JP2023032732A - シンチレータパネル及び放射線検出器 - Google Patents

Abstract

【課題】 シンチレータ層への透湿を抑制することが可能なシンチレータパネル及び放射線検出器を提供する。【解決手段】 シンチレータパネル３は、炭素繊維強化プラスチックで形成された基板８と、シンチレータ層６と、前記基板と前記シンチレータ層との間に設けられた光反射層７と、防湿体９と、接合部１３と、を備える。防湿体９は、それぞれ光透過性を持つ樹脂層９ａ及び無機層９ｂを有する第１積層体で形成され、シンチレータ層６の厚みより小さい厚みを有する。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、シンチレータパネル及び放射線検出器に関する。

従来、医療用のデジタル放射線検出器、及び非破壊検査用等の工業用のデジタル放射線検出器に、感光性のＸ線フィルムが用いられてきた。昨今、利便性及び撮影結果の保存性の観点から放射線検査のデジタル化が普及してきており、放射線検査に、コンピューテッド・ラジオグラフィ（ＣＲ：Computed Radiography）又は平面検出器（ＦＰＤ：Flat Panel Detector）が用いられている。
上記のような放射線画像を検出する検出器では、シンチレータパネルのシンチレータ層を用いて、入射Ｘ線を可視光に変換する方式が主流である。

特開２０１５－１３９７号公報 特開２０１５－１７２５４７号公報

本実施形態は、シンチレータ層への透湿を抑制することが可能なシンチレータパネル及び放射線検出器を提供する。

一実施形態に係るシンチレータパネルは、
第１領域と、前記第１領域を囲む枠状の第２領域と、に位置し、炭素繊維強化プラスチックで形成された基板と、前記基板に隙間を設けて対向し、前記第１領域に位置し、入射される放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記基板と前記シンチレータ層との間に設けられ、前記第１領域及び前記第２領域に位置し、前記シンチレータ層で変換された蛍光を反射する光反射層と、それぞれ光透過性を持つ第１樹脂層及び無機層を有する第１積層体で形成され、前記シンチレータ層の厚みより小さい厚みを有し、前記シンチレータ層を覆った防湿体と、前記第２領域に位置し、前記防湿体と前記光反射層とを接合した接合部と、を備える。

また、一実施形態に係る放射線検出器は、
シンチレータパネルと、光電変換基板と、回路基板と、を備える。前記シンチレータパネルは、第１領域と、前記第１領域を囲む枠状の第２領域と、に位置し、炭素繊維強化プラスチックで形成された基板と、前記基板に隙間を設けて対向し、前記第１領域に位置し、入射される放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記基板と前記シンチレータ層との間に設けられ、前記第１領域及び前記第２領域に位置し、前記シンチレータ層で変換された蛍光を反射する光反射層と、それぞれ光透過性を持つ第１樹脂層及び無機層を有する第１積層体で形成され、前記シンチレータ層の厚みより小さい厚みを有し、前記シンチレータ層を覆った防湿体と、前記第２領域に位置し、前記防湿体と前記光反射層とを接合した接合部と、を備える。前記光電変換基板には、前記シンチレータ層で変換された蛍光が入射される。前記回路基板は、前記光電変換基板と電気的に接続されている。

図１は、第１の実施形態に係るＸ線検出器の支持基板、光電変換基板、シンチレータパネル、回路基板、及び複数のＦＰＣを示す分解斜視図であり、画像伝送部を併せて示す図である。 図２は、図１に示したＸ線検出器の一部を示す断面図であり、光電変換基板、シンチレータパネル等を示す図である。 図３は、上記シンチレータパネルを示す平面図である。 図４は、図２に示した光電変換基板、シンチレータパネル、及び接着層を示す拡大断面図である。 図５は、上記光電変換基板の複数の制御ライン、複数のデータライン等を示す平面図であり、複数の光電変換部を併せて示す図である。 図６は、第２の実施形態に係るシンチレータパネルを示す断面図である。 図７は、比較例に係るシンチレータパネルを示す断面図である。

以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

始めに、本発明の実施形態の基本構想について説明する。
放射線検出器としてのＸ線検出器は、光電変換基板、シンチレータパネル等を備えている。シンチレータパネルはシンチレータ層を備えている。このシンチレータ層の材料として、一般的に、ナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）等が用いられている。ナトリウム賦活ヨウ化セシウム又はタリウム賦活ヨウ化セシウムでシンチレータ層を形成する場合、真空蒸着法により複数の柱状結晶が形成される。シンチレータ層は柱状結晶を持つため、Ｘ線検出器の解像度特性を向上させることができる。

また、Ｘ線源からＸ線検出器に、被写体を透過する等して入射されたＸ線は、シンチレータパネルにおいて可視光に変換される。Ｘ線フォトンを使って説明すると、フォトンはシンチレータ層内の発光点で可視光に変換される。光は、発光点から入射フォトンのベクトルとは無関係に八方に発散する。ここで、シンチレータ層は、それぞれ３～１０μｍの太さを持つ複数の柱状結晶で構成されている。柱状結晶間の隙間とヨウ化セシウム（ＣｓＩ）との屈折率の差により、発光フォトンのうちある割合の発光フォトンは、柱状結晶の内部を通って、シンチレータパネルの表面に出てくる。なお、ＣｓＩの屈折率は１．８である。上記入射フォトンは、上記発光フォトンの一部である。

隣の柱状結晶以遠に発散した光が、多くの柱状結晶間の光学的界面を横切ってシンチレータ層の面方向に発散する確率は低い。光は、ある界面に差し掛かるとやはりその柱状結晶内に閉じ込められ、シンチレータパネルの表面に出てくる。以上のような作用により、柱状結晶の構造を持つシンチレータ層は、それほど発光を滲ませることがなく、発光を次のデバイスに伝達するため、比較的解像度特性に優れたＸ線検出器が得られる。なお、平面検出器において、上記デバイスは光電変換基板であり、光電変換基板は、受光面、受光面に対向する領域に並べられた複数の光電変換素子（例えば、複数のフォトダイオード）等を有している。

