WO2022107353A1 - 放射線検出パネル - Google Patents

Abstract

光電変換基板の反りを抑制することのできる放射線検出パネルを提供する。　放射線検出パネルは、複数の光電変換部を有する光電変換基板と、前記光電変換基板の上に設けられたシンチレータ層と、防湿カバーと、を備える。前記防湿カバーは、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を挟み前記シンチレータ層を覆っている。前記防湿カバーは、ガラスで形成されている。

Description

放射線検出パネル

　本発明の実施形態は、放射線検出パネルに関する。

　放射線検出器として、例えばＸ線検出器（Ｘ線平面検出器）が知られている。Ｘ線検出器のＸ線検出パネルは、Ｘ線を蛍光に変換するシンチレータ層と、蛍光を電気信号に変換する光電変換基板と、を備えている。シンチレータ層は、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含んでいる。また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、Ｘ線検出パネルは、シンチレータ層の上に設けられた光反射層をさらに備える場合もある。

　ここで、水蒸気などに起因する特性の劣化を抑制するために、シンチレータ層と光反射層は、外部雰囲気から隔離する必要がある。そこで、高い防湿性能が得られる構造として、シンチレータ層と光反射層をハット形状の防湿カバーで覆い、防湿カバーの周縁部を光電変換基板に接着する技術が提案されている。

特開２００９－１２８０２３号公報 特開２０２０－７９７８７号公報

　本実施形態は、光電変換基板の反りを抑制することのできる放射線検出パネルを提供する。

　一実施形態に係る放射線検出パネルは、
　複数の光電変換部を有する光電変換基板と、前記光電変換基板の上に設けられたシンチレータ層と、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を挟み前記シンチレータ層を覆った防湿カバーと、を備え、前記防湿カバーは、ガラスで形成されている。

図１は、比較例１に係るＸ線検出器を示す断面図である。 図２は、上記Ｘ線検出器の支持基板、Ｘ線検出パネル、回路基板、複数のＦＰＣ、及び画像伝送部を示す斜視図である。 図３は、上記Ｘ線検出パネルの一部を示す拡大断面図である。 図４は、上記Ｘ線検出パネル、回路基板、及び複数のＦＰＣを示す回路図である。 図５は、上記Ｘ線検出パネルを示す平面図である。 図６は、上記Ｘ線検出パネルを線ＶＩ－ＶＩに沿って示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。 図７は、比較例２に係るＸ線検出パネルを示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。 図８は、一実施形態の実施例１に係るＸ線検出パネルを示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。 図９は、上記実施形態の実施例２に係るＸ線検出パネルを示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。 図１０は、上記実施形態の実施例３に係るＸ線検出パネルを示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。 図１１は、上記実施形態の実施例４に係るＸ線検出パネルを示す断面図であり、ＦＰＣを併せて示す図である。

　以下に、本発明の一実施形態及び各比較例について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

　（比較例１）
　まず、比較例１に係るＸ線検出器１の構成及びＸ線検出器１の製造方法について説明する。図１は、比較例１に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、Ｘ線画像検出器であり、Ｘ線検出パネルを利用するＸ線平面検出器である。Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途等に用いられている。

　図１に示すように、Ｘ線検出器１は、Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２、回路基板１１、スペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ、筐体５１、入射窓５２等を備えている。Ｘ線検出モジュール１０は、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）２ｅ１等を備えている。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、支持基板１２と入射窓５２との間に位置している。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、入射窓５２と対向した防湿カバー７を備えている。

　入射窓５２は、筐体５１の開口に取付けられている。入射窓５２はＸ線を透過させる。そのため、Ｘ線は入射窓５２を透過してＸ線検出パネルＰＮＬに入射される。入射窓５２は、板状に形成され、筐体５１内部を保護する機能を有している。入射窓５２は、Ｘ線吸収率の低い材料で薄く形成することが望ましい。これにより、入射窓５２で生じる、Ｘ線の散乱と、Ｘ線量の減衰とを低減することができる。そして、薄くて軽いＸ線検出器１を実現することができる。　
　Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２、回路基板１１等は、筐体５１及び入射窓５２で囲まれた空間の内部に収容されている。

　Ｘ線検出パネルＰＮＬは、薄い部材を積層して構成されているため、軽く機械的強度の低いものである。このため、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、粘着シートを介して支持基板１２の平坦な一面に固定されている。支持基板１２は、例えばアルミニウム合金で板状に形成され、Ｘ線検出パネルＰＮＬを安定して保持するために必要な強度を有している。これにより、Ｘ線検出器１に外部から振動や衝撃が加わった際におけるＸ線検出パネルＰＮＬの破損を抑制することができる。

　支持基板１２の他面には、スペーサ９ａ，９ｂを介して回路基板１１が固定されている。スペーサ９ａ，９ｂを使用することで、主に金属から構成される支持基板１２から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。　
　筐体５１の内面には、スペーサ９ｃ，９ｄを介して回路基板１１が固定されている。スペーサ９ｃ，９ｄを使用することで、主に金属から構成される筐体５１から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。筐体５１は、回路基板１１及びスペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを介して支持基板１２等を支持している。

　回路基板１１にはＦＰＣ２ｅ１に対応するコネクタが実装され、ＦＰＣ２ｅ１はコネクタを介して回路基板１１に電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ１とＸ線検出パネルＰＮＬとの接続には、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）を利用した熱圧着法が用いられる。この方法により、Ｘ線検出パネルＰＮＬの複数の微細なパッドと、ＦＰＣ２ｅ１の複数の微細なパッドとの電気的接続が確保され、ＦＰＣ２ｅ１がＸ線検出パネルＰＮＬに物理的に固定される。なお、Ｘ線検出パネルＰＮＬのパッドに関しては後述する。

