CN111106134B - 有源矩阵基板以及具备其的x射线拍摄面板 - Google Patents

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    • H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
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Abstract

本发明提供一种有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板、以及有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(1)具备TFT(13)。TFT(13)具有：栅电极(13a)；半导体层(13b)，其隔着栅极绝缘膜(102)而与栅电极(13a)重叠；源电极(13c)，其配置于半导体层(13b)上；以及漏电极(13d)。源电极(13c)、漏电极(13d)、半导体层(13b)被第一绝缘膜(103)覆盖。栅极绝缘膜(102)在覆盖栅电极(13a)的周缘部的部分具有第一高低差部(1021)。第一绝缘膜(103)在第一高低差部(1021)处，在俯视观察时与未被源电极(13c)和漏电极(13d)覆盖的部分重叠的位置具有第一开口(103b)。

Description

有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板
技术领域
以下公开的发明涉及一种有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板、以及有源矩阵基板的制造方法。
背景技术
日本特开2014-149410号公报中公开了在像素中设置有薄膜晶体管的TFT阵列基板。在该TFT阵列基板中，薄膜晶体管的栅电极被栅极绝缘膜覆盖，并以隔着栅极绝缘膜而与栅电极重叠的方式设置有半导体膜，在半导体膜上分离地配置有源电极和漏电极。此外，在TFT阵列基板设置有与漏电极连接的像素电极。
在TFT阵列基板的制造工序中，在形成源极/漏电极等时，在栅极绝缘膜上以存在有异物等的状态实施图案化时，有时源极/漏电极、半导体层等的残渣会附着于栅极绝缘膜的表面。在日本特开2014-149410号公报中，通过实施干蚀刻，对包含残渣的栅极绝缘膜的表面进行磨削，从而使像素电极与源极布线不会短路。
在所述日本特开2014-149410号公报的情况下，通过对包含残渣(以下，蚀刻残渣)的栅极绝缘膜的表面进行磨削从而能够以某种程度去除蚀刻残渣，但不易完全地去除蚀刻残渣。图9中示出了在现有的有源矩阵基板的像素中的一部分的区域，设置于像素的TFT的源极/漏电极与栅电极在俯视观察时未重叠的部分的剖视图。如图9所示，形成于基板900上的栅电极910被栅极绝缘膜920覆盖。在栅极绝缘膜920中在覆盖栅电极910的周缘的部分形成有高低差920a。该高低差920a沿着栅电极910的外形形成。在栅极绝缘膜920上以俯视观察时与栅电极910重叠的方式配置有半导体层930，半导体层930被无机绝缘膜940覆盖。此外，虽在该图中未图示，但源极/漏电极以在半导体层930上分离的方式形成于栅极绝缘膜920上。如图9所示，在源极/漏电极不重叠的栅极绝缘膜920的高低差920a，附着有由形成源极/漏电极时的蚀刻产生的蚀刻残渣950。如所述日本特开2014-149410号公报那样，在通过干蚀刻削去栅极绝缘膜920的表面的情况下，附着于高低差920a的壁面部分P1的蚀刻残渣950，与附着于平坦的部分P2的蚀刻残渣950相比由于具有厚度因此不易完全被去除。因此，存在有经由附着于高低差920a的壁面部分P1的蚀刻残渣950而使源极/漏电极间短路的可能性。
发明内容
鉴于所述课题而完成的有源矩阵基板，具备：基板；栅电极，其配置于所述基板上；栅极绝缘膜，其覆盖所述栅电极；半导体层，其以俯视观察时与所述栅电极重叠的方式配置于所述栅极绝缘膜上；源电极，其以与所述半导体层的一部分重叠的方式配置于所述栅极绝缘膜上；漏电极，其在所述半导体层上以与所述源电极分离的方式配置于所述栅极绝缘膜上；以及第一绝缘膜，其覆盖所述源电极、所述漏电极、以及所述半导体层，所述栅极绝缘膜在从法线方向观察所述基板而覆盖所述栅电极的周缘部的部分具有第一高低差部，所述第一绝缘膜在所述第一高低差部且俯视观察时与未被所述源电极以及所述漏电极这双方覆盖的部分重叠的位置具有第一开口。
根据所述构成，不易在薄膜晶体管的源电极与漏电极之间产生短路。
附图说明
图1为表示第一实施方式中的X射线拍摄装置的示意图。
图2为表示图1所示的有源矩阵基板的概要构成的示意图。
图3为将图2所示的有源矩阵基板的像素的一部分放大后的俯视图。
图4为图3的像素中的A-A线以及B-B线的剖视图。
图5A为对图4所示的有源矩阵基板的像素的制造工序进行说明的剖视图，且表示形成有栅电极和栅极绝缘膜，构成图4所示的TFT的半导体活性层的半导体膜成膜后的状态的剖视图。
图5B为表示对图5A所示的半导体膜进行图案化而形成半导体活性层的工序的剖视图。
图5C为表示对作为图4所示的源电极以及漏电极的金属膜进行成膜的工序的剖视图。
图5D为表示对图5C所示的金属膜进行图案化而形成源电极和漏电极的工序的剖视图。
图5E为表示对作为图4所示的第一绝缘膜的无机绝缘膜进行成膜的工序的剖视图。
图5F为表示对图5E所示的无机绝缘膜进行图案化而形成第一绝缘膜的开口的工序的剖视图。
图5G为表示附着于图5F所示的栅极绝缘膜的高低差的蚀刻残渣被去除的状态的剖视图。
图5H为表示对图4所示的第二绝缘膜进行成膜的工序的剖视图。
图5I为表示形成图5H所示的第二绝缘膜的开口的工序的剖视图。
图5J为表示对作为图4所示的下部电极(阴极电极)的金属膜进行成膜的工序的剖视图。
