KR20000048439A - 활성 화소 센서 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 행과 열로 배열되는 다수의 화소를 구비하는 활성 화소 센서(an active pixel sensor)관한 것으로, 다수의 화소는 순차적인 행의 순서로 활성 화소 센서로부터 판독되며, 각 화소는 광감지 원소(photodetecting element)로서 포토다이오드(a photodiode)를 구비한다. 현재 판독 중인 행은 그 행 내에서 리세트 트랜지스터 구성(a reset transistor configuration)에 의해 열 신호 버스(a column signal bus)에 기능적으로 접속되는 각각의 화소 내에 증폭기를 구비한다. 각각의 화소 내의 부동 확산부(a floating diffusion)는 현재 판독 중인 광감지기의 행을 위한 리세트 트랜지스터 상의 리세트 게이트가 판독 다음 화소 행의 드레인에 접속되도록 화소 내의 리세트 트랜지스터에 기능적으로 접속되어, 리세트 버스를 통한 선택 및 선택해제(deselect)를 가능하게 하는 구성을 이룬다. 특정한 행을 선택하는 동안, 그 행의 각각의 화소 내의 증폭기는 열 신호 버스에 기능적으로 접속되고, 나머지 행의 증폭기는 열 신호 버스로부터 선택해제되거나 선택되지 않는다.

Description

활성 화소 센서 및 그 제조 방법{PHOTODIODE ACTIVE PIXEL SENSOR WITH SHARED RESET SIGNAL ROW SELECT}
본 발명은 각각의 화소와 연관된 활성 회로 원소(active circuit elements)를 구비하는 활성 화소 센서(Active Pixel Sensors : APS)라 지칭하는 고체 상태 광센서(solid state photo-sensors) 및 이미져(imagers) 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토다이오드 형 광감지기 4 트랜지스터 화소(photodiode type photodetectors 4 transistor pixels) 및 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling : CDS)을 채용하는 고체 상태 이미져에 관한 것이다.
APS는 각각의 화소가 광감지 수단, 리세트 수단, 전하에서 전압으로의 변환 수단(a charge to voltage conversion means), 추가적으로 증폭기의 전부 또는 일부를 포함하는 전형적인 고체 상태 화소 원소를 포함하는 고체 상태 이미져이다. 에릭 포섬(Eric Fossum)이 1993년 7월 SPIE Vol. 1900-08-8194-1133에 게재한 "Active Pixel Sensors : Are CCD's Dinosaurs?"와 같은 종래 기술 문헌에서 논의한 바와 같이, 화소 내에 수집된 광전하(photocharge)는 화소 내의 대응하는 전압이나 전류로 변환된다. 에릭 포섬(Eric Fossum)이 1993년 7월 SPIE Vol. 1900-08-8194-1133에 게재한 "Active Pixel Sensors : Are CCD's Dinosaurs?" 및 알 에이치 닉슨(R. H. Nixon), 에스 이 케메니(S. E. Kemeny), 시 오 스톨러(C. O. Staller), 이 알 포섬(E. R. Fossum)이 SPIE vol. 2415, Charge-Coupled Devices and Solid-State Optical Sensors V, paper 34(1995)에 개재한 "128 × 128 CMOS Photodiode-type Active Pixel Sensor with On-chip Timing, Control and Signal Chain Electronics"에서 논의한 바와 같이, APS 소자는 이미져의 각각의 라인이나 행이 선택된 후 열 선택 신호를 이용하여 판독되는 방식으로 동작해 왔다. 활성 화소 센서 내에서 행과 열을 선택하는 것은 메모리 소자에서 워드(words)와 비트(bits)를 선택하는 것과 유사하다. 