この柱状結晶間の隙間部分の比率は、シンチレータ層の成膜条件で変化させることが出来る。成膜条件には、基板温度、蒸着を行うチャンバ内の圧力、蒸着速度等があり、これらのパラメータを変化させることにより、充填率（シンチレータ層全体に対する柱状結晶の部分の割合）を実質的に７０％から１００％までの範囲内で調整することができる。タリウム賦活ヨウ化セシウムを用いたシンチレータパネルは、基本的に、放射線透過性を持つ基板と、基板の上に形成された光反射層と、光反射層の上に成膜されタリウム賦活ヨウ化セシウムで形成されたシンチレータ層と、を有している。

光反射層は、シンチレータ層で発生した蛍光のうち光電変換素子側とは反対側に向かう蛍光を反射し、光電変換素子側に到達する蛍光を増大させるものである。光反射層の例としては、アルミニウム等の金属表面を持ちシンチレータ層に密着した光反射板が挙げられる。その光反射板にて蛍光を反射させる方式を採用した平面検出器は実用化されている。

また、光反射層に、酸化チタン（ＴｉＯ_２）等の光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る光散乱反射性の反射膜シートを用いる技術等も知られている。その反射膜シートは、ＴｉＯ_２が分散された樹脂ペーストを塗布して形成されている。上記反射膜シートを使用した平面検出器は、優れた感度特性を得やすいが、樹脂ペーストの塗布むらにより、平面検出器に感度むらが発生する問題がある。

シンチレータ層を湿気から保護するための防湿体は、化学的気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法を用いポリパラキシリレン（poly-para-xylylene）樹脂等の有機材料で形成された有機膜、単一層であり金属で形成された金属層、又は少なくとも金属（例えば、アルミニウム）で形成されたフィルムで形成されている。

例えば、基板、光反射層、及びシンチレータ層の上にポリパラキシリレン樹脂を蒸着させて防湿体を形成する場合がある。防湿体は、基板、光反射層、及びシンチレータ層を包み込むことができる。その場合、防湿体（ポリパラキシリレン樹脂）はシンチレータ層の柱状結晶間の隙間にある程度侵入する。シンチレータ層のうちポリパラキシリレン樹脂が蒸着する蒸着面は、柱状結晶の構造上、凹凸面となる。ＣＶＤ法の利点は、ポリパラキシリレン樹脂を上記凹凸面に沿ってほぼ均一な膜厚で形成できることである。

シンチレータ層を使った平面検出器は、例えば、１次元又は２次元状に配列された複数の受光素子を有するイメージセンサと、そのイメージセンサに貼り合わせられたシンチレータパネルと、を備えている。上記イメージセンサとしては、例えば、複数の光電変換素子等を有する光電変換基板である。放射線がシンチレータパネルの基板側から上記平面検出器に入射すると、放射線はシンチレータパネルのシンチレータ層で光に変換され、変換された光はイメージセンサで検出される。

上記の平面検出器の解像度特性及び感度特性は、シンチレータパネルの特性の影響を受けることとなる。つまり、シンチレータパネルのうち、シンチレータ層の柱状結晶の構造と、光反射層の機能とが、平面検出器の上記特性を左右している。

ところで、ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン樹脂で防湿体を形成した場合、防湿体の剥がれが懸念として挙げられる。
例えば、光反射層が金属で形成されている場合、光反射層の表面は酸化等による悪影響を受け、濡れ性が悪くなり、光反射層に対する防湿体の密着性が良くないと言う問題が生じる。
冷熱サイクル試験や熱衝撃試験により防湿体が光反射層から剥がれると、シンチレータパネルの防湿性能が低下してしまう。詳しくは、シンチレータパネルの内部にアウトガスが侵入し、シンチレータ層の性能の劣化を招いてしまう。

そこで、シンチレータパネルの防湿性能を確保するための対策として、光反射層の表面改質を行い、光反射層に対する防湿体の密着性を向上させることが考えられる。
しかしながら、シンチレータ層を形成する工程の後の製造工程に、光反射層の表面改質を行う工程を追加する必要がある。上記工程が追加されることで、製造時間の長期化を招き、必然的に製造コストが上がってしまう。ひいては、製品価格の高騰を招いてしまう。

上述したことから、ポリパラキシリレン樹脂の替わりに金属フィルムで防湿体を形成することが考えられる。
しかしながら、防湿体をアルミニウム薄膜等の金属フィルムで形成した場合、シンチレータ層で変換された可視光が透過する部分に注目すると、防湿体の金属層は透明ではないため、防湿体が上記可視光を透過させずに反射させてしまい、光電変換基板に可視光が届かない。

そこで、本発明の実施形態においては、かかる問題を改善するものであり、シンチレータ層への透湿を抑制することが可能なシンチレータパネル及び放射線検出器を得ることができるものである。防湿体が剥がれ難くなるため、本発明の実施形態は、防湿の信頼性に優れたシンチレータパネルを得ることができるものである。また、光反射層の表面改質が不要となるため、本発明の実施形態は、表面改質に関する製造工程の制約を受けないものである。さらに、放射線がシンチレータ層に入射する途中の領域に防湿体を存在させる必要はない。言い換えると、基板、光反射層、及びシンチレータ層を防湿体で包み込む必要がないため、シンチレータ層に入射される放射線が防湿体によって不所望に吸収される事態を回避できるものである。次に、上記問題を改善するための手段及び手法について説明する。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係るＸ線検出器について詳細に説明する。
図１は、本実施形態に係るＸ線検出器１の支持基板１２、光電変換基板２、シンチレータパネル３、信号処理部としての回路基板１１、及び複数のＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）２ｅ１，２ｅ２を示す分解斜視図であり、画像伝送部４を併せて示す図である。なお、図１には、Ｘ線検出器１の全ての部材を示していない。Ｘ線検出器１は、Ｘ線画像検出器であり、光電変換基板２及びシンチレータパネル３を利用するＸ線平面検出器である。

