JPS61270971A - 画像読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明はファクシミリ等の画像を読取るための画像読
取装置に関する。

（従来の技術） 従来より、静止画像或いは走行する原稿画像をイメージ
センサで等倍で直接読取ったり、或いは、レンズ系を用
いて画像を縮小して読取ったりする画像読取装置が提案
され実用化されている。

一般に、縮小光学系を用いずに、１対ｌの関係で画像を
読取る等倍型画像読取装置は、読取分解能の間隔を一直
線に配列した受光素子群を具え、受光素子群の長さを読
取対象画像と同一の幅となし、正立等倍像を結像する集
束性ロッドレンズアレイを介して画像を読取る構成とな
っている。このような装置については例えば文献「画像
電子学会予稿Ｊ　、　（８３−０４−１）　、が提案さ
れている。

第５図はこのような画像読取装置の概要を示すブロック
線図で、この装置は通常は、読取対象画像１１を照明す
る光源１２と１画像１１からの反射又は透過光を案内す
る集束性ロッドレンズアレイ１３と、集束性ロッドレン
ズアレイ１３からの情報光を受光素子１４で受光し電気
信号に変換するための画像読取センサ１５とを具えてい
る。ここで、この光源として、例えば原稿幅と同一の長
さに並べたＬＥＤチップ、けい光灯、タングステンラン
プ、けい光表示管、エレクトロルミネセンス又はその他
の光源を用いる。

この構成により、光源１２からの光が原稿１１の読取る
べき画像領域を照射し、そこからの反射或いは透過光が
有する画像の濃淡に応じた光の明暗情報を集束性ロッド
レンズアレイ１３を介して画像情報センサ１５の受光素
子１４で受光し光電変換を行って読取ることが出来る。

第６図はこのような読取装置に使用され、上述の文献に
開示された従来の読取センサの構成図である。

同図において、２１ａ　、　２１ｂ、・・拳は受光素子
（以下、代表して２１で示すこともある）　、　２２ａ
、２２ｂ　・・・はスイッチ素子（以下、代表して２２
で示すこともある）、２３は積分器、２８は電源で、積
分器２３と電源２８との間に受光素子２１及びスイッチ
素子２２の直列回路を接続した構成となっている。

この読取センサの動作はＭＯ３型イメージセンサと同等
で、これを電荷蓄積モードで動作させている。

しかし、この場合、スイッチ素子２２をオン／オフする
際、スイッチ素子２２から雑音が発生し、読取信号に重
畳されてしまうため、Ｓ／Ｎ比が悪くなってしまうこと
があった。

これがため、第６図に示した従来例では、ダブルパルス
駆動方式で雑音を除去する方式を取っている。この方式
は、−個の受光素子例えば２１ａに接続しているスイッ
チ素子２２ａを連続して二回オン／オフさせ、−回目の
出力を積分器２３を経て第一サンプルホールド回路２４
に保持し、二回目の出力を第二サンプルホールド回路２
５に保持し、これらの保持出力を作動増幅器２６で両者
の差を取り、信号成分のみを抽出する方法である。この
ため。

各スイッチ素子２２を二回駆動するためのダブルパルス
走査回路２７を具え、これを各スイッチ素子２２の制御
端子に接続している。

次に、このダブルパルス駆動方式につき第６図及び第７
図（Ａ）〜（Ｄ）を参照して詳述する。

第７図（Ａ）〜（Ｄ）はこの方式を説明するための出力
波形図であり、（Ａ）〜（Ｄ）図はそれぞれ第６図の信
号路中の点ａ−ｄにおける波形図である。

まず、一番目の受光素子２１ａに接続しているスイッチ
素子２２ａへ一回目のパルスをダブルパルス走査回路２
７から送り、これをオン／オフさせる。

すると、積分器２３を経た後の信号路のａ点での出力は
第７図（Ａ）に示すような出力波形３１となる。

そこで、これと同期して第一サンプルホールド回路２４
ヘサンプリングパルスを入力すると、ｂ点での出力は第
７図（Ｂ）に示すような出力波形３２となる。

次に、ダブルパルス走査回路２７から二回目のパルスを
前回と同じ一番目のスイッチ素子２２ａへ送り、オン／
オフさせる。この場合、ａ点での出力は第７図（Ａ）に
示すように出力波形３３となる。今度はこのサンプリン
グパルスを第二サンプルホールド回路２５へ入力する。

