JP6378573B2 - 放射線撮像装置及び放射線撮像システム - Google Patents
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Description
先ず、本発明の実施形態1について説明する。図1は本実施形態に係る放射線検出装置の回路構成を示す等価回路図である。本実施形態における放射線検出装置は、支持基板上に行列状に画素が配置された画素エリア101と、読出し回路102、情報処理部103、ゲート駆動回路104、電源回路105から構成される。図1には、画素エリア101に5行5列の画素が設けられている例を示すが、その数はこれに限定されるものではない。
P’=P+Q×(Cp/(C1+Cp))=P+P×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
以上のように、画素2で発生する撮像用光電変換素子によるクロストークの影響を表すことができる。以上の考え方に基づいて、図2中のブロックA,B、Cからなる1つのユニットについて生じるクロストーク量について考える。ここで各ブロックA、B、C内での放射線の照射は一様に行われていると考える。各信号の値について以下のように定義する。
A:ブロックA内の検知用光電変換素子から得られる信号。
A’:ブロックA内の検知用光電変換素子から得られるクロストーク込みの信号。
B:ブロックB内の検知用光電変換素子から得られる信号。
B’:ブロックB内の検知用光電変換素子から得られるクロストーク込みの信号。
C:ブロックC内の検知用光電変換素子から得られる信号。
C’:ブロックC内の検知用光電変換素子から得られるクロストーク込みの信号。
NA:ブロックA中の画素107の数。
NA’:ブロックA中の画素107と同一列に配置された画素108の数。
NB:ブロックB中の画素107の数。
NB’:ブロックB中の、ブロックAの画素107と同一列に配置された画素108の数。
NC:ブロックC中の画素107の数。
NC’:ブロックC中の、ブロックAの画素107と同一列に配置された画素108の画素数。
Cd:放射線検知用光電変換素子の共通電極と個別電極との間の容量。
C1:画素107の撮像用光電変換素子の共通電極と個別電極との間の容量。
Cp:画素107の撮像用光電変換素子の個別電極と検知信号線との間の寄生容量。
C2:画素108の撮像用光電変換素子の共通電極と個別電極との間の容量。
Cp2:画素108の撮像用光電変換素子の共通電極と検知信号線との間の寄生容量。
ここで、各ブロック内は一様な放射線が入射すると仮定すると、クロストーク込みの信号A’〜C’を用いて、クロストークの影響がない信号A〜Cを計算から見積もることが可能となる。
A×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
となり、ブロックA内の画素108の撮像用光電変換素子と検知信号線との寄生容量(Cp2)から発生するクロストークの量は、
A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
となる。
A’=A+A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+A×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NC’/NC)
B’=A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+B+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+B×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NC’/NC)
C’=A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+C+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NC’/NC)
+C×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
上式は、撮像用光電変換素子に接続されたTFT202がオフのとき、信号を読み出さない画素で発生する信号が個別電極と検知信号線との間の寄生容量(具体的にはCp、Cp2)に起因して発生するクロストークを含む式である。
次に、本発明の実施形態2について説明する。なお、実施形態1と重複する部分に関しては、説明を省略する。図8は本発明の実施形態2に係る放射線検出装置の回路構成を示す等価回路図である。実施形態1では検知用光電変換素子206はTFT208を介して検知信号線112と接続されていたが、実施形態2では検知用光電変換素子206はTFT208を介して列信号線111と接続されている。つまり列信号線が検知信号線を兼ねている。また、画素108について、実施形態1では画素107の検知信号線が画素内に引き回されていたが、実施形態2では、検知信号線は存在しない為、画素106と画素108の内部の構成は同様の構成になる。したがって、本実施形態における画素106は、画素107の検知用光電変換素子が接続されていない列信号線111と接続された画素のことをいうものとする。画素106の構成は実施形態1と同様である。また、本実施形態における画素108は、画素107の検知用光電変換素子が少なくとも一つ以上接続された列信号線111と接続された画素のことをいうものとする。結局、本実施形態の画素108の構成は画素106と同様になっている。また、図8には、画素エリア101に5行5列の画素が設けられている例を示すが、その数はこれに限定されるものではない。
A×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
となり、ブロックA内の画素108の撮像用光電変換素子と検知信号線の寄生容量(Cp2)から発生するクロストーク量は、
A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
となる。また、ブロックAを読み出している際に、ブロックB、ブロックCの画素107の検知用光電変換素子に接続されているTFTはオフであるから、個別電極と検知信号線の寄生容量(Cp3)に起因するクロストークは、
B×(Cp3/(Cd+Cp3))
C×(Cp3/(Cd+Cp3))
となる。
A’=A+A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+A×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+B×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+B×(Cp3/(Cd+Cp3))
+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NC’/NC)
+C×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+C×(Cp3/(Cd+Cp3))
B’=A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+A×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+A×(Cp3/(Cd+Cp3))
+B+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+B×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NC’/NC)
+C×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+C×(Cp3/(Cd+Cp3))
C’=A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+A×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+A×(Cp3/(Cd+Cp3))
+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+B×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
+B×(Cp3/(Cd+Cp3))
