CN112271186B - 有源矩阵基板及其检查方法 - Google Patents

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Abstract

一种有源矩阵基板及其检查方法，有源矩阵基板在基板上具有：包含多个像素的像素区域；以及像素区域的外侧的边框区域。在多个像素设置有多个光电转换元件。在边框区域设置有除电用孔。像素区域和边框区域的一部分被绝缘膜覆盖，除电用孔贯通绝缘膜。除电配线以包围像素区域的方式设置于边框区域，除电配线的表面在除电用孔内露出。

Description

有源矩阵基板及其检查方法
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板及其检查方法。
背景技术
拍摄X射线的摄像面板所使用的有源矩阵基板在形成于基板的多个像素中的每一个像素具备光电转换元件。例如，在特开2006-032385号公报中公开了降低暗电流的固体拍摄装置。该固体拍摄装置具有形成在p型半导体基板内的n型的阱区、以及在n型的阱区内二维排列有光电二极管的像素排列区域。在像素排列区域的外侧形成有被供应基准电压的多个阱接触部、以及设置为包围像素排列区域的外周的暗电流吸入区域。多个阱接触部为p型的阱接触部，并以包围暗电流吸入区域的方式分散地配置。虽然像素排列区域内的阱电位的分布不会因为p型的阱接触部而出现偏集，但暗电流会从p型的阱接触部扩散。因此，暗电流吸入区域以包围像素排列区域的外周的方式设置，并且在像素排列区域与p型的阱接触部之间施加成为反偏置的电压。由此，从p型的阱接触部向光电二极管扩散的暗电流被吸收到暗电流吸入区域。
发明内容
发明要解决的问题
然而，在制造有源矩阵基板的过程中，有源矩阵基板的表面上会附着分子级的污垢。因此，要进行用清洗水来清洗有源矩阵基板的表面的处理。或者，在有源矩阵基板制造工序完成后的基板截断工序中，为了除去分子级的污垢、玻璃碎片(Glass cullet)而进行用清洗水来清洗的处理。在清洗有源矩阵基板的工序中，向有源矩阵基板喷射清洗水之后，一边搬运有源矩阵基板，一边通过气刀使有源矩阵基板干燥。在有源矩阵基板通过气刀时，有源矩阵基板上的清洗水被冲刷到与有源矩阵基板的搬运方向相反的一侧。在有源矩阵基板由于静电等而带电的情况下，有源矩阵基板上的清洗水也会带电。因此，清洗水的电荷集中到有源矩阵基板上的被气刀冲刷的清洗水容易积存的区域。在设置于清洗水的电荷集中的区域的像素中，光电转换元件的暗电流容易增加。
用于解决问题的方案
鉴于上述问题而完成的有源矩阵基板具备：基板；像素区域，其包含形成在上述基板上的多个像素；多个光电转换元件，其设置于上述多个像素；除电配线，其以包围上述像素区域的方式设置于上述像素区域的外侧的边框区域；绝缘膜，其覆盖上述边框区域的一部分和上述像素区域；以及除电用孔，其在上述边框区域中贯通上述绝缘膜，上述除电配线的表面在上述除电用孔内露出。
发明效果
根据上述构成，能够防止光电转换元件的暗电流的增加。
附图说明
图1是示出第1实施方式中的摄像面板的概略构成的俯视图。
图2是图1所示的摄像面板中的像素的等效电路图。
图3是示出图1所示的保护电路部的构成的示意图。
图4是示出对摄像面板进行清洗的清洗处理装置的一个例子的示意图。
图5是摄像面板中的设置有除电用孔和像素的区域的概略截面图。
图6A是说明摄像面板的制造工序的截面图，是示出形成TFT和除电用配线的工序的截面图。
图6B是示出形成覆盖TFT和除电用配线的无机绝缘膜的工序的截面图。
图6C是示出在图6B的工序后形成平坦化膜的工序的截面图。
图6D是示出在图6C的工序后形成下层数据线、下层下部电极层以及除电用下层配线的工序的截面图。
图6E是示出在图6D的工序后形成无机绝缘膜的工序的截面图。
图6F是示出在图6E所示的下层下部电极上形成无机绝缘膜的开口的工序的截面图。
图6G是示出在图6F的工序后形成上层下部电极、光电转换层、上部电极以及无机绝缘膜的工序的截面图。
图6H是示出在图6G所示的下层数据线和除电用下层配线上形成开口的工序的截面图。
图6I是示出在图6H的工序后形成平坦化膜的工序的截面图。
图6J是示出在图6I的工序后形成上层数据线、偏置配线以及除电用上层配线的工序的截面图。
图6K是示出在图6J的工序后依次形成无机绝缘膜和平坦化膜的工序的截面图。
图6L是示出在图6K的工序后形成无机绝缘膜的工序的截面图。
图7是示出第2实施方式中的摄像面板的概略构成的俯视图。
图8A是示出图7所示的第2数据保护电路部的一部分构成的概略俯视图。
图8B是图8A所示的I-I线处的截面图。
图9是示出第3实施方式中的摄像面板的概略构成的俯视图。
图10A是图9所示的A-A’线、B-B’线以及C-C’线处的各概略截面。
图10B是构成与图10A不同的摄像面板的概略截面图。
图11A是示出变形例(1)中的摄像面板的概略构成的俯视图。
图11B是示出变形例(1)中的摄像面板的概略构成的俯视图，是示出与图11A不同的构成的俯视图。
图12是变形例(2)中的摄像面板的概略截面图。
图13是变形例(4)中的摄像面板的概略俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。对图中相同或相当的部分标注同一附图标记，不重复其说明。
[第1实施方式]
本实施方式的有源矩阵基板例如是用于对X射线进行拍摄的摄像面板所使用的。在本实施方式中，以设置用于将X射线转换为荧光(闪烁光)的闪烁体之前的摄像面板为例进行说明。
(构成)
图1是示出本实施方式中的摄像面板的概略构成的俯视图。如图1所示，摄像面板1具有多个数据线10、以及与多个数据线10交叉的多个栅极线11，并具有包括由数据线10和栅极线11包围的区域(以下，称为像素)的拍摄区域Ra。
在拍摄区域Ra的内侧，以包围拍摄区域Ra的方式配置有偏置配线13。另外，虽然在该图中省略了图示，但在各像素设置有从偏置配线13引出的偏置配线(以下，称为分支偏置配线)。
在拍摄区域Ra的外侧的边框区域Rb，设置有除电用孔14、除电用配线15以及保护电路部16、17。
除电用孔14设置在摄像面板1的一个角。除电用孔14从摄像面板1的表面朝向Z轴负方向侧凹陷。
除电用配线15沿着摄像面板1的外形设置。另外，除电用配线15在设置有除电用孔14的位置上以与除电用孔14在俯视时重叠的方式配置。
保护电路部16是针对多个数据线10而设置的，包含后述的多个数据端子和多个非线性元件。
保护电路部17是针对多个栅极线11而设置的，包含后述的多个栅极端子和多个非线性元件。
接着，说明拍摄区域Ra中的像素的构成。图2是示出像素的构成的等效电路图。如图2所示，像素P具有TFT(Thin Film Transistor；薄膜晶体管)21和光电转换元件22。