图5K为表示对图5J所示的金属膜进行图案化而形成下部电极的工序的剖视图。
图5L为表示在对作为图4所示的光电转换层的半导体层进行成膜后，形成上部电极(阳极电极)的工序的剖视图。
图5M为表示对图5L所示的半导体层进行图案化而形成光电转换层的工序的剖视图。
图5N为表示对图4所示的第三绝缘膜进行成膜的工序的剖视图。
图5O为表示形成图5N所示的第三绝缘膜的开口的工序的剖视图。
图5P为表示对图4所示的第四绝缘膜进行成膜而形成第四绝缘膜的开口的工序的剖视图。
图5Q为表示对构成图4所示的偏压布线的金属膜进行成膜的工序的剖视图。
图5R为表示对图5Q所示的金属膜进行图案化而形成偏压布线的工序的剖视图。
图5S为表示对与图4所示的偏压布线和上部电极连接的透明导电膜进行成膜的工序的剖视图。
图5T为表示对图5S所示的透明导电膜进行图案化的工序的剖视图。
图5U为表示形成图4所示的第五绝缘膜的工序的剖视图。
图5V为表示形成图4所示的第六绝缘膜的工序的剖视图。
图6为表示第二实施方式中的有源矩阵基板中的像素的概要构成的剖视图。
图7A为对图6所示的有源矩阵基板的像素的制造工序进行说明的剖视图，且表示对作为图6中的阻止蚀刻的无机绝缘膜进行成膜的工序的剖视图。
图7B为表示形成图7A所示的无机绝缘膜的开口(接触孔)的工序的剖视图。
图7C为表示在图7B所示的无机绝缘膜上对作为源电极以及漏电极的金属膜进行成膜的工序的剖视图。
图7D为表示对图7C所示的金属膜进行图案化而形成源电极和漏电极的工序的剖视图。
图7E为表示对作为图6所示的第一绝缘膜的无机绝缘膜进行成膜的工序的剖视图。
图7F为表示对图7E所示的无机绝缘膜进行图案化而形成第一绝缘膜的开口的工序的剖视图。
图7G为表示附着于作为图7F所示的阻止蚀刻的无机绝缘膜的高低差的蚀刻残渣被去除的状态的剖视图。
图8为变形例(1)中的有源矩阵基板的像素的俯视图，且对形成有第一绝缘膜的开口的位置进行了例示的俯视图。
图9为现有的有源矩阵基板的像素的剖视图且用于对现有的课题进行说明的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对发明的实施方式详细地进行说明。对图中相同或相当部分标注相同附图标记并且不重复其说明。
[第一实施方式]
(构成)
图1为表示应用了本实施方式中的有源矩阵基板的X射线拍摄装置的示意图。X射线拍摄装置100具备有源矩阵基板1、控制部2、X射线源3、以及闪烁体4。在本实施方式中，拍摄面板至少包含有源矩阵基板1和闪烁体4。
控制部2包含栅极控制部2A和信号读出部2B。从X射线源3相对于被射体S照射X射线。透射了被射体S的X射线在配置于有源矩阵基板1的上部的闪烁体4中被转换为萤光(以下，闪烁光)。X射线拍摄装置100通过在有源矩阵基板1以及控制部2中拍摄闪烁光从而取得X射线图像。
图2为表示有源矩阵基板1的概要构成的示意图。如图2所示，在有源矩阵基板1形成有多个源极布线10和与多个源极布线10交叉的多个栅极布线11。栅极布线11与栅极控制部2A连接，源极布线10与信号读出部2B连接。
有源矩阵基板1在源极布线10与栅极布线11交叉的位置，具有与源极布线10以及栅极布线11连接的TFT13。此外，在由源极布线10栅极布线11包围而成的区域(以下，像素)，设置有光电二极管12。光电二极管12将像素中透射了被射体S的X射线转换后的闪烁光转换为与其光量对应的电荷。
各栅极布线11在栅极控制部2A中依次切换为选择状态，而使与选择状态的栅极布线11连接的TFT13成为导通状态。当TFT13成为导通状态时，由光电二极管12转换后的与电荷对应的信号经由源极布线10输出至信号读出部2B。
图3为将图2所示的有源矩阵基板1中的一部分的像素放大后的俯视图。
如图3所示，在被栅极布线11以及源极布线10包围的像素P1，设置有光电二极管12和TFT13。
光电二极管12包含下部电极(阴极电极)14a、光电转换层15、以及上部电极(阳极电极)14b。TFT13具有与栅极布线11连接的栅电极13a、半导体活性层13b、与源极布线10连接的源电极13c、以及漏电极13d。漏电极13d与下部电极14a经由接触孔CH1连接。
此外，以俯视观察时与栅极布线11以及源极布线10重叠的方式配置有偏压布线16。偏压布线16与透明导电膜17连接。透明导电膜17经由接触孔CH2与光电二极管12连接，在光电二极管12的上部电极14b供给有偏压电压。
在此，图4中示出图3的像素P1中的A-A线的剖视图(A-A剖面)和像素P1中的B-B线的剖视图(B-B剖面)。在图4中，从有源矩阵基板1的Z轴正方向侧入射由闪烁体4转换后的闪烁光。另外，在以下的说明中，有时将Z轴正方向侧称作上侧，将Z轴负方向侧称作下侧。
如图4所示，在基板101上形成有栅电极13a和栅极绝缘膜102。
基板101为具有绝缘性的基板，例如由玻璃基板等构成。
在该例中，栅电极13a由与栅极布线11(参照图3)相同的材料构成，栅电极13a以及栅极布线11具有例如层压有由铝(Al)构成的金属膜和由氮化钼(MoN)构成的金属膜的构造。铝(Al)和氮化钼(MoN)的各自的膜厚为400nm左右和100nm左右。另外，栅电极13a以及栅极布线11的材料以及膜厚并不限定于此。
栅极绝缘膜102覆盖栅电极13a。如A-A剖面以及B-B剖面所示，栅极绝缘膜102在从法线方向观察基板101而覆盖栅电极13a的周缘部的部分具有高低差部1021。另外，在该例中，栅电极13a具有近似长方体形状，沿着栅电极13a的周缘形成有高低差部1021。
栅极绝缘膜102也可以使用，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)(x>y)、氮氧化硅(SiNxOy)(x>y)等。在本实施方式中，栅极绝缘膜102具有在上层层压有由氧化硅(SiOx)构成的绝缘膜和在下层层压有由氮化硅(SiNx)构成的绝缘膜的构造。氧化硅(SiOx)与氮化硅(SiNx)各自的膜厚为50nm左右和400nm左右。但是，栅极绝缘膜102的材料以及膜厚并不限定于此。