여기서, 한 행 전체를 선택하는 것은 한 워드를 선택하는 것과 유사하고, 활성 화소 센서의 한 열을 판독하는 것은 그 워드 내의 단일 비트를 선택하거나 인에이블시키는 것과 유사하다. 통상적인 종래 기술의 포토게이트 소자는 4 트랜지스터(4T) 설계를 채용하는 아키텍쳐를 교시하고 있는데, 여기서 4 트랜지스터는 전형적으로 포토게이트, 행 선택, 리세트, 소스 추종 증폭 트랜지스터(Source Follower Amplifier transistors)이다. 이러한 아키텍쳐는 용이하게 CDS를 수행하고 낮은 판독 노이즈를 제공하는 능력을 갖는 APS 소자를 생산한다는 장점을 갖지만, 이들 4T 화소는 충진율(low fill factor)이 낮다는 단점을 갖는다. 충진율은 광센서에 사용하는 화소 면적의 퍼센트 비율을 말한다. 이들 4 트랜지스터 및 연관된 컨택트 영역과 신호 버스가 각 화소 내에 위치하고, 컨택트 영역은 중복되는(overlap) 금속 층을 필요로 하기 때문에 전형적으로 많은 양의 화소 면적을 소비하므로, 광감지기(photodetector)에 사용될 면적을 차지하게 되어 화소에 대한 충진율이 감소한다. 화소의 전체 행을 가로지르는 금속 버스를 이용하여 이들 각각의 성분을 적절한 타이밍 신호에 접속시킨다. 이들 금속 버스는 광학적으로 불투명하며, 광감지기 영역을 화소 피치(pitch)에 맞추기(fit) 위해 광감지기 영역을 막을(occlude) 수 있다. 이 또한 화소의 충진율을 감소시킨다. 충진율이 감소하면 센서의 감도(sensitivity)와 포화 신호(saturation signal)가 감소한다. 이는 우수한 화질을 얻는 데 있어서 필수적인 촬영 속도(photographic speed), 센서의 동적 범위, 성능 척도에 나쁜 영향을 미친다.
3 트랜지스터(3T) 기반 화소를 채용하는 종래 기술의 소자는 4 T 화소보다 높은 충진율을 갖지만, 이들 3T 화소는 CDS를 용이하게 수행할 수 없다. 3 트랜지스터 기반 화소를 채용하여 CDS를 수행하는 센서는 전형적으로 센서 상의 각 화소에 대한 리세트 레벨을 포함하는 화상 프레임을 먼저 판독하고 저장한다. 다음에는 신호 프레임을 포착하고 판독한다. 이어서, 각 화소에서 메모리에 저장된 리세트 레벨 프레임을 신호 프레임으로부터 감산하여 집적(integration) 이전에 화소 리세트 레벨로 참조되는 화소 신호 레벨을 제공해야 한다. 이는 촬상 시스템 내에 여분의 메모리 프레임을 필요로 하고 디지털 신호 처리 사슬에서 여분의 단계를 필요로 하여, 시스템의 속도, 크기, 비용에 나쁜 영향을 미친다.
전형적인 종래 기술의 포토다이오드 APS 화소를 도 1에 도시하고 있다. 도 1의 화소는 포토다이오드(a photodiode : PD)와 전달 트랜지스터(transfer transistor : TG), 부동 확산부(floating diffusion : FD), 리세트 게이트(a reset gate : RG)를 구비하는 리세트 트랜지스터, 행 선택 게이트(a row select gate : RSG)를 구비하는 행 선택 트랜지스터, 소스 팔로워 입력 신호 트랜지스터(a source follower input signal transistor : SIG), 행 선택 신호 버스(a row select signal buss : RSSB), 리세트 게이트 신호 버스(a reset gate signal buss : RGSB), 전달 게이트 신호 버스(a transfer gate signal buss : TGSB)를 포함하는 종래 기술의 4 트랜지스터 화소이다. 인접하는 두 개의 화소 각각은 RG, TG, RSG를 위해 동일한 별개의 트랜지스터와 행 제어 신호를 포함하는 것으로 도시되어 있다. 전술한 바와 같이, 이들 4 트랜지스터 화소는 화소 당 여분의 트랜지스터를 포함하고 CDS를 이용함으로써 판독 노이즈가 낮다. 그러나, 4 번째 트랜지스터를 구현하는 데 필요한 면적으로 인해 3 트랜지스터 화소에 비해 화소의 충진율이 감소한다.
따라서, 화상 데이터의 전체 프레임을 포착하고 저장할 필요 없이 보다 높은 충진율과 CDS를 수행하는 능력을 갖는 대체적인 화소 아키텍쳐를 제공할 필요가 있음은 명백하다.