光电转换元件22具有PIN光电二极管和一对电极(阴极电极、阳极电极)。TFT21的源极与数据线10连接，TFT21的漏极与光电转换元件22的阴极电极连接。光电转换元件22的阳极电极经由设置于未图示的绝缘膜的接触孔与从上述的偏置配线13分支的分支偏置配线13a连接。
在该例中，分支偏置配线13a包括与数据线10平行配置的主配线、以及从主配线分支的副配线，光电转换元件22的阳极电极连接到副配线。
虽然在图1和图2中未图示，但摄像面板1会连接驱动电路和读出电路，其中，驱动电路对栅极线11进行扫描，读出电路从数据线10读出由光电转换元件22对闪烁光进行转换而获得的电荷。读出电路对数据线10施加预定的电压。当与由驱动电路扫描的栅极线11连接的TFT21变为导通状态时，与在设置有该TFT21的像素中转换得到的电荷相应的电信号会经由数据线10输出到读出电路。
在此，具体地说明保护电路部16和17的构成。图3是示出保护电路部16和17的构成的示意图。
如图3所示，保护电路部16具有按每条数据线10设置的数据端子161和非线性元件162。多个数据端子161与数据线10的排列方向大致平行地排列。
数据端子161连接到在边框区域Rb中延伸的数据线10、以及非线性元件162。
非线性元件162包括二极管、TFT等。非线性元件162以从除电用配线15去往数据端子161的方向成为正向的方式连接到除电用配线15与数据端子161之间。
另外，如图3所示，保护电路部17具有按每条栅极线11设置的栅极端子171和非线性元件172。多个栅极端子171与栅极线11的排列方向大致平行地排列。
栅极端子171连接到在边框区域Rb中延伸的栅极线11、以及非线性元件172。
非线性元件172以从所连接的栅极端子171去往非线性元件172的方向成为正向的方式配置。另外，非线性元件172的阳极连接到与该非线性元件172相邻的另一非线性元件172的阴极。不过，多个非线性元件172中的设置于两端的非线性元件172的阴极为浮动状态。
在制造过程中检查摄像面板1是否能够适当地进行拍摄(拍摄检查)。在拍摄检查中，当扫描栅极线11时，经由栅极端子171对栅极线11施加例如+20V左右的扫描电压，在非扫描时，经由栅极端子171对栅极线11施加例如-10V左右的非扫描电压。另外，经由数据端子161对数据线10施加例如1V左右的数据电压。并且，对偏置配线13施加例如-6V左右的偏置电压。在该状态下，非线性元件162和非线性元件172为反偏置状态。当负静电进入了数据线10时，非线性元件162变为正偏置状态，静电会流过除电用配线15。另外，在比非扫描电压小的负静电进入了栅极线11的情况下，针对与该栅极线11相邻的栅极线11而设置的非线性元件172变为正偏置，静电被分散到栅极线11。
另外，在制造过程中，进行对摄像面板1的表面进行清洗的处理。图4是示出清洗处理装置的一个例子的示意图。以下，参照图4来说明摄像面板1的清洗工序。
清洗处理装置200依次执行摄像面板1的位置对准工序、清洗水喷射工序以及干燥工序。清洗处理装置200通过驱动从搬运入口200a设置到搬运出口200b为止的搬运辊210来对摄像面板1进行搬运。在位置对准工序中，通过位置对准夹具212调整摄像面板1的位置。调整了位置后的摄像面板1被送至清洗水喷射工序，从装配于清洗处理装置200的上表面的淋洗喷嘴214被喷射清洗水。在被喷射了清洗水之后，摄像面板1被送至干燥工序，通过设置在搬运辊210上的气刀216清除掉附着于摄像面板1的清洗水。摄像面板1在由气刀216干燥之后，被送至搬运出口200b。
如图4所示，气刀216是在以与摄像面板1的搬运方向正交的方向为长边方向的矩形形状的柄部设置送风机而构成的。气刀216的长边方向上的一个端部216f(以下，称为第1端部)相对于搬运辊210的表面大致水平地配置，而另一个端部216s(以下，称为第2端部)配置于比第1端部216f靠上方。因此，气刀216的第1端部216f侧比第2端部216s侧对摄像面板1的表面的按压力强，摄像面板1上的清洗水被推出到第1端部216f侧的摄像面板1的一个角(虚线框C)。若在进行清洗时摄像面板1由于静电而带有电，则与摄像面板1接触的清洗水也会带电，清洗水的电荷会偏集地向被冲刷后的清洗水积存的区域附着。
如图1所示，在摄像面板1的一个角设置有除电用孔14。在搬运摄像面板1时，以使除电用孔14的位置朝向搬运方向处于后方侧并且处于气刀216的第1端部216f侧的方式来搬运摄像面板1。因此，被气刀216推出的清洗水容易流入除电用孔14。
在此，具体地说明摄像面板1中的设置有像素P和除电用孔14的区域的截面结构。图5是摄像面板1中设置有除电用孔14的区域(区域Rb_c)和像素P的概略截面图。
如图5所示，在玻璃等的基板100上，在形成有像素P的区域设置有栅极电极21a。栅极电极21a例如具有从下层依次层叠有包括氮化钽(TaN)的金属膜和包括钨(W)的金属膜的层叠结构。在该例中，栅极电极21a的膜厚从下层的金属膜起依次为30nm左右和300nm左右。不过，栅极电极21a的材料和膜厚不限于此。
另外，在像素P和区域Rb_c设置有栅极绝缘膜101，以在像素P中覆盖栅极电极21a。栅极绝缘膜101例如具有从下层依次层叠有包括氮化硅(SiNx)的无机绝缘膜和包括氧化硅(SiO2)的无机绝缘膜的层叠结构。在该例中，栅极绝缘膜101的膜厚从下层的无机绝缘膜起依次为325nm左右和10nm左右。不过，栅极绝缘膜101的材料和膜厚不限于此。
在栅极绝缘膜101上，在像素P设置有氧化物半导体21b。氧化物半导体21b包括分别按预定的比率含有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)以及氧(O2)的氧化物半导体层。氧化物半导体21b的膜厚为100nm左右。此外，氧化物半导体21b的材料和膜厚不限于此。
另外，在像素P中，在栅极绝缘膜101上设置有将氧化物半导体21b的一部分覆盖的源极电极21c和漏极电极21d。另外，在区域Rb_c中，在栅极绝缘膜101上设置有除电用配线15。除电用配线15为本实施方式中的除电配线的第1配线层的一个例子。
以下，将设置有源极电极21c及漏极电极21d与除电用配线15的层称为源极/漏极层。在该例中，源极/漏极层例如具有从下层依次层叠有钛(Ti)、铝(Al)以及钛(Ti)的各金属膜的层叠结构。源极/漏极层SD的各金属膜的膜厚从下层的金属膜起依次为30nm左右、400nm左右以及50nm左右。此外，源极/漏极层的材料和膜厚不限于此。
在像素P和区域Rb_c中，在源极/漏极层上设置有无机绝缘膜102，在无机绝缘膜102上设置有平坦膜103。在像素P中，分别在俯视时与源极电极21c和漏极电极21d重叠的位置形成有贯通无机绝缘膜102和平坦化膜103的接触孔CH1、CH2。另外，在区域Rb_c中，在俯视时与除电用配线15重叠的位置形成有贯通无机绝缘膜102和平坦化膜103的接触孔CH3。