図１に示すように、Ｘ線検出器１は、光電変換基板２、シンチレータパネル３、支持基板１２、回路基板１１、複数のＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２等を備えている。支持基板１２は、回路基板１１と光電変換基板２との間に位置している。光電変換基板２は、支持基板１２とシンチレータパネル３との間に位置している。

光電変換基板２及びシンチレータパネル３を含む積層体は、薄い部材を積層して構成されているため、軽く機械的強度の低いものである。このため、光電変換基板２は、粘着シートを介して支持基板１２の平坦な一面に固定されている。支持基板１２は、例えばアルミニウム合金で板状に形成され、上記積層体を安定して支持するために必要な強度を有している。これにより、積層体に外部から振動や衝撃が加わった際における積層体の破損を抑制することができる。

支持基板１２及び回路基板１１は、電気的絶縁距離を保持して配置されている。回路基板１１にはＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２に対応するコネクタが実装され、ＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２はコネクタを介して回路基板１１に電気的に接続されている。ＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２の各々と光電変換基板２との接続には、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）を利用した熱圧着法が用いられる。この方法により、光電変換基板２の複数の微細なパッドと、ＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２の複数の微細なパッドとの電気的接続が確保され、ＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２が光電変換基板２に物理的に固定される。

上記のように、回路基板１１は、上記コネクタ、ＦＰＣ２ｅ１，２ｅ２等を介して光電変換基板２に電気的に接続されている。回路基板１１は、光電変換基板２を電気的に駆動し、かつ、光電変換基板２からの出力信号を電気的に処理するものである。

シンチレータパネル３は、シンチレータ層６等を備えている。入射Ｘ線はシンチレータ層６の内部にて吸収され、シンチレータ層６にて入射Ｘ線の強度に比例した光強度（輝度レベル）の蛍光に変換される。

光電変換基板２は、基板２ａ、複数の光電変換部２ｂ、複数の制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、複数のデータライン（又はシグナルライン）２ｃ２等を有している。なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、及びデータライン２ｃ２の数、配置等は図１の例に限定されるものではない。

複数の制御ライン２ｃ１は、行方向Ｘに延在し、行方向Ｘに直交する列方向Ｙに所定の間隔をあけて並べられている。複数のデータライン２ｃ２は、列方向Ｙに延在し、複数の制御ライン２ｃ１と交差し、行方向Ｘに所定の間隔をあけて並べられている。なお、行方向Ｘ及び列方向Ｙは、それぞれ第１方向及び第２方向と称される場合がある。

光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の面側に複数設けられている。光電変換部２ｂは、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とにより区画された四角形状の領域に設けられている。複数の光電変換部２ｂの各々は、画素として機能している。そのため、画素（光電変換部２ｂ）は、四角形状（例えば、矩形状）の平面形状を持っている。複数の光電変換部２ｂは、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並べられている。上記のことから、光電変換基板２は、アレイ基板である。

各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２ｂ２と、を有している。ＴＦＴ２ｂ２は、対応する一の制御ライン２ｃ１と、対応する一のデータライン２ｃ２とに接続されている。光電変換素子２ｂ１はＴＦＴ２ｂ２に電気的に接続されている。シンチレータ層６の内部にて変換された蛍光は、隣接して設置されている光電変換基板２の表面に到達し、光電変換素子２ｂ１に入射する。

制御ライン２ｃ１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して回路基板１１に電気的に接続されている。回路基板１１は、ＦＰＣ２ｅ１を介して複数の制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を与える。データライン２ｃ２は、ＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に電気的に接続されている。光電変換素子２ｂ１は、蛍光を電荷情報に変換する。光電変換素子２ｂ１によって変換された画像データ信号Ｓ２（光電変換部２ｂに蓄積された電荷）は、ＴＦＴ２ｂ２、データライン２ｃ２、及びＦＰＣ２ｅ２を介して回路基板１１に伝送される。

回路基板１１は、図示しない複数の積分回路、複数の選択回路、及び複数のアナログ－デジタル変換器を有し、入力される画像データ信号Ｓ２を処理する。
Ｘ線検出器１は、画像伝送部４を備えている。画像伝送部４は、配線４ａを介して回路基板１１に接続されている。なお、画像伝送部４は、回路基板１１に組込まれてもよい。画像伝送部４は、回路基板１１の複数のアナログ－デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データの信号に基づいて、Ｘ線画像を生成する。生成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。

図２は、図１に示したＸ線検出器１の一部を示す断面図であり、光電変換基板２、シンチレータパネル３等を示す図である。
図２に示すように、光電変換基板２に、シンチレータ層６で変換された蛍光が入射される。光電変換基板２は、基板２ａ、複数の光電変換部２ｂ、複数の絶縁層２０，２４，２５等を有している。

基板２ａは、板状の形状を有し、絶縁材料で形成されている。上記絶縁材料としては、無アルカリガラス等のガラスを挙げることができる。基板２ａの平面形状は、例えば四角形である。基板２ａの厚みは、例えば０．７ｍｍである。絶縁層２０は、基板２ａの上に設けられている。複数の光電変換部２ｂは、基板２ａとシンチレータパネル３との間に位置している。複数の光電変換部２ｂは絶縁層２０の上に設けられ、複数の光電変換部２ｂは絶縁層２４，２５で覆われている。

基板２ａ及び絶縁層２０，２４，２５は、第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１を囲む枠状の第２領域Ａ２とに位置している。複数の光電変換部２ｂは第１領域Ａ１に位置している。そのため、第１領域Ａ１は、複数の光電変換部２ｂが配置されている領域であり、入射される光を電気信号に変換可能な領域である。