在A-A剖面以及B-B剖面所示的栅电极13a之上隔着栅极绝缘膜102而配置有半导体活性层13b。此外，如A-A剖面所示，在栅极绝缘膜102上设置有半导体活性层13b上被分离的源电极13c以及漏电极13d。
半导体活性层13b以与栅极绝缘膜102接触的方式形成。半导体活性层13b由氧化物半导体构成。氧化物半导体也可以使用例如InGaO3(ZnO)5、氧化镁锌(MgxZn1-xO)、氧化镉锌(CdxZn1-xO)、氧化镉(CdO)、或以规定的比率含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的非晶质氧化物半导体等。在该例中，半导体活性层13b由以规定的比率含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的非晶质氧化物半导体构成。半导体活性层13b的膜厚为70nm左右。另外，半导体活性层13b的材料以及膜厚并不限定于此。
源电极13c以及漏电极13d由与源极布线10相同的材料构成，例如，具有层压有由氮化钼(MoN)构成的金属膜、由铝(Al)构成的金属膜、由钛(Ti)构成的金属膜的三层构造。上述三层各自的膜厚从下层侧依次为50nm、500nm、100nm左右。但是，源电极13c以及漏电极13d的材料以及膜厚并不限定于此。
如A-A剖面所示，在栅极绝缘膜102之上设置有源电极13c以及漏电极13d的表面和覆盖半导体活性层13b的表面的第一绝缘膜103。第一绝缘膜103在漏电极13d之上具有构成接触孔CH1的开口103a。此外，如B-B剖面所示，第一绝缘膜103覆盖半导体活性层13b，在俯视观察时与栅极绝缘膜102的高低差部1021重叠的位置具有开口103b。第一绝缘膜103由例如由氮化硅(SiN)形成的无机绝缘膜构成，其膜厚为330nm左右。
在A-A剖面以及B-B剖面所示的第一绝缘膜103之上设置有第二绝缘膜104。如A-A剖面所示，第二绝缘膜104在漏电极13d之上具有开口104a，由第一绝缘膜103的开口103a和第二绝缘膜104的开口104a形成接触孔CH1。
第二绝缘膜104例如由丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂等有机系透明树脂构成，其膜厚约为2.5μm。另外，第二绝缘膜104的材料以及膜厚并不限定于此。
在A-A剖面以及B-B剖面所示的第二绝缘膜104之上设置有下部电极(阴极电极)14a。如A-A剖面所示，经由接触孔CH1而使下部电极14a与漏电极13d连接。下部电极14a例如由包含氮化钼(MoN)的金属膜构成，膜厚为200nm左右。另外，下部电极14b的材料以及膜厚并不限定于此。
在A-A剖面以及B-B剖面所示的下部电极14a之上设置有光电转换层15。光电转换层15构成为依次层压有n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152、p型非晶质半导体层153。
如A-A剖面所示，光电转换层15的X轴方向的长度比下部电极14a的X轴方向的长度短。也就是说，相对于光电转换层15的侧面而下部电极14a向光电转换层15的外侧突出。另外，光电转换层15与下部电极14a的X轴方向的长度的关系并不限于此。光电转换层15与下部电极14a的X轴方向的长度也可以相同。
n型非晶质半导体层151由掺杂有n型杂质(例如，磷)的非晶硅构成。如A-A剖面所示，n型非晶质半导体层151与下部电极14a接触。
本征非晶质半导体层152由本征的非晶硅构成。本征非晶质半导体层152与n型非晶质半导体层151接触。
p型非晶质半导体层153由掺杂有p型杂质(例如，硼)的非晶硅构成。p型非晶质半导体层153与本征非晶质半导体层152接触。
在该例中，n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152、以及p型非晶质半导体层153的膜厚分别约为30nm、约为1000nm、约为5nm。另外，上述用于半导体层的材料以及膜厚并不限定于此。
在A-A剖面以及B-B剖面所示的第二绝缘膜104上，设置有第三绝缘膜105。第三绝缘膜105如A-A剖面所示，在俯视观察时与光电转换层15重叠的位置具有开口105a。第三绝缘膜105覆盖光电转换层15的侧面，并连续地设置至相邻的像素P1。第三绝缘膜105由例如由氮化硅(SiN)形成的无机绝缘膜构成，膜厚为300nm左右。另外，第三绝缘膜105的材料以及膜厚并不限定于此。
在A-A剖面以及B-B剖面所示的光电转换层15之上，设置有与p型非晶质半导体层153的表面接触并覆盖p型非晶质半导体层153的一部分的上部电极14b。上部电极14b例如由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zn Oxide)等透明导电膜构成。上部电极14b的膜厚约为70nm。另外，上部电极14b的材料以及膜厚并不限定于此。
在A-A剖面以及B-B剖面所示的上部电极14b之上，设置有覆盖上部电极14b和第三绝缘膜105的第四绝缘膜106。第四绝缘膜106如A-A剖面所示，在俯视观察时与光电二极管12重叠的位置具有接触孔CH2。第四绝缘膜106由例如由丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂形成的有机系透明树脂构成，膜厚例如为2.5μm左右。另外，第四绝缘膜106的材料以及膜厚并不限定于此。
如A-A剖面所示，在第四绝缘膜106上设置有偏压布线16、和与偏压布线16连接的透明导电膜17。透明导电膜17在接触孔CH2中与上部电极14b接触。