　上記のように、回路基板１１は、上記コネクタ、ＦＰＣ２ｅ１等を介してＸ線検出パネルＰＮＬに電気的に接続されている。回路基板１１は、Ｘ線検出パネルＰＮＬを電気的に駆動し、かつ、Ｘ線検出パネルＰＮＬからの出力信号を電気的に処理するものである。

　図２は、比較例１に係るＸ線検出器１の支持基板１２、Ｘ線検出パネルPNL、回路基板１１、複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２、及び画像伝送部４を示す斜視図である。なお、図２には、Ｘ線検出器１の全ての部材を示していない。後述する接合体等、Ｘ線検出器１のいくつかの部材の図示は、図２において省略している。

　図２に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光電変換基板２、シンチレータ層５等を備えている。光電変換基板２は、基板２ａ、複数の光電変換部２ｂ、複数の制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、複数のデータライン（又はシグナルライン）２ｃ２等を有している。なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、及びデータライン２ｃ２の数、配置等は図２の例に限定されるものではない。

　複数の制御ライン２ｃ１は、行方向に延在し、列方向に所定の間隔をあけて並べられている。複数のデータライン２ｃ２は、列方向に延在し、複数の制御ライン２ｃ１と交差し、行方向に所定の間隔をあけて並べられている。

　光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の面側に複数設けられている。光電変換部２ｂは、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とにより区画された四角形状の領域に設けられている。１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像の１つの画素に対応する。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。上記のことから、光電変換基板２は、アレイ基板である。

　各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２ｂ２と、を有している。ＴＦＴ２ｂ２は、対応する一の制御ライン２ｃ１と、対応する一のデータライン２ｃ２とに接続されている。光電変換素子２ｂ１はＴＦＴ２ｂ２に電気的に接続されている。

　制御ライン２ｃ１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して回路基板１１に電気的に接続されている。回路基板１１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して複数の制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を与える。データライン２ｃ２は、ＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に電気的に接続されている。光電変換素子２ｂ１によって変換された画像データ信号Ｓ２（光電変換部２ｂに蓄積された電荷）は、ＴＦＴ２ｂ２、データライン２ｃ２、及びＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に伝送される。

　Ｘ線検出器１は、画像伝送部４を備えている。画像伝送部４は、配線４ａを介して回路基板１１に接続されている。なお、画像伝送部４は、回路基板１１に組込まれてもよい。画像伝送部４は、図示しない複数のアナログ－デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データの信号に基づいて、Ｘ線画像を生成する。生成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。

　図３は、比較例１に係るＸ線検出パネルＰＮＬの一部を示す拡大断面図である。　
　図３に示すように、光電変換基板２は、基板２ａ、複数の光電変換部２ｂ、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５を有している。複数の光電変換部２ｂは、検出領域ＤＡに位置している。各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、ＴＦＴ２ｂ２と、を備えている。

　ＴＦＴ２ｂ２は、ゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを有している。光電変換素子２ｂ１は、フォトダイオードで構成されている。なお、光電変換素子２ｂ１は、光を電荷に変換するように構成されていればよい。

　基板２ａは、板状の形状を有し、絶縁材料で形成されている。上記絶縁材料としては、無アルカリガラスなどのガラスを挙げることができる。比較例１において、基板２ａは、ガラスで形成されているが、樹脂等の有機絶縁材料で形成されてもよい。基板２ａの平面形状は、例えば四角形である。基板２ａの厚みは、例えば０．５乃至０．７ｍｍである。絶縁層２１は、基板２ａの上に設けられている。

　絶縁層２１の上に、ゲート電極ＧＥが形成されている。ゲート電極ＧＥは、上記制御ライン２ｃ１に電気的に接続されている。絶縁層２２は、絶縁層２１及びゲート電極ＧＥの上に設けられている。半導体層ＳＣは、絶縁層２２の上に設けられ、ゲート電極ＧＥに対向している。半導体層ＳＣは、非晶質半導体としての非晶質シリコン、多結晶半導体としての多結晶シリコン等の半導体材料で形成されている。

　絶縁層２２及び半導体層ＳＣの上に、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、上記制御ライン２ｃ１、及び上記データライン２ｃ２は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成されている。

　ソース電極ＳＥは、半導体層ＳＣのソース領域に電気的に接続されている。また、ソース電極ＳＥは、上記データライン２ｃ２に電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＳＣのドレイン領域に電気的に接続されている。

　絶縁層２３は、絶縁層２２、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥの上に設けられている。光電変換素子２ｂ１は、ドレイン電極ＤＥに電気的に接続されている。絶縁層２４は、絶縁層２３及び光電変換素子２ｂ１の上に設けられている。バイアス線ＢＬは、絶縁層２４の上に設けられ、絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通り光電変換素子２ｂ１に接続されている。絶縁層２５は、絶縁層２４及びバイアス線ＢＬの上に設けられている。

　絶縁層２１，２２，２３，２４，２５は、無機絶縁材料、有機絶縁材料等の絶縁材料で形成されている。無機絶縁材料としては、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、及び酸窒化物絶縁材料を挙げることができる。有機絶縁材料としては樹脂を挙げることができる。

　シンチレータ層５は、光電変換基板２（複数の光電変換部２ｂ）の上に設けられている。シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、複数の光電変換部２ｂの上方を覆っている。シンチレータ層５は、入射されるＸ線を光（蛍光）に変換するように構成されている。

　なお、光電変換素子２ｂ１は、シンチレータ層５から入射される光を電荷に変換する。変換された電荷は光電変換素子２ｂ１に蓄積される。ＴＦＴ２ｂ２は、光電変換素子２ｂ１への蓄電及び光電変換素子２ｂ１からの放電を切替えることができる。なお、光電変換素子２ｂ１の自己容量が不十分である場合、光電変換基板２はコンデンサ（蓄積キャパシタ）をさらに有し、光電変換素子２ｂ１で変換された電荷をコンデンサに蓄積してもよい。

　シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）で形成されている。真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層５が得られる。シンチレータ層５の厚みは、例えば、６００μｍである。シンチレータ層５の最表面において、シンチレータ層５の柱状結晶の太さは、８乃至１２μｍである。

　シンチレータ層５を形成する材料は、ＣｓＩ：Ｔｌに限定されるものではない。シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ：Ｔｌ）、ナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、ユーロピウム賦活臭化セシウム（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）等で形成されてもよい。

　なお、真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成する際には、開口を有するマスクが用いられる。この場合、光電変換基板２上の開口に対峙する領域にシンチレータ層５が形成される。また、蒸着によるシンチレータ材は、マスクの表面にも堆積する。そして、シンチレータ材は、マスクの開口の近傍にも堆積し、開口の内部に徐々に張り出すように結晶が成長する。マスクから開口の内部に結晶が張り出すと、開口の近傍において、光電変換基板２へのシンチレータ材の蒸着が抑制される。そのため、図２に示したように、シンチレータ層５の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが漸減している。

　又は、シンチレータ層５は、マトリクス状に並べられ、光電変換部２ｂに一対一で設けられ、それぞれ四角柱状の形状を有する複数のシンチレータ部を有してもよい。そのようなシンチレータ層５を形成する際、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）蛍光体粒子をバインダ材と混合したシンチレータ材を、光電変換基板２上に塗布し、シンチレータ材を焼成して硬化させる。その後、ダイサによりダイシングするなどし、シンチレータ材に格子状の溝部を形成する。上記の場合、複数のシンチレータ部の間には、空気又は酸化防止用の窒素（Ｎ２）等の不活性ガスが封入される。又は、複数のシンチレータ部の間の空間は、大気圧より減圧された空間に設定されてもよい。

　比較例１において、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６をさらに備えている。光反射層６は、シンチレータ層５のＸ線の入射側に設けられている。光反射層６は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、シンチレータ層５の上面を覆っている。光反射層６は、光（蛍光）の利用効率を高めて感度特性の向上を図るために設けられている。すなわち、光反射層６は、シンチレータ層５において生じた光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。ただし、光反射層６は、必ずしも必要ではなく、Ｘ線検出パネルＰＮＬに求められる感度特性などに応じて設ければよい。

　例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）等からなる光散乱性粒子と、樹脂と、溶媒とを混合した塗布材料をシンチレータ層５上に塗布し、続いて塗布材料を乾燥することで光反射層６を形成することができる。

　なお、光反射層６の構造及び光反射層６の製造方法は、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで光反射層６を形成してもよい。又は、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属層を含むシートや、光散乱性粒子を含む樹脂シート等をシンチレータ層５の上に設けることで光反射層６を形成してもよい。

　なお、ペースト状の塗布材料をシンチレータ層５の上に塗布し、上記塗布材料を乾燥する場合は、乾燥に伴い塗布材料が収縮するので、シンチレータ層５に引っ張り応力が加わり、シンチレータ層５が光電変換基板２から剥離する場合がある。そのため、シート状の光反射層６を、シンチレータ層５の上に設けることが好ましい。この場合、光反射層６を、例えば、両面テープなどを用いて、シンチレータ層５の上に接合することもできるが、光反射層６をシンチレータ層５の上に載置する方が好ましい。シート状の光反射層６をシンチレータ層５の上に載置すれば、光反射層６の膨張または収縮に起因した、光電変換基板２からシンチレータ層５の剥離を容易に抑制することができる。

　防湿カバー（防湿体）７は、シンチレータ層５及び光反射層６を覆っている。防湿カバー７は、空気中に含まれる水分により、光反射層６の特性やシンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。防湿カバー７は、シンチレータ層５の露出部分を完全に覆っている。防湿カバー７は光反射層６等との間に隙間を空けてもよいし、防湿カバー７は光反射層６等と接触してもよい。

　防湿カバー７は、金属を含むシートで形成されている。上記金属としては、アルミニウムを含む金属、銅を含む金属、マグネシウムを含む金属、タングステンを含む金属、ステンレス、コバール等を挙げることができる。防湿カバー７が金属を含んでいる場合、防湿カバー７は、水分の透過を、防止したり、大幅に抑制したりすることができる。なお、金属製の防湿カバー７の伸び縮みにより、光電変換基板２に反りが発生し易くなる恐れがある。何故なら、光電変換基板２（基板２ａ）の熱膨張率と、防湿カバー７の熱膨張率との差が大きくなり、加熱時に光電変換基板２が反り易くなるためである。

　図４は、比較例１に係るＸ線検出パネルＰＮＬ、回路基板１１、及び複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２を示す回路図である。　
　図２乃至図４に示すように、回路基板１１には、読み出し回路１１ａおよび信号検出回路１１ｂが設けられている。なお、これらの回路を１つの基板に設けることもできるし、これらの回路を複数の基板に分けて設けることもできる。ＦＰＣ２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、読み出し回路１１ａとそれぞれ電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号検出回路１１ｂとそれぞれ電気的に接続されている。

　読み出し回路１１ａは、ＴＦＴ２ｂ２のオン状態とオフ状態を切り替える。読み出し回路１１ａは、複数のゲートドライバ１１ａａと行選択回路１１ａｂとを有する。行選択回路１１ａｂには、Ｘ線検出器１の外部に設けられた図示しない画像処理部などから制御信号Ｓ１が入力される。行選択回路１１ａｂは、Ｘ線画像の走査方向に従って、対応するゲートドライバ１１ａａに制御信号Ｓ１を入力する。ゲートドライバ１１ａａは、対応する制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を入力する。

