CN109742126A - 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，提出一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。该显示基板的制备方法包括：在衬底基板的一侧形成光学补偿控制薄膜晶体管；在光学补偿控制薄膜晶体管的背离衬底基板的一面形成导体保护层；在导体保护层的背离衬底基板的一面形成光学检测器件材料层；对光学检测器件材料层进行图案化形成光学检测器件，并对导体保护层进行图案化形成导体图案；其中，光学检测器件通过导体图案与光学补偿控制薄膜晶体管的源极或漏极电连接。使用该方法后使显示面板的显示效果较好。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示基板的制备方法、安装有该显示基板的显示面板、安装有该显示面板的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic light emitting diode；简称：OLED)显示面板是市面上新型的显示面板。由于OLED显示面板具有自发光的特性，与液晶显示面板相比，OLED显示面板具有广色域、高对比度和超轻薄等诸多优点。
OLED显示面板由于长时间工作在高对比度、高亮度的状态下，OLED显示面板中各个子像素中的有机发光层的发光亮度衰退不一致，因此，会导致OLED显示面板发光不均，故需要对OLED显示面板中的子像素进行亮度补偿。通常在OLED显示面板出厂前，借助专业设备对OLED显示面板中的各个子像素进行一次性亮度补偿，但是OLED显示面板出厂后，无法再对子像素进行亮度补偿。
因此，有必要研究一种显示基板及显示基板的制备方法、安装有该显示基板的显示面板、安装有该显示面板的显示装置。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的显示效果较差的不足，提供一种显示效果较好的显示基板及显示基板的制备方法、安装有该显示基板的显示面板、安装有该显示面板的显示装置。
本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本发明的实践而习得。
根据本公开的一个方面，提供一种显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板的一侧形成光学补偿控制薄膜晶体管；
在所述光学补偿控制薄膜晶体管的背离所述衬底基板的一面形成导体保护层；
在所述导体保护层的背离所述衬底基板的一面形成光学检测器件材料层；
对所述光学检测器件材料层进行图案化形成光学检测器件，并对所述导体保护层进行图案化形成导体图案；
其中，所述光学检测器件通过所述导体图案与所述光学补偿控制薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述光学检测器件与所述导体图案通过一次构图工艺形成。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述导体保护层的背离所述衬底基板的一面形成光学检测器件材料层，包括：
在所述导体保护层的背离所述衬底基板的一面形成半导体层；
在所述半导体层的背离所述衬底基板的一面形成第一导体层。
在本公开的一种示例性实施例中，对所述光学检测器件材料层进行图案化形成光学检测器件，包括：
对所述第一导体层进行湿刻形成第一电极；
对所述半导体层进行干刻形成光电转换层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述制备方法还包括：
在所述光学检测器件的背离所述衬底基板的一面形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；
在所述绝缘层的背离所述衬底基板的一面形成第二电极，并使所述第二电极贯穿所述过孔与所述第一电极连接。
在本公开的一种示例性实施例中，在衬底基板之上形成光学补偿控制薄膜晶体管，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板之上形成有源层；
在所述有源层的背离所述衬底基板的一面形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层的背离所述衬底基板的一面形成栅极；
在所述栅极的背离所述衬底基板的一面形成层间介电层；
在所述层间介电层的背离所述衬底基板的一面形成源漏极。
在本公开的一种示例性实施例中，所述制备方法还包括：对所述衬底基板进行预处理，包括：
在所述衬底基板之上形成遮光层；
在所述遮光层的背离所述衬底基板的一面形成缓冲层，所述光学补偿控制薄膜晶体管设置在所述缓冲层之上，所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内。
根据本公开的一个方面，提供一种显示基板，包括：
