JP6659182B2 - 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム - Google Patents
放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6659182B2 JP6659182B2 JP2018138015A JP2018138015A JP6659182B2 JP 6659182 B2 JP6659182 B2 JP 6659182B2 JP 2018138015 A JP2018138015 A JP 2018138015A JP 2018138015 A JP2018138015 A JP 2018138015A JP 6659182 B2 JP6659182 B2 JP 6659182B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- radiation imaging
- imaging apparatus
- chips
- coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 85
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 58
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 58
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 58
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004918 carbon fiber reinforced polymer Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 125000005670 ethenylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
- G01T1/2023—Selection of materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2928—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using solid state detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/041—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00
- H01L25/042—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L31/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Description
本発明は、放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システムに関する。
入射した放射線をシンチレータによって可視光に変換し、その可視光をセンサパネルの光電変換素子によって電気信号に変換する間接型と呼ばれる放射線撮像装置が知られている。間接型の放射線撮像装置の製造方法として、センサパネル上にシンチレータを直接形成する方法（直接形成法）と、センサパネルとシンチレータパネルとを別々に製造し、それらを貼り合わせる方法（間接形成法）とがある。特許文献１には、間接形成法によって放射線撮像装置を形成する際に、複数のセンサチップをアレイ状に配置することによってセンサパネルを構成することが記載されている。
複数のセンサチップでセンサパネルが構成された放射線撮像装置を間接形成法で製造する際に、複数のセンサチップが設計された位置からずれることがある。これは、シンチレータパネルをセンサパネルに押し付けることによって、複数のセンサチップと基台とを互いに結合する結合シートがセンサチップの間に入り込むことに起因することを本発明者らは見出した。本発明は、センサパネルを構成する複数のセンサチップの位置ずれを軽減するための技術を提供することを目的とする。
上記課題に鑑みて、放射線撮像装置であって、センサ基台と、アレイ状に配置された複数のセンサチップを含むセンサアレイであって、前記複数のセンサチップのうちの３つ以上のセンサチップが前記センサアレイの１つの行に配置されている、センサアレイと、前記センサアレイに対して前記センサ基台とは反対側に位置するシンチレータと、前記センサアレイと前記シンチレータとを結合する結合部材と、互いに分離しており、前記複数のセンサチップと前記センサ基台とを結合する複数の結合シートと、を備え、前記３つ以上のセンサチップのうちの互いに隣り合う２つのセンサチップが、前記複数の結合シートのうちの別個の結合シートによって前記センサ基台に結合されており、前記複数のセンサチップのうちの少なくとも一部のセンサチップは、フレキシブルプリント基板が配置された辺を有し、前記フレキシブルプリント基板が配置された辺において、結合シートが当該辺を超えてセンサチップの外側まで延在することを特徴とする放射線撮像装置が提供される。
上記手段により、センサパネルを構成する複数のセンサチップの位置ずれを軽減できる。
添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。以下では本発明の各実施形態を医療画像診断装置、分析装置等に用いられる放射線撮像装置の文脈で説明する。本明細書において、光は可視光及び赤外線を含み、放射線はＸ線、α線、β線及びγ線を含む。
＜第１実施形態＞
図１（ａ）〜図１（ｃ）を参照して、第１実施形態に係る放射線撮像装置１００の構成例について説明する。図１（ａ）は放射線撮像装置１００の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ’線断面図である。図１（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。
図１（ａ）〜図１（ｃ）を参照して、第１実施形態に係る放射線撮像装置１００の構成例について説明する。図１（ａ）は放射線撮像装置１００の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）におけるＢ−Ｂ’線断面図である。図１（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。
放射線撮像装置１００は、とりわけ、センサ基台１０１、複数の結合シート１０２、複数のセンサチップ１０３、結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を有する。複数の結合シート１０２のうち特定のものを指す場合に、結合シート１０２ａのように添え字を付す。複数のセンサチップ１０３のうち特定のものを指す場合に、センサチップ１０３ａのように添え字を付す。患者等の被写体を透過した放射線は、シンチレータ基台１０６を透過し、シンチレータ層１０５で可視光に変換される。この可視光が、複数のセンサチップ１０３に含まれる光電変換素子によって電気信号に変換される。