シンチレータパネル３は、シンチレータ層６と、光反射層７と、基板８と、防湿体９と、接合部１３と、緩和層５と、を備えている。
基板８は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に位置し、複数の炭素繊維を有する炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ：Carbon-Fiber-Reinforced Plastics)で形成されている。ＣＦＲＰは、高いＸ線透過率を有する材料である。基板８は、光電変換基板２と対向した第１面Ｓａと、第１面Ｓａの反対側の第２面Ｓｂと、を有している。

シンチレータ層６は、基板８に隙間を設けて対向している。シンチレータ層６は、少なくとも第１領域Ａ１に位置している。本実施形態において、シンチレータ層６は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に位置している。シンチレータ層６は、入射されるＸ線（放射線）を蛍光に変換する機能を有している。

シンチレータ層６は、光電変換基板２と対向する側に上面６ａ及び側面６ｂを有している。上面６ａは、平面視にて四角形の形状を有し、シンチレータ層６の厚みが実質的に均一である領域に形成されている。側面６ｂは、平面視にて四角枠状の形状を有し、シンチレータ層６の厚みが実質的に漸減している領域に形成されている。側面６ｂはテーパ面である。平面視にて、側面６ｂは、上面６ａを囲んでいる。第１領域Ａ１に、上面６ａは位置しているが、側面６ｂは位置していない。
そのため、第１領域Ａ１は、上面６ａが位置している領域であり、入射されるＸ線（放射線）を光に同一条件で変換可能な領域である。

光反射層７は、基板８とシンチレータ層６との間に設けられている。光反射層７は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に位置している。光反射層７は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、光反射層７は、シンチレータ層６で変換された蛍光を反射する機能を有している。光反射層７は光電変換基板２側とは反対側に向かう光を反射するため、光が光電変換部２ｂに向かう量を向上できる。

防湿体９は、第１樹脂層としての樹脂層９ａ及び無機層９ｂを有する第１積層体としての積層体で形成されている。樹脂層９ａ及び無機層９ｂは、それぞれ光透過性を持っている。本実施形態において、防湿体９は透明である。防湿体９越しにシンチレータ層６の表面構造を目視にて確認することが可能である。そのため、防湿体９は、シンチレータ層６で発生した光を良好に透過させることができる。防湿体９は、シンチレータ層６を覆っている。無機層９ｂは、シンチレータ層６と樹脂層９ａとの間に位置している。

接合部１３は、第２領域Ａ２に位置している。接合部１３は、防湿体９と光反射層７とを接合している。接合部１３は、防湿体９のうち少なくとも無機層９ｂに接着している。例えば、大気圧よりも減圧された環境において、防湿体９と光反射層７とを接合部１３にて接合すれば、防湿体９をシンチレータ層６の表面（上面６ａ等）に接触させることができる。光反射層７、防湿体９、及び接合部１３で囲まれ、かつ、シンチレータ層６が位置している空間は、大気圧より減圧された空間である。

本実施形態において、樹脂層９ａ及び無機層９ｂは、平面視にて同一のサイズを有している。樹脂層９ａの輪郭及び無機層９ｂの輪郭は、互いに重なっている。但し、樹脂層９ａ及び無機層９ｂは、平面視にて互いに異なるサイズを有してもよい。その場合、樹脂層９ａの輪郭及び無機層９ｂの輪郭は、互いに重なっていない。

接合部１３は、複数種類の接着剤のうち少なくとも１種類以上の接着剤を含んでいる。接着剤としては、二液混合型の接着剤、紫外線硬化型の接着剤、紫外線及び熱硬化併用型の接着剤、ホットメルト型の接着剤、粘着型の接着剤を挙げることができる。そのため、接合部１３は、１種類の接着剤を含んでもよく、２種類以上の接着剤を含んでもよい。

防湿体９と光反射層７との間に接合部１３が介在しているため、防湿体９と光反射層７とを容易に接合することができ、防湿体９と光反射層７とが接合された状態を良好に保持することができる。接合部１３の剥離強度及びせん断強度は、それぞれ１Ｎ／ｍｍ以上である方が望ましい。これにより、防湿体９と光反射層７とが接合された状態を良好に保持することができ、例えば、接合部１３からの防湿体９の剥がれを抑制することができる。なお、上記剥離強度は、日本工業規格（ＪＩＳ Ｚ０２３７：２００９）の規定に準じて測定した値であり、上記せん断強度は日本工業規格（ＪＩＳ Ｋ６８５０：１９９９）の規定に準じて測定した値である。

ここで、接合部１３の信頼性について評価する。防湿体９がアルミニウムで形成されハット構造を有し、接合部１３が紫外線及び熱硬化併用型の接着剤で形成されているシンチレータパネルに対して、０．６Ｎ／ｍｍにて、温度サイクル試験を実施した。なお、ハット構造を有する防湿体９は、接合部１３に接着する前に予めハット形状に成形されている。温度サイクル試験は、次の条件の下で行った。

温度サイクル試験：シンチレータパネルが置かれている環境の温度を、－２０℃と＋６０℃との間で変化させ、サイクル数を３０回としてシンチレータパネルの品質を評価する試験である。一のサイクルの期間は、シンチレータパネルが－２０℃の環境にさらされる第１期間と、第１期間に続きシンチレータパネルが＋６０℃の環境にさらされる第２期間と、を含んでいる。第１期間及び第２期間は、それぞれ６０分であり、第１期間から第２期間に移行する期間及び第２期間から第１期間に移行する期間は、それぞれ３０分である。

