CN107359168A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板的制备方法，包括：在基底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；形成覆盖整个基底的氢气扩散阻挡层，所述氢气扩散阻挡层具有导电性且与所述漏电极电连接；在氢气扩散阻挡层上形成光敏结构层。本发明通过在制作光电二极管之前设置覆盖整个基底的氢气扩散阻挡层，氢气扩散阻挡层可以在随后制作光电二极管过程中有效保护薄膜晶体管的沟道，避免PECVD产生的氢离子扩散到薄膜晶体管沟道区域的氧化物有源层中，不仅克服了PECVD工艺损伤薄膜晶体管沟道的问题，保证了氧化物有源层的特性，而且对现有工艺改动很小。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法，以及包含该显示面板的显示装置。
背景技术
近年来，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)有源寻址技术与光电二极管这种光敏感元件结合，使得大面积二维传感器件，如X射线探测面板和指纹识别面板，得到快速发展，广泛应用于医疗检测、材料探伤、海关安检等领域。这种二维传感器件的主体结构包括薄膜晶体管和光电二极管，当光信号照射光电二级管时，所产生的光生电荷量将反映光照信息，薄膜晶体管关闭和导通来控制该光照信息的储存和读取。
光电二极管是在掺杂浓度很高的P(Positive)型和N(Negative)型半导体之间生成一层掺杂很低的本征I(Intrinsic)型层。由于I型层吸收系数很小，入射光可以很容易的进入材料内部被充分吸收而产生大量的电子-空穴对，因此有较高的光电转换效率。此外，I层两侧的P层和N层很薄，光生载流子漂移时间很短，使器件的响应速度较高。当有光照射二极管时，并且比外加光电子能量大于禁带宽度Eg，那么价带上的电子就会吸收光子能量跃迁到导带上，从而形成电子-空穴对，本征层内的电子空穴对在强电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，从而形成光电流，光照射功率变化时电流也随之线性变化，从而将光信号转变为电信号。
目前，光电二极管通常采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)来制作。PECVD是利用强电场或磁场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高的化学基团，这些基团经过经一系列化学和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。由于所用的气体通常包括硅烷SiH4和NH3，因此在沉积中，伴有大量的氢原子和氢离子产生。
经本申请发明人研究发现，在X射线探测面板或指纹识别面板制备中，采用PECVD制作光电二极管时，存在损伤薄膜晶体管沟道的问题，影响了氧化物有源层的特性，降低了薄膜晶体管的工作性能。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，以解决现有光电二极管制作中存在损伤薄膜晶体管沟道的问题。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，包括：
在基底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；
形成覆盖整个基底的氢气扩散阻挡层，所述氢气扩散阻挡层具有导电性且与所述漏电极电连接；
在氢气扩散阻挡层上形成光敏结构层。
可选地，所述在氢气扩散阻挡层上形成光敏结构层，包括：
在氢气扩散阻挡层上采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积N型非晶硅薄膜；
在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜；
对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非晶硅薄膜进行活化工艺，在本征非晶硅薄膜的上层形成P型非晶硅薄膜。
可选地，还包括：
沉积第一导电薄膜；
对所述氢气扩散阻挡层、光敏结构层和第一导电薄膜进行构图工艺，形成包括阻挡电极、光敏结构和第一电极的光电二极管。
可选地，还包括：
形成平坦层，平坦层具有贯穿所述平坦层暴露出第一电极的过孔；
在平坦层上形成第二电极，第二电极通过所述过孔与第一电极电连接。
可选地，还包括：在平坦层上形成遮光层，所述遮光层在基底上的正投影覆盖沟道区域在基底上的正投影。
可选地，所述遮光层与所述第二电极同时形成。
可选地，还包括：在第二电极上形成电极引线，所述电极引线与所述第二电极电连接。
可选地，所述氢气扩散阻挡层包括依次叠加的三层材料，第一、第三层包括氧化铟锡，第二层包括银。
可选地，所述在基底上形成薄膜晶体管，包括：
在基底上形成栅电极和信号线，以及覆盖栅电极和信号线的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成氧化物有源层；
形成覆盖氧化物有源层的第二绝缘层，第二绝缘层具有贯穿所述第二绝缘层暴露出氧化物有源层的两个第一过孔和贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层暴露出信号线的第二过孔；
在第二绝缘层上形成源电极、漏电极和连接电极，源电极和漏电极分别通过两个所述第一过孔与氧化物有源层电连接，连接电极通过所述第二过孔与信号线电连接；
形成覆盖源电极、漏电极和连接电极的第三绝缘层，第三绝缘层具有贯穿所述第三绝缘层暴露出漏电极的第三过孔和贯穿所述第三绝缘层暴露出连接电极的第四过孔。
可选地，所述在基底上形成薄膜晶体管，包括：
可选地，所述在基底上形成薄膜晶体管，包括：
在基底上形成栅电极，以及覆盖栅电极的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成氧化物有源层；
在氧化物有源层上形成源电极和漏电极；
形成覆盖源电极和漏电极的第三绝缘层，第三绝缘层具有贯穿所述第三绝缘层暴露出漏电极的第三过孔。
本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板采用前述制备方法制备，所述显示面板用于指纹识别或X射线探测。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括前述的显示面板。
本发明实施例所提供的显示面板及其制备方法、显示装置，通过在制作光电二极管之前设置覆盖整个基底的氢气扩散阻挡层，先形成的氢气扩散阻挡层可以在随后制作光电二极管过程中有效保护薄膜晶体管的沟道，避免PECVD产生的氢离子扩散到薄膜晶体管沟道区域的氧化物有源层中。与现有结构相比，本发明实施例一方面通过将遮挡层设置在平坦层上，遮挡层与薄膜晶体管沟道之间的距离大，遮光范围大，最大限度地提高了遮光效果，另一方面光电二极管通过阻挡电极与漏电极电连接，有效克服了光电二极管与漏电极接触不良的问题。与现有工艺相比，本发明实施例不仅克服了PECVD工艺损伤薄膜晶体管沟道的问题，保证了氧化物有源层的特性，保证了薄膜晶体管的工作性能，而且对现有工艺改动很小，具有广泛的应用前景。
当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
图1为本发明实施例显示面板的制备方法的流程图；
图2为本发明第一实施例形成栅电极和信号线图案后的示意图；
