた紫外線照射装置３６（図１７参照）から紫外線を照射し、接着剤２２を硬化させて、素子基板４とシンチレータ基板５とを確実に貼り合わせることによって（接着剤硬化工程：ステップＳ６）、放射線検出パネル３を製造する。

なお、本実施形態では、シンチレータ基板５やフィルム３２が紫外線を透過する材料で形成されているため、紫外線照射装置３６から照射された紫外線が接着剤２２に到達して、接着剤２２が確実に硬化する。しかしながら、フィルム３２やシンチレータ基板５を透過した紫外線が、シンチレータ６や光電変換素子１５などに到達すると、それらに悪影響を及ぼす場合がある。

そのため、それを防止するために、図２１に示すように、シンチレータ基板５とシンチレータ６との間に、光（紫外線）を遮光する遮光層２３を形成することが好ましい。
なお、遮光層２３は、シンチレータ基板５とシンチレータ６との間ではなく、シンチレータ基板５とシンチレータ６との間に設けるとともに、シンチレータ基板５のシンチレータ６が設けられた面とは反対側の面側に形成することも可能である。また、遮光層２３は紫外線を遮光するが、放射線は透過するものであることが必要である。

上記のようにして、素子基板４とシンチレータ基板５とが接着剤２２を介して減圧環境下で貼り合わされて内部空間Ｃが密閉され、接着剤２２全体が硬化されると、製造された放射線検出パネル３を大気圧中に移しても内部空間Ｃには外気が流入せず、内部空間Ｃの減圧状態が維持される。

また、このように内部空間Ｃの減圧状態が維持されるため、素子基板４やシンチレータ基板５が大気圧でその厚さ方向に常時押圧される状態となる。そのため、図７や図１４などに示したように、放射線検出パネル３を、シンチレータ６の蛍光体６ａの鋭角状の先端Ｐａや、シンチレータ６^＊の層状の蛍光体６ａの先端Ｐｂが素子基板４上に形成された複数の光電変換素子１５やそれをパッシベーション層１７を介して被覆する平坦化層２１の表面に当接する状態に維持することが可能となる。

そのため、放射線検出パネル３を、図２等に示したように筐体２内に収納して保持すれば、シンチレータ６，６^＊が損傷されることない状態で、蛍光体６ａの先端Ｐａ，Ｐｂと光電変換素子１５との距離を放射線検出パネル３の全域において均一にすることが可能となり、前述したような有効な機能を有する放射線検出パネル３を製造することが可能となる。

次に、本実施形態に係る放射線画像検出器１の製造方法について、図２２に示すフローチャートに基づいて説明する。

まず、上記のようにして放射線検出パネル３の製造工程（ステップＳ１０）が終了すると、続いて、シンチレータ基板５と貼り合わされた素子基板４上に形成された入出力端子１８に、異方性導電接着フィルムを貼付したり異方性導電ペーストを塗布したりする等してＣＯＦ１９を圧着し（ＣＯＦ圧着工程：ステップＳ１１）、さらに、入出力端子１８とＣＯＦ１９との通電を検査する（ＣＯＦ通電検査工程：ステップＳ１２）。

次いで、ＣＯＦ１９が素子基板４の裏面４ｂ側に引き回されてＰＣＢ基板９とＣＯＦ１９とが圧着されて接続され（ＰＣＢ基板圧着工程：ステップＳ１３）、素子基板４等における金属製の部材の露出部分等の腐食する可能性がある部分に対して腐食防止のためにシリコンゴムや樹脂を塗布する（腐食防止工程：ステップＳ１４）。

次いで、上記のようにしてＣＯＦ１９やＰＣＢ基板９などが取り付けられた放射線検出パネル３に、図示しない支持台や基台などを固定してモジュール化した後（モジュール形成工程：ステップＳ１５）、そのモジュール化された放射線検出パネル３を筐体２内に収納して（モジュール収納工程：ステップＳ１６）、放射線画像検出器１を製造する。