温度サイクル試験を行った結果、シンチレータパネルの品質に問題が無いことを確認することができた。詳しくは、防湿体９が接合部１３との接合面で破断せず、接合部１３に対して防湿体９が接合された状態を保持することができた。
なお、防湿体９が、アルミニウムからなる第１層と、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ：polyethylene terephthalate）、ポリエチレン（ＰＥ：polyethylene）等の樹脂からなる第２層とを含む積層構造を有し、フィルム状に形成され、接合部１３がホットメルト型の接着剤で形成されているシンチレータパネルに対しても、最大２Ｎ／ｍｍで同様の結果が得られた。
上記のことから、接合部１３の剥離強度及びせん断強度が、それぞれ０．６Ｎ／ｍｍ以上であれば、接合部１３により防湿体９と光反射層７とが接合された状態を良好に保持することができる。

接合部１３が接着する光反射層７に関して、表面改質を行う工程を追加する必要はない。シンチレータパネル３の製造時間の長期化を回避することができるため、製造コストの高騰及び製品価格の高騰を回避することができる。

基板８は、緩和層５と光反射層７とで挟まれている。緩和層５は基板８の一面に物理的に固定され、光反射層７は基板８の他の一面に物理的に固定されている。緩和層５は、シンチレータ層６と光反射層７との引張応力を緩和するために設けられている。例えば、緩和層５及び光反射層７は、平面視にて同一のサイズを有し、互いに完全に重なるように位置してもよい。なお、シンチレータパネル３は、必要に応じて緩和層５を備えていればよい。

接着層ＡＤは、光電変換基板２と、シンチレータパネル３と、の間に位置している。詳しくは、接着層ＡＤは、光電変換基板２の絶縁層２５と、シンチレータパネル３の樹脂層９ａと、にそれぞれ接着している。光電変換基板２及びシンチレータパネル３は、接着層ＡＤにより貼り合わせられている。

図３は、シンチレータパネル３を示す平面図である。図３において、シンチレータ層６には右上がりの斜線を付し、接合部１３にはドットパターンを付している。なお、図２に示したように、基板８、光反射層７、及び防湿体９は平面視にて同一のサイズを有し、光反射層７の輪郭及び防湿体９の輪郭はそれぞれ基板８の輪郭に重なっている。但し、図３では、便宜上、防湿体９の輪郭を基板８及び光反射層７の輪郭からずらして示している。

図３に示すように、第１領域Ａ１は四角形の領域であり、第２領域Ａ２は枠状の領域である。シンチレータ層６は、少なくとも第１領域Ａ１に位置している。接合部１３は、第２領域Ａ２に位置し、枠状の形状を有し、シンチレータ層６の周囲を連続的に延出している。

光反射層７は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に位置している。第２領域Ａ２において、光反射層７は、少なくとも接合部１３が存在する領域に位置していればよい。接合部１３は、基板８に接着することなく、光反射層７に接着する。上記のことから、光反射層７の輪郭の位置は接合部１３の位置に依存するため、光反射層７の輪郭は基板８の輪郭からずれてもよい。

防湿体９は、第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２に位置している。防湿体９は、平面図において、シンチレータ層６を完全に覆っている。防湿体９は、接合部１３に接着されている。なお、上述したように、防湿体９の無機層９ｂが接合部１３に接着していればよい。上記のことから、防湿体９の輪郭の位置は接合部１３の位置に依存するため、防湿体９の輪郭は基板８の輪郭及び光反射層７の輪郭の少なくとも一方からずれてもよい。

図４は、図２に示した光電変換基板２、シンチレータパネル３、及び接着層ＡＤを示す拡大断面図である。
図４に示すように、光電変換基板２は、基板２ａ、複数の光電変換部２ｂ、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５を有している。なお、絶縁層２１，２２，２３は、図２に示した上記絶縁層２０を形成している。各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、ＴＦＴ２ｂ２と、を備えている。

ＴＦＴ２ｂ２は、ゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを有している。光電変換素子２ｂ１は、フォトダイオードで構成されている。なお、光電変換素子２ｂ１は、光を電荷に変換するように構成されていればよい。

絶縁層２１は、基板２ａの上に設けられている。絶縁層２１の上に、ゲート電極ＧＥが形成されている。ゲート電極ＧＥは、上記制御ライン２ｃ１に電気的に接続されている。絶縁層２２は、絶縁層２１及びゲート電極ＧＥの上に設けられている。半導体層ＳＣは、絶縁層２２の上に設けられ、ゲート電極ＧＥに対向している。半導体層ＳＣは、非晶質半導体としての非晶質シリコン、多結晶半導体としての多結晶シリコン等の半導体材料で形成されている。

絶縁層２２及び半導体層ＳＣの上に、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、上記制御ライン２ｃ１、及び上記データライン２ｃ２は、アルミニウム、クロム等の低抵抗金属を用いて形成されている。

ソース電極ＳＥは、半導体層ＳＣのソース領域に電気的に接続されている。また、ソース電極ＳＥは、上記データライン２ｃ２に電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＳＣのドレイン領域に電気的に接続されている。

絶縁層２３は、絶縁層２２、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥの上に設けられている。光電変換素子２ｂ１は、ドレイン電極ＤＥに電気的に接続されている。絶縁層２４は、絶縁層２３及び光電変換素子２ｂ１の上に設けられている。バイアス線ＢＬは、絶縁層２４の上に設けられ、絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通り光電変換素子２ｂ１に接続されている。絶縁層２５は、絶縁層２４及びバイアス線ＢＬの上に設けられている。

絶縁層２１，２２，２３，２４，２５は、無機絶縁材料、有機絶縁材料等の絶縁材料で形成されている。無機絶縁材料としては、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、及び酸窒化物絶縁材料を挙げることができる。有機絶縁材料としては樹脂を挙げることができる。

なお、光電変換素子２ｂ１は、シンチレータ層６から入射される光を電荷に変換する。変換された電荷は光電変換素子２ｂ１に蓄積される。ＴＦＴ２ｂ２は、光電変換素子２ｂ１への蓄電及び光電変換素子２ｂ１からの放電を切替えることができる。なお、光電変換素子２ｂ１の自己容量が不十分である場合、光電変換部２ｂはコンデンサ（キャパシタ）をさらに有し、光電変換素子２ｂ１で変換された電荷をコンデンサに蓄積してもよい。

