JP2023119569A - 放射線撮像装置、および、放射線撮像システム - Google Patents

Abstract

【課題】読出回路の回路規模を削減しつつ、照射情報の検出精度の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】複数の駆動線を介して複数の画素を制御する駆動回路と前記複数の画素で生成された信号を複数の列信号線を介して読み出す読出回路と前記読出回路によって読み出された信号に基づいて放射線の照射情報を検出する検出回路とを含み、前記複数の列信号線のそれぞれは行方向に互いに隣り合う２つの画素列に配された画素に接続され、前記複数の画素は放射線に対する感度が互いに異なる第１画素と第２画素とを含み、前記第１画素と前記第２画素とは共通の列信号線に接続されかつ互いに異なる駆動線にそれぞれ接続され、前記照射情報を検出する際に、前記駆動回路は前記第１画素と前記第２画素とを互いに異なるタイミングで駆動し、前記検出回路は前記第１画素から出力される信号と前記第２画素から出力される信号とに基づいて前記照射情報を検出する。【選択図】図１

Description

本発明は、放射線撮像装置、および、放射線撮像システムに関する。

入射する放射線を電気信号に変化する複数の画素が２次元行列状に配されたセンサ基板に、画素を駆動し信号を読み出すための駆動回路や読出回路を接続した平面検出器（ＦＰＤ）を用いた放射線撮像装置が広く使用されている。読出回路は、アナログ増幅器やアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換器などが高密度に集積されるため高価であり、放射線撮像装置の部材コストにおいて大きな割合を占める。特許文献１には、互いに隣り合う２つの画素間で信号を出力する信号線を共有させ、信号線に接続される読出回路の回路規模を削減できることが示されている。

特開２０２１－０７８０５０号公報

放射線撮像装置の多機能化として、放射線撮像装置に入射する放射線の照射情報を検出することによって、放射線の照射の開始や終了を検出することや、入射した放射線量を検出し自動露出制御（ＡＥＣ）を行うことが挙げられる。放射線の照射や放射線量を高精度に検出するためには、放射線の照射情報を高精度に検出する必要がある。

本発明は、読出回路の回路規模を削減しつつ、照射情報の検出精度の向上に有利な技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る放射線撮像装置は、複数の行および複数の列を構成するように配された複数の画素と、行方向に延在する複数の駆動線を介して前記複数の画素を制御する駆動回路と、前記複数の画素で生成された信号を複数の列信号線を介して読み出す読出回路と、前記読出回路によって読み出された信号に基づいて、放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出する検出回路と、を含む放射線撮像装置であって、前記複数の列信号線のそれぞれは、前記複数の画素のうち行方向に互いに隣り合う２つの画素列に配された画素に接続され、前記複数の画素は、放射線に対する感度が互いに異なる第１画素と第２画素とを含み、前記第１画素と前記第２画素とは、前記複数の列信号線のうち共通の列信号線に接続され、かつ、前記複数の駆動線のうち互いに異なる駆動線にそれぞれ接続され、前記照射情報を検出する際に、前記駆動回路は、前記第１画素と前記第２画素とを互いに異なるタイミングで駆動し、前記検出回路は、前記第１画素から出力される信号と、前記第２画素から出力される信号と、に基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする。

本発明によれば、読出回路の回路規模を削減しつつ、照射情報の検出精度の向上に有利な技術を提供することができる。

本実施形態の放射線撮像装置の構成例を示す図。 図１の放射線撮像装置の画素の構成例を示す図。 図１の放射線撮像装置の動作例を示すタイミング図。 図１の放射線撮像装置の変形例を示す図。 図４の放射線撮像装置の動作例を示すタイミング図。 図４の放射線撮像装置の補正例を示す図。 図１、４の放射線撮像装置を用いた放射線撮像システムの構成例を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

また、本発明における放射線には、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども含みうる。

図１（ａ）～図７を参照して、本開示の実施形態による放射線撮像装置について説明する。図１（ａ）は、本開示の一部の実施形態の放射線撮像装置１００の構成例を示す等価回路図である。放射線撮像装置１００は、複数の行および複数の列を構成するように配された複数の画素１、駆動回路１０、読出回路１２、検出回路１３、電源回路１１を含む。以下、複数の画素１のうち特定の画素を示す場合、画素１「ａ」のように、参照番号の後に添え字する。特に区別しない場合は、単に「画素１」と表記する。他の構成要素についても同様である。

駆動回路１０は、行方向（図１（ａ）において横方向）に延在する複数の駆動線６を介して複数の画素１を制御する。駆動回路１０は、シフト回路などを含み、制御回路（不図示）から転送される開始信号やクロック信号などに応じて、複数の駆動線６を介して、順番に複数の画素１のそれぞれから信号を出力させる。

