JP5848047B2 - 放射線検出素子、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システム - Google Patents
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Description
また、本発明の放射線検出素子の前記半導体素子は、前記変換部から直接光が照射されることが好ましい。半導体素子は、光に応じてリーク電流を発生するため、直接、変換部から光が照射されることにより、放射線の検知精度を向上させることができる。
また、本発明の放射線検出素子の前記半導体素子は、バイアス電圧が印加されたスイッチング素子であることが好ましい。
また、本発明の放射線検出素子は、照射された放射線量と前記センサ部で発生する電荷量との対応関係と、照射された放射線量と前記半導体素子から出力されるリーク電流の電荷量との対応関係と、が一致していることが好ましい。このようにセンサ部と放射線検知部の半導体素子とで、照射された放射線量と電荷量との対応関係を一致させるようにすることにより、放射線検知部の半導体素子により、放射線画像の取得時と同一(または同一とみなせる程度に近い)感度で放射線の検知が行えるため、精度よく放射線を検知することができる。
以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。
次に、第2の実施の形態について説明する。
次に、第3の実施の形態について説明する。
次に、第4の実施の形態について説明する。
次に、第5の実施の形態について説明する。
4 TFTスイッチ
10 放射線検出素子
11 下部電極 (遮光手段)
20 画素、20A 画像取得用画素20A、20B 放射線検知用画素
21 半導体層 (光電変換部)
40 シンチレータ (変換部)
50 増幅回路 (読出回路)
60 検知用TFT (半導体素子)
100 放射線検出素子
103 センサ部
106 制御部
122 放射線検知用信号配線
200 放射線画像撮影システム
Claims (16)
- マトリクス状に配置された複数の画素の各々に設けられ、放射線を光に変換して照射する変換部と、前記変換部の下部に設けられて当該変換部の一部と重なるように設けられた光電変換部と、を備え、照射された放射線に応じて電荷を発生するセンサ部と、
前記複数の画素の各々の前記光電変換部の下に設けられ、各画素の前記センサ部で発生した電荷を信号配線に出力する、基板上に形成されたスイッチング素子と、
前記変換部の前記光電変換部と重なっていない領域の下部に設けられ、照射された放射線を光に変換して照射する変換部、及び前記基板上の前記スイッチング素子と同層に形成され、前記変換部から照射された光に応じて変化するリーク電流を前記信号配線または、放射線検知用信号配線に出力する半導体素子を備えた放射線検知部と、
を備えた放射線検出素子。 - 前記基板上には、絶縁膜が形成されており、
前記絶縁膜上には、前記スイッチング素子の半導体活性層及び前記半導体素子の半導体活性層が形成されている、
請求項1に記載の放射線検出素子。 - 前記半導体素子は、前記変換部から直接光が照射される、請求項1または請求項2に記載の放射線検出素子。
- 前記センサ部は、画素毎に設けられた光電変換部と、複数の画素分の前記光電変換部と重なるように設けられ、かつ放射線を光に変換して照射する変換部を備え、前記放射線検知部は、前記光電変換部と重ならない前記センサ部の変換部の下部に前記半導体素子が設けられた、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記センサ部が、前記光電変換部に前記変換部から照射された光と異なる光が照射されるのを遮光する遮光手段を備えた、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記半導体素子は、バイアス電圧が印加されたスイッチング素子である、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記半導体素子は、出力するリーク電流量を制御するための電圧が印加されるゲート電極を備えたスイッチング素子である、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記放射線検知部は、前記複数の画素のうち放射線検知用に予め定められた複数の放射線検知用画素の各々に設けられた、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記放射線検知部は、前記複数の画素の各々に設けられた、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記複数の画素のうち、前記放射線検知用画素以外の画素の各々の画素に設けられた前記放射線検知部は、前記信号配線または、放射線検知用信号配線と非接続である、請求項8に記載の放射線検出素子。
- 前記放射線検知部は、隣接する前記画素同士の前記センサ部とセンサ部との間に設けられた、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- マトリクス状に配置された複数の画素の各々に設けられ、照射された放射線に応じて電荷を発生するセンサ部と、
前記複数の画素の各々に設けられ、各画素の前記センサ部で発生した電荷を信号配線に出力するスイッチング素子と、
照射された放射線を光に変換して照射する変換部、及び前記変換部から照射された光に応じて変化するリーク電流を前記信号配線または、放射線検知用信号配線に出力する半導体素子を備え、前記複数の画素の各々に設けられた放射線検知部と、
を備えた放射線検出素子。 - 照射された放射線量と前記センサ部で発生する電荷量との対応関係と、照射された放射線量と前記半導体素子から出力されるリーク電流の電荷量との対応関係と、が一致している、請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の放射線検出素子。
- 前記請求項1から前記請求項13のいずれか1項に記載の放射線検出素子と、
前記放射線検出素子の放射線検知部から出力された電荷に基づいて放射線量を検出する検出手段と、
前記センサ部から出力された電荷の電荷量に基づいて放射線画像を取得する画像取得手段と、
を備えた放射線画像撮影装置。 - 前記放射線検出素子の信号配線毎に、前記信号配線に出力された電荷を読み出す読出回路を備え、前記放射線検出素子の前記放射線検知部は、リーク電流を前記信号配線に出力する、請求項14に記載の放射線画像撮影装置。
- 放射線照射手段と、
前記放射線照射手段から照射された放射線により放射線画像を撮影する前記請求項14または前記請求項15に記載の放射線画像撮影装置と、
を備えた放射線画像撮影システム。
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