JPS5880865A - 原稿読取装置 - Google Patents
原稿読取装置Info
- Publication number
- JPS5880865A JPS5880865A JP56178975A JP17897581A JPS5880865A JP S5880865 A JPS5880865 A JP S5880865A JP 56178975 A JP56178975 A JP 56178975A JP 17897581 A JP17897581 A JP 17897581A JP S5880865 A JPS5880865 A JP S5880865A
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- JP
- Japan
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- noise
- signal
- dummy
- photodetector
- line
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−本発明は、ファクシミリ等の原稿読取装置に関し、更
に詳しくは、従来の原稿読取装置に用いられているＭＯ
８７オトダイオードアレイあるいは００Ｄイメージセン
サに対して最近新たに考案されている１対１光学系を用
□いた密着型大型イメージセンサの新規な雑音低減化方
式に関する。
に詳しくは、従来の原稿読取装置に用いられているＭＯ
８７オトダイオードアレイあるいは００Ｄイメージセン
サに対して最近新たに考案されている１対１光学系を用
□いた密着型大型イメージセンサの新規な雑音低減化方
式に関する。
大型イメージセンサは素子の大きさが原稿と同一サイズ
である為オプチカル７アイバアレイ又はレンズアレイ等
の光学系により一対−結像を行なうことにより原稿像を
読取ることを可能とするものである。この方式は結像光
路長が短いために装置の大幅な小を化が達成できる点に
特徴を有する。
である為オプチカル７アイバアレイ又はレンズアレイ等
の光学系により一対−結像を行なうことにより原稿像を
読取ることを可能とするものである。この方式は結像光
路長が短いために装置の大幅な小を化が達成できる点に
特徴を有する。
第１図（＆）に従来の大型イメージセンナの等価回路、
および受光素子１の構成を同図（ｂ）に示す。受光素子
１は８・−ム−−Ｔｏあるいはａ−８１等の非晶質又は
ｏａｓ、ｏａｓ・略の多結晶の光導電半導体薄膜２１の
上下を、例えばム１゜Ｏｒ、ムＵ等の導電性薄Ｊｌｌ！
２２による分割された電極とｓ ｎ ０２ ＃ ｘ ｔ
ｏ ＊の辿明導電性薄膜２６による連続した電極です
ンドイツチ状にはさむことにより作られたもので上記光
導電半導体薄膜より成るフォトダイオード１＆とコンデ
ンサ１ｂにより構成されており、原稿を解像するのに必
要な密度で、例えば８ドツト／鵬島で一列に配列され・
ている。ここに於いて１ｂは受光素子１自体の容鼠を示
す。
および受光素子１の構成を同図（ｂ）に示す。受光素子
１は８・−ム−−Ｔｏあるいはａ−８１等の非晶質又は
ｏａｓ、ｏａｓ・略の多結晶の光導電半導体薄膜２１の
上下を、例えばム１゜Ｏｒ、ムＵ等の導電性薄Ｊｌｌ！
２２による分割された電極とｓ ｎ ０２ ＃ ｘ ｔ
ｏ ＊の辿明導電性薄膜２６による連続した電極です
ンドイツチ状にはさむことにより作られたもので上記光
導電半導体薄膜より成るフォトダイオード１＆とコンデ
ンサ１ｂにより構成されており、原稿を解像するのに必
要な密度で、例えば８ドツト／鵬島で一列に配列され・
ている。ここに於いて１ｂは受光素子１自体の容鼠を示
す。
あらかじめ電源５により電荷は例えばシフトレジス々に
より受光素子中の等価回路としてのコンデンサー１ｂに
蓄えられ、この電荷は受光素子に入射した光量により中
和又は残置し、ある一定期１ハｊ毎にシフトレジスター
６によりｎｏｓｙｍＴ２を２度目に順次ＯＮとしコンデ
ンサー１ｂを再充・也し、この時ビット毎に流れる電流
を出力端子６にて検出することにより光情報として読み
出す。
より受光素子中の等価回路としてのコンデンサー１ｂに
蓄えられ、この電荷は受光素子に入射した光量により中
和又は残置し、ある一定期１ハｊ毎にシフトレジスター
６によりｎｏｓｙｍＴ２を２度目に順次ＯＮとしコンデ
ンサー１ｂを再充・也し、この時ビット毎に流れる電流
を出力端子６にて検出することにより光情報として読み
出す。
上記大型イメージセンナにおいて受光素子１は点線で囲
まれた部分が同一基板２４（ガラス、セラミック基板等
）上に導電性薄膜２２および光導電子導体薄膜２１透明
導電性薄膜２３を蒸着又はスパッタ、０ｖＤ（気相化学
反応を利用した薄膜形成法）等の方法によりアレイ状に
形成することが可能であるが、ｕｏｓｙＩｃ’ｒ２およ
びシフトレジスタ６は個別素子であるため、上記基板２
４もしくは他の基板上においてワイヤボンディング等の
接続手段を用いてＭＯ８１ＰＥＴ２と上記受光素子１と
の接続が不可欠である。
まれた部分が同一基板２４（ガラス、セラミック基板等
）上に導電性薄膜２２および光導電子導体薄膜２１透明
導電性薄膜２３を蒸着又はスパッタ、０ｖＤ（気相化学
反応を利用した薄膜形成法）等の方法によりアレイ状に
形成することが可能であるが、ｕｏｓｙＩｃ’ｒ２およ
びシフトレジスタ６は個別素子であるため、上記基板２
４もしくは他の基板上においてワイヤボンディング等の
接続手段を用いてＭＯ８１ＰＥＴ２と上記受光素子１と
の接続が不可欠である。
そのためには受光素子１から引き出された配線７をＭＯ
８ＦＩＣＴ２と接続が可能となるように引き回す必要が
あり、その結果配Ｉｓ７の長さは実際上は等価回路と興
なりかなりの長さになる。
８ＦＩＣＴ２と接続が可能となるように引き回す必要が
あり、その結果配Ｉｓ７の長さは実際上は等価回路と興
なりかなりの長さになる。
又、信号線８の長さも大型イメージセンサの場合数十セ
ンチにもなる。そのため、信号線間の容置が非常に大き
くなり、上記容置を通して信号機８に混入して来るノイ
ズの量が無視できなくなり８７ Ｎ比の低下をきたして
いる。
ンチにもなる。そのため、信号線間の容置が非常に大き
くなり、上記容置を通して信号機８に混入して来るノイ
ズの量が無視できなくなり８７ Ｎ比の低下をきたして
いる。
本発明は上記のような従来技術の欠点を解消するために
なされたもので雑音を低減化しＳ ／ Ｎ比を向上させ
るものである。更に詳しくは、一つの受光素子に対して
ＭＯ８７１’ｌ’を２ケずつ配置し、一方は従来と同様
に受光素子のスイッチングに用い、他方はダミーとして
雑音信号を発生させるために用いて両者から出力される
信号を差動増巾することによってＳｉｘ比の良い信号を
得る方法である。
なされたもので雑音を低減化しＳ ／ Ｎ比を向上させ
るものである。更に詳しくは、一つの受光素子に対して
ＭＯ８７１’ｌ’を２ケずつ配置し、一方は従来と同様
に受光素子のスイッチングに用い、他方はダミーとして
雑音信号を発生させるために用いて両者から出力される
信号を差動増巾することによってＳｉｘ比の良い信号を
得る方法である。
本発明の等価回路を第２図に示す。
受光素子１に対してＭＯ８ＦＩＴ２とダミー用ＭＯ８Ｉ
ＦＩＴＩＯを配置し、両者のゲートを共通のゲート制御
ｍ１２に接続する。Ｍｏｓｙｍｙ２のドレインは配置１
１７により受光素子に接続されており、ダミー用ＭＯ８
ＦＩｌｔＴｉ Ｑのドレインはオープンの状態となって
いる。又ｍｏｓｙｎｒ２とダミー用Ｍｏ５ｐｉｃＴ１０
のソースはその［１ものどうし共通に接続され、それぞ
れ信号線８および雑音１１Ｊ９を形成しており、その端
部は差動増ｌＪ器１１に入力されている。
ＦＩＴＩＯを配置し、両者のゲートを共通のゲート制御
ｍ１２に接続する。Ｍｏｓｙｍｙ２のドレインは配置１
１７により受光素子に接続されており、ダミー用ＭＯ８
ＦＩｌｔＴｉ Ｑのドレインはオープンの状態となって
いる。又ｍｏｓｙｎｒ２とダミー用Ｍｏ５ｐｉｃＴ１０
のソースはその［１ものどうし共通に接続され、それぞ
れ信号線８および雑音１１Ｊ９を形成しており、その端
部は差動増ｌＪ器１１に入力されている。
その結果第６図（＆）に示すように、信号［１８には受
光素子１による光信号（イ）とＭＯ３ＩＦＩＣで２によ
るスパイクノイズ（０）と外部から混入してくるクロッ
クノイズ（ハ）が発生する。又雑ｉ線９には第６図（ｂ
）に示すようにＭＯ８ＩＦ鳶Ｔ１０によるスパイクノイ
ズ（ニ）と外部から混入してくるクロックノイズ（ホ）
が発生する。
光素子１による光信号（イ）とＭＯ３ＩＦＩＣで２によ
るスパイクノイズ（０）と外部から混入してくるクロッ
クノイズ（ハ）が発生する。又雑ｉ線９には第６図（ｂ
）に示すようにＭＯ８ＩＦ鳶Ｔ１０によるスパイクノイ
ズ（ニ）と外部から混入してくるクロックノイズ（ホ）
が発生する。
ここでＭＯ８ＰＩＴ２とｕｏｓｙｍＴｉ Ｏの幾司学的
形状、配置を同一にし、又信号４１８と雑音線９の長さ
、引き回し方を同一にすることにより、スパイクノイズ
（ロ）と（ニ）およびクロックノイズ（ハ）、（ホ）は
それぞれ同一の波形となる。
形状、配置を同一にし、又信号４１８と雑音線９の長さ
、引き回し方を同一にすることにより、スパイクノイズ
（ロ）と（ニ）およびクロックノイズ（ハ）、（ホ）は
それぞれ同一の波形となる。
そのため、信号線８と雑音線９を差動増巾器１１に入力
し、両者を差動増巾すると、その結果第３Ｖ （０）の
ように雑音成分が打ち消されてなくなり、光信号成分の
みの信号を得ることができる。
し、両者を差動増巾すると、その結果第３Ｖ （０）の
ように雑音成分が打ち消されてなくなり、光信号成分の
みの信号を得ることができる。
第６図（、）において実線は光照射時点線は非照射時の
出力を示している。これによって８ ／ Ｍ比の優れた
良好な出力を得ることが可能となる。
出力を示している。これによって８ ／ Ｍ比の優れた
良好な出力を得ることが可能となる。
以上の効果は信号線８．９の長さにかかわらず有効であ
り、特に大型イメージセンサのように信号［８，９が２
０センチ以上にもなる場合、本発明の効果は非常に大と
なる・ また、８７Ｍ比が向上するため、大型イメージセンサに
入射すべき光量を小さくすることが可能となり、それゆ
え原稿を照明する先触電力が小さくてすむ。この効果は
本発明の様な大きな光量を必要とするイメージセンサ−
に於いて特に有効である。
り、特に大型イメージセンサのように信号［８，９が２
０センチ以上にもなる場合、本発明の効果は非常に大と
なる・ また、８７Ｍ比が向上するため、大型イメージセンサに
入射すべき光量を小さくすることが可能となり、それゆ
え原稿を照明する先触電力が小さくてすむ。この効果は
本発明の様な大きな光量を必要とするイメージセンサ−
に於いて特に有効である。
一方、同じパワーの光源の場合、読取り速度を上げるこ
とができ、原稿読取装置の小型化、高°性１１じ化に大
きく寄与する。
とができ、原稿読取装置の小型化、高°性１１じ化に大
きく寄与する。
第１図（＆）、（ｂ）はそれぞれ従来の大型イメージセ
ンサの等価回路及び構成図、 第２図は本発明による大型イメージセンサの等価回路図
、 第６図（＆）、（ｂ）、（Ｑ）は本発明による大型イメ
ージセンサの出力信号波形図。 図中符号。 １・・受光素子 １ａ・・フォトダイオード１ｂ・
・コンデンサ ２・・ＭＯ８ＦＩＣＴ６・・シフト
レジスタ ４・・負荷抵抗５・・バイアス′屯諒 ６
・・出力端子７・・配 ＆！ ８・・信号線９
・・雑音＆１ １０・・ダミーＭＯ８ＰＩＴ１１・
・差動増巾器 １２・・ゲート制御線２１・・光導電
半導体ｆｌＩ展 ２２・・導電性薄膜 ２３・・透明導電性薄膜２４・
・基 板 代理人 弁理士（８１０７）佐々木 清 繕ｉｒｙＪ
ンサの等価回路及び構成図、 第２図は本発明による大型イメージセンサの等価回路図
、 第６図（＆）、（ｂ）、（Ｑ）は本発明による大型イメ
ージセンサの出力信号波形図。 図中符号。 １・・受光素子 １ａ・・フォトダイオード１ｂ・
・コンデンサ ２・・ＭＯ８ＦＩＣＴ６・・シフト
レジスタ ４・・負荷抵抗５・・バイアス′屯諒 ６
・・出力端子７・・配 ＆！ ８・・信号線９
・・雑音＆１ １０・・ダミーＭＯ８ＰＩＴ１１・
・差動増巾器 １２・・ゲート制御線２１・・光導電
半導体ｆｌＩ展 ２２・・導電性薄膜 ２３・・透明導電性薄膜２４・
・基 板 代理人 弁理士（８１０７）佐々木 清 繕ｉｒｙＪ
Claims (1)
- 基板上に導電性薄膜より成る複数の下地電極を設け、こ
の上に順次光導□電性薄層、更に透明導電性薄膜より成
る上側電極を設けた噂倍結像により原−を読み取る長尺
受光□素子において、１つの受光素子に対し讐、読取用
ｕＯｓｙｍＴとダ叱−用ｕｏｓｙｉｔを設け、両者の幾
可学的形状配置を同一にし、読取用ＭＯ８ＦＩｉＴから
出力される信号とダミー用ＭＯ８νＩＴから出力される
信号とを差動増巾することにより、読取信号を得ること
を特徴とする原稿読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178975A JPS5880865A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 原稿読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178975A JPS5880865A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 原稿読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880865A true JPS5880865A (ja) | 1983-05-16 |
Family
ID=16057923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56178975A Pending JPS5880865A (ja) | 1981-11-10 | 1981-11-10 | 原稿読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880865A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270971A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 画像読取装置 |
| EP0233020A2 (en) * | 1986-02-04 | 1987-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Switch array apparatus for use in a photoelectric conversion device |
| EP1326428A2 (en) | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| JP2009044135A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-26 | Canon Inc | 放射線検出用基板、放射線検出装置及び放射線撮像システム |
-
1981
- 1981-11-10 JP JP56178975A patent/JPS5880865A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270971A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 画像読取装置 |
| EP0233020A2 (en) * | 1986-02-04 | 1987-08-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Switch array apparatus for use in a photoelectric conversion device |
| EP1326428A2 (en) | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| EP1326428A3 (en) * | 2001-12-26 | 2009-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| JP2009044135A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-26 | Canon Inc | 放射線検出用基板、放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| US8680472B2 (en) | 2007-07-19 | 2014-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus and radiation imaging system |
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