JP5043373B2 - 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム - Google Patents
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Description
図1〜3を用いて、本発明の第1の実施形態を詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施形態における光電変換装置及び放射線検出装置を説明する概念的平面図である。図2は、図1のAの領域を拡大した概念的平面図である。図3(A)は、図2のB−B’における模式的断面図であり、また図3(B)は、図2のC−C’における模式的断面図である。また、図1〜3において、図10〜12で示した従来のFPDと同様の構成要素は同一の番号で示し、その詳細な説明は割愛する。
図5〜6を用いて、本発明の第2の実施形態を詳細に説明する。図5は、図1のAの領域を拡大した概念的平面図である。図6(A)は、図5のD−D’における模式的断面図であり、また図6(B)は、図5のE−E’における模式的断面図である。また、図5〜6において、図10〜12で示した従来のFPD及び図1〜3で示した第1の実施形態と同様の構成要素は同一の番号で示し、その詳細な説明は割愛する。
図7〜8を用いて、本発明の第3の実施形態を詳細に説明する。図7は、図1のAの領域を拡大した概念的平面図である。図8(A)は、図7のF−F’における模式的断面図であり、また図8(B)は、図7のG−G’における模式的断面図である。また、図7〜8において、図10〜12で示した従来のFPD、図1〜3で示した第1の実施形態、及び図5〜6で示した第2の実施形態と同様の構成要素は同一の番号で示し、その詳細な説明は割愛する。
図9は、本発明によるFPD型の放射線検出装置を用いたX線診断システムへの応用例を示したものである。
101 光電変換素子(MIS型フォトセンサ)
102 スイッチング素子
103 駆動配線
103a 駆動配線引き出し部
104 信号配線
104a 信号配線引き出し部
105 バイアス配線
105a 第1のバイアス配線引き出し部
105b 第2のバイアス配線引き出し部
106 信号処理回路
107 駆動回路
108 A/D変換部
109 バイアス電源部
110 第1の金属層M1(スイッチング素子102のゲート電極)
111 第1の絶縁層
112 第1の半導体層
113 第1の不純物半導体層
114 第2の金属層M2(スイッチング素子102のソース又はドレイン電極)
115 層間絶縁層
116 第3の金属層M3(センサ下部電極)
117 第2の絶縁層
118 第2の半導体層
119 第2の不純物半導体層
120 上部電極層(透明電極層)
121 保護層
122 波長変換体
123 駆動配線端子部
124 信号配線端子部
125 バイアス配線端子部
126〜129 コンタクト
130 第3の不純物半導体層
131 光電変換素子(PIN型フォトダイオード)
132〜138 開口
Claims (15)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置された第1の金属層と、前記第1の金属層上に配置された絶縁層と、第1の半導体層と、第2の金属層と、を含むスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された第3の金属層からなる下部電極と、前記下部電極上に配置された第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に配置された第4の金属層と、を含み、前記スイッチ素子に接続された変換素子と、を含む複数の画素が行列状に配置された画素領域と、を有する変換装置であって、
前記第2の金属層により形成され、列方向の複数の前記スイッチング素子が列毎に接続された複数の信号配線と、
前記第4の金属層により形成され、複数の前記変換素子に接続されたバイアス配線と、
前記第4の金属層により前記画素領域外に形成され、前記複数の信号配線と接続された外部信号配線と、
前記第1の金属層により前記画素領域外に形成され、前記バイアス配線の複数と接続された外部バイアス配線と、を有し、
前記外部信号配線と前記外部バイアス配線とは交差して配置されていることを特徴とする変換装置。 - 前記スイッチング素子は、前記絶縁基板上に配置された前記第1の金属層からなる駆動電極と、前記駆動電極上に配置された前記絶縁層と、前記絶縁層上に配置された前記第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に配置された前記第2の金属層からなるソース又はドレイン電極と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の変換装置。
- 前記バイアス配線は列方向の複数の前記変換素子に接続され、前記外部バイアス配線部は行方向に並列して配された前記バイアス配線の複数と接続され、前記外部信号配線部と前記外部バイアス配線部とが少なくとも前記絶縁層を挟んで交差することを特徴とする請求項1または2に記載の変換装置。
- 前記スイッチング素子と前記変換素子との間に配された層間絶縁層を更に有し、前記外部信号配線部と前記外部バイアス配線部とが更に前記層間絶縁層を挟んで交差することを特徴とする請求項3に記載の変換装置。
- 前記第2の金属層と前記第3の金属層とが同一の金属層により形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の変換装置。
- 前記第4の金属層により前記画素領域外に形成され、前記外部バイアス配線部と接続された第2の外部バイアス配線部と、を更に含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の変換装置。
- 前記第1の金属層により形成され、行方向の複数の前記スイッチング素子が行毎に接続された複数の駆動配線と、前記第4の金属層により前記画素領域外に形成され、前記駆動配線と接続された外部駆動配線部と、を更に含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の変換装置。
- 前記外部駆動配線部は第1端子部を、前記外部信号配線部は第2端子部を、前記第2の外部バイアス配線部は第3端子部をそれぞれ有し、前記第1端子部には前記スイッチング素子を駆動するための駆動回路が、前記第2端子部には前記変換素子によって変換された電気信号を処理するための信号処理回路が、前記第3端子部には前記変換素子にバイアスを印加するためのバイアス電源部がそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項7に記載の変換装置。
- 前記変換素子は、光電変換素子であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の変換装置。
- 前記光電変換素子は、前記下部電極と前記第2の半導体層との間に配された第2の絶縁層と、前記第2の半導体層と前記上部電極との間に配された第2の不純物半導体層と、を更に含む光電変換素子であることを特徴とする請求項9に記載の変換装置。
- 前記光電変換素子は、前記下部電極と前記第2の半導体層との間に配された第2の不純物半導体層と、前記第2の半導体層と前記上部電極との間に配された第3の不純物半導体層と、を更に含む光電変換素子であることを特徴とする請求項9に記載の変換装置。
- 前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層は、非晶質シリコンからなることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の変換装置。
- 請求項1から12のいずれか1項に記載の変換装置と、
前記変換素子層上に配され、入射した放射線を該変換素子が感知可能な波長領域の光に変換する波長変換体と、
を有することを特徴とする放射線検出装置。 - 請求項13に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、
を具備することを特徴とする放射線検出システム。 - 絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された第1の金属層と、前記第1の金属層上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された第1の半導体層と、前記第1半導体層上に配置された第2の金属層と、を含むスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された第3の金属層からなる下部電極と、前記下部電極上に配置された第2の半導体層と、前記第2の半導体層上に配置された第4の金属層と、を含み、前記スイッチング素子に接続された変換素子と、を有する画素が行方向及び列方向に複数配置された画素領域と、
前記第2の金属層により形成され、各々が前記列方向の複数のスイッチング素子に接続された複数の信号配線と、
前記第4の金属層により形成され、各々が前記列方向の複数の前記変換素子に接続された複数のバイアス配線と、
を備えた変換装置であって、
前記第4の金属層により前記画素領域外に形成され、前記複数の信号配線に接続された複数の信号配線引き出し部と、
前記第1の金属層により前記画素領域外に形成され、前記複数のバイアス配線に接続された第1のバイアス配線引き出し部と、
前記第4の金属層により前記画素領域外に形成され、前記第1のバイアス配線引き出し部と接続された第2のバイアス配線引き出し部と、
を更に有し、
前記複数の信号配線引き出し部と前記第1のバイアス配線引き出し部とが交差して配置されることを特徴とする変換装置。
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