TWI821460B - 放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法 - Google Patents

放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法，其中，所述放射線檢測器具備：TFT基板，在可撓性基材的第1面的像素區域上形成有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素，並且在第1面的端子區域上設置有用於將柔性電纜電連接之端子；轉換層，設置於基材的第1面中之端子區域外且將放射線轉換成光；第1補強基板，設置於轉換層中之與TFT基板側的面相反的一側的表面上且剛性高於基材；及第2補強基板，設置於與基材的第1面相反的一側的第2面且覆蓋大於第1補強基板之面，能夠抑制在基板上產生缺陷且再加工性優異。

Description

放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法
本揭示有關一種放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法。
先前，已知一種以醫療診斷為目的而進行放射線攝影之放射線圖像攝影裝置。在該等放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射了被攝體之放射線而生成放射線圖像之放射線檢測器(例如，參閱日本特開2009-133837號公報及日本特開2012-220659號公報)。
作為該種放射線檢測器，存在如下者，其具備：閃爍器等轉換層，將放射線轉換成光；及基板，在基材的像素區域上設置有蓄積依據由轉換層轉換之光產生之電荷之複數個像素。作為該種放射線檢測器的基板的基材，已知有使用了可撓性基材者，可撓性基材中連接有用於讀取蓄積於像素中之電荷之電纜。藉由使用可撓性基材，例如能夠使放射線圖像攝影裝置(放射線檢測器)輕型化，並且有時容易拍攝被攝體。
在使用了可撓性基材之放射線圖像攝影裝置的製程的中途等中，受可撓性基材撓曲之影響而導致轉換層從基板剝離或者像素損壞等，存在放射線檢測器的基板上產生缺陷之慮。
在日本特開2009-133837號公報中所記載的技術中，在轉換層中 之與基板側的面對向之一側的表面上設置有覆蓋轉換層之電磁屏蔽層。又，在日本特開2012-220659號公報中所記載的技術中，在轉換層中之與基板側的面對向之一側的表面上設置有支撐轉換層之支撐體。然而，在日本特開2009-133837號公報及日本特開2012-220659號公報中所記載的技術中，未考慮到放射線檢測器的基材撓曲之情況，亦未考慮到由於基材撓曲而在基板上產生缺陷之情況。因此，在日本特開2009-133837號公報中之電磁屏蔽層或日本特開2012-220659號公報中之支撐體中，存在無法充分地抑制受使用了可撓性基材之影響而產生之基板的缺陷之慮。
又，有時由於與基材連接之電纜的連接不良等而需要對電纜進行再加工。在基板的轉換層側設置了補強基板之狀態下，進行再加工時補強基板成為障礙，有時再加工性降低。
本揭示提供一種能夠抑制在基板上產生缺陷且再加工性優異之放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法。
本揭示的第1態樣的放射線檢測器具備：基板，在可撓性基材的第1面的像素區域上形成有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素，並且在第1面的端子區域上設置有用於將電纜電連接之端子；轉換層，設置於基材的第1面中之端子區域外且將放射線轉換成光；第1補強基板，設置於轉換層中之與基板側的面相反的一側的表面且剛性高於基材；及第2補強基板，設置於與基材的第1面相反的一側的第2面且覆蓋大於第1補強基板之面，本揭示的第2態樣的放射線檢測器在第1態樣的放射線檢測器 中，端子區域包括由第1補強基板覆蓋之第1區域及未由第1補強基板覆蓋之第2區域。
本揭示的第3態樣的放射線檢測器在第2態樣的放射線檢測器中，第1區域小於第2區域。
本揭示的第4態樣的放射線檢測器在第2態樣或第3態樣的放射線檢測器中，第1區域中之從基材的內部側的一端部至基材的外緣側的另一端部的長度為端子區域中之從基材的內部側的一端部至基材的外緣側的另一端部的長度的1/4以下。
本揭示的第5態樣的放射線檢測器在第1態樣的放射線檢測器中，第1補強基板在與端子區域對應之位置上設置有切口部。
本揭示的第6態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，第2補強基板的剛性高於基材。
本揭示的第7態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，第1補強基板及第2補強基板中的至少一者為使用了彎曲彈性模數為1000MPa以上且2500MPa以下的材料之補強基板。
本揭示的第8態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，第1補強基板及第2補強基板中的至少一者包含具有降伏點(Yield point)之材料。
本揭示的第9態樣的放射線檢測器在第8態樣的放射線檢測器中，具有降伏點之材料為聚碳酸酯及聚對酞酸乙二酯中的至少一個。
本揭示的第10態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，第1補強基板的熱膨脹係數相對於轉換層的 熱膨脹係數之比為0.5以上且2以下。
本揭示的第11態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，第1補強基板的熱膨脹係數為30ppm/K以上且80ppm/K以下。
本揭示的第12態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，基材的第2面的大小大於與第2補強基板的第2面對向之面的大小。
本揭示的第13態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，第2補強基板具有沿在基板上積層之積層方向所積層之複數個層且複數個層的一部分的大小大於第2面的大小。
本揭示的第14態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，基材的第2面的大小小於與第2補強基板的第2面對向之面的大小。
本揭示的第15態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，基材的端部的至少一部分位於比第2補強基板的端部更靠外部之位置。
本揭示的第16態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，還具備設置於基板與轉換層之間且緩衝轉換層的熱膨脹係數與基板的熱膨脹係數之差之緩衝層。
本揭示的第17態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，基材為樹脂製且具有包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒之微粒層。
本揭示的第18態樣的放射線檢測器在第17態樣的放射線檢測器中，基材在第2面側具有微粒層。
本揭示的第19態樣的放射線檢測器在第17態樣的放射線檢測器中，微粒包含原子號碼大於構成基材之元素且原子號碼為30以下的元素。
本揭示的第20態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，基材在300℃~400℃下之熱膨脹係數為20ppm/K以下。
本揭示的第21態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，在厚度為25μm的狀態下，基材滿足在400℃下之熱收縮率為0.5%以下及在500℃下之彈性模數為1GPa以上中的至少一者。
本揭示的第22態樣的放射線檢測器在第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器中，轉換層包含CsI的柱狀結晶。
又，本揭示的第23態樣的放射線圖像攝影裝置具備：第1態樣至第3態樣中的任一態樣的放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取蓄積於複數個像素中之電荷之控制訊號；及電路部，藉由電纜與放射線檢測器電連接且依據控制訊號從複數個像素讀取電荷。
本揭示的第24態樣的放射線圖像攝影裝置在第23態樣的放射線圖像攝影裝置中，還具備具有放射線所照射之照射面且以放射線檢測器中之基板及轉換層中基板與照射面對向之狀態收納放射線檢測器之框體。
又，本揭示的第25態樣的製造方法為放射線檢測器的製造方法，該方法包括：在支撐體上設置可撓性基材，並在基材的第1面的像素區域 上形成設置有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素之基板之製程；在基材的第1面的端子區域以外之區域上形成將放射線轉換成光之轉換層之製程；在轉換層的與和基板側的面對向之一側的面相反的一側的表面上設置剛性高於基材之第1補強基板之製程；從支撐體剝離設置有轉換層及第1補強基板之基板之製程；及在從支撐體剝離之基板中之與基材的第1面相反的一側的第2面上設置覆蓋大於第1補強基板之面之第2補強基板之製程。
依本揭示能夠抑制在基板上產生缺陷且再加工性優異。
1:放射線圖像攝影裝置
10:放射線檢測器
11:基材
11A:第1面
11B:第2面
11L:微粒層
11P:微粒
12:TFT基板
13:緩衝層
14:轉換層
14A:中央部
14B:周緣部
19:積層體
19A:第1面
22:保護層
30:像素
31:像素陣列
32:開關元件(TFT)
34:感測器部
35:像素區域
36:訊號配線
38:掃描配線
39:共用配線
40、40B:第1補強基板
40A:切口部
40C:第1補強基板
40D:第2補強基板
40E:第3補強基板
40H:貫通孔
42:第2補強基板
42A:第1層
42B:第2層
47:接著層
48、48A:黏著層
49:間隔物
51:接著層
52:補強構件
541~5411:斷片
60:黏著層
61:開口
62:反射層
63:槽
64:接著層
65:保護層
70:填充劑
72:密封構件
80:閘極電極
81:汲極電極
82:源極電極
90:基於無機材料之層
103:驅動部
104:訊號處理部
108:電源部
109:防濕絕緣膜
110:控制基板
111、111A、111B:端子區域
111C:第1區域
111D:第2區域
112:柔性電纜
113:端子
114:電源線
116:薄片
117:保護層
118:基台
120:框體
120A:撮影面
120B:邊界部
120C:部分
202:驅動基板
212:驅動電路部
243、243A、243B:連接區域
250、250A~250I:驅動零件
304:訊號處理基板
314:訊號處理電路部
330:連接器
350、350A~350I:訊號處理零件
380:圖像記憶體
382:控制部
400:支撐體
D:剝離方向
h、H:長度
R:放射線
Rb:後方散射線
S:被攝體
X:交叉方向
Y:撓曲方向
圖1係表示第1實施形態的放射線檢測器中之TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)基板的構成的一例之構成圖。
圖2係從設置有轉換層之一側觀察第1實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。
圖3係圖2所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。
圖4A係用於說明基材的一例之剖面圖。
圖4B係用於說明由於透射了被攝體之放射線而在具有微粒層之基材內產生之後方散射線之說明圖。
圖4C係用於說明由於透射了被攝體之放射線而在不具有微粒層之基材內產生之後方散射線之說明圖。
圖5係從TFT基板的第1面側觀察第1實施形態的放射線檢測器的一 例之俯視圖。
圖6A係說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的製程的一例之圖。
圖6B係說明圖6A所示之製程之下一製程的一例之圖。
圖6C係說明圖6B所示之製程之下一製程的一例之圖。
圖6D係說明圖6C所示之製程之下一製程的一例之圖。
圖6E係說明圖6D所示之製程之下一製程的一例之圖。
圖7係從設置有轉換層之一側觀察第2實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。
圖8係圖7所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。
圖9係從設置有轉換層之一側觀察第3實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。
圖10A係圖9所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。
圖10B係圖9所示之放射線檢測器的B-B線剖面圖。
圖11A係在第3實施形態的放射線檢測器中設置了間隔物之情況下的一例的A-A線剖面圖。
圖11B係在第3實施形態的放射線檢測器中設置了間隔物之情況下的一例的B-B線剖面圖。
圖12係表示實施形態的放射線檢測器的另一例的剖面圖。
圖13A係表示在實施形態的放射線檢測器中第2補強基板的大小不同之形態的一例之剖面圖。
