JPS6237812B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6237812B2 JPS6237812B2 JP55032199A JP3219980A JPS6237812B2 JP S6237812 B2 JPS6237812 B2 JP S6237812B2 JP 55032199 A JP55032199 A JP 55032199A JP 3219980 A JP3219980 A JP 3219980A JP S6237812 B2 JPS6237812 B2 JP S6237812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- diode
- electrode
- photo
- shot barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、薄膜フオト・ダイオードを用いた大
型イメージセンサに用いられるクロスオーバ電極
構成に生ずる漏話の防止方法に係る。
型イメージセンサに用いられるクロスオーバ電極
構成に生ずる漏話の防止方法に係る。
視覚情報処理技術の進歩に伴い、画像入力に対
する分解能向上の要求が高まつて来ている。そこ
で、この要望に応えて光センサ（イメージセン
サ）を薄膜フオト・ダイオードによつて構成する
ことができる。例えば、現在この種の光センサで
は、１mmあたり４個のフオト・ダイオードを配置
することが可能である。
する分解能向上の要求が高まつて来ている。そこ
で、この要望に応えて光センサ（イメージセン
サ）を薄膜フオト・ダイオードによつて構成する
ことができる。例えば、現在この種の光センサで
は、１mmあたり４個のフオト・ダイオードを配置
することが可能である。
一方、１mmあたり１個以上の上記のような密度
でセンサ素子を配置した場合、電極引出しのため
の余地が少なくなり、コネクタへの接続が困難に
なる。こうしたことから、その対策として電極の
クロスオーバ接続が提案されている。
でセンサ素子を配置した場合、電極引出しのため
の余地が少なくなり、コネクタへの接続が困難に
なる。こうしたことから、その対策として電極の
クロスオーバ接続が提案されている。
第１図はこのような従来のクロスオーバ電極構
成、薄膜フオト・ダイオードセンサアレイの一例
を示す図である。図中、１は列を成して配された
一群のフオト・ダイオードP11，P12，…Ｐ1o，
P21，P22…Ｐ2o……よりなるフオト・ダイオー
ド・アレイ、２１，２２，…２oはシフトレジス
タを構成する各１ビツトのレジスタ群、３はシフ
ト・レジスタ２１…２oの出力に応じて正電圧源
４からの電圧を選択的に行電極５１，５２…５o
に夫々印加する開閉動作を行う行電極選択回路、
６は列電極８１，８２，……と続取回路１１との
間を選択的に接続する複数のスイツチ素子S1，
S2，…よりなる列電極選択回路である。上記フオ
ト・ダイオード・アレイ１の中の一群のフオト・
ダイオードP11，P12…Ｐ1o，P21，P22…Ｐ2o…は
Ｎ個ずつに組分けされ、第１の組に属するフオ
ト・ダイオードP11，P12…Ｐ1oは第１の列電極８
１に共通にそのアノードが接続され、第２の組に
属するフオト・ダイオードP21，P22…Ｐ2oは第２
の列電極８２に共通にそのアノードが接続され、
…図示しないが以下同様に各組に属するフオト・
ダイオードが共通に１つの列電極に接続されてい
る。
成、薄膜フオト・ダイオードセンサアレイの一例
を示す図である。図中、１は列を成して配された
一群のフオト・ダイオードP11，P12，…Ｐ1o，
P21，P22…Ｐ2o……よりなるフオト・ダイオー
ド・アレイ、２１，２２，…２oはシフトレジス
タを構成する各１ビツトのレジスタ群、３はシフ
ト・レジスタ２１…２oの出力に応じて正電圧源
４からの電圧を選択的に行電極５１，５２…５o
に夫々印加する開閉動作を行う行電極選択回路、
６は列電極８１，８２，……と続取回路１１との
間を選択的に接続する複数のスイツチ素子S1，
S2，…よりなる列電極選択回路である。上記フオ
ト・ダイオード・アレイ１の中の一群のフオト・
ダイオードP11，P12…Ｐ1o，P21，P22…Ｐ2o…は
Ｎ個ずつに組分けされ、第１の組に属するフオ
ト・ダイオードP11，P12…Ｐ1oは第１の列電極８
１に共通にそのアノードが接続され、第２の組に
属するフオト・ダイオードP21，P22…Ｐ2oは第２
の列電極８２に共通にそのアノードが接続され、
…図示しないが以下同様に各組に属するフオト・
ダイオードが共通に１つの列電極に接続されてい
る。
また、上記第１の組の中の１番目のフオト・ダ
イオードP11と、第２の組の中の対応する１番目
のフオト・ダイオードP21と、同様に図示しない
第３以降の組の中の対応する１番目のフオト・ダ
イオードＰi1はそのカソードが第１の行電極５１
に接続されている。同様に第１，第２，第３以降