　例えば、読み出し回路１１ａは、ＦＰＣ２ｅ１を介して、制御信号Ｓ１を複数の制御ライン２ｃ１に順に入力する。制御ライン２ｃ１に入力された制御信号Ｓ１によりＴＦＴ２ｂ２がオン又はオフされ、ＴＦＴ２ｂ２がオン状態となることで、光電変換素子２ｂ１からの電荷（画像データ信号Ｓ２）がＦＰＣ２ｅ２に出力される。

　信号検出回路１１ｂは、複数の積分アンプ１１ｂａ、複数の選択回路１１ｂｂ、及び複数のＡＤコンバータ１１ｂｃを有している。１つの積分アンプ１１ｂａは、１つのデータライン２ｃ２と電気的に接続されている。積分アンプ１１ｂａは、複数の光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順に受信する。そして、積分アンプ１１ｂａは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路１１ｂｂへ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン２ｃ２を流れる電流の値（電荷量）を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプ１１ｂａは、シンチレータ層５において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。

　選択回路１１ｂｂは、読み出しを行う積分アンプ１１ｂａを選択し、電位情報へと変換された画像データ信号Ｓ２を順に読み出す。ＡＤコンバータ１１ｂｃは、読み出された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順に変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、配線を介して画像処理部に入力される。なお、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、無線により画像処理部に送信されてもよい。画像処理部は、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいてＸ線画像を構成する。なお、画像処理部は、回路基板１１と一体化することもできる。

　図５は、比較例１に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す平面図である。図５において、シンチレータ層５には右上がりの斜線を付し、接合体８には右下がりの斜線を付している。図６は、比較例１に係るＸ線検出パネルＰＮＬを線ＶＩ－ＶＩに沿って示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。

　図５及び図６に示すように、光電変換基板２は、検出領域ＤＡと、検出領域ＤＡの周囲に位置する枠状の第１非検出領域ＮＤＡ１と、第１非検出領域ＮＤＡ１の外側の第２非検出領域ＮＤＡ２と、を有している。本実施形態において、第２非検出領域ＮＤＡ２は枠状の形状を有している。

　シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置している。光電変換基板２は、さらに複数のパッド２ｄ１及び複数のパッド２ｄ２を有している。パッド２ｄ１及びパッド２ｄ２は、第２非検出領域ＮＤＡ２に位置している。本実施形態において、複数のパッド２ｄ１は基板２ａの左辺に沿って並べられ、複数のパッド２ｄ２は基板２ａの下辺に沿って並べられている。なお、図５には複数のパッドを模式的に示しており、複数のパッドの個数、形状、サイズ、位置、及びピッチは、図５に示す例に限定されるものではない。

　１つの制御ライン２ｃ１は、検出領域ＤＡ、第１非検出領域ＮＤＡ１、及び第２非検出領域ＮＤＡ２を延在し、複数のパッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つのデータライン２ｃ２は、検出領域ＤＡ、第１非検出領域ＮＤＡ１、及び第２非検出領域ＮＤＡ２を延在し、複数のパッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。　
　１つのパッド２ｄ１にはＦＰＣ２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続され、１つのパッド２ｄ２にはＦＰＣ２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている（図２）。

　Ｘ線検出パネルＰＮＬは、接合体８をさらに備えている。接合体８は、シンチレータ層５の周囲に設けられている。接合体８は、枠状の形状を有し、シンチレータ層５の周囲を連続的に延在している。接合体８は、光電変換基板２（例えば、上記絶縁層２５）に接合されている。

　防湿カバー７は、図５に示す平面図において、シンチレータ層５を完全に覆っている。図６に示すように、シンチレータ層５のうち光電変換基板２及び接合体８で覆われていない部分は、防湿カバー７で完全に覆われている。防湿カバー７は、接合体８に接合されている。例えば、大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と接合体８とを接合すれば、防湿カバー７を光反射層６等に接触させることができる。また、一般的に、シンチレータ層５には、その体積の１０乃至４０％程度の空隙が存在する。そのため、空隙にガスが含まれていると、Ｘ線検出器１を航空機などで輸送した場合にガスが膨張して防湿カバー７が破損する恐れがある。大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と接合体８とを接合すれば、Ｘ線検出器１が航空機などで輸送された場合であっても防湿カバー７の破損を抑制することができる。上記のことから、接合体８と防湿カバー７とにより画された空間の圧力は、大気圧よりも低くした方が好ましい。

　接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間に位置し、熱可塑性樹脂で形成されている。防湿カバー７の周縁近傍を加熱することで、接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合する。　
　ＦＰＣ２ｅ１は、接続材ＡＤにより光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）に固定され、パッド２ｄ１に電気的に接続されている。接続材ＡＤはＡＣＦで形成されている。　
　比較例１に係るＸ線検出器１は、上記のように構成されている。

　上記のように構成された比較例１に係るＸ線検出器１によれば、金属製の防湿カバー７の伸び縮みにより、光電変換基板２に反りが発生し易くなる恐れがある。　
　接合体８は、熱可塑性樹脂を含んでいるので、加熱により光電変換基板２と防湿カバー７とを容易に接合することができる。しかしながら、熱圧着法を用いて接続材ＡＤを形成する際、熱が接合体８に不所望に入力されてしまう。これにより、接合体８の粘度の低下を招き、周囲を汚染したり、光電変換基板２と防湿カバー７との間にリークパスが発生したり、してしまう。　
　後工程（例えばＦＰＣ２ｅ１を接着する工程）での接合体８への熱入力を回避するため、接合体８を紫外線硬化型接着剤で形成することが考えられるが、金属製の防湿カバー７は紫外線を透過させることができない。そのため、紫外線硬化型の接合体８では、接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７とを良好に接合できないものである。

