JP2009044135A - 放射線検出用基板、放射線検出装置及び放射線撮像システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】入射する放射線を電気信号に変換する光電変換素子と、光電変換素子と接続された転送TFTと、を有する複数の画素と、第一の信号線と、第二の信号線と、駆動線と、を有する放射線検出装置であって、第一のスイッチ素子は、第一の信号線に電気的に接続された第一の主電極と、光電変換素子と電気的に接続された第二の主電極と、駆動線に電気的に接続されたゲート電極と、を有し、複数の画素の各々は、第二の信号線と接続された第一の主電極と、第一のスイッチ素子と共通に駆動配線に電気的に接続されたゲート電極と、を有する、変換素子と接続されていない第二のスイッチ素子をさらに有し、第一のスイッチ素子と第二のスイッチ素子との出力差に対応した信号を出力する差動アンプを有する。
【選択図】図1
Description
前記変換素子と接続された第一のスイッチ素子と、
前記変換素子と接続されない第二のスイッチ素子と、
を有する画素が二次元に配列され、
一方向に配列された複数の前記画素からなる画素行の各画素の前記第一及び第二のスイッチ素子の制御電極と電気的に接続される駆動配線と、
他方向に配列された複数の前記画素からなる画素列の各画素の前記第一のスイッチ手段の第一の主電極に電気的に接続される第一の信号線と、
前記画素列の各画素の前記第二のスイッチ手段の第一の主電極に電気的に接続される第二の信号線と、を有する放射線検出用基板であって、
前記第一のスイッチ素子は、第二の主電極が前記変換素子と電気的に接続され、
前記画素行の第一及び第二のスイッチ素子がオン状態にあるときに、前記画素列の第一の信号線に前記電気信号が出力され、前記画素列の前記第二の信号線にノイズ信号が出力されてなるものである。
図1は、本発明の第1の実施形態としての放射線検出装置の構成を示す模式的回路図である。
図7は、本発明の第2の実施形態として放射線検出装置の構成を示す模式的回路図である。本実施の形態は、転送TFT102及びダミーTFT12の各々が、二つのTFTを直列に接続され、ゲート電極を共通の駆動線で接続されたダブルゲート構造である。そして、後述のように転送TFTとダミーTFTとはポリシリコンTFTである。転送TFTとダミーTFTとをダブルゲート構造とすることで、各TFTのリーク電流を低減できるため、ノイズが低減され、良好な画像を得ることができる。
図10は、本発明の第3の実施形態として放射線検出装置の構成を示す模式的回路図である。
図13は、本発明の第4の実施形態としての放射線検出装置の構成を示す模式的回路図である。
ε0:真空の誘電率、εS:絶縁体の誘電率、S:電極面積、L:電極間距離
図16は、開口率を考慮して、ダミー光電変換素子を小型化した場合の模式的回路図である。
図17は、本発明の第4の実施形態としての放射線検出装置の1画素の模式的平面図である。本実施の形態は第3の実施形態の他の一例である。そのため、回路構成は第3の実施形態の場合と同様である。
図19は、本発明の第5の実施形態としての放射線検出装置の構成を示す模式的回路図である。
図22に示すように、放射線検出用基板30の窒化シリコン等よりなる第1の保護層50上に、有機樹脂層からなる第2の保護層51を設ける。第2の保護層51はなくてもよい。第1の保護層50(もしくは第2の保護層51)上にシンチレータ層54が形成されている。シンチレータ層54は、直接、放射線検出用基板30上に蒸着等の手法によって形成することができる。シンチレータ層54上には耐湿保護層52、反射層53を設ける。耐湿保護層52はシンチレータ層54への水分の侵入を防ぎ、反射層53はシンチレータ層54からの光を放射線検出用基板30側に反射させるものである。
図20は、本発明の好適な実施の形態に係る放射線検出装置を放射線診断システムである放射線撮像システムへ適用した場合の応用例を示す図である。本応用例では、放射線は、X線,γ線、あるいはα線,β線,等の粒子線である。
102 転送TFT
103 転送TFTの駆動線
104 信号線
105 PIN型光電変換素子のバイアス線
11 PIN型光電変換素子と略同一構造のダミーPIN型光電変換素子
12 ダミーTFT
14 ダミー信号線
15 ダミーPIN型光電変換素子のバイアス線
21 差動アンプ
22 バッファアンプ
23 積分アンプ
Claims (11)
- 入射する放射線を電気信号に変換する変換素子と、
前記変換素子と接続された第一のスイッチ素子と、
前記変換素子と接続されない第二のスイッチ素子と、
を有する画素が二次元に配列され、
一方向に配列された複数の前記画素からなる画素行の各画素の前記第一及び第二のスイッチ素子の制御電極と電気的に接続される駆動配線と、
他方向に配列された複数の前記画素からなる画素列の各画素の前記第一のスイッチ手段の第一の主電極に電気的に接続される第一の信号線と、
前記画素列の各画素の前記第二のスイッチ手段の第一の主電極に電気的に接続される第二の信号線と、を有する放射線検出用基板であって、
前記第一のスイッチ素子は、第二の主電極が前記変換素子と電気的に接続され、
前記画素行の第一及び第二のスイッチ素子がオン状態にあるときに、前記画素列の第一の信号線に前記電気信号が出力され、前記画素列の前記第二の信号線にノイズ信号が出力されてなる放射線検出用基板。 - 前記変換素子は、前記第一のスイッチ素子及び前記第二のスイッチ素子を覆うように配置されたことを特徴とする請求項1記載の放射線検出用基板。
- さらに基準電位配線を有し、
前記第二のスイッチ素子は、前記基準電位配線に電気的に接続された第二の主電極を有することを特徴とする請求項1記載の放射線検出用基板。 - 前記画素は、ダミー変換素子をさらに有し、
前記第二のスイッチ素子は、前記ダミー変換素子に電気的に接続された第二の主電極を有することを特徴とする請求項1記載の放射線検出用基板。 - 前記ダミー変換素子は、ダーク出力を検出するために遮光されていることを特徴とする請求項4記載の放射線検出用基板。
- 前記変換素子をリセットするための第三のスイッチ素子を有し、前記第三のスイッチ素子と前記変換素子とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の放射線検出用基板。
- 前記第一の信号線から出力される前記電気信号と、前記第二の信号線から出力されるノイズ信号との差をとる差分手段、を有する請求項1から6のいずれか1項に記載の放射線検出用基板。
- 請求項1から7のいずれか1項に記載の放射線検出用基板を有する放射線検出装置であって、
前記放射線は光であり、前記変換素子は入射する光を電気信号に変換する光電変換素子であり、
前記光電変換素子上にシンチレータ層を有する放射線検出装置。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の放射線検出用基板と、
前記第一の信号線から出力される前記電気信号と、前記第二の信号線から出力されるノイズ信号との差をとる差分手段と、
を有し、
前記差分手段は前記放射線検出用基板と電気的に接続されてなる放射線検出装置。 - 前記変換素子は入射する光を電気信号に変換する光電変換素子であり、
前記光電変換素子上にシンチレータ層を有する請求項9に記載の放射線検出装置。 - 請求項8から10のいずれか1項記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
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