본 발명은 상관 이중 샘플링(Correlated Double Sampling : CDS)을 수행할 수 있는 고충진율 포토게이트 활성 화소 아키텍쳐(a high fill factor Photogate Active Pixel Architecture)를 제공한다. 별도의 행 선택 트랜지스터(row select transistor) 없이도 4 트랜지스터 화소(4 transistor pixel)의 기능성(functionality)이 유지된다. 이는 한 행 내의 RG 제어 신호를 인접 행의 행 선택 수단과 공유함으로써 이루어진다.
본 발명은 3 트랜지스터만을 사용하여 진정 상관 이중 샘플링(true CDS)을 통해 포토게이트 활성 화소 센서를 제공하여 보다 높은 충진율을 달성한다. 이로 인해 보다 높은 충진율과 보다 낮은 시간적 노이즈(temporal noise)를 갖게 된다. 단점은 발견되지 않는다.
도 1은 4 트랜지스터 포토다이오드 활성 화소 센서 화소(a four transistor Photodiode Active Pixel Sensor pixel)를 위한 종래 기술의 아키텍쳐에서 두 개의 인접하는 화소의 개략도,
도 2는 활성 화소 센서를 위한 신규한 포토다이오드 화소 아키텍쳐에서 두 개의 인접하는 화소의 개략도,
도 3은 도 2에 도시한 화소의 동작을 설명하는 타이밍 도,
도 4는 도 2에 도시한 화소 배치의 평면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 화소 12 : 포토다이오드
14 : 리세트 트랜지스터 15 : 리세트 게이트
18 : 리세트 드레인 21 : 소스 팔로워 트랜지스터
23 : 전달 게이트 25 : 부동 확산부
26 : 전달 게이트 신호 버스 32 : 차동 증폭기
도 2는 본 발명에 의해 구현되는 활성 화소 센서(APS)를 위한 3 트랜지스터 포토게이트 화소 아키텍쳐를 개략적으로 도시하고 있다. 도 2에 도시한 실시예는 발명자에게 알려진 최선 모드를 구현하고 있다. 아래에서 더 논의될 바와 같이, 도 2에서 도시한 실시예의 명백한 변형인 다른 물리적인 실시예도 구현가능하다. 도 2에 도시한 화소(10)는 다수의 행과 열을 갖는 화소 어레이 내의 단일 화소이다. 도 2에 도시한 두 개의 인접한 화소(10)는 한 행 내의 신호를 인접한 행 내에서 다른 목적으로 제어하는 방법을 보여준다. 타이밍과 동작을 설명하기 위해, 도 2는 센서를 판독하는 데 사용되는 열 당 아날로그 신호 처리(per column analog signal processing)의 예도 포함하고 있다. 언급한 열 당 신호 처리는 신호 캐패시터 Cs에 의한 화소 신호 전압, 리세트 캐패시터 Cr에 의한 화소 리세트 전압의 샘플링을 활성화하는 샘플링 및 유지 신호(Sample and Hold Signal : SHS)와 샘플링 및 유지 리세트(Sample and Hold Reset : SHR) 트랜지스터의 제어 하에서 수행되는 상관 이중 샘플링을 가리킨다.
도 2에서 볼 수 있듯이, 화소(10)는 포토다이오드 광감지기(PG)(12), 전달 게이트(TG)(23), 부동 확산부(FD)(25), 리세트 게이트(RG)(15)를 구비하는 리세트 트랜지스터(14), 리세트 트랜지스터(14)를 위한 리세트 드레인(18), 소스 팔로워 입력 신호 트랜지스터(SIG)(21), 전달 게이트 신호 버스(a transfer gate signal buss : TGSB)(26), 리세트 게이트 신호 버스(a reset gate signal buss : RGSB)(27)를 포함하고 있다. 도 1에 도시한 종래 기술의 화소에서 행 선택 및 행 선택 신호 버스는 제거되었고, 행 선택 과정은 아래에서 논의할 신규한 방식으로 달성된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 본 명세서에서 Rowi라 지칭하는 임의의 주어진 행의 리세트 게이트 신호 버스(RGSB)(27)는 본 명세서에서 Rowi+1로 지칭하는 판독 시퀀스의 다음 행의 리세트 드레인(18)에 접속된다. 두 개의 화소 내의 트랜지스터, 게이트, 신호 버스 구성요소에도 그들이 위치하는 행을 나타내는 첨자(a subscript)로 주석을 달았다.