この時、信号路の０点でのでの出力は第７図（Ｃ）に示
す出力波形３４となる。

このように、連続して二つのパルスをスイッチ素子２２
ａに印加すると、−回目のパルスによるａ点での出力波
形３１は光信号３１ａ　　（斜線を付して示す部分）と
雑音３１ｂとの重畳したものとなり、二回目のパルスに
よるａ点での出力波形３３は光信号は無く、雑音だけの
ものとなる。このことは、この読取センサが電荷蓄積モ
ードで動作しているため、同一のスイッチ素子２２ａへ
連続してパルスを送ると、−回目のパルスでは光信号３
１ａが検出されるが、二回目のパルスでは電荷を蓄積す
る時間がないため、光信号は検出されないことを意味し
ている。一方、雑音は、スイッチ素子２２のゲート寺ド
レイン容量に起因するものであり、スイッチ素子２２を
オン／オフする毎に発生する。従って、ｂ点（第６図）
での出力波形３２（第７図（Ｂ））と、０点（第６図）
での出力波形３４（第７図（Ｃ））とを差動増幅器２６
（第６図）を用いて差動を取ると、その出力点ｄでの出
力は第７図（Ｄ）に示すような出力波形３５となり、一
番目の受光素子２１ａの光信号は斜線で示した出力３５
ａとして出力され、同様に二番目の受光素子２１ｂの光
信号は出力３５ｂとして出力される。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述の従来の読取センサでは、一つのス
イッチ素子２２へ連続して二偏のパルス（ダブルパルス
）を送るための特殊なダブルパルス走査回路２７を必要
とし、しかも、その二つのパルスに対応したサンプルホ
ールド回路が二回路（２４及び２５）必要となるという
問題があった。

さらに、これら回路を駆動する方法も複雑であるという
問題があった。

この発明の目的は、上述した従来の問題点を除去し、簡
単な構造の回路でしかもＳ／Ｎ比の大きい読取センサを
具える画像読取装置を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この目的の達成を図るため、この発明によれば、バイア
ス電圧が印加される複数の受光素子を具える。

これら受光素子にそれぞれ個別に接続された第一端子及
び信号共通線にそれぞれ共通接続された第二端子を有し
、相補型ＭＯＳスイッチで構成された複数の信号スイッ
チを設ける。

さらに、これら各信号スイッチとそれぞれ対を形成する
ように、相補型ＭＯＳスイッチで構成されたダミースイ
ッチを接続する。これらダミースイッチの第一端子をダ
ミー共通線にそれぞれ共通接続すると共に、第二端子を
いづれにも接続しない開放状態とする。

さらに、これら信号スイッチとダミースイッチとのスイ
ッチ対の各々を順次に駆動する信号を各スイッチ対毎に
供給するためのシフトレジスタを設ける。

さらに、これら信号共通線及びダミー共通線がが接続さ
れた差動増幅器を設ける。

この発明の実施に当っては、これらの受光素子のアノー
ドを負のバイアス共通線に接続し、これら受光素子のカ
ソードを信号スイッチの第一端子に接続し、さらに、こ
れら信号スイッチの第一制御端子及びダミースイッチの
第一制御端子を互いに接続すると共にシフトレジスタに
接続し、さらにこれら信号スイッチの第二制御端子及び
ダミースイッチの第二制御端子を互いに接続すると共に
インバータを介してこれら第一制御端子に接続するのが
好適である。