読出回路１２は、複数の画素１で生成された信号を複数の列信号線３を介して読み出す。より具体的には、駆動回路１０によって駆動線６を介して駆動された画素１の信号が、読出回路１２によって読み出される。読出回路１２は、増幅回路９、マルチプレクサＭＵＸ、アナログデジタル変換回路ＡＤＣを含む。読出回路１２は、画素１で生成された信号をアナログデジタル変換し、画素１で生成されたアナログ信号に応じたデジタル信号を順番に検出回路１３に転送する。本実施形態において、複数の列信号線３のそれぞれは、複数の画素１のうち行方向に互いに隣り合う２つの画素列に配された画素１に接続される。２つの画素列によって１つの列信号線３を共有することによって、読出回路１２の増幅回路９の数やマルチプレクサＭＵＸの回路規模が抑制される。結果として、放射線撮像装置１００において、読出回路１２の回路規模を削減することができる。

検出回路１３は、読出回路１２によって読み出された信号に基づいて、放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出する。放射線画像とは別の放射線の照射情報とは、放射線の照射開始や照射終了の情報、入射する放射線の線量の情報でありうる。検出回路１３が放射線の照射情報を検出することによって、放射線撮像装置１００は、自動露出制御（ＡＥＣ）機能を内蔵することが可能になる。照射情報の検出は、例えば、検出回路１３の演算回路２によって実施されうる。演算回路２は、例えば、ＣＰＵなどのプロセッサを含み構成されてもよい。演算部１０８のプロセッサが、ＲＡＭやＲＯＭなどの記憶回路７に格納されたプログラムを実行することによって、検出回路１３の動作が実行されうる。演算回路２は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）などの専用回路で構成されてもよい。また、検出回路１３は、複数の画素１から出力される信号に基づいて、放射線画像用のデータを生成してもよい。放射線画像用データは、放射線撮像装置１００の外部のモニタなどに転送され、モニタにおいて撮像された放射線画像として表示されうる。

電源回路１１は、放射線撮像装置１００内の駆動回路１０、読出回路１２、検出回路１３など各構成要素に電源を供給する。また、電源回路１１は、バイアス線８を介して画素１に、入射した放射線を画素１が電荷信号に変換するためのバイアス電圧を供給する。

図１（ａ）に示される構成において、４行×６列の画素１が示されている。しかしながら、これに限られることはなく、より多数の画素１が、放射線撮像装置１００に配されうる。複数の画素１は、検出回路１３が放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出するための画素１ａと画素１ｂとを含む。画素１ａと画素１ｂとは、放射線に対する感度が互いに異なっている。ここでは、画素１ａは、画素１ｂよりも放射線に対する感度が高いとして説明する。画素１ａと画素１ｂとは、複数の列信号線３のうち共通の列信号線３ａに接続され、かつ、複数の駆動線６のうち互いに異なる駆動線６ａ、６ｂにそれぞれ接続されている。詳細は後述するが、検出回路１３は、画素１ａから出力される信号と画素１ｂから出力される信号とに基づいて、例えばＡＥＣを実施するために、放射線の照射開始や照射終了、入射した放射線の線量の情報など、放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出する。

それぞれの画素１は、図１（ａ）に示されるように、放射線を電荷に変換するための変換素子２０と、変換された電荷に応じた信号を列信号線３に出力するためのスイッチ素子２１と、を含む。列信号線３は、画素１の変換素子２０の近傍に配されうる。このため、列信号線３と変換素子２０の電極との間で無視できない寄生容量が形成され、画素１の変換素子２０の電荷が、寄生容量を介して列信号線３に伝達されるクロストークが発生する。

画素１ａから照射情報を得るための信号を読み出す際に、入射した放射線によって画素１の変換素子２０の電極に電荷が蓄積され、寄生容量を介して列信号線３ａにクロストークに起因する信号が伝達される。同様に、画素１ｂから照射情報を得るための信号を読み出す際に、寄生容量を介して列信号線３ａにクロストークに起因する信号が伝達される。この２つのクロストークに起因する信号は同じ列信号線３ａに対する信号のため、略同量である。したがって、画素１ａから出力される信号と画素１ｂから出力される信号との差分を取ることによって、画素１ａから出力された信号のクロストークに起因する成分を抑制することが可能になる。つまり、検出回路１３が照射情報を検出する精度が向上する。結果として、放射線撮像装置１００において、ＡＥＣなど照射情報を用いて実施される機能の精度が向上する。

また、画素１から読み出される信号には、読出回路１２内の増幅回路９などに配されるトランジスタなどの各素子に起因するオフセット成分が含まれうる。このオフセット成分は、駆動中の温度変化や使用環境によって特性が変化しうる。一方、検出回路１３が照射情報を検出するための画素１ａ、１ｂは、同じ列信号線３ａから信号を読み出すため、画素１ａから出力される信号と画素１ｂから出力される信号との差分を取ることによって、オフセット成分の影響を軽減できる。したがって、検出回路１３がＡＥＣ機能に用いる照射情報を検出する精度が向上し、結果として、放射線撮像装置１００において、ＡＥＣなど照射情報を用いて実施される機能の精度が向上する。