　その他、光電変換基板２側から紫外線硬化型接着剤（接合体８）に紫外線を照射することも考えられる。しかしながら、光電変換基板２のうち接合体８が重なる領域にて紫外線を透過させるには、上記領域に金属配線等のパターンを形成することができなくなってしまう。例えば、パッド２ｄ１につながる制御ライン２ｃ１を形成することができなくなってしまう。配線パターンの形成と、紫外線硬化型の接合体８の形成と、を両立させる場合、接合体８を形成する領域に関して制約を受けることになる。

　金属製の防湿カバー７の剛性が高いと、光電変換基板２が可撓性を有している場合、光電変換基板２の変形に追従することが困難となる。そのため、フレキシブルなＸ線検出パネルＰＮＬの形成が困難になってしまう。

　また、金属製の防湿カバー７は、導電性を有している。防湿カバー７を光電変換基板２に接触させると光電変換基板２から防湿カバー７に電気信号が逃げてしまう（電流が不所望に流れてしまう）ことになる。そのため、防湿カバー７は、電気絶縁性の接合体８により光電変換基板２と電気的に絶縁されている。上記のことから、防湿カバー７を光電変換基板２に直に接触させることは困難である。

　（比較例２）
　次に、比較例２に係るＸ線検出器１の構成及びＸ線検出器１の製造方法について説明する。Ｘ線検出器１は、本比較例２で説明する構成以外、上記比較例１と同様に構成されている。図７は、比較例２に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。

　図７に示すように、接合体８は、防湿カバー７側に突出して形成されている。接合体８の外面８ａの形状が外側に突出する曲面となっていれば、防湿カバー７の周縁近傍を外面８ａに倣わせ易くなる。そのため、防湿カバー７を接合体８に密着させるのが容易となる。また、防湿カバー７をなだらかに変形させることができるので、防湿カバー７の厚みを薄くしても防湿カバー７に亀裂等の不良の発生を抑制することができる。

　比較例２においても、防湿カバー７は金属で形成され、接合体８は熱可塑性樹脂で形成されている。そのため、比較例２に係るＸ線検出器１においても、金属製の防湿カバー７を使用する場合の問題が発生したり、接合体８に熱可塑性樹脂を使用する場合の問題が発生したり、することとなる。

　（一実施形態の実施例１）
　次に、一実施形態の実施例１に係るＸ線検出器１の構成及びＸ線検出器１の製造方法について説明する。Ｘ線検出器１は、本実施例１で説明する構成以外、上記比較例１と同様に構成されている。図８は、一実施形態の実施例１に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。

　図８に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６無しに形成されている。但し、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６を有してもよい。基板２ａは、ガラス又は樹脂で形成されている。

　防湿カバー７は、光電変換基板２とともにシンチレータ層５を挟みシンチレータ層５を覆っている。防湿カバー７は、シンチレータ層５の外側において全周にわたって光電変換基板２に接し、光電変換基板２に直に固定されている。防湿カバー７は、無機絶縁材料であるガラスで形成されている。例えば、防湿カバー７は、ホウケイ酸ガラスで形成されている。防湿カバー７は、ホウケイ酸ガラスの替わりにアルミケイ酸ガラスで形成されてもよく、ホウケイ酸ガラスを使用した場合と同様の効果を得ることができる。防湿カバー７は、光電変換基板２との間に隙間が形成されないように設けられている。防湿カバー７は、外部からシンチレータ層５への水蒸気の浸入を防止することができる。

　防湿カバー７は、０．２０ｍｍ以下の厚みＴを有している方が望ましい。これにより、可撓性を有する防湿カバー７を得ることができる。Ｘ線検出パネルＰＮＬを形成する際、防湿カバー７をシンチレータ層５の表面形状に良好に追従させることができる。

　防湿カバー７は、例えば融着により光電変換基板２に接続されている。光電変換基板２のうち防湿カバー７が接する部材は、上記複数のパッド２ｄ１，２ｄ２以外であればよい。但し、防湿性の観点から、防湿カバー７は、ガラスで形成された基板２ａ、無機絶縁材料で形成された絶縁層、又は電気的な悪影響等を受けることの無い図示しない金属層に接していた方が望ましい。

　防湿カバー７は、光電変換基板２とともにシンチレータ層５を密閉した空間を形成している。上記空間は、大気圧より減圧された空間である。上記空間は、０．７気圧以下に減圧された空間である方が望ましい。防湿カバー７は、シンチレータ層５の表面に接している。

　上記のように構成された実施例１に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、複数の光電変換部２ｂを有する光電変換基板２と、光電変換基板２の上に設けられたシンチレータ層５と、シンチレータ層５を覆った防湿カバー７と、を備えている。

　防湿カバー７は、ガラスで形成されている。防湿カバー７及び光電変換基板２のどちらもガラスで形成されている。防湿カバー７を金属で形成した場合と比較して、基板２ａの熱膨張率と防湿カバー７の熱膨張率との差を小さくすることができ、又は上記２つの熱膨張率の差を無くすことができる。これにより、加熱時の光電変換基板２（基板２ａ）の反りの発生を抑制又は防止することができる。

　Ｘ線検出器１の製造工程（組立工程）において、容易に光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）を筐体５１内部に組み込むことができる。また、加熱時の光電変換基板２（基板２ａ）の反りが解消されることで、光電変換基板２と防湿カバー７との接着界面におけるせん断方向の応力は緩和される。そのため、Ｘ線検出パネルＰＮＬの信頼性の向上を図ることができる。

　防湿カバー７の材質であるガラスは電気絶縁材料であるため、光電変換基板２から防湿カバー７に電気信号が逃げてしまう心配はない。これにより、防湿カバー７を光電変換基板２に接触させることができる。防湿カバー７を、シンチレータ層５の外側において全周にわたって光電変換基板２に接触させることができる。そのため、防湿カバー７は、光電変換基板２とともに、シンチレータ層５を密閉した空間への水分の透過を、防止したり、大幅に抑制したりすることができる。そして、シンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制又は防止することができる。