도 3은 도 2에 도시한 3 트랜지스터 화소의 동작을 묘사하는 데 사용되는 타이밍 도를 도시하고 있는데, 이를 참조하여 도 2의 신규한 화소 아키텍쳐의 동작을 설명할 것이다. 또한, 묘사한 화소 동작은 CMOS 활성 화소 센서 소자의 표준 라인 당 롤링 셔터 동작의 맥락에서(in the context of the standard per line rolling shutter operation) 화소(10) 행 전체에 대해 발생한다는 점을 이해해야 한다. 타이밍 도는 센서 내의 3 개 행의 판독을 위한 타이밍 시퀀스, 즉, Rowi-1, Rowi, Rowi+1을 나타내고 있다. 타이밍 도의 각 신호에는 연관된 행을 나타내는 첨자로 주석을 달았다. 타이밍 도의 레벨은 임의의 사전결정된 신호 레벨과 관련된 것으로 임의의 사전결정된 신호 레벨로 세팅되어 최적 센서 성능을 제공할 수 있다.
타이밍 도는 τ0으로 나타낸 점에서 시작하는데, 여기서는 Rowi-1을 위한 집적 시간(integration time)이 경과했고 Rowi-1의 판독이 개시된다. Rowi-2는 선택해제되고, RGi-2와 RGi-1은 모두 τ1에서 하이(high)이고 행 Rowi-1내의 부동 확산부(FDi-1)는 ∼VDD나 기타 적절한 사전결정된 전위로 리세트된다. 이제, 리세트 전위가 Rowi-1내의 소스 팔로워 입력 트랜지스터를 턴 온(turn on)시켜 시각 τ2에서 SHR을 맥동(pulse)시킴으로써 Cr 상에 샘플링되고 유지되는 부동 확산부의 리세트 레벨의 판독을 위해 그 행을 효과적으로 선택한다. Rowi-1을 위한 전달 게이트(TGi-1)를 τ3에서 맥동시켜 Rowi-1내의 포토다이오드로부터 신호 전하를 Rowi-1의 부동 확산부(FDi-1)로 전달한다. Rowi-1의 부동 확산부(FDi-1)의 신호 레벨은 여전히 판독을 위해 효과적으로 Rowi-1을 선택하는 레벨이고, 이들 Rowi-1의 부동 확산부(FDi-1)의 신호 레벨은 이어서 시각 τ4에서 SHS를 맥동시킴으로써 Cs 상에 샘플링되고 유지된다. 그런 다음, Rowi-1내의 각 열이 타이밍 도에서 시각 τ4에서 "Rowi-1판독"이라고 표시한 주기 동안 열 당 차동 증폭기(32)를 통해 차동적으로(differentially) 판독된다.
Rowi-1의 판독에 이어서, 시각 τ6에서 RGi-2는 로우(low)로 남겨두면서 RGi-1을 맥동시킴으로써 Rowi-1은 선택해제된다. 이로 인해 Rowi-1의 부동 확산부(FDi-1)는 Rowi-1의 소스 팔로워 트랜지스터(SIGi-1)를 닫는(shut off) 레벨로 세팅되어, Rowi-1의 소스 팔로워를 출력 신호 열 버스로부터 접속해제하여 Rowi-1을 선택해제한다. 다음 행 Rowi는 시각 τ7에서 RGi-1은 하이(high)로 유지하면서 RGi를 맥동시킴으로써 선택된다. 시각 τ7에서 RGi-1을 다시 맥동시키면, 판독된 이전 행의 부동 확산부(FDi-1)가 낮은 전압으로 단순히 리세트되어, 그 행의 소스 팔로워 신호 트랜지스터(SIGi-1)를 비활성 상태(non-enabled state)로 유지하면서, 이전에 판독된 행의 부동 확산부(FDi-1)를 접속해제시킴으로써, 이 경우에는 Rowi인 판독 중인 현재 행의 출력과 인터페이스되는 것을 방지한다. Rowi의 부동 확산부(FDi)의 리세트 레벨은 시각 τ8에서 SHR을 맥동시킴으로써 샘플링되고 유지된다. 이이서, TGi는 "하이(high)"로 맥동되어 Rowi의 포토다이오드(PDi)로부터 신호 전하를 Rowi의 부동 확산부(FDi)로 시각 τ9에서 전달하고, 시각 τ10에서 SHS를 맥동함으로써, 신호 레벨을 샘플링하고 유지한다. 이어서, Rowi의 판독은 Rowi-1과 유사하게 완료된다.