図１（ａ）に示される構成において、複数の画素１のうち行方向に互いに隣り合い、かつ、共通の列信号線３に接続された２つの画素１が、共通の列信号線３を挟んで点対称の構成を備えている（図２（ａ）により詳細が示されている）。対称軸は、例えば、２つの画素１の変換素子２０が備える電極（例えば、後述の電極１１１または電極１１５）の幾何学的重心位置を結ぶ線と列信号線３の列方向（図１（ａ）において縦方向）の中心線との交点であってもよい。本実施形態において、図１（ａ）に示されるように、照射情報を検出するための画素１ａと画素１ｂとは、同じ行に配され、共通の列信号線３ａを挟んで点対称の関係になっている。したがって、スイッチ素子２１を作製する際にアライメントずれなどが発生した場合、画素１ａから出力される信号と画素１ｂから出力される信号とのオフセット成分が異なる可能性がある。その場合、放射線を照射せずに得られたオフセットデータを記憶回路７などに予め記憶させておくことによって、アライメントずれに起因するオフセット成分を低減することができる。

放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出するための画素１ａと画素１ｂとは、共通の列信号線３ａに接続されていれば、必ずしも行方向に互いに隣り合う必要はない。例えば、図１（ｂ）に示されるように、画素１ａと画素１ｂとが、同じ列に配されていてもよい。図１（ｂ）に示される構成を備える場合、図１（ａ）に示される画素１ａと画素１ｂとが点対称の構成を備える場合と比較して、アライメントずれに起因するオフセット成分が略同じになる。したがって、画素１ａから出力される信号と画素１ｂから出力される信号との差分を取得するだけで、アライメントずれに起因するオフセット成分の影響が抑制できる。

また、例えば、図１（ｃ）に示されるように、画素１ａと画素１ｂとが、互いに異なる行、かつ、互いに異なる列に配されていてもよい。このように、照射情報を検出するための画素１ａ、１ｂの配置については、本実施形態に制限されるものではなく、画素１ａ、１ｂの数や位置を変更してもよい。例えば、特定の行に一定間隔で画素１ａと画素１ｂとの組合せを配してもよい。

画素１ａ、１ｂが配される画素行（以下、ＡＥＣ行と示す場合がある）は、放射線画像用に用いる画素１が他の画素行と比較して少なくなる。放射線画像を生成する際に、画素１ａ、１ｂの画像用の信号は、ＡＥＣ行の周辺の画素１の出力値を用いて補正または補間する必要がある。また、ＡＥＣ行に配された画素１は、画素１ａ、１ｂとともに放射線の照射中に繰り返し信号が読み出されるため、ＡＥＣ行に配された画素１についても、ＡＥＣ行の周辺の画素１の出力値を用いて補正または補間を必要とする場合がある。つまり、複数の画素１のうち画素１ａおよび画素１ｂが配された画素行以外に配された画素１から出力される信号に基づいて、放射線画像が生成される可能性がある。図１（ａ）に示される構成では、画素１ａ、１ｂの配置に対応して、ＡＥＣ行が１行であるのに対して、図１（ｂ）、１（ｃ）に示される構成では、ＡＥＣ行が２行になる。したがって、図１（ａ）に示される構造の方が、補正または補間が必要になるＡＥＣ行が１行になるため、放射線画像を生成する際の補正精度は高くなる。

また、図１（ａ）に示される構成において、画素１ａと画素１ｂは、互いに隣り合うように配されているため、入射する放射線の線量は、略同量になる。そのため、上述のクロストーク量も略同じになるため、画素１ａ、１ｂから出力される信号に重畳されるクロストークに起因する信号を精度よく抑制できる。例えば、図１（ｂ）、１（ｃ）に示される配置である場合、画素１ａが配された画素行と画素１ｂが配された画素行との間に配される画素行が、１０行以下であってもよいし、５行以下であってもよい。さらに、画素１ａと画素１ｂとが、互いに隣り合う行に配されていてもよい。

図２（ａ）は、本実施形態における画素１ａと画素１ｂの構成例を示す平面図である。図２（ｂ）、２（ｃ）は、それぞれ図２（ａ）のＡ－Ａ’間およびＢ－Ｂ’間の断面図である。複数の画素１のうち画素１ａ、１ｂ以外の画素は、画素１ａと同様の構造を備えうる。図２（ａ）に示される構成において、行方向に互いに隣り合い、かつ、共通の列信号線３ａに接続された２つの画素１ａ、１ｂが、共通の列信号線３ａを挟んで点対称の構成を備えている。しかしながら、これに限られることはなく、例えば、画素１ａ、１ｂが、共通の列信号線３ａを挟んで線対称の構成を備えていてもよい。画素１ａ、１ｂを線対称の関係にするために、例えば、スイッチ素子２１が列方向の中央に配されていてもよい。行方向に互いに隣り合い、かつ、共通の列信号線３に接続された他の画素１も同様である。この場合、対称軸は、列信号線３の列方向の中心線でありうる。

