JP5709810B2 - 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム - Google Patents
検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP5709810B2 JP5709810B2 JP2012220385A JP2012220385A JP5709810B2 JP 5709810 B2 JP5709810 B2 JP 5709810B2 JP 2012220385 A JP2012220385 A JP 2012220385A JP 2012220385 A JP2012220385 A JP 2012220385A JP 5709810 B2 JP5709810 B2 JP 5709810B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- interlayer insulating
- impurity semiconductor
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 247
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 134
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 106
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 99
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 96
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 62
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 20
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 21
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- -1 MoCr Chemical compound 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000005258 radioactive decay Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
- A61B6/46—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment with special arrangements for interfacing with the operator or the patient
- A61B6/461—Displaying means of special interest
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus for radiation diagnosis, e.g. combined with radiation therapy equipment
- A61B6/56—Details of data transmission or power supply, e.g. use of slip rings
- A61B6/563—Details of data transmission or power supply, e.g. use of slip rings involving image data transmission via a network
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
Description
先ず、図1(a)〜(c)、図2(a)〜(c)を用いて本発明の第1の実施形態に係る検出装置の平面構成について説明する。図1(a)は検出装置を構成する基板の平面模式図であり、図1(b)は図1(a)の領域Aを拡大した平面模式図である。図1(c)は図1(b)の領域Bにおける1画素あたりの平面図である。なお、図1(c)では、簡便化の為、変換素子については第1電極のみを示している。
次に、図6(a)〜(d)を用いて本発明の第2の実施形態に係る検出装置の一画素の構成について説明する。図6(a)〜(d)はそれぞれ、図1(c)のA−A’での断面模式図である。
次に、図7(a)〜図7(c)を用いて本発明の第3の実施形態に係る検出装置の一画素の構成について説明する。図7(a)は図1(c)のA−A’での断面模式図であり、図7(b)は図7(a)の領域Dを拡大した断面模式図であり、図7(c)は図1(c)のB−B’での断面模式図である。また、先の実施形態で説明したものと同じものは同じ番号を付与し、詳細な説明は割愛する。
次に、図10を用いて本発明の第4の実施形態に係る検出装置の一画素の構成について説明する。図10は図1(c)のA−A’での断面図である。なお、先の実施形態で説明したものと同じものは同じ番号を付与し、詳細な説明は割愛する。
次に、図12を用いて、本発明の検出装置を用いた放射線検出システムを説明する。
12 変換素子
13 スイッチ素子
14 電極配線
15 制御配線
16 信号配線
20 画素アレイ領域
21 画素アレイ外領域
100 基板
120 層間絶縁層
121 被覆部材
122 第1電極
123 第1導電型の不純物半導体層
124 半導体層
125 第2導電型の不純物半導体層
126 第2電極
150 被覆層
155 保護層
160 保護部材
Claims (16)
- 基板の上に複数の画素が配置された画素アレイ領域と、前記画素アレイ領域の外側に配置された画素アレイ外領域と、を有し、前記複数の画素の各々が、スイッチ素子と電気的に接続された電極と、前記電極の上に配置された不純物半導体層と、前記不純物半導体層の上に配置された半導体層と、を含む変換素子を有し、前記スイッチ素子を覆うように形成された有機材料からなる層間絶縁層を有する検出装置の製造方法であって、
前記層間絶縁層の表面のうち前記画素アレイ領域の上に複数の前記電極を形成し、且つ、前記層間絶縁層の表面のうち前記画素アレイ外領域の上に無機材料からなる被覆層を形成する第1工程と、
前記第1工程の後に前記不純物半導体層を前記電極の上に形成する第2工程と、
を有することを特徴とする検出装置の製造方法。 - 前記第1工程は、前記層間絶縁層を覆うように導電膜を成膜し、前記導電膜の一部を除去して前記複数の電極を形成する工程と、前記層間絶縁層及び前記複数の電極を覆うように無機材料からなる膜を成膜し、前記膜の一部を除去して前記被覆層を形成する工程と、を有する請求項1に記載の検出装置の製造方法。
- 前記第1工程は、前記層間絶縁層を覆うように無機材料からなる膜を成膜し、前記膜の一部を除去して前記被覆層を形成する工程と、前記層間絶縁層及び前記被覆層を覆うように導電膜を成膜し、前記導電膜の一部を除去して前記複数の電極を形成する工程と、を有する請求項1に記載の検出装置の製造方法。
- 前記第2工程は、前記不純物半導体層となる不純物半導体膜を成膜する工程と、前記被覆層の上において前記不純物半導体膜の一部を除去して不純物半導体層を形成する工程と、前記不純物半導体層を覆うように前記半導体層となる半導体膜を成膜する工程と、を有する請求項1から3のいずれか1項に記載の検出装置の製造方法。
- 前記第2工程は、前記不純物半導体層となる不純物半導体膜を成膜する工程と、前記不純物半導体膜を覆うように前記半導体層となる半導体膜を成膜する工程と、前記被覆層の上において前記不純物半導体膜の一部と前記半導体膜の一部とを除去して、前記不純物半導体膜から前記不純物半導体層を、前記半導体膜から前記変換素子の半導体層を、それぞれ形成する工程と、を有する請求項1から3のいずれか1項に記載の検出装置の製造方法。
