JPS5884568A - 原稿読取装置 - Google Patents
原稿読取装置Info
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- JPS5884568A JPS5884568A JP56182091A JP18209181A JPS5884568A JP S5884568 A JPS5884568 A JP S5884568A JP 56182091 A JP56182091 A JP 56182091A JP 18209181 A JP18209181 A JP 18209181A JP S5884568 A JPS5884568 A JP S5884568A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40056—Circuits for driving or energising particular reading heads or original illumination means
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はファクシミリ◆の原稿読取装置に関し、更に詳
しくは、MO87オトダイオードアレイあるいはOOD
イメージセンナに対して最近新たに考案されている大型
原槁貌取装置の線量低減化方式に関する。
しくは、MO87オトダイオードアレイあるいはOOD
イメージセンナに対して最近新たに考案されている大型
原槁貌取装置の線量低減化方式に関する。
大M原橘読取装璽(以下大振イメージセンナと称す)は
素子の大きさが原稿と同一サイズであるためオプチカル
ファイバアレイ゛又はレンズアレイ等の光学系により一
対−結像を行なうことにより原稿像を読取ることを可能
とするものである。この方式は結像光路長が短かいため
に、装置の大幅な小型化が達成できる点に特徴を有する
。
素子の大きさが原稿と同一サイズであるためオプチカル
ファイバアレイ゛又はレンズアレイ等の光学系により一
対−結像を行なうことにより原稿像を読取ることを可能
とするものである。この方式は結像光路長が短かいため
に、装置の大幅な小型化が達成できる点に特徴を有する
。
第1図(a)に従来の大型イメージセンサの等価回路を
、同図(b)に受光素子1の構成を示す。
、同図(b)に受光素子1の構成を示す。
受光素子1はS・−ム1−T・あるいはa−191等の
非晶質又は、06B、0180等の多結晶の光導電半導
体薄W421の上下をAl、Or1ムU等の導電性薄膜
による分割された電極と、8 n O2、工〒O等の趨
明導電性薄展による連続した電極でサーンドイツチ状に
はさむことにより作られたもので7オFダイオード1a
とコンデンサーbを構成) しており、ここに於いてコンデンサーbは受光素子1自
身の容量を示す。この受光素子は原稿を解像するのに必
要な密度で、例えば8ドツト/膳lの割合で一列に配列
されている。
非晶質又は、06B、0180等の多結晶の光導電半導
体薄W421の上下をAl、Or1ムU等の導電性薄膜
による分割された電極と、8 n O2、工〒O等の趨
明導電性薄展による連続した電極でサーンドイツチ状に
はさむことにより作られたもので7オFダイオード1a
とコンデンサーbを構成) しており、ここに於いてコンデンサーbは受光素子1自
身の容量を示す。この受光素子は原稿を解像するのに必
要な密度で、例えば8ドツト/膳lの割合で一列に配列
されている。
コンデンサ1bに蓄えられた電崎は受光素子1に入射し
た光鑑に応じてフォトダイオード1aにより放電され、
ある一定期間ごとにシフトレジスタ3によりMO81F
]lテ2を順次01Nにしてコンデンサ1bを再充電し
、その際の電流を出力端子6にて検出することにより光
情報を続出す。
た光鑑に応じてフォトダイオード1aにより放電され、
ある一定期間ごとにシフトレジスタ3によりMO81F
]lテ2を順次01Nにしてコンデンサ1bを再充電し
、その際の電流を出力端子6にて検出することにより光
情報を続出す。
上記大振イメージセンナにおいて、受光素子1は点線で
sすれた部分が同一基板24(ガラス、セラミック等)
上に4電性薄1122および光導電性薄膜21、透明導
電性薄膜26を蒸着、スパン食、あるいはOVD等の方
法により形成することが可能であるが、MO!lν1!