シンチレータパネル３は、基板８、光反射層７、シンチレータ層６、防湿体９、緩和層５等を備えている。
基板８を形成する際、炭素繊維を一方向に並べた繊維層を樹脂に含浸させた中間素材を複数積層し、プリプレグ層を形成する。プリプレグ層の状態は、いわゆるＢステージの状態であり、樹脂の状態は半硬化状態である。その後、プリプレグ層に対して加圧処理及び加熱処理を施し、樹脂を硬化（本硬化）させる。硬化したプリプレグ層の状態は、いわゆるＣステージの状態であり、硬化したプリプレグ層により、板状の基板８が形成される。

光反射層７は、第２積層体としての積層体で形成されている。光反射層７は、第１金属層としての金属層７ａと、第２樹脂層としての樹脂層７ｂと、を有している。金属層７ａは、樹脂層７ｂとシンチレータ層６との間に位置している。樹脂層７ｂが金属層７ａとシンチレータ層６との間に位置している場合と比較して光反射層７の光反射効率を向上させることができる。

金属層７ａは、アルミニウム、銀等の金属で形成されている。金属層７ａは、例えば金属箔である。樹脂層７ｂは、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂で形成されている。例えば、金属層７ａの厚みＴ７ａは２０乃至５０μｍであり、樹脂層７ｂの厚みＴ７ｂは５０乃至１９０μｍである。

シンチレータ層６は、光反射層７を介して基板８の一方の面に設けられている。シンチレータ層６は、入射したＸ線を可視光すなわち蛍光に変換する。シンチレータ層６は、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）で形成されている。真空蒸着法を用いてシンチレータ層６を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層６が得られる。シンチレータ層６の厚みＴ６は、実質的に２００乃至１０００μｍである。

シンチレータ層６を形成する材料は、ＣｓＩ：Ｔｌに限定されるものではない。シンチレータ層６は、タリウム賦活ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ：Ｔｌ）、ナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、ユーロピウム賦活臭化セシウム（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）等で形成されてもよい。

なお、真空蒸着法を用いてシンチレータ層６を形成する際には、開口を有するマスクが用いられる。この場合、光反射層７上の開口に対峙する領域にシンチレータ層６が形成される。また、蒸着によるシンチレータ材は、マスクの表面にも堆積する。そして、シンチレータ材は、マスクの開口の近傍にも堆積し、開口の内部に徐々に張り出すように結晶が成長する。マスクから開口の内部に結晶が張り出すと、開口の近傍において、光反射層７へのシンチレータ材の蒸着が抑制される。そのため、図２に示したように、シンチレータ層６の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが漸減している。

緩和層５は、光反射層７と同一材料で形成され、光反射層７と同一の構成を有している。緩和層５は、第３積層体としての積層体で形成されている。緩和層５は、第２金属層としての金属層５ａと、第４樹脂層としての樹脂層５ｂと、を有している。例えば、樹脂層５ｂは、基板８と金属層５ａとの間に位置している。

金属層５ａは金属層７ａを形成する材料と同一の材料で形成され、樹脂層５ｂは樹脂層７ｂを形成する材料と同一の材料で形成されている。金属層５ａは厚みＴ５ａを有し、樹脂層５ｂは厚みＴ５ｂを有している。例えば、厚みＴ５ａは厚みＴ７ａと同一であり、厚みＴ５ｂは厚みＴ７ｂと同一である。

防湿体９は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ層６の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。防湿体９は、シンチレータ層６の表面形状が確認できるほどの透光性を有し、透湿係数の小さい材料で形成可能である。防湿体９は、樹脂層９ａ及び無機層９ｂを有し、シート状に形成されている。

樹脂層９ａは、ある程度の剛性を有するものであれば特に限定されるものではない。樹脂層９ａは、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン等の樹脂で形成されている。

無機層９ｂは、酸化シリコン、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の酸化物、窒化シリコン等の窒化物、酸窒化シリコン等の酸窒化物等で形成されている。無機層９ｂに使用する無機材料を例示したが、無機層９ｂに使用する無機材料は、上述した例に限定されるものではない。無機層９ｂの形成は、例えば、スパッタリング法等の物理的気相成長（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）法、又は化学的気相成長法を用いて行うことができる。なお、防湿体９の製造方法は、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。

シンチレータパネル３に防湿体９を設ける場合、シート状の防湿体９を予め用意し、真空雰囲気中にて防湿体９と光反射層７とを上記接合部１３により貼り合わせる工程のみ行えばよい。
光反射層７の表面改質を行う工程を省くことができ、シンチレータ層６の上に蒸着法にて、直接、防湿体９を形成しなくともよい。製造時間の短縮を図ることができ、製造コストの低減を図ることができる。

本実施形態と異なり、防湿体９が金属フィルムで形成されている場合、金属部分が軟Ｘ線を吸収し、シンチレータ層６の感度の低下を招いてしまう。そこで、本実施形態において、防湿体９は金属フィルムで形成されていない。本実施形態の防湿体９はシンチレータ層６の表面形状が確認できるほどの透光性を有しているため、金属部分が軟Ｘ線を吸収し、シンチレータ層６の感度が低下する事態を回避することができる。

防湿体９は、厚みＴ９を有している。防湿体９の厚みＴ９は、シンチレータ層６の厚みＴ６より小さい（Ｔ９＜Ｔ６）。
なお、防湿体９の厚みＴ９を小さくし過ぎると、外力に対する防湿体９の耐性が低くなり、防湿体９にピンホール等の欠陥が発生しやすくなる。逆に、防湿体９の厚みＴ９を大きくし過ぎると、剛性が向上し、シンチレータ層６の表面に防湿体９を沿わせるのが困難となる。さらに、防湿体９の内部で散乱し易くなり、Ｘ線検出器１の解像度特性の低下を招いてしまう。本願発明者が得た知見によれば、厚みＴ９は、シンチレータ層６の厚みＴ６の半分以下とすることが好ましい。