偏压布线16与控制部2(参照图1)连接。偏压布线16经由接触孔CH2，将从控制部2输入的偏压电压施加于上部电极14b。
偏压布线16具有从下层依次层压有钛(Ti)、铝(Al)、氮化钼(MoN)的各金属膜的层压构造。钛(Ti)、铝(Al)、氮化钼(MoN)的膜厚分别为约50nm、约300nm、约100nm。但是，偏压布线16的材料以及膜厚并不限定于此。
透明导电膜17例如由ITO构成，膜厚为70nm左右。另外，透明导电膜17的材料以及膜厚并不限定于此。
在A-A剖面以及B-B剖面所示的第四绝缘膜106之上，以覆盖A-A剖面所示的透明导电膜17的方式设置有第五绝缘膜107。第五绝缘膜107由例如由氮化硅(SiN)形成的无机绝缘膜构成，膜厚例如为200nm左右。另外，第五绝缘膜107的材料以及膜厚并不限定于此。
在A-A剖面以及B-B剖面所示的第五绝缘膜107之上，设置有覆盖第五绝缘膜107的第六绝缘膜108。第六绝缘膜108由例如由丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂形成的有机系透明树脂构成，膜厚例如为2.0μm左右。另外，第六绝缘膜108的材料以及膜厚并不限定于此。
如上所述，栅极绝缘膜102在覆盖栅电极13a的周缘部的部分具有高低差部1021。通过形成有高低差部1021，在形成源电极13c以及漏电极13d时的蚀刻中，构成源电极13c以及漏电极13d的氮化钼(MoN)、铝(Al)、以及钛(Ti)的层压膜中的、最下层的钛(Ti)作为蚀刻残渣而易于附着于高低差部1021的壁面。
然而，在本实施方式中，第一绝缘膜103在漏电极13d上、未被源电极13c以及漏电极13d覆盖的栅极绝缘膜102的高低差部1021上分别形成有开口103a(A-A剖面)和开口103b(B-B剖面)。因此，在第一绝缘膜103的开口103a、103b的形成后，蚀刻残渣在开口103b中露出，成为蚀刻残渣易于被去除的状态。此外，钛(Ti)相对于氢氟酸具有蚀刻性，但氮化钼(MoN)与钛(Ti)相比具有耐蚀刻性。因此，在形成开口103a、103b后，能够使用包含氢氟酸的蚀刻剂仅去除附着于高低差部1021的钛(Ti)。
作为用于去除附着于栅极绝缘膜102的高低差部1021的蚀刻残渣的蚀刻剂，在该例中使用包含氢氟酸的蚀刻剂，但只要相对于源电极13c以及漏电极13d的最上层的金属膜具有耐蚀刻性，相对于最下层的金属膜具有蚀刻性即可。通过选择这样的蚀刻剂，第一绝缘膜103的开口103a中的漏电极13的表面不会被蚀刻。
如此，在未被源电极13c以及漏电极13d覆盖的栅极绝缘膜102的高低差部1021上，通过形成有第一绝缘膜103的开口103b，从而易于仅完全地去除附着于高低差部1021的蚀刻残渣，在源电极13c与漏电极13d之间不易短路。
(有源矩阵基板1的制造方法)
接着，参照图5A～图5V对有源矩阵基板1的制造方法进行说明。图5A～图5V中示出表示有源矩阵基板1的像素P1的制造工序的剖视图(图3的A-A剖面以及B-B剖面)。
参照图5A，在基板101上例如通过溅射法依次层压铝(Al)和氮化钼(MoN)后，通过使用光刻法对金属膜进行图案化从而形成栅电极13a。之后，例如，使用等离子CVD法，在基板101上，以覆盖栅电极13a的方式，形成依次层压有氮化硅(SiN)和氧化硅(SiO2)的栅极绝缘膜102。此时，在栅极绝缘膜102中在覆盖栅电极13a的周缘部的部分形成高低差部1021。接下来，例如，使用溅射法，在栅极绝缘膜102上，形成包含铟(In)-镓(Ga)-锌(Zn)-氧(O)的非晶质氧化物半导体层131。
接着，实施光刻法以及干蚀刻，对非晶质氧化物半导体层131进行图案化。由此，在俯视观察时与栅电极13a重叠的位置形成有半导体活性层13b(参照图5B)。
接下来使用溅射法，在栅极绝缘膜102上，以覆盖半导体活性层13b的方式，形成钛(Ti)、铝(Al)、氮化钼(MoN)依次成膜的源极/漏层132(参照图5C)。之后，实施光刻法以及湿蚀刻，对源极/漏层132进行图案化(参照图5D)。
由此，如图5D的A-A剖面所示，形成有在半导体活性层13b上被分离的源电极13c和漏电极13d。另一方面，如图5D的B-B剖面所示，半导体活性层13b上的源极/漏层132被去除，但在栅极绝缘膜102的高低差部1021，易于附着通过湿蚀刻未被去除的由源极/漏层132的钛(Ti)构成的蚀刻残渣1321。也就是说，蚀刻残渣1321附着于未被源电极13c以及漏电极13d覆盖的、栅极绝缘膜102的高低差部1021。
之后，例如，使用等离子CVD法，在栅极绝缘膜102上，以覆盖源电极13c以及漏电极13d的方式，形成由氮化硅(SiN)构成的第一绝缘膜103(参照图5E)。由此，如图5E的B-B剖面所示，从栅极绝缘膜102的高低差部1021中的蚀刻残渣1321之上形成有第一绝缘膜103。
接下来，对基板101的整个面实施350℃左右的热处理，实施光刻法、以及使用了氟系气体的干蚀刻，对第一绝缘膜103进行图案化(参照图5F)。由此，如图5F的A-A剖面所示，在漏电极13d上形成有第一绝缘膜103的开口103a。此外，如该图B-B剖面所示，在栅极绝缘膜102的高低差部1021上形成有第一绝缘膜103的开口103b。也就是说，在未被源电极13c以及漏电极13d覆盖的栅极绝缘膜102的高低差部1021上形成有开口103b。由此，在开口103b中，附着于高低差部1021的蚀刻残渣1321露出。
接下来，实施使用了氢氟酸的湿蚀刻，去除附着于栅极绝缘膜102的高低差部1021的蚀刻残渣1321(参照图5G)。由此，如图5G的B-B剖面所示，只有附着于栅极绝缘膜102的高低差部1021的由钛(Ti)构成的蚀刻残渣1321被去除，该图A-A剖面所示的第一绝缘膜103的开口103a中的漏电极13d未被去除。