在该例中，无机绝缘膜102例如具有从下层依次层叠包括氧化硅(SiO2)的无机绝缘膜和包括氮化硅(SiNx)的无机绝缘膜的层叠结构。无机绝缘膜102的膜厚从下层的无机绝缘膜起依次为500nm左右和150nm左右。此外，无机绝缘膜102的材料和膜厚不限于此。
另外，在该例中，平坦化膜103包括感光性丙烯酸树脂，平坦化膜103的膜厚为2.5μm左右。此外，平坦化膜103的材料和膜厚不限于此。
在像素P中，在平坦化膜103上设置有下层下部电极221a和下层数据线221b。下层下部电极221a为光电二极管22的阴极电极的一部分。下层下部电极221a经由接触孔CH2与漏极电极21d连接。下层数据线221b经由接触孔CH1与源极电极21c连接。另外，在区域Rb_c中，在平坦化膜103上设置有除电用下层配线221c。除电用下层配线221c经由接触孔CH3与除电用配线15连接。以下，将设置有下层下部电极221a、下层数据线221b以及除电用下层配线221c的层称为阴极电极层。
阴极电极层例如具有从下层依次层叠有钛(Ti)、铝(Al)以及钛(Ti)的各金属膜的层叠结构。阴极电极层的膜厚从下层的金属膜起依次为30nm左右、300nm左右以及100nm左右。此外，阴极电极层的材料和膜厚不限于此。
在像素P和区域Rb_c中，在平坦化膜103上设置有将阴极电极层的一部分覆盖的无机绝缘膜104。
在像素P中，在下层下部电极221a上设置有上层下部电极222。上层下部电极222经由下层下部电极221a与漏极电极21d连接。在本实施方式中，上层下部电极222和下层下部电极221a作为光电二极管22的阴极电极发挥功能。上层下部电极222例如由包括钛(Ti)的金属膜构成，其膜厚为30nm左右。此外，上层下部电极222的材料和膜厚不限于此。
另外，在像素P中，在上层下部电极222上依次层叠有n型非晶质半导体层223n、本征非晶质半导体层223i以及p型非晶质半导体层223p作为光电二极管22的光电转换层。n型非晶质半导体层223n包括掺杂了n型杂质(例如，磷)的非晶硅。本征非晶质半导体层223i包括本征的非晶硅。p型非晶质半导体层223p包括掺杂了p型杂质(例如，硼)的非晶硅。n型非晶质半导体层223n、本征非晶质半导体层223i以及p型非晶质半导体层223p的膜厚分别为10nm左右、1200nm左右以及10nm左右。此外，n型非晶质半导体层223n、本征非晶质半导体层223i以及p型非晶质半导体层223p的材料和膜厚不限于此。
在像素P中，在p型非晶质半导体层223p上设置有作为阳极电极的上部电极224。上部电极224例如由包括铟锡氧化物(ITO)的透明导电膜构成，上部电极224的膜厚为60nm左右。此外，上部电极224的材料和膜厚不限于此。
在像素P中，在无机绝缘膜104和光电二极管22上设置有无机绝缘膜105，在无机绝缘膜105上设置有平坦化膜106。另外，在区域Rb_c中，在无机绝缘膜104上设置有无机绝缘膜105，在无机绝缘膜105上设置有平坦化膜106。
分别在俯视时与下层数据线221b、上部电极224以及除电用下层配线221c重叠的位置设置有接触孔CH12、CH22以及CH23。接触孔CH12和CH22各自贯通无机绝缘膜104、105以及平坦化膜106。接触孔CH23贯通无机绝缘膜105和平坦化膜106。
无机绝缘膜105例如由包括氮化硅(SiNx)的无机绝缘膜构成，无机绝缘膜105的膜厚为300nm左右。此外，无机绝缘膜105的材料和膜厚不限于此。平坦化膜106例如包括感光性丙烯酸树脂，平坦化膜103的膜厚为2.5μm左右。此外，平坦化膜103的材料和膜厚不限于此。
在像素P和区域Rb_c中，在平坦化膜106上设置有上层数据线131、偏置配线13以及除电用上层配线132。以下，将设置有上层数据线131、偏置配线13以及除电用上层配线132的层称为偏置配线层。
由上层数据线13和下层数据线221b形成了数据线10。上层数据线131经由接触孔CH12与下层数据线221b连接。另外，除电用上层配线132经由接触孔CH23与除电用下层配线221c连接。除电用上层配线132和除电用下层配线221c为本实施方式中的除电配线的第2配线层的一个例子。
偏置配线层例如具有从下层依次层叠有将钛(Ti)、铝(Al)以及钛(Ti)的各金属膜层叠而成的层叠金属膜和包括铟锡氧化物(ITO)的透明导电膜的层叠结构。偏置配线层的层叠金属膜和透明导电膜的膜厚从下层起依次为60nm左右、600nm左右、50nm左右以及100nm左右。此外，偏置配线层的材料和膜厚不限于此。
在像素P和区域Rb_c中，在平坦化膜106上设置有无机绝缘膜107，在无机绝缘膜107上设置有平坦化膜108。另外，在平坦化膜108上设置有无机绝缘膜109。在区域Rb_c中，在俯视时与除电用上层配线132重叠的位置设置有贯通无机绝缘膜107、平坦化膜108以及无机绝缘膜109的除电用孔14。在除电用孔14的内侧，除电用上层配线132的表面露出。
无机绝缘膜107在该例中例如由包括氮化硅(SiNx)的无机绝缘膜构成，无机绝缘膜107的膜厚为400nm左右。平坦化膜108在该例中例如包括感光性丙烯酸树脂，平坦化膜108的膜厚为3.0μm左右。另外，无机绝缘膜109在该例中例如由包括氮化硅(SiNx)的无机绝缘膜构成，无机绝缘膜109的膜厚为150nm左右。此外，无机绝缘膜107、平坦化膜108以及无机绝缘膜109各自的材料和膜厚不限于上述。
在摄像面板1的清洗工序中，如果带有正电的清洗水与除电用孔14接触而电荷进入了除电用孔14，则清洗水的电荷会被来自除电用上层配线132、除电用下层配线221c以及除电用配线15的电子抵消。另外，如果带有负电的清洗水与除电用孔14接触而电荷进入了除电用孔14，则清洗水的电荷会扩散到除电用上层配线132、除电用下层配线221c以及除电用配线15。
另外，除电用配线15在摄像面板1的清洗工序后，被设定为作为预定的基准电位的接地电位(0v)。由此，由于清洗水的电荷而带电的除电用上层配线132、除电用下层配线221c以及除电用配线15被除电。其结果是，清洗水的电荷不会偏集于摄像面板1的一个角，能够防止摄像面板1的一个角的周边的像素中的光电二极管261的暗电流的增加。
接着，说明摄像面板1的制造方法。图6A～6H是示出制作上述的图5的像素P和区域Rb_c的工序的截面图。
首先，在基板100上的像素P的区域形成TFT21，并且在区域Rb_c形成除电用配线15(参照图6A)。