圖13B係表示在實施形態的放射線檢測器中由複數個層構成第2補強 基板之一例之剖面圖。
圖13C係表示在實施形態的放射線檢測器中由複數個層構成第2補強基板之另一例之剖面圖。
圖14係表示在實施形態的放射線檢測器中第2補強基板的大小不同之形態的另一例之剖面圖。
圖15係針對實施形態的放射線檢測器的另一例的一像素部分之剖面圖。
圖16係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的剖面之剖面圖。
圖17係表示適用實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的另一例的剖面之剖面圖。
圖18係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖19係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖20係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖21係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖22係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖23係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖24A係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖24B係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖25係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖26係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖27係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖28A係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖28B係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖29係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖30係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖31係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖32係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖33A係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖33B係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖34係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖35係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖36係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖37係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖38A係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖38B係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖39係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖40係表示揭示的技術的實施形態的第1補強基板的構造的一例之俯視圖。
圖41係表示揭示的技術的實施形態的第1補強基板的構造的一例之立體圖。
圖42係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖43係表示揭示的技術的實施形態的第1補強基板的構造的一例之俯視圖。
圖44係表示揭示的技術的實施形態的第1補強基板的構造的一例之俯視圖。
圖45係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖46係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖47係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖48係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖49係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖50係表示揭示的技術的實施形態的放射線檢測器的構成的一例之剖面圖。
圖51係表示揭示的技術的實施形態的放射線圖像攝影裝置的構成的一例之剖面圖。
圖52係表示揭示的技術的實施形態的放射線圖像攝影裝置的構成的一例之剖面圖。
圖53係表示揭示的技術的實施形態的放射線圖像攝影裝置的構成的一例之剖面圖。
圖54係表示揭示的技術的實施形態的放射線圖像攝影裝置的構成的一例之剖面圖。
圖55係表示揭示的技術的實施形態的放射線圖像攝影裝置的構成的一例之剖面圖。
圖56係表示揭示的技術的實施形態的放射線圖像攝影裝置的構成的一例之剖面圖。
圖57係表示揭示的技術的實施形態的放射線圖像攝影裝置的構成的一例之剖面圖。
以下，參閱圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。再者，本實施形態並不限定本發明。
[第1實施形態]
本實施形態的放射線檢測器具有檢測透射了被攝體之放射線並輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像資訊之功能。本實施形態的放射線檢測器具備TFT(Thin Film Transistor)基板及將放射線轉換成光之轉換層(參閱圖4的放射線檢測器10的TFT基板12及轉換層14)。
首先，參閱圖1對本實施形態的放射線檢測器中之TFT基板12的構成的一例進行說明。再者，本實施形態的TFT基板12為在基材11的像素區域35上形成有包含複數個像素30之像素陣列31之基板。因此，以下將“像素區域35”的表述用作與“像素陣列31”相同含義。本實施形態的T FT基板12為揭示的技術的基板的一例。
各個像素30包括感測器部34及開關元件32。感測器部34依據由轉換層轉換之光產生電荷並蓄積。開關元件32讀取在感測器部34中蓄積之電荷。本實施形態中，作為一例，將薄膜電晶體(TFT)用作開關元件32。因此，以下將開關元件32稱為“TFT32”。
複數個像素30在TFT基板12的像素區域35上沿一個方向(與圖1的橫向對應之掃描配線方向，以下亦稱為“行方向”)及與行方向交叉之方向(與圖1的縱向對應之訊號配線方向，以下亦稱為“列方向”)二維狀配置。圖1中，簡化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向及列方向上配置有1024個×1024個。
又，放射線檢測器10中彼此交叉地設置有用於控制TFT32的開關狀態(導通及關斷)之複數個掃描配線38和針對像素30的每一列設置之讀取蓄積於感測器部34中之電荷之複數個訊號配線36。複數個掃描配線38的每一個分別經由柔性電纜112(參閱圖3及圖5)與放射線檢測器10的外部的驅動部103(參閱圖5)連接，藉此從驅動部103輸出之控制TFT32的開關狀態之控制訊號流動。又，複數個訊號配線36的每一個分別經由柔性電纜112(參閱圖3及圖5)與放射線檢測器10的外部的訊號處理部104(參閱圖5)連接，藉此從各像素30讀取之電荷輸出至訊號處理部104。
又，為了對各像素30施加偏壓，各像素30的感測器部34中，在訊號配線36的配線方向上設置有共用配線39。共用配線39經由設置於TFT基板12上之端子(省略圖示)與放射線檢測器10的外部的偏壓電源連接，藉此從偏壓電源對各像素30施加偏壓。
進而，對本實施形態的放射線檢測器10進行詳細說明。圖2係從基材11的第1面11A側觀察本實施形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖3係圖2中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
在基材11的第1面11A上設置有像素區域35及端子區域111，該像素區域35上設置有上述像素30。
基材11為具有可撓性且包含例如PI(PolyImide：聚醯亞胺)等塑膠之樹脂片。基材11的厚度只要為可依據材質的硬度及TFT基板12的大小(第1面11A或第2面11B的面積)等而獲得所期望的可撓性之厚度即可。作為具有可撓性之例子，是指在矩形的基材11為單體的情況下，固定了基材11的一邊之狀態下，在從所固定之邊遠離10cm之位置上基材11以基於基材11的自重的重力垂下2mm以上(變得低於所固定之邊的高度)者。作為基材11為樹脂片的情況的具體例，只要為厚度為5μm~125μm者即可，厚度為20μm~50μm者為更佳。
再者，基材11具有能夠承受像素30的製造之特性，在本實施形態中，具有能夠承受非晶矽TFT(a-Si TFT)的製造之特性。作為該種基材11所具有之特性，在300℃~400℃下之熱膨脹係數(CTE：Coefficient of Thermal Expansion)為與非晶矽(a-Si)晶圓相同程度(例如，±5ppm/K)為較佳。具體而言，基材11在30℃~400℃下之熱膨脹係數為20ppm/K以下為較佳。又，作為基材11的熱收縮率，在厚度為25μm的狀態下400℃下之熱收縮率為0.5%以下為較佳。又，基材11的彈性模數在300℃~400℃之間的溫度區域內不具有通常的PI所具有之轉移點，在500℃下之彈性模數為1GPa以上為較佳。
又，如圖4A及圖4B所示，本實施形態的基材11具有包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒11P之微粒層11L為較佳。再者，圖4B表示將本實施形態的放射線檢測器10適用於從TFT基板12側照射放射線R之ISS(Irradiation Side Sampling：照射側取樣)方式的放射線檢測器中之情況的例子。
如圖4B及圖4C所示，在基材11中，由於透射了被攝體S之放射線R而產生後方散射線Rb。在基材11為PI等樹脂製的情況下係有機物，因此構成有機物之原子號碼相對小之C、H、O及N等原子由於康普頓效應而後方散射線Rb變多。
如圖4B所示，與基材11不具有微粒層11L之情況(參閱圖4C)相比，在基材11具有包含吸收基材11內所產生之後方散射線Rb之微粒11P之微粒層11L之情況下，抑制透射基材11並向後方散射之後方散射線Rb，因此為較佳。
作為該種微粒11P，包含自身的後方散射線Rb的產生量少且吸收後方散射線Rb而透射了被攝體S之放射線R的吸收少之原子之無機物為較佳。再者，後方散射線Rb的抑制與放射線R的透射性處於權衡關係。從抑制後方散射線Rb的觀點考慮，微粒11P包含原子號碼大於構成基材11的樹脂之C、H、O及N等的元素為較佳。另一方面，原子號碼越大，吸收後方散射線Rb之能力變得越高，但是若原子號碼超過30，則放射線R的吸收量增加而到達轉換層14之放射線R的線量顯著減少，因此非較佳。因此，在為樹脂性基材11的情況下，微粒11P使用原子號碼大於構成基材11之有機物之原子且原子號碼為30以下之無機物為較佳。作為該種微粒1 1P的具體例，可舉出原子號碼為14的Si的氧化物亦即SiO2、原子號碼為12的Mg的氧化物亦即MgO、原子號碼為13的Al的氧化物亦即Al2O3及原子號碼為22的Ti的氧化物亦即TiO2等。
作為具有該等特性之樹脂片的具體例，可舉出XENOMAX(註冊商標)。
再者，使用測微器(micrometer)測定了本實施形態中之上述厚度。依據JIS K7197：1991測定了熱膨脹係數。再者，關於測定，從基材11的主表面每15度改變一次角度來切取試驗片，測定所切取之各試驗片之熱膨脹係數並將最高值設為基材11的熱膨脹係數。分別在MD(Machine Direction：縱向)方向及TD(Transverse Direction：橫向)方向上，在-50℃~450℃下以10℃間隔進行熱膨脹係數的測定，並將(ppm/℃)換算成(ppm/K)。關於熱膨脹係數的測量，使用了MAC Science公司製TMA4000S裝置，將樣本長度設為10mm、將樣本寬度設為2mm、將初始負載設為34.5g/mm2、將升溫速度設為5℃/min及將環境設為氬氣。依據JIS K 7171：2016測定了彈性模數。再者，關於測定，從基材11的主表面每15度改變一次角度來切取試驗片，對所切取之各試驗片進行拉伸試驗並將最高值設為基材11的彈性模數。