さらに、受光素子としてアモルファスシリコンを主材と
する非晶質半導体材料から成る素子を用いるのが好適で
ある。

（作用） このように構成すれば、受光素子に接続した信号スイッ
チを相補型ＭＯＳスイッチで構成しであるので、信号ス
イッチの駆動時に信号スイッチ自体がスイッチ雑音を抑
制する効果を有する。

さらに、信号スイッチから信号共通線に得られる受光パ
ルスは受光素子の受光量に対応した光信号と、信号スイ
ッチ自体のスイッチ雑音と、からなっているが、この信
号スイッチと同時駆動されるダミースイッチからダミー
共通線に得られるダミー信号はダミースイッチのスイッ
チ雑音のみであるので、差動増幅器から生ずる両信号の
差動出力からはスイッチ雑音が除去されており、従って
Ｓ／Ｎ比の高い画像読取信号を得ることが出来る。

、（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の実施例につき説明す
る。

笈ヱ１ 先ず、この発明の画像読取装置に用いる読取センサの受
光部につき、第２図を参照して説明する。

第２図は受光部を概略的に示す拡大断面図である。　４
１は受光素子で、この材料としては光感度が大きく、特
性の安定に優れるアモルファスシリコン（ａ−３Ｌ）を
用いる。４２はガラス、合成樹脂或いはその他の任意好
適な材料からなる透明基板である。４３はこの透明基板
４２上に被着した第一電極を構成する透明電極で、イン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ）その他の光透過性電極材料で
形成する。特に、ＩＴＯとする場合には、インジウム錫
酸化物に対して数％の錫酸化物を混合し、酸素雰囲気中
で電子ビーム蒸着或いはスパッタで形成するのが良い、
また、受光素子４１をａ−３ｉとする場合には、ＩＴＯ
電極４３上へ錫酸化物を積層し、二層膜とすることが多
い、゛ ４４は受光層で、透明電極４３側からａ−５ｔの２層、
１層及びｎ層の三層構造からなっている。このａ−Ｓｉ
はシラン（ＳｉＨａ）を高周波グロー放電で分解するこ
とによって２００〜３００℃という低温で作製すること
が出来る。この作製工程において、例えば、５ｆＨ４に
対して５００〜１１００００ｐｐのジポラン（Ｂ２Ｈ６
）を混合して第−暦であるｐ型層−Ｓｉ層を５０〜１０
００人の厚さに積層し、次に、５ｔＨ４に対して微量（
１００ｐ　ｐｍ以下）のＢ２Ｈ２を混合してｐ型層の上
側へ第二層であるＬ型層−Ｓｉ層を０．５〜１．５ｇｍ
の厚さに積層し、さらに、ＳｉＨ４に対しテ５００〜１
００００　ｐ　ｐ　ｍのホスフィン（ＰＨ３）を混合し
て、ｉ型層上へ第三層であるｎ型層−５ｉ層を１００〜
２０００Ａの厚さで積層する。このようにして、全面に
三層構造のａ−３ｔを透明基板４２上へ積層した後に、
このａ−５ｉ層を受光層４４の形状に加工する。

この場合１例えば８ドツ）　／　ｍ　ｍの読取分解能で
８４版の読取幅の大きさのセンサを作製する場合には、
受光層４４の形状を約１１００７ｈ角とし、２０４８個
の受光層４４のドツトを一直線上に整列させる。このド
ツト整列を形成するため、通常のホトリソ技術によって
レジストパターンを作製し、プラズマエツチングで不要
のａ−３ｔを除去する。このエツチングにはフロン（Ｃ
Ｆ４）へ酸素（０２）を数〜１０数％混合したガスを使
用し、１０〜１００Ｐａの減圧下で行う。