衬底基板；
光学补偿控制薄膜晶体管，设于所述衬底基板的一侧，所述光学补偿控制薄膜晶体管包括源极和漏极；
导体图案，设于所述光学补偿控制薄膜晶体管的背离所述衬底基板的一面；
光学检测器件，设于所述导体图案的背离所述衬底基板的一面；
其中，所述光学检测器件通过所述导体图案与所述源极或所述漏极电连接，所述光学检测器件在所述衬底基板的正投影位于所述导体图案在所述衬底基板的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，所述光学检测器件与所述导体图案通过一次构图工艺形成。
在本公开的一种示例性实施例中，所述光学检测器件包括：
光电转换层，设于所述导体图案的背离所述衬底基板的一面；
第一电极，设于所述光电转换层的背离所述衬底基板的一面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示基板还包括：
绝缘层，设于所述光学检测器件的背离所述衬底基板的一面，所述绝缘层上设置有过孔；
第二电极，设于所述绝缘层的背离所述衬底基板的一面，所述第二电极贯穿所述过孔与所述第一电极连接。
在本公开的一种示例性实施例中，所述光学补偿控制薄膜晶体管包括：
有源层，设于所述衬底基板之上；
栅极绝缘层，设于所述有源层的背离所述衬底基板的一面；
栅极，设于所述栅极绝缘层的背离所述衬底基板的一面；
层间介电层，设于所述栅极的背离所述衬底基板的一面；
源漏极，设于所述层间介电层的背离所述衬底基板的一面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示基板还包括：
遮光层，设于所述衬底基板之上；
缓冲层，设于所述遮光层的背离所述衬底基板的一面，所述光学补偿控制薄膜晶体管设置在所述缓冲层之上，所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：
上述任意一项所述的显示基板。
根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括：上述所述的显示面板。
由上述技术方案可知，本发明具备以下优点和积极效果中的至少之一：
本发明的显示基板的制备方法，在光学补偿控制薄膜晶体管上形成导体保护层，然后形成光学检测器件，最后将导体保护层图案化形成导体图案，光学检测器件通过导体图案与光学补偿控制薄膜晶体管的源极或漏极电连接。一方面，光学检测器件与光学补偿薄膜晶体管中的源极或漏极电连接，通过光学检测器件可以检测子像素区域发出的光的亮度，并将光亮度的检测结果通过光学补偿控制薄膜晶体管输出，之后就可以根据该光亮度的检测结果对子像素区域的亮度进行补偿。从而能够实现在该显示基板出厂后，对子像素进行实时亮度补偿，使显示面板的显示效果较好；另一方面，首先形成光学补偿控制薄膜晶体管，避免制备光学补偿控制薄膜晶体管的源漏极的过程中的湿刻工艺会对使光学检测器件侧壁受损，造成光学检测器件漏电流增大；再一方面，在制备光学检测器件的过程中，通过导体保护层保护光学补偿控制薄膜晶体管，避免制备光学检测器件的过程中会引入大量的H扩散到其下部的光学补偿控制薄膜晶体管，从而造成光学补偿控制薄膜晶体管特性劣化。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是相关技术中光学检测器件和光学补偿控制TFT的排布结构示意图；
图2是本发明显示基板的制备方法一实施方式的流程示意图；
图3是完成图2中的步骤S10和步骤S20后的显示基板的结构示意图；
图4是在图3的基础上完成图2中的步骤S30和步骤S40后的显示基板的结构示意图；
图5是在图4的基础上形成绝缘层以及第二电极后的显示基板的结构示意图；
图6是在图5的基础上形成黑矩阵、彩膜层等后的显示基板的结构示意图；
图7是在图6的基础上形成的显示面板的结构示意图。
图中主要元件附图标记说明如下：
1、盖板；11、衬底基板；12、遮光层；13、缓冲层；
14、光学补偿控制TFT；141、有源层；142、栅极绝缘层；143、栅极；144、层间介电层；145、源漏极；
151、导体保护层；152、导体图案；
16、光电转换层；17、第一电极；18、绝缘层；19、第二电极；20、黑矩阵；21、彩膜层；22、平坦化层；23、辅助阴极；24、隔垫物；25、透明阴极层；
3、背板；31、有机发光层；32、背板玻璃；33、光学检测器件。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
OLED显示面板可以包括：盖板和背板。参照图1所示的相关技术中光学检测器件和光学补偿控制TFT的排布结构示意图；在盖板中的每个子像素区域中可以设置有光学补偿控制TFT(英文：Thin Film Transistor，简称：TFT，中文简称：薄膜晶体管)和光学检测器件33，该光学补偿控制TFT与光学检测器件33以及OLED显示面板外的光学补偿IC(英文：Integrated Circuit；简称：IC)电连接。在背板中的每个子像素区域中可以设置有机发光层和驱动电路，该有机发光层可以在驱动电路的驱动下向盖板所在侧发光。
