JP2023004719A - 光電変換基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 製品信頼性の高い光電変換基板を提供する。【解決手段】 光電変換基板２は、本体部２ａａ及び突出部２ａｂを含み可撓性を持つ基材２ａと、複数の光電変換素子と、複数の配線と、を備える。突出部２ａｂは、本体部２ａａの辺ＳＩ１から突出し本体部２ａａから物理的に連続して形成され突出領域ＰＡｂに位置している。前記複数の光電変換素子は、本体部２ａａの上方に設けられ検出領域ＤＡに位置している。前記複数の配線は、本体部２ａａ及び突出部２ａｂの上方に位置し前記複数の光電変換素子に電気的に接続されている。【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、光電変換基板に関する。

放射線検出器として、例えばＸ線検出器（Ｘ線平面検出器）が知られている。Ｘ線検出器のＸ線検出モジュールは、Ｘ線検出パネルと、ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）と、を備えている。Ｘ線検出パネルは、ガラス基板を基材とする光電変換基板と、その光電変換基板の上に形成されたシンチレータ層と、を備えている。シンチレータ層は、Ｘ線を蛍光に変換する。シンチレータ層は、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含んでいる。光電変換基板は、蛍光を電気信号に変換する。
上記ＦＰＣは、熱圧着により光電変換基板に接続されている。

特開２０１５－２１９２０８号公報

本実施形態は、製品信頼性の高い光電変換基板を提供する。

一実施形態に係る光電変換基板は、
本体部及び突出部を含み可撓性を持つ基材と、複数の光電変換素子と、複数の配線と、を備え、
前記本体部は、検出領域及び前記検出領域を囲んだ非検出領域に位置し、前記突出部は、前記本体部の辺から突出し前記本体部から物理的に連続して形成され前記非検出領域の外側の突出領域に位置し、前記複数の光電変換素子は、前記本体部の上方に設けられ前記検出領域に位置し、前記複数の配線は、前記本体部及び前記突出部の上方に位置し前記複数の光電変換素子に電気的に接続されている。

図１は、第１の実施形態に係るＸ線検出器を示す断面図である。 図２は、上記Ｘ線検出器の支持基板、Ｘ線検出パネル、及び回路基板を示す斜視図であり、画像伝送部を併せて示す図である。 図３は、上記Ｘ線検出器のＸ線検出モジュールの検出領域を示す拡大断面図である。 図４は、上記Ｘ線検出器の一部を示す平面図であり、光電変換基板の突出領域を展開して示した図である。 図５は、図４に示したＸ線検出器の一部を線Ｖ－Ｖに沿って示す断面図である。 図６は、上記Ｘ線検出モジュールの検出領域、非検出領域、及び突出領域を示す拡大断面図であり、突出領域を展開して示した図である。 図７は、上記Ｘ線検出パネルの非検出領域及び突出領域を示す拡大平面図であり、突出領域を展開して示した図であり、制御回路及びコネクタを併せて示す図である。 図８は、上記第１の実施形態の変形例１に係るＸ線検出器の一部を示す平面図であり、光電変換基板の突出領域を展開して示した図である。 図９は、上記第１の実施形態の変形例２に係るＸ線検出器の一部を示す平面図であり、光電変換基板の突出領域を展開して示した図である。 図１０は、上記第１の実施形態の変形例３に係るＸ線検出器の一部を示す平面図であり、光電変換基板の突出領域を展開して示した図である。 図１１は、第２の実施形態に係るＸ線検出器の一部を示す断面図であり、光電変換基板の突出領域を展開して示した図である。 図１２は、比較例に係るＸ線検出器のＸ線検出モジュールの非検出領域とその周辺の領域を示す拡大断面図である。

以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

始めに、本発明の実施形態の基本構想について説明する。
放射線検出器としてのＸ線検出器は、Ｘ線検出パネルを備えている。Ｘ線検出パネルにおいて、光電変換基板の基材はガラスで形成されている。ところで、最近では、光電変換基板の基材に、可撓性を持ち湾曲可能である基材の適用を試みる技術開発が進められている。基材の材料としては、例えば樹脂である。樹脂製の基材は、ガラス製の基材に比べて、軽量であり、湾曲可能であるため、衝撃に強い、及び割れにくい、と言う特徴を有している。

光電変換基板へのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の圧着に関し、光電変換基板がガラス製の基材を使用している場合、上記圧着は容易である。何故なら、ＦＰＣは軟らかい材質を有しているが、光電変換基板は相対的に剛性の高いガラス製の基材を使用しているためである。なお、ＩＣチップは、ＣＯＦ（Chip On Film又はChip On Flexible）と呼ばれる実装方法によりＦＰＣに実装され、ＩＣチップが実装されたＦＰＣが光電変換基板に圧着されている。

一方で、光電変換基板が樹脂製の基材を使用している場合、上記圧着が困難になると言う問題がある。何故なら、ＦＰＣ及び光電変換基板の基材の両方とも、軟らかい材質を有しているためである。軟らかい光電変換基板に軟らかいＦＰＣを圧着することになり、光電変換基板とＦＰＣとの間で、接着力不足、電気的非導通等の懸念が生じることとなる。

そこで、本発明の実施形態においては、かかる問題を改善するものであり、
製品信頼性の高い光電変換基板を得ることができるものである。又は、製造歩留まりの高い光電変換基板を得ることができるものである。次に、上記問題を改善するための手段及び手法について説明する。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係るＸ線検出器１を示す断面図である。Ｘ線検出器１は、Ｘ線画像検出器であり、Ｘ線検出パネルを利用するＸ線平面検出器である。

図１に示すように、Ｘ線検出器１は、Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２、回路基板１１、スペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ、筐体５１、入射窓５２等を備えている。Ｘ線検出モジュール１０は、Ｘ線検出パネルＰＮＬと、防湿カバー７と、を備えている。Ｘ線検出パネルＰＮＬは、支持基板１２と防湿カバー７との間に位置している。防湿カバー７は入射窓５２と対向している。