このようにして、所望の形状の受光層４４を作製した後
、この受光層４４上へ絶縁層４５を形成する。

この絶縁層４５は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、
アルミナ、その他の高抵抗材料で形成することが出来る
。この膜の製作に当り、従来はスパッタ方法が用いられ
ていたが、ａ−３ｔ受光素子４１へのスパッタ損傷を少
なくして特性変動を小さくすると共に、簡単容易に作製
するため、ａ−Ｓｉの作製法と同じ方法であるグロー放
電分解法を用いるのが好適である。

このグロー放電分解法で絶縁層４５を作製するには１例
えば、シリコン酸化物の場合にはＳｉＨ４に亜酸化窒素
（Ｎ２０）を、シリコン窒化物の場合にはＳ　ｉ　Ｈ４
にアンモニア（ＮＨ３）及び窒素（Ｎ２）のいづれか一
方又は双方を混合すれば良い。

最後に、受光層４４及び透明電極４３の上の電極取り出
し部分を除去し、アルミニウム、ニクロム。

その他の金属で、第−及び第二電極をそれぞれ構成する
金属電極４６及び透明電極４３用の金属電極４７を形成
し、第２図の構造の受光素子を完成する。

このように構成した受光素子４１は、矢印りで示した光
が透明基板４２、透明電極４３を透過して受光層４４へ
到達する構造となっている。

尚、この受光素子としてａ−５ｉを用いた例につき説明
したが、これに限定されるものではないことは明らかで
ある。

９　センサ　　′ 第１図は、この発明の画像読取装置に用いる画像読取セ
ンナの一実施例を示すブロック線図である。

５０は読取センサのヘッドであり、これは上述したドツ
ト整列させた複数の受光素子４１と、それぞれ相補型Ｍ
ＯＳスイッチで構成した複数の信号スイッチ５１と、同
様に相補型ＭＯＳスイッチで構成した複数のダミースイ
ッチ５２と、シフトレジスタ５３とを主として具えてい
る。

各受光素子４１のアノード側をバイアス共通線５４にそ
れぞれ共通接続し、受光素子４１を逆バイアス状態とな
るようにするため、このバイアス共通線５４をバイアス
電源５５の負側に接続する。この電源の正側を接地する
。

信号スイー２チ５１は、第−及び第二スイッチ素子５１
ａ及び５１ｂの第一主電極をそれぞれ接続し及び第二主
電極をそれぞれ接続した第−及び第二スイッチ素子５１
ａ及び５１ｂの並列接続からなっている。この信号スイ
ッチ５１の第一端子（第一主電極とする）Ｗを受光素子
４１のカソード偏に接続し。

第二端子（第二主電極とする）Ｘを各信号スイッチ５１
に共通な信号共通線５６に接続する。

ダミースイッチ５２も信号スイッチと同様に相補型スイ
ッチで構成されている。これらダミースイッチ５２を各
対応する信号スイッチ５１と接続してスイッチ対をそれ
ぞれ形成する。そのため、信号スイッチ５１の第一スイ
ッチ素子５１ａの制御端子Ｐをダミースイッチ５２の第
一スイッチ素子５２ａの制御端子ｒにそれぞれ接続する
と共に、第一スイッチ素子５２ａの制御端子ｑをダミー
スイッチ５２の第一スイッチ素子５２ａの制御端子Ｓに
それぞれ接続する。そして、このダミースイッチ５２の
第一端子ｙをダミー共通線５７に接続すると共に、第二
端子２を開放状態に保持しておく。

次に、各第一スイッチ素子５１ａ、５２ａの制御端子ｐ
及びｒを共通接続させてそのままこれらをシフトレジス
タ５３の対応する出力に接続する。従って、各スイッチ
対毎に対応するシフトレジスタ５３の各出力にそれぞれ
接続する。各第二スイッチ素子５１ｂ、５２ｂの制御端
子ｑ及びＳを共通接続のままインバータ５８を経て制御
端子ｐ及びｒに接続する。さらに、信号共通線５６及び
ダミー共通線５７を差動増幅器５８にそれぞれ接続し、
その出力端子６０に生ずる差動出力が読取出力となる。