の各組の中の２番目のフオト・ダイオードP12，
P22…Ｐi1…が第２の行電極５２に接続されてい
る。以下同様である。
イオードP11と、第２の組の中の対応する１番目
のフオト・ダイオードP21と、同様に図示しない
第３以降の組の中の対応する１番目のフオト・ダ
イオードＰi1はそのカソードが第１の行電極５１
に接続されている。同様に第１，第２，第３以降
の各組の中の２番目のフオト・ダイオードP12，
P22…Ｐi1…が第２の行電極５２に接続されてい
る。以下同様である。
動作を説明すると、いま仮りに第１組の中の１
番目のフオト・ダイオードP11に対する受光の有
無を読取るものとするならば、レジスタ２１の出
力が“１”、他のレジスタ２２…２oの出力が
“０”となるようにし、また列電極選択回路６中
のスイツチ素子S1のみを閉じるようにする。そう
すると、行電極選択回路３はレジスタ２１の出力
“１”により正電圧源４からの電圧を行電極５１
のみに印する。行電極５１に印加された電圧はフ
オト・ダイオードP11，P21…に加える。もし、上
記フオト・ダイオードP11が受光されていると、
該フオト・ダイオードP11を流れる導通電流がス
イツチ素子S1を通して読取回路１１に至る。この
結果、読取回路１１はフオト・ダイオードP11の
導通，非導通に従つて、受光の有無を検出するこ
とができる。
番目のフオト・ダイオードP11に対する受光の有
無を読取るものとするならば、レジスタ２１の出
力が“１”、他のレジスタ２２…２oの出力が
“０”となるようにし、また列電極選択回路６中
のスイツチ素子S1のみを閉じるようにする。そう
すると、行電極選択回路３はレジスタ２１の出力
“１”により正電圧源４からの電圧を行電極５１
のみに印する。行電極５１に印加された電圧はフ
オト・ダイオードP11，P21…に加える。もし、上
記フオト・ダイオードP11が受光されていると、
該フオト・ダイオードP11を流れる導通電流がス
イツチ素子S1を通して読取回路１１に至る。この
結果、読取回路１１はフオト・ダイオードP11の
導通，非導通に従つて、受光の有無を検出するこ
とができる。
また、図示から明らかなようにシフト・レジス
タ２１，２２…２oおよび列電極選択回路６に
夫々引出される総電極数は行電極数５１，５２…
５oの数と列電極８１，８２…の数との和に等し
く、フオト・ダイオードP11，P12，…Ｐ1o，P21，
P22…Ｐ2o…の総数に比較して著しく減少し、従
つてコネクタ等を介して外部装置に接続すること
も容易となつている。
タ２１，２２…２oおよび列電極選択回路６に
夫々引出される総電極数は行電極数５１，５２…
５oの数と列電極８１，８２…の数との和に等し
く、フオト・ダイオードP11，P12，…Ｐ1o，P21，
P22…Ｐ2o…の総数に比較して著しく減少し、従
つてコネクタ等を介して外部装置に接続すること
も容易となつている。
しかし、一方で次に述べる如き漏話（クロスト
ーク）を生じて誤信号が発生する。
ーク）を生じて誤信号が発生する。
すなわち、第１図において上述のように第１組
の中の１番目のフオト・ダイオードP11の受光の
有無を読取ろうとする際、該フオト・ダイオード
P11に接ながる行，列電極５１，８１上の他のフ
オト・ダイオードＰ1i（ｉ＝２として説明す
る）、Ｐj1（ｊ＝２として説明する）が入力光を
有するものとする。そうすると、フオト・ダイオ
ードP11の受光，非受光に拘らず、図示のような
電流ｉが流れ得る回路が形成される。すなわち、
フオト・ダイオードP11に印加された電圧はフオ
ト・ダイオードP21にも印加されるため、入力光
のある該フオト・ダイオードP21は導通状態とな
つて電流ｉを通し、その電流ｉは導通方向のフオ
ト・ダイオードP22を経由してフオト・ダイオー
ドP12に至る。ここでも、フオト・ダイオードP12
は入力光があるので導通状態となり、スイツチ素
子S1′を通して読取回路１１に電流ｉが出力され
る。
の中の１番目のフオト・ダイオードP11の受光の
有無を読取ろうとする際、該フオト・ダイオード
P11に接ながる行，列電極５１，８１上の他のフ
オト・ダイオードＰ1i（ｉ＝２として説明す
る）、Ｐj1（ｊ＝２として説明する）が入力光を
有するものとする。そうすると、フオト・ダイオ
ードP11の受光，非受光に拘らず、図示のような
電流ｉが流れ得る回路が形成される。すなわち、
フオト・ダイオードP11に印加された電圧はフオ
ト・ダイオードP21にも印加されるため、入力光
のある該フオト・ダイオードP21は導通状態とな
つて電流ｉを通し、その電流ｉは導通方向のフオ
ト・ダイオードP22を経由してフオト・ダイオー
ドP12に至る。ここでも、フオト・ダイオードP12
は入力光があるので導通状態となり、スイツチ素
子S1′を通して読取回路１１に電流ｉが出力され
る。
以上述べたように従来の構成においては本来所
定のフオト・ダイオードに入力光がないのに、あ