当某个子像素区域中的有机发光层发光时，该子像素区域中的光学检测器件33可以检测到该有机发光层所发出的光的亮度，并将该亮度转化为漏电流，通过光学补偿控制TFT导出至OLED显示面板外部的光学补偿IC。光学补偿IC可以根据接收到的漏电流的大小，确定出有机发光层所发出的光的亮度的高低，进而通过该子像素区域中的驱动电路控制有机发光层所发出的光的亮度。例如，若该光学补偿IC确定出该有机发光层所发出的光的亮度较低，可以控制该子像素区域中的驱动电路，使得该驱动电路可以提高有机发光层所发出的光的亮度。
在制造OLED显示面板中的光学检测器件33时，若先形成光学补偿控制TFT的源漏极材料层，再形成光学检测器件33，最后在通过刻蚀处理形成光学补偿控制TFT中的源极和漏极，则在刻蚀处理的过程中，所采用的刻蚀液可能会损坏光学检测器件33，导致通过该光学检测器件对子像素进行亮度补偿的准确性较低，进而导致显示面板的显示效果较差。
若先形成光学补偿控制TFT中的源极和漏极，再形成光学检测器件33，则在形成光学检测器件33的过程中，由于光学检测器件33的材料中含有大量的氢元素(通常为氢离子或氢分子等)，且该光学检测器件33的材料与光学补偿控制TFT中的层间介电层的材料本身均含有氢元素，因此该氢元素可能会扩散到光学补偿控制TFT中的有源层141中，导致光学补偿控制TFT受到影响，通过光学检测器件33对子像素进行亮度补偿的准确性较低，进而导致显示面板的显示效果较差。
该显示基板的制备方法不仅适用于OLED，而且适用于QLED，下面以OLED为例进行说明。
本示例实施方式首先提供了一种显示基板的制备方法，参照图2所示的本发明显示基板的制备方法一实施方式的流程示意图；该制备方法可以包括以下步骤：
步骤S10，在衬底基板11之上形成光学补偿控制薄膜晶体管。
步骤S20，在所述光学补偿控制薄膜晶体管的背离所述衬底基板11的一面形成导体保护层151。
步骤S30，在所述导体保护层151的背离所述衬底基板11的一面形成光学检测器件材料层。
步骤S40，对所述光学检测器件材料层进行图案化形成光学检测器件，并对所述导体保护层151进行图案化形成导体图案152。
其中，所述光学检测器件通过所述导体图案152与所述光学补偿控制薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
下面对OLED显示基板的制备方法的各个步骤进行详细说明。
参照图3所示的完成图2中的步骤S10和步骤S20后的OLED显示基板的结构示意图。
步骤S10，在衬底基板11之上形成光学补偿控制薄膜晶体管。
在本示例实施方式中，在形成光学补偿控制TFT14之前需要在衬底基板11之上形成遮光层12，并在遮光层12的背离衬底基板11的一面形成缓冲层13。具体为：在衬底基板11上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成遮挡材质层，然后对该遮挡材质层通过一次构图工艺形成遮光层12，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。在形成有遮光层12的衬底基板11上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成缓冲层13。遮光层12的材料可以为金属材料，例如，金属钼(简称：Mo)、金属铜(简称：Cu)、金属铝(简称：Al)或合金材料。缓冲层13的材料可以为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等。
在形成缓冲层13的衬底基板11上再形成光学补偿控制TFT14，光学补偿控制TFT14以顶栅型TFT(如具有自对准结构的顶栅型TFT)为例进行示意性说明。当然，光学补偿控制TFT14还可以为底栅型TFT，如刻蚀阻挡层(英文：Etch Stop Layer；简称：ESL)型的TFT或背沟道刻蚀型(英文：Back Channel Etch Type；简称：BCE)型的TFT，本发明实施例对此不做限定。
光学补偿控制TFT14具体的形成过程为：首先，在缓冲层13的背离衬底基板11的一面通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成有源材质层，然后对该有源材质层通过一次构图工艺形成有源层141。该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。有源层141在衬底基板11上的正投影位于遮光层12在衬底基板11上的正投影内，即遮光层12能够完全遮挡有源层141，避免环境光线照射至有源层141，避免光学补偿控制TFT14出现阈值电压漂移的现象。有源层141的材料可以为金属氧化物材料，例如，ITO、铟镓锌氧化物(英文：Indium Gallium Zinc Oxide；简称：IGZO)或掺铟氧化锌(英文：Indium-doped Zinc Oxide；简称：IZO)等；有源层141的材料也可以为无机材料，例如，多晶硅或非晶硅等。