　光電変換基板２と防湿カバー７との間の絶縁距離を心配しなくともよいため、図６等に示した接合体８を用いて防湿カバー７を光電変換基板２に固定しなくともよい。接合体８を介した透湿によりシンチレータ層５の特性が劣化する事態を回避でき、Ｘ線検出パネルＰＮＬの信頼性の向上に寄与することができる。

　基板２ａの上方に防湿カバー７が形成されたＸ線検出パネルＰＮＬの製造が完成した後、一般的にヒートツールによる熱圧着法を用いてＸ線検出パネルＰＮＬにＦＰＣが連結される。その際、接合体８への熱入力を心配しなくともよい。そのため、Ｘ線検出パネルＰＮＬが汚染されたり、光電変換基板２と防湿カバー７との間に水分のリークパスが発生したり、する事態を回避することができる。

　防湿カバー７は、シンチレータ層５を水分から守る防湿機能及びシンチレータ層５を物理的に保護する保護機能だけではなく、シンチレータ層５側にＸ線を透過させる透過機能も有しているしたがって、防湿カバー７は、出来るだけ軽元素の材料で形成されていること、小さい厚みＴを有していること、ピンホールの無い構造であること、が望ましい。ガラス製の防湿カバー７は、金属製の防湿カバーと比較して、厚みＴが同一であっても、Ｘ線透過率の高い防湿カバー７を得ることができる。

　また、防湿カバー７の厚みＴは、０．２０ｍｍ以下が望ましいが、０．２０ｍｍ以下かつ０．０３ｍｍ以上であるとさらに望ましい。防湿カバー７の厚みＴを、数マイクロメートル程度に小さくする必要は無い。防湿カバー７にピンホールが生じるリスクが無いため、防湿カバー７に水分のリークパスが発生するリスクを回避することができる。

　ガラス製の防湿カバー７は、金属製の防湿カバーと比較して、機械的強度が低い。そのため、外部からの圧力により防湿カバー７に割れが生じるリスクを伴うものとも考えられる。但し、近年フレキシブルディスプレイ用に開発されたガラス(日本電気硝子製:G-Leaf、Corning社製：Willow Glass等)を防湿カバー７に用いることで、上記リスクを回避することが出来る。

　０．２０ｍｍ以下の厚みＴを有する防湿カバー７は、形状保持能力が低く、外部からの圧力により簡単に変形する。これにより、Ｘ線検出器１の製造時と、Ｘ線検出器１の輸送時とで異なる挙動がみられる。

　Ｘ線検出器１の製造時においては、シンチレータ層５を密閉した空間の気圧が０．３気圧以下の場合、１気圧の大気に晒されると、防湿カバー７は、ほとんどシンチレータ層５に張り付くまで押しつぶされる。また、のカケなどにより防湿カバー７の封止（気密性）が破られている場合、上記張り付きが無いため、防湿カバー７が封止されているかどうかを製造工程内で確認することができる。

　一方、シンチレータ層５を密閉した空間の気圧が１気圧であると仮定した場合に、Ｘ線検出器１を輸送することを検討する。Ｘ線検出器１が完成後、航空機による輸送にて０．７気圧の大気に晒されると、シンチレータ層５を密閉した空間の気体が膨張し、防湿カバー７が膨れ上がることとなる。場合によっては、防湿カバー７が光電変換基板２から剥がれる等し、Ｘ線検出パネルＰＮＬが破壊される。従って、シンチレータ層５を密閉した空間の気体の膨張に起因したＸ線検出パネルＰＮＬの破損を防止するため、上記空間の圧力は０．７気圧以下に維持することが必須である。

　また、上記空間を減圧状態に維持することで、防湿カバー７がシンチレータ層５に接触した状態に保持することができる。そのため、防湿カバー７がシンチレータ層５から浮いている場合と比較して衝撃に強いＸ線検出器１を得ることができる。そして、Ｘ線検出器１に外部から振動や衝撃が加わった際におけるＸ線検出パネルＰＮＬの破損を抑制することができる。

　（一実施形態の実施例２）
　次に、上記実施形態の実施例２に係るＸ線検出器１の構成及びＸ線検出器１の製造方法について説明する。Ｘ線検出器１は、本実施例２で説明する構成以外、上記実施例１と同様に構成されている。図９は、上記実施形態の実施例２に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。

　図９に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、接合体８をさらに備えてもよい。接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７との間に位置し、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合している。接合体８は、シンチレータ層５の外側において全周にわたって設けられている。接合体８は、添加剤を含有した接着剤をディスペンサーを用いて塗布する等して形成されている。

　なお、防湿カバー７は、光電変換基板２に接し、光電変換基板２に直に固定されている。そのため、接合体８を用いることで、防湿カバー７と光電変換基板２とを、一層、強固に接続することができる。これにより、Ｘ線検出パネルＰＮＬの信頼性の向上を図ることができる。また、製品歩留まりの高いＸ線検出パネルＰＮＬを得ることができる。

　例えば、接合体８は、紫外線（ＵＶ）硬化型の接着剤で形成されている。ＵＶ硬化型の接着剤を硬化させる際、防湿カバー７の上方からＵＶを照射し、ＵＶ硬化型の接着剤に防湿カバー７を透過したＵＶを照射する。これにより、ＵＶ硬化型の接着剤を硬化させることができ、接合体８が形成される。ＵＶ硬化型の接着剤としては、エポキシ系でカチオン重合型の接着剤を用いることが好ましい。また、添加剤として、接着剤の透湿を抑制する無機材質のフィラーを用いる事が好ましい。