ｌＭＯＳスイーチの５ 第３図は第１図で説明した信号スイッチ５１及びダミー
スイッチ５２を構成している相補型ＭＯＳスイッチの説
明図である。

このスイッチはＮチャネルＭＯＳスイッチ素子６１と、
ＰチャネルＭＯＳスイッチ素子Ｓ２とからなり、両スイ
ッチ素子６１のソース電極６３を互い接続すると共に、
ドレイン電極６４を互いに接続する。

ＮチャネルＭＯＳスイッチ素子θｌのゲート電極はゲー
ト制御端子６５へ接続すると共に、ＰチャネルＭＯＳス
イッチ素子８２のゲート電極はインバータ６６を介して
ゲート制御端子６５に接続する。

この相補型ＭＯＳスイッチをオンさせるには、ゲート制
御電極端子６５に接地電位を基準として正の電圧を印加
すると、スイッチ素子６１のゲート電極には正の電圧が
印加され、スイッチ素子８２のゲート電極には、インバ
ータ８８を介しているため。

接地電圧がそれぞれ印加される。従って、両スイッチ素
子６１及び６２は共に、オン状態となる。

次に、相補型ＭＯＳスイッチをオフさせるには、ゲート
制御端子に接地電圧を印加すると、スイッチ素子６１の
ゲート電極は接地電圧が、スイッチ素子θ２のゲート電
極にはインバータ６Ｂを介して正の電圧がそれぞれ印加
され、両スイッチ素子６１及び８２は共にオフ状態とな
る。

このように、相補型ＭＯＳスイッチはＮチャネルＭＯＳ
スイッチ素子Ｇ１と、ＰチャネルＭＯＳスイッチ素子Ｂ
２とが互いに逆位相のゲート信号によりオン／オフされ
るため、ゲート・ドレイン容量に起因する雑音が画素子
６１及び６２とでは逆方向に生ずる。従って、これら両
スイッチ素子６１及び６２で生ずる雑音同志がある程度
相殺し合うので、相補型ＭＯＳスイッチ自身で、完全で
はないが雑音を抑圧することが出来る。

画　１′″　センサのＪ　の雷 次に、第４図を参照して第１図の画像読取センサの動作
につき説明する。

第４図（Ａ）はシフトレジスタ５３のクロック入力端子
５３ａに入力するシフトクロックパルス７０、（Ｂ）は
信号共通線５６に受光素子４１から得られる受光パルス
７１、ＣＣ）はダミー共通線５７におけるダミーパルス
７２及び（Ｄ）は差動増幅器５９の出力端子６゜に生ず
る読取信号パルスである。

今、シフトレジスタ５３のクロック入力端子５３ａにシ
フトクロックパルス７０を入力すると、シフトレジスタ
５３の各出力から順次に各スイッチ対を駆動する信号が
出る０例えば、このシフトクロックパルス７０の一番目
のパルス７０ａによって、信号スイッチ５１の第−及び
第二スイッチ素子５１ａ、５１ｂと、ダミースイッチ５
２の第−及び第二スイッチ素子５２ａ、５２ｂとをそれ
ぞれオンとする信号がシフトレジスタ５３から出力され
る。この信号によって、信号スイッチ５１の第−及び第
二スイッチ素子５１ａ及５１ｂと、ダミースイッチ５２
の第−及び第二スイッチ素子５２ａ及び５２ｂとが同時
にオンとなる。