再者，由於微粒層11L中包含之微粒11P，有時在基材11的表面上產生凹凸。如此在基材11的表面上產生了凹凸之狀態下，有時難以形成像素30。因此，如圖4B所示，基材11在與形成像素30之第1面11A相反的一側的第2面11B上具有微粒層11L為較佳。換言之，基材11在與設置有轉換層14之第1面11A相反的一側的第2面11B上具有微粒層11L 為較佳。
又，為了充分吸收基材11內所產生之後方散射線Rb，在基材11中靠近被攝體S之一側的表面上具有微粒層11L為較佳。如圖4B所示，在ISS方式的放射線檢測器10中，在第2面11B上具有微粒層11L為較佳。
如此在ISS方式的放射線檢測器10中，基材11在第2面11B上具有微粒層11L，藉此能夠高精度地形成像素30，並且能夠有效地抑制後方散射線Rb。
再者，作為具有所期望的可撓性之基材11，並不限定於樹脂片等樹脂製者。例如，基材11可以為厚度相對薄之玻璃基板等。作為基材11為玻璃基板的情況的具體例，通常一邊為43cm左右的尺寸時，若厚度為0.3mm以下則具有可撓性，因此只要為厚度為0.3mm以下者則可以為所期望的玻璃基板。
如圖2及圖3所示，在本實施形態的像素區域35上設置有轉換層14。轉換層14設置於基材11的第1面11A中之包括像素區域35之一部分的區域上。如此，本實施形態的轉換層14未設置於基材11的第1面11A的外周部的區域上。再者，在此，在放射線檢測器10的構造中稱為“上”之情況下，表示在以TFT基板12側為基準之位置關係中位於上方。例如，轉換層14設置於TFT基板12上。
在本實施形態中，作為轉換層14的一例，使用了包括CsI(碘化銫)之閃爍器。作為該等閃爍器，例如包含照射X射線時之發光光譜為400nm~700nm之CsI：Tl(添加有鉈之碘化銫)或CsI：Na(添加有鈉之碘化銫) 為較佳。再者，CsI：Tl之可見光區域內之發光峰值波長為565nm。
在本實施形態的放射線檢測器10中，轉換層14藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法等氣相沉積法在TFT基板12上直接形成為長條狀的柱狀結晶(省略圖示)。作為轉換層14的形成方法，例如可舉出真空蒸鍍法，其在使用CsI：Tl作為轉換層14之情況下，在真空度0.01Pa~10Pa的環境下藉由電阻加熱式坩堝等加熱機構對CsI：Tl進行加熱而使其氣化，並使TFT基板12的溫度成為室溫(20℃)~300℃而使CsI：Tl沉積於TFT基板12上。作為轉換層14的厚度，100μm~800μm為較佳。
在本實施形態中，作為一例，如圖3所示，在TFT基板12與轉換層14之間設置有緩衝層13。緩衝層13具有緩衝轉換層14的熱膨脹係數與基材11的熱膨脹係數之差之功能。再者，與本實施形態的放射線檢測器10不同地，可以設為不設置緩衝層13之構成，但是轉換層14的熱膨脹係數與基材11的熱膨脹係數之差越大，設置緩衝層13越為較佳。例如，在將上述XENOMAX(註冊商標)用作基材11之情況下，與其他材質相比，與轉換層14的熱膨脹係數之差變大，因此如圖3所示之放射線檢測器10那樣設置緩衝層13為較佳。作為緩衝層13，使用PI膜或聚對二甲苯(註冊商標)膜等。
保護層22具有從濕氣等水分保護轉換層14之功能。作為保護層22的材料，例如可舉出有機膜，具體而言，可舉出基於PET(Polyethylene terephthalate：聚對酞酸乙二酯)、PPS(PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫醚)、OPP(Oriented PolyPropylene：雙軸延伸之聚丙烯薄膜)、PEN(PolyEthyle ne Naphthalate：聚萘二甲酸乙二酯)及PI等之單層膜或積層膜。又，作為保護層22，可以使用樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜。作為樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜，例如可舉出在PET等絕緣性薄片(薄膜)上接著鋁箔等而積層了鋁之Alpet(註冊商標)薄片。
在由TFT基板12、緩衝層13、轉換層14及保護層22積層而成之積層體19的轉換層14側的表面亦即第1面19A上藉由黏著層48設置有第1補強基板40。
第1補強基板40的彎曲剛性高於基材11，且相對於沿垂直方向施加於與轉換層14對向之面之力之尺寸變化(變形)小於相對於沿垂直方向施加於基材11的第1面11A之力之尺寸變化。又，本實施形態的第1補強基板40的厚度厚於基材11的厚度。再者，在此所言之彎曲剛性是指彎曲難度，表示彎曲剛性越高越難以彎曲。
具體而言，本實施形態的第1補強基板40使用彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下的材料為較佳。彎曲彈性模數的測量方法例如基於JIS K 7171：2016基準。從抑制基材11的撓曲之觀點考慮，第1補強基板40的彎曲剛性高於基材11為較佳。再者，若彎曲彈性模數降低則彎曲剛性亦降低，為了獲得所期望的彎曲剛性，需要加厚第1補強基板40的厚度，從而導致放射線檢測器10整體的厚度增加。若考慮上述第1補強基板40的材料，則在要獲得超過140000Pacm4之彎曲剛性之情況下，第1補強基板40的厚度存在相對變厚之傾向。因此，若獲得適當之剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度，則用於第1補強基板40之材料的彎曲彈性模數為150MPa以上且2500MPa以下為更佳。又，第1補強基板40的彎曲 剛性為540Pacm4以上且140000Pacm4以下為較佳。
又，本實施形態的第1補強基板40的熱膨脹係數接近轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳。第1補強基板40的熱膨脹係數相對於轉換層14的熱膨脹係數之比(第1補強基板40的熱膨脹係數/轉換層14的熱膨脹係數)為0.5以上且2以下為更佳。作為該種第1補強基板40的熱膨脹係數為30ppm/K以上且80ppm/K以下為較佳。例如，在轉換層14以CsI：Tl為材料之情況下，轉換層14的熱膨脹係數為50ppm/K。此時，作為相對接近於轉換層14之材料，可舉出熱膨脹係數為60ppm/K~80ppm/K之PVC(Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯)、熱膨脹係數為70ppm/K~80ppm/K之丙烯酸、熱膨脹係數為65ppm/K~70ppm/K之PET、熱膨脹係數為65ppm/K之PC(Polycarbonate：聚碳酸酯)及熱膨脹係數為45ppm/K~70ppm/K之鐵氟龍(註冊商標)等。
進而，若考慮上述彎曲彈性模數，則作為第1補強基板40的材料為包含PET及PC中的至少一者之材料為更佳。
從彈性的觀點考慮，第1補強基板40包含具有降伏點之材料為較佳。再者，在本實施形態中，“降伏點”是指，在拉伸材料之情況下，應力突然急劇下降之現象，在表示應力與變形的關係之曲線上，應力未增加而變形增加之點，在進行材料之拉伸強度試驗時的應力-變形曲線中之頂部。作為具有降伏點之樹脂，通常可舉出硬且黏性強之樹脂及柔軟、黏性強且具有中等程度的強度之樹脂。作為硬且黏性強之樹脂，例如可舉出PC等。又，作為柔軟、黏性強且具有中等程度的強度之樹脂，例如可舉出聚丙烯等。
本實施形態的第1補強基板40為將塑膠作為材料之基板。依上 述理由，成為第1補強基板40的材料之塑膠為熱塑性樹脂為較佳，可舉出PC、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯、尼龍、聚丙烯、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)、工程塑料(engineering plastic)及聚苯醚中的至少一個。再者，第1補強基板40在該等之中為聚丙烯、ABS、工程塑料、PET及聚苯醚中的至少一個為較佳，為苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯及尼龍中的至少一個為更佳，為PC及PET中的至少一個為進一步較佳。
又，如圖2及圖3所示，在本實施形態的放射線檢測器10中，在基材11的第2面11B上設置有第2補強基板42。再者，在基材11的第2面11B與第2補強基板42之間可以設置有用於設置第2補強基板42之黏著層或具有防濕功能之保護膜等。
與第1補強基板40相同地，第2補強基板42的剛性高於基材11，相對於沿垂直方向施加於與第2面11B對向之面之力之尺寸變化(變形)小於相對於沿垂直方向施加於基材11中第1面11A之力之尺寸變化。又，本實施形態的第2補強基板42的厚度厚於基材11的厚度且薄於第1補強基板40的厚度。例如，在將XENOMAX(註冊商標)用作基材11之情況下，第1補強基板40的厚度為0.1mm左右為較佳，且第2補強基板42的厚度為0.2mm~0.25mm左右為較佳。
再者，第2補強基板42具有與第1補強基板40相同的特性為較佳。作為該種本實施形態的第2補強基板42的材料為熱塑性樹脂為較佳，能夠使用與第1補強基板40相同的材料，但是第1補強基板40與第2補強基板42亦可以使用不同之材料。再者，與本實施形態不同地，可以使第 2補強基板42與第1補強基板40之特性等不同。例如，可以使第1補強基板40的剛性低於第2補強基板42，亦可以設為與基材11相同程度。即使第2補強基板42的剛性為與基材11相同程度，藉由設置了第2補強基板42而放射線檢測器10整體的厚度亦增加，因此確保放射線檢測器10整體的剛性。
又，如圖2及圖3所示，第2補強基板42設置於基材11的第2面11B的整體上，第2補強基板42的大小大於第1補強基板40。亦即，由第2補強基板42覆蓋基材11之面積大於由第1補強基板40覆蓋積層體19之面積。第1補強基板40未設置於端子區域111上，但是第2補強基板42亦設置於與端子區域111對應之位置上。
又，如圖2及圖3所示，在基材11的端子區域111上設置有連接柔性電纜112之端子113。本實施形態中之端子區域111是指至少包括設置有端子113之區域。端子區域111的面積為端子113的面積以上。依據柔性電纜112的再加工的容易性來確定端子區域111的範圍。具體而言，端子區域111的範圍(端子區域111的面積)藉由柔性電纜112和端子113的各個面積、在對柔性電纜112進行再加工之情況下的柔性電纜112與端子113的連接偏移及再加工的方法等來確定。再者，“再加工”是指，由於缺陷或位置偏移等而卸下與基材11(TFT基板12)連接之電纜或零件並重新進行連接之情況。端子113例如使用各向異性導電薄膜等。
再者，以下中將柔性電纜112連接於端子區域111的端子113上之情況簡稱為將柔性電纜112連接於端子區域111上。又，在本實施形態中，包括柔性電纜112，關於稱為“電纜”之零件之連接，若無特別說明則表 示電連接。再者，柔性電纜112包括由導體構成之訊號線(省略圖示)，該訊號線與端子113連接，藉此與端子113電連接。以下中稱為“電纜”之情況是指柔性(具有可撓性)電纜。
如上所述，柔性電纜112與驅動部103及訊號處理部104(均參閱圖5)中的至少一者連接。圖5中示出從基材11的第1面11A的一側觀察在本實施形態的放射線檢測器10中藉由柔性電纜112連接有驅動部103及訊號處理部104之狀態的一例之俯視圖。本實施形態的驅動部103及訊號處理部104為本揭示的電路部的一例。
如圖5所示之一例，在端子區域111(111A)的端子113(在圖5中省略圖示)上熱壓接合有複數個(在圖5中，4個)柔性電纜112的一端。柔性電纜112具有連接驅動部103與掃描配線38(參閱圖1)之功能。柔性電纜112中包括之複數個訊號線(省略圖示)經由端子區域111(111A)與TFT基板12的掃描配線38(參閱圖1)連接。
另一方面，柔性電纜112的另一端與設置於驅動基板202的外周的區域上之連接區域243(243A)熱壓接合。柔性電纜112中包括之複數個訊號線(省略圖示)經由連接區域243與搭載於驅動基板202上之電路及元件等亦即驅動零件250連接。
在圖5中，作為一例，示出了9個驅動零件250(250A~250I)搭載於驅動基板202上之狀態。如圖5所示，本實施形態的驅動零件250沿與撓曲方向Y交叉之方向亦即交叉方向X配置，該撓曲方向Y為沿與基材11的端子區域111(111A)對應之邊之方向。例如，在驅動零件250具有長邊及短邊之情況下，驅動零件250配置成長邊沿交叉方向X之狀態。
本實施形態之驅動基板202為可撓性PCB(Printed Circuit Board，印刷電路板)基板，所謂之柔性基板。搭載於驅動基板202上之驅動零件250主要為用於進行數位訊號的處理之零件(在本實施形態中，稱為“數位零件”)。作為驅動零件250的具體例，可舉出數位緩衝器、旁路電容器、上拉/下拉電阻、阻尼電阻及EMC(Electro Magnetic Compatibility，電磁相容性)對策晶片零件等。再者，驅動基板202可以不一定為可撓性基板，亦可以設為後述之非可撓性的剛性基板。
數位零件存在面積(大小)相對小於後述之類比零件之傾向。又，與類比零件相比，數位零件存在不太容易受電干擾(換言之，雜訊)的影響之傾向。因此，在本實施形態中，在TFT基板12撓曲之情況下，將隨著TFT基板12之撓曲而撓曲之一側之基板設為搭載有驅動零件250之驅動基板202。
又，在與驅動基板202連接之柔性電纜112上搭載有驅動電路部212。驅動電路部212與柔性電纜112中包括之複數個訊號線(省略圖示)連接。