具体地说，在基板100上，例如通过溅射法依次形成包括氮化钽(TaN)的金属膜和包括钨(W)的金属膜。然后，进行光刻法和干式蚀刻，将层叠的金属膜图案化。由此，在像素P形成TFT21的栅极21a。
之后，例如通过CVD(Chemical Vapor Deposition；化学气相沉积)法，依次形成氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)作为无机绝缘膜。由此，覆盖栅极21a的栅极绝缘膜1102被形成于像素P和区域Rb_c。
接着，例如通过溅射法形成分别按预定的比率含有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)以及氧(O2)的氧化物半导体。然后，进行光刻法和干式蚀刻，将氧化物半导体图案化。由此，在像素P中形成在俯视时与栅极电极21a重叠的半导体层21b。
之后，例如通过溅射法依次层叠钛(Ti)、铝(Al)以及钛(Ti)的各金属膜，并进行光刻法和干式蚀刻，将层叠的金属膜图案化。由此，在像素P中，在半导体层21b上形成源极21c和漏极21d，形成TFT21。另外，在区域Rb_c中，在栅极绝缘膜102上形成除电用配线15。
然后，例如通过CVD法使作为无机绝缘膜的氧化硅(SiO2)成膜。由此，形成覆盖像素P中的源极电极21c、漏极电极21d以及氧化物半导体21b的表面并且覆盖区域Rb_c中的除电用配线15的表面的无机绝缘膜102。
接着，进行光刻法和干式蚀刻，将无机绝缘膜102图案化(参照图6B)。由此，在像素P中，分别在漏极电极21d和源极电极21c之上形成开口102a、102b。另外，在区域Rb_c中，在除电用配线15上形成开口102c。
接下来，例如使用狭缝涂布法在无机绝缘膜102上形成包括感光性丙烯酸树脂的平坦化膜103，使用光刻法除去在俯视时与无机绝缘膜102的开口102a～102c(图6B)分别重叠的位置处的平坦化膜103(参照图6C)。由此，在像素P中形成贯通平坦化膜103和无机绝缘膜102的接触孔CH1、CH2，在区域Rb_c中形成贯通平坦化膜103和无机绝缘膜102的接触孔CH3。
之后，例如通过溅射法在平坦化膜103上依次层叠钛(Ti)、铝(Al)以及钛(Ti)。然后，进行光刻法和干式蚀刻，将层叠的金属膜图案化(参照图6D)。由此，在像素P中，形成经由接触孔CH1与源极电极21c连接的下层数据线221b、以及经由接触孔CH2与漏极电极21d连接的下层下部电极层221a。另外，在区域Rb_c中，形成经由接触孔CH3与除电用配线15连接的除电用下层配线221c。
接着，例如通过CVD法形成包括氮化硅(SiN)的无机绝缘膜(参照图6E)。由此，在像素P和区域Rb_c中的平坦化膜103上，形成覆盖下层下部电极221a、下层数据线221b以及除电用下层配线221c的无机绝缘膜104。
之后，进行光刻和干式蚀刻，将无机绝缘膜104图案化(参照图6F)。由此，在下层下部电极221a上形成无机绝缘膜104的开口104a，在下层数据线221b上形成无机绝缘膜104的开口104b，在除电用下层配线221c上形成无机绝缘膜104的开口104c。
接下来，形成上层下部电极222、光电转换层(223n、223i、223p)、上部电极224以及无机绝缘膜105(参照图6G)。具体地说，在通过例如溅射法从无机绝缘膜104之上形成包括钛(Ti)的金属膜后，进行光刻法和干式蚀刻，从而形成上层下部电极222。在形成上层下部电极222后，例如使用CVD法依次使n型非晶质半导体层223n、本征非晶质半导体层223i以及p型非晶质半导体层223p成膜而作为光电转换层。在通过例如溅射法从p型非晶质半导体层223p之上使铟锡氧化物(ITO)成膜后，进行光刻法和湿式蚀刻，从而形成上部电极224。在形成上部电极224后，进行光刻法和干式蚀刻，将光电转换层(223n、223i、223p)图案化。由此，形成光电二极管22。使用例如CVD法，以覆盖光电二极管22的方式使氮化硅(SiNx)成膜，从而形成无机绝缘膜105。
之后，例如进行光刻法和干式蚀刻，将无机绝缘膜105图案化(参照图6H)。由此，在像素P中，在上部电极224上形成无机绝缘膜105的开口105a，并且形成贯通下层数据线221b上的无机绝缘膜105的开口105b，形成包括开口104b和105b的接触孔ch11。另外，在区域Rb_c中，形成贯通除电用下层配线221c上的无机绝缘膜105的开口105c，形成包括开口104c和105c的接触孔ch31。
接下来，例如使用狭缝涂布法，从无机绝缘膜105之上形成包括感光性丙烯酸树脂的平坦化膜106。然后，使用光刻法除去在俯视时与图6H中的开口105a以及接触孔ch11、ch31重叠的位置处的平坦化膜106(参照图6I)。由此，在像素P中，分别在下层数据线221b和上部电极224之上形成接触孔CH12和接触孔CH22。另外，在区域Rb_c中，在除电用下层配线221c上形成接触孔CH23。
之后，在像素P中的平坦化膜106上形成上层数据线131和偏置配线13，并且在区域Rb_c中的平坦化膜106上形成除电用上层配线132(参照图6J)。具体地说，在平坦化膜106上，例如使用溅射法依次形成钛(Ti)、铝(Al)以及钛(Ti)的各金属膜，之后进行光刻法和干式蚀刻。由此，同时形成上层数据线131、偏置配线13以及除电用上层配线132。上层数据线131经由接触孔CH12与下层数据线221b连接，而形成包括下层数据线221b和上层数据线131的数据线10。偏置配线13经由接触孔CH22与上部电极224连接。另外，除电用上层配线132在接触孔CH23中与除电用下层配线221c连接。
接着，依次形成无机绝缘膜107和平坦化膜108(参照图6K)。通过例如CVD法在偏置配线层上使氮化硅(SiNx)成膜之后，进行光刻法和干式蚀刻，从而形成无机绝缘膜106。通过例如狭缝涂布法在无机绝缘膜107上使感光性丙烯酸树脂成膜之后，使用光刻法除去感光性丙烯酸树脂的一部分，从而形成平坦化膜108。由此，在区域Rb_c中，在除电用上层配线132上形成贯通平坦化膜108和无机绝缘膜106的接触孔CH33。
接下来，例如通过CVD法，从平坦化膜108之上形成包括氮化硅(SiNx)的无机绝缘膜。然后，进行光刻法和干式蚀刻，将无机绝缘膜图案化(参照图6L)。由此，在像素P中，在平坦化膜108上形成无机绝缘膜109。另外，在区域Rb_c中，在除了图6K中的接触孔CH33以外的平坦化膜108上形成无机绝缘膜109，在与接触孔CH33重叠的位置形成无机绝缘膜109的开口。其结果是，形成包括接触孔CH33和开口109a的除电用孔14，制作出摄像面板1。