图3为本发明第一实施例形成氧化物有源层图案后的示意图；
图4为本发明第一实施例形成第二绝缘层图案后的示意图；
图5为本发明第一实施例形成源漏电极和连接电极图案后的示意图；
图6为本发明第一实施例形成第三绝缘层图案后的示意图；
图7为本发明第一实施例沉积氢气扩散阻挡层等膜层后的示意图；
图8为本发明第一实施例形成光电二极管图案后的示意图；
图9为本发明第一实施例形成平坦层图案后的示意图；
图10为本发明第一实施例形成第二电极图案后的示意图；
图11为本发明第一实施例形成遮光层图案后的示意图；
图12为本发明第二实施例的结构示意图；
图13为本发明第三实施例形成阵列结构层后的示意图；
图14为本发明第三实施例沉积氢气扩散阻挡层等膜层后的示意图；
图15为本发明第三实施例形成光电二极管图案后的示意图；
图16为本发明第三实施例形成钝化层和平坦层图案后的示意图；
图17为本发明第三实施例形成第二电极和电极引线图案后的示意图。
附图标记说明：
10-基底； 11-栅电极； 12-信号线；
13-第一绝缘层； 14-氧化物有源层； 15-第二绝缘层；
16-源电极； 17-漏电极； 18-连接电极；
19-第三绝缘层； 20-阻挡电极； 21-光敏结构；
22-第一电极； 23-平坦层； 24-第二电极；
25-遮光层； 26-保护层； 27-钝化层；
28-电极引线； 30-第三金属薄膜； 31-光敏结构层；
32-第一导电薄膜。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
近年来，随着显示技术的快速发展，薄膜晶体管技术由原来的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管发展到低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和氧化物(Oxide)薄膜晶体管等。氧化物，如铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)或铟锡锌氧化物(Indium Tin ZincOxide，ITZO)，作为有源层，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，具有迁移率大、开态电流高、开关特性更优、均匀性更好的特点，可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，可以适用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分辨率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。
经本申请发明人研究发现，现有技术制作光电二极管过程中存在损伤薄膜晶体管沟道的问题，其原因是，制作光电二极管过程中，PECVD产生的氢离子会扩散到薄膜晶体管沟道区域的氧化物有源层中，在一定程度上破坏了沟道区域氧化物有源层的未掺杂特性，因而降低了沟道区域氧化物有源层的载流子迁移率，影响了有源层的特性，降低薄膜晶体管的工作性能。
为了克服PECVD工艺存在损伤薄膜晶体管沟道的问题，本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法，以及包含该显示面板的显示装置。
图1为本发明实施例显示面板的制备方法的流程图。如图1所示，显示面板的制备方法包括：
S1、在基底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；
S2、形成覆盖整个基底的氢气扩散阻挡层，所述氢气扩散阻挡层具有导电性且与所述漏电极电连接；
S3、在氢气扩散阻挡层上形成光敏结构层。
本发明实施例显示面板的制备方法，通过在制作光电二极管之前设置覆盖整个基底的氢气扩散阻挡层，先形成的氢气扩散阻挡层可以在随后制作光电二极管过程中有效保护薄膜晶体管的沟道，避免PECVD产生的氢离子扩散到薄膜晶体管沟道区域的氧化物有源层中。与现有工艺相比，本发明实施例不仅克服了PECVD工艺损伤薄膜晶体管沟道的问题，保证了氧化物有源层的特性，保证了薄膜晶体管的工作性能，而且，对现有工艺改动很小，具有广泛的应用前景。
在一个实施例中，步骤S1可以包括：
在基底上形成栅电极和信号线，以及覆盖栅电极和信号线的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成氧化物有源层；
形成覆盖氧化物有源层的第二绝缘层，第二绝缘层具有贯穿第二绝缘层暴露出氧化物有源层的两个第一过孔和贯穿第一绝缘层和第二绝缘层暴露出信号线的一个第二过孔；
在第二绝缘层上形成源电极、漏电极和连接电极，源电极和漏电极分别通过两个第一过孔与氧化物有源层电连接，连接电极通过第二过孔与信号线电连接；
形成覆盖源电极、漏电极和连接电极的第三绝缘层，第三绝缘层具有贯穿第三绝缘层暴露出漏电极的第三过孔和贯穿第三绝缘层暴露出连接电极的第四过孔。
其中，栅电极、信号线、第一绝缘层、氧化物有源层、第二绝缘层、源电极、漏电极、连接电极和第三绝缘层构成阵列结构层。
步骤S3可以包括：
在氢气扩散阻挡层上采用等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺沉积N型非晶硅薄膜；
在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜；
对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非晶硅薄膜进行活化工艺，在本征非晶硅薄膜的上层形成P型非晶硅薄膜。
其中，N型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜构成光敏结构层。
还包括：
沉积第一导电薄膜；
通过对氢气扩散阻挡层、光敏结构层和第一导电薄膜进行构图工艺，形成包括阻挡电极、光电二极管和第一电极的光电二极管；
形成覆盖上述图案的平坦层，平坦层具有贯穿平坦层暴露出第一电极的第五过孔和贯穿第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和平坦层暴露出信号线的第六过孔；
在平坦层上形成第二电极和遮光层，第二电极通过第五过孔与第一电极电连接，通过第六过孔与连接电极电连接，遮光层在基底上的正投影覆盖沟道区域在基底上的正投影；
形成覆盖上述图案的保护层。
其中，在平坦层上形成第二电极和遮光层包括：
在平坦层上沉积第二导电薄膜，通过构图工艺形成第二电极；沉积遮光薄膜，通过构图工艺形成遮光层。或者，
在平坦层上沉积遮光薄膜，通过构图工艺形成遮光层；沉积第二导电薄膜，通过构图工艺形成第二电极。或者，
在平坦层上依次沉积第二导电薄膜和遮光薄膜，通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺形成第二电极和遮光层。
在另一个实施例中，步骤S1可以包括：
在基底上形成栅电极，以及覆盖栅电极的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成氧化物有源层；
在氧化物有源层上形成源电极和漏电极；
形成覆盖源电极和漏电极的第三绝缘层，第三绝缘层具有贯穿第三绝缘层暴露出漏电极的第三过孔。
其中，栅电极、第一绝缘层、氧化物有源层、源电极、漏电极和第三绝缘层构成阵列结构层。
步骤S3可以包括：
在氢气扩散阻挡层上采用等离子体增强化学气相沉积PECVD工艺沉积N型非晶硅薄膜；
在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜；