この時、信号共通線５Ｇには第４図（Ｂ）に示すような
波形の受光パルス７１ａが発生し、ダミー共通線５７に
は第４図（Ｃ）に示すような波形のダミーパルス７２が
発生する。ところでこの受光パルス７１ａは、受光素子
４１が受光した光量に応じて減少した蓄積電荷を充電す
る電流信号からなる光信号と、信号スイッチ５１のオン
／オフ時に発生するスイッチ雑音とが重畳されたもので
ある。一方、ダミースイッチ５２の第−及び第二スイッ
チ素子５２ａ及び５２ｂの第二端子２を開放しであるの
で、ダミー共通線５７に生ずるダミーパルスは＄４図Ｃ
Ｃ）に示すような波形７２となり、このダミーパルス７
２はダミースイッチ５２のスイッチ雑音のみである。

このよう・に、信号共通線５６の受光パルス７１と、ダ
ミー共通線５７のダミーパルス７２は、信号スイッチ５
１及びダミースイッチ５２のオン／オフにより同時に発
生するので、これら受光パルス７１及びダミーパルス７
２を差動増幅器５８に入力させてその差動信号を出力さ
せると、受光パルス７１ａのスイッチ雑音成分がダミー
パルス７２ａによって相殺されることとなり、従って、
差動増幅器５９の出力端子８０に第４図（ｆ））に示す
ような波形の読取信号パルス７３ａが得られる。この読
取信号パルス７３ａは受光パルス７１ａの光信号成分と
等価である。

尚、上述した実施例では等倍型画像読取装置につき説明
したが、この発明はこれに限定されるものではなく、光
学系によって画像を縮小又は拡大して読取る装置にも適
用することが出来ることはいうまでもない。

さらに、受光素子をアモルファスシリコンを主材とする
非晶質半導体材料から成る素子の例につき説明したが、
これに限定されるものではない。

また、この発明の画像読取装置の構成を、この発明の範
囲を逸脱することなく、設計に応じて適当に変更又は変
形することが出来る。

（発明の効果） 上述した説明からも明らかなように、この発明の画像読
取装置は、その読取センサヘッドに受光素子と、これと
直列に接続され相補型ＭＯＳスイッチで構成された信号
スイッチと、この信号スイッチと対を形成し相補型ＭＯ
Ｓス・インチで構成されたダミースイッチと、これら両
スイッチを対にして順次に駆動するシフトレジスタとを
設け、さらにこの読取センサヘッドからの受光パルス及
びダミーパルスの差動を取って読取信号を得る差動増幅
器とを具える構造となっている。

従って、相補型ＭＯＳスイッチで構成され同時に駆動さ
れる信号スイッチ自身の作用により、スイッチ雑音を少
なくとも部分的に抑制出来ると共に、この信号スイッチ
を経て得られる受光パルスと、信号スイッチと対を形成
しかつ同時の差動されるダミースイッチからのダミーパ
ルスとの差動出力を得ることにより、スイッチ雑音を低
減又は除去することが出来る。

さらに、この発明の画像読取装置では、受光素子、信号
スイッチ、ダミースイッチ、シフトレジスタ等を含む読
取センサヘー２ドの集積回路化が容易であり、さらに、
簡単な増幅回路で大きなＳＺＮ比が得られる。