之后，在有源层141的背离衬底基板11的一面通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成栅极绝缘材质层和栅极材质层，然后对栅极材质层和栅极绝缘材质层通过一次构图工艺形成栅极143和栅极绝缘层142，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。也可以通过一块掩模板遮挡，先湿刻栅极材质层形成栅极143，后干刻栅极绝缘材质层形成栅极绝缘层142。栅极绝缘材质层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等绝缘材料。栅极材质层的材料可以为金属材料，例如，金属Mo、金属Cu、金属Al或合金材料。
然后，在栅极143的背离衬底基板11的一面通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成层间介电层144，然后对该层间介电层144通过一次构图工艺形成带有通孔的层间介电层144，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
最后，在层间介电层144的背离衬底基板11的一面通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成源漏极材质层，然后对源漏极材质层通过一次构图工艺形成源漏极145，且源漏极145通过层间介电层144的通孔与有源层141连接。源漏极材质层的材料可以为金属材料，例如，金属Mo、金属Cu、金属Al或合金材料。
步骤S20，在所述光学补偿控制薄膜晶体管的背离所述衬底基板11的一面形成导体保护层151。
在本示例实施方式中，在形成有光学补偿控制薄膜晶体管的衬底基板11之上通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成导体保护层151。导体保护层151的材料可以为金属材料，例如，金属Mo、金属Cu、金属Al或合金材料。
参照图4所示的在图3的基础上完成图2中的步骤S30和步骤S40后的显示基板的结构示意图。
步骤S30，在所述导体保护层151的背离所述衬底基板11的一面形成光学检测器件材料层。
在本示例实施方式中，可以采用等离子体增强化学的气相沉积法(英文：PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition；简称：PECVD)在衬底基板11中的每个子像素区域的导体保护层151上依次沉积形成N型半导体材质层、本征半导体材质层、P型半导体材质层和第一导体层。N型半导体材质层可以为磷或砷掺杂半导体，P型半导体材质层可以为硼掺杂半导体。
步骤S40，对所述光学检测器件材料层进行图案化形成光学检测器件，并对所述导体保护层151进行图案化形成导体图案152。
在本示例实施方式中，可以通过同一块掩模板遮盖光学检测器件材料层后，可以采用湿法刻蚀对第一导体层进行刻蚀形成第一电极17，然后，可以采用干法刻蚀对光学检测器件材料层进行刻蚀形成光电转换层16，并同时采用干法刻蚀对导体保护层151进行刻蚀形成导体图案152。有效的提高了刻蚀速率，提高了OLED显示基板的制造效率。当然，也可以通过一次构图工艺形成光学检测器件和导体图案152，该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
参照图5所示的在图4的基础上形成绝缘层18以及第二电极19后的显示基板的结构示意图。
在本示例实施方式中，在光学检测器件的背离衬底基板11的一面通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成绝缘材质层，然后对该绝缘材质层通过一次构图工艺形成绝缘层18并在绝缘层18上形成过孔，该过孔在衬底基板11上的正投影位于第一电极17在衬底基板11上的正投影之内。该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。绝缘材质层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等绝缘材料。
然后，在绝缘层18的背离衬底基板11的一面通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成第二导体层，然后对该第二导体层通过一次构图工艺形成第二电极19，第二电极19贯穿过孔与第一电极17连接。该一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。第二导体层的材料可以为透明导电材料，例如，ITO或IZO等。