对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非晶硅薄膜进行活化工艺，在本征非晶硅薄膜的上层形成P型非晶硅薄膜。
其中，N型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜构成光敏结构层。
还包括：
沉积第一导电薄膜；
对氢气扩散阻挡层、光敏结构层和第一导电薄膜进行构图工艺，形成包括阻挡电极、光敏结构和第一电极的光电二极管；
形成覆盖上述图案的钝化层和平坦层，钝化层和平坦层具有贯穿钝化层和平坦层暴露出第一电极的第五过孔；
在平坦层上形成第二电极和电极引线，电极引线通过第五过孔与第一电极电连接；
形成覆盖上述图案的保护层。
下面通过显示面板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。其中，以下实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。
第一实施例
图2～11为本发明第一实施例制备显示面板的示意图，本实施例显示面板可以作为指纹识别面板。
第一次构图工艺中，在基底上通过构图工艺形成栅电极和信号线图案。形成栅电极和信号线图案包括：在基底10上沉积第一金属薄膜，在第一金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在栅电极和信号线图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第一金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成栅电极11和信号线12图案。随后，沉积第一绝缘层13，第一绝缘层13覆盖栅电极11和信号线12图案，如图2所示。第一次构图工艺中，还同时形成有栅线(未示出)，栅线与各行薄膜晶体管一一对应且与对应行中的各薄膜晶体管的栅电极电连接。
第二次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成氧化物有源层图案。形成氧化物有源层图案包括：在第一绝缘层13上沉积有源层薄膜，先对有源层薄膜进行导体化工艺，然后在导体化后的有源层薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在有源层图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的有源层薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成氧化物有源层14图案，如图3所示。
第三次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成具有过孔的第二绝缘层图案。形成具有过孔的第二绝缘层图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第二绝缘薄膜，在第二绝缘薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在过孔位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在其它位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，对完全曝光区域的第二绝缘薄膜和第一绝缘层进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成具有过孔的第二绝缘层15图案，过孔包括位于氧化物有源层位置的两个第一过孔和位于信号线位置的一个第二过孔，第一过孔贯穿第二绝缘层15，暴露出氧化物有源层表面，第二过孔贯穿第二绝缘层15和第一绝缘层13，暴露出信号线表面，如图4所示。本实施例中，第二绝缘薄膜实际上是作为刻蚀阻挡层，以避免后续制备源电极和漏电极图案的构图工艺影响氧化物有源层。
第四次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成源电极、漏电极和连接电极图案。形成源电极、漏电极和连接电极图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第二金属薄膜，在第二金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在源电极、漏电极和连接电极图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第二金属薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成源电极16、漏电极17和连接电极18图案，如图5所示。其中，源电极16和漏电极17分别通过两个第一过孔与氧化物有源层14电连接，源电极16与漏电极17之间形成沟道区域，连接电极18通过第二过孔与信号线12电连接。第四次构图工艺中，还同时形成有数据线(未示出)，数据线与各列薄膜晶体管一一对应且与对应列中的各薄膜晶体管的源电极电连接。
第五次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成具有过孔的第三绝缘层图案。形成具有过孔的第三绝缘层图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第三绝缘薄膜，在第三绝缘薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在过孔位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，在其它位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，对完全曝光区域的第三绝缘薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成具有过孔的第三绝缘层19图案，过孔包括位于漏电极17位置的第三过孔和位于连接电极18位置的第四过孔，第三过孔贯穿第三绝缘层19，暴露出漏电极17表面，第四过孔贯穿第三绝缘层19，暴露出连接电极18表面，如图6所示。
第六次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成包括光电二极管的结构膜层，包括：在形成有前述图案的基底上，先沉积作为氢气扩散阻挡层的第三金属薄膜30，第三金属薄膜30覆盖整个基底10，然后采用PECVD工艺在第三金属薄膜上沉积N型非晶硅薄膜，在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜，对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非晶硅薄膜进行活化工艺，在本征非晶硅薄膜的上层形成P型非晶硅薄膜，从而形成光敏结构层31，最后在P型非晶硅薄膜上沉积第一导电薄膜32，如图7所示。各膜层沉积完成后，在第一导电薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在光电二极管图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第一导电薄膜32、光敏结构层31和第三金属薄膜30进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成阻挡电极20、光敏结构21和第一电极22图案，阻挡电极20、光敏结构21和第一电极22作为光电二极管，阻挡电极20通过第三过孔与漏电极17电连接，光敏结构21的N型非晶硅层与阻挡电极20电连接，P型非晶硅层与第一电极22电连接，如图8所示。其中，离子注入的方式可以是离子沐浴掺杂(Ion shower dog)或者离子注入掺杂(Ion implantation dog)，活化工艺可以采用退火炉退火(OVEN)，或者采用快速热退火(rapid thermal anneal，RTA)。