接着，例如通过狭缝涂敷法，在第一绝缘膜103上，形成由丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂构成的第二绝缘膜104(参照图5H)。之后，使用光刻法，对第二绝缘膜104进行图案化(参照图5I)。由此，如图5I的A-A剖面所示，在俯视观察时与开口103a重叠的位置形成有第二绝缘膜104的开口104a，形成有由开口103a以及104a构成的接触孔CH1。
接下来，例如通过溅射法，对由氮化钼(MoN)构成的金属膜140进行成膜(参照图5J)，之后，实施光刻法以及湿蚀刻，对金属膜140进行图案化(参照图5K)。由此，如图5K的A-A剖面所示，形成有经由接触孔CH1而与漏电极13d连接的下部电极14a。
之后，例如，使用等离子CVD法，对n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152、p型非晶质半导体层153依次进行成膜。并且，例如使用溅射法，对由ITO构成的透明导电膜进行成膜，实施光刻法以及干蚀刻，对透明导电膜进行图案化(参照图5L)。由此，在p型非晶质半导体层153上形成有上部电极14b。
接下来，实施光刻法以及干蚀刻，对n型非晶质半导体层151、本征非晶质半导体层152、以及p型非晶质半导体层153进行图案化(参照图5M)。由此，如图5M的A-A剖面所示，形成有在俯视观察时与下部电极14a相比X轴方向的长度短且与上部电极14b相比X轴方向的长度长的光电转换层15，形成有包含下部电极14a、光电转换层15以及上部电极14b的光电二极管12。
接下来，例如，使用等离子CVD法，以覆盖光电二极管12的表面的方式，将由氮化硅(SiN)构成的第三绝缘膜105形成于第二绝缘膜104上(参照图5N)。之后，实施光刻法以及干蚀刻，对第三绝缘膜105进行图案化(参照图5O)。由此，如图5O的A-A剖面所示，在光电转换层15的p型非晶质半导体层153上形成有第三绝缘膜105的开口105a。
接着，例如通过狭缝涂敷法，对由丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂构成的第四绝缘膜106进行成膜，之后，使用光刻法对第四绝缘膜106进行图案化(参照图5P)。由此，如图5P的A-A剖面所示，在与第三绝缘膜105的开口105a重叠的位置形成有第四绝缘膜106的开口106a，形成有由开口105a以及106a构成的接触孔CH2。
接着，例如通过溅射法，对依次层压有钛(Ti)、铝(Al)、氮化钼(MoN)的金属膜160进行成膜(参照图5Q)。之后，实施光刻法以及湿蚀刻对金属膜160进行图案化(参照图5R)。由此，在图5R的A-A剖面所示的第四绝缘膜106上，在俯视观察时未与光电二极管12重叠的位置形成有偏压布线16，该图B-B剖面的第四绝缘膜106上的金属膜160被去除。
接着，例如通过溅射法，将由ITO构成的透明导电膜17成膜在第四绝缘膜106上(参照图5S)，之后，实施光刻法以及干蚀刻，对透明导电膜17进行图案化(参照图5T)。由此，在图5T的A-A剖面所示的第四绝缘膜106上，形成有与偏压布线16连接并经由接触孔CH2与上部电极14b连接的透明导电膜17。另一方面，该图B-B剖面所示的第四绝缘膜106上的透明导电膜17被去除。
接下来，例如，使用等离子CVD法，以覆盖图5T的A-A剖面所示的透明导电膜17的方式，将由氮化硅(SiN)构成的第五绝缘膜107成膜于第四绝缘膜106的表面整体(参照图5U)。
之后，例如通过狭缝涂敷法，以覆盖第五绝缘膜107的方式，形成由丙烯酸系树脂或硅氧烷系树脂构成的第六绝缘膜108(参照图5R)。由此，制成本实施方式中的有源矩阵基板1。
如上所述，在第一实施方式中，在未被源电极13c以及漏电极13d覆盖的、栅极绝缘膜102的高低差部1021，易于附着有作为蚀刻残渣而构成源电极13c以及漏电极13d的钛(Ti)。然而，在图5F的工序中，通过在高低差部1021上形成有第一绝缘膜103的开口103b，在开口103b中蚀刻残渣1321露出，成为易于对蚀刻残渣1321进行蚀刻的状态。其结果为，能够仅完全地去除蚀刻残渣1321，能够防止源电极13c与漏电极13d之间的短路。
(X射线拍摄装置100的动作)
在此，对图1所示的X射线拍摄装置100的动作进行说明。首先，从X射线源3照射X射线。此时，控制部2对偏压布线16(参照图3等)施加规定的电压(偏压电压)。从X射线源3照射的X射线透射被射体S而入射至闪烁体4。入射至闪烁体4的X射线被转换为萤光(闪烁光)，闪烁光入射至有源矩阵基板1。当闪烁光入射至有源矩阵基板1中的各像素P1所设置的光电二极管12时，通过光电二极管12而变化为与闪烁光的光量对应的电荷。通过光电二极管12转换后的与电荷对应的信号，在TFT13(参照图3等)根据从栅极控制部2A经由栅极布线11而输出的栅极电压(正的电压)成为ON状态时，通过源极布线10而被信号读出部2B(参照图2等)读出。并且，在控制部2中生成与读出的信号对应的X射线图像。
[第二实施方式]
图6为表示本实施方式中的有源矩阵基板1A的像素P1中的A-A剖面和B-B剖面的剖视图。在图6中，对与第一实施方式相同的构成标注与第一实施方式相同的附图标记。以下，对与第一实施方式不同的构成进行说明。
如图6所示，有源矩阵基板1A在栅极绝缘膜102上，具有覆盖半导体活性层13b的一部分的无机绝缘膜(蚀刻阻止层)120这一点不同于第一实施方式的有源矩阵基板1。
如图6的A-A剖面所示，无机绝缘膜120在半导体活性层13b上具有两个接触孔120a并配置在半导体活性层13b和栅极绝缘膜102上。此外，如该图B-B剖面所示，无机绝缘膜120覆盖栅极绝缘膜102的表面，并在覆盖栅极绝缘膜102的高低差部1021上的部分具有高低差部1201。无机绝缘膜120例如由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)构成。