　上記のように構成された実施例２に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、上述した実施例１と同様の効果を得ることができる。防湿カバー７は、ガラスで形成されているため、高いＵＶ透過率を有している。そのため、防湿カバー７をアルミニウム等の金属で形成した上記比較例１等と異なり、防湿カバー７はＵＶを透過させることができる。光電変換基板２側からではなく、防湿カバー７側から、ＵＶを接着剤に照射することができる。

　光電変換基板２のパターンの影響を受けず、任意の個所に接合体８を形成することが可能になる。これにより、光電変換基板２のパターンを避けて接合体８を形成する必要が無くなる。接合体８を形成する領域の制約をなくすことが出来る。接合体８を、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２等の配線パターンや、ダミー画素に重ねて設けることができるため、Ｘ線検出器１の小型化に寄与することが出来る。

　なお、上記実施例２と異なり、防湿カバー７は、光電変換基板２に接していなくともよい。その場合、防湿カバー７は、接合体８を介して光電変換基板２に間接に固定されていればよい。

　その他、接合体８は、ＵＶ硬化型の接着剤ではなく、熱可塑性樹脂を含む材料で形成されてもよい。接合体８は、熱可塑性樹脂を主成分として含む材料で形成されている。接合体８は、１００％熱可塑性樹脂で形成されてもよい。又は、接合体８は、熱可塑性樹脂に添加物が混在した材料で形成されてもよい。接合体８が熱可塑性樹脂を主成分として含んでいれば、接合体８は、加熱により、光電変換基板２と防湿カバー７とを接合することができる。

　ＵＶ硬化型の接合体８を使用することで、加熱により容易に接合を行うことができる。接合体８の加熱と冷却に要する時間は短くてすむので、製造時間の短縮、ひいては製造コストの低減を図ることができる。また、防湿カバー７越しにＵＶがシンチレータ層５に照射される心配がないため、紫外線によりシンチレータ層５が変色し、シンチレータ層５で発生した光（蛍光）がシンチレータ層５で吸収されてしまう事態を回避することができる。

　熱可塑性樹脂は、ナイロン、ＰＥＴ（Polyethyleneterephthalate）、ポリウレタン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）、アクリル、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等を利用することができる。この場合、ポリエチレンの水蒸気透過率は０．０６８ｇ・ｍｍ／ｄａｙ・ｍ２であり、ポリプロピレンの水蒸気透過率は０．０４ｇ・ｍｍ／ｄａｙ・ｍ２である。これらの水蒸気透過率は低い。そのため、接合体８が、ポリエチレン及びポリプロピレンの少なくとも何れかを主成分として含んでいれば、接合体８の内部を透過してシンチレータ層５に到達する水分を大幅に少なくすることができる。

　また、接合体８は、無機材料を用いたフィラーをさらに含むことができる。無機材料からなるフィラーが接合体８に含まれていれば、水分の透過をさらに抑制することができる。無機材料は、タルク、グラファイト、雲母、カオリン（カオリナイトを主成分とする粘土）等を利用することができる。フィラーは、例えば、扁平な形態を有するものとすることができる。外部から接合体８の内部に侵入した水分は、無機材料からなるフィラーによって拡散が妨げられるので、水分が接合体８を通過する速度を減少させることができる。そのため、シンチレータ層５に到達する水分の量を少なくすることができる。

　（一実施形態の実施例３）
　次に、上記実施形態の実施例３に係るＸ線検出器１の構成及びＸ線検出器１の製造方法について説明する。Ｘ線検出器１は、本実施例３で説明する構成以外、上記実施例２と同様に構成されている。図１０は、上記実施形態の実施例３に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。

　図１０に示すように、実施例３においても、防湿カバー７は、シンチレータ層５の外側において全周にわたって光電変換基板２に接し、光電変換基板２に直に固定されている。接合体８は、上記実施例２と異なり、光電変換基板２及び防湿カバー７の上に設けられている。接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７との接点を覆っている。本実施例３において、接合体８は、光電変換基板２と防湿カバー７との接点を全周にわたって設けられている。

　上記のように構成された実施例３に係るＸ線検出器１によれば、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、上述した実施例２と同様の効果を得ることができる。接合体８を形成する材料としては、透湿係数の観点からポリプロピレンやポリエチレンを主成分とする熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。また、添加剤として、接着剤の透湿を抑制する無機材質のフィラーを用いる事が好ましい。なお、ＵＶ硬化型の接着剤を用いて接合体８を形成しても問題なく、透湿係数の値を抑えることができ、光電変換基板２の反りの抑制を阻害することもない。

　（一実施形態の実施例４）
　次に、上記実施形態の実施例４に係るＸ線検出器１の構成及びＸ線検出器１の製造方法について説明する。Ｘ線検出器１は、本実施例４で説明する構成以外、上記実施例１と同様に構成されている。図１１は、上記実施形態の実施例４に係るＸ線検出パネルＰＮＬを示す断面図であり、ＦＰＣ２ｅ１を併せて示す図である。

　図１１に示すように、実施例４においても、防湿カバー７は、シンチレータ層５の外側において全周にわたって光電変換基板２に接し、光電変換基板２に直に固定されている。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６をさらに備えている。光反射層６は、シンチレータ層５と対向して設けられている。光反射層６は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、シンチレータ層５のうち防湿カバー７と対向する側の第１面（上面）５ｓを覆っている。

　防湿カバー７は、シンチレータ層５及び光反射層６を覆っている。そのため、防湿カバー７は、シンチレータ層５及び光反射層６の両方を、水分から保護したり、物理的に保護したり、することができる。

　光反射層６は、シンチレータ層５が発する光を複数の光電変換部２ｂ側に反射させる。すなわち、光反射層６は、シンチレータ層５において生じた光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。光反射層６は、光（蛍光）の利用効率を高めて感度特性の向上を図るために設けられている。