入射窓５２は、筐体５１の開口に取付けられている。入射窓５２はＸ線を透過させる。そのため、Ｘ線は入射窓５２を透過してＸ線検出モジュール１０に入射される。入射窓５２は、板状に形成され、筐体５１内部を保護する機能を有している。入射窓５２は、Ｘ線吸収率の低い材料で薄く形成することが望ましい。本実施形態において、入射窓５２は、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ：Carbon-Fiber-Reinforced Plastic）で形成されている。これにより、入射窓５２で生じる、Ｘ線の散乱と、Ｘ線量の減衰とを低減することができる。そして、薄くて軽いＸ線検出器１を実現することができる。

Ｘ線検出モジュール１０、支持基板１２、回路基板１１等は、筐体５１及び入射窓５２で囲まれた空間の内部に収容されている。支持基板１２は、第１主面ＳＵ１と、第１主面ＳＵ１の反対側の第２主面ＳＵ２と、第１主面ＳＵ１と第２主面ＳＵ２との間の側面ＳＵ３と、を有している。

Ｘ線検出モジュール１０は、薄い部材を積層して構成されているため、軽く機械的強度の低いものである。このため、Ｘ線検出パネルＰＮＬ（Ｘ線検出モジュール１０）は、支持基板１２の第１主面ＳＵ１に固定されている。支持基板１２は、例えば鉛で板状に形成され、Ｘ線検出パネルＰＮＬを安定して保持するために必要な強度（弾性率）を有している。これにより、Ｘ線検出器１に外部から振動や衝撃が加わった際におけるＸ線検出パネルＰＮＬの破損を抑制することができる。なお、支持基板１２は、透湿性が低くかつ弾性率の高い材料で形成されていればよく、アルミニウム合金、ステンレス鋼、ガラス、ＣＦＲＰ等の材料で形成されてもよい。

回路基板１１は、支持基板１２に固定されている。本実施形態において、回路基板１１は、支持基板１２の第２主面ＳＵ２に、スペーサ９ａ，９ｂを介して固定されている。例えば、支持基板１２が主に金属で構成されている場合、スペーサ９ａ，９ｂを使用することで、支持基板１２から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。
筐体５１の内面には、スペーサ９ｃ，９ｄを介して回路基板１１が固定されている。スペーサ９ｃ，９ｄを使用することで、主に金属で構成される筐体５１から回路基板１１までの電気的絶縁距離を保持することができる。筐体５１は、回路基板１１及びスペーサ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを介して支持基板１２等を支持している。

Ｘ線検出パネルＰＮＬは、周縁部に配線基板２ｅ１を備えている。配線基板２ｅ１は、ＦＰＣとして機能している。配線基板２ｅ１には、制御回路３ａが設けられている。制御回路３ａは、例えばＩＣチップであり、配線基板２ｅ１に実装されている。

Ｘ線検出パネルＰＮＬの配線基板２ｅ１は、回路基板１１に連結されている。配線基板２ｅ１は、１８０°湾曲可能であり、支持基板１２の側面ＳＵ３と対向する空間を通っている。回路基板１１には配線基板２ｅ１に対応するコネクタが実装され、配線基板２ｅ１はコネクタを介して回路基板１１に電気的に接続されている。上記のように、回路基板１１は、上記コネクタを介してＸ線検出パネルＰＮＬに電気的に接続されている。回路基板１１は、制御回路３ａ等とともに、Ｘ線検出パネルＰＮＬを電気的に駆動し、かつ、Ｘ線検出パネルＰＮＬからの出力信号を電気的に処理するものである。

図２は、本実施形態のＸ線検出器１の支持基板１２、Ｘ線検出パネルＰＮＬ、及び回路基板１１を示す斜視図であり、画像伝送部４を併せて示す図である。なお、図２には、Ｘ線検出器１の全ての部材を示していない。後述する封止部等、Ｘ線検出器１のいくつかの部材の図示は、図２において省略している。

図２に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光電変換基板２、シンチレータ層５等を備えている。光電変換基板２は、基材２ａ、複数の光電変換部２ｂ、複数の制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、複数のデータライン（又はシグナルライン）２ｃ２、複数の配線基板２ｅ１，２ｅ２等を有している。なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、及び配線基板２ｅ１，２ｅ２の数、配置等は図２の例に限定されるものではない。
なお、配線基板２ｅ１は、光電変換基板２のうち、後述する突出部２ａｂ、複数の配線ＷＬ１，ＷＬ２等が位置する領域である。

複数の制御ライン２ｃ１は、行方向Ｘに延在し、列方向Ｙに所定の間隔をあけて並べられている。複数のデータライン２ｃ２は、列方向Ｙに延在し、複数の制御ライン２ｃ１と交差し、行方向Ｘに所定の間隔をあけて並べられている。

複数の光電変換部２ｂは、基材２ａの一方の主面（第１主面ＳＵ１）側に設けられている。光電変換部２ｂは、制御ライン２ｃ１とデータライン２ｃ２とにより区画された四角形状の領域に設けられている。１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像の１つの画素に対応する。複数の光電変換部２ｂは、行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並べられている。上記のことから、光電変換部２ｂは、アレイ基板である。

各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２ｂ２と、を有している。ＴＦＴ２ｂ２は、対応する一の制御ライン２ｃ１と、対応する一のデータライン２ｃ２とに接続されている。光電変換素子２ｂ１はＴＦＴ２ｂ２に電気的に接続されている。

制御ライン２ｃ１は、配線基板２ｅ１等を介して回路基板１１に電気的に接続されている。回路基板１１は、上記制御回路３ａとともに、複数の制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を与える。

Ｘ線検出パネルＰＮＬの配線基板２ｅ２は、配線基板２ｅ１と同様に、回路基板１１に連結されている。配線基板２ｅ２は、配線基板２ｅ１と同様に１８０°湾曲可能であり、支持基板１２の側面ＳＵ４と対向する空間を通っている。