第七次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成具有过孔的平坦层(Planarization，PLN)图案。形成具有过孔的平坦层图案包括：在形成有前述图案的基底上涂覆树脂薄膜，采用单色调掩膜版对树脂薄膜进行曝光并显影，在第一电极和连接电极位置形成完全曝光区域，树脂薄膜被去除，在其它位置形成未曝光区域，保留有树脂薄膜，形成具有过孔的平坦层23图案，过孔包括位于第一电极22位置的第五过孔和位于连接电极18位置的第六过孔，第五过孔贯穿平坦层23，暴露出第一电极22表面，第六过孔贯穿平坦层23和第三绝缘层19，暴露出连接电极18表面，如图9所示。
第八次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成第二电极图案。形成第二电极图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积第二导电薄膜，在第二导电薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在第二电极图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第二导电薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成第二电极24图案，第二电极24通过第五过孔与第一电极22电连接，通过第六过孔与连接电极18电连接，如图10所示。
第九次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成遮光层图案。形成遮光层图案包括：在形成有前述图案的基底上沉积遮光薄膜，在遮光薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在遮光层图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的遮光薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成遮光层25图案，遮光层25图案位于沟道区域的上方，遮光层25在基底上的正投影覆盖沟道区域在基底上的正投影。最后，在形成有前述图案的基底上，涂覆保护层26，如图11所示。保护层26用于增加后续膜层的附着力，并降低漏电流。
本实施例中，基底可以采用玻璃基底或石英基底。第一金属薄膜和第二金属薄膜可以采用铂Pt、钌Ru、金Au、银Ag、钼Mo、铬Cr、铝Al、钽Ta、钛Ti、钨W等金属中的一种或多种。作为氢气扩散阻挡层的第三金属薄膜可以采用钼Mo、银Ag等金属，优选地采用氧化铟锡ITO/银Ag/氧化铟锡ITO复合层，即氢气扩散阻挡层包括依次叠加的三层材料，第一、第三层包括氧化铟锡ITO，第二层包括银。遮光薄膜可以采用金属。第一栅绝缘层、第二栅绝缘层和第三栅绝缘层可以采用氮化硅SiNx、氧化硅SiOx或SiNx/SiOx的复合薄膜。保护层可以采用树脂材料。氧化物有源层可以采用铟镓锌氧化物IGZO或铟锡锌氧化物ITZO。第一导电薄膜和第二导电薄膜可以采用氧化铟锡ITO或氧化铟锌IZO。
通过图2～11所示的制备显示面板的过程可以看出，本实施例通过在制作光电二极管之前设置覆盖整个基底的氢气扩散阻挡层，使得随后采用PECVD工艺制作光电二极管过程中，PECVD工艺产生的氢离子被氢气扩散阻挡层有效阻挡，不能扩散到薄膜晶体管的沟道区域，不仅克服了现有PECVD工艺损伤薄膜晶体管沟道的问题，保证了氧化物有源层的特性，保证了薄膜晶体管的工作性能，而且，对现有工艺改动很小。此外，现有结构通常将遮挡层设置在第三绝缘层(或钝化层)与平坦层之间，遮挡层的遮光效果不理想。相比之下，本实施例将遮挡层设置在平坦层上，遮挡层与薄膜晶体管沟道之间的距离较大，遮光范围大，最大限度地提高了遮光效果。进一步地，现有结构通常是光电二极管通过第三过孔直接与漏电极电连接，由于第三过孔刻蚀过程会导致漏电极表面损伤，因而存在光电二极管与漏电极接触不良的问题。相比之下，本实施例光电二极管通过阻挡电极与漏电极电连接，由于阻挡电极采用ITO/Ag/ITO复合层，因而有效克服了光电二极管与漏电极接触不良的问题。
需要说明的是，虽然本实施例以九次构图工艺为例描述了制备显示面板的过程，但实际实施时，上述制备顺序、制备工艺和构图工艺次数可以根据实际需要进行调整，本实施例在此不做具体限定。例如，可以在第八次构图工艺中先形成遮光层图案，然后在第九次构图工艺中形成第二电极图案。又如，形成光敏结构层可以采用其它工艺。再如，可以不采用形成具有过孔的第二绝缘层图案的第三次构图工艺，在氧化物有源层上直接制备源电极和漏电极。再如，遮光层图案可以与阻挡电极同层设置并同时形成。此外，虽然本实施例以底栅结构为例描述了第一薄膜晶体管的结构，但实际实施时，第一薄膜晶体管也可以采用顶栅结构，本实施例在此不做具体限定。
本实施例所制备的显示面板包括：
基底10；
设置在基底10上的栅线、栅电极11和信号线12；
覆盖栅线、栅电极11和信号线12的第一绝缘层13；
设置在第一绝缘层13上的氧化物有源层14；
覆盖氧化物有源层14的第二绝缘层15，第二绝缘层15在位于氧化物有源层14位置设置有两个第一过孔，在位于信号线12位置的设置有一个第二过孔；
设置在第二绝缘层15上的数据线、源电极16、漏电极17和连接电极18，源电极16和漏电极17分别通过第一过孔与氧化物有源层14电连接，源电极16与漏电极17之间形成沟道区域，连接电极18通过第二过孔与信号线12电连接；
覆盖源电极16、漏电极17和连接电极18的第三绝缘层19，第三绝缘层19位于漏电极17位置设置有第三过孔，在位于连接电极18位置设置有第四过孔；
设置在第三绝缘层19上的阻挡电极20、光敏结构21和第一电极22，阻挡电极20通过第三过孔与漏电极17电连接，光敏结构21的N型非晶硅层与阻挡电极20电连接，P型非晶硅层与第一电极22电连接；
覆盖前述图案的平坦层23，平坦层23在位于第一电极22位置设置有第五过孔，在位于连接电极18位置设置有第六过孔；
设置在平坦层23上的第二电极24和遮光层25，第二电极24通过第五过孔与第一电极22电连接，通过第六过孔与连接电极18电连接，遮光层25在基底上的正投影覆盖沟道区域在基底上的正投影；
覆盖前述图案的保护层26。
本实施例显示面板可以作为指纹识别面板，薄膜晶体管作为开关单元，光电二极管作为光敏单元，光敏单元与开关单元电连接，栅线为扫描线，数据线为指纹识别读取线。指纹识别面板工作时，向信号线施加固定电压，当栅线(扫描线)控制薄膜晶体管打开时，通过数据线(指纹识别读取线)向薄膜晶体管的漏电极提供电压，使光敏单元处于反偏状态。当栅线下一次控制薄膜晶体管打开时，检测数据线上的信号，当手指触控发生时，指纹不同部位会使对应区域的光敏单元接收到的光的强度不同，从而导致光敏单元两端的电压差不同，因此通过检测数据线上的信号，可以实现指纹触控。
第二实施例
本实施例是基于第一实施例的一种扩展，与第一实施例不同的是，本实施例中，采用半色调掩膜或灰色调掩技术的构图工艺同时形成第二电极和遮光层图案。