たかも入力光があるという信号即ち誤信号が出力
されてしまう欠点がある。
定のフオト・ダイオードに入力光がないのに、あ
たかも入力光があるという信号即ち誤信号が出力
されてしまう欠点がある。
本発明の目的はこの欠点を除去することであ
り、この目的は本発明においては、列を成して配
されたフオト・ダイオードと、該各フオトダイオ
ードに直列に接続された逆流防止用ダイオード
と、該フオト・ダイオードを所定個数ずつに組分
けし各組内の複数のフオト・ダイオードに共通に
接続された第１の電極群と、上記各組から１個ず
つの逆流防止ダイオードを選出し、選出された逆
流防止ダイオードに共通に接続された第２の電極
群とを備え、前記フオト・ダイオードと逆流防止
ダイオード部分は、透明基板上に設けた２個のシ
ヨツトキバリヤ電極と、該２個のシヨツトキバリ
ヤ電極上を覆う半導体層と、該半導体層上に、そ
の両端部が該２個のシヨツトキバリヤ電極とオー
バラツプし対向する電極と、一方のシヨツトキバ
リヤ電極部分を遮光する遮光膜を設けた構成と
し、上記フオト・ダイオードの受光の有無に応じ
て電極間の電流の導通状態を変化させることを特
徴とする光検知装置によつて達成されるが、以下
本発明の一実施例を図面に従つて詳細に説明す
る。
り、この目的は本発明においては、列を成して配
されたフオト・ダイオードと、該各フオトダイオ
ードに直列に接続された逆流防止用ダイオード
と、該フオト・ダイオードを所定個数ずつに組分
けし各組内の複数のフオト・ダイオードに共通に
接続された第１の電極群と、上記各組から１個ず
つの逆流防止ダイオードを選出し、選出された逆
流防止ダイオードに共通に接続された第２の電極
群とを備え、前記フオト・ダイオードと逆流防止
ダイオード部分は、透明基板上に設けた２個のシ
ヨツトキバリヤ電極と、該２個のシヨツトキバリ
ヤ電極上を覆う半導体層と、該半導体層上に、そ
の両端部が該２個のシヨツトキバリヤ電極とオー
バラツプし対向する電極と、一方のシヨツトキバ
リヤ電極部分を遮光する遮光膜を設けた構成と
し、上記フオト・ダイオードの受光の有無に応じ
て電極間の電流の導通状態を変化させることを特
徴とする光検知装置によつて達成されるが、以下
本発明の一実施例を図面に従つて詳細に説明す
る。
本発明の一実施例の回路図を第２図に示す。
第１図との違いは、薄膜フオトダイオードセン
サアレイ１の個々のフオトダイオードP11，P12…
Ｐ1o，P21，P22…Ｐ2o…と１対１に対応して対を
成す逆流防止用ダイオードD11，D12…Ｄ1o，
D21，D22…Ｄ2oよりなるダイオード群１０を設
け、相互に逆極性に接続したことである。
サアレイ１の個々のフオトダイオードP11，P12…
Ｐ1o，P21，P22…Ｐ2o…と１対１に対応して対を
成す逆流防止用ダイオードD11，D12…Ｄ1o，
D21，D22…Ｄ2oよりなるダイオード群１０を設
け、相互に逆極性に接続したことである。
この薄膜ダイオード群１０は列電極８１，８２
…側から行電極５１，５２…５o側への電流を阻
止するので、前に述べた電流ｉを流し得る回路の
形成が阻止され、従つて漏話は防止される。
…側から行電極５１，５２…５o側への電流を阻
止するので、前に述べた電流ｉを流し得る回路の
形成が阻止され、従つて漏話は防止される。
この薄膜ダイオード群１０は第３図に示す如
く、薄膜フオトダイオードアレイ１を形成する
際、マスクパターンを変えることにより同時に形
成され得るので、その手間（工数）の増加が小さ
い。
く、薄膜フオトダイオードアレイ１を形成する
際、マスクパターンを変えることにより同時に形
成され得るので、その手間（工数）の増加が小さ
い。
即ち第３図において、ガラス基板９の上に半透
明の白金、金、等の薄膜でシヨツトキバリヤ電極
１６をフオトダイオード１側とダイオード１０側
の双方に設け、アモルフアスシリコン等の半導体
層１１をその上に一面に形成し、更に電極の皮膜
１２を成膜し、最後にダイオード１０の側のガラ
ス基板９の裏面に遮光用の金属遮光膜１３を公知
の方法で成膜すれば完成する。
明の白金、金、等の薄膜でシヨツトキバリヤ電極
１６をフオトダイオード１側とダイオード１０側
の双方に設け、アモルフアスシリコン等の半導体
層１１をその上に一面に形成し、更に電極の皮膜
１２を成膜し、最後にダイオード１０の側のガラ
ス基板９の裏面に遮光用の金属遮光膜１３を公知
の方法で成膜すれば完成する。
以上述べた如く、本発明によれば、薄膜フオト
ダイオードセンサアレイを形成する際同時に薄膜
ダイオードを形成してしまうので、寸法的には殆
んど増加せずに、クロスオーバ電極構成の漏話を
防止出来るため、経済性及び特性上の効果多大で
ある。
ダイオードセンサアレイを形成する際同時に薄膜
ダイオードを形成してしまうので、寸法的には殆
んど増加せずに、クロスオーバ電極構成の漏話を
防止出来るため、経済性及び特性上の効果多大で
ある。
第１図は従来のクロスオーバ電極構成薄膜フオ