如上所述，在形成TFT21的源极电极21c及漏极电极21d的同时形成除电用配线15。除电用下层配线221c与下层下部电极221a及下层数据线221b同时形成。另外，除电用上层配线132与偏置配线13及上层数据线131同时形成。这样，在形成像素P中的TFT21或偏置配线13的工序中制作除电用配线15、除电用下层配线221c以及除电用上层配线132。也就是说，无需另外设置用于制作对流入除电用孔14的清洗水的电荷进行除电的除电用配线15、除电用下层配线221c以及除电用上层配线132的工序。因此，不会增加摄像面板1的制造工序，并能够防止向摄像面板1附着的清洗水的电荷的偏集，能够防止由于清洗水的电荷而导致光电二极管261的暗电流增加。
[第2实施方式]
在第2实施方式中，说明用于防止向摄像面板附着的清洗水的电荷的偏集的结构与第1实施方式不同的摄像面板。图7是本实施方式中的摄像面板的概略俯视图。在图7中，对与第1实施方式同样的构成标注与第1实施方式相同的附图标记。以下，说明与第1实施方式不同的结构。
如图7所示，在摄像面板1A中，与第1实施方式相同的保护电路部16、17各具备2个。以下，将2个保护电路部16中的一个保护电路部16称为第1数据保护电路部16A，将另一个保护电路部16称为第2数据保护电路部16B。另外，将2个保护电路部17中的一个保护电路部17称为第1栅极保护电路部17A，另一个保护电路部17称为第2栅极保护电路部17B。
第1数据保护电路部16A与第2数据保护电路部16B隔着拍摄区域Ra相对配置。第1栅极保护电路部17A与第2栅极保护电路部17B隔着拍摄区域Ra相对配置。
除电用配线15在设置有第1栅极保护电路部17A和第2栅极保护电路部17B的边框区域中沿着摄像面板1A的边配置，并连接到第1数据保护电路部16A和第2数据保护电路部16B。
第1数据保护电路部16A和第2数据保护电路部16B分别与第1实施方式中的保护电路部16同样，按每个数据线10具有数据端子161和非线性元件162(参照图3)。第1栅极保护电路部17A和第2栅极保护电路部17B分别与第1实施方式中的保护电路部17同样，按每个栅极线11具有栅极端子171和非线性元件172(参照图3)。
在摄像面板1A的制造过程中，与上述的第1实施方式同样，为了确认摄像面板1A的动作，经由第1数据保护电路部16A的数据端子161和第1栅极保护电路部17A的栅极端子171分别对数据线10和栅极线11施加预定的电压。第2数据保护电路部16B和第2栅极保护电路部17B被用作第1数据保护电路部16A和第1栅极保护电路部17A的备用的保护电路部。
接着，说明摄像面板1A的清洗工序。在该例中，摄像面板1A以从设置有第1数据保护电路部16A的边框区域侧通过气刀216(参照图4)的方式被搬运。由此，在摄像面板1A通过气刀216时，清洗水被冲刷到设置有第2数据保护电路部16B的边框区域侧。在此，具体地说明第2数据保护电路部16B的构成。
图8A是示出第2数据保护电路部16B中的一部分的俯视图。更具体地说，是示出与一个数据线10连接的一个数据端子161、以及连接到该数据端子161的非线性元件162的概略俯视图。另外，图8B是图8A所示的I-I线处的概略截面图。在图8A和图8B中，对与第1实施方式相同的构成标注与第1实施方式相同的附图标记。
如图8A所示，数据端子161与数据线10之间、以及数据端子161与非线性元件162之间是通过配线180连接的。
在该例中，非线性元件162例如包括n型的TFT。如图8B所示，在基板100上设置有非线性元件162的栅极电极162a，在栅极电极162a上隔着栅极绝缘膜101设置有半导体层162b。在半导体层162b之上设置有分开配置的源极电极162c和漏极电极162d。在栅极电极162a之上形成有栅极绝缘膜101的开口101a，在开口101a中，漏极电极162d与栅极电极162a连接。在制作上述的TFT21的过程中同时制作非线性元件162。
配线180和除电用配线15包括与源极电极162c和漏极电极162d相同的材料。非线性元件162的源极电极162c与配线180形成为一体，非线性元件162的漏极电极162d与除电用配线15形成为一体。
数据端子161包含第1数据端子层161a和第2数据端子层161b。第1数据端子层161a在无机绝缘膜102的开口102a中与配线180连接。在第1数据端子层161a的一部分之上层叠有无机绝缘膜104和105，在开口102a的内侧形成有贯通无机绝缘膜104和105的开口ch15。以在开口ch15中与第1数据端子层161a连接的方式，从无机绝缘膜105之上形成有第2数据端子层161b。在第2数据端子层161b上形成有贯通无机绝缘膜108和109的开口ch16，在开口ch16中，数据端子161的表面露出。
此外，在该例中，第1数据端子层161a包括与上述的下层下部电极221a相同的材料，第2数据端子层161b包括与上述的偏置配线13相同的材料。
另外，下层数据线221b形成在配线180上的、俯视时与数据端子161不重叠的位置。下层数据线221b经由贯通无机绝缘膜102和平坦化膜103的接触孔CH13与配线180连接。
在俯视时与下层数据线221b重叠的位置形成有贯通平坦化膜106、无机绝缘膜105以及无机绝缘膜104的接触孔CH14。上层数据线131经由接触孔CH14与下层数据线221b连接。
与第1实施方式同样地对摄像面板1A进行清洗。如果在第2数据保护电路16B中的数据端子161的表面，带有负电的清洗水与数据端子161的表面接触，则清洗水的电荷会经由非线性元件162扩散到除电用配线15。除电用配线15在摄像面板1A的清洗工序之后，被设定为接地电位。由此，由于清洗水的电荷而带电的除电用配线15的电荷被消除。其结果是，由清洗水所致的电荷不会偏集于第2数据保护电路16B周边的像素，能够防止光电二极管261的暗电流的增加。
[第3实施方式]
在第3实施方式中，说明用于防止由清洗水所致的电荷的偏集的结构与第1及第2实施方式不同的摄像面板。
图9是本实施方式中的摄像面板的概略俯视图。如图9所示，摄像面板1B具备：多个除电用连接配线15a、15b；多个除电电路部26(26a～26d)；以及设置于摄像面板的四个角的4个除电用孔14(14a～14d)。
各除电用孔14(14a～14d)在俯视时与设置于构成设置有该除电用孔14的角的2个边的、一个除电用连接配线15a和一个除电用连接配线15b重叠。
除电电路部26(26a～26d)在边框区域Rb中配置于摄像面板1B的各边。除电电路部26a～26d各自包含多个光电二极管(以下，称为除电用光电二极管)261。以下，在对除电电路部26a～26d中的除电用光电二极管261进行区分时，将其称为除电用光电二极管261a～261d。