- 前記第2工程は、前記半導体膜を覆うように前記不純物半導体膜とは異なる導電型の不純物半導体膜を成膜する工程と、前記異なる導電型の不純物半導体膜を覆うように前記電極とは異なる前記変換素子の他の電極となる他の導電膜を成膜する工程と、前記他の導電膜と接合する電極配線の正射影が前記被覆層と重なるように前記電極配線を形成する工程と、を更に有する請求項4又は5に記載の製造方法。
- 前記第1工程は、前記画素アレイ領域の前記複数の電極のうち隣りあう2つの電極の間において前記層間絶縁層を覆うように配置された無機材料からなる被覆部材を形成する工程を更に有する請求項1から6のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記被覆層と前記被覆部材は同じ膜から形成されることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。
- 前記スイッチ素子は、基板上に配置された薄膜トランジスタであり、
前記層間絶縁層は、前記薄膜トランジスタの主電極と前記電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを有しており、
前記第1工程は、前記コンタクトホールにおいて前記主電極を保護するための保護部材を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の製造方法。 - 前記無機材料は、無機絶縁材料であることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の製造方法。
- 基板の上に複数の画素が配置された画素アレイ領域と、前記画素アレイ領域の外側に配置された画素アレイ外領域と、を有し、前記複数の画素の各々が、スイッチ素子と電気的に接続された電極と、前記電極の上に配置された不純物半導体層と、前記不純物半導体層の上に配置された半導体層と、を含む変換素子を有し、前記スイッチ素子を覆うように配置された有機材料からなる層間絶縁層を有し、複数の前記電極が、前記層間絶縁層の表面のうち前記画素アレイ領域の上に配置された検出装置であって、
無機材料からなる被覆層を有し、
前記被覆層が、前記層間絶縁層の表面のうち前記画素アレイ外領域の上に配置され、
前記不純物半導体層の端部が、前記被覆層の上に重なるように配置されていることを特徴とする検出装置。 - 前記電極の端部は、前記被覆層と前記不純物半導体層との間に配置されていることを特徴とする請求項11に記載の検出装置。
- 前記電極の端部は、前記層間絶縁層と前記被覆層との間に配置されていることを特徴とする請求項11に記載の検出装置。
- 複数の前記電極の間において前記層間絶縁層を覆うように配置された無機材料からなる被覆部材を更に有する請求項11から13のいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記スイッチ素子は、基板上に配置された薄膜トランジスタであり、
前記層間絶縁層は、前記薄膜トランジスタの主電極と前記電極とを電気的に接続するためのコンタクトホールを有しており、
前記コンタクトホールにおいて前記主電極を保護するための保護部材を更に有することを特徴とする請求項11から14のいずれか1項に記載の検出装置。 - 請求項11から15のいずれか1項に記載の検出装置と、
前記検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
を具備する検出システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012220385A JP5709810B2 (ja) | 2012-10-02 | 2012-10-02 | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
CN201310460126.2A CN103715212B (zh) | 2012-10-02 | 2013-09-30 | 检测设备、检测系统和用于生产检测设备的方法 |
US14/041,070 US9331119B2 (en) | 2012-10-02 | 2013-09-30 | Detection apparatus having interlayer insulating layer composed of organic material and covering layer composed of inorganic material, detection system, and method for producing detection apparatus |
US15/080,342 US9887224B2 (en) | 2012-10-02 | 2016-03-24 | Detection apparatus having covering layer disposed on interlayer insulating layer in a pixel-array outside region, and detection system including detection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012220385A JP5709810B2 (ja) | 2012-10-02 | 2012-10-02 | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014075377A JP2014075377A (ja) | 2014-04-24 |
JP2014075377A5 JP2014075377A5 (ja) | 2014-10-30 |
JP5709810B2 true JP5709810B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=50384283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012220385A Active JP5709810B2 (ja) | 2012-10-02 | 2012-10-02 | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9331119B2 (ja) |
JP (1) | JP5709810B2 (ja) |
CN (1) | CN103715212B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10304897B2 (en) * | 2014-06-30 | 2019-05-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Imaging panel and X-ray imaging device provided therewith |
JP2017045933A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換素子の製造方法 |
US20170179201A1 (en) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | General Electric Company | Processes for fabricating organic photodetectors and related photodetectors and systems |
WO2018025820A1 (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | シャープ株式会社 | 撮像パネル及びその製造方法 |