在本實施形態中，藉由搭載於驅動基板202上之驅動零件250和驅動電路部212實現驅動部103。驅動電路部212為包括實現驅動部103之各種電路及元件中與搭載於驅動基板202上之驅動零件250不同之電路之IC(Integrated Circuit，積體電路)。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10中，藉由柔性電纜112，TFT基板12與驅動基板202電連接，藉此驅動部103與各掃描配線38連接。
另一方面，在基材11的端子區域111(111B)上熱壓接合有複數個(在圖5中，4個)柔性電纜112的一端。柔性電纜112中包括之複數個訊號線(省略圖示)經由端子區域111(111B)與訊號配線36(參閱圖1)連接。柔性電纜112具有連接訊號處理部104與訊號配線36(參閱圖1)之功能。
另一方面，柔性電纜112的另一端與設置於訊號處理基板304的連接區域243(243B)上之連接器330電連接。柔性電纜112中包括之複數個訊號線(省略圖示)經由連接器330與搭載於訊號處理基板304上之電路及元件等亦即訊號處理零件350連接。作為連接器330，例如可舉出ZIF(Zero Insertion Force，零插力)構造的連接器或Non-ZIF構造的連接器。在圖5中，作為一例，示出了9個訊號處理零件350(350A~350I)搭載於訊號處理基板304上之狀態。如圖5所示，本實施形態的訊號處理零件350沿交叉方向X而配置，該交叉方向X為沿設置有基材11的端子區域111(111B)之基材11的邊之方向。例如，在訊號處理零件350具有長邊及短邊之情況下，訊號處理零件350配置成長邊沿交叉方向X之狀態。
再者，本實施形態的訊號處理基板304無需一定使用柔性基板，可以為非可撓性的PCB基板，亦可以為所謂之剛性基板。在將剛性基板用作訊號處理基板304之情況下，訊號處理基板304的厚度厚於驅動基板202的厚度。又，訊號處理基板304的剛性高於驅動基板202。
搭載於訊號處理基板304上之訊號處理零件350主要為用於進行類比訊號的處理之零件(在本實施形態中，稱為“類比零件”)。作為訊號處理零件350的具體例，可舉出運算放大器、類比數位轉換器(ADC)、數位 類比轉換器(DAC)及電源IC等。又，本實施形態之訊號處理零件350還包括零件尺寸較大的電源周圍的線圈及平滑用大容量電容器等。
如上所述，類比零件存在面積(大小)相對大於數位零件之傾向。又，與數位零件相比，類比零件存在容易受電干擾(換言之，雜訊)的影響之傾向。因此，在本實施形態中，在TFT基板12撓曲之情況下，將未撓曲之(不受撓曲的影響之)一側的基板設為搭載有訊號處理零件350之訊號處理基板304。
又，與訊號處理基板304連接之柔性電纜112上搭載有訊號處理電路部314。訊號處理電路部314中連接有柔性電纜112中包括之複數個訊號線(省略圖示)。
在本實施形態中，藉由搭載於訊號處理基板304上之訊號處理零件350和訊號處理電路部314實現訊號處理部104。訊號處理電路部314為包括實現訊號處理部104之各種電路及元件中與搭載於訊號處理基板304之訊號處理零件350不同之電路之IC。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10中，藉由柔性電纜112，TFT基板12與訊號處理基板304電連接，藉此訊號處理部104與各訊號配線36連接。
作為本實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例，可舉出以下方法。參閱圖6A~圖6E對本實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例進行說明。
預先準備在製作成與放射線檢測器10匹配之所期望的大小之第1補強基板40上塗佈了黏著層48之狀態者。
另一方面，如圖6A所示，經由剝離層(省略圖示)在厚度厚於基材11之玻璃基板等支撐體400上形成基材11。在藉由層合法形成基材11之情況下，在支撐體400上貼合作為基材11之薄片。與基材11的第2面11B對應之面成為支撐體400側，並與剝離層(省略圖示)接觸。
進而，在基材11的像素區域35上形成複數個像素30。再者，在本實施形態中，作為一例，經由使用了SiN等之底塗層(省略圖示)在基材11的像素區域35上形成複數個像素30。
進而，在像素區域35上形成轉換層14。在本實施形態中，首先在基材11的第1面11A中之設置轉換層14之區域上形成緩衝層13。之後，藉由真空沉積法、濺射法及CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)法等氣相沉積法在TFT基板12上(更具體而言，在緩衝層13上)直接形成CsI轉換層14作為柱狀結晶。此時，轉換層14的與像素30接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向基點側。
再者，如此，藉由氣相沉積法在TFT基板12上直接設置了CsI轉換層14之情況下，轉換層14的與和TFT基板12接觸之一側相反的一側的表面上，例如可以設置有具有反射由轉換層14轉換之光之功能之反射層(省略圖示)。反射層可以直接設置於轉換層14，亦可以經由黏合層等設置。作為反射層的材料，使用了有機系材料者為較佳，例如，將白PET、TiO2、Al2O3、發泡白PET、聚酯系高反射薄片及鏡面反射鋁等中的至少一個用作材料者為較佳。尤其，從反射率的觀點考慮，將白PET用作材料者為較佳。再者，聚酯系高反射薄片是指具有重疊複數個較薄之聚酯薄片而成之多層構造之薄片(薄膜)。
又，在將CsI閃爍器用作轉換層14之情況下，還能夠藉由與本實施形態不同之方法在TFT基板12上形成轉換層14。例如，可以準備藉由氣相沉積法在鋁板等上沉積CsI而成者，並藉由黏著性薄片等貼合CsI的未與鋁板接觸之一側和TFT基板12的像素30，藉此在TFT基板12上形成轉換層14。此時，將由保護膜覆蓋還包括鋁板之狀態的轉換層14整體之狀態者與TFT基板12的像素區域35進行貼合為較佳。再者，此時，轉換層14中之與像素區域35接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向的前端側。
又，與本實施形態之放射線檢測器10不同地，可以將GOS(Gd2O2S：Tb)等用作轉換層14來代替CsI。此時，例如準備藉由黏著層等在由白PET等形成之支撐體上貼合使GOS分散於樹脂等黏合劑中而得之薄片而成者，藉由黏著性薄片等貼合GOS的未貼合支撐體之一側和TFT基板12的像素區域35，藉此能夠在TFT基板12上形成轉換層14。再者，與使用GOS之情況相比，在轉換層14中使用CsI之情況下，從放射線向可見光的轉換效率變高。
進而，如圖6B所示，在基材11的端子區域111的端子113上熱壓接合柔性電纜112，使柔性電纜112中包括之複數個訊號線(省略圖示)與基材11的端子區域111電連接。
進而，在驅動基板202的連接區域243(243A)上熱壓接合柔性電纜112，使柔性電纜112中包括之複數個訊號線(省略圖示)與搭載於驅動基板202上之驅動零件250電連接，從而成為圖5所示之狀態。
然後，如圖6C所示，將預先準備之第1補強基板40貼合於形成有轉換層14且與柔性電纜112連接之TFT基板12上，藉此密封轉換層1 4。再者，在進行上述貼合之情況下，會在大氣壓下或減壓下(真空下)進行，但是為了抑制空氣等進入所貼合之部位之間，在減壓下進行為較佳。
之後，如圖6D所示，從支撐體400剝離放射線檢測器10。在藉由機械剝離進行剝離之情況下，在圖6D所示之一例中，將TFT基板12的基材11中之與連接有柔性電纜112之邊對向之邊設為剝離的起點。從成為起點之邊朝向連接有柔性電纜112之邊從支撐體400沿圖6D所示之箭頭D方向緩慢地剝離TFT基板12，藉此進行機械剝離，從而可獲得連接有柔性電纜112之狀態的放射線檢測器10。
再者，作為剝離的起點之邊為俯視TFT基板12時之與最長邊交叉之邊為較佳。換言之，沿由於剝離而產生撓曲之撓曲方向Y之邊為TFT基板12中之最長邊為較佳。在本實施形態中，驅動基板202藉由柔性電纜112連接之邊長於訊號處理基板304側藉由柔性電纜112連接之邊。因此，以與設置有端子區域111(111B)之邊對向之邊為剝離的起點。
在本實施形態中，在從支撐體400剝離TFT基板12之後，進一步電連接放射線檢測器10之柔性電纜112與訊號處理基板304之連接器330。
進而，如圖6E所示，在基材11的第2面11B上貼合設置了雙面膠帶等黏著層之第2補強基板42，藉此製造本實施形態的放射線檢測器10。
再者，並不限定於本實施形態，例如，可以將使柔性電纜112與端子區域111連接之時刻設為在TFT基板12上設置了第1補強基板40之後。又例如，亦可以在使放射線檢測器10的柔性電纜112與訊號處理基板 304的連接器330電連接之後，進行上述機械剝離。
在進行上述機械剝離時，在本實施形態的放射線圖像攝影裝置1中，如圖6D所示，驅動基板202為可撓性基板，因此驅動基板202亦隨著TFT基板12的撓曲而撓曲。
在此，在從支撐體400剝離TFT基板12之情況下，基材11具有可撓性，因此TFT基板12容易撓曲。在TFT基板12大幅度撓曲之情況下，存在TFT基板12上產生缺陷之慮。例如，存在轉換層14從TFT基板12上剝離之慮，尤其，轉換層14的端部變得容易從TFT基板12上剝離。又例如，TFT基板12大幅度撓曲之結果，存在像素30損壞之慮。
相對於此，在本實施形態的放射線檢測器10中，剛性高於基材11之第1補強基板40設置於基材11的第1面11A。因此，依本實施形態的放射線檢測器10，在從支撐體400剝離TFT基板12之情況下，能夠抑制TFT基板12大幅度撓曲，從而能夠抑制TFT基板12上產生缺陷。
又，並不限定於從支撐體400剝離TFT基板12之情況，在放射線圖像攝影裝置1的製程的中途等單獨處理放射線檢測器10之情況下，與上述相同地，由於撓曲TFT基板12，存在TFT基板12上產生缺陷之慮。相對於此，在本實施形態的放射線檢測器10中，第1補強基板40設置於基材11的第1面11A，並且第2補強基板42設置於基材11的第2面11B。因此，依本實施形態的放射線檢測器10，即使在單獨處理放射線檢測器10之情況下，亦能夠抑制TFT基板12大幅度撓曲，從而能夠抑制TFT基板12上產生缺陷。
又，在本實施形態的放射線檢測器10中，存在柔性電纜112從 基材11的端子區域111剝離或者引起連接偏移之慮。尤其，將驅動基板202與柔性電纜112連接之後，為了從支撐體400剝離TFT基板12而撓曲TFT基板12之情況下，柔性電纜112容易從基材11的端子區域111剝離或者容易引起連接偏移。又，並不限定於從支撐體400剝離TFT基板12之情況，在放射線圖像攝影裝置1的製程的中途等單獨處理放射線檢測器10之情況下，由於TFT基板12撓曲而存在轉換層14從TFT基板12剝離之慮。又，相同地，存在柔性電纜112從基材11的端子區域111剝離或者引起連接偏移之慮。在柔性電纜112從基材11的端子區域111剝離或者引起連接偏移之情況下，需要將柔性電纜112再加工至端子區域111上。
相對於此，在本實施形態的放射線檢測器10中，如上述第1補強基板40的大小小於第2補強基板42，且第1補強基板40不覆蓋端子區域111。因此，在將柔性電纜112再加工至端子區域111之情況下，本實施形態的放射線檢測器10能夠不被第1補強基板40阻擋而進行再加工。因此，本實施形態的放射線檢測器10的再加工性優異。再者，在放射線檢測器10中，第1補強基板40不覆蓋端子區域111，但是第2補強基板42延伸至端子區域111的部分，因此能夠確保端子區域111部分中之剛性。
[第2實施形態]
接著，對第2實施形態進行說明。圖7係從基材11的第1面11A側觀察本實施形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖8係圖7中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖7及圖8所示，在本實施形態的放射線檢測器10中，在第1補強基板40覆蓋端子區域111的局部區域之方面，與第1實施形態的放 射線檢測器10(參閱圖2及圖3)不同。
關於第1補強基板40的大小，具體而言，覆蓋TFT基板12(基材11)之面積越大，在確保剛性之方面越為較佳，但是若覆蓋端子區域111整體，則如上所述第1補強基板40成為障礙而損害柔性電纜112的再加工性。因此，本實施形態的放射線檢測器10的第1補強基板40覆蓋至端子區域111的一部分的區域。具體而言，如圖7及圖8所示，端子區域111具有由第1補強基板40覆蓋之第1區域111C及未由第1補強基板40覆蓋之第2區域111D。
第1區域111C的大小(面積)變得越大，換言之，由第1補強基板40覆蓋之端子區域111的部分變得越大，損害再加工性之憂慮變高。考慮到再加工性之情況下，第1區域111C的大小小於第2區域111D為較佳。又，第1區域111C中之從基材11的內部側的一端部至基材11的外緣側的另一端部的長度h為端子區域111中之從基材11的內部側的一端部至基材11的外緣側的另一端部的長度H的1/4以下(h≦1/4×H)為更佳。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10中，亦確保放射線檢測器10的剛性且不損害再加工性，從而能夠抑制TFT基板12上產生缺陷。
[第3實施形態]
接著，對第3實施形態進行說明。圖9係從基材11的第1面11A側觀察本實施形態的放射線檢測器10之俯視圖。又，圖10A係圖9中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖，圖10B係圖9中之放射線檢測器10的B-B線剖面圖。