在该例中，在边框区域Rb中的一个边，俯视时与相互不同的除电用孔14重叠的2个除电用连接配线15a(15a_1、15a_2)或者2个除电用连接配线15b(15b_1、15b_2)是独立地设置的。具体地说，例如，在设置有除电电路部26a的一边，设置有俯视时与除电用孔14c重叠的除电用连接配线15a_1、以及俯视时与除电用孔14a重叠的除电用连接配线15a_2。另外，在设置有除电电路部26c的一边，设置有俯视时与除电用孔14c重叠的除电用连接配线15b_1、以及俯视时与除电用孔14d重叠的除电用连接配线15b_2。在设置有除电电路部26d的一边，设置有俯视时与除电用孔14b重叠的除电用连接配线15a_1、以及俯视时与除电用孔14d重叠的除电用连接配线15a_2。另外，在设置有除电电路部26b的一边，设置有俯视时与除电用孔14a重叠的除电用连接配线15a_1、以及俯视时与除电用孔14b重叠的除电用连接配线15a_2。
除电用光电二极管261与除电用连接配线15a和15b中的任意一个除电用连接配线连接。例如，除电电路部26a和除电电路部26d中的除电用光电二极管261与除电用连接配线15a_1和15a_2中的任意一个除电用连接配线连接，另外，除电电路部26b和除电电路部26c中的除电用光电二极管261与除电用连接配线15b_1和15b_2中的任意一个除电用连接配线连接。
将除电用光电二极管261a～261d中的、与除电用连接配线15a_1连接的除电用光电二极管261称为除电用光电二极管261a_1、261b_1、261c_1、261d_1，与除电用连接配线15a_2连接的除电用光电二极管261称为除电用光电二极管261a_2、261b_2、261c_2、261d_2。
此外，除电用光电二极管261的结构与光电二极管22(参照图5等)是相同的，并且与制作光电二极管22的工序同时制作。以下，具体地说明除电用连接配线15a或15b与除电用光电二极管261的连接。
图10A示出图9所示的A-A’线、B-B’线以及C-C’线处的各概略截面。在图10A中，对与第1实施方式相同的构成标注与第1实施方式相同的附图标记。以下，虽然以除电用孔14c、除电电路部26a以及除电电路部26c的结构为例进行说明，但其它除电用孔也具有与除电用孔14c相同的结构。另外，除电电路部26b具有与除电电路部26c相同的构成，除电电路部26d具有与除电电路部26a相同的构成。
如图10A所示，除电电路部26a中的除电用光电二极管261a_1、261a_2的下层下部电极221a(阴极)分别与除电用连接配线15a_1、15a_2连接。除电电路部26c中的除电用光电二极管261c_1、261c_2的上部电极224(阳极)分别与除电用连接配线15b_1、15b_2连接。
除电用连接配线15b_1、15b_2包括与偏置配线13相同的材料，除电用连接配线15b_1、15b_2与除电用上层配线132形成为一体。另外，除电用连接配线15a_1、15b_2包括与源极电极21c及漏极电极21d相同的材料，并且与制作源极电极21c和漏极电极21d的工序同时制作。
也就是说，图9所示的各除电电路部26a～26d中的、除电电路部26a、26d的除电用光电二极管261的阴极与除电用连接配线15a(15a_1、15a_2)连接。另外，除电电路部26b、26c的除电用光电二极管261的阳极与除电用连接配线15b(15b_1、15b_2)连接。
在图10A中，如果带有正电的清洗水流入了除电用孔14c，则清洗水的电荷会经由除电用上层配线132、除电用下层配线221c以及除电用连接配线15a_1而被来自除电用光电二极管261a_1中的n型非晶质半导体层223n的电子抵消。另外，如果带有负电的清洗水流入了除电用孔14，则清洗水的电荷会经由除电用连接配线15b扩散到除电用光电二极管261c_1中的p型非晶质半导体层223p。
在本实施方式中，在摄像面板1B的四个角设置有除电用孔14a～14d，因此，无论在摄像面板1B通过气刀216时的摄像面板1B的朝向如何，清洗水都会流入任意一个除电用孔中。另外，无论带有正电或带有负电的清洗水流入哪一个除电用孔中，都能够经由在俯视时与除电用孔重叠的除电用连接配线15a和15b中的任意一个除电用连接配线，通过除电用光电二极管261将清洗水的电荷除去。因此，由清洗水所致的电荷不会偏集于摄像面板1B的一个角，能够防止像素内的光电二极管22的暗电流的增加。
此外，除电电路部26的构成不限于第3实施方式的构成。除电用孔14只要设置于摄像面板1B的至少1个角即可。另外，只要在构成设置有1个除电用孔14的角的2个边，俯视时与除电用孔14重叠的除电用连接配线15a和15b各设置有1个，并设置有阴极与除电用连接配线15a连接的除电用光电二极管261、以及阳极与除电用连接配线15b连接的除电用光电二极管261即可。
此外，在图9的例子中，也可以在1个除电电路部26中，将分别连接到相互不同的2个除电用连接配线15a_1、15a_2、或者除电用连接配线15b_1、15b_2的2个除电用光电二极管261连接。具体地说，例如，如图10B所示，可以通过中继配线133将除电用光电二极管261a_1与261a_2彼此的上部电极224连接。另外，如图10B所示，也可以通过中继配线151将除电用光电二极管261c_1与261c_2彼此的下层下部电极221a连接。中继配线133可以由与偏置配线13相同的材料形成，中继配线151可以由与源极电极21c及漏极电极21d相同的材料形成。
以上，虽然说明了本发明的实施方式，但上述的实施方式只是用于实施本发明的例示。因而，本发明不限于上述的实施方式，能在不脱离其宗旨的范围内适当地进行变形来实施上述的实施方式。以下，说明本发明的变形例。
(1)虽然在第1实施方式中说明了除电用孔14仅在摄像面板1的一个角设置有1个的例子，但除电用孔14的数量不限于此。也可以如图11A(俯视图)所示，在摄像面板1上，在相邻的2个角部设置有除电用孔14，还可以如图11B所示，在摄像面板1上的所有角部设置有除电用孔14。此外，在这种情况下，也与第1实施方式同样，以在俯视时与各除电用孔14重叠的方式层叠除电用下层配线221c和除电用上层配线132，将除电用下层配线221和除电用配线15连接。通过设置多个除电用孔14，与除电用孔14为1个的情况相比，对摄像面板进行搬运时的位置调整变得容易，并且，清洗水的电荷不易在摄像面板上出现偏集。
(2)在第2实施方式中，例如，如图12所示，也可以与第1实施方式同样，在俯视时与除电用配线15重叠的位置设置除电用孔14、除电用上层配线132以及除电用下层配线221c。通过这样构成，摄像面板上的清洗水的电荷的偏集进一步降低。