以上説明した第１の実施の形態に係る放射線検出パネル３の製造方法や放射線画像検出器１の製造方法によれば、硬化層形成工程（ステップＳ２）で、素子基板４（第１の基板）とスペーサＳとの間に配置される緩衝層としての接着剤硬化層２２ａが形成される。
したがって、接着剤硬化工程（ステップＳ６）で接着剤２２全体が硬化された後は勿論、接着剤硬化工程（ステップＳ６）の前の仮貼り合わせ工程（ステップＳ３）や減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）などで、接着剤２２の一部のみが硬化されて接着剤硬化層２２ａが形成された状態で、シンチレータ基板５に外力が加わっても、シンチレータ基板５に加わった外力を接着剤硬化層２２ａが的確に分散するため、素子基板４に備えられた配線（走査線１１や信号線１２）やパッシベーション層１７に割れ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように素子基板４に備えられた走査線１１や信号線１２、パッシベーション層１７に割れ等が生じることが的確に防止されるため、放射線検出パネル３の短寿命化や信頼性の低下、配線の断線等による初期不良などの不具合の誘発を確実に防止することが可能となる。

また、本実施形態のように、素子基板４の表面４ａにおける走査線１１や信号線１２が配置されていない第２領域Ｔ２に、複数のダミー配線２０を配置するようにすれば、硬化層形成工程（ステップＳ２）で、走査線１１や信号線１２が配置された第１領域Ｔ１だけでなく、第２領域Ｔ２でも、接着剤２２に入射する光が一部遮光されるため、第２領域Ｔ２にダミー配線２０を配置しない場合と比較して、第１領域Ｔ１上に配置される接着剤硬化層２２ａの厚みと、第２領域Ｔ２上に配置される接着剤硬化層２２ａの厚みと、の差が小さくなる。
したがって、接着剤２２の延在方向に略均一の厚さの接着剤硬化層２２ａが形成され、シンチレータ基板５に割れ等が生じる程度の大きな段差がシール部Ｑに発生することがないため、シンチレータ基板５に割れ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように、シンチレータ基板５に割れ等が生じることが的確に防止されるため、歩留まりが向上し、スクラップコストの低減等によって製造コストの低減が期待できる。

なお、以上説明した本実施形態に係る放射線検出パネル３の製造方法は、変形可能である。
その変形例の一例を、図２３のフローチャートに基づいて説明する。

まず、素子基板４の複数の光電変換素子１５の周囲の部分、すなわち検出領域Ｔよりも外側の部分の第１領域Ｔ１や第２領域Ｔ２などに、スペーサＳを含んでいない接着剤２２を配置する（接着剤配置工程：ステップＳ２１）。

次いで、図示しない紫外線照射装置を用いて、素子基板４上に配置した接着剤２２に対して、素子基板４における接着剤２２が配置された面とは反対側の面側から紫外線を照射し、接着剤２２における素子基板４と接する側を硬化させて接着剤硬化層２２ａを形成する（硬化層形成工程：ステップＳ２２）。

次いで、一部が硬化されて接着剤硬化層２２ａが形成された接着剤２２に対して、例えば接着剤２２の延在方向に略同一の間隔をおいて、複数のスペーサＳを配置する（スペーサ配置工程：ステップＳ２３）。

次いで、仮貼り合わせ工程（ステップＳ３）を行うが、仮貼り合わせ工程以降の工程（ステップＳ３〜ステップＳ６）は、図１５のフローチャートで示した製造方法における仮貼り合わせ工程以降の工程（ステップＳ３〜ステップＳ６）と同一であるため、説明は省略する。

以上説明した第１の実施の形態に係る放射線検出パネル３の製造方法の変形例のように、接着剤配置工程（ステップＳ２１）で、スペーサＳを含んでいない接着剤２２を素子基板４上に配置し、硬化層形成工程（ステップＳ２２）で、接着剤２２を硬化させて接着剤硬化層２２ａを形成した後に、スペーサ配置工程（ステップＳ２３）で、接着剤硬化層２２ａが形成された接着剤２２に対して複数のスペーサＳを配置するよう構成すれば、接着剤硬化層２２ａを素子基板４とスペーサＳとの間により確実に形成することができるため、素子基板４に備えられた配線（走査線１１や信号線１２）やパッシベーション層１７に割れ等が生じることをより的確に防止することが可能となる。