データライン２ｃ２は、配線基板２ｅ２等を介して回路基板１１に電気的に接続されている。光電変換素子２ｂ１によって変換された画像データ信号Ｓ２（光電変換部２ｂに蓄積された電荷）は、ＴＦＴ２ｂ２、データライン２ｃ２、配線基板２ｅ２、後述する制御回路（３ｂ）等を介して回路基板１１に伝送される。

Ｘ線検出器１は、画像伝送部４をさらに備えている。画像伝送部４は、配線４ａを介して回路基板１１に接続されている。なお、画像伝送部４は、回路基板１１に組込まれてもよい。画像伝送部４は、図示しない複数のアナログ－デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データの信号に基づいて、Ｘ線画像を生成する。生成されたＸ線画像のデータは、画像伝送部４から外部の機器に向けて出力される。

図３は、本実施形態に係るＸ線検出器１のＸ線検出モジュール１０の検出領域ＤＡを示す拡大断面図である。
図３に示すように、光電変換基板２は、基材２ａ、複数の光電変換部２ｂ、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５を有している。複数の光電変換部２ｂは、検出領域ＤＡに位置している。各々の光電変換部２ｂは、光電変換素子２ｂ１と、ＴＦＴ２ｂ２と、を備えている。

ＴＦＴ２ｂ２は、ゲート電極ＧＥ、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを有している。光電変換素子２ｂ１は、フォトダイオードで構成されている。なお、光電変換素子２ｂ１は、光を電荷に変換するように構成されていればよい。

基材２ａは、板状の形状を有し、絶縁材料で形成されている。基材２ａは、可撓性を持ち、湾曲可能である。基材２ａの材料としては、例えば樹脂であるポリイミド（ＰＩ）を挙げることができる。
基材２ａはフレキシブル基板（又は、フレキシブル層）であるのに対し、支持基板１２はリジッド基板である。支持基板１２は、基材２ａの剛性より高い剛性を持っている。本実施形態において、支持基板１２の弾性率は、基材２ａの弾性率より高い。

複数の光電変換部２ｂ（光電変換素子２ｂ１及びＴＦＴ２ｂ２）は、基材２ａの上方に位置している。
絶縁層２１は、基材２ａの上に設けられている。絶縁層２１の上に、ゲート電極ＧＥが形成されている。ゲート電極ＧＥは、上記制御ライン２ｃ１に電気的に接続されている。絶縁層２２は、絶縁層２１及びゲート電極ＧＥの上に設けられている。半導体層ＳＣは、絶縁層２２の上に設けられ、ゲート電極ＧＥに対向している。半導体層ＳＣは、非晶質半導体としての非晶質シリコン、多結晶半導体としての多結晶シリコン等の半導体材料で形成されている。

絶縁層２２及び半導体層ＳＣの上に、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが設けられている。ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、上記制御ライン２ｃ１、及び上記データライン２ｃ２は、アルミニウム、クロム等の低抵抗金属を用いて形成されている。

ソース電極ＳＥは、半導体層ＳＣのソース領域に電気的に接続されている。また、ソース電極ＳＥは、上記データライン２ｃ２に電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、半導体層ＳＣのドレイン領域に電気的に接続されている。

絶縁層２３は、絶縁層２２、半導体層ＳＣ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥの上に設けられている。光電変換素子２ｂ１は、ドレイン電極ＤＥに電気的に接続されている。絶縁層２４は、絶縁層２３及び光電変換素子２ｂ１の上に設けられている。バイアス線ＢＬは、絶縁層２４の上に設けられ、絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通り光電変換素子２ｂ１に接続されている。絶縁層２５は、絶縁層２４及びバイアス線ＢＬの上に設けられている。

絶縁層２１，２２，２３，２４，２５は、無機絶縁材料、有機絶縁材料等の絶縁材料で形成されている。無機絶縁材料としては、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、及び酸窒化物絶縁材料を挙げることができる。有機絶縁材料としては樹脂を挙げることができる。

シンチレータ層５は、光電変換基板２（複数の光電変換部２ｂ）の上に設けられている。シンチレータ層５は、複数の光電変換部２ｂと対向している。シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、複数の光電変換部２ｂの上方を覆っている。シンチレータ層５は、入射されるＸ線を光（蛍光）に変換するように構成されている。

複数の光電変換部２ｂは、検出領域ＤＡに位置している。そのため、光電変換基板２に注目した場合、検出領域ＤＡは、光（可視光）を検出可能な領域である。
なお、光電変換素子２ｂ１は、シンチレータ層５から入射される光を電荷に変換する。変換された電荷は光電変換素子２ｂ１に蓄積される。ＴＦＴ２ｂ２は、光電変換素子２ｂ１への蓄電及び光電変換素子２ｂ１からの放電を切替えることができる。なお、光電変換素子２ｂ１の自己容量が不十分である場合、光電変換基板２はコンデンサ（キャパシタ）をさらに有し、光電変換素子２ｂ１で変換された電荷をコンデンサに蓄積してもよい。

シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）で形成されている。真空蒸着法を用いて光電変換基板２の上にシンチレータ層５を直に形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層５が得られる。シンチレータ層５の厚みは、例えば、６００μｍである。シンチレータ層５の最表面において、シンチレータ層５の柱状結晶の太さは、８乃至１２μｍである。

シンチレータ層５を形成する材料は、ＣｓＩ：Ｔｌに限定されるものではない。シンチレータ層５は、タリウム賦活ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ：Ｔｌ）、ナトリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、ユーロピウム賦活臭化セシウム（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）等で形成されてもよい。