如圖9、圖10A及圖10B所示，在本實施形態的放射線檢測器1 0中，在第1補強基板40覆蓋除了基材11(TFT基板12)的端子區域111以外的所有區域之方面，與第1實施形態的放射線檢測器10(參閱圖2及圖3)不同。如圖9及圖10A所示，第1補強基板40在與端子區域111對應之位置上設置有切口部40A而未覆蓋與端子區域111對應之區域。另一方面，如圖9及圖10B所示，第1補強基板40在未設置端子區域111之區域上覆蓋至基材11(TFT基板12)的端部(外緣)。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10中，在第1補強基板40的與端子區域111對應之區域上設置切口部40A，藉此端子區域111並列之基材11的邊中之端子區域111與端子區域111之間的區域亦由第1補強基板40覆蓋。因此，由第1補強基板40覆蓋TFT基板12(基材11)之面積變大，因此能夠確保更高的剛性。又，端子區域111未由第1補強基板40覆蓋，因此不會損害柔性電纜112的再加工性。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10中，亦確保放射線檢測器10的剛性且不損害再加工性，從而能夠抑制TFT基板12上產生缺陷。
如以上所說明，上述各實施形態的放射線檢測器10具備TFT基板12、轉換層14、第1補強基板40及第2補強基板42。關於TFT基板12，在可撓性基材11的第1面11A的像素區域35上形成有蓄積依據從放射線R轉換之光產生之電荷之複數個像素30，並且在第1面11A的端子區域111上設置有用於將柔性電纜112電連接之端子113。轉換層14設置於基材11的第1面11A中之端子區域111外且將放射線R轉換成光。第1補強基板40設置於轉換層14中之與TFT基板12側的面相反的一側的表面且剛性高於基材11。第2補強基板42設置於與基材11的第1面11A相反的 一側的第2面11B且覆蓋大於第1補強基板40之面。
在上述各實施形態的放射線檢測器10中，由剛性高於基材11之第1補強基板40及覆蓋大於第1補強基板40之面之第2補強基板42夾住TFT基板12，因此抑制TFT基板12(基材11)的撓曲，從而能夠確保放射線檢測器10的剛性。因此，依放射線檢測器10，能夠抑制由於TFT基板12撓曲而在TFT基板12上產生缺陷。
又，在上述各實施形態的放射線檢測器10中，第1補強基板40覆蓋小於第2補強基板42之面，因此藉由第1補強基板40而能夠抑制端子區域111被覆蓋。因此，依放射線檢測器10，能夠抑制損害柔性電纜112等的再加工性。
因此，依上述各實施形態的放射線檢測器10，能夠抑制TFT基板12上產生缺陷且再加工性優異。
再者，本揭示的放射線檢測器10並不限定於上述各實施形態中所說明之形態。例如，可以設置支撐第1補強基板40的端部等之間隔物等。圖11A及圖11B表示在上述第3實施形態的放射線檢測器10中設置了間隔物49之情況下的一例的剖面圖。圖11A中設置有端子區域111，其與在第1補強基板40上設置有切口部40A之區域(圖9中之A-A線剖面圖)對應。又，圖11B與第1補強基板40設置至TFT基板12(基材11)的端部之區域(圖9中之B-B線剖面圖)對應。藉由如此設置支撐第1補強基板40的端部之間隔物49，能夠抑制第1補強基板40的端部撓曲。又，能夠藉由間隔物49密封轉換層14的側面，因此防濕性得到提高，從而抑制轉換層14的劣化。
與第1補強基板40相同地，若覆蓋端子區域111，則間隔物49的再加工性亦受損害。因此，如圖11A所示，在設置支撐第1補強基板40之間隔物49之情況下，端子區域111不被間隔物49覆蓋為較佳。換言之，在端子區域111上不設置間隔物49為較佳。例如，如第2實施形態的放射線檢測器10那樣，即使在第1補強基板40延伸至端子區域111中之情況下，在端子區域111上不設置間隔物49為較佳。
又例如，如圖12所示，由防濕絕緣膜109覆蓋放射線檢測器10的柔性電纜112的周邊為較佳。在圖12所示之例子中，在端子113上連接有柔性電纜112之狀態下，防濕絕緣膜109從柔性電纜112上覆蓋與基材11的端子區域111對應之區域整體。作為防濕絕緣膜109，例如能夠利用FPD(Flat Panel Display：平面顯示器)用防濕絕緣材料亦即Tuffy(註冊商標)等。
又，在上述各實施形態的放射線檢測器10中，對TFT基板12(基材11)與第2補強基板42的大小相同之形態進行了說明，但是TFT基板12與第2補強基板42之大小可以不同。
例如，將放射線檢測器10適用於放射線圖像攝影裝置1之情況下，有時將放射線檢測器10固定在收納放射線檢測器10之框體120(參閱圖16及圖17)等上來進行使用。該種情況下，例如，如圖13A所示之一例，可以使第2補強基板42大於TFT基板12，設置折板等，並使用折板等部分來進行放射線檢測器10的固定。例如，亦可以設為在第2補強基板42的折板部分中設置孔且使用貫通孔之螺絲與框體120(參閱圖16及圖17)進行固定之形態。
再者，使第2補強基板42大於TFT基板12之形態並不限定於圖13A所示之形態。亦可以設為由所積層之複數個層構成第2補強基板42且使一部分的層大於TFT基板12之形態。例如，如圖13B所示，亦可以將第2補強基板42設為具有與TFT基板12(基材11)相同程度的大小之第1層42A及大於TFT基板12之第2層42B的雙層構造。例如，藉由雙面膠帶或黏著層等(省略圖示)貼合第1層42A與第2層42B。作為第1層42A，例如由與上述第2補強基板42相同的材質形成且具有與第2補強基板42相同的性質為較佳。又，藉由雙面膠帶或黏著層等(省略圖示)將第2層42B貼合於基材11的第2面11B上。作為第2層42B，例如能夠適用Alpet(註冊商標)。又，在由複數個層構成第2補強基板42之情況下，與圖13B所示之形態相反地，如圖13C所示，亦可以設為將第1層42A貼合於基材11的第2面11B之形態。
如上所述，在使用設置於第2補強基板42之折板等來將放射線檢測器10固定於框體120(參閱圖16及圖17)等之情況下，有時將折板部分以彎曲之狀態進行固定。彎曲部分的厚度變得越薄，第2補強基板42的折板部分變得越容易彎曲，能夠不影響放射線檢測器10主體而僅彎曲折板部分。因此，在彎曲折板部分等之情況下，如圖13B及圖13C所示之一例，設為由所積層之複數個層構成第2補強基板42且使一部分的層大於TFT基板12之形態為較佳。
又，如圖14所示之例子，與上述圖13A~圖13C的放射線檢測器10相反地，可以使第2補強基板42小於TFT基板12。TFT基板12的端部位於比第2補強基板42的端部更靠外部之位置，藉此例如在將放射線 檢測器10收納於框體120(參閱圖16及圖17)等進行組裝之情況下，變得容易確認TFT基板12的端部的位置，因此能夠提高定位的精度。再者，並不限定於圖14所示之形態，只要TFT基板12(基材11)的端部的至少一部分位於比第2補強基板42更靠外部之位置，則可以獲得相同的效果，因此為較佳。
又，如圖15所示之一例，基材11與像素30尤其像素30的TFT32的閘極電極80之間設置有基於無機材料之層90為較佳。作為圖15所示之一例的情況的無機材料，可舉出SiNx或SiOx等。TFT32的汲極電極81和源極電極82形成於相同的層，形成有汲極電極81及源極電極82之層與基材11之間形成有閘極電極80。又，基材11與閘極電極80之間設置有基於無機材料之層90。
又，在上述各實施形態中，如圖1所示，對像素30二維排列成矩陣狀之態樣進行了說明，但並不限定於此，例如亦可以為一維排列，還可以為蜂窩排列。又，像素30的形狀亦無限定，可以為矩形，亦可以為六邊形等多邊形。進而，像素陣列31(像素區域35)的形狀亦無限定，這是不言而喻的。
又，轉換層14的形狀等亦不限定於上述各實施形態。在上述各實施形態中，對轉換層14的形狀與像素陣列31(像素區域35)的形狀相同地為矩形之態樣進行了說明，但轉換層14的形狀亦可以為不同於像素陣列31(像素區域35)之形狀。又，像素陣列31(像素區域35)的形狀例如可以為其他多邊形，亦可以為圓形，而非矩形。
再者，在上述放射線檢測器10的製造方法中，對藉由機械剝離 從支撐體400剝離TFT基板12之製程進行了說明，但剝離方法並不限定於所說明之形態。例如，亦可以設為如下形態：進行從支撐體400的與形成有TFT基板12的面相反的一側的表面照射雷射而進行TFT基板12的剝離之所謂之雷射剝離。即使在該情況下，依放射線檢測器10，在從支撐體400剝離TFT基板12之後單獨處理放射線檢測器10之情況下，亦能夠抑制轉換層14從TFT基板12剝離。
再者，上述各實施形態的放射線檢測器10可以適用於ISS方式的放射線圖像攝影裝置中，亦可以適用於從轉換層14側照射放射線R之PSS(Penetration Side Sampling：穿透側取樣)方式的放射線圖像攝影裝置中。
在圖16中示出將ISS方式的放射線檢測器10適用於表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置1之狀態的一例的剖面圖。
如圖16所示，在框體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向排列設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10設置成像素陣列31的未設置轉換層14之一側與透射了被攝體之放射線所照射之框體120的攝影面120A側對向。本實施形態的撮影面120A為本揭示的照射面的一例。
控制基板110為形成有存儲與從像素陣列31的像素30讀取之電荷相應之圖像資料之圖像記憶體380和控制來自像素30之電荷的讀取等之控制部382等之基板。控制基板110藉由包括複數個訊號配線之柔性電纜112與像素陣列31的像素30電連接。再者，在圖16所示之放射線圖像攝影裝置1中，設為藉由控制部382的控制而控制像素30的TFT32的開關狀 態之驅動部103及生成並輸出與從像素30讀取之電荷相應之圖像資料之訊號處理部104設置在柔性電纜112上之所謂之COF(Chip On Film，薄膜覆晶)。再者，並不限定於本實施形態，在控制基板110上可以形成有驅動部103及訊號處理部104中的至少一者。
又，控制基板110藉由電源線114與向形成於控制基板110之圖像記憶體380或控制部382等供給電源之電源部108連接。
框體120為輕型，放射線R之尤其X射線的吸收率低且為高剛性為較佳，由彈性模數充分高之材料構成為較佳。作為框體120的材料，使用彎曲彈性模數為10000MPa以上之材料為較佳。作為框體120的材料，能夠較佳地使用具有20000~60000MPa程度的彎曲彈性模數之碳或CFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastics：碳纖維強化塑膠)。
在基於放射線圖像攝影裝置1之放射線圖像的拍攝中，對框體120的撮影面120A施加來自被攝體之負載。在框體120的剛性不足之情況下，由於來自被攝體的負載而在TFT基板12上產生撓曲，有可能產生像素16損傷等缺陷。在由具有10000MPa以上的彎曲彈性模數之材料構成之框體120內部收容有放射線檢測器10，藉此能夠抑制由來自被攝體之負載引起之TFT基板12的撓曲。
在圖16所示之放射線圖像攝影裝置1的框體120內，在射出透射了放射線檢測器10之放射線之一側還設置有薄片116。作為薄片116，例如可舉出銅製薄片。銅製薄片由於所入射之放射線而難以產生二次放射線，因此具有防止向後方亦即轉換層14側散射之功能。再者，薄片116至少覆蓋轉換層14的射出放射線之一側的表面整體，並且覆蓋轉換層14整 體為較佳。
又，圖16所示之放射線圖像攝影裝置1的框體120內，在放射線所入射之一側(攝影面120A側)還設置有保護層117。作為保護層117，能夠適用Alpet(註冊商標)薄片、Parylene(註冊商標)膜及聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等防濕膜。保護層117對像素陣列31具有防濕功能及防靜電功能。因此，保護層117至少覆蓋像素陣列31的放射線所入射之一側的表面整體為較佳，覆蓋放射線所入射之一側的TFT基板12的表面整體為較佳。
再者，在圖16中示出了將電源部108及控制基板110這兩者設置於放射線檢測器10的一側、具體而言設置於矩形的像素陣列31的一個邊側之形態，但設置電源部108及控制基板110之位置並不限定於圖16所示之形態。例如，可以將電源部108及控制基板110分開設置於像素陣列31的2個對向之邊的各邊，亦可以分開設置於相鄰之2個邊的各邊。
又，在圖17中示出在ISS方式的放射線圖像攝影裝置1中適用第1實施形態的放射線檢測器10之狀態的另一例的剖面圖。
如圖17所示，在框體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向排列設置有電源部108及控制基板110，沿放射線的入射方向排列設置有放射線檢測器10和電源部108及控制基板110。
又，在圖17所示之放射線圖像攝影裝置1中，在控制基板110及電源部108與薄片116之間設置有支撐放射線檢測器10及控制基板110之基座118。基座118例如使用碳等。
[其他實施形態]