本実施形態において、図２（ｂ）、２（ｃ）の断面図のさらに上部には、入射した放射線に応じた光を生成するシンチレータ（不図示）が設けられている。シンチレータは、複数の画素１を覆うように配される。シンチレータで変換された光は、変換素子２０で電荷に変換されてスイッチ素子２１を介して列信号線３へ転送される。つまり、本実施形態の画素１は、放射線を変換素子２０で検出可能な光に変換するシンチレータを含む間接型の素子であるが、画素１に放射線を直接電荷に変換する直接型の変換素子２０が用いられてもよい。

画素１ａ、１ｂには、図２（ａ）～２（ｃ）に示されるように、変換素子２０、スイッチ素子２１、列信号線３ａや駆動線６ａ、６ｂ、バイアス線８などの配線パターンが配されている。変換素子２０には本実施形態においてｐｉｎダイオードが用いられ、変換素子２０は、電極１１１、不純物半導体層１１２、半導体層１１３、不純物半導体層１１４、電極１１５、保護層１１６を含む。スイッチ素子２１には本実施形態において薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられ、スイッチ素子２１は、制御電極１０１、主電極１０５（本実施形態においてソース電極）、主電極１０６（本実施形態においてドレイン電極）、絶縁層１０２、半導体層１０３、不純物半導体層１０４を含む。

変換素子２０の上部電極は、一定のバイアス電圧を印加するためのバイアス線８に接続されている。変換素子２０の電極１１１は、スイッチ素子２１の主電極１０６に接続されている。スイッチ素子２１の制御電極１０１は駆動線６ａ、６ｂに接続され、駆動線６ａ、６ｂに駆動回路１０から供給される信号によって、スイッチ素子２１の導通状態／非導通状態が制御される。スイッチ素子２１の主電極１０５は、列信号線３ａに接続され、スイッチ素子２１が導通状態になることによって、変換素子２０の電荷が、電気信号として列信号線３ａに転送される。

図２（ａ）～２（ｃ）に示される画素１ａと画素１ｂとの違いは、画素１ａには、遮光層２２が配されず、画素１ｂには、遮光層２２が配されることである。遮光層２２は、図２（ｃ）に示されるように、バイアス線８を用いて形成されている。遮光層２２は、変換素子２０が感度を有する、シンチレータで変換された光を遮光する役割を有する。したがって、画素１ｂとシンチレータとの間に遮光層２２が配されている。バイアス線８が、シンチレータが生成する光を遮光する金属などで形成されている場合、バイアス線８の幅を広げて画素１ｂの変換素子２０の全面を覆う。これによって、プロセス数を増やすことなく画素１ａよりも放射線に対する感度が低い画素１ｂが形成可能である。変換素子２０の全面を覆うのは、漏れ光を抑制するためである。しかしながら、これに限られることはなく、画素１ａと画素１ｂとの間で放射線に対する感度が異なるような構成であれば、いかなる構成であってもよい。例えば、遮光層２２が、バイアス線８とは別の金属層であってもよいし、画素１ｂの変換素子２０の一部が遮光層２２に覆われていなくてもよい。また、例えば、遮光層として着色された（例えば、黒色）樹脂が、画素１ｂの変換素子２０を覆うように、保護層１１６とシンチレータとの間に配されていてもよい。また、変換素子２０が直接型の変換素子である場合、画素１ｂの変換素子２０に放射線が入射し難くなるように、画素１ｂの変換素子２０が、鉛やタングステンなどを用いた遮蔽部材によって覆われていてもよい。

上述のように、変換素子２０の電極１１１と列信号線３（主電極１０５）との間に、空間的に相互に結合される寄生容量が形成される。この寄生容量によって、変換素子２０の電極１１１と列信号線３とが容量結合して、クロストークが発生する。このクロストークに起因する信号は、列信号線３に接続される全ての画素１から書き込まれるため、膨大な信号量となる。その結果、列信号線３ａに接続される画素１ａから出力される信号を正しく読み出すことが難しくなる。

図３は、検出回路１３が放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出する際の放射線撮像装置１００の動作を示すタイミング図である。「Ｖｇ１」は、画素１ａを駆動するための駆動線６ａに入力される信号Ｖｇ１を示している。信号Ｖｇ１が活性化（Ｈ）されたとき、画素１ａのスイッチ素子２１が駆動し、導通状態になることによって、画素１ａから信号が読み出される。「Ｖｇ２」は、画素１ｂを駆動するための駆動線６ｂに入力される信号Ｖｇ２を示している。信号Ｖｇ２が活性化（Ｈ）されたとき、画素１ｂのスイッチ素子２１が駆動し、導通状態になることによって、画素１ｂから信号が読み出される。「ＳＨ」は、サンプルホールド動作を示し、信号ＳＨが活性化（Ｈ）されたとき、サンプルホールド動作が行われる。「ＲＥＳ」は、列信号線３や読出回路１２に配された各素子などに蓄積された電荷をリセットするリセット動作を示し、信号ＲＥＳが活性化（Ｈ）されたとき、リセット動作が行われる。「Ｏｔｐｕｔ１」は、読出回路１２によって画素１ａから読み出され、検出回路１３に転送された信号が示されている。「Ｏｕｔｐｕｔ２」は、読出回路１２によって画素１ｂから読み出され、検出回路１３に転送された信号が示されている。「Ｏｕｔ」は、画素１ａから出力された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ１と、画素１ｂから出力された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ２と、の差分（Ｏｕｔｐｕｔ１－Ｏｕｔｐｕｔ２）を示す信号である。信号Ｏｕｔは、信号Ｏｕｔｐｕｔ１、２を用いて、例えば、検出回路１３の演算回路２によって算出されうる。検出回路１３は、信号Ｏｕｔに基づいて放射線の照射情報を検出する。