在此，对制成有源矩阵基板1A的方法进行说明。
首先，在实施了上述的图5A以及5B的工序后，如图7A所示，例如使用等离子CVD法，以覆盖半导体活性层13b的表面的方式，将由氮化硅(SiN)构成的无机绝缘膜120形成在栅极绝缘膜102上。此时，在无机绝缘膜120中，在覆盖栅极绝缘膜102的高低差部1021的部分形成有高低差部1201。
之后，实施光刻法以及干蚀刻，对无机绝缘膜120进行图案化(参照图7B)。由此，如图7B的A-A剖面所示，在半导体活性层13b上，形成有两个接触孔120a。
接下来，使用溅射法，在栅极绝缘膜102上，以覆盖无机绝缘膜120的方式，形成对钛(Ti)、铝(Al)、氮化钼(MoN)依次进行了成膜的源极/漏层132(参照图7C)。之后，实施光刻法以及湿蚀刻，对源极/漏层132进行图案化(参照图7D)。
由此，在图7D的A-A剖面所示的无机绝缘膜120上，形成有经由无机绝缘膜120的接触孔120a与半导体活性层13b连接的源电极13c和漏电极13d。另一方面，该图B-B剖面所示的无机绝缘膜120上的源极/漏层132被去除，在无机绝缘膜120的高低差部1201，附着有作为通过湿蚀刻未被去除的蚀刻残渣1321的源极/漏层132的钛(Ti)。
接着，例如，使用等离子CVD法，在无机绝缘膜120上，以覆盖源电极13c以及漏电极13d的方式，形成由氮化硅(SiN)构成的第一绝缘膜103(参照图7E)。由此，如图7E的B-B剖面所示，从无机绝缘膜120的高低差部1201中的蚀刻残渣1321之上形成有第一绝缘膜103。
接下来，对基板101的整个面实施350℃左右的热处理，实施光刻法、以及使用了氟系气体的干蚀刻，对第一绝缘膜103进行图案化(参照图7F)。由此，如图7F的A-A剖面所示，在漏电极13d上形成有第一绝缘膜103的开口103a。此外，如该图B-B剖面所示，在无机绝缘膜120的高低差部1201上形成有第一绝缘膜103的开口103b。由此，附着于高低差部1201的蚀刻残渣1321在开口103b中露出。
接着，实施使用了氢氟酸的湿蚀刻，去除无机绝缘膜120的高低差部1201中的蚀刻残渣1321(参照图7G)。由此，如图7G的B-B剖面所示，仅去除附着于无机绝缘膜120的高低差部1201的蚀刻残渣1321。另外，对于在此使用的蚀刻剂，使用例如被稀释为0.3％的氢氟酸。无机绝缘膜120通过该蚀刻剂而稍微被实施蚀刻，但与钛(Ti)相比由于蚀刻选择比大，因此不会通过该蚀刻被去除。由此，通过设置有无机绝缘膜120，与第一实施方式相比，能够防止由使用了氢氟酸的蚀刻引起的栅电极13a的露出。
在图7G的工序后，通过实施与上述的图5H～5T相同的工序，从而制成图6所示的有源矩阵基板1A。
以上，对实施方式进行了说明，但上述的实施方式只不过是例示。由此，发明所涉及的有源矩阵基板以及拍摄面板并不限定于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够对上述的实施方式适当变形来实施。
(1)在上述的第一以及第二实施方式中，对用于使蚀刻残渣露出的第一绝缘膜103的开口103b设置于图3所示的一个部位的示例进行了说明，但形成有这样的开口的位置并不限定于此。例如，如图8所示，也可以在像素P1中的俯视观察时与靠近一方的栅极线10的栅电极13a的周缘部重叠的高低差部1021(图示略)上形成有第一绝缘膜103的开口103c、103d。也就是说，只要在俯视观察时与未被源电极13c和漏电极13d覆盖的栅极绝缘膜102的高低差部1021重叠的位置，形成有一个以上的第一绝缘膜103的开口即可。
此外，除所述的第一绝缘膜103的开口103b～103d以外，也可以形成有图8所示的开口103e。能够在覆盖栅极布线11的周缘部的栅极绝缘膜102的部分也形成高低差。在该高低差处，存在有附着有构成源电极13c以及漏电极13d的金属膜的蚀刻残渣与源极布线10接触，从而经由蚀刻残渣使相邻的源极布线10与源极布线10之间短路的可能性。因此，优选为，在从法线方向观察基板101而覆盖栅极布线11的周缘部的栅极绝缘膜102的高低差上形成有第一绝缘膜103的开口。由此，能够通过图7G的工序中使用的氢氟酸的蚀刻移除附着于高低差的蚀刻残渣。
(2)在上述的实施方式中，对源极/漏层132为三层构造的示例进行了说明，但源极/漏层132的构造并不限定于此。源极/漏层132也可以例如由下层层压有钛(Ti)、上层层压有铝(Al)的两层构造构成。此外，源极/漏层132例如由对钛(Ti)、氮化钼(MoN)、铝(Al)、氮化钼(MoN)依次进行了成膜的四层构造构成。在该情况下，对于除了钛(Ti)以外的铝(Al)、氮化钼(MoN)这三层，使用包含磷酸、硝酸以及乙酸的混合酸蚀刻剂对源极/漏层132进行湿蚀刻。此外，源极/漏层132也可以例如仅由钛(Ti)的单层构成。在该情况下，使用氯系气体对源极/漏层132进行干蚀刻。总之，源极/漏层132只要是在第一绝缘膜103的开口103a中露出的漏电极13d中的表面的金属膜，与下层侧的金属膜相比相对于去除蚀刻残渣1321时使用的蚀刻剂具有耐蚀刻性的构造即可。
对于具备上述的有源矩阵基板以及和拍摄面板、和该有源矩阵基板的制造方法，能够以如下方式进行说明。
第一构成的有源矩阵基板具备：基板；栅电极，其配置于所述基板上；栅极绝缘膜，其覆盖所述栅电极；半导体层，其以俯视观察时与所述栅电极重叠的方式配置于所述栅极绝缘膜上；源电极，其以与所述半导体层的一部分重叠的方式配置于所述栅极绝缘膜上；漏电极，其在所述半导体层上以与所述源电极分离的方式配置于所述栅极绝缘膜上；以及第一绝缘膜，其覆盖所述源电极、所述漏电极、以及所述半导体层，所述栅极绝缘膜在从法线方向观察所述基板而覆盖所述栅电极的周缘部的部分具有第一高低差部，所述第一绝缘膜在所述第一高低差部且俯视观察时与未被所述源电极以及所述漏电极这双方覆盖的部分重叠的位置具有第一开口。