(3)在上述的第1和第2实施方式中说明了除电用配线15被设定为接地电位的例子。通过将接地电位设定到除电用配线15，能够更可靠地消除由于清洗水的电荷而带电的除电用配线15的电荷。然而，即使是除电用配线15不被设定为接地电位的状态，由清洗水所致的电荷也会扩散到除电用配线15，或者被来自除电用配线15的电子抵消。其结果是，清洗水的电荷不易在摄像面板上出现偏集，光电二极管261的暗电流的增加在一定程度上得以防止。因此，在上述的摄像面板1、1A中，除电用配线15也可以不被设定为接地电位。
(4)在上述的第2实施方式中，虽然在带有负电的清洗水与数据端子161接触的情况下能够消除清洗水的电荷，但在带有正电的清洗水与数据端子161接触的情况下，非线性元件162成为反偏置，无法进行除电。为了使得无论带有正电还是带有负电的清洗水与数据端子161接触都能消除清洗水的电荷，如图13所示，优选将非线性元件1621和1622以彼此方向相反的方式并联连接到数据端子161与除电用配线15之间。通过这样构成，在带有正电的清洗水与数据端子161接触的情况下，清洗水的电荷经由非线性元件1622被来自除电用配线15的电子抵消。另外，在带有负电的清洗水与数据端子161接触的情况下，清洗水的电荷经由非线性元件1621向除电用配线15扩散。
另外，如图13所示，也可以将非线性元件1721和1722以彼此方向相反的方式并联连接到栅极端子171与除电用配线15之间。通过这样构成，在正静电进入了栅极线11的情况下，静电经由非线性元件1721被来自除电用配线15的电子抵消，在负静电进入了栅极线11的情况下，能够经由非线性元件1722将静电释放到除电用配线15。
(5)在上述的第2实施方式中，说明了第1数据保护电路16A和16B的各数据端子161与非线性元件162连接且非线性元件162与除电用配线15连接的例子。然而，也可以是第1数据保护电路16A和16B中的至少一方不包含非线性元件162，数据端子161与除电用配线15直接连接。
(6)在上述的第1实施方式中，设置除电用孔14的位置不限于摄像面板1的角，只要设置于摄像面板1中的边框区域即可。
应用于上述的摄像面板的有源矩阵基板能够说明如下。
第1构成的有源矩阵基板具备：基板；像素区域，其包含形成在上述基板上的多个像素；多个光电转换元件，其设置于上述多个像素；除电配线，其以包围上述像素区域的方式设置于上述像素区域的外侧的边框区域；绝缘膜，其覆盖上述边框区域的一部分和上述像素区域；以及除电用孔，其在上述边框区域中贯通上述绝缘膜，上述除电配线的表面在上述除电用孔内露出。
根据第1构成，在像素区域的各像素设置有光电转换元件，在边框区域设置有除电用孔和除电配线。边框区域的一部分和像素区域被绝缘膜覆盖。除电用孔贯通绝缘膜，在除电用孔内，除电配线的表面露出。在有源矩阵基板的制造过程中，如果在有源矩阵基板带电的状态下对其进行清洗，则与有源矩阵基板接触的清洗水会带电。在清洗水带有负电的情况下，如果清洗水流入除电用孔，则清洗水的电荷会扩散到除电配线。另外，在清洗水带有正电的情况下，清洗水的电荷被来自除电配线的电子抵消。因此，清洗水的电荷不会偏集于除电用孔周边的像素，能够防止光电转换元件的暗电流增加。
也可以是，在第1构成中，上述除电配线包含：第1配线层，其包围上述像素区域；以及第2配线层，其在俯视时与上述除电用孔重叠，并与上述第1配线层连接，上述第2配线层的表面在上述除电用孔内露出(第2构成)。
根据第2构成，在与第2配线层接触的清洗水带有负电的情况下，清洗水的电荷扩散到设置在像素区域的周围的第1配线层，在清洗水正带电的情况下，清洗水的电荷被来自第1配线层的电子抵消。
也可以是，在第1或第2构成中，还包含：多个数据线；以及多个数据端子，其与上述多个数据线的一个端部连接，上述多个数据端子与上述除电配线连接(第3构成)。
根据第3构成，在清洗有源矩阵基板时，清洗水在除电用孔内及数据端子上流过。在清洗水带有负电的情况下，电荷从数据端子和除电用孔扩散到除电配线。在清洗水带有正电的情况下，除电用孔内及数据端子上的清洗水的电荷被来自除电配线的电子抵消。因此，由清洗水所致的电荷不易在有源矩阵基板上出现偏集，能够防止光电转换元件的暗电流增加。
也可以是，在第1至第3构成中的任意一个构成中，在上述边框区域中，在上述基板上的至少1个角设置有上述除电用孔(第4构成)。
根据第4构成，在清洗水容易积存到有源矩阵基板上的角的情况下，清洗水的电荷不易偏集于有源矩阵基板上的角周边的像素，能够防止这些像素中的光电转换元件的暗电流增加。
也可以是，在第1构成中，还具备：第1除电用配线和第2除电用配线，在上述边框区域中，上述第1除电用配线设置于构成设置有上述除电用孔的角的2个边中的一个边，上述第2除电用配线设置于上述2个边中的另一个边；第1除电用光电转换元件，其设置于上述边框区域中的上述一个边，具有与上述第1除电用配线连接的阳极；以及第2除电用光电转换元件，其设置于上述边框区域中的上述另一个边，具有与上述第2除电用配线连接的阴极，上述第1除电用配线的表面在上述除电用孔中露出，上述第2除电用配线在上述除电用孔中与上述第1除电用配线电连接(第5构成)。
根据第5构成，在边框区域中，在构成设置有除电用孔的角的2个边，设置有第1除电用配线和第2除电用配线。在边框区域中，在设置有第1除电用配线的边设置有第1除电用光电转换元件，第1除电用配线与其阳极连接。并且，在边框区域中，在设置有第2除电用配线的边设置有第2除电用光电转换元件，其阴极与第2除电用配线连接。在除电用孔中，第1除电用配线的表面露出，第2除电用配线与第1除电用配线电连接。因此，在有源矩阵基板的清洗工序中，在带有正电的清洗水流到除电用孔中的情况下，清洗水的电荷经由第1除电用配线和第2除电用配线被来自第2除电用光电转换元件的阴极的电子抵消。另外，在带有负电的清洗水流到除电用孔中的情况下，清洗水的电荷经由第1除电用配线扩散到第1除电用光电转换元件的阳极。其结果是，清洗水的电荷不会偏集于有源矩阵基板上的至少一个角，能够防止该角周边的像素中的光电转换元件的暗电流增加。
也可以是，在第5构成中，上述第1除电用光电转换元件和上述第2除电用光电转换元件各设置有多个(第6构成)。
根据第6构成，相比于第1和第2除电用光电转换元件各设置有1个的情况，除去带电的清洗水的电荷的能力提高，因此能够进一步降低有源矩阵基板上的清洗水的电荷的偏集。
也可以是，第7构成中的有源矩阵基板具备：基板；像素区域，其包含形成在上述基板上的多个像素；多个光电转换元件，其设置于上述多个像素；多个数据线，其形成在上述基板上；多个第1端子，其在上述像素区域的外侧的边框区域中与上述多个数据线的一个端部连接；除电配线，其以包围上述像素区域的方式设置于上述边框区域，并与上述多个第1端子电连接；以及多个保护元件，其连接到上述多个第1端子中的每一个第1端子与上述除电配线之间，上述多个保护元件中的每一个保护元件包含连接到一个第1端子与上述除电配线之间的第1非线性元件。