なお、真空蒸着法を用いてシンチレータ層５を形成する際には、開口を有するマスクが用いられる。この場合、光電変換基板２上の開口に対峙する領域にシンチレータ層５が形成される。また、蒸着によるシンチレータ材は、マスクの表面にも堆積する。そして、シンチレータ材は、マスクの開口の近傍にも堆積し、開口の内部に徐々に張り出すように結晶が成長する。マスクから開口の内部に結晶が張り出すと、開口の近傍において、光電変換基板２へのシンチレータ材の蒸着が抑制される。そのため、図２に示したように、シンチレータ層５の周縁近傍は、外側になるに従い厚みが漸減している。

又は、シンチレータ層５は、マトリクス状に並べられ、光電変換部２ｂに一対一で設けられ、それぞれ四角柱状の形状を有する複数のシンチレータ部を有してもよい。そのようなシンチレータ層５を形成する際、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ）蛍光体粒子をバインダ材と混合したシンチレータ材を、光電変換基板２上に塗布し、シンチレータ材を焼成して硬化させる。その後、ダイサによりダイシングするなどし、シンチレータ材に格子状の溝部を形成する。上記の場合、複数のシンチレータ部の間には、空気又は酸化防止用の窒素（Ｎ_２）等の不活性ガスが封入される。又は、複数のシンチレータ部の間の空間は、大気圧より減圧された空間に設定されてもよい。

本実施形態において、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、光反射層６をさらに備えている。光反射層６は、シンチレータ層５の上に設けられている。言い換えると、光反射層６は、シンチレータ層５のＸ線の入射側に設けられている。光反射層６は、少なくとも検出領域ＤＡに位置し、シンチレータ層５の上面を覆っている。光反射層６は、光（蛍光）の利用効率を高めて感度特性の向上を図るために設けられている。すなわち、光反射層６は、シンチレータ層５において生じた光のうち、光電変換部２ｂが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部２ｂに向かうようにする。ただし、光反射層６は、必ずしも必要ではなく、Ｘ線検出モジュール１０に求められる感度特性などに応じて設ければよい。

例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）等からなる光散乱性粒子と、樹脂と、溶媒とを混合した塗布材料をシンチレータ層５上に塗布し、続いて塗布材料を乾燥させることで光反射層６を形成することができる。

なお、光反射層６の構造及び光反射層６の製造方法は、上記の例に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層５上に成膜することで光反射層６を形成してもよい。又は、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属層を含むシートや、光散乱性粒子を含む樹脂シート等をシンチレータ層５の上に配置することで光反射層６を形成してもよい。

なお、ペースト状の塗布材料をシンチレータ層５の上に塗布し、上記塗布材料を乾燥させる場合は、乾燥に伴い塗布材料が収縮するので、シンチレータ層５に引っ張り応力が加わり、シンチレータ層５が光電変換基板２から剥離する場合がある。そのため、シート状の光反射層６を、シンチレータ層５の上に設けることが好ましい。この場合、光反射層６を、例えば、両面テープなどを用いて、シンチレータ層５の上に接合することもできるが、光反射層６をシンチレータ層５の上に載置する方が好ましい。シート状の光反射層６をシンチレータ層５の上に載置すれば、光反射層６の膨張または収縮に起因した、光電変換基板２からシンチレータ層５の剥離を容易に抑制することができる。

防湿カバー（防湿部）７は、光電変換基板２、シンチレータ層５、及び光反射層６の上に設けられている。防湿カバー７は、シンチレータ層５及び光反射層６を覆っている。防湿カバー７は、空気中に含まれる水分により、光反射層６の特性やシンチレータ層５の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。防湿カバー７は、シンチレータ層５の露出部分を完全に覆っている。防湿カバー７は、光反射層６と接触しているが、光反射層６との間に隙間を空けてもよい。

防湿カバー７は、金属を含むシートで形成されている。上記金属としては、アルミニウムを含む金属、銅を含む金属、マグネシウムを含む金属、タングステンを含む金属、ステンレス、コバール等を挙げることができる。防湿カバー７が金属を含んでいる場合、防湿カバー７は、水分の透過を、防止したり、大幅に抑制したりすることができる。

また、防湿カバー７は、樹脂層と金属層とが積層された積層シートで形成されてもよい。この場合、樹脂層は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、テフロン（登録商標）、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、弾性ゴム等の材料で形成することができる。金属層は、例えば、前述した金属を含むものとすることができる。金属層は、スパッタリング法、ラミネート法等を用いて形成することができる。

この場合、樹脂層より金属層をシンチレータ層５側に設けた方が好ましい。樹脂層により金属層を覆うことができるので、外力などにより金属層が受け得る損傷を抑制することができる。また、金属層が樹脂層よりもシンチレータ層５側に設けられていれば、樹脂層を介した透湿によるシンチレータ層５の特性の劣化を抑制することができる。

防湿カバー７としては、金属層を含むシート、無機絶縁層を含むシート、樹脂層と金属層とが積層された積層シート、及び樹脂層と無機絶縁層とが積層された積層シートを挙げることができる。上記のことから、防湿カバー７の無機層は、金属層にかぎらず、無機絶縁層であってもよい。又は、防湿カバー７は、金属層及び無機絶縁層の両方を有してもよい。無機絶縁層は、酸化珪素、酸化アルミニウム等を含む層で形成することができる。無機絶縁層は、スパッタリング法等を用いて形成することができる。

また、防湿カバー７の厚みは、Ｘ線の吸収や剛性（弾性率）などを考慮して決定することができる。この場合、防湿カバー７の厚みを大きくする程、防湿カバー７に吸収されるＸ線の量が多くなる。一方、防湿カバー７の厚みを小さくする程、防湿カバー７は、剛性の低下を招き、破損し易くなる。

例えば、防湿カバー７の厚みを１０μｍ未満にすると、防湿カバー７の剛性が低くなりすぎて、外力などによるダメージにより防湿カバー７にピンホールが生じ、リークが発生する恐れがある。防湿カバー７の厚みが５０μｍを超えると、防湿カバー７の剛性が高くなり過ぎて、シンチレータ層５の上端の凹凸への追従性が悪くなる。そのため、前述した隙間やリークパスの確認が困難となる恐れがある。さらに、光電変換基板２の変形に追従し難くなる恐れがある。