　例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）等からなる複数の光散乱性粒子（複数の光散乱性物質）と、樹脂系バインダと、溶媒とを混合した塗布材料をシンチレータ層５上に塗布し、続いて塗布材料を乾燥することで光反射層６を形成することができる。光反射層６は、複数の光散乱性粒子と、樹脂系バインダと、から成る。

　なお、光反射層６の構造及び光反射層６の製造方法は、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。　
　例えば、光反射層６は、金属層である。光反射層６は、シンチレータ層５の第１面５ｓに接し第１面５ｓに固定されている。又は、光反射層６は、防湿カバー７のうちシンチレータ層５と対向する側の第２面７ｓに接し第２面７ｓに固定されている。銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層を、第１面５ｓ又は第２面７ｓに成膜することで光反射層６を形成することができる。　
　又は、光反射層６は、ポリエステル樹脂に酸化チタン（ＴｉＯ２）等からなる複数の光散乱性粒子（複数の光散乱性物質）が分散されたシートでもよい。

　シンチレータ層５の上にシート状の光反射層６を載置する場合、及び防湿カバー７の第２面７ｓに光反射層６を形成した場合、光反射層６をシンチレータ層５に押し付ける形で配置することが望ましい。何故なら、シンチレータ層５と光反射層６との間に隙間があると、シンチレータ層５で生じた光が上記隙間で散乱し、Ｘ線検出器１から出力される画像の解像度の低下を招くためである。

　例えば、防湿カバー７は、光電変換基板２とともにシンチレータ層５及び光反射層６を密閉した空間を形成することができる。上記空間は、大気圧より減圧された空間である。光反射層６はシンチレータ層５の第１面５ｓを押圧した状態に保持されるため、光反射層６をシンチレータ層５の第１面５ｓに接触させることができる。

　本発明の一実施形態を説明したが、上記実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上記の新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。上記実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。必要に応じて、複数の実施例を組合せることも可能である。

　例えば、上述した技術は、上記Ｘ線検出パネルＰＮＬ及び上記Ｘ線検出器１への適用に限定されるものではなく、他のＸ線検出パネル等の各種の放射線検出パネル、及び、他のＸ線検出器等の各種の放射線検出器に適用することができる。放射線検出器は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの替わりに、放射線を検出する放射線検出パネルを備えていればよい。

Claims (21)

1. 　複数の光電変換部を有する光電変換基板と、
   　前記光電変換基板の上に設けられたシンチレータ層と、
   　前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を挟み前記シンチレータ層を覆った防湿カバーと、を備え、
   　前記防湿カバーは、ガラスで形成されている、放射線検出パネル。
2. 　前記防湿カバーは、前記光電変換基板に接している、請求項１に記載の放射線検出パネル。
3. 　前記光電変換基板及び前記防湿カバーの上に設けられ、前記光電変換基板と前記防湿カバーとの接点を覆った接合体をさらに備える、請求項２に記載の放射線検出パネル。
4. 　前記防湿カバーは、ホウケイ酸ガラス又はアルミケイ酸ガラスで形成され、０．２０ｍｍ以下の厚みを有する、請求項３に記載の放射線検出パネル。
5. 　前記防湿カバーは、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を密閉した空間を形成し、
   　前記空間は、０．７気圧以下に減圧された空間である、請求項４に記載の放射線検出パネル。
6. 　前記防湿カバーは、ホウケイ酸ガラス又はアルミケイ酸ガラスで形成され、０．２０ｍｍ以下の厚みを有する、請求項２に記載の放射線検出パネル。
7. 　前記防湿カバーは、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を密閉した空間を形成し、
   　前記空間は、０．７気圧以下に減圧された空間である、請求項６に記載の放射線検出パネル。
8. 　前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体をさらに備える、請求項７に記載の放射線検出パネル。
9. 　前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体をさらに備える、請求項６に記載の放射線検出パネル。
10. 　前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体をさらに備える、請求項２に記載の放射線検出パネル。
11. 　前記防湿カバーは、ホウケイ酸ガラス又はアルミケイ酸ガラスで形成され、０．２０ｍｍ以下の厚みを有する、請求項１に記載の放射線検出パネル。
12. 　前記防湿カバーは、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を密閉した空間を形成し、
    　前記空間は、０．７気圧以下に減圧された空間である、請求項１１に記載の放射線検出パネル。
13. 　前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体をさらに備える、請求項１２に記載の放射線検出パネル。
14. 　前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体をさらに備える、請求項１１に記載の放射線検出パネル。
15. 　前記防湿カバーは、前記光電変換基板とともに前記シンチレータ層を密閉した空間を形成し、
    　前記空間は、０．７気圧以下に減圧された空間である、請求項１に記載の放射線検出パネル。
16. 　前記光電変換基板と前記防湿カバーとの間に位置し、前記光電変換基板と前記防湿カバーとを接合する接合体をさらに備える、請求項１に記載の放射線検出パネル。
17. 　前記接合体は、紫外線硬化型接着剤又は熱可塑性樹脂を含む材料で形成されている、請求項１６に記載の放射線検出パネル。
18. 　前記シンチレータ層と対向して設けられ、前記シンチレータ層が発する光を前記複数の光電変換部側に反射させる光反射層をさらに備える、請求項１乃至１７の何れか１項に記載の放射線検出パネル。
19. 　前記光反射層は、
    　　金属層であり、
    　　前記シンチレータ層のうち前記防湿カバーと対向する側の第１面に接し前記第１面に固定され、又は、前記防湿カバーのうち前記シンチレータ層と対向する側の第２面に接し前記第２面に固定されている、請求項１８に記載の放射線検出パネル。
20. 　前記光反射層は、複数の光散乱性物質と、樹脂系バインダと、から成る、請求項１８に記載の放射線検出パネル。
21. 　前記光反射層は、ポリエステル樹脂に複数の光散乱性物質が分散されたシートである、請求項１８に記載の放射線検出パネル。
     

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