トダイオードセンサアレイの一実施例の接続図で
あり、第２図は本発明の一実施例の接続図、第３
図は第２図における薄膜フオトダイオードと薄膜
ダイオードの形成状態断面図である。 図中、１は薄膜フオトダイオードアレイであ
り、２１，２２…２oはシフトレジスタ、３は行
電極選択回路、４は正電源、５１，５２…５oは
行電極、６は列電極選択回路、８１，８２…は列
電極、１０は薄膜ダイオード、９はガラス基板、
１６はシヨツトキバリヤ電極、１１はアモルフア
スシリコン、１２は電極、１３は金属遮光膜であ
る。
トダイオードセンサアレイの一実施例の接続図で
あり、第２図は本発明の一実施例の接続図、第３
図は第２図における薄膜フオトダイオードと薄膜
ダイオードの形成状態断面図である。 図中、１は薄膜フオトダイオードアレイであ
り、２１，２２…２oはシフトレジスタ、３は行
電極選択回路、４は正電源、５１，５２…５oは
行電極、６は列電極選択回路、８１，８２…は列
電極、１０は薄膜ダイオード、９はガラス基板、
１６はシヨツトキバリヤ電極、１１はアモルフア
スシリコン、１２は電極、１３は金属遮光膜であ
る。
Claims (1)
- １ 列を成して配されたフオト・ダイオードと、
該各フオト・ダイオードに直列に接続された逆流
防止用ダイオードと、該フオト・ダイオードを所
定個数ずつに組分けし各組内の複数のフオト・ダ
イオードに共通に接続された第１の電極群と、上
記各組から対応する順位の逆流防止用ダイオード
を１個ずつ選出し、選出された逆流防止用ダイオ
ードに共通に接続された第２の電極群とを備え、
前記フオト・ダイオードと逆流防止用ダイオード
の部分は、透明基板上に設けた２個のシヨツトキ
バリヤ電極と、該２個のシヨツトキバリヤ電極上
を覆つて設けられシヨツトキバリヤ電極との接合
部分にシヨツトキバリヤを形成する半導体層と、
該半導体層上に設けられその両端部が該２個のシ
ヨツトキバリヤ電極とオーバラツプして対向する
電極と、一方のシヨツトキバリヤ電極部分を遮光
する遮光膜を設けた構成とし、上記フオト・ダイ
オードの受光の有無に応じて電極間の電流の導通
状態を変化させることを特徴とする光検知装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219980A JPS56129381A (en) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | Photoidentifying device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3219980A JPS56129381A (en) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | Photoidentifying device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56129381A JPS56129381A (en) | 1981-10-09 |
| JPS6237812B2 true JPS6237812B2 (ja) | 1987-08-14 |
Family
ID=12352228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3219980A Granted JPS56129381A (en) | 1980-03-14 | 1980-03-14 | Photoidentifying device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56129381A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236971A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-17 | 小島 佑介 | 中高層人工土地 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766662A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-22 | Ricoh Co Ltd | Image sensor |
| JPS57100770A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Seiko Epson Corp | Switching element |
| JPS5856363A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 受光素子 |