2およびシフトレジスタ3は個別素子であるため、上記
受光素子1と一体で形成することはできず、その為MO
i91!丁2゛およびシフトレジスタ3を上記基板24
もしくは他の基板上にマウントしてワイヤボンディング
等の接続手段を用いて上記受光素子1との接続が不可欠
である。
sすれた部分が同一基板24(ガラス、セラミック等)
上に4電性薄1122および光導電性薄膜21、透明導
電性薄膜26を蒸着、スパン食、あるいはOVD等の方
法により形成することが可能であるが、MO!lν1!
2およびシフトレジスタ3は個別素子であるため、上記
受光素子1と一体で形成することはできず、その為MO
i91!丁2゛およびシフトレジスタ3を上記基板24
もしくは他の基板上にマウントしてワイヤボンディング
等の接続手段を用いて上記受光素子1との接続が不可欠
である。
そのためには受光素子1から引き出された配線に引き−
す必要があり、その結果配線7の長さは実際上は等鋤回
路と異なり、かなりの長さになる。
す必要があり、その結果配線7の長さは実際上は等鋤回
路と異なり、かなりの長さになる。
又信号l/M8の兼さも大型イメージセンサの場合数十
センチにもなる。そのため信号線間の容量が非常に大き
くなり、上記容置により信号II8に混入してくるノイ
ズの鰍が無視できなくなり、SZN比の低下をきたして
いる。
センチにもなる。そのため信号線間の容量が非常に大き
くなり、上記容置により信号II8に混入してくるノイ
ズの鰍が無視できなくなり、SZN比の低下をきたして
いる。
上記欠点を解消する方法として同−出願人は昭和r6年
II月7ρ日付出願の「原稿読取装置」に於いてダミー
のMO8F]jTを用いて差動増−を用いるものを提案
した。これは第2図に示すように受光素子1に対してス
イッチング用のMO8y−xT2とダシ−用MO87I
T1Qの2つを設け、両者から出力される信号を差動増
幅することによって87 M比の良いf#1号を得る方
法である。
II月7ρ日付出願の「原稿読取装置」に於いてダミー
のMO8F]jTを用いて差動増−を用いるものを提案
した。これは第2図に示すように受光素子1に対してス
イッチング用のMO8y−xT2とダシ−用MO87I
T1Qの2つを設け、両者から出力される信号を差動増
幅することによって87 M比の良いf#1号を得る方
法である。
この電流では1つの受光素子に対して2つのMOsym
〒を必要としており、上記MO8IFIC丁として独立
したものを用いた場合、MO8PITを実験する面積は
、第1図のそれに比べて2倍のスペースとなり、父上記
MO81NTとしてIOチップを用いた場合でも、チッ
プすイズが大きくなるため、やはり実at向檀が大きく
な、る。これは、大型イメージセンサのサイズとして原
稿の走行方向の巾を大きくする原因となり原稿読取装置
の小型化に障害となる。
〒を必要としており、上記MO8IFIC丁として独立
したものを用いた場合、MO8PITを実験する面積は
、第1図のそれに比べて2倍のスペースとなり、父上記
MO81NTとしてIOチップを用いた場合でも、チッ
プすイズが大きくなるため、やはり実at向檀が大きく
な、る。これは、大型イメージセンサのサイズとして原
稿の走行方向の巾を大きくする原因となり原稿読取装置
の小型化に障害となる。
本発明は上記のような従来技術の欠点を解消したもので
、MOaν冨丁の数を増加させることなく、−音を低減
化しS / M比を向上させたものであり、更に詳しく
はM O’S P ml Tに接続されている信号線を
2本設け、MO8P11Tの隣合うものいくつかを上記
信vIIMに交互に接続してMO8PE丁のスイッチン
グを適当に行ない、上記信号線から出力される信号を差
動増巾することによってS / M比の良い信号を得る
方法である。
、MOaν冨丁の数を増加させることなく、−音を低減
化しS / M比を向上させたものであり、更に詳しく
はM O’S P ml Tに接続されている信号線を
2本設け、MO8P11Tの隣合うものいくつかを上記
信vIIMに交互に接続してMO8PE丁のスイッチン
グを適当に行ない、上記信号線から出力される信号を差
動増巾することによってS / M比の良い信号を得る
方法である。
本発明の具体的な構成を第6図の図面に従って説明する
。
。
本発明の特徴は信号線として54.!15の2本を有し
、MO8F鳶T32&、32b* ・・・のソース4
1’*41be ・・・tr:数本ずつ交互に上記信
号線34.35に接続している。尚、本実施例ではMO
!91FK!3個ずつ振り別けているがこの限りではな
く、1コ以上数十コ以下の範囲で振り別けることが可能
である。
、MO8F鳶T32&、32b* ・・・のソース4
1’*41be ・・・tr:数本ずつ交互に上記信
号線34.35に接続している。尚、本実施例ではMO
!91FK!3個ずつ振り別けているがこの限りではな
く、1コ以上数十コ以下の範囲で振り別けることが可能
である。
次に鮎3図に不ず実WIA例の動作原理を第4図のタイ
ミングチャートと共に説明する。
ミングチャートと共に説明する。
図においてクロックはシフトレジス々65を駆動させる
ためのものである。40&〜401の信号はMO15F
冨’J’ 324〜321のゲートにf:lノ加される
信号のタイえングを示し、LレベルでM08FETをO
Nにし、HレベルでMO8FIITを011にする。
ためのものである。40&〜401の信号はMO15F
冨’J’ 324〜321のゲートにf:lノ加される
信号のタイえングを示し、LレベルでM08FETをO
Nにし、HレベルでMO8FIITを011にする。
第1に4Qa、b、@の信号を順次りにして、40&−
L 40b−L 400−1のノぐルスによってuos
yir52a、b、oを順次ONにする。これによって
信Valj34には信号34a。
L 40b−L 400−1のノぐルスによってuos
yir52a、b、oを順次ONにする。これによって
信Valj34には信号34a。
b、aのような光信号と線量の混ざった信号が出力され
る。
る。
第2に406.・、fの信号を順次りにして、40(1
−1,40・−1,”40f−1の)ぐルスによってM
o5yieT32a、*、ttt@次ONにする。これ
によってfl!1135に1i4d’i!j 35 (
1。
−1,40・−1,”40f−1の)ぐルスによってM
o5yieT32a、*、ttt@次ONにする。これ
によってfl!1135に1i4d’i!j 35 (
1。
・、fのような光信号と雑音の混ざったイa号が出力さ
れる。上記動作と同時に4Qa、b、oの信号を順次り
にすることによって信号M34には40a−2,40b
−2* 400−2に下すパルスにより64d、・、f
のような雑音のみcl信号が出力される。
れる。上記動作と同時に4Qa、b、oの信号を順次り
にすることによって信号M34には40a−2,40b
−2* 400−2に下すパルスにより64d、・、f
のような雑音のみcl信号が出力される。
以上の動作を繰り返すことによって、信号!11134
゜65には図に示すように光信号と雑音が混ざった11
号と雑音のみの信号が交互に出力される。上記信号34
.35を差動増巾器38により差動増巾することによっ
て、出力69には光信号のみの信号が得られる。
゜65には図に示すように光信号と雑音が混ざった11
号と雑音のみの信号が交互に出力される。上記信号34
.35を差動増巾器38により差動増巾することによっ
て、出力69には光信号のみの信号が得られる。
第4図39において、実線は光照射時の出力、点線は非
煕射時の出力を示しており、sZN比の良好な出力を得
ることが可能である。
煕射時の出力を示しており、sZN比の良好な出力を得
ることが可能である。
以上の効果は信号@34.35の長さにかかわらず有効
であり、特に大型イメージセンサのように信号1113
4.35が20センチ以上にもなる場さらに%”’/N
比の向上により原稿照明光源のパワーが小さくて済み、
又読取速度を高くすることができる。
であり、特に大型イメージセンサのように信号1113
4.35が20センチ以上にもなる場さらに%”’/N
比の向上により原稿照明光源のパワーが小さくて済み、
又読取速度を高くすることができる。
又、スイッチングのためのMOSFETの数は受光素子
と同数で良いため、MO8PICTを実装するrl[l
績を小さくすることができる。
と同数で良いため、MO8PICTを実装するrl[l
績を小さくすることができる。
以上詳述したごとく本発明にあっては原稿読取装置の小
型化及び^性能化に大きく寄与するものである。
型化及び^性能化に大きく寄与するものである。
第1図(a)、(b)はそれぞれ従来の大型イメージセ
ンサの等価回路図及びその構成図、第2図は従来の大域
イメージセンサの雑音低減の為の回路図、 ti%3図は本発明による大型イメージセンサの等価回
路図、 第4図は本発明による大型イメージセンサの動作を示す
タイ瑠ングチャーF及び出力信号波形図。
)図中符号暮 1・・受光素子 a・・フォトダイオード1b・
・コンデンサ2” M O8F I T6・・シフトレ
ジスタ 4・・負mm抗5・・バイアス11/1#1
6軸出力端子7・・配 m s−・信号線9
・・雑音11 10−・ダミーMO8FET11
・・Ml!l増巾祷 12・・ゲート制御M21・・
光導電半導体薄膜 22・・導電性*IIII 23・・透鳴導電性m
映24・・A 板 61・・受光素子62・・
MO8νET 55・・シフトレジスタ64・・信号
−ム 65軸信号lIMB66・・負衡抵抗
6フーバイアス電源38・・差動増巾器 69・・出
力端子40・・ゲート制御1m41−・ソース代理人
弁理士(8107)佐々木 清 隆(ほか3名) 第 111!1 (a) (
ンサの等価回路図及びその構成図、第2図は従来の大域
イメージセンサの雑音低減の為の回路図、 ti%3図は本発明による大型イメージセンサの等価回
路図、 第4図は本発明による大型イメージセンサの動作を示す
タイ瑠ングチャーF及び出力信号波形図。
)図中符号暮 1・・受光素子 a・・フォトダイオード1b・
・コンデンサ2” M O8F I T6・・シフトレ
ジスタ 4・・負mm抗5・・バイアス11/1#1
6軸出力端子7・・配 m s−・信号線9
・・雑音11 10−・ダミーMO8FET11
・・Ml!l増巾祷 12・・ゲート制御M21・・
光導電半導体薄膜 22・・導電性*IIII 23・・透鳴導電性m
映24・・A 板 61・・受光素子62・・
MO8νET 55・・シフトレジスタ64・・信号
−ム 65軸信号lIMB66・・負衡抵抗
6フーバイアス電源38・・差動増巾器 69・・出
力端子40・・ゲート制御1m41−・ソース代理人
弁理士(8107)佐々木 清 隆(ほか3名) 第 111!1 (a) (
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1基板上に複数の下層電極を設け、この上に逐時光導電
体、透明導電性上層電極を設けてなる原稿読取、装置に
於いて、受光素子の信号をスイッチングにより読取るM
081罵!の出力を複数の信号線に振り分け、該複数の
信号線からの信号を差動増巾して得た信号を画像信号と
する事を特徴とする原稿読取装置・ 2、特許請求の範囲第1項記載の装置に於いて、該複数
の信号線の1つが雑音信号を含む画信号を読取っている
時、残りの信号線は雑音信号を読取る事を特徴とする原
稿読取装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56182091A JPS5884568A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 原稿読取装置 |
US06/382,838 US4511804A (en) | 1981-11-13 | 1982-05-27 | Noise reduction apparatus for hybrid image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56182091A JPS5884568A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 原稿読取装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5884568A true JPS5884568A (ja) | 1983-05-20 |
Family
ID=16112194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56182091A Pending JPS5884568A (ja) | 1981-11-13 | 1981-11-13 | 原稿読取装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4511804A (ja) |
JP (1) | JPS5884568A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61142859A (ja) * | 1984-11-23 | 1986-06-30 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5986379A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-18 | Toshiba Corp | 光電変換装置 |
JPS59160374A (ja) * | 1983-03-02 | 1984-09-11 | Canon Inc | 光電変換装置 |
US4673821A (en) * | 1983-09-27 | 1987-06-16 | Kyocera Corporation | Photoelectric converter device having reduced output noise |
US4608606A (en) * | 1984-03-15 | 1986-08-26 | Rca Corporation | CCD floating-element output stages providing low reset noise with single sampling |
JPS60218965A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-01 | Canon Inc | 光電変換装置 |
JPS60248063A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
JPS617766A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-14 | Kyocera Corp | 読み取り装置 |
US4605969A (en) * | 1984-08-21 | 1986-08-12 | General Electric Company | Video pattern noise processor |
JPS61124171A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置 |
JPS61270971A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 画像読取装置 |
US4797561A (en) * | 1985-08-31 | 1989-01-10 | Kyocera Corporation | Reading apparatus with improved performance |
JPS6262671A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Canon Inc | 固体撮像素子の信号処理回路 |
US5737016A (en) * | 1985-11-15 | 1998-04-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus for reducing noise |
US5771070A (en) | 1985-11-15 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus removing noise from the photoelectric converted signal |
ATE163498T1 (de) * | 1985-11-15 | 1998-03-15 | Canon Kk | Photoelektrische wandlervorrichtung |
US4914519A (en) * | 1986-09-19 | 1990-04-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus for eliminating noise in a solid-state image pickup device |
JPH084127B2 (ja) * | 1986-09-30 | 1996-01-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US4728802A (en) * | 1986-01-21 | 1988-03-01 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Balanced drive photosensitive pixel and method of operating the same |
EP0233020B1 (en) * | 1986-02-04 | 1991-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Switch array apparatus for use in a photoelectric conversion device |
JPS6328167A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-05 | Fuji Xerox Co Ltd | イメ−ジセンサの駆動装置 |
US4821104A (en) * | 1987-04-29 | 1989-04-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image sensor having reduced fixed-noise output using flip flop circuit |
US4843473A (en) * | 1988-03-21 | 1989-06-27 | Polaroid Corporation | Charge injection device with low noise readout |
DE3826763A1 (de) * | 1988-08-04 | 1990-02-08 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zum bildpunktweisen lesen optischer informationen |
JP2824996B2 (ja) * | 1989-09-13 | 1998-11-18 | 株式会社リコー | イメージセンサ |
US5231503A (en) * | 1990-07-26 | 1993-07-27 | Nippon Steel Corporation | Image sensor apparatus with noise cancellation circuitry |
JPH04246976A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-02 | Sony Corp | カメラ装置 |
US5317407A (en) * | 1991-03-11 | 1994-05-31 | General Electric Company | Fixed-pattern noise correction circuitry for solid-state imager |
US5436442A (en) * | 1992-11-20 | 1995-07-25 | General Electric Company | High temperature photodetector array |
JP3774499B2 (ja) | 1996-01-24 | 2006-05-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US5784178A (en) * | 1996-03-06 | 1998-07-21 | Dyna Image Corporation | High performance contact image sensor |
JP3870088B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びシステム |
KR101225060B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2013-01-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서에서 노이즈 판단 기준을 추정하는 방법 및장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5226653A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-28 | Kenichi Yamashita | Vibrating mixer |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5619786B2 (ja) * | 1975-02-20 | 1981-05-09 | ||
JPS5310433B2 (ja) * | 1975-03-10 | 1978-04-13 | ||
FR2356328A1 (fr) * | 1976-06-24 | 1978-01-20 | Ibm France | Dispositif d'elimination du bruit dans les reseaux photosensibles a auto-balayage |
JPS5822900B2 (ja) * | 1978-09-25 | 1983-05-12 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
-
1981
- 1981-11-13 JP JP56182091A patent/JPS5884568A/ja active Pending
-
1982
- 1982-05-27 US US06/382,838 patent/US4511804A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5226653A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-28 | Kenichi Yamashita | Vibrating mixer |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61142859A (ja) * | 1984-11-23 | 1986-06-30 | Kyocera Corp | 読取り装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4511804A (en) | 1985-04-16 |
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