そのため、防湿カバー７の厚みは、１０μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましい。この場合、防湿カバー７は、例えば、厚みが１０乃至５０μｍのアルミニウム箔で形成することができる。アルミニウム箔の厚みが１０乃至５０μｍであれば、厚みが１００μｍのアルミニウム箔に比べてＸ線の透過量を２０乃至３０％程度多くすることができる。また、厚みが１０乃至５０μｍのアルミニウム箔とすれば、前述したリークの発生を抑制することができ、且つ、前述した隙間やリークパスの確認が容易となる。また、防湿カバー７は、光電変換基板２の反り等の変形に追従することができる。

金属の熱膨張及び熱収縮を小さくするため、アルミニウムなどの金属の厚さは３０μｍ以下である方が望ましい。すると、防湿カバー７は、１０乃至３０μｍのアルミニウム箔を含んでいる方が望ましい。

本実施形態に係る防湿カバー７は、１０乃至３０μｍの厚みを持つアルミニウム箔と、樹脂層と、を含むアルミラミネートフィルムである。例えば、防湿カバー７をアルミラミネートフィルムで形成した場合、防湿カバー７は、可撓性を持ち、湾曲に対応可能である。その場合、防湿カバー７の剛性は、支持基板１２の剛性より低い。可撓性を持つ防湿カバー７は、基材２ａとともにフレキシブルなＸ線検出モジュール１０の形成に寄与することができる。

ここで、人体に対して大量のＸ線照射を行うと健康への悪影響があるため、人体へのＸ線照射量は必要最低限に抑えられる。そのため、医療に用いられるＸ線検出器１の場合には、照射されるＸ線の強度が低くなり、防湿カバー７を透過するＸ線の強度が非常に低くなる恐れがある。防湿カバー７のアルミニウム箔の厚みは、１０乃至３０μｍであるため、照射されるＸ線の強度が低い場合であってもＸ線画像の撮影が可能となる。

図４は、Ｘ線検出器１の一部を示す平面図であり、光電変換基板２の突出領域ＰＡを展開して示した図である。図４において、シンチレータ層５には右上がりの斜線を付し、封止部８には右下がりの斜線を付している。図５は、図４に示したＸ線検出器１の一部を線Ｖ－Ｖに沿って示す断面図である。図４及び図５において、光電変換基板２に関してはＸ－Ｙ平面に伸ばした状態について説明する。

図４及び図５に示すように、光電変換基板２の基材２ａは、本体部２ａａ、複数の突出部２ａｂ、及び複数の突出部２ａｃを含み、可撓性を持っている。本体部２ａａは、検出領域ＤＡ及び検出領域ＤＡを囲んだ非検出領域ＮＤＡに位置している。検出領域ＤＡは、例えば四角形の領域であり、非検出領域ＮＤＡは、例えば四角枠状の形状の領域である。本体部２ａａの平面形状（検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡに位置した光電変換基板２の平面形状）は、例えば四角形である。

光電変換基板２のうち少なくとも検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡは、支持基板１２の第１主面ＳＵ１に固定されている。また、基材２ａのうち少なくとも本体部２ａａは、支持基板１２の第１主面ＳＵ１に固定されている。

各々の突出部２ａｂは、本体部２ａａの辺ＳＩ１から突出し、本体部２ａａから物理的に連続して形成され、非検出領域ＮＤＡの外側の突出領域ＰＡｂに位置している。各々の突出部２ａｃは、本体部２ａａの辺ＳＩ２から突出し、本体部２ａａから物理的に連続して形成され、非検出領域ＮＤＡの外側の突出領域ＰＡｃに位置している。
なお、光電変換基板２の突出領域ＰＡｂはＸ線検出パネルＰＮＬの配線基板２ｅ１に相当し、光電変換基板２の突出領域ＰＡｃはＸ線検出パネルＰＮＬの配線基板２ｅ２に相当している。また、本実施形態において、各々の突出領域ＰＡｂ，ＰＡｃは、四角形の領域であり、例えば短冊形の領域である。

シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡの全体に位置している。光反射層６は、少なくとも検出領域ＤＡに位置している。本実施形態において、光反射層６は、シンチレータ層５の側面５ａを全く覆っていない。但し、光反射層６は、シンチレータ層５の側面５ａの一部を覆っていたり、シンチレータ層５の側面５ａの全体を覆っていたり、してもよい。

Ｘ線検出器１は、封止部８をさらに備えている。封止部８は、シンチレータ層５の周囲に設けられている。封止部８は、枠状の形状を有し、シンチレータ層５の周囲を連続的に延在している。本実施形態において、封止部８は、非検出領域ＮＤＡに位置している。封止部８は、光電変換基板２（例えば、上記絶縁層２５）と、防湿カバー７とを接合している。

防湿カバー７は、図４に示す平面図において、検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡに位置している。防湿カバー７は、光電変換基板２とともにシンチレータ層５及び光反射層６を密封している。本実施形態において、防湿カバー７は、光電変換基板２及び封止部８とともにシンチレータ層５及び光反射層６を密封している。図５に示すように、シンチレータ層５のうち光電変換基板２及び封止部８で覆われていない部分は、防湿カバー７で完全に覆われている。

防湿カバー７は、封止部８の外面８ａに接合されている。防湿カバー７は、封止部８の少なくとも一部を覆っている。例えば、大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と封止部８とを接合すれば、防湿カバー７を光反射層６等に接触させることができる。