放射線の照射が開始される前から、駆動回路１０は、信号Ｖｇ１および信号Ｖｇ２を順次、活性化し、画素１ａ、１ｂを駆動させている。これによって、検出回路１３は、放射線の照射開始を検出することが可能になる。放射線の照射開始前に画素１ａおよび画素１ｂが駆動されることによって出力される信号は、画素１ａおよび画素１ｂや読出回路１２に配されたトランジスタなどで発生するオフセット成分を含む。したがって、放射線が照射されていない場合、画素１ａから出力される信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ１と画素１ｂから出力される信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ２は略同量になり、差分出力である信号Ｏｕｔは略ゼロになる。

放射線の照射が開始されると、画素１ａには入射した放射線に応じた電荷が発生する。一方、画素１ｂは遮光されているため、放射線の照射開始前と同様に、オフセット成分に相当する電荷が発生する。駆動回路１０が信号Ｖｇ１と信号Ｖｇ２とを順に活性化することによって、読出回路１２は、画素１ａから読み出された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ１と画素１ｂから読み出された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ２とを順次、検出回路１３に転送する。検出回路１３は、信号Ｏｕｔｐｕｔ１と信号Ｏｕｔｐｕｔ２との差分である信号Ｏｕｔを取得する。信号Ｏｕｔは、上述のように、オフセット成分やクロストークに起因する信号が抑制されているため、検出回路１３は、信号Ｏｕｔから放射線の照射情報を高い精度で得ることができる。例えば、検出回路１３は、信号Ｏｕｔから放射線の照射開始を高精度で検出することが可能となる。

また、信号Ｏｕｔから入射する放射線の線量も高い精度で読み出すことが可能になり、検出回路１３は、積算線量を高精度に取得することも可能となる。これによって、放射線撮像装置１００は、ＡＥＣを高い精度で実施することが可能になる。放射線の照射中、画素１ａ、１ｂから信号を読み出す際に、列信号線３ａに発生するクロストークに起因する信号が、画素１ａ、１ｂからの出力される信号に重畳され、放射線が照射されていない場合よりも信号値は高くなる。しかしながら、画素１ａから出力される信号のうちクロストークの信号の量と画素１ｂから出力される信号のうちクロストークの信号の量とは、時間的にほぼ同期間で読み出されるためほぼ同量である。結果として、画素１ａから読み出された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ１から画素１ｂから読み出された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ２を減算することによって、画素１ａ、１ｂから読み出された信号に重畳されるクロストークの信号の影響を抑制することが可能になる。

放射線撮像装置１００において、放射線の照射開始やＡＥＣ制御などを実施した後に、検出回路１３は、照射情報を検出する制御を停止してもよい。例えば、ＡＥＣを実施する場合に、放射線撮像装置１００が、検出回路１３によって検出された照射情報から放射線の累積線量を予測し、放射線の停止タイミングを予測する。次いで、放射線撮像装置１００が、予測される停止タイミングの情報や放射線の照射停止を示す情報などを、放射線の線源を制御する制御装置に出力した段階で、検出回路１３は照射情報を検出する制御を停止してもよい。さらに続いて、駆動回路１０や読出回路１２において、放射線画像用の信号をそれぞれの画素１からの読み出すための動作準備が開始されてもよい。

このように、放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出する際に、駆動回路１０は、共通の列信号線３に接続された画素１ａと画素１ｂとを互いに異なるタイミングで駆動する。また、検出回路１３は、画素１ａから出力される信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ１と、画素１ｂから出力される信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ２と、に基づいて照射情報を検出する。これによって、読出回路１２の回路規模を抑制しつつ、画素１ａ、１ｂから出力される信号に重畳されるオフセットやクロストークの影響を抑制し、精度よく放射線の照射情報を得ることが可能になる。結果として、放射線撮像装置１００において、より高精度なＡＥＣなど制御の実施が可能になり、ユーザにとってより使い勝手がよい放射線撮像装置１００が実現する。

図４は、図１（ａ）に示される放射線撮像装置１００の変形例の放射線撮像装置１００’を示す等価回路図である。図４に示される放射線撮像装置１００’において、検出回路１３が放射線の照射情報を得るために使用される画素が、上述の画素１ａ、１ｂに加えて画素１ｃ、１ｄの４つの画素になっている。放射線撮像装置１００’は、検出回路１３が放射線の照射情報を得るために使用される画素の数が異なる以外、上述の放射線撮像装置１００と同様であってもよいため、以下、放射線撮像装置１００との違いを中心に説明し、放射線撮像装置１００と同様であってもよい構成などについては、適宜説明を省略する。