［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態に係る放射線検出パネル３Ａ、放射線画像検出器１Ａ、放射線検出パネル３Ａの製造方法および放射線画像検出器１Ａの製造方法について説明する。
なお、第２の実施の形態においては、緩衝層が接着剤硬化層２２ａでなく、複数の光電変換素子１５の周囲の部分にまで延設された平坦化層２１Ａである点が第１の実施の形態と異なる。したがって、異なる箇所のみについて説明し、その他の共通する部分は同一符号を付して説明は省略する。

［放射線検出パネルおよび放射線画像検出器］
まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３Ａおよび放射線画像検出器１Ａの構成について説明する。

なお、以下では、蛍光体６ａが柱状結晶構造を有するシンチレータ６を用いた放射線検出パネル３Ａや放射線画像検出器１Ａについて説明するが、蛍光体６ａが層状に形成されたシンチレータ６^＊を用いた放射線検出パネル３Ａや放射線画像検出器１Ａについても同様に説明され、本発明が適用される。

放射線画像検出器１Ａは、図２４に示すように、放射線検出パネル３Ａが筐体２内に収納されて構成されている。
具体的には、筐体２の内部には、第１の基板である素子基板４Ａ、第２の基板であるシンチレータ基板５、シンチレータ６等を備えた放射線検出パネル３Ａが配置されている。

第２の実施の形態の素子基板４Ａは、図２５等に示すように、ダミー配線２０を備えておらず、その他の構成については第１の実施の形態の素子基板４と同一である。

また、本実施形態においては、図２６や図２７に示すように、検出領域Ｔに形成された平坦化層２１Ａが、素子基板４Ａの表面４ａにおける複数の光電変換素子１５の周囲の部分、すなわち検出領域Ｔよりも外側の部分にまで延設されていることとする。そして、平坦化層２１Ａにおける検出領域Ｔよりも外側の部分に設けられた延設部分２１Ａａ（図２６〜図２８においてドットパターンで塗りつぶした部分）が、スペーサＳと素子基板４Ａとの間に配置されている。これにより、平坦化層２１Ａが緩衝層となっている。

また、本実施形態では、平坦化層２１Ａは、有機材料、具体的にはアクリル系感光性樹脂で形成されているが、そのままでは接着剤２２への接着力が低い。
そこで、本実施形態では、平坦化層２１Ａと接着剤２２との接着性を向上させるために、平坦化層２１Ａの延設部分２１Ａａにおける接着剤２２との接着面に、ＵＶ改質、プラズマ処理、コロナ放電等の所定の表面改質処理が施されていることとする。

また、本実施形態では、平坦化層２１Ａは、アクリル系感光性樹脂で形成されているが、アクリル系感光性樹脂は、分子密度が低いと、湿気（水蒸気）を透過してしまう。平坦化層２１Ａが湿気を透過してしまうと、内部空間Ｃの内部の空気がドライエアや不活性ガスで置換されていても、やがて内部空間Ｃに湿気が入り込んでしまい、シンチレータ６が劣化してしまう場合がある。
そこで、本実施形態では、それを防止するために、図２８に示すように、平坦化層２１Ａを外気と遮断するように配置された封止材２５を備えていることとする。
なお、封止材２５は、湿気を透過しない防湿樹脂等によって形成されていれば任意であり、防湿樹脂としては、例えば、エポキシ系やウレタン系の樹脂、平坦化層２１Ａよりも分子密度が高いアクリル系の樹脂等が挙げられる。