首先，參閱圖18~圖44對第1補強基板40的其他實施形態進行說明。再者，在使用氣相沉積法形成了轉換層14之情況下，如圖18~圖39所示，轉換層14形成為具有厚度朝向其外緣逐漸變薄之傾斜度。以下，將在忽略製造誤差及測定誤差之情況下的厚度被視為大致恆定之轉換層14的中央區域稱為中央部14A。又，將相對於轉換層14的中央部14A的平均厚度例如具有90%以下的厚度之轉換層14的外周區域稱為周緣部14B。亦即，轉換層14在周緣部14B中具有相對於TFT基板12傾斜之傾斜面。
如圖18~圖39所示，可以在轉換層14與第1補強基板40之間設置有黏著層60、反射層62、接著層64、保護層65及黏著層48。
黏著層60覆蓋包括轉換層14的中央部14A及周緣部14B之轉換層14的表面整體。黏著層60具有將反射層62固定於轉換層14上之功能。黏著層60具有光透射性為較佳。作為黏著層60的材料，例如能夠使用丙烯酸系黏著劑、熱熔系黏著劑及矽酮系接著劑。作為丙烯酸系黏著劑，例如可舉出胺基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯及環氧樹脂丙烯酸酯等。作為熱熔系黏著劑，例如可舉出EVA(乙烯/乙烯酯共聚物樹脂)、EAA(乙烯與丙烯酸的共聚物樹脂)、EEA(乙烯-丙烯酸乙酯共聚物樹脂)及EMMA(乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物)等熱塑性塑膠。黏著層60的厚度為2μm以上且7μm以下為較佳。將黏著層60的厚度設為2μm以上，藉此能夠充分發揮將反射層62固定於轉換層14上之效果。進而，能夠抑制在轉換層14與反射層62之間形成空氣層之風險。若在轉換層14與反射層62之間形成空氣層，則從轉換層14射出之光有可能在空氣層與轉換層14之間及空氣層與反射層62之間反覆反射而發生多重反射。又，將黏著層6 0的厚度設為7μm以下，藉此能夠抑制MTF(Modulation Transfer Function：調製傳遞函數)及DQE(Detective Quantum Efficiency：探測量子效率)的降低。
反射層62覆蓋黏著層60的表面整體。反射層62具有反射由轉換層14轉換之光之功能。反射層62由有機系材料構成為較佳。作為反射層62的材料，例如能夠使用白PET、TiO2、Al2O3、發泡白PET、聚酯系高反射薄片及鏡面反射鋁等。反射層62的厚度為10μm以上且40μm以下為較佳。
接著層64覆蓋反射層62的表面整體。接著層64的端部延伸至TFT基板12的表面。亦即，接著層64在其端部中接著至TFT基板12。接著層64具有將反射層62及保護層65固定於轉換層14上之功能。作為接著層64的材料，能夠使用與黏著層60的材料相同的材料，但是接著層64所具有之接著力大於黏著層60所具有之接著力為較佳。
保護層65具有相當於上述各實施形態的放射線檢測器10中之保護層22之功能，且覆蓋接著層64的表面整體。亦即，保護層65設置成覆蓋轉換層14的整體且其端部覆蓋TFT基板12的一部分。保護層65作為防止水分浸入到轉換層14之防濕膜而發揮功能。作為保護層65的材料，例如能夠使用包含PET、PPS、OPP、PEN、PI等有機材料之有機膜。又，作為保護層65，可以使用Alpet(註冊商標)的薄片。
第1補強基板40經由黏著層48設置於保護層65的表面上。作為黏著層48的材料，例如能夠使用與黏著層60及黏著層48的材料相同的材料。
在圖18所示之例子中，第1補強基板40延伸至與轉換層14的中央部14A及周緣部14B對應之區域，第1補強基板40的外周部沿轉換層14的周緣部14B中之傾斜而彎曲。在與轉換層14的中央部14A對應之區域及與周緣部14B對應之區域這兩者中，第1補強基板40經由黏著層48與保護層65接著。在圖18所示之例子中，第1補強基板40的端部配置於與轉換層14的周緣部14B對應之區域。
如圖19所示，第1補強基板40可以僅設置於與轉換層14的中央部14A對應之區域。此時，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由黏著層48與保護層65接著。
如圖20所示，在第1補強基板40延伸至與轉換層14的中央部14A及周緣部14B對應之區域之情況下，第1補強基板40可以不具有沿轉換層142的外周部中之傾斜而彎曲之彎曲部。此時，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由黏著層48與保護層65接著。在與轉換層14的周緣部14B對應之區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
在此，在設置於TFT基板12的外周部的連接區域之端子113上連接有柔性電纜112。TFT基板12經由柔性電纜112與控制基板(參閱控制基板110、圖51等)連接。在TFT基板12上產生撓曲之情況下，有可能柔性電纜112從TFT基板12剝離或者產生位置偏移。此時，需要進行重新連接柔性電纜112與TFT基板12之作業。如上所述，重新連接該柔性電纜112與TFT基板12之作業被稱作再加工。如圖18~圖20所示，將第1 補強基板40的端部配置在比轉換層14的端部更靠內側之位置上，藉此相較於第1補強基板40延伸至連接區域的附近之情況，能夠容易進行再加工。
如圖21~圖24B所示，第1補強基板40可以設置成其端部配置於比轉換層14的端部更靠外側之位置，且與延伸至TFT基板12上之接著層64及保護層65的端部對齊。再者，第1補強基板40的端部的位置與接著層64及保護層65的端部的位置無需完全一致。
在圖21所示之例子中，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由黏著層48與保護層65接著。又，在與轉換層14的周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
在圖22所示之例子中，在與轉換層14的周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間所形成之空間內設置有填充材70。填充材70的材料並無特別限定，例如能夠使用樹脂。再者，在圖22所示之例子中，為了將第1補強基板40固定於填充材70上，黏著層48設置在第1補強基板40與填充材70之間的整個區域上。
形成填充材70之方法並無特別限定。例如，可以在由黏著層60、反射層62、接著層64及保護層65覆蓋之轉換層14上，依次形成了黏著層48及第1補強基板40之後，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間所形成之空間內注入具有流動性之填充材70，並使填充材70硬化。又，例如，可以在TFT基板12上依次形成轉換層14、黏著層60、反射層 62、接著層64及保護層65之後，形成填充材70，並在覆蓋由黏著層60、反射層62、接著層64及保護層65覆蓋之轉換層14及填充材70之狀態下，依次形成黏著層48及第1補強基板40。
如此，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間所形成之空間內填充填充材70，藉此相較於圖21所示之形態，能夠抑制第1補強基板40從轉換層14(保護層65)剝離。進而，轉換層14成為藉由第1補強基板40及填充材70這兩者固定於TFT基板12上之構造，因此能夠抑制轉換層14從TFT基板12剝離。
在圖23所示之例子中，第1補強基板40的外周部沿轉換層14的周緣部14B中之傾斜而彎曲，且還覆蓋由接著層64及保護層65覆蓋TFT基板12上之部分。又，第1補強基板40的端部與接著層64及保護層65的端部對齊。再者，第1補強基板40的端部的位置與接著層64及保護層65的端部的位置無需完全一致。
第1補強基板40、黏著層48、保護層65及接著層64的端部由密封構件72密封。密封構件72設置於為從TFT基板12的表面至第1補強基板40的表面之區域且不覆蓋像素區域35之區域為較佳。作為密封構件72的材料，能夠使用樹脂，尤其使用熱塑性樹脂為較佳。具體而言，能夠將丙烯酸糊及胺基甲酸酯系的糊等用作密封構件72。第1補強基板40相較於保護層65剛性高，將要抵消彎曲之復原力作用於第1補強基板40的彎曲部，藉此保護層65有可能剝離。第1補強基板40、黏著層48、保護層65及接著層64的端部由密封構件72進行密封，藉此能夠抑制保護層65的剝離。
圖24A及圖24B為在與轉換層14的端部對應之區域中在第1補強基板40的表面上積層另一第1補強基板40B之形態。在圖24A所示之例子中，與圖22所示之形態相同地，在與轉換層14的周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間所形成之空間內設置有填充材70。又，在與轉換層14的端部對應之區域中，在第1補強基板40的表面上經由黏著層48A積層有另一第1補強基板40B。更具體而言，第1補強基板40B設置於橫跨轉換層14的端部(外緣、邊緣)之區域上。第1補強基板40B可以由與第1補強基板40相同的材料構成。
圖24B為在圖24A所示之形態的放射線檢測器10中將第1補強基板40B從轉換層14的端部延伸至中央部14A之形態的一例。再者，圖24B所示之第1補強基板40B遍及第1補強基板40的整個表面而設置。在第1補強基板40B的材料為碳等放射線的吸收少之材料之情況下，能夠抑制在PSS方式及ISS方式的任一者中放射線R均被第1補強基板40B吸收而到達轉換層14之放射線R減少。再者，在圖24A及圖24B中的任一情況下，第1補強基板40B的彎曲彈性模數均大於第1補強基板40及第2補強基板42的每一個為較佳。作為第1補強基板40B的彎曲彈性模數的較佳具體例，可舉出8000MPa以上。
放射線檢測器10的轉換層14的端部中，TFT基板12的撓曲量相對大。在圖24A及圖24B所示之放射線檢測器10中，在與轉換層14的端部對應之區域上形成基於第1補強基板40及第1補強基板40B之積層構造，藉此能夠促進抑制轉換層14的端部中之TFT基板12的撓曲之效果。
如圖21~圖24B所示，即使在第1補強基板40的端部配置在比轉換層14的端部更靠外側之位置上且設置成與接著層64及保護層65的端部對齊之狀態之情況下，相較於第1補強基板40延伸至連接區域的附近之情況，亦能夠容易進行再加工。
又，如圖25~圖28B所示，第1補強基板40可以設置成其端部位於比延伸至TFT基板12上之接著層64及保護層65的端部更靠外側且比TFT基板12的端部更靠內側之位置。
在圖25所示之例子中，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由黏著層48與保護層65接著，在與轉換層14的周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
在圖26所示之例子中，第1補強基板40的端部由間隔物49支撐。亦即，間隔物49的一端與TFT基板12的基材11的第1面11A連接，間隔物49的另一端經由接著層47與第1補強基板40的端部連接。將在與TFT基板12之間形成空間並延伸之第1補強基板40的端部由間隔物49支撐，藉此能夠抑制第1補強基板40的剝離。又，能夠使由第1補強基板40引起之撓曲抑制效果作用於TFT基板12的端部附近為止。再者，代替設置間隔物49或者除了設置間隔物49以外，依據圖22所示之例子，可以在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間所形成之空間內填充填充材。
在圖27所示之例子中，第1補強基板40的外周部沿轉換層14 的周緣部14B中之傾斜而彎曲，且還覆蓋由接著層64和保護層65覆蓋TFT基板12上之部分及其外側的TFT基板12上。亦即，接著層64及保護層65的端部由第1補強基板40密封。在第1補強基板40的TFT基板12上延伸之部分經由黏著層48與TFT基板12接著。如此，由第1補強基板40覆蓋接著層64及保護層65的端部，藉此能夠抑制保護層65的剝離。再者，依據圖23中所記載的例子，可以使用密封構件72密封第1補強基板40的端部。
圖28A及圖28B為在與轉換層14的端部對應之區域中在第1補強基板40的表面上積層另一第1補強基板40B之形態。在圖28A所示之例子中，在第1補強基板40的端部由間隔物49支撐之形態中，在第1補強基板40的表面的與轉換層14的端部對應之區域上經由黏著層48A積層有另一第1補強基板40B。更具體而言，第1補強基板40B設置於橫跨轉換層14的端部(外緣、邊緣)之區域上。第1補強基板40B可以由與第1補強基板40相同的材料構成。
圖28B為在圖28A所示之形態的放射線檢測器10中將第1補強基板40B從轉換層14的端部延伸至中央部14A之形態的一例。再者，圖28B所示之第1補強基板40B遍及第1補強基板40的整個表面而設置。在第1補強基板40B的材料為碳等放射線的吸收少之材料之情況下，能夠抑制在PSS方式及ISS方式中的任一者中放射線R均被第1補強基板40B吸收而到達轉換層14之放射線R減少。再者，在圖28A及圖28B中的任一情況下，第1補強基板40B的彎曲彈性模數均大於第1補強基板40及第2補強基板42的每一個為較佳。作為第1補強基板40B的彎曲彈性模數的較 佳具體例，可舉出8000MPa以上。
放射線檢測器10的轉換層14的端部中之TFT基板12的撓曲量相對大。在28A及圖28B所示之放射線檢測器10中，在與轉換層14的端部對應之區域上形成基於第1補強基板40及第1補強基板40B之積層構造，藉此能夠促進抑制轉換層14的端部中之TFT基板12的撓曲之效果。再者，代替設置間隔物49，依據圖22所示之例子，可以在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間所形成之空間內填充填充材70。