放射線撮像装置１００’において、画素１ｃと画素１ｄとは、放射線に対する感度が互いに異なっている。ここでは、画素１ｄは、画素１ｃよりも放射線に対する感度が低い、として説明する。例えば、画素１ｃは、上述の画素１ａと同様の構成を備え、画素１ｄは、上述の画素１ｂと同様の構成を備えていてもよい。例えば、画素１ａ、１ｃにおいて、シンチレータと変換素子２０との間に遮光層２２が配されず、画素１ｂ、１ｄにおいて、シンチレータと変換素子２０との間に遮光層２２が配されていてもよい。また、この場合、複数の画素１のうち画素１ａ～１ｄ以外の画素は、画素１ａ、１ｃと同様の構成を備えていていもよい。

画素１ｃと画素１ｄとは、複数の列信号線３のうち列信号線３ａとは異なる列信号線３ｂに接続され、かつ、複数の駆動線６のうち互いに異なる駆動線６ａ、６ｂにそれぞれ接続されている。図４に示される構成において、画素１ｄは、複数の駆動線６のうち画素１ａと同じ駆動線６ａに接続され、画素１ｃは、複数の駆動線６のうち画素１ｂと同じ駆動線６ｂに接続されている。しかしながら、これに限られることはなく、駆動回路１０が、画素１ｃと画素１ｄとを互いに異なるタイミングで駆動できればよい。一方、後述する動作に示されるように、時間分解能を向上させるために、駆動回路１０は、画素１ａと画素１ｄとを同じタイミングで駆動し、かつ、画素１ｂと画素１ｃとを同じタイミングで駆動できるように構成されていてもよい。しかしながら、これに限られることはなく、画素１ａ～１ｄは、それぞれ異なるタイミングで駆動されてもよい。画素１ａと画素１ｂとが、互いに異なるタイミングで信号を出力し、かつ、画素１ｃと画素１ｄとが、互いに異なるタイミングで信号を出力できれば、上述のように高い精度で放射線の照射情報を得ることができる。

図４に示される構成において、駆動線６ａを活性化すると、画素１ａと画素１ｄとから同時に読出回路１２に信号が転送される。また、駆動線６を活性化すると、画素１ｂと画素１ｃとから同時に読出回路１２に信号が転送される。このとき、画素１ａと画素１ｂとの組合せから出力される信号の差分と、画素１ｃと画素１ｄとの組合せから出力される信号の差分と、を交互に取得する。これによって、検出回路１３が放射線の照射情報を取得する時間分解能を、クロックレートを変化させることなく図３に示される動作の２倍にすることが可能になる。例えば、放射線の線源の出力が小さく、放射線の照射に応じた信号が徐々に大きくなるような場合、画素１ａからの信号の読み出し時と画素１ｂからの信号の読み出し時とで、タイミングは近接しているが同時ではないため、クロストークの量が異なり、照射情報の検出の精度が低下する可能性がある。この場合に、時間分解能を向上させることによって、照射情報の検出の精度の低下を抑制することが可能になる。

図５は、検出回路１３が放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出する際の放射線撮像装置１００の動作を示すタイミング図である。「Ｖｇ１」、「Ｖｇ２」、「ＳＨ」、「ＲＥＳ」は、図３と同様である。列信号線３ａの「Ｏｕｔｐｕｔ１」は、読出回路１２によって画素１ａから読み出され、検出回路１３に転送された信号であり、列信号線３ａの「Ｏｕｔｐｕｔ２」は、読出回路１２によって画素１ｂから読み出され、検出回路１３に転送された信号であり、図３の「Ｏｕｔｐｕｔ１」、「Ｏｕｔｐｕｔ２」と同様である。列信号線３ａの「Ｏｕｔ１－Ｏｕｔ２」は、画素１ａから出力された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ１と、画素１ｂから出力された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ２と、の差分（Ｏｕｔｐｕｔ１－Ｏｕｔｐｕｔ２）を示す信号である。列信号線３ｂの「Ｏｕｔｐｕｔ３」は、読出回路１２によって画素１ｄから読み出され、検出回路１３に転送された信号であり、列信号線３ｂの「Ｏｕｔｐｕｔ４」は、読出回路１２によって画素１ｃから読み出され、検出回路１３に転送された信号である。列信号線３ｂの「Ｏｕｔ４－Ｏｕｔ３」は、画素１ｃから出力された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ３と、画素１ｄから出力された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ４と、の差分（Ｏｕｔｐｕｔ４－Ｏｕｔｐｕｔ３）を示す信号である。「Ｏｕｔ」は、「Ｏｕｔ１－Ｏｕｔ２」と「Ｏｕｔ４－Ｏｕｔ３」とを重ね合わせた信号である。信号Ｏｕｔ１－Ｏｕｔ２、信号Ｏｕｔ４－Ｏｕｔ３、信号Ｏｕｔは、信号Ｏｕｔｐｕｔ１～４を用いて、例えば、検出回路１３の演算回路２によって算出されうる。検出回路１３は、信号Ｏｕｔから放射線の照射情報を検出する。