CN109716526A (zh) * | 2016-09-21 | 2019-05-03 | 夏普株式会社 | 摄像面板及其制造方法 |
CN109804468B (zh) * | 2016-10-11 | 2023-06-30 | 夏普株式会社 | 摄像面板及其制造方法 |
US10868082B2 (en) * | 2016-12-27 | 2020-12-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Imaging panel and method for producing same |
JP6915044B2 (ja) * | 2017-03-16 | 2021-08-04 | シャープ株式会社 | 撮像装置およびx線撮像装置 |
JP2019145595A (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-29 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びそれを備えたx線撮像パネルと製造方法 |
CN110797357A (zh) * | 2018-08-02 | 2020-02-14 | 夏普株式会社 | 摄像面板及其制造方法 |
KR20200043792A (ko) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 고해상도 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 고해상도 디지털 엑스레이 검출기 |
JP6929267B2 (ja) | 2018-12-26 | 2021-09-01 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
CN109742126B (zh) * | 2019-01-11 | 2022-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
JP7441033B2 (ja) | 2019-11-12 | 2024-02-29 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
CN114388538A (zh) * | 2020-10-22 | 2022-04-22 | 北京京东方传感技术有限公司 | 一种探测基板、平板探测器 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7786496B2 (en) * | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP4323827B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
US7955907B2 (en) * | 2004-01-26 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, television set, and method for manufacturing the same |
US7557355B2 (en) * | 2004-09-30 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
US8772783B2 (en) * | 2004-10-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP4908947B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2012-04-04 | キヤノン株式会社 | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
JP5207583B2 (ja) | 2005-07-25 | 2013-06-12 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
JP5043380B2 (ja) * | 2005-07-25 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
JP4773768B2 (ja) * | 2005-08-16 | 2011-09-14 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その制御方法及び放射線撮像システム |
JP5159065B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム |
KR20070039433A (ko) * | 2005-10-08 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
US7736936B2 (en) * | 2006-08-29 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of forming display device that includes removing mask to form opening in insulating film |
KR101447044B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2014-10-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
WO2008075615A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
US8058675B2 (en) * | 2006-12-27 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device using the same |
JP2008185624A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Sony Corp | 駆動装置および駆動方法、並びに表示装置 |
JP5328169B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-10-30 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
IL182518A0 (en) | 2007-04-12 | 2007-09-20 | Grois Dan | Pay per relevance (ppr) advertising method and system |
US8716850B2 (en) * | 2007-05-18 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8207010B2 (en) * | 2007-06-05 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion device |
JP2009141439A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Canon Inc | 放射線撮像装置、その駆動方法及びプログラム |
JP5185013B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-04-17 | 富士フイルム株式会社 | 電磁波検出素子 |