根据第7构成，在形成于基板上的像素区域的各像素设置有光电转换元件，并且在基板上设置有多个数据线。在边框区域设置有与多个数据线的一个端部连接的多个第1端子、包围像素区域的除电配线、以及连接到除电配线与第1端子之间的第1非线性元件。因此，在清洗有源矩阵基板时，在与有源矩阵基板接触的清洗水带电的情况下，清洗水带有正极性或负极性的电荷，且清洗水会与第1端子接触。在这种情况下，清洗水的电荷经由第1非线性元件被来自除电配线的电子抵消，或者能够使清洗水的电荷经由第1非线性元件向除电配线扩散。因此，在清洗水容易积存到设置有第1端子的区域的情况下，洗水的电荷不会偏集在该区域，能够防止其周边像素中的光电转换元件的暗电流增加。
也可以是，在第7构成中，上述多个保护元件中的每一个保护元件包含第2非线性元件，上述第2非线性元件与上述第1非线性元件以彼此方向相反的方式并联连接到一个第1端子与上述除电配线之间(第8构成)。
根据第8构成，清洗水的电荷会与电荷的极性相应地经由第1非线性元件和第2非线性元件中的一个非线性元件而被来自除电配线的电子抵消，另外，经由另一个非线性元件扩散到除电配线。因此，相比于仅设置有第1非线性元件的情况，能够进一步降低由于清洗水的电荷的影响而增加的光电转换元件的暗电流。
也可以是，在第7或第8构成中，在上述边框区域中还具备与上述多个数据线的另一个端部连接的多个第2端子，在上述边框区域中，上述多个第2端子与上述除电配线连接(第9构成)。
根据第9构成，在数据线的另一个端部连接有第2端子，第2端子与除电配线连接。因此，在带电的清洗水与第2端子接触的情况下，与第1端子同样，清洗水的电荷也会被除电配线除去。因而，相比于仅设置第1端子的情况，除去清洗水的电荷的能力提高，能够进一步降低有源矩阵基板上的清洗水的电荷的偏集。
一种有源矩阵基板的检查方法，上述有源矩阵基板具备：像素区域，其包含由形成在基板上的多个数据线和多个栅极线规定的多个像素；多个光电转换元件，其设置于上述多个像素，并连接到上述多个数据线；除电配线，其以包围上述像素区域的方式设置于上述像素区域的外侧的边框区域；绝缘膜，其覆盖上述边框区域的一部分和上述像素区域；以及除电用孔，其在上述边框区域中贯通上述绝缘膜，上述除电配线的表面在上述除电用孔内露出，上述检查方法包含：将预定的基准电位设定到上述除电配线的工序；以及对上述多个栅极线进行扫描，从上述多个数据线取得数据信号的工序。(第10的构成)。
根据第10构成，在像素区域的各像素设置有光电转换元件且边框区域设置有除电用孔和除电配线的有源矩阵基板中，像素区域和边框区域的一部分被绝缘膜覆盖。除电用孔贯通绝缘膜，在除电用孔内，除电配线的表面露出。在有源矩阵基板的检查工序之前对有源矩阵基板的表面进行清洗的情况下，如果在有源矩阵基板带电的状态下进行清洗，则与有源矩阵基板接触的清洗水会带电。如果带电的清洗水流到除电用孔中，则除电配线会由于清洗水的电荷而带电。在清洗处理之后，通过将预定的基准电位设定到除电配线，带电的除电配线的电荷被消除。因此，有源矩阵基板中的光电转换元件的暗电流不易由于清洗水的电荷而增加，能够从多个数据线得到适当的数据信号。

Claims (7)

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：
基板；
像素区域，其包含形成在上述基板上的多个像素；
多个光电转换元件，其设置于上述多个像素；
除电配线，其以包围上述像素区域的方式设置于上述像素区域的外侧的边框区域；
绝缘膜，其覆盖上述边框区域的一部分和上述像素区域；以及
除电用孔，其在上述边框区域中贯通上述绝缘膜，
上述除电配线的表面在上述除电用孔内露出，
在上述边框区域中，在上述基板上的至少1个角设置有上述除电用孔，
上述有源矩阵基板还具备：
第1除电用配线和第2除电用配线，在上述边框区域中，上述第1除电用配线设置于构成设置有上述除电用孔的角的2个边中的一个边，上述第2除电用配线设置于上述2个边中的另一个边；
第1除电用光电转换元件，其设置于上述边框区域中的上述一个边，具有与上述第1除电用配线连接的阳极；以及
第2除电用光电转换元件，其设置于上述边框区域中的上述另一个边，具有与上述第2除电用配线连接的阴极，
上述第1除电用配线的表面在上述除电用孔中露出，
上述第2除电用配线在上述除电用孔中与上述第1除电用配线电连接。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述除电配线包含：第1配线层，其包围上述像素区域；以及第2配线层，其在俯视时与上述除电用孔重叠，并与上述第1配线层连接，
上述第2配线层的表面在上述除电用孔内露出。
3.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，还包含：
多个数据线；以及
多个数据端子，其与上述多个数据线的一个端部连接，
上述多个数据端子与上述除电配线连接。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述第1除电用光电转换元件和上述第2除电用光电转换元件各设置有多个。
5.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：
基板；
像素区域，其包含形成在上述基板上的多个像素；
多个光电转换元件，其设置于上述多个像素；
多个数据线，其形成在上述基板上；
多个第1端子，其在上述像素区域的外侧的边框区域中与上述多个数据线的一个端部连接；
除电配线，其以包围上述像素区域的方式设置于上述边框区域，并与上述多个第1端子电连接；以及
多个保护元件，其连接到上述多个第1端子中的每一个第1端子与上述除电配线之间，
上述多个保护元件中的每一个保护元件包含连接到一个第1端子与上述除电配线之间的第1非线性元件，
上述多个保护元件中的每一个保护元件包含第2非线性元件，上述第2非线性元件与上述第1非线性元件以彼此方向相反的方式并联连接到一个第1端子与上述除电配线之间。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，
在上述边框区域中还具备与上述多个数据线的另一个端部连接的多个第2端子，
在上述边框区域中，上述多个第2端子与上述除电配线连接。
7.一种检查方法，是权利要求1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板的检查方法，上述有源矩阵基板具备像素区域，上述像素区域包含由形成在基板上的多个数据线和多个栅极线规定的多个像素，上述检查方法的特征在于，包含：
将预定的基准电位设定到上述除电配线的工序；以及
对上述多个栅极线进行扫描，确认能够从上述多个数据线取得数据信号的工序。
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