+C+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NC’/NC)
+C×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
となる。実施形態1と同様、上式は、信号を読み出さない画素の光電変換素子の個別電極と検知信号線との間の容量(具体的にはCp、Cp2、Cp3)に起因するクロストークを含む式である。演算処理部117で上式の連立方程式を解くことにより、放射線検知用光電変換素子からの信号を取得する事が可能である。その結果、定量的な放射線照射量の測定が可能になる。
次に、本発明の実施形態3について説明する。図13は本実施形態における放射線検出装置の等価回路図である。本実施形態では、画素107の検知用光電変換素子がTFTを介さずに検知信号線112と接続されている。また、情報処理部103で画素エリア101のどこに放射線が照射されたか判定する照射領域の判定を行う。
A’=A+A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+A×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
B’=A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+B+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+B×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
C’=A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+C+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NC’/NC)
+C×(C1/Cd)×(Cp/(C1+Cp))
上式で、本実施形態ではブロックAでの信号A=0とできるので、演算処理部ではブロックBの信号B’、ブロックCの信号C’のみを考えればよい。演算処理の負荷が減ることで、放射線照射量測定時の一連の動作を高速化するのに有利である。
次に、本発明の実施形態4について説明する。なお、実施形態1と重複する箇所については、説明を省略する。図17は、本実施形態における放射線検出装置の等価回路図である。本実施形態は、実施形態1に対して、図17に示すように、画素が配置される部分に撮像用光電変換素子を含まない検知素子120を配置している。検知素子120は検知用光電変換素子とTFTの組み合わせになっている。
A’=A+A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×((NA’)/NA)
+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NC’/NC)
B’=A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+B+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×((NB’)/NB)
+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NC’/NC)
C’=A×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NA’/NA)
+B×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×(NB’/NB)
+C+C×(C2/Cd)×(Cp2/(C2+Cp2))×((NC’)/NC)
上の式から他の実施形態のようにして各ブロックA、B、Cの検知信号の値を求めることができる。
次に、図19を用いて、本発明の放射線撮像装置を用いた放射線撮像システムを説明する。放射線源であるX線チューブ6050で発生したX線6060は、患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、放射線検出装置6040に含まれる本願発明の放射線撮像装置の光電変換部に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に応じて光電変換部により放射線を電荷に変換して、電気的情報を得る。この情報はデジタルデータに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ6080で観察できる。
Claims (13)
- 放射線に応じた撮像信号を生成するための変換素子と、放射線を検知するための検知素子と、前記検知素子が接続された検知信号線と、処理部と、を含む放射線撮像装置であって、
前記処理部は、前記放射線が曝射されている期間に、前記放射線の照射の開始の検出、及び、前記放射線の照射量の積算量の測定、の少なくとも一方を行うために前記検知素子からの信号に対する算出を行い、
前記算出は、前記検知信号線から提供される信号と、前記変換素子の容量と、前記変換素子と前記検知信号線との間の寄生容量と、前記検知素子の容量と、に基づいて行われることを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記算出は更に、前記検知信号線に接続される前記検知素子の数と、前記検知信号線との間に前記寄生容量を生じる前記変換素子の数と、に基づくことを特徴とする請求項1記載の放射線撮像装置。
- 前記変換素子と列信号線との間に接続されたスイッチ素子を更に含み、
前記列信号線が前記検知信号線を兼ねることを特徴とする請求項1または2に記載の放射線撮像装置。 - 前記変換素子と前記検知素子とを含むブロックが前記検知信号線に沿って一列に配置されたユニットのうち放射線の照射野に含まれていないブロックの検知素子からの信号は、前記算出には使われないことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記変換素子と前記検知素子とを含むブロックが前記検知信号線に沿って一列に配置されたユニットが、前記ブロックの列と直交する方向に配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記検知素子を含む第1画素と、前記検知素子を含まずに前記変換素子を含む第2画素と、を含む複数の画素が行列状に配列された画素アレイを含み、
前記検知信号線は前記複数の画素の列に沿って配置されている請求項1乃至5のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。 - 前記第2画素は、前記列に沿って配置された列信号線と前記変換素子との間に接続されたスイッチ素子を更に含み、
前記列信号線が前記検知信号線としても動作する、請求項6に記載の放射線撮像装置。 - 前記第2画素は、前記検知信号線とは別に前記列に沿って配置された列信号線と前記変換素子との間に接続されたスイッチ素子を更に含み、
前記検知信号線は、複数の前記列信号線の間に配置される請求項6に記載の放射線撮像装置。 - 前記第1画素は、前記変換素子と、前記変換素子と前記列信号線との間に接続されたスイッチ素子を更に含む請求項7又は8に記載の放射線撮像装置。
- 前記第1画素は、前記検知信号線と前記検知素子との間に接続されたスイッチ素子を更に含む請求項6乃至9のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記処理部は、前記変換素子の容量、前記検知素子の容量、及び、前記寄生容量の容量情報を蓄積する第1蓄積部と、前記検知信号線から提供される信号の情報を蓄積する第2蓄積部と、前記第1蓄積部及び前記第2蓄積部と接続して前記算出のための演算処理を行う演算処理部と、を含む請求項1乃至10のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
- 放射線を発生する放射線源と、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の放射線撮像装置と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。 - 前記処理部からの制御信号により前記放射線源を制御することを特徴とする請求項12に記載の放射線撮像システム。
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