画素１ａ（画素１ｄ）と画素１ｂ（画素１ｃ）とは、トランジスタの配置が異なることや、露光機のアライメントずれなどによって、重なり容量や寄生容量が異なりうる。そのため、画素１ａ（画素１ｄ）と画素１ｂ（画素１ｃ）とのオフセット成分も異なる場合がある。その場合、信号Ｏｕｔ１―Ｏｕｔ２（信号Ｏｕｔ４－Ｏｕｔ３）ではオフセット成分の補正が不十分になり、高い精度で放射線の照射情報が検出できなくなる可能性がある。そのため、例えば、事前に放射線を照射せずに取得したオフセットデータが必要になる。しかし、信号Ｏｕｔ１－Ｏｕｔ２と信号Ｏｕｔ４－Ｏｕｔ３とを重ね合わせることによって、オフセット成分を高い精度で補正することが可能になる。

図６は、図４に示される画素１ａ～１ｄから出力された信号Ｏｕｔｐｕｔ１～４の演算および補正の一例を示す図である。画素１ａ（１ｃ）から出力される信号Ｏｕｔｐｕｔ１（４）は、放射線が照射されない場合、オフセットデータ１（４）が出力される。一方、信号Ｏｕｔｐｕｔ１（４）は、放射線が照射されている場合、オフセットデータ１（４）と放射線データとを加算した出力になる。画素１ｂ（１ｄ）は遮光されているため、画素１ｂ（１ｄ）から出力される信号Ｏｕｔｐｕｔ２（３）は、放射線に応じた電荷は発生せず、オフセットデータ２（３）の出力になる。

画素１ａと画素１ｄとは、図４に示される構成において、略同じようにアライメントずれが生じるため、遮光層を除き、金属層の重なりなどの配置は略同じになる。そのため、オフセットデータ１とオフセットデータ３との値は、略同じになる。画素１ｂと画素１ｃとのオフセットデータ２とオフセットデータ４とも、画素１ａと画素１ｄとの関係と同様に、値は略同じになる。図６に示されるように、オフセットデータ１（３）の方がオフセットデータ２（４）よりも大きい場合、信号Ｏｕｔ１－Ｏｕｔ２は、オフセットデータ１とオフセットデータ２との差分が放射線データに加算された出力になる。また、信号Ｏｕｔ４－Ｏｕｔ３は、オフセットデータ３とオフセットデータ４との差分が放射線データから減算された出力になる。しかしながら、信号Ｏｕｔ１－Ｏｕｔ２と信号Ｏｕｔ４－Ｏｕｔ３とを加算することによって、補正できなかったオフセットデータ１とオフセットデータ２との差分およびオフセットデータ３とオフセットデータ４との差分がキャンセルされ、画素１ａと画素１ｃとの放射線データが加算された情報を取得できる。結果として、高精度で放射線の照射情報を検出することができる。

画素１ａ（画素１ｄ）と画素１ｂ（画素１ｃ）とのオフセット成分の差分が補正できれば、信号Ｏｕｔの取得は、上述の演算および補正方法に限られるものではない。例えば、画素１ｃから出力された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ３と、画素１ｄから出力された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ４と、の差分として信号Ｏｕｔ３－Ｏｕｔ４（Ｏｕｔｐｕｔ３－Ｏｕｔｐｕｔ４）を取得する。その場合、信号Ｏｕｔ１－Ｏｕｔ２と、信号Ｏｕｔ３－Ｏｕｔ４と、の差分から画素１ａ（画素１ｄ）と画素１ｂ（画素１ｃ）とのオフセット成分の差分を、高精度に補正することができる。

２つの列信号線３ａ、３ｂに接続された画素１ａ、１ｂの組合せ、画素１ｃ、１ｄの組合せから出力される信号の差分を信号Ｏｕｔとして検出回路１３は取得する。このとき、感度が高い画素１ａと画素１ｃとから（感度が低い画素１ｂと画素１ｄとから）信号が、交互に読み出される。読出回路１２は、画素１ａ（画素１ｂ）から読み出された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ１（信号Ｏｕｔｐｕｔ２）と、画素１ｃ（画素１ｄ）から読み出された信号に応じた信号Ｏｕｔｐｕｔ３（信号Ｏｕｔｐｕｔ４）と、を交互に検出回路１３に転送する。これによって、検出回路１３は、信号Ｏｕｔ１－Ｏｕｔ２と信号Ｏｕｔ４－Ｏｕｔ３とを交互に得ることができる。結果として、図３に示される動作と比較して、同じクロックレートにおいて２倍の時間分解能で、検出回路１３が放射線の照射情報を検出するための信号Ｏｕｔを得ることが可能になる。これによって、読出回路１２の回路規模を抑制しつつ、画素１ａ～１ｄから出力される信号に重畳されるオフセットやクロストークの影響を抑制し、さらに時間分解能を向上させ高い精度で放射線の照射情報を得ることが可能になる。結果として、さらに高精度なＡＥＣなどの制御の実施が可能になり、ユーザにとってより使い勝手がよい放射線撮像装置１００’が実現する。