また、一般的に、シンチレータ層５には、その体積の１０乃至４０％程度の空隙が存在する。そのため、空隙にガスが含まれていると、Ｘ線検出器１を航空機などで輸送した場合にガスが膨張して防湿カバー７が破損する恐れがある。大気圧よりも減圧された環境において防湿カバー７と封止部８とを接合すれば、Ｘ線検出器１が航空機等で輸送された場合、及び高地でＸ線検出器１を使用する場合であっても、防湿カバー７の破損を抑制することができる。上記のことから、封止部８と防湿カバー７とにより画された空間の圧力は、大気圧よりも低くした方が好ましい。

封止部８は、熱可塑性樹脂を含む材料で形成されている。封止部８は、熱可塑性樹脂を主成分として含む材料で形成されている。封止部８は、１００％熱可塑性樹脂で形成されてもよい。又は、封止部８は、熱可塑性樹脂に添加物が混在した材料で形成されてもよい。封止部８が熱可塑性樹脂を主成分として含んでいれば、封止部８は、加熱により、光電変換基板２、及び防湿カバー７と接合することができる。

熱可塑性樹脂は、ナイロン、ＰＥＴ（Polyethyleneterephthalate）、ポリウレタン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ＡＢＳ（Acrylonitrile Butadiene Styrene）、アクリル、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン等を利用することができる。

制御回路３ａは突出領域ＰＡｂに位置し、制御回路３ｂは突出領域ＰＡｃに位置している。制御回路３ａは光電変換基板２の突出領域ＰＡｂ（配線基板２ｅ１）に実装され、制御回路３ｂは光電変換基板２の突出領域ＰＡｃ（配線基板２ｅ２）に実装されている。制御回路３ａ及び制御回路３ｂを代表して制御回路３ａに注目すると、本実施形態において、制御回路３ａは、配線基板２ｅ１の下面（配線基板２ｅ１の支持基板１２側の面）に実装されている。但し、制御回路３ａは、配線基板２ｅ１の上面（配線基板２ｅ１のシンチレータ層５側の面）に実装されてもよい。

図６は、Ｘ線検出モジュール１０の検出領域ＤＡ、非検出領域ＮＤＡ、及び突出領域ＰＡｂを示す拡大断面図であり、突出領域ＰＡｂを展開して示した図である。
図６に示すように、複数の光電変換素子２ｂ１は、本体部２ａａの上方に設けられている。光電変換基板２は、検出領域ＤＡ、非検出領域ＮＤＡ、及び突出領域ＰＡｂにわたって物理的に連続して形成されている。光電変換基板２において、基材２ａだけではなく、絶縁層２１乃至２５に関しても検出領域ＤＡ、非検出領域ＮＤＡ、及び突出領域ＰＡｂにわたって物理的に連続して形成されている。なお、光電変換基板２の突出領域ＰＡｂにおいて、絶縁層２１乃至２５の全てが形成されていなくともよい。

図７は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの非検出領域ＮＤＡ及び突出領域ＰＡｂを示す拡大平面図であり、突出領域ＰＡｂを展開して示した図であり、制御回路３ａ及びコネクタＣＮを併せて示す図である。
図７に示すように、Ｘ線検出器１は、コネクタＣＮを備えている。コネクタＣＮは、配線基板２ｅ１に実装されている。光電変換基板２は、複数の配線ＷＬ１、複数の配線ＷＬ２等、図２に示した複数の制御ライン２ｃ１及び複数のデータライン２ｃ２以外にも複数の配線を備えている。

配線ＷＬ１は、基材２ａの本体部２ａａ及び突出部２ａｂの上方に位置し、非検出領域ＮＤＡ及び突出領域ＰＡｂにわたって物理的に連続して形成されている。配線ＷＬ２は、突出部２ａｂの上方に位置している。配線ＷＬ１及び配線ＷＬ２は、図３に示した絶縁層２１と絶縁層２２との間に位置したり、絶縁層２２と絶縁層２３との間に位置したり、してもよい。

各々の配線ＷＬ１は、一方で上記制御ライン２ｃ１に電気的に接続され、他方で制御回路３ａに電気的に接続されている。配線ＷＬ１は、制御ライン２ｃ１と物理的に連続して形成されてもよい。各々の配線ＷＬ２は、一方で制御回路３ａに電気的に接続され、他方でコネクタＣＮに電気的に接続されている。例えば、配線ＷＬ１、配線ＷＬ２、及び制御ライン２ｃ１は、同一材料で同時に形成されてもよい。

なお、図７を用いて、制御回路３ａ、コネクタＣＮ、配線基板２ｅ１等について説明した構成は、配線基板２ｅ２、制御回路３ｂ、配線基板２ｅ２に実装されるコネクタ等の構成に適用可能である。

図７及び図２に示すように、複数の配線ＷＬ１及び複数の配線ＷＬ２は、複数のＴＦＴ２ｂ２等を介し、複数の光電変換素子２ｂ１に電気的に接続されている。制御回路３ａは、駆動回路であり、回路基板１１とともに制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を与え、制御ライン２ｃ１及びＴＦＴ２ｂ２を駆動し、光電変換部２ｂから画像データ信号Ｓ２を取り出すタイミングを制御する。
一方、図４に示した制御回路３ｂは、画像データ信号Ｓ２を読み取る回路であり、回路基板１１とともにデータライン２ｃ２から画像データ信号Ｓ２を読み取る。
Ｘ線検出器１は、上記のように構成されている。

上記のように構成された第１の実施形態に係るＸ線検出器１によれば、光電変換基板２は、本体部２ａａ及び突出部２ａｂ，２ａｃを含み可撓性を持つ基材２ａと、複数の光電変換素子２ｂ１と、複数の配線ＷＬ１と、を有している。突出部２ａｂは、本体部２ａａの辺ＳＩ１から突出し、本体部２ａａから物理的に連続して形成され、突出領域ＰＡｂに位置している。

光電変換基板２のうち複数の配線基板２ｅ１，２ｅ２はＦＰＣとして機能する。そのため、光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）に熱圧着法が用いてＦＰＣを接続するための製造工程自体を無くすことができる。そのため、製造時間を短縮することが可能なＸ線検出器１を得ることができる。