本实施例第一～第七次构图工艺与第一实施例的第一～第七次构图工艺相同，如图2～图9所示。
第八次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺同时形成第二电极和遮光层图案。同时形成第二电极和遮光层图案包括：在形成有前述图案的基底上依次第二导电薄膜和遮光薄膜，在遮光薄膜上涂覆一层光刻胶，采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在遮光层图案位置形成未曝光区域，具有第一厚度的光刻胶，在第二电极图案位置形成部分曝光区域，具有第二厚度的光刻胶，在其余位置形成完全曝光区域，无光刻胶，第一厚度大于第二厚度。通过第一次刻蚀工艺刻蚀掉完全曝光区域的第二导电薄膜和遮光薄膜，进行光刻胶灰化处理，使光刻胶在整体上去除第二厚度，暴露出部分曝光区域的遮光薄膜，通过第二次刻蚀工艺刻蚀掉部分曝光区域的遮光薄膜，剥离掉剩余的光刻胶，形成第二电极24和遮光层25图案，第二电极24通过第五过孔与第一电极22电连接，通过第六过孔与连接电极18电连接，遮光层25下方保留有第二导电薄膜，如图12所示。
本实施例各膜层材料以及工艺要求与前述第一实施例相同，同样实现了第一实施例避免PECVD工艺损伤薄膜晶体管沟道的技术效果。同时，本实施例采用半色调掩膜或灰色调掩技术，减少了一次构图工艺，因此具有工艺简单、制备成本低的优点。
第三实施例
图13～17为本发明第三实施例制备显示面板的示意图，本实施例显示面板可以作为X射线探测面板。
第一次构图工艺中，在基底上通过构图工艺形成栅线(未示出)和栅电极11图案，随后沉积第一绝缘层13，第一绝缘层13覆盖栅线和栅电极11图案。第二次构图工艺中，通过构图工艺形成氧化物有源层14图案。第三次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成数据线(未示出)、源电极16和漏电极17图案。第四次构图工艺中，通过构图工艺形成具有过孔的第三绝缘层19图案，过孔包括位于漏电极17位置的第三过孔，第三过孔贯穿第三绝缘层19，暴露出漏电极17表面，如图13所示。
第五次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成包括光电二极管的结构膜层，包括：在形成有前述图案的基底上，先沉积作为氢气扩散阻挡层的第三金属薄膜30，第三金属薄膜30覆盖整个基底10，然后采用PECVD工艺在第三金属薄膜上沉积N型非晶硅薄膜，在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜，对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非晶硅薄膜进行活化工艺，在本征非晶硅薄膜的上层形成P型非晶硅薄膜，从而形成光敏结构层31，最后在在P型非晶硅薄膜上沉积第一导电薄膜32，如图14所示。各膜层沉积完成后，在第一导电薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，在光电二极管图案位置形成未曝光区域，保留有光刻胶，在其它位置形成完全曝光区域，光刻胶被去除，对完全曝光区域的第一导电薄膜32、光敏结构层31和第三金属薄膜30进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成阻挡电极20、光敏结构21和第一电极22图案，阻挡电极20、光敏结构21和第一电极22作为光电二极管，阻挡电极20通过第三过孔与漏电极17电连接，光敏结构21的N型非晶硅层与阻挡电极20电连接，P型非晶硅层与第一电极22电连接，如图15所示。
第六次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成具有过孔的钝化层和平坦层图案。形成具有过孔的钝化层和平坦层图案包括：在形成有前述图案的基底上先沉积钝化薄膜，然后涂覆树脂薄膜，采用单色调掩膜版对树脂薄膜进行曝光并显影，在第一电极位置形成完全曝光区域，树脂薄膜被去除，在其它位置形成未曝光区域，保留有树脂薄膜，对完全曝光区域的钝化薄膜进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，形成具有过孔的钝化层27和平坦层23图案，过孔包括位于第一电极22位置的第五过孔，第五过孔贯穿钝化层27和平坦层23，暴露出第一电极22表面，如图16所示。
第七次构图工艺中，在形成有前述图案的基底上，通过构图工艺形成第二电极和电极引线图案。形成第二电极和电极引线图案包括：在形成有前述图案的基底上依次沉积第二导电薄膜和第四金属薄膜，在第四金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，刻蚀形成第二电极24和电极引线28图案，电极引线28与第二电极24电连接。最后，在形成有前述图案的基底上，沉积保护层26，如图17所示。
本实施例中，各膜层材料和制备方法与前述实施例相同。通过图13～17所示的制备显示面板的过程可以看出，本实施例通过在制作光电二极管之前设置覆盖整个基底的氢气扩散阻挡层，使得随后在采用PECVD工艺制作光电二极管过程中，PECVD工艺产生的氢离子被氢气扩散阻挡层有效阻挡，不能扩散到薄膜晶体管的沟道区域，不仅克服了现有PECVD工艺损伤薄膜晶体管沟道的问题，保证了氧化物有源层的特性，保证了薄膜晶体管的工作性能，而且，对现有工艺改动很小。
本实施例所制备的显示面板包括：
基底10；
设置在基底10上的栅线和栅电极11；
覆盖栅线和栅电极11的第一绝缘层13；
设置在第一绝缘层13上的氧化物有源层14；
设置在氧化物有源层14上的数据线、源电极16和漏电极17，源电极16与漏电极17相对设置，其间形成沟道区域；
覆盖源电极16、漏电极17和连接电极18的第三绝缘层19，第三绝缘层19位于漏电极17位置设置有第三过孔；
设置在第三绝缘层19上的阻挡电极20、光敏结构21和第一电极22，阻挡电极20通过第三过孔与漏电极17电连接，光敏结构21的N型非晶硅层与阻挡电极20电连接，P型非晶硅层与第一电极22电连接；
覆盖前述图案的钝化层27和平坦层23，钝化层27和平坦层23在位于第一电极22位置设置有第五过孔；
设置在平坦层23上的第二电极24和电极引线28，电极引线28与第二电极24电连接；
覆盖前述图案的保护层26。
本实施例显示面板可以作为X射线探测面板。在具体实施时，保护层上还形成有闪烁体层或荧光体层。X射线探测面板工作时，照射的X射线经闪烁体层或荧光体层转换成可见光，可见光被光电二极管吸收并转换成电荷载流子，电荷载流子存储在存储电容或者光电二极管的自身电容中形成图像电荷，由外接扫描控制电路顺序接通每一行薄膜晶体管，以一行同时读出的方式将图像电荷输出到外部数据处理电路。经每一薄膜晶体管读出的图像电荷量对应于入射X射线的剂量，通过外部数据处理电路处理可以确定每一像素点的电荷量，进而确定每一像素点的X射线剂量。
第四实施例
基于前述实施例的发明构思，本实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括采用前述实施例制备方法制备的显示面板。当显示面板为指纹识别面板时，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。当显示面板为X射线探测面板时，显示装置可以为X射线成像系统，应用于医疗检查中，X射线探测面板所检测的信号可以传输至控制装置(如计算机)中，控制装置将信号转换为图像信号，并控制显示装置进行显示相应的图像，从而直观地看出X射线的分布。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (12)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极；