再者，在除了與TFT基板12的端子區域111對應之區域以外之區域中，如圖29~圖33B所示，第1補強基板40可以設置成其端部與TFT基板12的端部對齊。再者，第1補強基板40的端部的位置與TFT基板12的端部的位置無需完全一致。
在圖29所示之例子中，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由黏著層48與保護層65接著。在與轉換層14的周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
在圖30所示之例子中，第1補強基板40的端部由間隔物49支撐。亦即，間隔物49的一端與設置於TFT基板12的端部上之柔性電纜112連接，間隔物49的另一端經由接著層47與第1補強基板40的端部連接。將在與TFT基板12之間形成空間並延伸之第1補強基板40的端部由間隔物49支撐，藉此能夠抑制第1補強基板40的剝離。又，能夠使由第1補 強基板40引起之撓曲抑制效果作用於TFT基板12的端部附近為止。
在圖31所示之例子中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間所形成之空間內填充有填充材70。在本實施形態中，由填充材70覆蓋柔性電纜112與端子113的連接部。如此，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間所形成之空間內填充填充材70，藉此相較於圖29所示之形態，能夠抑制第1補強基板40從轉換層14(保護層65)剝離。進而，轉換層14成為藉由第1補強基板40及填充材70這兩者固定於TFT基板12上之構造，因此能夠抑制轉換層14從TFT基板12剝離。又，由填充材70覆蓋柔性電纜112與端子113的連接部，藉此能夠抑制柔性電纜112的剝離。
在圖32所示之例子中，第1補強基板40的外周部沿轉換層14的周緣部14B中之傾斜之狀態而彎曲，且還覆蓋由接著層64和保護層65覆蓋TFT基板12上之部分、其外側的基板上及端子113與柔性電纜112的連接部。在第1補強基板40的TFT基板12上及柔性電纜112上延伸之部分分別經由黏著層48與TFT基板12及柔性電纜112接著。由第1補強基板40覆蓋柔性電纜112與端子113的連接部，藉此能夠抑制柔性電纜112的剝離。又，假定柔性電纜112的另一端與搭載有電子零件之控制基板連接，因此在柔性電纜112與端子113的連接部中，TFT基板12上有可能產生相對大之撓曲。由第1補強基板40覆蓋柔性電纜112與端子113的連接部，藉此能夠抑制該部分中之TFT基板12的撓曲。
圖33A及圖33B為在與轉換層14的端部對應之區域中在第1補 強基板40的表面上積層另一第1補強基板40B之形態。在圖33A所示之例子中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間所形成之空間內填充有填充材70。又，在與轉換層14的端部對應之區域中，在第1補強基板40的表面上經由黏著層48A積層有另一第1補強基板40B。更具體而言，第1補強基板40B設置於橫跨轉換層14的端部(外緣、邊緣)之區域上。第1補強基板40B可以由與第1補強基板40相同的材料構成。
圖33B為在圖33A所示之形態的放射線檢測器10中將第1補強基板40B從轉換層14的端部延伸至中央部14A之形態的一例。再者，圖33B所示之第1補強基板40B遍及第1補強基板40的整個表面而設置。在第1補強基板40B的材料為碳等放射線的吸收少之材料之情況下，能夠抑制在PSS方式及ISS方式中的任一者中放射線R均被第1補強基板40B吸收而到達轉換層14之放射線R減少。再者，在圖33A及圖33B中的任一情況下，第1補強基板40B的彎曲彈性模數均大於第1補強基板40及第2補強基板42的每一個為較佳。作為第1補強基板40B的彎曲彈性模數的較佳具體例，可舉出8000MPa以上。
放射線檢測器10的轉換層14的端部中，TFT基板12的撓曲量相對大。在圖33A及圖33B所示之放射線檢測器10中，在與轉換層14的端部對應之區域上形成基於第1補強基板40及第1補強基板40B之積層構造，藉此能夠促進抑制轉換層14的端部中之TFT基板12的撓曲之效果。
又，如圖34~圖38B所示，第1補強基板40可以設置成其端部位於比TFT基板12的端部更靠外側之位置之狀態。
在圖34所示之例子中，在與轉換層14的中央部14A對應之區域中，第1補強基板40經由黏著層48與保護層65接著，在與轉換層14的周緣部14B對應之區域及進一步其外側的區域中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間形成有與轉換層14的周緣部14B中之傾斜相應之空間。
在圖35所示之例子中，第1補強基板40的端部由間隔物49支撐。亦即，間隔物49的一端與設置於TFT基板12的端部上之柔性電纜112連接，間隔物49的另一端經由接著層47與第1補強基板40的端部連接。將在與TFT基板12之間形成空間並延伸之第1補強基板40的端部由間隔物49支撐，藉此能夠抑制第1補強基板40的剝離。又，能夠使由第1補強基板40引起之撓曲抑制效果作用於TFT基板12的端部附近為止。
在圖36所示之例子中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間所形成之空間內填充有填充材70。在本實施形態中，由填充材70覆蓋柔性電纜112與端子113的連接部。如此，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間所形成之空間內填充填充材70，藉此相較於圖34所示之形態，能夠抑制第1補強基板40從轉換層14(保護層65)剝離。進而，轉換層14成為藉由第1補強基板40及填充材70這兩者固定於TFT基板12上之構造，因此能夠抑制轉換層14從TFT基板12剝離。又，由填充材70覆蓋柔性電纜112與端子113的連接部，藉此能夠抑制柔性電纜112的剝離。
在圖37所示之例子中，第1補強基板40的外周部沿轉換層14 的周緣部14B中之傾斜之狀態而彎曲，且還覆蓋由接著層64和保護層65覆蓋TFT基板12上之部分、其外側的基板上及端子113與柔性電纜112的連接部。在第1補強基板40的TFT基板12上及柔性電纜112上延伸之部分分別經由黏著層48與TFT基板12及柔性電纜112接著。由第1補強基板40覆蓋柔性電纜112與端子113的連接部，藉此能夠抑制柔性電纜112的剝離。又，假定柔性電纜112的另一端與搭載有電子零件之控制基板連接，因此在柔性電纜112與端子113的連接部中，TFT基板12上有可能產生相對大之撓曲。由第1補強基板40覆蓋柔性電纜112與端子113的連接部，藉此能夠抑制該部分中之TFT基板12的撓曲。
圖38A及圖38B為在與轉換層14的端部對應之區域中在第1補強基板40的表面上積層另一第1補強基板40B之形態。在圖38A所示之例子中，在轉換層14(保護層65)與第1補強基板40之間及TFT基板12與第1補強基板40之間所形成之空間內填充有填充材70。又，在與轉換層14的端部對應之區域中，在第1補強基板40的表面上經由黏著層48A積層有另一第1補強基板40B。更具體而言，第1補強基板40B設置於橫跨轉換層14的端部(外緣、邊緣)之區域上。第1補強基板40B可以由與第1補強基板40相同的材料構成。
圖38B為在圖38A所示之形態的放射線檢測器10中將第1補強基板40B從轉換層14的端部延伸至中央部14A之形態的一例。再者，圖38B所示之第1補強基板40B遍及第1補強基板40的整個表面而設置。在第1補強基板40B的材料為碳等放射線的吸收少之材料之情況下，能夠抑制在PSS方式及ISS方式中的任一者中放射線R均被第1補強基板40B吸 收而到達轉換層14之放射線R減少。再者，在圖38A及圖38B中的任一情況下，第1補強基板40B的彎曲彈性模數均大於第1補強基板40及第2補強基板42的每一個為較佳。作為第1補強基板40B的彎曲彈性模數的較佳具體例，可舉出8000MPa以上。
放射線檢測器10的轉換層14的端部中，TFT基板12的撓曲量相對大。在圖38A及圖38B所示之放射線檢測器10中，在與轉換層14的端部對應之區域上形成基於第1補強基板40及第1補強基板40B之積層構造，藉此能夠促進抑制轉換層14的端部中之TFT基板12的撓曲之效果。
如上所述，在放射線檢測器10的製程中，在玻璃基板等支撐體400上貼附具有可撓性之TFT基板12，並在TFT基板12上積層了轉換層14之後，從TFT基板12剝離支撐體400。此時，在具有可撓性之TFT基板12上產生撓曲，藉此有可能損傷TFT基板12上所形成之像素30。在從TFT基板12剝離支撐體200之前，以如圖18~圖38B所例示之那樣之形態在轉換層14上積層第1補強基板40，藉此能夠抑制在從TFT基板12剝離支撐體時所產生之TFT基板12的撓曲，從而能夠降低像素30損傷的風險。
又，第1補強基板40並不限於單獨的層(單層)，可以由多層構成。例如，在圖39所示之例子中，示出將放射線檢測器10的第1補強基板40設為從接近轉換層14者依次積層了第1層第1補強基板40C、第2層第1補強基板40D及第3層第1補強基板40E而成之3層的多層膜之形態。
在將第1補強基板40設為多層之情況下，第1補強基板40中包括之各層具有不同之功能為較佳。例如，在圖39所示之一例中，將第1層 第1補強基板40C及第3層第1補強基板40E設為具有非導電性的抗靜電功能之層，並將第2補強基板40D設為導電性的層，藉此可以對第1補強基板40賦予電磁屏蔽功能。作為該情況下的第1層第1補強基板40C及第3層第1補強基板40E，例如可舉出使用了抗靜電塗料“Colcoat”(商品名：Colcoat Co,.Ltd.製)之膜等抗靜電膜。又，作為第2層第1補強基板40D，例如可舉出導電性薄片或Cu等導電性網片等。
例如，在放射線檢測器10的讀取方式為ISS方式之情況下，有時在轉換層14側設置有控制基板110或電源部108等(參閱圖56)，如此第1補強基板40具有抗靜電功能時，能夠屏蔽來自控制基板110或電源部108之電磁雜訊。
又，圖40係表示第1補強基板40的構造的一例之俯視圖。第1補強基板40可以在其主表面上具有複數個貫通孔40H。貫通孔40H的大小及間距確定成可以在第1補強基板40中獲得所期望的剛性。
第1補強基板40具有複數個貫通孔40H，藉此能夠使導入到第1補強基板40與轉換層14的接合面之空氣從貫通孔40H排出。藉此，能夠抑制第1補強基板40與轉換層14的接合面中之氣泡的產生。
在不存在排出導入到第1補強基板40與轉換層14的接合面之空氣之方法之情況下，上述接合面上有可能產生氣泡。例如，若在上述接合面上出現之氣泡由於放射線圖像攝影裝置1工作時之熱而膨脹，則降低第1補強基板40與轉換層14的密接性。藉此，有可能無法充分地發揮基於第1補強基板40之撓曲抑制效果。如圖40所示，使用具有複數個貫通孔40H之第1補強基板40，藉此能夠如上述抑制第1補強基板40與轉換層14的 接合面中之氣泡的產生。因此，能夠維持第1補強基板40與轉換層14的密接性，從而能夠維持第1補強基板40之撓曲抑制效果。
圖41係表示第1補強基板40的構造的另一例之立體圖。在圖41所示之例子中，第1補強基板40在與轉換層14的接合面上具有凹凸構造。如圖41所示，該凹凸構造可以構成為包括複數個相互平行配置之槽63。例如，如圖42所示，第1補強基板40的具有基於複數個槽63之凹凸構造之面與由反射層62覆蓋之轉換層14接合。如此，第1補強基板40在與轉換層14的接合面上具有凹凸構造，藉此能夠使導入到第1補強基板40與轉換層14的接合部之空氣從槽63排出。藉此，與圖40所示之形態相同地，能夠抑制第1補強基板40與轉換層14的接合面中之氣泡的產生。藉此，能夠維持第1補強基板40與轉換層14的密接性，從而能夠維持第1補強基板40之撓曲抑制效果。
圖43及圖44係分別表示第1補強基板40的構造的另一例之俯視圖。如圖43及圖44所示，第1補強基板40可以分割為複數個斷片54。如圖43所示，第1補強基板40亦可以分割成複數個斷片54(圖555~圖5411)沿一個方向排列。又，如圖44所示，第1補強基板40可以分割成複數個斷片54(圖551~圖544)沿縱向及橫向排列。
第1補強基板40的面積變得越大，越容易在第1補強基板40與轉換層14的接合面產生氣泡。如圖43及圖44所示，將第1補強基板40分割為複數個斷片54，藉此能夠抑制第1補強基板40與轉換層14的接合面中之氣泡的產生。藉此，能夠維持第1補強基板40與轉換層14的密接性，從而能夠維持第1補強基板40之撓曲抑制效果。
又，可以在第2補強基板42的與和TFT基板12(第2面11B)接觸之一側相反的一側上設置補強構件52。圖45~圖50係分別表示補強構件52的設置形態的一例之剖面圖。
在圖45~圖49所示之例子中，在第2補強基板42的與TFT基板12側的面相反的一側的表面上經由接著層51積層有補強構件52。補強構件52可以由與第1補強基板40相同的材料構成。在將放射線檢測器10用作ISS方式之情況下，為了使補強構件52與像素區域35重疊之部分的面積極小化，補強構件52僅設置於TFT基板12的外周部為較佳。亦即，如圖45~圖49所示，補強構件52可以為在與像素區域35對應之部分中具有開口61之環狀。如此，在TFT基板12的外周部形成基於第2補強基板42及補強構件52之積層構造，藉此能夠加強相對容易產生撓曲之TFT基板12的外周部的剛性。