複数のセンサチップ１０３はアレイ状に配置されている。アレイ状に配置された複数のセンサチップ１０３によってセンサアレイが構成される。センサアレイのうち、Ａ−Ａ’線に沿った方向を行方向と呼び、Ｂ−Ｂ’線に沿った方向を列方向と呼ぶ。図１（ａ）の例では複数のセンサチップ１０３が２行８列に配置されているが、これに限られない。センサアレイの各行は、３つ以上のセンサチップ１０３を含む。複数のセンサチップ１０３のそれぞれは、長方形である。センサチップ１０３は、例えば結晶シリコンを用いたＣＭＯＳセンサであってもよいし、非結晶シリコンを用いたＰＩＮ型センサやＭＩＳ型センサであってもよい。各センサチップ１０３に、複数の画素回路がアレイ状に配置されている。各画素回路は、光電変換素子及びトランジスタなどを含む。センサチップ１０３の構成は既存のものであってもよいので、詳細な説明を省略する。
複数のセンサチップ１０３は、複数の結合シート１０２によってセンサ基台１０１に結合されている。複数の結合シート１０２は互いに分離している。複数のセンサチップ１０３の上面、すなわちシンチレータ層１０５に接する面を平坦にするために、結合シート１０２はクッション性を有してもよい。例えば、結合シート１０２として、クッション性のある芯材の両面に、粘着性を有する材料が塗布されているテープが用いられてもよい。芯材は、例えばポリオレフィン系樹脂、ポリエステル、不織布、化学繊維、格子状に織られたワイヤ等で形成されてもよい。ポリオレフィン系樹脂として、比較的柔軟性が高いポリスチレン系樹脂が用いられてもよい。ワイヤとして、例えば金属系ワイヤや樹脂系ワイヤが用いられてもよい。粘着性を有する材料として、例えばアクリル系、エポキシ系、ゴム系、ポリエステル系、ポリアミド系、ビニルアルキルエーテル系及びシリコーン系粘着剤の少なくとも何れかが用いられてもよい。センサ基台１０１の材料として、平坦性及び熱膨張係数の観点から、金属や、セラミックス、ガラス、炭素素材が用いられてもよい。
シンチレータ層１０５は、シンチレータ基台１０６に付着されている。シンチレータ層１０５とシンチレータ基台１０６とによってシンチレータパネルが構成される。シンチレータ基台１０６の材料として、例えばＣＦＲＰ、アモルファスカーボン、ガラス、金属（例えばアルミニウム）が用いられる。
シンチレータ層１０５は、粒子状のシンチレータの集合体であってもよいし、柱状のシンチレータの集合体であってもよい。粒子状のシンチレータとして、例えばテルビウム（Ｔｂ）が微量添加された酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）が用いられる。柱状のシンチレータとして、例えばＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌ、ＮａＩ：Ｔｌ、ＬｉＩ：Ｅｕ、ＫＩ：Ｔｌが用いられる。シンチレータ層１０５がハロゲンを含む場合に、湿度による性能劣化を抑制するため、シンチレータ層１０５全体が耐湿膜で覆われてもよい。シンチレータパネルは、シンチレータ層１０５とシンチレータ基台１０６との間に、輝度を向上するための反射層を有してもよいし、ＭＴＦを向上するための吸収層を有してもよい。反射層は、例えばＡｌやＡｇなどの金属で形成されてもよいし、ＴｉＯ2やＳｒＯなどの反射性顔料で形成されてもよい。吸収層は、黒ＰＥＴなどの材料で形成されてもよい。シンチレータパネルは、センサアレイに対してセンサ基台１０１とは反対側に位置する。
センサアレイとシンチレータパネルとは結合部材１０４によって結合されている。具体的に、複数のセンサチップ１０３（センサ基台１０１とは反対側の面）と、シンチレータ層１０５（シンチレータ基台１０６とは反対側の面）とが結合されている。結合部材１０４は例えば粘着シートである。可視光は、可視光は結合部材１０４を透過して、センサチップ１０３に到達する。結合部材１０４は、輝度の観点から高い透過率を有する方がよく、ＭＴＦの観点からは薄い方がよい。シンチレータ層１０５の種類によってはシンチレータ形成中に巨大な結晶が生じてしまい、シンチレータの表面の平坦性が失われる場合がある。巨大な結晶がセンサチップ１０３に押し当てられた場合、センサチップ１０３が破損したり、気泡が生じたりしてしまう懸念がある。そこで、結合部材１０４は、巨大結晶の高さを吸収できる程度の厚さを有してもよい。気泡対策及びＭＴＦ確保の観点から、結合部材１０４は、１０〜１００μｍ程度の厚さを有してもよい。結合部材１０４の透過率は８０％以上であってもよい。結合部材１０４として、液晶ディスプレイなどで用いられるＯＣＡフィルムが用いられてもよい。
放射線撮像装置１００では、１６個のセンサチップ１０３が５個の結合シート１０２によってセンサ基台１０１に結合されている。センサチップ１０３ａは、結合シート１０２ａのみによってセンサ基台１０１に結合されている。結合シート１０２ａは、センサチップ１０３ａの結合のみに用いられており、他のセンサチップ１０３の結合には用いられない。結合シート１０２ｂは、１２個のセンサチップ１０３の結合に用いられる。
センサアレイの各行においてセンサアレイの端から１番目のセンサチップ１０３と２番目のセンサチップ１０３とが別個の結合シート１０２によってセンサ基台１０１に結合されている。具体的に、センサアレイの端から１番目のセンサチップ１０３ａは結合シート１０２ａによって結合されており、センサアレイの端から２番目のセンサチップ１０３ｂは結合シート１０２ｂによって結合されている。また、センサアレイの各行においてセンサアレイの端にあり、互いに隣り合う２つのセンサチップ１０３も別個の結合シート１０２によってセンサ基台１０１に結合されている。具体的に、ある行においてセンサアレイの端から１番目のセンサチップ１０３ａは結合シート１０２ａによって結合されており、別の行においてセンサアレイの端から１番目のセンサチップ１０３ｅは結合シート１０２ｄによって結合されている。
続いて、放射線撮像装置１００の製造方法について説明する。まず、上述のセンサパネル及びシンチレータパネルをそれぞれ形成する。センサパネルは、複数のセンサチップ１０３がセンサアレイを構成するように、互いに分離した複数の結合シート１０２を用いて複数のセンサチップ１０３をセンサ基台に結合することによって形成される。まず、センサ基台１０１の上に複数の結合シート１０２を貼り合わせる。結合シート１０２の貼り方として、ハンドローラーによる貼り合わせ、専用装置による貼り合わせなどがある。次に、図１（ａ）に示した配置となるように、複数の結合シート１０２の上に複数のセンサチップ１０３を等間隔に並べる（すなわち、タイリングする）。
シンチレータパネルは、シンチレータ基台１０６にシンチレータ層１０５を付着する（例えば、蒸着する）ことによって形成される。シンチレータ層１０５とシンチレータ基台１０６との間に反射層を形成する場合に、シンチレータ基台１０６の表面にＡｌやＡｇなどの金属層をスパッタリングにより形成してもよいし、ＴｉＯ２，ＳｒＯなどの反射性顔料を塗布してもよい。
続いて、結合部材１０４を用いて、センサパネルとシンチレータパネルとを結合する。まず、シンチレータ層１０５の上に結合部材１０４（例えば、粘着シート）を貼り合わせる。結合部材１０４が常温で貼り合わせ可能な場合に、結合部材１０４をハンドローラーやラミネータなどで貼り合わせることができる。続いて、この結合部材１０４の反対側の面にセンサパネルを貼り合わせる。この貼り合わせも同様にハンドローラーやラミネータなどを用いて行われる。以上の工程によって、放射線撮像装置１００が製造される。
図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照して、比較例に係る放射線撮像装置２００について説明する。放射線撮像装置２００は、１つの結合シート１０２のみを有する点で放射線撮像装置１００とは異なり、他の点は同様であってもよい。図２（ａ）は、図１（ｂ）に対応する位置における放射線撮像装置２００の断面図である。放射線撮像装置２００も、センサパネルとシンチレータパネルとを貼り合わすことによって製造される。この貼り合わせの際に、複数のセンサチップ１０３がセンサ基台１０１へ向かって押圧される。その結果、結合シート１０２の一部が、互いに隣接する２つのセンサチップ１０３の間に入り込む。例えば、図２（ａ）に示すように、センサチップ１０３ｆとセンサチップ１０３ｇとの間に結合シート１０２の一部２０１が入り込む。これに起因して、互いに隣接する２つのセンサチップ１０３ｆ、１０３ｇの間隔が広がる。
図２（ｂ）は、センサチップの間隔の広がりを説明するグラフである。横軸は、センサアレイの１つの行に着目したセンサチップ１０３の間隔の位置を表す。各行は８つのセンサチップ１０３を含むので、７つの間隔がある。縦軸は、各間隔の距離を表す。グラフ２０２は、センサパネルにシンチレータパネルを貼り付ける前の距離を示す。グラフ２０３は、センサパネルにシンチレータパネルを貼り付けた後の距離を示す。図２（ｂ）から読み取れるように、何れの位置においても隣り合うセンサチップ１０３の間隔が広がっている。また、センサアレイの端に近いほど広がり度合いが大きいことも見て取れる。一方、放射線撮像装置１００では、センサアレイの一部の領域において、互いに隣り合う２つのセンサチップ１０３が別個の結合シート１０２によってセンサ基台１０１に結合されている。このような配置によって、センサチップ１０３の位置ずれが抑制される。
複数の結合シート１０２の分離の仕方は放射線撮像装置１００の例に限られない。例えば、複数の結合シート１０２は、行方向において、中央の位置で分離していてもよい。すなわち、各行の左側４つのセンサチップ１０３が１つの結合シート１０２によって結合され、右側４つのセンサチップ１０３が別の１つの結合シート１０２によって結合されてもよい。１つの結合シート１０２の行方向の長さが短くなるので、センサチップの間隔の広がりを抑制できる。放射線撮像装置１００では、列方向においても、センサアレイの一部の領域において、互いに隣り合う２つのセンサチップ１０３が別個の結合シート１０２によってセンサ基台１０１に結合されている。列方向に並んだセンサチップ１０３の個数が少ない（この例では２個）ので、これらの２つのセンサチップ１０３は、いずれの領域においても、同一の結合シート１０２によって結合されてもよい。
＜第２実施形態＞
図３（ａ）〜図３（ｃ）を参照して、第２実施形態に係る放射線撮像装置３００の構成例について説明する。図３（ａ）は放射線撮像装置３００の平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＣ−Ｃ’線断面図である。図３（ｃ）は、図３（ａ）におけるＤ−Ｄ’線断面図である。図３（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
図３（ａ）〜図３（ｃ）を参照して、第２実施形態に係る放射線撮像装置３００の構成例について説明する。図３（ａ）は放射線撮像装置３００の平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＣ−Ｃ’線断面図である。図３（ｃ）は、図３（ａ）におけるＤ−Ｄ’線断面図である。図３（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
放射線撮像装置２００では、さらに、センサアレイの各行においてセンサアレイの端から２番目のセンサチップと３番目のセンサチップとが別個の結合シートによってセンサ基台に結合されている。具体的に、センサアレイの端から２番目のセンサチップ１０３ｂは結合シート１０２ｅによって結合されており、センサアレイの端から３番目のセンサチップ１０３ｈは結合シート１０２ｆによって結合されている。このような配置によって、センサチップ１０３の位置ずれがさらに抑制される。
＜第３実施形態＞
図４（ａ）〜図４（ｃ）を参照して、第３実施形態に係る放射線撮像装置４００の構成例について説明する。図４（ａ）は放射線撮像装置４００の平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＥ−Ｅ’線断面図である。図４（ｃ）は、図４（ａ）におけるＦ−Ｆ’線断面図である。図４（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
図４（ａ）〜図４（ｃ）を参照して、第３実施形態に係る放射線撮像装置４００の構成例について説明する。図４（ａ）は放射線撮像装置４００の平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＥ−Ｅ’線断面図である。図４（ｃ）は、図４（ａ）におけるＦ−Ｆ’線断面図である。図４（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
放射線撮像装置３００では、センサアレイの全領域において、互いに隣り合う２つのセンサチップ１０３が別個の結合シート１０２によってセンサ基台１０１に結合されている。言い換えると、複数のセンサチップ１０３と複数の結合シート１０２とが１対１に対応している。このような配置によって、センサチップ１０３の位置ずれがさらに抑制される。
＜第４実施形態＞
図５（ａ）〜図５（ｃ）を参照して、第４実施形態に係る放射線撮像装置５００の構成例について説明する。図５（ａ）は放射線撮像装置５００の平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＧ−Ｇ’線断面図である。図５（ｃ）は、図５（ａ）におけるＨ−Ｈ’線断面図である。図５（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
図５（ａ）〜図５（ｃ）を参照して、第４実施形態に係る放射線撮像装置５００の構成例について説明する。図５（ａ）は放射線撮像装置５００の平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるＧ−Ｇ’線断面図である。図５（ｃ）は、図５（ａ）におけるＨ−Ｈ’線断面図である。図５（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
放射線撮像装置５００では、隣り合うセンサチップ１０３とは別個の結合シート１０２によってセンサ基台１０１に結合されているセンサチップの辺のうち、隣り合うセンサチップ１０３に面した辺において、結合シート１０２の外周が当該辺よりも内側に位置する。具体的に、センサチップ１０３ｂとは別個の結合シート１０２ａによって結合されているセンサチップ１０３ａの辺のうち、隣り合うセンサチップ１０３ｂに面した辺５０１において、結合シート１０２ａの外周が辺５０１よりも内側に位置する。
結合シート１０２の材料及び寸法によっては、複数の結合シート１０２が互いに分離していたとしても、シンチレータパネルの貼り付けの際に、互いに隣り合う２つの結合シート１０２が接してしまい、図２（ａ）と同様の状態になる可能性がある。そこで、放射線撮像装置５００では、互いに隣り合う２つの結合シート１０２の間隔を広くすることによって、このような接触の発生を抑制する。隣り合うセンサチップ１０３とは別個の結合シート１０２によってセンサ基台１０１に結合されているセンサチップの辺のうち、隣り合うセンサチップ１０３に面した辺以外の辺において、結合シート１０２ａの外周は当該辺よりも内側でも外側でもよい。放射線撮像装置５００では、このような辺においても内側にある。
＜第５実施形態＞
図６（ａ）〜図６（ｃ）を参照して、第５実施形態に係る放射線撮像装置６００の構成例について説明する。図６（ａ）は放射線撮像装置６００の平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるＩ−Ｉ’線断面図である。図６（ｃ）は、図６（ａ）におけるＪ−Ｊ’線断面図である。図６（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
図６（ａ）〜図６（ｃ）を参照して、第５実施形態に係る放射線撮像装置６００の構成例について説明する。図６（ａ）は放射線撮像装置６００の平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるＩ−Ｉ’線断面図である。図６（ｃ）は、図６（ａ）におけるＪ−Ｊ’線断面図である。図６（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
放射線撮像装置６００では、複数のセンサチップ１０３のうち少なくとも一部のセンサチップ１０３が、配線部材が配置された辺を有する。図６（ａ）では、一部のセンサチップ１０３のみが配線部材６０１を有するが、これに代えてすべてのセンサチップ１０３が配線部材６０１を有してもよい。配線部材６０１は、センサチップ１０３からの信号を外部の装置へ伝達するための部材である。配線部材６０１は例えばＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）である。
センサチップ１０３ａは、２つの短辺のうち、センサアレイの外側に向かう辺６０２に配線部材６０１を有する。この配線部材６０１が配置された辺６０２において、結合シート１０２ａはシンチレータ層１０５の端６０３の正射影を超えてセンサチップ１０３ａの外側まで延在していもよい。ここでは、この配線部材６０１が配置された辺６０２において、結合シート１０２ａが辺６０２を超えてセンサチップ１０３ａの外側まで延在している。
センサパネルとシンチレータパネルとを結合する際に、センサチップ１０３は、シンチレータ層１０５の端６０３から強い応力を受ける。放射線撮像装置６００では、辺６０２において結合シート１０２ａがセンサチップ１０３の縁を下側から支持しているので、この応力によるセンサチップ１０３の破損を抑制できる。
配線部材６０１が配置された辺以外の辺において、結合シート１０２ａの外周は当該辺よりも内側にあってもよいし、外側にあってもよい。放射線撮像装置６００では、放射線撮像装置５００と同様に、このような辺において内側にある。
＜第６実施形態＞
図７（ａ）〜図７（ｃ）を参照して、第６実施形態に係る放射線撮像装置７００の構成例について説明する。図７（ａ）は放射線撮像装置７００の平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるＫ−Ｋ’線断面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）におけるＬ−Ｌ’線断面図である。図７（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
図７（ａ）〜図７（ｃ）を参照して、第６実施形態に係る放射線撮像装置７００の構成例について説明する。図７（ａ）は放射線撮像装置７００の平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるＫ−Ｋ’線断面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）におけるＬ−Ｌ’線断面図である。図７（ａ）では説明のために結合部材１０４、シンチレータ層１０５及びシンチレータ基台１０６を省略する。以下では主に放射線撮像装置１００との相違点について説明する。
放射線撮像装置７００では、結合部材１０４がホットメルト材料、例えばホットメルトシートで形成される。ホットメルト材料とは、加熱により粘着力が現れる性質を有する材料のことである。ホットメルトシートの粘度は加熱により低下するので、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、結合部材１０４はセンサチップ１０３の間に入り込む。この結果、結合部材１０４のセンサチップ１０３への密着力が向上する。
ホットメルトシートの透明度は、例えばＣｓＩ：Ｔｌのピーク発光波長である５５０ｎｍ付近で９０％以上であってもよい。また、ホットメルトシートの厚さは、ＭＴＦ劣化防止及びシンチレータ層１０５及びセンサチップ１０３間に入る異物による破損防止の観点から、１０〜１００μｍ程度であってもよい。
結合部材１０４としてホットメルトシートを用いる場合に、加温可能なラミネータを用いて加熱圧着を行うことによって、センサパネルとシンチレータパネルとが結合される。このように加熱圧着を行う場合に、結合シート１０２の粘度も低下し、結合シート１０２の一部がセンサチップ１０３の間に入り込みやすくなる。この場合でも、互いに分離した複数の結合シート１０２によって複数のセンサチップ１０３を結合することによって、センサチップ１０３の位置ずれを抑制できる。
＜その他の実施形態＞
図８は本発明に係る放射線撮像装置のＸ線診断システム（放射線撮像システム）への応用例を示した図である。Ｘ線チューブ６０５０（放射線源）で発生した放射線としてのＸ線６０６０は、被験者又は患者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線撮像装置６０４０に入射する。放射線撮像装置６０４０は上述の実施形態の何れの放射線撮像装置であってもよい。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され信号処理部となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示部となるディスプレイ６０８０で観察できる。なお、放射線撮像システムは、放射線撮像装置と、放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部とを少なくとも有する。
図８は本発明に係る放射線撮像装置のＸ線診断システム（放射線撮像システム）への応用例を示した図である。Ｘ線チューブ６０５０（放射線源）で発生した放射線としてのＸ線６０６０は、被験者又は患者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線撮像装置６０４０に入射する。放射線撮像装置６０４０は上述の実施形態の何れの放射線撮像装置であってもよい。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタル信号に変換され信号処理部となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示部となるディスプレイ６０８０で観察できる。なお、放射線撮像システムは、放射線撮像装置と、放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理部とを少なくとも有する。
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送処理部により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなど表示部となるディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の記録部に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。また記録部となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
１００ 放射線撮像装置、１０１ センサ基台、１０２ 結合シート、１０３ センサチップ、１０４ 結合部材、１０５ シンチレータ層、１０６ シンチレータ基台
Claims (11)
- 放射線撮像装置であって、
センサ基台と、
アレイ状に配置された複数のセンサチップを含むセンサアレイであって、前記複数のセンサチップのうちの３つ以上のセンサチップが前記センサアレイの１つの行に配置されている、センサアレイと、
前記センサアレイに対して前記センサ基台とは反対側に位置するシンチレータと、
前記センサアレイと前記シンチレータとを結合する結合部材と、
互いに分離しており、前記複数のセンサチップと前記センサ基台とを結合する複数の結合シートと、
を備え、
前記３つ以上のセンサチップのうちの互いに隣り合う２つのセンサチップが、前記複数の結合シートのうちの別個の結合シートによって前記センサ基台に結合されており、
前記複数のセンサチップのうちの少なくとも一部のセンサチップは、フレキシブルプリント基板が配置された辺を有し、
前記フレキシブルプリント基板が配置された辺において、結合シートが当該辺を超えてセンサチップの外側まで延在することを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記センサアレイの各行において前記センサアレイの端から１番目のセンサチップと２番目のセンサチップとが別個の結合シートによって前記センサ基台に結合されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
- 前記センサアレイの各行において前記センサアレイの端から２番目のセンサチップと３番目のセンサチップとが別個の結合シートによって前記センサ基台に結合されていることを特徴とする請求項２に記載の放射線撮像装置。
- 前記センサアレイの全領域において、互いに隣り合う２つのセンサチップが別個の結合シートによって前記センサ基台に結合されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
- 前記複数のセンサチップと前記複数の結合シートとが１対１に対応していることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
- 前記複数のセンサチップのそれぞれは、長方形であり、
隣り合うセンサチップとは別個の結合シートによって前記センサ基台に結合されているセンサチップの辺のうち、前記隣り合うセンサチップに面した辺において、結合シートの外周が前記面した辺よりも内側に位置することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の放射線撮像装置。 - 前記結合シートとして、クッション性のある芯材の両面に、粘着性を有する材料が塗布されているテープが用いられることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
- 前記結合部材は、加熱により粘着力が現れる性質を有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の放射線撮像装置。
- 請求項１乃至８の何れか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置によって得られた信号を処理する処理手段と
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。 - 放射線撮像装置を製造する方法であって、
複数のセンサチップがアレイ状に配置されたセンサアレイの１つの行に、前記複数のセンサチップのうちの３つ以上のセンサチップが配置されるように、互いに分離した複数の結合シートを用いて前記複数のセンサチップをセンサ基台に結合することによってセンサパネルを形成する形成工程と、
前記センサアレイに対して前記センサ基台とは反対側にシンチレータが位置するように、結合部材を用いて前記センサパネルと前記シンチレータとを結合する結合工程と、を有し、
前記複数のセンサチップのうちの少なくとも一部のセンサチップは、フレキシブルプリント基板が配置された辺を有し、
前記形成工程は、前記３つ以上のセンサチップのうちの互いに隣り合う２つのセンサチップを、前記複数の結合シートのうちの別個の結合シートによって、前記フレキシブルプリント基板が配置された辺において結合シートが当該辺を超えてセンサチップの外側まで延在するように、前記センサ基台に結合することを含むことを特徴とする方法。 - 加熱圧着によって前記シンチレータと前記センサアレイとを結合することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018138015A JP6659182B2 (ja) | 2018-07-23 | 2018-07-23 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