形成覆盖整个基底的氢气扩散阻挡层，所述氢气扩散阻挡层具有导电性且与所述漏电极电连接；
在氢气扩散阻挡层上形成光敏结构层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在氢气扩散阻挡层上形成光敏结构层，包括：
在氢气扩散阻挡层上采用等离子体增强化学气相沉积工艺沉积N型非晶硅薄膜；
在N型非晶硅薄膜上沉积本征非晶硅薄膜；
对本征非晶硅薄膜进行离子注入，并对离子注入后的本征非晶硅薄膜进行活化工艺，在本征非晶硅薄膜的上层形成P型非晶硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：
沉积第一导电薄膜；
对所述氢气扩散阻挡层、光敏结构层和第一导电薄膜进行构图工艺，形成包括阻挡电极、光敏结构和第一电极的光电二极管。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，还包括：
形成平坦层，平坦层具有贯穿所述平坦层暴露出第一电极的过孔；
在平坦层上形成第二电极，第二电极通过所述过孔与第一电极电连接。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括：在平坦层上形成遮光层，所述遮光层在基底上的正投影覆盖沟道区域在基底上的正投影。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述遮光层与所述第二电极同时形成。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，还包括：在第二电极上形成电极引线，所述电极引线与所述第二电极电连接。
8.根据权利要求1～7任一所述的制备方法，其特征在于，所述氢气扩散阻挡层包括依次叠加的三层材料，第一、第三层包括氧化铟锡，第二层包括银。
9.根据权利要求1～7任一所述的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成薄膜晶体管，包括：
在基底上形成栅电极和信号线，以及覆盖栅电极和信号线的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成氧化物有源层；
形成覆盖氧化物有源层的第二绝缘层，第二绝缘层具有贯穿所述第二绝缘层暴露出氧化物有源层的两个第一过孔和贯穿所述第一绝缘层和第二绝缘层暴露出信号线的第二过孔；
在第二绝缘层上形成源电极、漏电极和连接电极，源电极和漏电极分别通过两个所述第一过孔与氧化物有源层电连接，连接电极通过所述第二过孔与信号线电连接；
形成覆盖源电极、漏电极和连接电极的第三绝缘层，第三绝缘层具有贯穿所述第三绝缘层暴露出漏电极的第三过孔和贯穿所述第三绝缘层暴露出连接电极的第四过孔。
10.根据权利要求1～7任一所述的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成薄膜晶体管，包括：
在基底上形成栅电极，以及覆盖栅电极的第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成氧化物有源层；
在氧化物有源层上形成源电极和漏电极；
形成覆盖源电极和漏电极的第三绝缘层，第三绝缘层具有贯穿所述第三绝缘层暴露出漏电极的第三过孔。
11.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板采用如权利要求1～10任一所述的制备方法制备，所述显示面板用于指纹识别或X射线探测。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的显示面板。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108511465A (zh) * 2018-04-28 2018-09-07 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法
CN108615826A (zh) * 2018-05-04 2018-10-02 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
CN109244103A (zh) * 2018-09-18 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 光敏传感器及其制作方法、电子设备
CN109742126A (zh) * 2019-01-11 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
EP3499574A1 (en) * 2017-12-14 2019-06-19 LG Display Co., Ltd. Substrate for digital x-ray detector, digital x-ray detector including the same and manufacturing method thereof
CN110008936A (zh) * 2019-04-19 2019-07-12 广州新视界光电科技有限公司 一种指纹识别模组和指纹识别设备
WO2019196840A1 (zh) * 2018-04-12 2019-10-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
WO2019206027A1 (zh) * 2018-04-28 2019-10-31 京东方科技集团股份有限公司 感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN110536082A (zh) * 2019-08-30 2019-12-03 上海中航光电子有限公司 主动式像素传感电路结构及传感器、显示面板及装置
CN110634890A (zh) * 2019-10-11 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法
WO2020143485A1 (zh) * 2019-01-11 2020-07-16 惠科股份有限公司 半导体、x射线探测器及显示设备
CN111430386A (zh) * 2020-04-01 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 光电探测器、显示基板及光电探测器的制作方法
CN112309990A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
WO2021072604A1 (zh) * 2019-10-14 2021-04-22 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板、其制作方法及平板探测器
CN112864173A (zh) * 2021-01-12 2021-05-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113228230A (zh) * 2018-12-20 2021-08-06 索尼半导体解决方案公司 摄像装置