次に、本実施形態に係る放射線検出パネル３Ａや放射線画像検出器１Ａの作用について説明する。

放射線検出パネル３Ａの製造工程において、素子基板４Ａとシンチレータ基板５とを減圧貼り合わせする際、大気圧で外側から内部空間Ｃ側に素子基板４Ａとシンチレータ基板５とが押圧される。その際、例えば図３４に示すように、スペーサＳが、素子基板４Ａに接触している場合には、大気圧によりシンチレータ基板５に加わった外力は、スペーサＳを介して直接素子基板４Ａに加わる。この場合、スペーサＳと素子基板４Ａとは、スペーサＳが棒状のスペーサＳａである場合には線で、スペーサＳが球形状のスペーサＳｂである場合には点で接触しているため、素子基板４ＡにはスペーサＳを介して局所的に大きな力が加わることになる。これにより、素子基板４Ａが備える走査線１１や信号線１２、パッシベーション層１７などに割れ等が生じることがある。

これに対し、本実施形態では、図２６等に示すように、放射線検出パネル３Ａが、緩衝層として、素子基板４ＡとスペーサＳとの間に配置された延設部分２１Ａａを有する平坦化層２１Ａを備えている。
このように平坦化層２１Ａが延在部分２１Ａａを有することで、シンチレータ基板５に加わった外力は、スペーサＳを介して平坦化層２１Ａに加わり、さらに、平坦化層２１Ａを介して素子基板４Ａに加わるが、平坦化層２１Ａは加わった力を分散させるクッションの役割を果たすため、素子基板４Ａに対して局所的に力が加わることを防止することが可能となる。

以上説明した第２の実施の形態に係る放射線検出パネル３Ａおよび放射線画像検出器１Ａによれば、緩衝層としても機能する、素子基板４Ａ（第１の基板）とスペーサＳとの間に配置された延設部分２１Ａａを有する平坦化層２１Ａを備えている。
したがって、平坦化層２１Ａが力を分散させるクッションの役割を果たし、素子基板４Ａに対して局所的に力が加わることを防止できるため、素子基板４Ａに備えられた配線（走査線１１や信号線１２）やパッシベーション層１７に割れ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように素子基板４Ａに備えられた走査線１１や信号線１２、パッシベーション層１７に割れ等が生じることが的確に防止されるため、放射線検出パネル３Ａの短寿命化や信頼性の低下、配線の断線等による初期不良などの不具合の誘発を確実に防止することが可能となる。

また、本実施形態のように、平坦化層２１Ａが有機材料で形成されていても、平坦化層２１Ａの延設部分２１Ａａに、接着剤２２との接着性を向上させるための表面改質処理を施すよう構成すれば、延設部分２１Ａａと接着剤２２とが確実に接着するとともに、その接着が維持されるため、内部空間Ｃに外気が流入せず、内部空間Ｃの減圧状態が維持される。そのため、シンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと平坦化層２１Ａとが離間してシンチレータ６の蛍光体６ａの先端Ｐａと光電変換素子１５とが離れて画像の鮮鋭性が失われたり、内部空間Ｃに湿気を帯びた外気が流入して内部空間Ｃが湿気を有する状態になってシンチレータ６が劣化したりするといった不具合の発生を確実に防止することが可能となる。

また、本実施形態のように、平坦化層２１Ａを外気と遮断する封止材２５を備えるよう構成すれば、平坦化層２１Ａが延出部分２１Ａａを有しており、かつ、湿気を透過可能な材料で形成されていても、内部空間Ｃに湿気が流入しない。そのため、内部空間Ｃに湿気が流入して内部空間Ｃが湿気を有する状態になってシンチレータ６が劣化するといった不具合の発生を確実に防止することが可能となる。

［放射線検出パネルの製造方法および放射線画像検出器の製造方法］
次に、本実施形態に係る放射線検出パネル３Ａの製造方法および放射線検出器１Ａの製造方法について説明する。

なお、以下では、蛍光体６ａが柱状結晶構造を有するシンチレータ６を用いた放射線検出パネル３Ａや放射線画像検出器１Ａの製造方法について説明するが、蛍光体６ａが層状に形成されたシンチレータ６^＊を用いた放射線検出パネル３Ａや放射線画像検出器１Ａの製造方法についても同様に説明され、本発明が適用される。