根据第一构成，栅电极被栅极绝缘膜覆盖，在栅极绝缘膜上配置有俯视观察时与栅电极重叠的半导体层。此外，源电极与漏电极在半导体层上以分离的方式配置，源电极、漏电极、半导体层的表面被第一绝缘膜覆盖。在栅极绝缘膜中在覆盖栅电极的周缘部的部分形成有第一高低差部，第一绝缘膜在第一高低差部中在俯视观察时与未被源电极和漏电极这双方覆盖的部分重叠的位置具有第一开口。在制成有源矩阵基板的工序中形成源电极和漏电极时即使在第一高低差部附着有蚀刻残渣，该蚀刻残渣也会在第一绝缘膜的第一开口中露出。因此，易于去除第一开口中露出的蚀刻残渣，不易经由蚀刻残渣而使源电极与漏电极之间短路。
也可以在第一构成的基础上，还具备：第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在所述半导体层上具有两个接触孔，并覆盖所述栅极绝缘膜，所述源电极与所述漏电极在所述两个接触孔中以与所述半导体层接触的方式，配置于所述第二绝缘膜上，所述第二绝缘膜在覆盖所述第一高低差部的部分处俯视观察时与所述第一开口重叠的位置具有高低差(第二构成)。
根据第二构成，源电极以及漏电极在第二绝缘膜的两个接触孔中以与半导体层接触的方式形成于第二绝缘膜上。第二绝缘膜在覆盖第一高低差部的部分具有高低差。因此，在制成有源矩阵基板的工序中形成源电极和漏电极时，蚀刻残渣易于附着于第二绝缘膜的高低差。然而，在本构成中，由于形成有使第二绝缘膜的高低差露出的第一绝缘膜的第一开口，因此附着于第二绝缘膜的高低差的蚀刻残渣在第一开口中露出。因此，易于去除第一开口中露出的蚀刻残渣，不会经由蚀刻残渣而使源电极与漏电极之间短路。此外，通过设置有第二绝缘膜，在去除蚀刻残渣时栅极绝缘膜不易被贯穿且栅电极不易露出。
也可以在第一或第二构成的基础上，所述第一绝缘膜具有多个所述第一开口(第三构成)。
根据第三构成，与第一开口为一个的情况相比能够提高防止源电极与漏电极之间的短路的效果。
也可以在第一至第三任意的结构的基础上，所述源电极与所述漏电极包含：第一金属层；以及第二金属层，其层压于所述第一金属层上，并不同于所述第一金属层，所述第一绝缘膜在俯视观察时与所述漏电极重叠的位置还具有第二开口，所述第一金属层与所述半导体层以及所述栅极绝缘膜接触，与所述第二金属层相比相对于包含氢氟酸的蚀刻剂而耐蚀刻性低(第四构成)。
根据第四构成，第一绝缘膜具有第一开口和在俯视观察时与漏电极重叠的位置具有第二开口。也就是说，漏电极的一部分在第二开口中露出。源电极以及漏电极包含与半导体层以及栅极绝缘膜接触的第一金属层和层压于第一金属层上的第二金属层。在制成有源矩阵基板的工序中形成源电极和漏电极时，与第二金属层相比第一金属层作为蚀刻残渣而易于附着于第一高低差部。第二金属层与第一金属层相比不易被包含氢氟酸的蚀刻剂蚀刻。因此，不会通过包含氢氟酸的蚀刻剂，而去除第二开口中露出的漏电极，能够仅去除第一开口中露出的蚀刻残渣。
也可以在第四构成的基础上，还具备：栅极布线，其与所述栅电极连接；以及源极布线，其与所述栅极布线交叉并与所述源电极连接；所述栅极布线被所述栅极绝缘膜覆盖，所述栅极绝缘膜在从所述基板的法线方向观察而覆盖所述栅极布线的周缘部的部分具有第二高低差部，所述第一绝缘膜在俯视观察时与所述第二高低差部重叠的位置还具有第三开口(第五构成)。
根据第五构成，具备与栅电极连接的栅极布线和与源电极连接的源极布线。栅极绝缘膜在覆盖栅极布线的周缘部的部分具有第二高低差部，第一绝缘膜在第二高低差部上具有第三开口。在制成有源矩阵基板的工序中形成源电极和漏电极时，除第一高低差部以外，即使在第二高低差部中也易于附着蚀刻残渣。有时会经由附着于第二高低差部的蚀刻残渣而使相邻的源极布线与源极布线的间短路。在本构成中，在第二高低差部上形成有第三开口，因此第二高低差部中的蚀刻残渣在第三开口中露出。因此，与第一开口同样地，易于去除第三开口中露出的蚀刻残渣，能够防止源电极与漏电极之间、以及相邻的源极布线与源极布线之间的短路。
也可以在第一至第五任意的结构的基础上，还包含：阴极电极，其与所述漏电极连接；光电转换元件，其配置于所述阴极电极上；以及阳极电极，其配置于所述光电转换元件上(第六构成)。
X射线拍摄面板具备：第一至第六任一结构的有源矩阵基板；以及闪烁体，其将被照射的X射线转换为萤光(第七构成)。
有源矩阵基板的制造方法，包含：在基板上形成栅电极的工序；形成栅极绝缘膜的工序，所述栅极绝缘膜覆盖所述栅电极，并在从所述基板的法线方向观察而覆盖所述栅电极的周缘部的部分具有第一高低差部；形成半导体层的工序，所述半导体层配置于所述栅极绝缘膜上，并在俯视观察时与所述栅电极重叠；形成源电极和漏电极的工序，在从所述半导体层与所述栅极绝缘膜之上对金属膜进行了成膜后，使用光刻法对金属膜进行蚀刻，从而形成在所述半导体层上分离地配置的源电极和漏电极；形成第一绝缘膜的工序，所述第一绝缘膜覆盖所述栅极绝缘膜、所述半导体层、所述源电极、以及所述漏电极的一部分，并且所述第一绝缘膜在俯视观察时与所述第一高低差部中的未被所述源电极以及所述漏电极这双方覆盖的部分重叠的位置具有第一开口；以及去除所述金属膜的蚀刻残渣的工序，在形成所述第一开口后，去除所述金属膜的蚀刻残渣(第一制造方法)。
根据第一制造方法，在制成有源矩阵基板的工序中形成源电极和漏电极时，即使金属膜的蚀刻残渣附着于栅极绝缘膜中的第一高低差部，该蚀刻残渣也会在第一绝缘膜的第一开口中露出。因此，易于去除蚀刻残渣，不会经由蚀刻残渣而使源电极与漏电极之间短路。