CN113658869A (zh) * 2021-08-16 2021-11-16 成都京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、显示器件
EP3857604A4 (en) * 2018-10-09 2022-10-05 Micron Technology, Inc. DEVICES WITH VERTICAL TRANSISTORS WITH HYDROGEN BARRIER MATERIALS AND RELATED METHODS
WO2023164961A1 (zh) * 2022-03-02 2023-09-07 武汉华星光电技术有限公司 指纹采集器件、显示面板

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107104108B (zh) * 2017-05-19 2020-08-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、平板探测器及影像设备
CN107393934B (zh) 2017-08-14 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN107507841B (zh) * 2017-09-22 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN111106134B (zh) * 2018-10-29 2023-08-08 夏普株式会社 有源矩阵基板以及具备其的x射线拍摄面板
CN109887964B (zh) * 2019-02-15 2021-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制备方法
CN110112141B (zh) * 2019-04-26 2021-02-02 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及制备方法
CN111106140A (zh) * 2019-12-24 2020-05-05 厦门天马微电子有限公司 传感器及其制造方法
CN111275001A (zh) * 2020-02-18 2020-06-12 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别单元及其制作方法、显示基板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103730533A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 Nlt科技股份有限公司 光电转换设备、其制造方法以及x光图像检测器
CN105093654A (zh) * 2015-08-27 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
US20160322416A1 (en) * 2015-04-28 2016-11-03 Nlt Technologies, Ltd. Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, photodiode array, and imaging apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053412B2 (en) * 2003-06-27 2006-05-30 The Trustees Of Princeton University And Universal Display Corporation Grey scale bistable display
US7902004B2 (en) * 2008-10-14 2011-03-08 Dpix Llc ESD induced artifact reduction design for a thin film transistor image sensor array
JP6125017B2 (ja) * 2013-08-07 2017-05-10 シャープ株式会社 Ｘ線イメージセンサー用基板
KR102285384B1 (ko) * 2014-09-15 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 그 제조방법 및 표시 장치
KR102465381B1 (ko) * 2015-12-14 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103730533A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 Nlt科技股份有限公司 光电转换设备、其制造方法以及x光图像检测器
US20160322416A1 (en) * 2015-04-28 2016-11-03 Nlt Technologies, Ltd. Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, photodiode array, and imaging apparatus
CN105093654A (zh) * 2015-08-27 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110034135A (zh) * 2017-12-14 2019-07-19 乐金显示有限公司 用于数字x射线检测器的基板，包括该基板的数字x射线检测器及其制造方法
US10802163B2 (en) 2017-12-14 2020-10-13 Lg Display Co., Ltd. Substrate for digital x-ray detector, digital x-ray detector including the same and manufacturing method thereof
CN110034135B (zh) * 2017-12-14 2023-12-05 乐金显示有限公司 用于数字x射线检测器的基板，包括该基板的数字x射线检测器及其制造方法
EP3499574A1 (en) * 2017-12-14 2019-06-19 LG Display Co., Ltd. Substrate for digital x-ray detector, digital x-ray detector including the same and manufacturing method thereof
US11380720B2 (en) 2018-04-12 2022-07-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method therefor, display panel, and display device
WO2019196840A1 (zh) * 2018-04-12 2019-10-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
WO2019206027A1 (zh) * 2018-04-28 2019-10-31 京东方科技集团股份有限公司 感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置