光電変換基板２とＦＰＣとの間で、接着力不足、電気的非導通等の懸念が生じることもない。そのため、製品信頼性の高い光電変換基板２を得ることができる。また、製造歩留まりの高い光電変換基板２を得ることができる。

上記のように製造時間は短縮され、さらに、Ｘ線検出器１は光電変換基板２と回路基板１１とを接続するために、別途、ＦＰＣを必要としない。そのため、製造コストを抑制することが可能なＸ線検出器１を得ることができる。

基材２ａは可撓性を持っているため、Ｘ線検出パネルＰＮＬはフレキシブルパネルである。Ｘ線検出パネルＰＮＬがフレキシブルパネルである場合、Ｘ線検出パネルＰＮＬを筐体５１内部に固定することは困難である。そこで、Ｘ線検出パネルＰＮＬは、リジッド基板である支持基板１２によって支持されている。これにより、Ｘ線検出パネルＰＮＬを支持基板１２とともに筐体５１内部に容易に固定することができる。

本体部２ａａの辺ＳＩ１側において、複数の配線基板２ｅ１は列方向Ｙに間隔を置いて設けられている。本体部２ａａの辺ＳＩ２側において、複数の配線基板２ｅ２は行方向Ｘに間隔を置いて設けられている。配線基板２ｅは可撓性を持っているため、Ｘ線検出器１の製造時の作業性の観点から、本実施形態のように、配線基板２ｅは間隔を置いて複数に分かれている方が望ましい。これにより、複数の配線基板２ｅ１が間隔無しに物理的につながっている場合や、複数の配線基板２ｅ２が間隔無しに物理的につながっている場合と比較して作業性の向上を図ることができる。
なお、配線基板２ｅ１の個数及び配線基板２ｅ２の個数は、それぞれ２以上であればよい。

（変形例１）
次に、上記第１の実施形態の変形例１について説明する。図８は、本変形例１に係るＸ線検出器１の一部を示す平面図であり、光電変換基板２の突出領域ＰＡを展開して示した図である。Ｘ線検出器１は、本変形例１で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。
図８に示すように、基材２ａの複数の突出部は、本体部２ａａの４つの辺ＳＩから突出してもよい。

突出部２ａｂは、本体部２ａａの辺ＳＩ３から突出し、本体部２ａａから物理的に連続して形成され、非検出領域ＮＤＡの外側の突出領域ＰＡｂに位置している。Ｘ線検出パネルＰＮＬ（光電変換基板２）は、行方向Ｘにおける本体部２ａａの両側に、それぞれ突出部２ａｂを含む複数の配線基板２ｅ１を有している。各々の配線基板２ｅ１に制御回路３ａが実装されている。

突出部２ａｃは、本体部２ａａの辺ＳＩ４から突出し、本体部２ａａから物理的に連続して形成され、非検出領域ＮＤＡの外側の突出領域ＰＡｃに位置している。Ｘ線検出パネルＰＮＬ（光電変換基板２）は、列方向Ｙにおける本体部２ａａの両側に、それぞれ突出部２ａｃを含む複数の配線基板２ｅ２を有している。各々の配線基板２ｅ２に制御回路３ｂが実装されている。
本変形例１においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

なお、辺ＳＩ１側の配線基板２ｅ１の個数、辺ＳＩ２側の配線基板２ｅ２の個数、辺ＳＩ３側の配線基板２ｅ１の個数、及び辺ＳＩ４側の配線基板２ｅ２の個数は、それぞれ２以上であればよい。

（変形例２）
次に、上記第１の実施形態の変形例２について説明する。図９は、本変形例２に係るＸ線検出器１の一部を示す平面図であり、光電変換基板２の突出領域ＰＡを展開して示した図である。Ｘ線検出器１は、本変形例２で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。
図９に示すように、Ｘ線検出器１は、複数の配線基板２ｅ１及び複数の制御回路３ａ無しに構成されてもよい。配線基板２ｅ２に、さらに、制御ライン２ｃ１が電気的に接続されている。制御回路３ｂは、さらに、制御ライン２ｃ１を駆動する駆動回路としても機能している。

上記のように、複数の突出部は、本体部２ａａの一辺（辺ＳＩ２）から突出しているのみであってもよい。本変形例２においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、配線基板２ｅ２の個数は、２以上であればよい。

（変形例３）
次に、上記第１の実施形態の変形例３について説明する。図１０は、本変形例３に係るＸ線検出器１の一部を示す平面図である。Ｘ線検出器１は、本変形例３で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。
図１０に示すように、本体部２ａａの辺ＳＩ１側において、光電変換基板２は、単個の配線基板２ｅ１を有している。配線基板２ｅ１に３個の制御回路３ａが実装されている。但し、制御回路３ａの個数は３個に限定されるものではなく、種々変形可能である。

本体部２ａａの辺ＳＩ２側において、光電変換基板２は、単個の配線基板２ｅ２を有している。配線基板２ｅ２に３個の制御回路３ｂが実装されている。但し、制御回路３ｂの個数は３個に限定されるものではなく、種々変形可能である。

大まかに、本変形例３の配線基板２ｅ１の構成は、図４に示した複数の配線基板２ｅ１を間隔無しに物理的につなげた構成に相当している。また、本変形例３の配線基板２ｅ２の構成は、図４に示した複数の配線基板２ｅ２を間隔無しに物理的につなげた構成に相当している。

本変形例３においても、Ｘ線検出器１は光電変換基板２と回路基板１１とを接続するためのＦＰＣを必要としないため、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。図１１は、第２の実施形態に係るＸ線検出器１の一部を示す断面図であり、光電変換基板２の突出領域ＰＡｂを展開して示した図である。Ｘ線検出器１は、本実施形態で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。