也可以在第一制造方法的基础上，所述金属膜包含：第一金属层；以及第二金属层，其层压于所述第一金属层，并不同于所述第一金属层，在形成所述第一绝缘膜的工序中，在俯视观察时与所述漏电极重叠的位置还具有第二开口，在去除所述蚀刻残渣的工序中，包含使用了包含氢氟酸的蚀刻剂的蚀刻，所述第一金属层与所述半导体层以及所述栅极绝缘膜接触，与所述第二金属层相比相对于包含氢氟酸的蚀刻剂而耐蚀刻性低(第二制造方法)。
根据第二制造方法，第一绝缘膜具有第一开口和在俯视观察时与漏电极重叠的位置具有第二开口。也就是说，漏电极的一部分在第二开口中露出。构成源电极以及漏电极的金属膜包含与半导体层以及栅极绝缘膜接触的第一金属层和层压于第一金属层的第二金属层。在形成源电极和漏电极的工序中，与第二金属层相比第一金属层作为蚀刻残渣而易于附着于第一高低差部。第二金属层与第一金属层相比不易被包含氢氟酸的蚀刻剂蚀刻。因此，在使用包含氢氟酸的蚀刻剂去除蚀刻残渣时，第二开口中露出的漏电极不会被蚀刻，而能够仅去除蚀刻残渣。
附图标记说明
1、1A…有源矩阵基板；2…控制部；2A…栅极控制部；2B…信号读出部；3…X射线源；4…闪烁体；10…源极布线；11…栅极布线；12…光电二极管；13…薄膜晶体管(TFT)；13a…栅电极；13b…半导体活性层；13c…源电极；13d…漏电极；14a…下部电极(阴极电极)；14b、141b…上部电极(阳极电极)；15…光电转换层；16…偏压布线；100…X射线拍摄装置；101…基板；102…栅极绝缘膜；103…第一绝缘膜；103a～103e…第一绝缘膜的开口；104…第二绝缘膜；105…第三绝缘膜；106…第四绝缘膜；107…第五绝缘膜；108…第六绝缘膜；120…无机绝缘膜(蚀刻阻止层)；151…n型非晶质半导体层；152…本征非晶质半导体层；153…p型非晶质半导体层。

Claims (7)

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，具备：
基板；
栅电极，其配置于所述基板上；
栅极绝缘膜，其覆盖所述栅电极；
半导体层，其以俯视观察时与所述栅电极重叠的方式配置于所述栅极绝缘膜上；
源电极，其以与所述半导体层的一部分重叠的方式配置于所述栅极绝缘膜上；
漏电极，其在所述半导体层上以与所述源电极分离的方式配置于所述栅极绝缘膜上；以及
第一绝缘膜，其覆盖所述源电极、所述漏电极、以及所述半导体层，
所述栅极绝缘膜在从法线方向观察所述基板时覆盖所述栅电极的周缘部的部分具有第一高低差部，
所述第一绝缘膜在所述第一高低差部且俯视观察时与未被所述源电极以及所述漏电极这双方覆盖的部分重叠的位置具有第一开口，
所述源电极与所述漏电极包含：第一金属层；以及第二金属层，其层压于所述第一金属层上，并不同于所述第一金属层，
所述第一绝缘膜在俯视观察时与所述漏电极重叠的位置还具有第二开口，
所述第一金属层与所述半导体层以及所述栅极绝缘膜接触，与所述第二金属层相比相对于包含氢氟酸的蚀刻剂而耐蚀刻性低。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
还具备：第二绝缘膜，所述第二绝缘膜在所述半导体层上具有两个接触孔，并覆盖所述栅极绝缘膜，
所述源电极与所述漏电极在所述两个接触孔中以与所述半导体层接触的方式，配置于所述第二绝缘膜上，
所述第二绝缘膜在覆盖所述第一高低差部的部分处俯视观察时与所述第一开口重叠的位置具有高低差。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，
所述第一绝缘膜具有多个所述第一开口。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
还具备：
栅极布线，其与所述栅电极连接；以及
源极布线，其与所述栅极布线交叉并与所述源电极连接；
所述栅极布线被所述栅极绝缘膜覆盖，
所述栅极绝缘膜在从所述基板的法线方向观察时覆盖所述栅极布线的周缘部的部分具有第二高低差部，
所述第一绝缘膜在俯视观察时与所述第二高低差部重叠的位置还具有第三开口。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，
还包含：
阴极电极，其与所述漏电极连接；
光电转换元件，其配置于所述阴极电极上；以及
阳极电极，其配置于所述光电转换元件上。
6.一种拍摄面板，其特征在于，具备：
权利要求1至5中任一项所述的有源矩阵基板；以及
闪烁体，其将被照射的X射线转换为萤光。
7.一种有源矩阵基板的制造方法，其特征在于，包含：
在基板上形成栅电极的工序；
形成栅极绝缘膜的工序，所述栅极绝缘膜覆盖所述栅电极，并在从所述基板的法线方向观察时覆盖所述栅电极的周缘部的部分具有第一高低差部；
形成半导体层的工序，所述半导体层配置于所述栅极绝缘膜上，并在俯视观察时与所述栅电极重叠；
形成源电极和漏电极的工序，在从所述半导体层与所述栅极绝缘膜之上对金属膜进行了成膜后，使用光刻法对金属膜进行蚀刻，从而形成在所述半导体层上分离地配置的源电极和漏电极；
形成第一绝缘膜的工序，所述第一绝缘膜覆盖所述栅极绝缘膜、所述半导体层、所述源电极、以及所述漏电极的一部分，并且所述第一绝缘膜在俯视观察时与所述第一高低差部中的未被所述源电极以及所述漏电极这双方覆盖的部分重叠的位置具有第一开口；以及
去除所述金属膜的蚀刻残渣的工序，在形成所述第一开口后，去除所述金属膜的蚀刻残渣，
所述金属膜包含：第一金属层；以及第二金属层，其层压于所述第一金属层，并不同于所述第一金属层，
在形成所述第一绝缘膜的工序中，在俯视观察时与所述漏电极重叠的位置还具有第二开口，
在去除所述蚀刻残渣的工序中，包含使用了包含氢氟酸的蚀刻剂的蚀刻，
所述第一金属层与所述半导体层以及所述栅极绝缘膜接触，与所述第二金属层相比相对于包含氢氟酸的蚀刻剂而耐蚀刻性低。
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