在圖45~圖47所示之例子中，補強構件52設置於橫跨轉換層14的端部(外緣、邊緣)之區域上。放射線檢測器10的轉換層14的端部中，TFT基板12的撓曲量相對大。在與轉換層14的端部對應之區域上形成基於第2補強基板42及補強構件52之積層構造，藉此能夠促進抑制轉換層14的端部中之TFT基板12的撓曲之效果。
在將放射線檢測器10用作ISS方式之情況下，如圖45所示，當補強構件52的一部分與像素區域35重疊時，依據補強構件52的材質而有可能影響圖像。因此，在補強構件52的一部分與像素區域35重疊之情況下，將塑膠用作補強構件52的材料為較佳。
如圖46及圖47所示，補強構件52橫跨轉換層14的端部(外 緣、邊緣)且不與像素區域35重疊之形態(亦即，補強構件52的開口61的端部配置於像素區域35的外側之形態)為最佳。在圖46所示之例子中，補強構件52的開口61的端部的位置與像素區域35的端部的位置大致一致。在圖47所示之例子中，補強構件52的開口61的端部配置於像素區域35的端部與轉換層14的端部之間。
又，關於補強構件52的開口61的端部的位置，可以如圖48所示那樣與轉換層14的端部的位置大致一致，並且亦可以如圖49所示那樣配置在比轉換層14的端部更靠外側的位置。此時，補強構件52不是橫跨轉換層14的端部(外緣、邊緣)之構造，因此抑制轉換層14的端部中之TFT基板12的撓曲之效果有可能降低。然而，在存在柔性電纜112與端子113的連接部之TFT基板12的外周部中形成基於第2補強基板42及補強構件52之積層構造，藉此維持抑制柔性電纜112與端子113的連接部中之TFT基板12的撓曲之效果。
再者，在補強基材52的材料為碳等放射線的吸收少之材料之情況下，能夠抑制在PSS方式及ISS方式的任一者中放射線R均被第1補強基板40B吸收而到達轉換層14之放射線R減少。因此，如圖50所示，亦可以將補強基材52設為不具有開口61之形狀。換言之，補強基材52可以覆蓋像素區域35的至少一部分。再者，圖50所示之補強基材52遍及第2補強基板42的整個表面而設置。補強基材52的彎曲彈性模數大於第1補強基板40及第2補強基板42的每一個為較佳。作為補強基材52的彎曲彈性模數的較佳具體例，可舉出8000MPa以上。
進而，參閱圖51~圖57對在框體120內收容放射線檢測器10之 放射線圖像攝影裝置1的一例進行說明。圖51~圖57係分別表示放射線圖像攝影裝置1的另一構成例之圖。
在圖51所示之例子中，與上述圖7所示之放射線圖像攝影裝置1相同地，示出ISS方式的放射線圖像攝影裝置1的一例。又，在圖52所示之例子中，示出PSS方式的放射線圖像攝影裝置1的一例。在圖51及圖52所示之例子中，例示出放射線檢測器10、控制基板110及電源部108在圖中沿橫向並列設置之構成。
又，在圖51及圖52所示之例子中，放射線檢測器10與框體120的撮影面120A的內壁之間還設置有保護層117。換言之，在放射線R所入射之一側亦即撮影面120A側還設置有保護層117。作為保護層117，能夠適用Alpet(註冊商標)薄片、Parylene(註冊商標)膜及聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等防濕膜。保護層117針對像素區域35具有防濕功能及抗靜電功能。因此，保護層117至少覆蓋像素區域35的放射線R所入射之一側的表面整體為較佳，覆蓋放射線R所入射之一側的TFT基板12的表面整體為較佳。
再者，在圖51及圖52中示出了將電源部108及控制基板110這兩者設置於放射線檢測器10的一側、具體而言設置於矩形的像素區域35的一個邊側之形態，但設置電源部108及控制基板110之位置並不限定於圖51及圖52所示之形態。例如，可以將電源部108及控制基板110分開設置於像素區域35的2個對向之邊的各邊，亦可以分開設置於相鄰之2個邊的各邊。
又，如圖51及圖52所示之例子，在將放射線檢測器10、控制基 板110及電源部108沿與積層了TFT基板12及轉換層14之方向(積層方向P)交叉之方向並列配置之情況下，在分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分中，框體120的厚度可以不同。
如圖52所示之例子，電源部108及控制基板110的每一個的厚度厚於放射線檢測器10之情況較多。該種情況下，如圖53所示之例，設置有放射線檢測器10之框體120的部分的厚度可以薄於分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分的厚度。再者，在分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分的厚度與設置有放射線檢測器10之框體120的部分的厚度不同之情況下，若在兩個部分的邊界部中產生段差，則存在使與邊界部120B接觸之被檢者感到不舒服等之慮。因此，該種情況下，邊界部120B的形態設為具有傾斜度之狀態為較佳。
藉此，能夠構成與放射線檢測器10的厚度相應之極薄型便捷式電子匣。
又例如，此時，分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分中框體120的材質可以不同。進而，例如，分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分可以分開配置。
又，如上所述，框體120的放射線R之尤其X射線的吸收率低且為高剛性為較佳，由彈性模數充分高之材料構成為較佳，但是如圖54所示之例子，亦可以與框體120的撮影面120A對應之部分120C的放射線R的吸收率低且為高剛性，由彈性模數充分高之材料構成，而其他部分由與部 分120C不同之材料、例如彈性模數低於部分120C之材料構成。
又，如圖55所示之例子，放射線檢測器10與框體120的內壁面可以接觸。此時，放射線檢測器10與框體120的內壁面可以經由接著層接著，亦可以只是簡單地接觸而不經由接著層。如此，藉由放射線檢測器10與框體120的內壁面接觸，進一步確保放射線檢測器10的剛性。
又，在圖56所示之例子中，與上述圖8所示之放射線圖像攝影裝置1相同地，示出ISS方式的放射線圖像攝影裝置1的一例。又，在圖57所示之例子中，示出PSS方式的放射線圖像攝影裝置1的一例。在圖56及圖57所示之例子中，以夾住薄片116及基台118之方式設置有TFT基板12和控制基板110及電源部108。依該構成，相較於放射線檢測器10、控制基板110及電源部108在圖中沿橫向並列設置之情況(參閱圖51~圖55)，能夠縮小俯視放射線圖像攝影裝置1時之尺寸。
此外，上述各實施形態中說明之放射線檢測器10等的構成和製造方法等為一例，能夠在不脫離本發明的宗旨之範圍內根據狀況進行變更，這是不言而喻的。
2018年11月22日申請的日本專利申請2018-219700號的揭示及2019年2月8日申請的日本專利申請2019-022127號的揭示的其整體被作為參閱而編入本說明書中。
本說明書中所記載之所有文獻、專利申請及技術規格與具體且單獨記載每個文獻、專利申請及技術規格被作為參閱而編入之情況相同程度地，作為參閱而編入本說明書中。
10:放射線檢測器
11:基材
11A:第1面
11B:第2面
12:TFT基板
13:緩衝層
14:轉換層
19:積層體
19A:第1面
22:保護層
31:像素陣列
35:像素區域
40:第1補強基板
42:第2補強基板
48:黏著層
111:端子區域
112:柔性電纜
113:端子

Claims (24)

  1. 一種放射線檢測器，其具備：基板，在可撓性基材的第1面的像素區域上形成有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素，並且在該第1面的端子區域上設置有用於將電纜電連接之端子；轉換層，設置於該基材的該第1面中之該端子區域外且將該放射線轉換成光；第1補強基板，設置於該轉換層中之與該基板側的面相反的一側的表面上且剛性高於該基材；及第2補強基板，設置於與該基材的該第1面相反的一側的第2面且覆蓋大於該第1補強基板之面，其中該端子區域包括由該第1補強基板覆蓋之第1區域及未由該第1補強基板覆蓋之第2區域。
  2. 如請求項1所述之放射線檢測器，其中該第1區域小於該第2區域。
  3. 如請求項1或請求項2所述之放射線檢測器，其中從該第1區域中之該基材的內部側的一端部至該基材的外緣側的另一端部的長度為從該端子區域中之該基材的內部側的一端部至該基材的外緣側的另一端部的長度的1/4以下。
  4. 如請求項1所述之放射線檢測器，其中該第1補強基板在與該端子區域對應之位置上設置有切口部。
  5. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中 該第2補強基板的剛性高於該基材。
  6. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該第1補強基板及該第2補強基板中的至少一者為使用了彎曲彈性模數為1000MPa以上且2500MPa以下的材料之補強基板。
  7. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該第1補強基板及該第2補強基板中的至少一者包含具有降伏點之材料。
  8. 如請求項7所述之放射線檢測器，其中具有該降伏點之材料為聚碳酸酯及聚對酞酸乙二酯中的至少一個。
  9. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該第1補強基板的熱膨脹係數相對於該轉換層的熱膨脹係數之比為05以上且2以下。
  10. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該第1補強基板的熱膨脹係數為30ppm/K以上且80ppm/K以下。
  11. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該基材的該第2面的大小大於與該第2補強基板的該第2面對向之面的大小。
  12. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該第2補強基板具有沿在該基板上積層之積層方向所積層之複數個層且該複數個層的一部分的大小大於該第2面的大小。
  13. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該基材的該第2面的大小小於與該第2補強基板的該第2面對向之面 的大小。
  14. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該基材的端部的至少一部分位於比該第2補強基板的端部更靠外部之位置。
  15. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其還具備設置於該基板與該轉換層之間且緩衝該轉換層的熱膨脹係數與該基板的熱膨脹係數之差之緩衝層。
  16. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該基材為樹脂製且具有包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下的無機的微粒之微粒層。
  17. 如請求項16所述之放射線檢測器，其中該基材在該第2面側具有該微粒層。
  18. 如請求項16所述之放射線檢測器，其中該微粒包含原子號碼大於構成該基材之元素且原子號碼為30以下的元素。
  19. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該基材在300℃~400℃下之熱膨脹係數為20ppm/K以下。
  20. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中在厚度為25μm的狀態下，該基材滿足在400℃下之熱收縮率為0.5%以下及在500℃下之彈性模數為1GPa以上中的至少一者。
  21. 如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器，其中該轉換層包含CsI的柱狀結晶。
  22. 一種放射線圖像攝影裝置，其具備：如請求項1至請求項2中任一項所述之放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取蓄積於該複數個像素中之電荷之控制訊號；及電路部，藉由電纜與該放射線檢測器電連接且依據該控制訊號從該複數個像素讀取電荷。
  23. 如請求項22所述之放射線圖像攝影裝置，其還具備具有放射線所照射之照射面且以該放射線檢測器中之基板及轉換層中該基板與該照射面對向之狀態收納該放射線檢測器之框體。
  24. 一種放射線檢測器的製造方法，該方法包括：在支撐體上設置可撓性基材，並在該基材的第1面的像素區域上形成設置有蓄積依據從放射線轉換之光產生之電荷之複數個像素之基板之製程；在該基材的該第1面的端子區域以外之區域上形成將該放射線轉換成光之轉換層之製程；在該轉換層的與和該基板側的表面對向之一側的面相反的一側的表面上設置剛性高於該基材之第1補強基板之製程；從該支撐體剝離設置有該轉換層及該第1補強基板之該基板之製程；及在從該支撐體剝離之該基板上之與該基材的該第1面相反的一側的第2面上設置覆蓋大於該第1補強基板之面之第2補強基板之製程，其中該端子區域包括由該第1補強基板覆蓋之第1區域及未由該第1補強基板覆蓋之第2區域。
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