US7855153B2 (en) * | 2008-02-08 | 2010-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7888167B2 (en) * | 2008-04-25 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same |
KR101469042B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2014-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출 패널 및 엑스레이 검출기 |
US8129810B2 (en) * | 2009-06-19 | 2012-03-06 | Carestream Health, Inc. | Continuous large area imaging and display arrays using readout arrays fabricated in silicon-on-glass substrates |
JP5609875B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2014-10-22 | 旭硝子株式会社 | 半導体デバイス用封着ガラス、封着材料、封着材料ペースト、および半導体デバイスとその製造方法 |
KR101773992B1 (ko) * | 2010-03-12 | 2017-09-01 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102009126B1 (ko) * | 2010-03-19 | 2019-08-08 | 인비사지 테크놀로지스, 인크. | 감지성 반도체 다이오드를 채용한 이미지 센서 |
JP2011238897A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-24 | Canon Inc | 検出装置及びその製造方法並びに検出システム |
JP5502685B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2014-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出素子 |
JP5709709B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
JP6095276B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2017-03-15 | キヤノン株式会社 | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム |
KR102161077B1 (ko) * | 2012-06-29 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
-
2012
- 2012-10-02 JP JP2012220385A patent/JP5709810B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-30 CN CN201310460126.2A patent/CN103715212B/zh active Active
- 2013-09-30 US US14/041,070 patent/US9331119B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-24 US US15/080,342 patent/US9887224B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9331119B2 (en) | 2016-05-03 |
CN103715212A (zh) | 2014-04-09 |
US20160211286A1 (en) | 2016-07-21 |
US20140091203A1 (en) | 2014-04-03 |
CN103715212B (zh) | 2017-04-12 |
US9887224B2 (en) | 2018-02-06 |
JP2014075377A (ja) | 2014-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5709810B2 (ja) | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム | |
JP5709709B2 (ja) | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム | |
JP6095276B2 (ja) | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム | |
JP2013235934A (ja) | 検出装置、検出システム、及び、検出装置の製造方法 | |
JP5196739B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP2013235935A (ja) | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム | |
JP5700973B2 (ja) | 検出装置及び放射線検出システム | |
JP6053379B2 (ja) | 検出装置の製造方法、検出装置及び検出システム | |
JP6017542B2 (ja) | X線平面検出器の製造方法、x線平面検出器用tftアレイ基板、およびx線平面検出器 | |
JP2014236162A (ja) | 検出装置、その製造方法及び放射線検出システム | |
JP2012079860A (ja) | 検出装置及び放射線検出システム | |
JP2004179645A (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP2014225527A (ja) | 検出装置、及び、検出システム | |
JP2012079820A (ja) | 検出装置及び放射線検出システム | |
JP2012227263A (ja) | 検出装置の製造方法、その製造方法で製造された検出装置を用いた放射線検出装置、及び、検出システム | |
JP5996019B2 (ja) | 検出装置の製造方法、その検出装置及び検出システム | |
JP5789223B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP6164924B2 (ja) | 検出装置、及び、検出システム | |
JP2014225526A (ja) | 検出装置、及び、検出システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140912 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140912 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20140912 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20141015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150303 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5709810 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |