JP5489542B2 - 放射線検出装置及び放射線撮像システム - Google Patents
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Description
図1は本発明の第1の実施形態に係る放射線検出装置を示す構成図、図2は1画素の平面図、図3は図2のA−A’線における断面図である。また、図4は層間絶縁層の膜厚と信号線に付加される容量の関係、図5は変換素子とスイッチ素子を接続するための接続ホールの断面図を示す。
Cs=ε0×ε×S/dとなる。
Ca≧ε0×ε×S/d
の関係を満たす膜厚に、一例では1.5μm以上に設定されており、この点が従来例と大きく異なる。即ち、基板内において層間絶縁層16の膜厚がばらついた場合でも各Sig線の寄生容量はほぼ同等となり、画像ムラを低減することが可能となる。
2Lf+Lb=7d≦P/2
を満たすことにより、層間絶縁層の加工安定性の確保が可能となる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。図7は本実施形態の構成図、図8は1画素の平面図、図9は図8のB−B’線における断面図である。図10は層間絶縁層の膜厚と信号線に付加される容量の関係を示す。図7〜図9では図1〜図3と同一部分には同一符号を付している。
εは層間絶縁層16の比誘電率、ε0は真空誘電率である。
Ca≧ε0×ε×S/d
の関係を満たす膜厚に、一例では2.5μm以上に設定されており、この点が従来例と大きく異なる。即ち、基板内において層間絶縁層の膜厚がばらついた場合でも、各Sig線の寄生容量はほぼ同等となり、画像ムラを低減することが可能となる。
2Lf+Lb=7d≦P/2
を満たすことにより、層間絶縁層の加工安定性の確保が可能となる。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。図11は1画素の平面図、図12は図11のC−C’線における断面図である。図11、図12では図1〜図3と同一部分には同一符号を付している。
まず、図11を用いて1画素の構成を説明する。放射線検出パネルの1画素内には、実施形態1と同様に変換素子2である光電変換素子と、スイッチ素子3であるTFTが配置されている。また、1画素内には、Sig線と、Vg線と、Vs線とが配置されている。本実施形態においては、光電変換素子とTFTを接続する接続ホールが長方形、若しくは楕円形である点が、実施形態1と異なる点である。
Cs=(C16×C28)/(C16+C28)となる。
上述したように、基板の面内において第1の層間絶縁層16、または第2の層間絶縁層28の膜厚がばらつくことにより、Sig容量の総和Ca+Csがばらつく。その結果、基板内でノイズ量がばらつき、画像ムラが生じる場合がある。
Ca≧(C16×C28)/(C16+C28)
の関係を満たす膜厚に設定される。即ち、基板の面内において第1の層間絶縁層16、または第2の層間絶縁層28の膜厚がばらついた場合でも各Sig線の寄生容量はほぼ同等となり、画像ムラを低減することが可能となる。
図13は本発明の放射線検出装置を用いた放射線撮像システムの一実施形態を示す構成図である。本実施形態において放射線とはX線、α線、β線、γ線をいうが、特にX線の場合を説明する。図13に示すように放射線源であるX線チューブ6050で発生したX線6060は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、シンチレータを有する放射線検出装置6040に入射する。
Claims (6)
- 入射した放射線を電荷に変換する変換素子と、前記変換素子の電荷を転送するスイッチ素子と、を備えた複数の画素と、
前記スイッチ素子のゲートに接続されたゲート線と、
前記ゲート線と交差して配置され、前記スイッチ素子のソース又はドレインに電気的に接続された信号線と、前記変換素子と前記スイッチ素子との間、及び、前記変換素子と前記信号線との間に配置された層間絶縁層と、
を有する放射線検出装置であって、
1画素における前記信号線と前記ゲート線との重なり容量をCc、1画素における前記スイッチ素子のゲートと前記スイッチ素子のソース又はドレインとの間の容量をCt、1画素における前記信号線と前記変換素子との重なり面積をS、前記層間絶縁層の膜厚をd、前記層間絶縁層の比誘電率をε、前記層間絶縁層の真空誘電率をε0とした場合に、
Cc+Ct≧ε0×ε×S/d
を満たすように、Cc、Ct、ε、S、dが決定されていることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記複数の画素の画素ピッチをPとした場合に、7d≦P/2を満たし、
前記変換素子と前記スイッチ素子とを電気的に接続するための前記層間絶縁層の接続ホールのテーパー角度は45°以下であることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。 - 前記変換素子にバイアス電圧を印加するためのバイアス線を更に有し、
前記バイアス線は、放射線入射側から見て、前記変換素子と前記スイッチ素子とを電気的に接続するための前記層間絶縁層の接続ホールと前記スイッチ素子との間に配置されたことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。 - 前記変換素子は光電変換素子であり、前記光電変換素子の上にシンチレータ層が配置されていることを特徴とする請求項1に記載の放射線検出装置。
- 入射した放射線を電荷に変換する変換素子と、前記変換素子の電荷を転送する転送用スイッチ素子と、前記変換素子をリセットするためのバイアス電圧を印加するリセット用スイッチ素子と、を備えた複数の画素と、
前記転送用スイッチ素子のゲートに電気的に接続された第1のゲート線と、
前記リセット用スイッチ素子のゲートに電気的に接続された第2のゲート線と、
前記第1及び第2のゲート線と交差して配置され、前記転送用スイッチ素子のソース又はドレインに電気的に接続された信号線と、
前記転送用スイッチ素子と前記変換素子との間、前記リセット用スイッチ素子と前記変換素子との間、及び、前記信号線と前記変換素子との間に配置された層間絶縁層と、
を有する放射線検出装置であって、
1画素における前記信号線と前記第1のゲート線および第2のゲート線との重なり容量のそれぞれをCc、1画素における前記転送用スイッチ素子のゲートと前記転送用スイッチ素子のソース又はドレインとの間の容量をCt、1画素における前記信号線と前記変換素子との重なり面積をS、前記層間絶縁層の膜厚をd、前記層間絶縁層の比誘電率をε、前記層間絶縁層の真空誘電率をε0とした場合に、
2×Cc+Ct≧ε0×ε×S/d
を満たすように、Cc、Ct、ε、S、dが決定されていることを特徴とする放射線検出装置。 - 請求項1又は5に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
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