| EP19185194.8A EP3599486B1 (en) | 2018-07-23 | 2019-07-09 | Radiation imaging apparatus, manufacturing method thereof, and radiation imaging system |
| US16/512,929 US11086030B2 (en) | 2018-07-23 | 2019-07-16 | Radiation imaging apparatus, manufacturing method thereof, and radiation imaging system |
| CN201910650016.XA CN110749915B (zh) | 2018-07-23 | 2019-07-18 | 放射线摄像装置及其制造方法和放射线摄像系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018138015A JP6659182B2 (ja) | 2018-07-23 | 2018-07-23 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020016478A JP2020016478A (ja) | 2020-01-30 |
| JP6659182B2 true JP6659182B2 (ja) | 2020-03-04 |
Family
ID=67220721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018138015A Active JP6659182B2 (ja) | 2018-07-23 | 2018-07-23 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11086030B2 (ja) |
| EP (1) | EP3599486B1 (ja) |
| JP (1) | JP6659182B2 (ja) |
| CN (1) | CN110749915B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4014070A1 (en) * | 2019-09-20 | 2022-06-22 | Siemens Medical Solutions USA, Inc. | Hybrid lased/air coupled pet block detector |
Family Cites Families (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3347708B2 (ja) * | 1999-08-04 | 2002-11-20 | キヤノン株式会社 | ２次元画像入力装置及びそれを用いた画像処理システム |
| ATE426823T1 (de) * | 2000-01-13 | 2009-04-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Strahlungsbildsensor und szintillatorplatte |
| WO2001063321A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif d'imagerie a rayons x et son procede de fabrication |
| JP4447752B2 (ja) * | 2000-08-03 | 2010-04-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線検出器 |
| US7541617B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation image pickup device |
| JP4266656B2 (ja) | 2003-02-14 | 2009-05-20 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
| JP4323827B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び放射線撮像装置 |
| JP4418720B2 (ja) | 2003-11-21 | 2010-02-24 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び方法、並びに放射線撮像システム |
| JP4845352B2 (ja) | 2004-06-15 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
| US7557355B2 (en) | 2004-09-30 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
| JP2006278877A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びその製造方法 |
| JP5043373B2 (ja) | 2005-07-11 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
| JP5043374B2 (ja) | 2005-07-11 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム |
| JP5043380B2 (ja) | 2005-07-25 | 2012-10-10 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置および放射線検出システム |
| JP5159065B2 (ja) | 2005-08-31 | 2013-03-06 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線撮像装置および放射線撮像システム |
| JP2007201246A (ja) | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Canon Inc | 光電変換装置及び放射線撮像装置 |
| JP5173234B2 (ja) | 2006-05-24 | 2013-04-03 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP5196739B2 (ja) | 2006-06-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP5406473B2 (ja) | 2007-07-19 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置 |
| JP5235350B2 (ja) | 2007-08-07 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP5489542B2 (ja) | 2008-07-01 | 2014-05-14 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| US8124938B1 (en) * | 2008-08-18 | 2012-02-28 | X-Scan Imaging Corporation | Linear X-ray detector with monolithic detector chip including both photodiode array and peripheral circuits spaced apart |
| JP5441400B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2014-03-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮像装置及びその製造方法 |
| JP5645500B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2014-12-24 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 |
| JP5680943B2 (ja) | 2010-11-16 | 2015-03-04 | キヤノン株式会社 | シンチレータ、放射線検出装置および放射線撮影装置 |
| JP2012112699A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Fujifilm Corp | 放射線検出パネル及び放射線撮像装置 |
| JP5792958B2 (ja) | 2011-01-13 | 2015-10-14 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 |
| US8548119B2 (en) * | 2011-01-13 | 2013-10-01 | General Electric Company | Multi-slice CT detector with tileable packaging structure |
| JP5836679B2 (ja) | 2011-07-19 | 2015-12-24 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
| JP2013152160A (ja) | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Canon Inc | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
| JP2013174465A (ja) | 2012-02-23 | 2013-09-05 | Canon Inc | 放射線検出装置 |
| JP5997512B2 (ja) | 2012-06-20 | 2016-09-28 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び撮像システム |
| JP2014044200A (ja) * | 2012-07-31 | 2014-03-13 | Canon Inc | 放射線検出装置、その製造方法及び放射線検出システム |
| JP6092568B2 (ja) | 2012-10-11 | 2017-03-08 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| EP2916145A4 (en) * | 2012-11-01 | 2016-07-13 | Toray Industries | RADIATION PROTECTION AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
| JP6245799B2 (ja) * | 2012-11-29 | 2017-12-13 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、及び放射線撮像システム |
| JP2014122820A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Canon Inc | シンチレータ、放射線検出装置および放射線検出システム |
| JP6100045B2 (ja) | 2013-03-19 | 2017-03-22 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム及び放射線検出装置の製造方法 |
| JP6200173B2 (ja) | 2013-03-21 | 2017-09-20 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| JP6226579B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-11-08 | 東芝電子管デバイス株式会社 | 放射線検出器及びその製造方法 |
| JP6310216B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2018-04-11 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線検出システム |
| JP6270450B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法 |
| JP6478538B2 (ja) | 2014-09-10 | 2019-03-06 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
| JP6671839B2 (ja) | 2014-10-07 | 2020-03-25 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び撮像システム |
| JP2016118506A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
| JP6650676B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2020-02-19 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
| JP2018036198A (ja) * | 2016-09-01 | 2018-03-08 | コニカミノルタ株式会社 | シンチレータパネル |
| JP6707130B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-06-10 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 |
