JP5609875B2 - 半導体デバイス用封着ガラス、封着材料、封着材料ペースト、および半導体デバイスとその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の低融点ガラスの軟化点は、420℃以下が好ましく、また、350℃以上が好ましい。
まず、質量割合でBi2O382.8%、B2O35.8%、ZnO10.7%、Al2O30.5%、CeO20.2%の組成を有し、さらに質量割合で50ppmのK2Oを含むビスマス系ガラスフリット(軟化点:406℃)と、低膨張充填材としてコージェライト粉末とを用意した。なお、ビスマス系ガラスフリットのLi2Oの含有量は検出限界の5ppm以下であった。K2OおよびLi2Oの含有量はICPにより分析した値であり、以下の例も同様である。さらに、バインダ成分としてのエチルセルロース11質量%を、ブチルカルビトールアセテートからなる溶剤89質量%に溶解してビヒクルを作製した。
ビスマス系ガラスフリットの組成(K2Oの含有量を含む)を表1および表2に示す条件に変更する以外は、実施例1と同様にして封着材料ペーストを調製した。さらに、これらの封着材料ペーストを用いる以外は実施例1と同様にして、封止用基板に対する封着材料層の形成工程、および封止用基板と素子用半導体基板との封着工程(加熱工程)を実施した。このようにして作製した各半導体デバイスを後述する特性評価に供した。
ビスマス系ガラスフリットの組成(K2Oの含有量を含む)を表2に示す条件に変更する以外は、実施例1と同様にして封着材料ペーストを調製した。さらに、この封着材料ペーストを用いると共に、封着温度(加熱温度)として表4に示す温度を適用する以外は実施例1と同様にして、封止用基板に対する封着材料層の形成工程、および封止用基板と素子用半導体基板との封着工程(加熱工程)を実施した。このようにして作製した各半導体デバイスを後述する特性評価に供した。
質量割合でPbO81.0%、B2O313.0%、ZnO2.5%、Al2O30.5%、CeO23.0%の組成を有し、さらに質量割合で5ppmのK2Oを含む鉛系ガラスフリット(軟化点:395℃)と、低膨張充填材としてコージェライト粉末とを用意した。なお、鉛系ガラスフリットのLi2Oの含有量は検出限界の5ppm以下であった。さらに、バインダ成分としてのエチルセルロース10質量%を、ブチルカルビトールアセテートからなる溶剤90質量%に溶解してビヒクルを作製した。
鉛系ガラスフリットの組成(K2Oの含有量を含む)を表2に示す条件に変更する以外は、実施例16と同様にして封着材料ペーストを調製した。さらに、これらの封着材料ペーストを用いる以外は実施例16と同様にして、封止用基板に対する封着材料層の形成工程、および封止用基板と素子用半導体基板との封着工程(加熱工程)を実施した。このようにして作製した各半導体デバイスを後述する特性評価に供した。
鉛系ガラスフリットの組成(K2Oの含有量を含む)を表3に示す条件に変更する以外は、実施例16と同様にして封着材料ペーストを調製した。さらに、この封着材料ペーストを用いる以外は実施例16と同様にして、封止用基板に対する封着材料層の形成工程、および封止用基板と素子用半導体基板との封着工程(加熱工程)を実施した。このようにして作製した各半導体デバイスを後述する特性評価に供した。
質量割合でSnO61.5%、SnO23.3%、P2O531.4%、ZnO2.7%、Eu2O31.1%の組成を有し、さらに質量割合で30ppmのK2Oを含む錫−リン酸系ガラスフリット(軟化点:360℃)と、低膨張充填材としてリン酸ジルコニウム粉末とを用意した。なお、錫−リン酸系ガラスフリットのLi2Oの含有量は検出限界の5ppm以下であった。さらに、バインダ成分としてのエチルセルロース9質量%を、ターピネオール(71質量%)と酢酸イソアミル(29質量%)との混合溶剤91質量%に溶解してビヒクルを作製した。
錫−リン酸系ガラスフリットの組成(K2Oの含有量を含む)を表2および表3に示す条件に変更する以外は、実施例20と同様にして封着材料ペーストを調製した。さらに、これらの封着材料ペーストを用いる以外は実施例20と同様にして、封止用基板に対する封着材料層の形成工程、および封止用基板と素子用半導体基板との封着工程(加熱工程)を実施した。このようにして作製した各半導体デバイスを後述する特性評価に供した。
質量割合でV2O552.1%、P2O518.1%、ZnO11.9%、Sb2O313.0%、BaO3.9%、Yb2O31.0%の組成を有し、さらに質量割合で82ppmのK2Oを含むバナジウム系ガラスフリット(軟化点:400℃)と、低膨張充填材として珪酸ジルコニウム粉末とを用意した。なお、バナジウム系ガラスフリットのLi2Oの含有量は検出限界の5ppm以下であった。さらに、バインダ成分としてのアクリル樹脂12質量%を、ターピネオールからなる溶剤88質量%に溶解してビヒクルを作製した。
バナジウム系ガラスフリットの組成(K2Oの含有量を含む)を表3に示す条件に変更する以外は、実施例25と同様にして封着材料ペーストを調製した。さらに、これらの封着材料ペーストを用いる以外は実施例25と同様にして、封止用基板に対する封着材料層の形成工程、および封止用基板と素子用半導体基板との封着工程(加熱工程)を実施した。このようにして作製した各半導体デバイスを後述する特性評価に供した。
なお、2009年7月31日に出願された日本特許出願2009−179234号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (11)
- 軟化点が430℃以下の低融点ガラスからなる半導体デバイス用封着ガラスであって、
前記低融点ガラスは、質量割合で0.1〜5%の範囲のFe、Mn、Cr、Co、Ni、Nb、Hf、W、Re、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物と、質量割合で5〜100ppmの範囲のK2Oとを含むことを特徴とする半導体デバイス用封着ガラス。 - 前記低融点ガラスはLi2Oの含有量が質量割合で30ppm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス用封着ガラス。
- 前記低融点ガラスは、質量割合で70〜90%の範囲のBi2O3、1〜20%の範囲のZnO、および2〜18%の範囲のB2O3を含むことを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体デバイス用封着ガラス。