在本发明示例实施方式中，通过上述步骤可以形成OLED显示基板的光学补偿控制TFT14和光学检测器件。需要说明的是，该OELD显示基板可以为盖板1，也可以为背板3，由于盖板1与背板3的结构有所不同，因此该OLED显示基板的制造方法的后续步骤也有所不同，本发明示例实施方式以以下两种可实现方式为例进行示意性说明：
在第一种可实现方式中，参照图6所示的在图5的基础上形成黑矩阵20、彩膜层21等后的OLED显示基板的结构示意图；当OLED显示基板为盖板1时，在上述步骤后，该OLED显示基板的制造方法还可以包括：在绝缘层18的背离衬底基板11的一面形成黑矩阵材质层，然后对该黑矩阵材质层通过一次构图工艺形成黑矩阵20，并使黑矩阵20覆盖光学补偿控制TFT14。之后，在黑矩阵20的背离衬底基板11的一面形成彩膜材质层，然后对该彩膜材质层通过构图工艺形成彩膜层21，使彩膜层21位于第二电极19的背离衬底基板11的一面，并使彩膜层21完全覆盖光学检测器件，且彩膜层21在衬底基板11上的正投影与黑矩阵20在衬底基板11上的正投影有交叠，即彩膜层21的边缘覆盖在黑矩阵20的边缘之上。然后，在彩膜层21的背离衬底基板11的一面通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成平坦化层22。再后，在平坦化层22的背离衬底基板11的一面形成辅助阴极材质层，然后对该辅助阴极材质层通过构图工艺形成辅助阴极23；辅助阴极材质层的材料可以为金属材料，例如，金属Mo、金属Cu、金属Al或合金材料。在辅助阴极23的背离衬底基板11的一面形成隔垫物材质层，并对隔垫物材质层通过构图工艺形成隔垫物24。最后，在隔垫物24的背离衬底基板11的一面通过沉积、涂敷、溅射等多种方式中的任一种形成透明阴极层25，透明阴极层25的材料可以为透明导电氧化物，例如，TCO(透明导电膜)、AZO(偶氮化合物)、IZO(氧化铟锌)、AZTO(无定形锌锡氧化物)或几种材料的组合等。
在第二种可实现方式中，当OLED显示基板为背板3时，在形成第二电极19的步骤后，该OLED显示基板的制造方法还可以包括：在形成有第二电极19的衬底基板11上依次形成滤色层、平坦化层、阳极、像素界定层、有机发光层和阴极。
需要说明的是，在上述步骤形成光学补偿控制TFT14中的有源层141、栅绝缘层18、栅极143和层间介电层144的过程中，还可以在衬底基板11上形成驱动电路。
综上所述，本发明实施例提供了一种OLED显示基板的制造方法，在衬底基板11中的每个子像素区域上形成光学补偿控制TFT14和光学检测器件，该光学检测器件与光学补偿TFT中的源极和漏极中的一个电连接，通过光学检测器件可以检测子像素区域发出的光的亮度，并将光亮度的检测结果通过光学补偿控制TFT14输出，之后就可以根据该光亮度的检测结果对子像素区域的亮度进行补偿。从而能够实现在该OLED显示基板所在的OLED显示面板出厂后，对子像素进行实时亮度补偿。首先形成光学补偿控制薄膜晶体管，避免制备光学补偿控制薄膜晶体管的源漏极145的过程中的湿刻工艺会对使光学检测器件侧壁受损，造成光学检测器件漏电流增大。在制备光学检测器件的过程中，通过导体保护层151保护光学补偿控制薄膜晶体管，避免制备光学检测器件的过程中会引入大量的H扩散到其下部的光学补偿控制薄膜晶体管，从而造成光学补偿控制薄膜晶体管特性劣化。
进一步的，本发明还提供了一种OLED显示基板，参照图4所示的OLED显示基板结构示意图，该OLED显示基板可以包括衬底基板11、光学补偿控制薄膜晶体管、导体图案152以及光学检测器件；光学补偿控制薄膜晶体管设于所述衬底基板11之上，所述光学补偿控制薄膜晶体管包括源极和漏极；导体图案152设于所述光学补偿控制薄膜晶体管的背离所述衬底基板11的一面；光学检测器件设于所述导体图案152的背离所述衬底基板11的一面；其中，所述光学检测器件通过所述导体图案152与所述源极或所述漏极电连接，所述光学检测器件在所述衬底基板11的正投影位于所述导体图案152在所述衬底基板11的正投影内。
在本示例实施方式中，光学补偿控制薄膜晶体管可以包括有源层141、栅极绝缘层142、栅极143、层间介电层144以及源漏极145；有源层141设于衬底基板11之上；栅极绝缘层142设于有源层141的背离衬底基板11的一面；栅极143设于栅极绝缘层142的背离衬底基板11的一面；层间介电层144设于栅极143的背离衬底基板11的一面；源漏极145设于层间介电层144的背离衬底基板11的一面。
在本示例实施方式中，OLED显示基板还可以包括遮光层12以及缓冲层13；遮光层12设于衬底基板11之上；缓冲层13设于遮光层12的背离衬底基板11的一面，光学补偿控制薄膜晶体管设置在缓冲层13之上，有源层141在衬底基板11上的正投影位于遮光层12在衬底基板11上的正投影内。