本実施形態と異なり、シンチレータ層６の上にポリパラキシリレン樹脂を蒸着させて防湿体９を形成した場合、シンチレータ層６の柱状結晶同士の間にポリパラキシリレン樹脂が入り込み、シンチレータパネル３の光学特性が不所望に変化してしまう恐れがある。
これに対し、本実施形態では、シンチレータパネル３に防湿体９を設ける際、シート状の防湿体９を上記接合部１３により光反射層７に接合している。シンチレータ層６の上にポリパラキシリレン樹脂を蒸着させる製造工程無しにシンチレータパネル３を形成することができるため、シンチレータ層６の柱状結晶同士の間にポリパラキシリレン樹脂が入り込む事態を回避することができる。そして、シンチレータパネル３の光学特性が不所望に変化するリスクを低減することができる。

複数の光電変換部２ｂ（複数の画素）は、行方向Ｘに第１ピッチｐ１で並べられている。第１ピッチｐ１は、行方向Ｘにおける画素ピッチに相当している。行方向Ｘに隣合う一対の光電変換素子２ｂ１に注目した場合、第１ピッチｐ１は、一の光電変換素子２ｂ１の重心と、隣の光電変換素子２ｂ１の重心との間の行方向Ｘのピッチに相当している。

図５は、光電変換基板２の複数の制御ライン２ｃ１、複数のデータライン２ｃ２等を示す平面図であり、複数の光電変換部２ｂ（複数の画素）を併せて示す図である。
図５に示すように、複数の光電変換部２ｂ（複数の画素）は、行方向Ｘに第１ピッチｐ１で並べられ、列方向Ｙに第２ピッチｐ２で並べられている。
行方向Ｘに隣合う一対のデータライン２ｃ２に注目した場合、第１ピッチｐ１は、一のデータライン２ｃ２の行方向Ｘの中心と、隣のデータライン２ｃ２の行方向Ｘの中心との間の行方向Ｘのピッチに相当している。

第２ピッチｐ２は、列方向Ｙにおける画素ピッチに相当している。列方向Ｙに隣合う一対の制御ライン２ｃ１に注目した場合、第２ピッチｐ２は、一の制御ライン２ｃ１の列方向Ｙの中心と、隣の制御ライン２ｃ１の列方向Ｙの中心との間の列方向Ｙのピッチに相当している。
第１ピッチｐ１及び第２ピッチｐ２は、それぞれ、実質的に５０乃至２００μｍである。

防湿体９の厚みＴ９は、第１ピッチｐ１未満であり、且つ、第２ピッチｐ２未満である方が望ましい（Ｔ９＜ｐ１且つＴ９＜ｐ２）。何故なら、厚みＴ９が第１ピッチｐ１以上であったり、厚みＴ９が第２ピッチｐ２以上であったりすると、シンチレータ層６で変換された可視光が防湿体９の内部で散乱し易くなり、防湿体９が可視光を光電変換基板２に効率的に透過させなくなるためである。防湿体９の光透過率の低下は、Ｘ線検出器１の解像度特性の低下を招いてしまう。

上記のように構成された第１の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、シンチレータパネル３は、基板８と、シンチレータ層６と、光反射層７と、防湿体９と、接合部１３と、を備えている。接合部１３により、防湿体９と光反射層７とを容易に接合することができる。シンチレータ層６が位置している空間は、光反射層７、防湿体９、及び接合部１３で閉塞されている。そのため、シンチレータ層６への透湿を抑制することが可能なシンチレータパネル３及びシンチレータパネル３を備えたＸ線検出器１を得ることができる。
また、光反射層７の表面改質を行う必要が無いため、製造コストの高騰及び製品価格の高騰を抑制することができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るＸ線検出器について詳細に説明する。Ｘ線検出器１は、本実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。図６は、第２の実施形態に係るシンチレータパネル３を示す断面図である。

図６に示すように、光反射層７及び緩和層５は、それぞれ積層体で形成されていなくともよい。光反射層７は、第３樹脂層としての樹脂層７ｃで形成されている。樹脂層７ｃは、厚みＴ７ｃを有している。
光反射層７が樹脂層７ｃで形成されている場合、緩和層５は、第５樹脂層としての樹脂層５ｃで形成されている。樹脂層５ｃは、樹脂層７ｃを形成する材料と同一の材料で形成され、光反射層７と同一の構成を有している。樹脂層５ｃは、厚みＴ５ｃを有している。例えば、厚みＴ５ｃは厚みＴ７ｃと同一である。

樹脂層７ｃ及び樹脂層５ｃは、それぞれ、樹脂にＴｉＯ_２等からなる複数の光散乱性粒子が分散された材料で形成されてもよい。その場合、上記樹脂として、ポリエチレンテレフタレート等を利用することができる。また、厚みＴ５ｃ及び厚みＴ７ｃを、それぞれ実質的に１９０μｍとすることができる。

上記のように構成された第２の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、樹脂で形成された光反射層７も、シンチレータ層６で変換された蛍光を反射する機能を有している。そのため、本第２の実施形態は、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（比較例）
次に、比較例に係るＸ線検出器について詳細に説明する。Ｘ線検出器１は、本比較例で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。図７は、比較例に係るシンチレータパネル３を示す断面図である。
図７に示すように、シンチレータパネル３は、接合部１３無しに形成されている。防湿体９を形成する際、基板８、光反射層７、シンチレータ層６、及び緩和層５の上にポリパラキシリレン樹脂を蒸着させている。

ここで、高分子材料である樹脂は、分子鎖間にある隙間が元々大きく、熱運動によりさらに隙間が大きくなる。ＣＶＤ法によりポリパラキシリレン樹脂で防湿体９を形成した場合、防湿体９のための製造に長時間要することになる。また、防湿体９は、基板８、光反射層７、及び緩和層５から剥がれ易い。そのため、比較例において、シンチレータ層６への透湿を抑制することが可能なシンチレータパネル３を得ることは困難である。

防湿体９の密着性を向上させるため、平面視における光反射層７及び緩和層５のそれぞれのサイズを大きくし、光反射層７及び緩和層５のそれぞれの表面改質を行い、防湿体９が光反射層７に接着する面積及び防湿体９が緩和層５に接着する面積をそれぞれ大きくする対策が考えられる。

しかしながら、シンチレータパネル３の製造工程に、例えば、光反射層７の表面改質を行う工程を追加する必要がある。上記工程が追加されることで、製造時間の長期化を招き、製造コストが上がってしまう。ひいては、製品価格の高騰を招いてしまう。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

例えば、上述した技術は、上記シンチレータパネル３及び上記Ｘ線検出器１への適用に限定されるものではない。上記技術は、他のシンチレータパネル、及び他のＸ線検出器等の各種の放射線検出器に適用することができる。

１…Ｘ線検出器、２…光電変換基板、２ｂ…光電変換部、２ｂ１…光電変換素子、
２ｂ２…ＴＦＴ、２ｃ１…制御ライン、２ｃ２…データライン、１１…回路基板、
３…シンチレータパネル、８…基板、６…シンチレータ層、７…光反射層、
７ａ…金属層、７ｂ，７ｃ…樹脂層、５…緩和層、５ａ…金属層、５ｂ，５ｃ…樹脂層、
９…防湿体、９ａ…樹脂層、９ｂ…無機層、１３…接合部、
Ｔ６，Ｔ７ａ，Ｔ７ｂ，Ｔ７ｃ，Ｔ５ａ，Ｔ５ｂ，Ｔ５ｃ，Ｔ９…厚みＡ１…第１領域、
Ａ２…第２領域、Ｘ…行方向、Ｙ…列方向、ｐ１…第１ピッチ、ｐ２…第２ピッチ。

Claims (12)

1. 第１領域と、前記第１領域を囲む枠状の第２領域と、に位置し、炭素繊維強化プラスチックで形成された基板と、
   前記基板に隙間を設けて対向し、前記第１領域に位置し、入射される放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
   前記基板と前記シンチレータ層との間に設けられ、前記第１領域及び前記第２領域に位置し、前記シンチレータ層で変換された蛍光を反射する光反射層と、
   それぞれ光透過性を持つ第１樹脂層及び無機層を有する第１積層体で形成され、前記シンチレータ層の厚みより小さい厚みを有し、前記シンチレータ層を覆った防湿体と、
   前記第２領域に位置し、前記防湿体と前記光反射層とを接合した接合部と、を備える、
   シンチレータパネル。
2. 前記接合部は、連続的に延出し、枠状に形成され、
   前記光反射層、前記防湿体、及び前記接合部で囲まれた空間は減圧されている、
   請求項１に記載のシンチレータパネル。
3. 前記防湿体は透明である、
   請求項１又は２に記載のシンチレータパネル。
4. 前記無機層は、前記シンチレータ層と前記第１樹脂層との間に位置している、
   請求項１乃至３の何れか１項に記載のシンチレータパネル。
5. 前記接合部は、二液混合型、紫外線硬化型、紫外線及び熱硬化併用型、ホットメルト型、並びに粘着型の複数種類の接着剤のうち少なくとも１種類以上の前記接着剤を含んでいる、
   請求項１乃至４の何れか１項に記載のシンチレータパネル。
6. 前記接合部の剥離強度及びせん断強度は、それぞれ０．６Ｎ／ｍｍ以上である、
   請求項１乃至５の何れか１項に記載のシンチレータパネル。
7. 前記光反射層は、第１金属層と第２樹脂層とを有する第２積層体、又は第３樹脂層で形成されている、
   請求項１乃至６の何れか１項に記載のシンチレータパネル。
8. 前記光反射層は、前記第２積層体で形成され、
   前記第１金属層は、前記第２樹脂層と前記シンチレータ層との間に位置している、
   請求項７に記載のシンチレータパネル。
9. 前記光反射層と同一材料で形成され、前記光反射層と同一の構成を有する緩和層をさらに備え、
   前記基板は、前記緩和層と前記光反射層とで挟まれている、
   請求項１乃至８の何れか１項に記載のシンチレータパネル。
10. 緩和層をさらに備え
    前記基板は、前記緩和層と前記光反射層とで挟まれ、
    前記光反射層が前記第２積層体で形成されている場合、
    前記緩和層は、前記第１金属層を形成する材料と同一の材料で形成された第２金属層と、前記第２樹脂層を形成する材料と同一の材料で形成された第４樹脂層と、を有する第３積層体で形成され、
    前記光反射層が前記第３樹脂層で形成されている場合、
    前記緩和層は、前記第３樹脂層を形成する材料と同一の材料で形成された第５樹脂層で形成されている、
    請求項７に記載のシンチレータパネル。
11. 請求項１乃至１０の何れか１項に記載のシンチレータパネルと、
    前記シンチレータ層で変換された蛍光が入射される光電変換基板と、
    前記光電変換基板と電気的に接続された回路基板と、を備える、
    放射線検出器。
12. 前記光電変換基板は、前記第１領域に位置し互いに直交する第１方向及び第２方向にマトリクス状に並べられた複数の光電変換素子を有し、
    前記複数の光電変換素子は、前記第１方向に第１ピッチで並べられ、前記第２方向に第２ピッチで並べられ、
    前記防湿体の前記厚みは、前記第１ピッチ未満であり、且つ前記第２ピッチ未満である、
    請求項１１に記載の放射線検出器。

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