| JPS58115854A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-09 | Seiko Epson Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS5916374A (ja) * | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子 |
| FR2536188B1 (fr) * | 1982-11-17 | 1987-10-23 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de lecture de document point par point utilisant une matrice d'elements photodetecteurs |
| JPH0774372A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-03-17 | Citizen Watch Co Ltd | 薄膜ダイオードおよびその製造方法 |
-
1980
- 1980-03-14 JP JP3219980A patent/JPS56129381A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236971A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-17 | 小島 佑介 | 中高層人工土地 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56129381A (en) | 1981-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5153420A (en) | Timing independent pixel-scale light sensing apparatus | |
| US3488636A (en) | Optically programmable read only memory | |
| JPH10500536A (ja) | 電子装置 | |
| JPS5884568A (ja) | 原稿読取装置 | |
| CA1080345A (en) | Semiconductor optical image sensing device | |
| US4495409A (en) | Photosensor with diode array | |
| US4714836A (en) | Photosensitive pixel with exposed blocking element | |
| JPS6237812B2 (ja) | ||
| JPH01122260A (ja) | カラーラインセンサ | |
| US5608205A (en) | Imaging device having reduced vertical crosstalk | |
| GB1377521A (en) | Charge coupled circuits | |
| US5572015A (en) | Charge storage device having shared conductors | |
| JPS6089968A (ja) | ２層３段構造固体撮像装置 | |
| US5572255A (en) | Image reading apparatus and method for driving appropriate photoelectric energy converting elements when first and second driving voltages are applied simultaneously | |
| JPH0683335B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2514924B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| EP0670658B1 (en) | A charge storage device | |
| US3668408A (en) | Light sensor matrix device consisting of photo-conductive elements | |
| JPH06342900A (ja) | 一次元カラーイメージセンサ | |
| JPS5880865A (ja) | 原稿読取装置 | |
| JPS6232761A (ja) | 密着形イメ−ジセンサ | |
| JP3005806B2 (ja) | 光検出装置 | |
| JPH0738437B2 (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS61280659A (ja) | 密着形イメ−ジセンサ− | |
| JPH04179270A (ja) | 二次元イメージセンサー |