まず、本実施形態に係る放射線検出パネル３Ａの製造方法について、図２９に示すフローチャートに基づいて説明する。

まず、素子基板４Ａに対して、パッシベーション層１７を介して複数の光電変換素子１５等を被覆して、複数の光電変換素子１５の周囲の部分まで延設された平坦化層２１Ａを形成する（平坦化層形成工程：ステップＳ３１）。

次いで、平坦化層２１Ａの延設部分２１Ａａ、または、シンチレータ基板５のシンチレータ３の周囲の部分に、複数のスペーサＳを含む接着剤２２を配置する（接着剤配置工程：ステップＳ３２）。

次いで、仮貼り合わせ工程（ステップＳ３）を行うが、仮貼り合わせ工程以降の工程（ステップＳ３〜ステップＳ６）は、図１５のフローチャートで示した第１の実施の形態に係る放射線検出パネル３の製造方法における仮貼り合わせ工程以降の工程（ステップＳ３〜ステップＳ６）と同一であるため、説明は省略する。

また、第２の実施の形態の放射線画像検出器１Ａの製造方法は、図２２のフローチャートで示した第１の実施の形態に係る放射線画像検出器１の製造方法と同一であるため、説明は省略する。

以上説明した第２の実施の形態に係る放射線検出パネル３Ａの製造方法や放射線画像検出器１の製造方法によれば、平坦化層形成工程（ステップＳ３１）で、緩衝層としても機能する、素子基板４Ａ（第１の基板）とスペーサＳとの間に配置された延設部分２１Ａａを有する平坦化層２１Ａが形成される。
したがって、接着剤硬化工程（ステップＳ６）で接着剤２２全体が硬化された後は勿論、接着剤硬化工程（ステップＳ６）の前の仮貼り合わせ工程（ステップＳ３）や減圧貼り合わせ工程（ステップＳ５）などで、接着剤２２が未硬化の状態で、シンチレータ基板５に外力が加わっても、シンチレータ基板５に加わった外力を平坦化層２１Ａが的確に分散するため、素子基板４Ａに備えられた配線（走査線１１や信号線１２）やパッシベーション層１７に割れ等が生じることを的確に防止することが可能となる。
また、このように素子基板４Ａに備えられた走査線１１や信号線１２、パッシベーション層１７に割れ等が生じることが的確に防止されるため、放射線検出パネル３Ａの短寿命化や信頼性の低下、配線の断線等による初期不良などの不具合の誘発を確実に防止することが可能となる。

なお、本発明が、上記の実施形態や変形例に限定されず、適宜変更可能であることは言うまでもない。

１，１Ａ 放射線画像検出器
３，３Ａ 放射線検出パネル
４，４Ａ 素子基板（第１の基板）
４ａ 表面
５ シンチレータ基板（第２の基板）
５ａ 表面
６，６^＊ シンチレータ
１１ 走査線（配線）
１２ 信号線（配線）
１５ 光電変換素子
２０ ダミー配線
２１ 平坦化層
２１Ａ 平坦化層（緩衝層）
２１Ａａ 延設部分
２２ 接着剤
２２ａ 接着剤硬化層（緩衝層）
２５ 封止材
Ｃ 内部空間
Ｓ スペーサ
Ｔ１ 第１領域
Ｔ２ 第２領域

Claims (12)