在本示例实施方式中，光学检测器件可以包括光电转换层16以及第一电极17，光电转换层16设于导体图案152的背离衬底基板11的一面；第一电极17设于光电转换层16的背离衬底基板11的一面。光电转换层16可以包括从下至上依次设置的N型半导体层、本征半导体层、P型半导体层。光学检测器件与导体图案152通过同一块掩模板遮盖后刻蚀形成，具体的形成过程在上述OLED显示基板的制备方法中有详细说明。
在本示例实施方式中，参照图5所示的在图4的基础上形成绝缘层18以及第二电极19后的OLED显示基板的结构示意图；OLED显示基板还可以包括绝缘层18以及第二电极19；绝缘层18设于光学检测器件的背离衬底基板11的一面，绝缘层18上设置有过孔；第二电极19设于绝缘层18的背离衬底基板11的一面，第二电极19贯穿过孔与第一电极17连接。
需要说明的是，图5中的OLED显示基板可以为盖板1，也可以为背板3，盖板1与背板3的结构有所不同。在本示例实施方式中，以OLED显示基板为盖板1为例进行说明。参照图6所示的在图5的基础上形成黑矩阵20、彩膜层21等后的OLED显示基板的结构示意图；OLED显示基板还可以包括黑矩阵20、彩膜层21、平坦化层22、辅助阴极23、隔垫物24以及透明阴极；黑矩阵20设于绝缘层18的背离衬底基板11的一面；彩膜层21设于第二电极19的背离衬底基板11的一面，彩膜层21在衬底基板11上的正投影与黑矩阵20在衬底基板11上的正投影有交叠；平坦化层22设于彩膜层21的背离衬底基板11的一面；辅助阴极23设于平坦化层22的背离衬底基板11的一面；隔垫物24设于辅助阴极23的背离衬底基板11的一面；透明阴极设于隔垫物24的背离衬底基板11的一面。
进一步的，本发明还提供了一种OLED显示面板，该OLED显示面板可以包括上述所述的OLED显示基板。OLED显示基板的具体结构上述已经进行了详细描述，因此，此处不再赘述。
参照图7所示的OLED显示面板的结构示意图；该OLED显示面板为顶发射型的OLED显示面板，该OLED显示面板中的光学补偿控制TFT14和光学检测器件可以设置在盖板1上。该OLED显示面板还可以包括背板3，背板3可以包括背板玻璃32以及设置在背板玻璃32上的有机发光层31，有机发光层31与光学检测器件正对设置，使光学检测器件可以接收有机发光层31的发光强度。
当然，该OLED显示面板可以为底发射型的OLED显示面板，该OLED显示面板中的光学补偿控制TFT和光线检测器件可以设置在背板上。该OLED显示面板还可以包括盖板，盖板可以为玻璃盖板。
进一步的，本发明还提供了一种显示装置，该显示装置可以包括上述所述的OLED显示面板。该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可选的，该显示装置还可以包括光学补偿IC，该光学补偿IC可以与显示装置中的光学补偿控制TFT14以及光学检测器件电连接，示例的，光学补偿IC可以通过连接电极与光学检测器件电连接。
上述所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中，如有可能，各实施例中所讨论的特征是可互换的。在上面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本发明的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明的各方面。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
本说明书中，用语“一个”、“一”、“该”和“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包含”、“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
应可理解的是，本发明不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本发明能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本发明的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本发明延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本发明的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本发明的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本发明。
Claims (15)
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的一侧形成光学补偿控制薄膜晶体管；
在所述光学补偿控制薄膜晶体管的背离所述衬底基板的一面形成导体保护层；
在所述导体保护层的背离所述衬底基板的一面形成光学检测器件材料层；
对所述光学检测器件材料层进行图案化形成光学检测器件，并对所述导体保护层进行图案化形成导体图案；
其中，所述光学检测器件通过所述导体图案与所述光学补偿控制薄膜晶体管的源极或漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述光学检测器件与所述导体图案通过一次构图工艺形成。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述导体保护层的背离所述衬底基板的一面形成光学检测器件材料层，包括：
在所述导体保护层的背离所述衬底基板的一面形成半导体层；
在所述半导体层的背离所述衬底基板的一面形成第一导体层。
4.根据权利要求3所述的显示基板的制备方法，其特征在于，对所述光学检测器件材料层进行图案化形成光学检测器件，包括：
对所述第一导体层进行湿刻形成第一电极；
对所述半导体层进行干刻形成光电转换层。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在所述光学检测器件的背离所述衬底基板的一面形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成过孔；
在所述绝缘层的背离所述衬底基板的一面形成第二电极，并使所述第二电极贯穿所述过孔与所述第一电极连接。
6.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在衬底基板之上形成光学补偿控制薄膜晶体管，包括：
提供衬底基板；
在所述衬底基板之上形成有源层；
在所述有源层的背离所述衬底基板的一面形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层的背离所述衬底基板的一面形成栅极；
在所述栅极的背离所述衬底基板的一面形成层间介电层；
在所述层间介电层的背离所述衬底基板的一面形成源漏极。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：对所述衬底基板进行预处理，包括：
在所述衬底基板之上形成遮光层；
在所述遮光层的背离所述衬底基板的一面形成缓冲层，所述光学补偿控制薄膜晶体管设置在所述缓冲层之上，所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内。
8.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
光学补偿控制薄膜晶体管，设于所述衬底基板的一侧，所述光学补偿控制薄膜晶体管包括源极和漏极；
导体图案，设于所述光学补偿控制薄膜晶体管的背离所述衬底基板的一面；
光学检测器件，设于所述导体图案的背离所述衬底基板的一面；
其中，所述光学检测器件通过所述导体图案与所述源极或所述漏极电连接，所述光学检测器件在所述衬底基板的正投影位于所述导体图案在所述衬底基板的正投影内。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述光学检测器件与所述导体图案通过一次构图工艺形成。
10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述光学检测器件包括：
光电转换层，设于所述导体图案的背离所述衬底基板的一面；
第一电极，设于所述光电转换层的背离所述衬底基板的一面。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
绝缘层，设于所述光学检测器件的背离所述衬底基板的一面，所述绝缘层上设置有过孔；
第二电极，设于所述绝缘层的背离所述衬底基板的一面，所述第二电极贯穿所述过孔与所述第一电极连接。
12.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述光学补偿控制薄膜晶体管包括：
有源层，设于所述衬底基板之上；
栅极绝缘层，设于所述有源层的背离所述衬底基板的一面；
栅极，设于所述栅极绝缘层的背离所述衬底基板的一面；
层间介电层，设于所述栅极的背离所述衬底基板的一面；
源漏极，设于所述层间介电层的背离所述衬底基板的一面。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
遮光层，设于所述衬底基板之上；
缓冲层，设于所述遮光层的背离所述衬底基板的一面，所述光学补偿控制薄膜晶体管设置在所述缓冲层之上，所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内。
14.一种显示面板，其特征在于，包括：
权利要求8至13任意一项所述的显示基板。
15.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求14所述的显示面板。
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