US11315977B2 (en) 2018-04-28 2022-04-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Photosensitive assembly and method for preparing the same, array substrate, and display device
CN108511465A (zh) * 2018-04-28 2018-09-07 武汉华星光电技术有限公司 内嵌式触控阵列基板、显示面板及制造方法
CN108615826A (zh) * 2018-05-04 2018-10-02 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
US11139357B2 (en) 2018-05-04 2021-10-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode display substrate, manufacturing method thereof, and display device
CN109244103A (zh) * 2018-09-18 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 光敏传感器及其制作方法、电子设备
US10818732B2 (en) 2018-09-18 2020-10-27 Boe Technology Group Co., Ltd. Photosensitive sensor, manufacturing method of the same, and electronic device
EP3857604A4 (en) * 2018-10-09 2022-10-05 Micron Technology, Inc. DEVICES WITH VERTICAL TRANSISTORS WITH HYDROGEN BARRIER MATERIALS AND RELATED METHODS
US11658246B2 (en) 2018-10-09 2023-05-23 Micron Technology, Inc. Devices including vertical transistors, and related methods and electronic systems
CN113228230A (zh) * 2018-12-20 2021-08-06 索尼半导体解决方案公司 摄像装置
US10872933B2 (en) 2019-01-11 2020-12-22 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display apparatus
WO2020143485A1 (zh) * 2019-01-11 2020-07-16 惠科股份有限公司 半导体、x射线探测器及显示设备
CN109742126A (zh) * 2019-01-11 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN110008936A (zh) * 2019-04-19 2019-07-12 广州新视界光电科技有限公司 一种指纹识别模组和指纹识别设备
CN110536082A (zh) * 2019-08-30 2019-12-03 上海中航光电子有限公司 主动式像素传感电路结构及传感器、显示面板及装置
CN110536082B (zh) * 2019-08-30 2021-11-02 上海中航光电子有限公司 主动式像素传感电路及传感器、显示面板及装置
CN110634890B (zh) * 2019-10-11 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法
CN110634890A (zh) * 2019-10-11 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、电子装置和阵列基板的制作方法
CN113330567A (zh) * 2019-10-14 2021-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板、其制作方法及平板探测器
US12062672B2 (en) 2019-10-14 2024-08-13 Beijing Boe Sensor Technology Co., Ltd. Detection substrate, preparation method thereof and flat panel detector
CN113330567B (zh) * 2019-10-14 2024-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板、其制作方法及平板探测器
WO2021072604A1 (zh) * 2019-10-14 2021-04-22 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板、其制作方法及平板探测器
US11876106B2 (en) 2019-10-14 2024-01-16 Beijing Boe Sensor Technology Co., Ltd. Detection substrate, preparation method thereof and flat panel detector
CN111430386A (zh) * 2020-04-01 2020-07-17 京东方科技集团股份有限公司 光电探测器、显示基板及光电探测器的制作方法
CN111430386B (zh) * 2020-04-01 2023-11-10 京东方科技集团股份有限公司 光电探测器、显示基板及光电探测器的制作方法
US11894398B2 (en) 2020-04-01 2024-02-06 Boe Technology Group Co., Ltd. Photodetector, display substrate, and method of manufacturing photodetector
CN112309990B (zh) * 2020-10-30 2023-03-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112309990A (zh) * 2020-10-30 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112864173A (zh) * 2021-01-12 2021-05-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112864173B (zh) * 2021-01-12 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113658869A (zh) * 2021-08-16 2021-11-16 成都京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、显示器件
WO2023164961A1 (zh) * 2022-03-02 2023-09-07 武汉华星光电技术有限公司 指纹采集器件、显示面板

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