図１１に示すように、シンチレータ層５は、光電変換基板２の上に直に形成されていなくともよい。Ｘ線検出器１は、支持基板１２、光電変換基板２、制御回路３ａ、シンチレータパネルＳＰ等を備えている。シンチレータパネルＳＰは、基板１５、光反射層１６、シンチレータ層５、及び防湿体１７を備えている。

基板１５は、検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡに位置し、ＣＦＲＰで形成されている。ＣＦＲＰは、高いＸ線透過率を有する材料である。
シンチレータ層５は、基板１５と光電変換基板２との間に位置している。シンチレータ層５は、基板１５に隙間を設けて対向している。シンチレータ層５は、少なくとも検出領域ＤＡに位置している。本実施形態において、シンチレータ層５は、検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡに位置している。

光反射層１６は、基板１５とシンチレータ層５との間に設けられている。光反射層１６は、検出領域ＤＡ及び非検出領域ＮＤＡに位置している。光反射層１６は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、光反射層１６は、シンチレータ層５で変換された蛍光を反射する機能を有している。光反射層１６は光電変換基板２側とは反対側に向かう光を反射するため、光が光電変換部２ｂに向かう量を向上できる。

防湿体１７は、基板１５、光反射層１６、及びシンチレータ層５を包み込んでいる。防湿体１７は、光反射層１６とともにシンチレータ層５を気密に閉塞している。防湿体１７は、例えば、化学的気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法を用いポリパラキシリレン（poly-para-xylylene）樹脂等の有機材料で形成されている。ポリパラキシリレン樹脂で形成された防湿体１７を有機膜と称することができる。

Ｘ線検出器１は、接着層ＡＬをさらに備えている。接着層ＡＬは、光電変換基板２と、シンチレータパネルＳＰと、の間に位置している。詳しくは、接着層ＡＬは、光電変換基板２の絶縁層２５と、シンチレータパネルＳＰの防湿体１７と、にそれぞれ接着している。光電変換基板２及びシンチレータパネルＳＰは、接着層ＡＬにより貼り合わせられている。

本第２の実施形態においても、光電変換基板２は、上記第１の実施形態の光電変換基板２と同様に構成されている。そのため、本第２の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

（比較例）
次に、上記第１の実施形態の比較例について説明する。図１２は、本比較例に係るＸ線検出器１のＸ線検出モジュール１０の非検出領域ＮＤＡとその周辺の領域を示す拡大断面図である。Ｘ線検出器１は、本比較例で説明する構成以外、上記第１の実施形態と同様に構成されている。

図１２に示すように、Ｘ線検出パネルＰＮＬ（光電変換基板２）は、配線基板２ｅ無しに形成されている。例えば、基材２ａは突出部２ａｂ，２ａｃ無しに形成されている。
光電変換基板２は、パッド２ｄをさらに有している。パッド２ｄは非検出領域ＮＤＡに位置している。パッド２ｄは、絶縁層２３の上に形成され、絶縁層２４，２５で覆われていない。パッド２ｄは、例えば制御ライン２ｃ１に電気的に接続されている。

Ｘ線検出器１は、ＦＰＣ ２０をさらに備えている。ＦＰＣ２０は、熱圧着法を用い、接続材ＡＤにより光電変換基板２（Ｘ線検出パネルＰＮＬ）に固定され、パッド２ｄに電気的に接続されている。

上記のように構成された比較例に係るＸ線検出器１によれば、光電変換基板２とＦＰＣ２０との間で、接着力不足、電気的非導通等の懸念が生じることとなる。そのため、ＦＰＣ２０を用いることは望ましくない。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。必要に応じて、複数の実施形態及び複数の変形例を組合せることも可能である。

上述した技術は、上記光電変換基板２への適用に限定されるものではなく、他の光電変換基板に適用することができる。また、上述した技術は、上記Ｘ線検出器１への適用に限定されるものではなく、他のＸ線検出器、各種の放射線検出器に適用することができる。放射線検出器は、Ｘ線検出パネルＰＮＬの替わりに、放射線を検出する放射線検出パネルを備えていればよい。

１…Ｘ線検出器、１０…Ｘ線検出モジュール、ＰＮＬ…Ｘ線検出パネル、
２…光電変換基板、２ａ…基材、２ａａ…本体部、２ａｂ，２ａｃ…突出部、
２ｂ…光電変換部、２ｂ１…光電変換素子、２ｂ２…ＴＦＴ、２ｃ１…制御ライン、
２ｃ２…データライン、２ｅ，２ｅ１，２ｅ２…配線基板、３ａ，３ｂ…制御回路、
５…シンチレータ層、６…光反射層、７…防湿カバー、８…封止部、１１…回路基板、
１２…支持基板、ＷＬ１，ＷＬ２…配線、ＳＩ…辺、ＳＰ…シンチレータパネル、
１５…基板、１６…光反射層、１７…防湿体、ＡＬ…接着層、ＤＡ…検出領域、
ＮＤＡ…非検出領域、ＰＡｂ，ＰＡｃ…突出領域、Ｘ…行方向、Ｙ…列方向。

Claims (3)

1. 本体部及び突出部を含み可撓性を持つ基材と、
   複数の光電変換素子と、
   複数の配線と、を備え、
   前記本体部は、検出領域及び前記検出領域を囲んだ非検出領域に位置し、
   前記突出部は、前記本体部の辺から突出し前記本体部から物理的に連続して形成され前記非検出領域の外側の突出領域に位置し、
   前記複数の光電変換素子は、前記本体部の上方に設けられ前記検出領域に位置し、
   前記複数の配線は、前記本体部及び前記突出部の上方に位置し前記複数の光電変換素子に電気的に接続されている、
   光電変換基板。
2. 前記突出領域に位置し前記複数の配線に電気的に接続された制御回路をさらに備える、
   請求項１に記載の光電変換基板。
3. 前記突出部及び前記複数の配線が位置する前記突出領域は、１８０°湾曲可能である、
   請求項１に記載の光電変換基板。

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