1. 表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板と、
   放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成され、前記シンチレータと前記複数の光電変換素子とが対向する状態で配置された第２の基板と、
   前記複数の光電変換素子および前記シンチレータの周囲の部分に配置され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する接着剤と、
   前記接着剤に含まれ、前記第１の基板と前記第２の基板との間隔を確保する複数のスペーサと、を備え、
   さらに、前記第１の基板と前記スペーサとの間に配置された緩衝層を備えることを特徴とする放射線検出パネル。
2. 前記緩衝層は、前記接着剤における前記第１の基板と接する側を硬化させることによって形成された接着剤硬化層であることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出パネル。
3. 前記接着剤は、光硬化型の接着剤であり、
   前記第１の基板は、
   光透過性の材料で形成された基板であり、
   前記複数の光電変換素子と接続して、前記複数の光電変換素子の周囲の部分に延設された複数の配線と、
   前記複数の光電変換素子の周囲の部分に配置され、前記接着剤硬化層を形成する際に前記接着剤に入射する光を一部遮光するダミー配線と、を備え、
   前記複数の光電変換素子の周囲の部分では、前記配線が配置された第１領域と、前記配線が配置されていない第２領域と、が前記接着剤の延在方向に交互に隣接しており、
   前記複数の配線は、所定の本数毎に組になって、同じ組の各配線が一の前記第１領域に配置されており、
   前記ダミー配線は、前記第２領域に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出パネル。
4. 前記緩衝層は、前記複数の光電変換素子を被覆して、前記複数の光電変換素子の周囲の部分まで延設された平坦化層であることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出パネル。
5. 前記平坦化層は、有機材料で形成され、前記接着剤との接着性を向上させるために所定の表面改質処理が施されていることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出パネル。
6. 前記平坦化層を外気と遮断するように配置された封止材を備えることを特徴とする請求項５に記載の放射線検出パネル。
7. 請求項１〜６の何れか一項に記載の放射線検出パネルを備えることを特徴とする放射線画像検出器。
8. 表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板の前記複数の光電変換素子の周囲の部分に、複数のスペーサを含む接着剤を配置する接着剤配置工程と、
   前記接着剤における前記第１の基板と接する側を硬化させて接着剤硬化層を形成する硬化層形成工程と、
   前記接着剤を介して、前記第１の基板と放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第２の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
   前記第１の基板、前記第２の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
   前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
   を有することを特徴とする放射線検出パネルの製造方法。
9. 表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板の前記複数の光電変換素子の周囲の部分に、接着剤を配置する接着剤配置工程と、
   前記接着剤における前記第１の基板と接する側を硬化させて接着剤硬化層を形成する硬化層形成工程と、
   前記接着剤に対して複数のスペーサを配置するスペーサ配置工程と、
   前記接着剤を介して、前記第１の基板と放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第２の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
   前記第１の基板、前記第２の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
   前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
   を有することを特徴とする放射線検出パネルの製造方法。
10. 前記接着剤は、光硬化型の接着剤であり、
    前記第１の基板は、
    光透過性の材料で形成された基板であり、
    前記複数の光電変換素子と接続して、前記複数の光電変換素子の周囲の部分に延設された複数の配線と、
    前記複数の光電変換素子の周囲の部分に配置され、前記接着剤硬化層を形成する際に前記接着剤に入射する光を一部遮光するダミー配線と、を備え、
    前記複数の光電変換素子の周囲の部分では、前記配線が配置された第１領域と、前記配線が配置されていない第２領域と、が前記接着剤の延在方向に交互に隣接しており、
    前記複数の配線は、所定の本数毎に組になって、同じ組の各配線が一の前記第１領域に配置されており、
    前記ダミー配線は、前記第２領域に配置されていることを特徴とする請求項８または９に記載の放射線検出パネルの製造方法。
11. 表面に複数の光電変換素子が二次元状に配列された第１の基板に対して、前記複数の光電変換素子を被覆して、前記複数の光電変換素子の周囲の部分まで延設された平坦化層を形成する平坦化層形成工程と、
    前記平坦化層における前記複数の光電変換素子の周囲の部分に設けられた延設部分、または、放射線を光に変換するシンチレータが表面に形成された第２の基板の前記シンチレータの周囲の部分に、複数のスペーサを含む接着剤を配置する接着剤配置工程と、
    前記平坦化層および前記接着剤を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記複数の光電変換素子と前記シンチレータとが対向する状態で仮貼り合わせする仮貼り合わせ工程と、
    前記平坦化層、前記第２の基板および前記接着剤により形成される内部空間を減圧して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程と、
    前記第１の基板と前記第２の基板とが貼り合わされた状態で、前記接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、
    を有することを特徴とする放射線検出パネルの製造方法。
12. 請求項８〜１１の何れか一項に記載の放射線検出パネルの製造方法により製造された放射線検出パネルを用いて放射線画像検出器を製造することを特徴とする放射線画像検出器の製造方法。

Images