Rowi-1과 Rowi에 대해 설명한 이 과정은 Rowi+1에 대해 반복된다. 전술한 바와 같이, Rowi는 RGi-1은 로우(low)로 유지하면서 RGi를 "하이(high)"로 맥동시킴으로써 시각 τ11에서 FDi를 낮은 전압 레벨로 세팅하여 선택해제돼서, Rowi의 소스 팔로워 트랜지스터를 디스에이블시킨다. Rowi+1이 리세트되고, RGi가 시각 τ12에서 "하이(high)"이므로 Rowi+1을 선택하도록 동작하여, 다른 모든 행은 선택해제된 채 Rowi+1은 효과적으로 선택되고, 시각 τ13에서 SHR을 활성화함으로써 리세트 레벨이 샘플링 및 유지되며, TGi+1에 의해 시각 τ14에서 신호 레벨이 PDi+1로부터 FDi+1로 전달되고, 이어서 시각 τ15에서 신호 레벨이 샘플링 및 유지되며, 시각 τ16에서 Rowi+1이 판독된다.
이 과정은 전체 프레임 또는 프레임의 시퀀스의 판독이 완료될 때까지 센서의 모든 행에 대해 반복된다. 행 선택 및 선택해제 과정은 도 3에 나타낸 바와 같이 두 개의 RG 펄스 중 첫 번째 것을 제거하고 인접 RG 신호를 충분히 중복시킴으로써 결합될 수도 있다는 것을 주의해야 한다. 도 3에 의해 도시한 타이밍은 발명자가 본 발명을 동작시키는 최선 모드라고 믿는 것이다.
이러한 신규한 3 트랜지스터 포토게이트 화소 아키텍쳐가 리세트 프레임을 저장할 필요없이 진정 CDS 출력 신호를 제공한다는 것은 제공한 동작 설명으로부터 명백하다.
도 1에 도시한 전형적인 종래 기술의 포토게이트 APS 화소는 4 개의 트랜지스터와 3 개의 행 제어 신호 버스를 포함하고 있다. 이와 비교할 때, 도 2의 신규한 화소 아키텍쳐는 단지 3 개의 트랜지스터와 2 개의 행 제어 신호 버스만을 포함하고 있다. 1 개의 트랜지스터, 버스, 연관된 컨택트 영역을 제거하면 광감지기에 보다 넓은 화소 영역을 할당할 수 있게 된다. 이로 인해, 실질적으로 보다 높은 화소 충진율 및 결과적으로 보다 높은 광학 감도(optical sensitivity)가 제공된다.
도 4는 전술한 바와 같이 본 발명의 개념을 보다 설명하기 위해 도시한 신규한 화소 아키텍쳐의 평면도이다. 도 4에서, Rowi-1내의 리세트 트랜지스터의 게이트(RGi-1)는 시퀀스에서 판독될 다음 행 Rowi의 리세트 트랜지스터의 게이트이다.
전술한 상세한 설명은 발명자에 의해 가장 선호되는 실시예를 설명한 것이다. 이들 실시예의 변형은 당업자에게 있어 명백하다. 따라서, 본 발명의 범주는 첨부하는 청구범위에 의해 판단되어야 한다.
본 발명에 의하면, 한 행 내의 RG 제어 신호를 인접 행의 행 선택 수단과 공유함으로써 별도의 행 선택 트랜지스터 없이도 4 트랜지스터 화소의 기능성이 유지되어, 상관 이중 샘플링을 수행할 수 있는 고충진율 포토게이트 활성 화소 아키텍쳐가 제공된다.