従って、この発明の装置を簡便で、小型かつ薄型の構造
とすることが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の画像読取装置の一部分を構成する読
取センサの一実施例を示すブロック線図、 第２図はこの発明の装置の受光部に用いる受光素子の一
例を示す断面図、 第３図はこの発明の構成に用いる相補型ＭＯＳスイッチ
の説明図、 第４図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の装置の動作の説明に
供する出力波形図、 第５図はこの発明及び従来の等倍画像読取装置を示す概
要図、 第６図は従来の等倍画像読取装置の読取センサを示す構
成図、 第７図（Ａ）〜（Ｄ）は従来の読取センサの動作の説明
に供する出力波形図である。 １１・・・画像、　　　　　　１２・・・光源１３・・
・集束性ロッドレンズアレイ １４．４１・・・受光素子、　　１５・・・画像読取セ
ンサ４２・・・透明基板、　　　　４３・・・透明電極
４４・・・受光層、　　　　　４５・・・絶縁層４６・
・・第一電極、　　　　４７・・・第二電極５０・・・
読取センサヘッド、５１・・・信号スイーＩチ５１ａ、
５２ａ・・・第一スイッチ素子５１ｂ、５２ｂ・・・第
二スイッチ素子５２・・・ダミースイッチ、　５３・・
・シフトレジスタ５３ａ・・・クロック入力端子 ５４・・・バイアス共通線、　５５・・・バイアス電源
５６・・・信号共通線　、　　５７・・・ダミー共通線
５８．８Ｂ・・・インバータ、５９・・・差動増幅器６
０・・・出力端子 ６１・・・ＮチャネルＭＯＳスイッチ素子θ２・・・Ｐ
チャネルＭＯＳスイッチ素子６３・・・ソース電極、　
　　６４・・・ドレイン電極、Ｂ５・・・ゲート電極 ７０・・・シフトクロックパルス ７１・・・受光パルス、　　　７２・・・ダミーパルス
７３・・・読取信号パルス。 特許出願人　　　　沖電気工業株式会社Ｉ ｆｆか　　　　５０５４ ５０：読取乞ン寸へ１ド　　　　　ｆ４：バイアスｊＡ
盈締５１：纏号スイ・ｙ−？　　　　　　　　　ｆｆ。 ハ゛イ了ス電オ、５ｆＬ５２ａ　：＄−スイ、７ｆ禾−
ｆ　　　　５６：４Ｖｋ％ＪＬＭｋ５ｆｌ）、ｊ２ν：
葛ニス４１チ禾チ　　　５７　ダミー共連線ｊ２：５ｒ
ミースイプチ　　　　　　ｊδ゛インパーク５３ニジ７
トしシ゛スタ　　　　　　　Ｒ：舞ｔ１７４幅蓼５３ｄ
：クロー１７ムカ塙子　　　　６θ゛出力堝チ睦取恒シ
τの１０−ｌり林ｌ 第１図 ４３′清明を極 ４４：受九層　　　　　　β：紐琲層 ４６；第−噴１軛　　　　　　４７°寥二ｔ＆第２図 ａ相゛型ＭＯ５スイッチの説明国 第３図 出　７７　　港＠　困 第４図 ェエエエエエよエエエエエエエエコ〜）１“）午４型原
塙鏝耳丈殻！の刊先専胆 第５図 梗央の続取乞ンザの講哉圓 第６図 吊刀濃形圓 第７＠

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）バイアス電圧が印加される複数の受光素子と、 これら受光素子にそれぞれ個別に接続された第一端子及
   び信号共通線にそれぞれ共通接続された第二端子を有し
   、相補型ＭＯＳスイッチで構成された複数の信号スイッ
   チと、 ダミー共通線にそれぞれ共通接続された第一端子及び開
   放状態にされた第二端子を有し、該信号スイッチとそれ
   ぞれ対を形成するように接続され及び相補型ＭＯＳスイ
   ッチで構成されたダミースイッチと、 前記信号スイッチとダミースイッチとのスイッチ対に駆
   動信号を供給しこれらスイッチ対を順次に駆動するため
   のシフトレジスタと、 前記信号共通線及びダミー共通線が接続された差動増幅
   器と を具えることを特徴とする画像読取装置。
2. （２）受光素子のアノードを負のバイアス共通線に接続
   し、 受光素子のカソードを信号スイッチの第一端子に接続し
   、 該信号スイッチの第一制御端子及びダミースイッチの第
   一制御端子を互いに接続すると共にシフトレジスタに接
   続し、 該信号スイッチの第二制御端子及び前記ダミースイッチ
   の第二制御端子を互いに接続すると共にインバータを介
   してこれら第一制御端子に接続して成る ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像読取
   装置。
3. （３）受光素子をアモルファスシリコンを主材とする非
   晶質半導体材料から成ることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項又は第２項記載の画像読取装置。