- 前記低融点ガラスは、質量割合で45〜68%の範囲のSnO、2〜10%の範囲のSnO2、および20〜40%の範囲のP2O5を含むことを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体デバイス用封着ガラス。
- 前記低融点ガラスは、質量割合で50〜80%の範囲のV2O5、および15〜45%の範囲のP2O5を含むことを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体デバイス用封着ガラス。
- 前記低融点ガラスは、質量割合で75〜90%の範囲のPbO、および5〜20%の範囲のB2O3を含むことを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体デバイス用封着ガラス。
- 請求項1ないし請求項6のいずれか1項記載の封着ガラスと、体積割合で0〜40%の範囲の無機充填材とを含有することを特徴とする半導体デバイス用封着材料。
- 前記無機充填材は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、チタン酸アルミニウム、ムライト、コージェライト、ユークリプタイト、スポジュメン、リン酸ジルコニウム系化合物、酸化錫系化合物、および石英固溶体からなる群より選ばれる少なくとも1種からなる低膨張充填材を有することを特徴とする請求項7記載の半導体デバイス用封着材料。
- 請求項7または請求項8項記載の封着材料とビヒクルとの混合物からなることを特徴とする半導体デバイス用封着材料ペースト。
- 素子部と第1の封止領域とを備える表面を有する素子用半導体基板と、
前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域を備える表面を有し、前記表面が前記素子用半導体基板の前記表面と対向するように配置された封止用基板と、
前記素子部を封止するように、前記素子用半導体基板の前記第1の封止領域と前記封止用基板の前記第2の封止領域との間に形成され、封着材料の溶融固着層からなる封着層とを具備する半導体デバイスであって、
前記封着材料は、軟化点が430℃以下の低融点ガラスからなり、かつ質量割合で0.1〜5%の範囲のFe、Mn、Cr、Co、Ni、Nb、Hf、W、Re、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物と、質量割合で5〜100ppmの範囲のK2Oとを含む封着ガラスを含有することを特徴とする半導体デバイス。 - 素子部と、前記素子部を囲むように設けられた第1の封止領域とを備える表面を有する素子用半導体基板を用意する工程と、
前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域を備える表面を有する封止用基板を用意する工程と、
前記素子用半導体基板の前記第1の封止領域、または前記封止用基板の前記第2の封止領域に、封着材料の焼成層からなる封着材料層を形成する工程と、
前記素子用半導体基板の前記表面と前記封止用基板の前記表面とを対向させつつ、前記封着材料層を介して前記素子用半導体基板と前記封止用基板とを積層する工程と、
前記素子用半導体基板と前記封止用基板との積層物を加熱し、前記封着材料層を溶融させて前記素子部を封止する封着層を形成する工程とを具備する半導体デバイスの製造方法であって、
前記封着材料は、軟化点が430℃以下の低融点ガラスからなり、かつ質量割合で0.1〜5%の範囲のFe、Mn、Cr、Co、Ni、Nb、Hf、W、Re、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物と、質量割合で5〜100ppmの範囲のK2Oとを含む封着ガラスを含有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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US10297564B2 (en) * | 2017-10-05 | 2019-05-21 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor die attach system and method |
JP7168903B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-11-10 | 日本電気硝子株式会社 | 気密パッケージ |
JP7185181B2 (ja) * | 2018-10-04 | 2022-12-07 | 日本電気硝子株式会社 | 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料 |
JP7360085B2 (ja) * | 2019-06-05 | 2023-10-12 | 日本電気硝子株式会社 | 粉末材料及び粉末材料ペースト |
JP7364418B2 (ja) * | 2019-10-16 | 2023-10-18 | 日本化学工業株式会社 | 熱膨張抑制フィラー、その製造方法及びそれを含む複合材料 |
CN113336479B (zh) * | 2021-05-21 | 2023-07-11 | 景德镇陶瓷大学 | 一种堇青石基微晶玻璃高温粘结剂及其制备方法和应用 |
CN114804661B (zh) * | 2022-04-08 | 2023-10-27 | 中国建筑材料科学研究总院有限公司 | 一种玻璃封接方法及真空玻璃 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161943A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Data processing device |
JPS63136424A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | 日本碍子株式会社 | 避雷碍子 |
JPH05343553A (ja) * | 1991-06-17 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびそれに用いる封止ガラス |
JP2003146691A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Asahi Techno Glass Corp | 低融点ガラス及びその製造方法 |
JP2007210870A (ja) * | 2005-03-09 | 2007-08-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ビスマス系ガラス組成物およびビスマス系封着材料 |
JP2007320822A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Ltd | ガラス封着材料、平面型表示装置用枠ガラス及び平面型表示装置 |
DE102007054437A1 (de) * | 2007-11-13 | 2009-05-20 | Tesa Ag | Verfahren zur Herstellung eines schichtförmigen oder geschichteten anorganisch/organischen Verbundmaterials |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4349635A (en) * | 1981-10-26 | 1982-09-14 | Motorola, Inc. | Lower temperature glass and hermetic seal means and method |
JPS58161943A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-26 | Iwaki Glass Kk | 封着用ガラス組成物 |
US4761518A (en) * | 1987-01-20 | 1988-08-02 | Olin Corporation | Ceramic-glass-metal packaging for electronic components incorporating unique leadframe designs |
US5315155A (en) * | 1992-07-13 | 1994-05-24 | Olin Corporation | Electronic package with stress relief channel |
US5455386A (en) * | 1994-01-14 | 1995-10-03 | Olin Corporation | Chamfered electronic package component |
US6274252B1 (en) * | 1994-08-04 | 2001-08-14 | Coors Ceramics Company | Hermetic glass-to-metal seal useful in headers for airbags |
JP2002249339A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-09-06 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体封入用ガラス及び半導体封入用外套管 |
US6998776B2 (en) * | 2003-04-16 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
US20040232535A1 (en) | 2003-05-22 | 2004-11-25 | Terry Tarn | Microelectromechanical device packages with integral heaters |
US7736946B2 (en) | 2007-02-07 | 2010-06-15 | Honeywell International Inc. | System and method for sealing a MEMS device |
JP5232399B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2013-07-10 | 日立粉末冶金株式会社 | ガラスペースト組成物 |
JP5037374B2 (ja) | 2008-01-31 | 2012-09-26 | 株式会社アイ・エイチ・アイ マリンユナイテッド | 二重反転シール装置の潤滑構造 |
-
2010
- 2010-07-29 WO PCT/JP2010/062851 patent/WO2011013776A1/ja active Application Filing
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-
2012
- 2012-01-31 US US13/362,690 patent/US8704361B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57161943A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-05 | Hitachi Ltd | Data processing device |
JPS63136424A (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | 日本碍子株式会社 | 避雷碍子 |
JPH05343553A (ja) * | 1991-06-17 | 1993-12-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびそれに用いる封止ガラス |
JP2003146691A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Asahi Techno Glass Corp | 低融点ガラス及びその製造方法 |
JP2007210870A (ja) * | 2005-03-09 | 2007-08-23 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ビスマス系ガラス組成物およびビスマス系封着材料 |
JP2007320822A (ja) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Hitachi Ltd | ガラス封着材料、平面型表示装置用枠ガラス及び平面型表示装置 |
DE102007054437A1 (de) * | 2007-11-13 | 2009-05-20 | Tesa Ag | Verfahren zur Herstellung eines schichtförmigen oder geschichteten anorganisch/organischen Verbundmaterials |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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