Claims (12)

  1. 행과 열로 배열되는 다수의 화소를 구비하는 활성 화소 센서(an active pixel sensor)에 있어서, 다수의 화소는 행의 순차적인 순서로 활성 화소 센서로부터 판독되고, 적어도 하나의 화소는,
    현재 판독 중인 행 내에 있으면서 전하에서 전압으로의 변환 노드(a charge to voltage conversion node)에 기능적으로(operatively) 접속되는 포토다이오드 광감지기(a photodiode photodetector)와,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 노드에 접속되는 소스를 구비하는 포토다이오드 광감지기와 동일한 화소에 연관되는 리세트 트랜지스터와,
    현재 리세트 제어 버스에 접속되는 상기 리세트 트랜지스터 상의 리세트 게이트 및 이전에 판독된 행의 이전 리세트 제어 버스에 접속되는 상기 리세트 트랜지스터 상의 드레인과,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 노드에 기능적으로 접속되는 증폭기
    를 포함하는 활성 화소 센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리세트 트랜지스터의 소스는 전압 변환 노드인 활성 화소 센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 노드는 부동 확산부(a floating diffusion)인 활성 화소 센서.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 증폭기는 소스 팔로워 증폭기(a source follower amplifier)인 활성 화소 센서.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 현재 리세트 드레인에 접속되는 상기 이전 리세트 제어버스에 사전결정된 제 1 신호를 인가하고 상기 현재 리세트 제어 버스에 사전결정된 제 2 신호를 인가하여, 현재 판독 중인 상기 전하에서 전압으로의 변환 노드를 리세트하는 활성 화소 센서.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 전하에서 전압으로의 변환 노드를 리세트하는 과정도 상기 현재 판독 중인 행을 선택하는 활성 화소 센서.
  7. 제 5 항에 있어서,
    각각의 열에 대해 그 열 내의 광감지기를 위한 증폭기에 기능적으로 접속되는 출력 신호 열 버스와,
    현재 판독 중인 행의 증폭기를 출력 신호 열 버스에 접속시키는 상기 사전결정된 제 1 및 제 2 신호의 인가
    를 더 포함하는 활성 화소 센서.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 현재 리세트 드레인에 접속되는 상기 이전 리세트 제어 버스에 사전결정된 제 1 신호를 인가하고 상기 현재 리세트 제어 버스에 사전결정된 제 2 신호를 인가하여, 상기 이전에 판독된 행의 상기 증폭기를 디스에이블(disable)시키는 사전결정된 전위로 상기 전하에서 전압으로의 변환 노드를 세팅하는 활성 화소 센서.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 이전에 판독된 행을 디스에이블시키는 과정은 상기 이전에 판독된 행을 선택해제(deselect)하는 활성 화소 센서.
  10. 제 8 항에 있어서,
    각각의 열에 대해 그 열 내의 광감지기를 위한 증폭기에 기능적으로 접속되는 출력 신호 열 버스와,
    상기 이전에 판독된 행의 상기 증폭기를 상기 출력 신호 열 버스로부터 접속해제시키는 상기 사전결정된 제 1 및 제 2 신호의 인가
    를 더 포함하는 활성 화소 센서.
  11. 행이 순차적으로 판독되도록 행과 열로 배열되는 다수의 화소를 구비하는 반도체 기판을 마련하는 단계와,
    화소의 적어도 한 부분을 생성하되, 상기 한 부분 내의 적어도 하나의 지정된 행과 연관되고, 상기 지정된 행 내의 화소를 리세트하여 상기 지정된 행이 판독되도록 선택하는 제 1 조합(a first combination)에 따라 동작하며, 상기 판독 중인 지정된 행에 후속하는 상기 지정된 행 내의 상기 화소를 선택해제하는 제 2 조합(a second combination)에 따라 동작하는 현재 리세트 버스와 이전 리세트 버스가 존재하도록 하는 단계
    를 포함하는 활성 화소 센서 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 생성 단계는,
    상기 지정된 행 내의 각 화소가 증폭기를 구비하되, 상기 증폭기의 상기 제 1 조합의 제 1 결과는 열 버스에 접속되고, 상기 지정된 행 내의 화소의 제 2 조합의 제 2 결과는 상기 행 버스에 접속되는 자신의 증폭기를 구비하지 않는 상기 부분을 생성하는 단계를 더 포함하는 활성 화소 센서 제조 방법.
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