| JP6646002B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-02-14 | 富士フイルム株式会社 | 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 |
| US10739514B2 (en) * | 2017-07-21 | 2020-08-11 | Japan Display Inc. | Light source device, backlight device comprising the same and liquid crystal display device |
| JP6877289B2 (ja) | 2017-07-31 | 2021-05-26 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法 |
| JP7030478B2 (ja) | 2017-11-09 | 2022-03-07 | キヤノン株式会社 | 撮影台および放射線撮影システム |
-
2018
- 2018-07-23 JP JP2018138015A patent/JP6659182B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-09 EP EP19185194.8A patent/EP3599486B1/en active Active
- 2019-07-16 US US16/512,929 patent/US11086030B2/en active Active
- 2019-07-18 CN CN201910650016.XA patent/CN110749915B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110749915A (zh) | 2020-02-04 |
| US11086030B2 (en) | 2021-08-10 |
| EP3599486A1 (en) | 2020-01-29 |
| US20200025953A1 (en) | 2020-01-23 |
| JP2020016478A (ja) | 2020-01-30 |
| CN110749915B (zh) | 2023-09-29 |
| EP3599486B1 (en) | 2021-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6000680B2 (ja) | 放射線検出装置、その製造方法及び撮像システム | |
| US8653465B2 (en) | Radiation detection apparatus and radiation imaging system | |
| JP5693173B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線検出システム | |
| JP5004848B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線検出システム | |
| US8648312B2 (en) | Radiation detection apparatus, manufacturing method thereof, and radiation detection system | |
| US20120318990A1 (en) | Radiation detection panel and radiation imaging apparatus | |
| CN102466807B (zh) | 放射线检测器 | |
| US20130308755A1 (en) | Radiation detection apparatus and radiation detection system | |
| WO2015033506A1 (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線検出システム | |
| JP6659182B2 (ja) | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム | |
| JP2008170374A (ja) | 放射線検出装置及びシンチレータパネル | |
| US10345455B2 (en) | Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and method of manufacturing radiation detection apparatus | |
| CN110045410B (zh) | 辐射检测装置及其制造方法、辐射检测系统 | |
| JP2007057428A (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| US11269087B2 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
| JP2022125517A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| JP2018119891A (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム | |
| JP2017036923A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| TW201831921A (zh) | 放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置 | |
| WO2015068348A1 (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190722 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190722 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190722 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190729 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191101 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191216 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200204 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6659182 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |