JP3774499B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 65
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 108
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 81
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 19
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
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- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換装置に関し、例えばファクシミリ、デジタル複写機あるいはＸ線撮像装置等の読み取りを行う一次元及び二次元の光電変換装置に関し、特に光センサのリセット動作に起因するランダムノイズの除去に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ファクシミリ、デジタル複写機等の画像読取系や、ビデオカメラ、ディジタルカメラ等の撮像デバイスとして、主にＣＣＤが用いられてきたが、近年、ＭＯＳトランジスタやバイポーラトランジスタの増幅機能を画素単位で有する、いわゆる増幅型の光電変換装置の開発も盛んに行なわれている。
【０００３】
増幅型光電変換装置において、高感度化を実現する為には、ノイズの除去が重要となるが、このノイズ除去に関して、従来、いくつかの提案が為されている。
［従来例１］
図６は、バイポーラトランジスタを光センサとして各画素に有する１次元の光電変換装置の回路図、及びそのタイミングチャートである（テレビジョン学会誌 Vol.47,No.9(1993)pp.1180より) 。
【０００４】
この光電変換装置の動作を以下に説明する。スタートパルス（ＳＰ）が入力されると、蓄積容量ＣTS，ＣTNがリセットされ、続いてセンサノイズを含む光信号をＣTSに転送する。
【０００５】
その後、光センサのリセット動作を行ない、そのセンサノイズを含む暗時の出力をＣTNに転送する。再びセンサをリセットして蓄積動作に入る。それと同時に１チップ目のシフトレジスタが走査を開始し、ＣTS，ＣTNのデータをそれぞれ１チップ目の共通出力線であるＣHS，ＣHNに容量分割にて出力する。出力された信号は、それぞれボルテージフォロワを介して差動アンプに入力され、ＩＣの出力としてセンサノイズのない信号が得られる。
【０００６】
なお、ここでいうセンサリセットノイズとは、各画素の光センサとなるバイポーラトランジスタのｈFEや、ベース／コレクタ間容量Ｃbcのバラツキに起因するＦＰＮ（Fixed Pattern noise)を指す。すなわち、ｈFEやＣbcのバラツキにより、φＥＲＳによるエミッタリセット後のエミッタ電位が、画素ごとにばらつく為、それが通常の読み出しにおいては、オフセットとして現われるが、この方式により、そのオフセットが除去できるため、ＦＰＮが低減できる。
【０００７】
［従来例２］
また、他の従来例として、特開平１−１５４６７８号公報には、図７及び図８に示すような固体撮像装置が提案されている。
【０００８】
同図において、入射光によって生じ、各ホトダイオード１０１に蓄積された信号電荷の出力は、次の手順で行われる。装置の出力の水平帰線期間の始めに、次ぎに読み出すべき水平方向一列のホトダイオード１０１が選択されると、その一列に対応したリセット線１０６がオン、オフし、リセットスイッチ１０３によるリセットを行った後、次いでドレイン線１０７がオンすると、この一列の各画素アンプ１０４はソースフォロアのドライバトランジスタとして動作する。このときの各ソースフォロアの出力は、信号電荷の無い場合のアンプ出力であり、ゲート線１１６がオン、オフすることによって、この出力電圧はゲートスイッチ１０９を介して蓄積容量１１１へと記憶される。
【０００９】
次いで、この水平方向一列に対応した垂直ゲート線１０５がオン、オフし、信号電荷が各画素アンプ１０４のゲートに加わると、各ソースフォロアの出力は、信号電荷の量に対応した値をとる。ここでゲート線１１７をオン、オフすることによってこの出力電圧はここでゲートスイッチ１１０を介して蓄積容量１１２へと記憶される。
【００１０】
水平帰線期間内の動作は以上であり、水平走査出力期間内には、水平レジスタ１２２が各画素に対応する水平ゲートスイッチ１１３、１１４を順次開閉走査することにより、蓄積容量１１１、１１２に蓄えられていたソースフォロア出力電荷は水平信号線１２０より順次出力される。
【００１１】
蓄積容量１１１、１１２に蓄えられていた出力電荷は、１個の画素アンプ１０４についての、リセット時と信号電荷入力時の両者の場合の出力を時間的に連続して得たものであり、さらにこれら両出力の差分をとることにより、複数のソースフォロアの入力オフセットばらつきに起因する雑音、及びソースフォロアの１／ｆ雑音を容易に抑圧することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来例では、光電変換手段のリセット時に生ずるリセットノイズを除去することができないという解決すべき課題があった。
【００１３】
このリセットノイズとは、光センサをリセットする度にリセットされた電位がゆらぐもので、ランダムノイズとして現われる。
【００１４】
例えば、ｐｎ接合を有するホトダイオードにおいて、光生成キャリアＱPをホトダイオード部の容量ＣPDに蓄積し、電圧に変換する場合、光生成キャリアによる光信号電圧ＶPは、
ＶP ＝ＱP ／ＣPD ・・・・・（１）
となる。一方リセットノイズＶNは、
ＶN ＝√（ｋＴ／ＣPD） ・・・・・（２）
（ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：温度（ｋ））
となる為、Ｓ／Ｎ比は、
ＶP ／ＶN ＝Ｑ P ・√（１／（ｋＴＣPD）） ・・・・・（３）となる。
【００１５】
従って、（３）式より、Ｓ／Ｎ比を上げる為には、光センサの蓄積容量ＣPDをできるだけ小さくすることが望ましいが、現実的には限界がある。一方、光電変換装置の高精細化、高速化に伴い、信号電荷ＱP は、減少する方向になる為、このリセットノイズを除去することは、光電変換装置の高Ｓ／Ｎ化の重要なポイントとなる。
【００１６】
しかしながら、従来例１において、図６のタイミングチャートに示されるように、センサリセットを２回行なっており、読み出される光信号とノイズ信号は、異なるセンサリセットによるものとなっている。即ち、２回目のセンサリセット後に蓄積動作と光信号読み出し動作を行ない、この２回目のセンサリセット時に発生したセンサノイズＮ’を含む読み出し信号Ｓ＋Ｎ’から、１回目のセンサリセットで発生したセンサノイズＮを差し引くことで、センサノイズを除去しようとするため、センサリセットノイズの√２倍のランダムノイズが発生することになる。
【００１７】
また、従来例２においても、リセットスイッチ１０３によるリセット時にはゲートスイッチ１０９は閉じている状態で行なうため、ホトダイオード１０１のリセットと、リセットスイッチ１０３によるリセットは、異なるリセット動作になるため、従来例１と同様にリセットに起因するランダムノイズは、完全に除去できない。
【００１８】
また従来例２において、ゲートスイッチ１０９を設けない例も開示されているが、この場合も同様にセンサリセットに起因するランダムノイズが発生してしまうという問題があるということが開示されている。
【００１９】
すなわち、従来技術において、ＦＰＮの改善は可能となったが、いぜんとして光センサのリセット動作に起因するランダムノイズに対しては、改善されていない。
【００２０】
［発明の目的］
本発明の目的は、光信号蓄積と信号出力を同時に行なう１次元又は２次元の光電変換装置において、センサ部のリセット動作に起因するランダムノイズを低減することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置は、各々が、光電変換領域と、前記光電変換領域によって得られた信号に基づく増幅信号を生成する増幅用トランジスタとを有し、前記光電変換領域と前記増幅用トランジスタの入力部とが電気的に接続された第１、第２の光電変換手段と、前記第１の光電変換領域及び前記第１の増幅用トランジスタの入力部、そして、前記第２の光電変換領域及び前記第２の増幅用トランジスタの入力部、をそれぞれリセットする第１、第２のリセット手段と、前記第１のリセット手段により前記第１の光電変換手段をリセットすることにより前記第１の増幅用トランジスタの出力に生じる第１のノイズ信号を一時保持する第１の信号保持手段と、前記第２のリセット手段により前記第２の光電変換手段をリセットすることにより前記第２の増幅用トランジスタの出力に生じる第２のノイズ信号を一時保持する第２の信号保持手段と、光信号蓄積後に前記第１の光電変換手段から前記第１のノイズ信号を含む第１の光信号を前記第１の信号保持手段に読み出す前に、前記第１の信号保持手段に一時保持されている前記第１のノイズ信号を前記第１の信号保持手段から読み出し保持する第１のノイズ信号蓄積用容量と、光信号蓄積後に前記第２の光電変換手段から前記第２のノイズ信号を含む第２の光信号を前記第２の信号保持手段に読み出す前に、前記第２の信号保持手段に一時保持されている前記第２のノイズ信号を前記第２の信号保持手段から読み出し保持する第２のノイズ信号蓄積用容量と、光信号蓄積後に前記第１の光電変換手段から前記第１の信号保持手段に読み出し保持された前記第１の光信号を前記第１の信号保持手段から読み出し保持する第１の光信号蓄積用容量と、光信号蓄積後に前記第２の光電変換手段から前記第２の信号保持手段に読み出し保持された前記第２の光信号を前記第２の信号保持手段から読み出し保持する第２の光信号蓄積用容量と、前記第１及び第２のノイズ信号蓄積用容量にそれぞれ保持された前記第１及び第２のノイズ信号が共通のノイズ信号出力線を介して出力され、前記第１及び第２の光信号蓄積用容量にそれぞれ保持された前記第１及び第２の光信号が共通の光信号出力線を介して出力され、且つ、前記第１のノイズ信号蓄積用容量、及び第１の光信号蓄積用容量に保持されている信号が前記ノイズ信号出力線、及び前記光信号出力線にそれぞれ出力された後に、前記第２のノイズ信号蓄積用容量、及び第２の光信号蓄積用容量に保持されている信号が前記ノイズ信号出力線、及び前記光信号出力線にそれぞれ出力される共通出力部と、前記共通出力部から出力された前記第１のノイズ信号、及び前記第２のノイズ信号を用いて、前記共通出力部から出力された前記第１の光信号、及び前記第２の光信号に含まれるノイズ成分をそれぞれ除去するノイズ除去手段とを有し、前記第１、第２の光電変換手段から前記第１、第２の光信号を、それぞれ前記第１、第２の信号保持手段を介して前記第１、第２の光信号蓄積用容量にそれぞれ読み出した後、前記第１の光電変換手段を前記第１のリセット手段により再度リセットすることにより前記第１の増幅用トランジスタの出力に生じる第３のノイズ信号を前記第１の信号保持手段に保持し、前記第２の光電変換手段を前記第２のリセット手段により再度リセットすることにより前記第２の増幅用トランジスタの出力に生じる第４のノイズ信号を前記第２の信号保持手段に保持することを特徴とする。
【００２３】
［作用］
本発明によれば、ノイズの保持手段を設けることにより、センサリセット時に発生したノイズを保持した後、そのまま、光信号の蓄積動作と読み出し動作を行ない、同一のセンサリセットにおけるノイズと光信号の差分をとることができるため、センサリセット時に生ずるランダムノイズの完全な除去が可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光電変換装置の回路図及びそのタイミングチャートである。
【００２６】
本実施形態の光電変換装置は、図に示すように、光電変換手段となるホトダイオード１と、ＭＯＳトランジスタ３，３’と、該光電変換手段のリセット手段となるＭＯＳスイッチ２と、
上記光電変換手段のリセット時のノイズ信号を保持するノイズ信号保持手段となるＭＯＳトランジスタ４，６，６’と容量（ＣM ）５と、
同一の上記リセット後に上記光電変換手段が蓄積した信号から上記保持しておいたノイズ信号を用いてノイズを除去するノイズ信号除去手段（７〜１６）と、を有することを特徴とする光電変換装置である。
【００２７】
また、上記リセット直後のノイズ信号電荷を読み出すノイズ信号読み出し手段としてのＭＯＳスイッチ７，容量（ＣTN）９と、
光信号蓄積後の光信号電荷を読み出す光信号読み出し手段としてのＭＯＳスイッチ８，容量（ＣTS）１０と、
上記ノイズ信号読み出し手段のノイズ信号と上記光信号読み出し手段の光信号を順次走査する走査手段となるシフトレジスタ１３と、
上記走査手段により、上記ノイズ信号読み出し手段（７，９）、及び光信号読み出し手段（８，１０）から、信号を読み出すと同時に、上記光電変換手段で光信号蓄積を行なう光電変換装置において、
上記リセット直後のノイズ信号を、前記同一のリセット後蓄積された上記光信号を上記光信号読み出し手段（８，１０）に読み出す前まで保持するノイズ信号保持手段（４，５，６，６’）と、
上記保持しておいたリセット直後のノイズ信号と、上記同一のリセット後の上記光信号との差分を出力する手段となるバッファアンプ１４，１４’，及び差動アンプ１５と、
を有することを特徴とする光電変換装置である。
【００２８】
ここで、ＭＯＳトランジスタ６，６’、及び３，３’は、各々ＭＯＳソースフォロアを形成している。
【００２９】
また、バッファアンプ１４，１４’の入力１６，１６’が共通出力線であり、バッファアンプ１４，１４’及び差動アンプ１５以外は、ビット分有することになる。
【００３０】
また、本実施形態においては、図に示す部分を全て、同一半導体基板上に形成している。
【００３１】
以下、タイミングチャートを参照しながら、本実施形態の動作及び構成を説明する。
【００３２】
まず、スタートパルスＳＰが入力されると、最初に、光信号、及びノイズ信号蓄積用の容量ＣTS１０及びＣTN９がリセットされる。
【００３３】
続いて、駆動パルスφＴＮをＯＮし、容量ＣM ５に保持されていたノイズ信号を容量ＣTN９に読み出す。この時、容量ＣM ５から読み出されるノイズ信号は、前のフィールドにおいて、センサがリセットされた直後のノイズ信号である。容量ＣTN９にノイズ信号が読み出された後、駆動パルスφＴ１をＯＮし、光信号を容量ＣM ５に読み出し、更に駆動パルスφＴＳをＯＮして容量ＣTS１０に光信号を読み出す。
【００３４】
その後、駆動パルスφＲをＯＮしてセンサリセットを行ない、続いて駆動パルスφＴ１をＯＮし、センサリセット直後の信号を、ノイズ信号として容量ＣM ５に読み出し、センサは、蓄積を開始する。
【００３５】
そして、センサが蓄積を行なうのと同時に、容量ＣTS１０、容量ＣTN９に保持された光信号、及びノイズ信号は、順次、共通出力線に出力され、最終的には、光信号とノイズ信号が、不図示の差分回路等により差分され、正味の光信号として出力されることになる。
【００３６】
従って、本発明においては、タイミングチャート中に示す▲１▼のセンサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、容量ＣM ５に保持され（Ａ）、光信号を読み出す前に容量ＣTN９に入力される（Ａ’）。従って、▲１▼の同一のセンサリセットに対するノイズ信号（Ａ’）と、光信号（Ｂ’）の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
【００３７】
また、ノイズ除去手段としては、上述した実施形態に限定されることはなく、例えば、クランプ回路等を用いることも可能である。
【００３８】
また、特願６１−２１９６６６号に開示されているように、差分回路としては、センサ信号を保持する回路と基準信号を保持する回路と、それらの差信号を出力する差動アンプを用いることもできる。
［第２の実施形態］
図２は、本発明の第２の実施形態を示す回路図及びタイミングチャートである。
【００３９】
本実施形態では、バイポーラトランジスタ１’による光電変換手段を用いた点が、第１の実施形態とは異なる。本実施形態でも、点線で囲った部分がノイズ信号保持手段となり、その構成は第１の実施形態と同じである。
【００４０】
以下、タイミングチャートに沿って、動作を説明する。
【００４１】
不図示のスタートパルスが入力されると、まず、駆動パルスφＣＲがＯＮし、光信号蓄積用容量ＣTS１０及びノイズ信号蓄積用容量ＣTN９がリセットされる。
【００４２】
次に、駆動パルスφＴＮをＯＮしてノイズ信号を容量ＣTN９に読み出す。
【００４３】
次に、駆動パルスφＴ１をＯＮして光信号を容量ＣM ５に読み出す。
【００４４】
次に、駆動パルスφＴＳをＯＮして光信号を容量ＣTS１０に読み出す。
【００４５】
次に、駆動パルスφＢＲＳをＯＮして、バイポーラトランジスタ１’のベースをＶBBにクランプリセットし、更に、駆動パルスφＥＲＳをＯＮすることで、センサリセットを行なう。
【００４６】
次に、駆動パルスφＴ１をＯＮして、センサリセット時に発生したノイズ信号を容量ＣM ５に入力する。その後、センサの蓄積動作を行なう。
【００４７】
そして、センサが蓄積を行なうのと同時に、容量ＣTS１０、容量ＣTN９に保持された光信号、及びノイズ信号は、順次、共通出力線に出力され、最終的には、光信号とノイズ信号が、差分回路１５により差分され、正味の光信号として出力されることになる。
【００４８】
従って、本発明においても、センサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、容量ＣM ５に保持され、光信号を読み出す前に容量ＣTN９に入力される。従って、同一のセンサリセットに対するノイズ信号と、光信号の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
【００４９】
なお、ノイズ保持用の容量ＣM ５は、無くても良く、その場合は、配線や素子の寄生容量を容量ＣM ５の代わりとして利用することができる。
【００５０】
また、本実施形態においては、差動アンプ１５以外を、同一半導体基板に形成している。
［第３の実施形態］
図３は、本発明の第３の実施形態に係る光電変換装置の回路図及びそのタイミングチャートである。
【００５１】
図において、１はホトダイオードであり、点線で囲った部分は、本発明の特徴となるノイズ信号保持手段であり、ノイズ信号を保持するための容量ＣM ５と、ＭＯＳトランジスタ・スイッチ４、１６、１７と、ＭＯＳトランジスタのソースフォロア回路６，６’とから構成されている。また、光信号蓄積用容量ＣTS１０及びノイズ信号蓄積用容量ＣTN９を有している。
【００５２】
以下、タイミングチャートを参照しながら、本実施形態の動作及び構成を説明する。
【００５３】
まず、不図示のスタートパルスＳＰが入力されると、最初に、駆動パルスφＣＲがＯＮされて光信号蓄積用の容量ＣTS１０、及びノイズ信号蓄積用の容量ＣTN９がリセットされる。
【００５４】
続いて、駆動パルスφＴ２をＯＮし、このＯＮ期間中に駆動パルスφＴＮをＯＮし、ノイズ信号を容量ＣTN９に入力する。
【００５５】
次に、駆動パルスφＲ２をＯＮして、ソースフォロア６，６’をリセットする。
【００５６】
次に、駆動パルスφＴ１をＯＮして、光信号を容量ＣM ５に入力する。
【００５７】
続いて、駆動パルスφＴ２をＯＮし、このＯＮ期間中に駆動パルスφＴＳをＯＮし、光信号を容量ＣTS１０に入力する。
【００５８】
その後、駆動パルスφＲ１及び駆動パルスφＲ２をＯＮしてセンサリセット及びソースフォロアリセットを行ない、続いて駆動パルスφＴ１をＯＮし、センサリセット直後の信号を、ノイズ信号として容量ＣM ５に読み出し、センサは、蓄積動作を開始する。
【００５９】
そして、センサが蓄積を行なうのと同時に、容量ＣTS１０、容量ＣTN９に保持された光信号、及びノイズ信号は、順次、共通出力線に出力され、最終的には、光信号とノイズ信号が、不図示の差分回路により差分され、正味の光信号として出力されることになる。
【００６０】
従って、本発明においても、センサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、容量ＣM ５に保持され、光信号を読み出す前に容量ＣTN９に入力される。従って、同一のセンサリセットに対するノイズ信号と、光信号の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
［第４の実施形態］
図４は、本発明の第４の実施形態を示す回路図であり、図５は、そのタイミングチャートである。本実施形態では、前述した本発明の光電変換素子の複数個を２次元状に配列して、水平シフトレジスタＨ．Ｓ．Ｒ．及び垂直シフトレジスタＶ．Ｓ．Ｒ．を接続した画像読取装置を示すものである。
【００６１】
図に示すように、各画素は、光電変換手段としてのホトダイオードと、ノイズ信号保持手段として、ＭＯＳトランジスタスイッチ４３とソースフォロアとされたＭＯＳトランジスタ４４とを持ち、ＭＯＳトランジスタ４４のゲート容量を前述したノイズ保持用容量として用いている。
【００６２】
また、複数個の画素に対して１個ずつの前述した光信号蓄積用容量ＣTS及びノイズ信号蓄積用容量ＣTNが接続されている。
【００６３】
以下、タイミングチャートを参照しながら、本実施形態の動作及び構成を説明する。
【００６４】
まず、不図示のスタートパルスＳＰが入力されると、最初に、光信号、及びノイズ信号蓄積用の容量ＣTS及び容量ＣTNがリセットされる。
【００６５】
続いて、駆動パルスφＴＮをＯＮし、ノイズ信号をＭＯＳトランジスタ４４のゲート容量から容量ＣTNに読み出し、更に駆動パルスφＴＳをＯＮして容量ＣTSに光信号を読み出す。
【００６６】
その後、駆動パルスφＲをＯＮしてセンサリセットを行ない、続いて駆動パルスφＴ１をＯＮし、センサリセット直後の信号を、ＭＯＳトランジスタ４２のソースフォロアを介してＭＯＳトランジスタ４４のゲート容量に読み出し、センサは、蓄積を開始する。
【００６７】
そして、センサが蓄積を行なうのと同時に、容量ＣTS、容量ＣTNに保持された光信号、及びノイズ信号は、順次、共通出力線に出力され、最終的には、光信号とノイズ信号が、不図示の差分回路により差分され、正味の光信号として出力されることになる。
【００６８】
従って、本発明においては、センサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、ＭＯＳトランジスタ４４のゲート容量に保持され、光信号を読み出す前に容量ＣTNに入力される。従って、同一のセンサリセットに対するノイズ信号と、光信号の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
【００６９】
また、本実施例のようなエリアセンサ等においては、開口率を向上させる為に、ホトダイオード４０として、例えば、アモルファスシリコンのような光導電膜を半導体基板上に積層して用いても良い。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ノイズの保持手段を持ったことにより、１回目のセンサリセット時に発生したノイズを保持した後、そのまま、光信号の蓄積動作と読み出し動作を行ない、１回目のリセットにおけるノイズと光信号の差分をとることができるため、センサリセットノイズの完全な除去ができる。
【００７１】
すなわち、本発明においては、センサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、ノイズ信号保持手段に保持され、光信号を読み出す前に容量ＣTNに入力される。従って、センサリセットに対するノイズ信号と、光信号の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の回路図及びその動作を示すタイミングチャートである。
【図２】本発明の第２の実施形態の回路図及びその動作を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の第３の実施形態の回路図及びその動作を示すタイミングチャートである。
【図４】本発明の第４実施形態の回路図である。
【図５】本発明の第４実施形態の回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】従来例１の回路図及びその動作を示すタイミングチャートである。
【図７】従来例２の回路図である。
【図８】従来例２の回路図である。
【符号の説明】
１ 光センサ（ホトダイオード）
１’ 光センサ（バイポーラトランジスタ）
２，３，３’，４，６，６’，７，８，１１，１２ ＭＯＳトランジスタ
５ ノイズ信号保持用容量ＣM
９ ノイズ信号蓄積用容量ＣTN
１０ 光信号蓄積用容量ＣTS
１３ シフトレジスタ
１４，１４’ バッファアンプ
１５ 差動アンプ
１６，１６’ 共通出力線
４０ ホトダイオード
４２，４３，４４，４５，４６ ＭＯＳトランジスタ
１０１ ホトダイオード
１０３ リセットスイッチ
１０４ 画素アンプ
１０５ 垂直ゲート線
１０６ リセット線
１０７ ドレイン線
１０９，１１０ ゲートスイッチ
１１１，１１２ 蓄積容量
１１３，１１４ 水平ゲートスイッチ
１１６ ゲート線
１１７ ゲート線
１２０ 水平信号線
１２２ 水平レジスタ
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換装置に関し、例えばファクシミリ、デジタル複写機あるいはＸ線撮像装置等の読み取りを行う一次元及び二次元の光電変換装置に関し、特に光センサのリセット動作に起因するランダムノイズの除去に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ファクシミリ、デジタル複写機等の画像読取系や、ビデオカメラ、ディジタルカメラ等の撮像デバイスとして、主にＣＣＤが用いられてきたが、近年、ＭＯＳトランジスタやバイポーラトランジスタの増幅機能を画素単位で有する、いわゆる増幅型の光電変換装置の開発も盛んに行なわれている。
【０００３】
増幅型光電変換装置において、高感度化を実現する為には、ノイズの除去が重要となるが、このノイズ除去に関して、従来、いくつかの提案が為されている。
［従来例１］
図６は、バイポーラトランジスタを光センサとして各画素に有する１次元の光電変換装置の回路図、及びそのタイミングチャートである（テレビジョン学会誌 Vol.47,No.9(1993)pp.1180より) 。
【０００４】
この光電変換装置の動作を以下に説明する。スタートパルス（ＳＰ）が入力されると、蓄積容量ＣTS，ＣTNがリセットされ、続いてセンサノイズを含む光信号をＣTSに転送する。
【０００５】
その後、光センサのリセット動作を行ない、そのセンサノイズを含む暗時の出力をＣTNに転送する。再びセンサをリセットして蓄積動作に入る。それと同時に１チップ目のシフトレジスタが走査を開始し、ＣTS，ＣTNのデータをそれぞれ１チップ目の共通出力線であるＣHS，ＣHNに容量分割にて出力する。出力された信号は、それぞれボルテージフォロワを介して差動アンプに入力され、ＩＣの出力としてセンサノイズのない信号が得られる。
【０００６】
なお、ここでいうセンサリセットノイズとは、各画素の光センサとなるバイポーラトランジスタのｈFEや、ベース／コレクタ間容量Ｃbcのバラツキに起因するＦＰＮ（Fixed Pattern noise)を指す。すなわち、ｈFEやＣbcのバラツキにより、φＥＲＳによるエミッタリセット後のエミッタ電位が、画素ごとにばらつく為、それが通常の読み出しにおいては、オフセットとして現われるが、この方式により、そのオフセットが除去できるため、ＦＰＮが低減できる。
【０００７】
［従来例２］
また、他の従来例として、特開平１−１５４６７８号公報には、図７及び図８に示すような固体撮像装置が提案されている。
【０００８】
同図において、入射光によって生じ、各ホトダイオード１０１に蓄積された信号電荷の出力は、次の手順で行われる。装置の出力の水平帰線期間の始めに、次ぎに読み出すべき水平方向一列のホトダイオード１０１が選択されると、その一列に対応したリセット線１０６がオン、オフし、リセットスイッチ１０３によるリセットを行った後、次いでドレイン線１０７がオンすると、この一列の各画素アンプ１０４はソースフォロアのドライバトランジスタとして動作する。このときの各ソースフォロアの出力は、信号電荷の無い場合のアンプ出力であり、ゲート線１１６がオン、オフすることによって、この出力電圧はゲートスイッチ１０９を介して蓄積容量１１１へと記憶される。
【０００９】
次いで、この水平方向一列に対応した垂直ゲート線１０５がオン、オフし、信号電荷が各画素アンプ１０４のゲートに加わると、各ソースフォロアの出力は、信号電荷の量に対応した値をとる。ここでゲート線１１７をオン、オフすることによってこの出力電圧はここでゲートスイッチ１１０を介して蓄積容量１１２へと記憶される。
【００１０】
水平帰線期間内の動作は以上であり、水平走査出力期間内には、水平レジスタ１２２が各画素に対応する水平ゲートスイッチ１１３、１１４を順次開閉走査することにより、蓄積容量１１１、１１２に蓄えられていたソースフォロア出力電荷は水平信号線１２０より順次出力される。
【００１１】
蓄積容量１１１、１１２に蓄えられていた出力電荷は、１個の画素アンプ１０４についての、リセット時と信号電荷入力時の両者の場合の出力を時間的に連続して得たものであり、さらにこれら両出力の差分をとることにより、複数のソースフォロアの入力オフセットばらつきに起因する雑音、及びソースフォロアの１／ｆ雑音を容易に抑圧することができる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した従来例では、光電変換手段のリセット時に生ずるリセットノイズを除去することができないという解決すべき課題があった。
【００１３】
このリセットノイズとは、光センサをリセットする度にリセットされた電位がゆらぐもので、ランダムノイズとして現われる。
【００１４】
例えば、ｐｎ接合を有するホトダイオードにおいて、光生成キャリアＱPをホトダイオード部の容量ＣPDに蓄積し、電圧に変換する場合、光生成キャリアによる光信号電圧ＶPは、
ＶP ＝ＱP ／ＣPD ・・・・・（１）
となる。一方リセットノイズＶNは、
ＶN ＝√（ｋＴ／ＣPD） ・・・・・（２）
（ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：温度（ｋ））
となる為、Ｓ／Ｎ比は、
ＶP ／ＶN ＝Ｑ P ・√（１／（ｋＴＣPD）） ・・・・・（３）となる。
【００１５】
従って、（３）式より、Ｓ／Ｎ比を上げる為には、光センサの蓄積容量ＣPDをできるだけ小さくすることが望ましいが、現実的には限界がある。一方、光電変換装置の高精細化、高速化に伴い、信号電荷ＱP は、減少する方向になる為、このリセットノイズを除去することは、光電変換装置の高Ｓ／Ｎ化の重要なポイントとなる。
【００１６】
しかしながら、従来例１において、図６のタイミングチャートに示されるように、センサリセットを２回行なっており、読み出される光信号とノイズ信号は、異なるセンサリセットによるものとなっている。即ち、２回目のセンサリセット後に蓄積動作と光信号読み出し動作を行ない、この２回目のセンサリセット時に発生したセンサノイズＮ’を含む読み出し信号Ｓ＋Ｎ’から、１回目のセンサリセットで発生したセンサノイズＮを差し引くことで、センサノイズを除去しようとするため、センサリセットノイズの√２倍のランダムノイズが発生することになる。
【００１７】
また、従来例２においても、リセットスイッチ１０３によるリセット時にはゲートスイッチ１０９は閉じている状態で行なうため、ホトダイオード１０１のリセットと、リセットスイッチ１０３によるリセットは、異なるリセット動作になるため、従来例１と同様にリセットに起因するランダムノイズは、完全に除去できない。
【００１８】
また従来例２において、ゲートスイッチ１０９を設けない例も開示されているが、この場合も同様にセンサリセットに起因するランダムノイズが発生してしまうという問題があるということが開示されている。
【００１９】
すなわち、従来技術において、ＦＰＮの改善は可能となったが、いぜんとして光センサのリセット動作に起因するランダムノイズに対しては、改善されていない。
【００２０】
［発明の目的］
本発明の目的は、光信号蓄積と信号出力を同時に行なう１次元又は２次元の光電変換装置において、センサ部のリセット動作に起因するランダムノイズを低減することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置は、各々が、光電変換領域と、前記光電変換領域によって得られた信号に基づく増幅信号を生成する増幅用トランジスタとを有し、前記光電変換領域と前記増幅用トランジスタの入力部とが電気的に接続された第１、第２の光電変換手段と、前記第１の光電変換領域及び前記第１の増幅用トランジスタの入力部、そして、前記第２の光電変換領域及び前記第２の増幅用トランジスタの入力部、をそれぞれリセットする第１、第２のリセット手段と、前記第１のリセット手段により前記第１の光電変換手段をリセットすることにより前記第１の増幅用トランジスタの出力に生じる第１のノイズ信号を一時保持する第１の信号保持手段と、前記第２のリセット手段により前記第２の光電変換手段をリセットすることにより前記第２の増幅用トランジスタの出力に生じる第２のノイズ信号を一時保持する第２の信号保持手段と、光信号蓄積後に前記第１の光電変換手段から前記第１のノイズ信号を含む第１の光信号を前記第１の信号保持手段に読み出す前に、前記第１の信号保持手段に一時保持されている前記第１のノイズ信号を前記第１の信号保持手段から読み出し保持する第１のノイズ信号蓄積用容量と、光信号蓄積後に前記第２の光電変換手段から前記第２のノイズ信号を含む第２の光信号を前記第２の信号保持手段に読み出す前に、前記第２の信号保持手段に一時保持されている前記第２のノイズ信号を前記第２の信号保持手段から読み出し保持する第２のノイズ信号蓄積用容量と、光信号蓄積後に前記第１の光電変換手段から前記第１の信号保持手段に読み出し保持された前記第１の光信号を前記第１の信号保持手段から読み出し保持する第１の光信号蓄積用容量と、光信号蓄積後に前記第２の光電変換手段から前記第２の信号保持手段に読み出し保持された前記第２の光信号を前記第２の信号保持手段から読み出し保持する第２の光信号蓄積用容量と、前記第１及び第２のノイズ信号蓄積用容量にそれぞれ保持された前記第１及び第２のノイズ信号が共通のノイズ信号出力線を介して出力され、前記第１及び第２の光信号蓄積用容量にそれぞれ保持された前記第１及び第２の光信号が共通の光信号出力線を介して出力され、且つ、前記第１のノイズ信号蓄積用容量、及び第１の光信号蓄積用容量に保持されている信号が前記ノイズ信号出力線、及び前記光信号出力線にそれぞれ出力された後に、前記第２のノイズ信号蓄積用容量、及び第２の光信号蓄積用容量に保持されている信号が前記ノイズ信号出力線、及び前記光信号出力線にそれぞれ出力される共通出力部と、前記共通出力部から出力された前記第１のノイズ信号、及び前記第２のノイズ信号を用いて、前記共通出力部から出力された前記第１の光信号、及び前記第２の光信号に含まれるノイズ成分をそれぞれ除去するノイズ除去手段とを有し、前記第１、第２の光電変換手段から前記第１、第２の光信号を、それぞれ前記第１、第２の信号保持手段を介して前記第１、第２の光信号蓄積用容量にそれぞれ読み出した後、前記第１の光電変換手段を前記第１のリセット手段により再度リセットすることにより前記第１の増幅用トランジスタの出力に生じる第３のノイズ信号を前記第１の信号保持手段に保持し、前記第２の光電変換手段を前記第２のリセット手段により再度リセットすることにより前記第２の増幅用トランジスタの出力に生じる第４のノイズ信号を前記第２の信号保持手段に保持することを特徴とする。
【００２３】
［作用］
本発明によれば、ノイズの保持手段を設けることにより、センサリセット時に発生したノイズを保持した後、そのまま、光信号の蓄積動作と読み出し動作を行ない、同一のセンサリセットにおけるノイズと光信号の差分をとることができるため、センサリセット時に生ずるランダムノイズの完全な除去が可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２５】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光電変換装置の回路図及びそのタイミングチャートである。
【００２６】
本実施形態の光電変換装置は、図に示すように、光電変換手段となるホトダイオード１と、ＭＯＳトランジスタ３，３’と、該光電変換手段のリセット手段となるＭＯＳスイッチ２と、
上記光電変換手段のリセット時のノイズ信号を保持するノイズ信号保持手段となるＭＯＳトランジスタ４，６，６’と容量（ＣM ）５と、
同一の上記リセット後に上記光電変換手段が蓄積した信号から上記保持しておいたノイズ信号を用いてノイズを除去するノイズ信号除去手段（７〜１６）と、を有することを特徴とする光電変換装置である。
【００２７】
また、上記リセット直後のノイズ信号電荷を読み出すノイズ信号読み出し手段としてのＭＯＳスイッチ７，容量（ＣTN）９と、
光信号蓄積後の光信号電荷を読み出す光信号読み出し手段としてのＭＯＳスイッチ８，容量（ＣTS）１０と、
上記ノイズ信号読み出し手段のノイズ信号と上記光信号読み出し手段の光信号を順次走査する走査手段となるシフトレジスタ１３と、
上記走査手段により、上記ノイズ信号読み出し手段（７，９）、及び光信号読み出し手段（８，１０）から、信号を読み出すと同時に、上記光電変換手段で光信号蓄積を行なう光電変換装置において、
上記リセット直後のノイズ信号を、前記同一のリセット後蓄積された上記光信号を上記光信号読み出し手段（８，１０）に読み出す前まで保持するノイズ信号保持手段（４，５，６，６’）と、
上記保持しておいたリセット直後のノイズ信号と、上記同一のリセット後の上記光信号との差分を出力する手段となるバッファアンプ１４，１４’，及び差動アンプ１５と、
を有することを特徴とする光電変換装置である。
【００２８】
ここで、ＭＯＳトランジスタ６，６’、及び３，３’は、各々ＭＯＳソースフォロアを形成している。
【００２９】
また、バッファアンプ１４，１４’の入力１６，１６’が共通出力線であり、バッファアンプ１４，１４’及び差動アンプ１５以外は、ビット分有することになる。
【００３０】
また、本実施形態においては、図に示す部分を全て、同一半導体基板上に形成している。
【００３１】
以下、タイミングチャートを参照しながら、本実施形態の動作及び構成を説明する。
【００３２】
まず、スタートパルスＳＰが入力されると、最初に、光信号、及びノイズ信号蓄積用の容量ＣTS１０及びＣTN９がリセットされる。
【００３３】
続いて、駆動パルスφＴＮをＯＮし、容量ＣM ５に保持されていたノイズ信号を容量ＣTN９に読み出す。この時、容量ＣM ５から読み出されるノイズ信号は、前のフィールドにおいて、センサがリセットされた直後のノイズ信号である。容量ＣTN９にノイズ信号が読み出された後、駆動パルスφＴ１をＯＮし、光信号を容量ＣM ５に読み出し、更に駆動パルスφＴＳをＯＮして容量ＣTS１０に光信号を読み出す。
【００３４】
その後、駆動パルスφＲをＯＮしてセンサリセットを行ない、続いて駆動パルスφＴ１をＯＮし、センサリセット直後の信号を、ノイズ信号として容量ＣM ５に読み出し、センサは、蓄積を開始する。
【００３５】
そして、センサが蓄積を行なうのと同時に、容量ＣTS１０、容量ＣTN９に保持された光信号、及びノイズ信号は、順次、共通出力線に出力され、最終的には、光信号とノイズ信号が、不図示の差分回路等により差分され、正味の光信号として出力されることになる。
【００３６】
従って、本発明においては、タイミングチャート中に示す▲１▼のセンサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、容量ＣM ５に保持され（Ａ）、光信号を読み出す前に容量ＣTN９に入力される（Ａ’）。従って、▲１▼の同一のセンサリセットに対するノイズ信号（Ａ’）と、光信号（Ｂ’）の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
【００３７】
また、ノイズ除去手段としては、上述した実施形態に限定されることはなく、例えば、クランプ回路等を用いることも可能である。
【００３８】
また、特願６１−２１９６６６号に開示されているように、差分回路としては、センサ信号を保持する回路と基準信号を保持する回路と、それらの差信号を出力する差動アンプを用いることもできる。
［第２の実施形態］
図２は、本発明の第２の実施形態を示す回路図及びタイミングチャートである。
【００３９】
本実施形態では、バイポーラトランジスタ１’による光電変換手段を用いた点が、第１の実施形態とは異なる。本実施形態でも、点線で囲った部分がノイズ信号保持手段となり、その構成は第１の実施形態と同じである。
【００４０】
以下、タイミングチャートに沿って、動作を説明する。
【００４１】
不図示のスタートパルスが入力されると、まず、駆動パルスφＣＲがＯＮし、光信号蓄積用容量ＣTS１０及びノイズ信号蓄積用容量ＣTN９がリセットされる。
【００４２】
次に、駆動パルスφＴＮをＯＮしてノイズ信号を容量ＣTN９に読み出す。
【００４３】
次に、駆動パルスφＴ１をＯＮして光信号を容量ＣM ５に読み出す。
【００４４】
次に、駆動パルスφＴＳをＯＮして光信号を容量ＣTS１０に読み出す。
【００４５】
次に、駆動パルスφＢＲＳをＯＮして、バイポーラトランジスタ１’のベースをＶBBにクランプリセットし、更に、駆動パルスφＥＲＳをＯＮすることで、センサリセットを行なう。
【００４６】
次に、駆動パルスφＴ１をＯＮして、センサリセット時に発生したノイズ信号を容量ＣM ５に入力する。その後、センサの蓄積動作を行なう。
【００４７】
そして、センサが蓄積を行なうのと同時に、容量ＣTS１０、容量ＣTN９に保持された光信号、及びノイズ信号は、順次、共通出力線に出力され、最終的には、光信号とノイズ信号が、差分回路１５により差分され、正味の光信号として出力されることになる。
【００４８】
従って、本発明においても、センサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、容量ＣM ５に保持され、光信号を読み出す前に容量ＣTN９に入力される。従って、同一のセンサリセットに対するノイズ信号と、光信号の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
【００４９】
なお、ノイズ保持用の容量ＣM ５は、無くても良く、その場合は、配線や素子の寄生容量を容量ＣM ５の代わりとして利用することができる。
【００５０】
また、本実施形態においては、差動アンプ１５以外を、同一半導体基板に形成している。
［第３の実施形態］
図３は、本発明の第３の実施形態に係る光電変換装置の回路図及びそのタイミングチャートである。
【００５１】
図において、１はホトダイオードであり、点線で囲った部分は、本発明の特徴となるノイズ信号保持手段であり、ノイズ信号を保持するための容量ＣM ５と、ＭＯＳトランジスタ・スイッチ４、１６、１７と、ＭＯＳトランジスタのソースフォロア回路６，６’とから構成されている。また、光信号蓄積用容量ＣTS１０及びノイズ信号蓄積用容量ＣTN９を有している。
【００５２】
以下、タイミングチャートを参照しながら、本実施形態の動作及び構成を説明する。
【００５３】
まず、不図示のスタートパルスＳＰが入力されると、最初に、駆動パルスφＣＲがＯＮされて光信号蓄積用の容量ＣTS１０、及びノイズ信号蓄積用の容量ＣTN９がリセットされる。
【００５４】
続いて、駆動パルスφＴ２をＯＮし、このＯＮ期間中に駆動パルスφＴＮをＯＮし、ノイズ信号を容量ＣTN９に入力する。
【００５５】
次に、駆動パルスφＲ２をＯＮして、ソースフォロア６，６’をリセットする。
【００５６】
次に、駆動パルスφＴ１をＯＮして、光信号を容量ＣM ５に入力する。
【００５７】
続いて、駆動パルスφＴ２をＯＮし、このＯＮ期間中に駆動パルスφＴＳをＯＮし、光信号を容量ＣTS１０に入力する。
【００５８】
その後、駆動パルスφＲ１及び駆動パルスφＲ２をＯＮしてセンサリセット及びソースフォロアリセットを行ない、続いて駆動パルスφＴ１をＯＮし、センサリセット直後の信号を、ノイズ信号として容量ＣM ５に読み出し、センサは、蓄積動作を開始する。
【００５９】
そして、センサが蓄積を行なうのと同時に、容量ＣTS１０、容量ＣTN９に保持された光信号、及びノイズ信号は、順次、共通出力線に出力され、最終的には、光信号とノイズ信号が、不図示の差分回路により差分され、正味の光信号として出力されることになる。
【００６０】
従って、本発明においても、センサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、容量ＣM ５に保持され、光信号を読み出す前に容量ＣTN９に入力される。従って、同一のセンサリセットに対するノイズ信号と、光信号の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
［第４の実施形態］
図４は、本発明の第４の実施形態を示す回路図であり、図５は、そのタイミングチャートである。本実施形態では、前述した本発明の光電変換素子の複数個を２次元状に配列して、水平シフトレジスタＨ．Ｓ．Ｒ．及び垂直シフトレジスタＶ．Ｓ．Ｒ．を接続した画像読取装置を示すものである。
【００６１】
図に示すように、各画素は、光電変換手段としてのホトダイオードと、ノイズ信号保持手段として、ＭＯＳトランジスタスイッチ４３とソースフォロアとされたＭＯＳトランジスタ４４とを持ち、ＭＯＳトランジスタ４４のゲート容量を前述したノイズ保持用容量として用いている。
【００６２】
また、複数個の画素に対して１個ずつの前述した光信号蓄積用容量ＣTS及びノイズ信号蓄積用容量ＣTNが接続されている。
【００６３】
以下、タイミングチャートを参照しながら、本実施形態の動作及び構成を説明する。
【００６４】
まず、不図示のスタートパルスＳＰが入力されると、最初に、光信号、及びノイズ信号蓄積用の容量ＣTS及び容量ＣTNがリセットされる。
【００６５】
続いて、駆動パルスφＴＮをＯＮし、ノイズ信号をＭＯＳトランジスタ４４のゲート容量から容量ＣTNに読み出し、更に駆動パルスφＴＳをＯＮして容量ＣTSに光信号を読み出す。
【００６６】
その後、駆動パルスφＲをＯＮしてセンサリセットを行ない、続いて駆動パルスφＴ１をＯＮし、センサリセット直後の信号を、ＭＯＳトランジスタ４２のソースフォロアを介してＭＯＳトランジスタ４４のゲート容量に読み出し、センサは、蓄積を開始する。
【００６７】
そして、センサが蓄積を行なうのと同時に、容量ＣTS、容量ＣTNに保持された光信号、及びノイズ信号は、順次、共通出力線に出力され、最終的には、光信号とノイズ信号が、不図示の差分回路により差分され、正味の光信号として出力されることになる。
【００６８】
従って、本発明においては、センサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、ＭＯＳトランジスタ４４のゲート容量に保持され、光信号を読み出す前に容量ＣTNに入力される。従って、同一のセンサリセットに対するノイズ信号と、光信号の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
【００６９】
また、本実施例のようなエリアセンサ等においては、開口率を向上させる為に、ホトダイオード４０として、例えば、アモルファスシリコンのような光導電膜を半導体基板上に積層して用いても良い。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ノイズの保持手段を持ったことにより、１回目のセンサリセット時に発生したノイズを保持した後、そのまま、光信号の蓄積動作と読み出し動作を行ない、１回目のリセットにおけるノイズと光信号の差分をとることができるため、センサリセットノイズの完全な除去ができる。
【００７１】
すなわち、本発明においては、センサリセットに対するノイズ信号は、蓄積期間中、ノイズ信号保持手段に保持され、光信号を読み出す前に容量ＣTNに入力される。従って、センサリセットに対するノイズ信号と、光信号の差分を正味の光信号として出力することができるため、センサリセットノイズを完全に除去することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の回路図及びその動作を示すタイミングチャートである。
【図２】本発明の第２の実施形態の回路図及びその動作を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の第３の実施形態の回路図及びその動作を示すタイミングチャートである。
【図４】本発明の第４実施形態の回路図である。
【図５】本発明の第４実施形態の回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】従来例１の回路図及びその動作を示すタイミングチャートである。
【図７】従来例２の回路図である。
【図８】従来例２の回路図である。
【符号の説明】
１ 光センサ（ホトダイオード）
１’ 光センサ（バイポーラトランジスタ）
２，３，３’，４，６，６’，７，８，１１，１２ ＭＯＳトランジスタ
５ ノイズ信号保持用容量ＣM
９ ノイズ信号蓄積用容量ＣTN
１０ 光信号蓄積用容量ＣTS
１３ シフトレジスタ
１４，１４’ バッファアンプ
１５ 差動アンプ
１６，１６’ 共通出力線
４０ ホトダイオード
４２，４３，４４，４５，４６ ＭＯＳトランジスタ
１０１ ホトダイオード
１０３ リセットスイッチ
１０４ 画素アンプ
１０５ 垂直ゲート線
１０６ リセット線
１０７ ドレイン線
１０９，１１０ ゲートスイッチ
１１１，１１２ 蓄積容量
１１３，１１４ 水平ゲートスイッチ
１１６ ゲート線
１１７ ゲート線
１２０ 水平信号線
１２２ 水平レジスタ
Claims (5)
- 各々が、光電変換領域と、前記光電変換領域によって得られた信号に基づく増幅信号を生成する増幅用トランジスタとを有し、前記光電変換領域と前記増幅用トランジスタの入力部とが電気的に接続された第１、第２の光電変換手段と、
前記第１の光電変換領域及び前記第１の増幅用トランジスタの入力部、そして、前記第２の光電変換領域及び前記第２の増幅用トランジスタの入力部、をそれぞれリセットする第１、第２のリセット手段と、
前記第１のリセット手段により前記第１の光電変換手段をリセットすることにより前記第１の増幅用トランジスタの出力に生じる第１のノイズ信号を一時保持する第１の信号保持手段と、
前記第２のリセット手段により前記第２の光電変換手段をリセットすることにより前記第２の増幅用トランジスタの出力に生じる第２のノイズ信号を一時保持する第２の信号保持手段と、
光信号蓄積後に前記第１の光電変換手段から前記第１のノイズ信号を含む第１の光信号を前記第１の信号保持手段に読み出す前に、前記第１の信号保持手段に一時保持されている前記第１のノイズ信号を前記第１の信号保持手段から読み出し保持する第１のノイズ信号蓄積用容量と、
光信号蓄積後に前記第２の光電変換手段から前記第２のノイズ信号を含む第２の光信号を前記第２の信号保持手段に読み出す前に、前記第２の信号保持手段に一時保持されている前記第２のノイズ信号を前記第２の信号保持手段から読み出し保持する第２のノイズ信号蓄積用容量と、
光信号蓄積後に前記第１の光電変換手段から前記第１の信号保持手段に読み出し保持された前記第１の光信号を前記第１の信号保持手段から読み出し保持する第１の光信号蓄積用容量と、
光信号蓄積後に前記第２の光電変換手段から前記第２の信号保持手段に読み出し保持された前記第２の光信号を前記第２の信号保持手段から読み出し保持する第２の光信号蓄積用容量と、
前記第１及び第２のノイズ信号蓄積用容量にそれぞれ保持された前記第１及び第２のノイズ信号が共通のノイズ信号出力線を介して出力され、
前記第１及び第２の光信号蓄積用容量にそれぞれ保持された前記第１及び第２の光信号が共通の光信号出力線を介して出力され、
且つ、前記第１のノイズ信号蓄積用容量、及び第１の光信号蓄積用容量に保持されている信号が前記ノイズ信号出力線、及び前記光信号出力線にそれぞれ出力された後に、前記第２のノイズ信号蓄積用容量、及び第２の光信号蓄積用容量に保持されている信号が前記ノイズ信号出力線、及び前記光信号出力線にそれぞれ出力される共通出力部と、
前記共通出力部から出力された前記第１のノイズ信号、及び前記第２のノイズ信号を用いて、前記共通出力部から出力された前記第１の光信号、及び前記第２の光信号に含まれるノイズ成分をそれぞれ除去するノイズ除去手段とを有し、
前記第１、第２の光電変換手段から前記第１、第２の光信号を、それぞれ前記第１、第２の信号保持手段を介して前記第１、第２の光信号蓄積用容量にそれぞれ読み出した後、前記第１の光電変換手段を前記第１のリセット手段により再度リセットすることにより前記第１の増幅用トランジスタの出力に生じる第３のノイズ信号を前記第１の信号保持手段に保持し、
前記第２の光電変換手段を前記第２のリセット手段により再度リセットすることにより前記第２の増幅用トランジスタの出力に生じる第４のノイズ信号を前記第２の信号保持手段に保持することを特徴とする光電変換装置。 - 前記第１、第２の信号保持手段は、保持された信号を読み出すソースフォロワ回路を備えることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換領域は、ホトダイオードであって、前記増幅用トランジスタはＭＯＳトランジスタであり、ホトダイオードの一方の端子と、ＭＯＳトランジスタのゲートとが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換領域は、前記増幅用トランジスタの一部分であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
- 前記第１、第２の光電変換手段、前記第１、第２の信号保持手段が同一半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01033696A JP3774499B2 (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 光電変換装置 |
| US08/786,183 US6538693B1 (en) | 1996-01-24 | 1997-01-21 | Photoelectric conversion apparatus having reset noise holding and removing units |
| TW086100632A TW359057B (en) | 1996-01-24 | 1997-01-21 | Photoelectric converting apparatus |
| KR1019970001941A KR100206099B1 (ko) | 1996-01-24 | 1997-01-23 | 광전변환장치 |
| CN97102142A CN1097381C (zh) | 1996-01-24 | 1997-01-24 | 光电转换设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01033696A JP3774499B2 (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 光電変換装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006008660A Division JP4236271B2 (ja) | 2006-01-17 | 2006-01-17 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205588A JPH09205588A (ja) | 1997-08-05 |
| JP3774499B2 true JP3774499B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=11747364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01033696A Expired - Fee Related JP3774499B2 (ja) | 1996-01-24 | 1996-01-24 | 光電変換装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6538693B1 (ja) |
| JP (1) | JP3774499B2 (ja) |
| KR (1) | KR100206099B1 (ja) |
| CN (1) | CN1097381C (ja) |
| TW (1) | TW359057B (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307756A (ja) | 1998-02-20 | 1999-11-05 | Canon Inc | 光電変換装置および放射線読取装置 |
| US6963372B1 (en) * | 1998-04-24 | 2005-11-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing apparatus and method of operating the same |
| JPH11312822A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Seiko Instruments Inc | イメージセンサー |
| US6977684B1 (en) | 1998-04-30 | 2005-12-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus |
| JP3507336B2 (ja) | 1998-06-17 | 2004-03-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US6850278B1 (en) * | 1998-11-27 | 2005-02-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup apparatus |
| US6590242B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-07-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving element and photoelectric conversion device |
| US6878977B1 (en) | 1999-02-25 | 2005-04-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, and image sensor and image input system making use of the same |
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| JP3466953B2 (ja) | 1999-04-12 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | イメージセンサ |
| JP2000324406A (ja) | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Canon Inc | 光電変換装置及びそれを用いた画像読み取りシステム |
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| JP6586793B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2019-10-09 | 株式会社リコー | 光電変換装置及び画像生成装置 |
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| JP6960831B2 (ja) | 2017-11-17 | 2021-11-05 | エイブリック株式会社 | センサ装置 |
| JP6998741B2 (ja) | 2017-11-20 | 2022-01-18 | エイブリック株式会社 | センサ装置 |
Family Cites Families (63)
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| JPS5884568A (ja) | 1981-11-13 | 1983-05-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| FR2517864A1 (fr) | 1981-12-07 | 1983-06-10 | Telecommunications Sa | Dispositif d'enregistrement et de lecture d'images |
| JPS58111579A (ja) | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Hitachi Ltd | 固体撮像装置 |
| JPS5915167A (ja) | 1982-07-13 | 1984-01-26 | 丸五株式会社 | コンクリ−ト柱体用鉄筋篭の組立法 |
| JPS5923765A (ja) | 1982-07-30 | 1984-02-07 | 株式会社日立製作所 | 車両用腰掛 |
| JPS5986379A (ja) | 1982-11-08 | 1984-05-18 | Toshiba Corp | 光電変換装置 |
| JPS59108476A (ja) | 1982-12-14 | 1984-06-22 | Junichi Nishizawa | ２次元固体撮像装置及びその読出し方法 |
| JPS59144169A (ja) | 1983-02-07 | 1984-08-18 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPS6012762A (ja) | 1983-07-02 | 1985-01-23 | Tadahiro Omi | 光電変換装置 |
| JPS6012764A (ja) | 1983-07-02 | 1985-01-23 | Tadahiro Omi | 光電変換装置 |
| JPS6012763A (ja) | 1983-07-02 | 1985-01-23 | Tadahiro Omi | 光電変換装置 |
| JPS6012760A (ja) | 1983-07-02 | 1985-01-23 | Tadahiro Omi | 光電変換装置及び光電変換方法 |
| JPS6012759A (ja) | 1983-07-02 | 1985-01-23 | Tadahiro Omi | 光電変換装置及びその光電変換方法 |
| JPS6012761A (ja) | 1983-07-02 | 1985-01-23 | Tadahiro Omi | 光電変換装置 |
| JPS6012765A (ja) | 1983-07-02 | 1985-01-23 | Tadahiro Omi | 光電変換装置 |
| US4686554A (en) | 1983-07-02 | 1987-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converter |
| US4742392A (en) | 1983-08-04 | 1988-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Clamp circuit with feed back |
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-
1996
- 1996-01-24 JP JP01033696A patent/JP3774499B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-21 TW TW086100632A patent/TW359057B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-01-21 US US08/786,183 patent/US6538693B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-23 KR KR1019970001941A patent/KR100206099B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-01-24 CN CN97102142A patent/CN1097381C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100206099B1 (ko) | 1999-07-01 |
| CN1097381C (zh) | 2002-12-25 |
| CN1162888A (zh) | 1997-10-22 |
| TW359057B (en) | 1999-05-21 |
| JPH09205588A (ja) | 1997-08-05 |
| KR970059850A (ko) | 1997-08-12 |
| US6538693B1 (en) | 2003-03-25 |
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