図４に示される構成において、画素１ａ～１ｄは、互いに隣り合う列信号線３ａ、３ｂに接続されている。しかしながら、これに限られることはなく、列信号線３ａと列信号線３ｂとの間に、１本以上の列信号線３が配されていてもよい。また、図４に示される構成において、画素１ａ～１ｄは、１つの画素行（ＡＥＣ行）に配されている。上述したように、複数の画素１のうち画素１ａ、画素１ｂ、画素１ｃ、画素１ｄが配された画素行以外に配された画素１から出力される信号に基づいて、放射線画像が生成される可能性がある。したがって、画素１ａ～画素１ｄが同じ画素行に配された方が、補正または補間するＡＥＣ行が少なくなるため、放射線画像を生成する際の補正精度は高くなる。しかしながら、これに限られることはなく、画素１ａ～１ｄが配される位置は、適宜、選択されればよい。画素１ｃ、１ｄが、図１（ｂ）、１（ｃ）を用いて説明した画素１ａ、１ｂと同様に、同じ列に配されていてもよし、互いに異なる行かつ互いに異なる列に配されていてもよい。また、画素１ａ～画素１ｄが、それぞれ異なる行に配されていてもよい。

また、図１（ａ）～１（ｃ）や図４に示される構成において、１つの列信号線３に互いに異なる感度の１対の画素１ａ、１ｂ（画素１ｃ、１ｄ）を配することを説明したが、これに限られることはない。１つの列信号線３に複数の画素１ａ、１ｂの対が配されていてもよい。この場合、１つの列信号線３に接続された複数の画素１ａ（画素１ｂ）から、同時にスイッチ素子２１を駆動させて信号を読み出してもよい（アナログ加算）。また、例えば、１つの列信号線３に接続された複数の画素１ａ（画素１ｂ）から、互いに異なるタイミングで信号を読み出し、信号値を検出回路１３の演算回路２で積算してもよい（デジタル加算）。

以下、図７を参照しながら上述の放射線撮像装置１００、１００’が組み込まれた放射線撮像システムを例示的に説明する。放射線撮像装置１００、１００’に放射線を照射するための放射線源であるＸ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者又は被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線撮像装置１００、１００’に入射する。この入射したＸ線に患者または被験者６０６１の体内部の情報が含まれる。放射線撮像装置１００、１００’において、Ｘ線６０６０の入射に対応してシンチレータが発光し、これが変換素子２０で光電変換され、電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換され信号処理部としてのイメージプロセッサ６０７０によって画像処理され、制御室の表示部としてのディスプレイ６０８０で観察できる。

また、この情報は、電話回線６０９０などの伝送処理部によって遠隔地へ転送できる。これによって別の場所のドクタールームなどの表示部であるディスプレイ６０８１に表示し、遠隔地の医師が診断することも可能である。また、この情報は、光ディスクなどの記録媒体に記録することができ、またフィルムプロセッサ６１００によって記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。

本明細書の開示は、以下の放射線撮像装置、および、放射線撮像システムを含む。

（項目１）
複数の行および複数の列を構成するように配された複数の画素と、
行方向に延在する複数の駆動線を介して前記複数の画素を制御する駆動回路と、
前記複数の画素で生成された信号を複数の列信号線を介して読み出す読出回路と、
前記読出回路によって読み出された信号に基づいて、放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出する検出回路と、を含む放射線撮像装置であって、
前記複数の列信号線のそれぞれは、前記複数の画素のうち行方向に互いに隣り合う２つの画素列に配された画素に接続され、
前記複数の画素は、放射線に対する感度が互いに異なる第１画素と第２画素とを含み、
前記第１画素と前記第２画素とは、前記複数の列信号線のうち共通の列信号線に接続され、かつ、前記複数の駆動線のうち互いに異なる駆動線にそれぞれ接続され、
前記照射情報を検出する際に、
前記駆動回路は、前記第１画素と前記第２画素とを互いに異なるタイミングで駆動し、
前記検出回路は、前記第１画素から出力される信号と、前記第２画素から出力される信号と、に基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする放射線撮像装置。

（項目２）
前記照射情報を検出する際に、前記検出回路は、前記第１画素から出力される信号と、前記第２画素から出力される信号と、の差分に基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする項目１に記載の放射線撮像装置。

（項目３）
前記複数の画素のうち前記行方向に互いに隣り合い、かつ、前記共通の列信号線に接続された２つの画素が、前記共通の列信号線を挟んで線対称または点対称の構成を備えていることを特徴とする項目１または２に記載の放射線撮像装置。

（項目４）
前記第１画素と前記第２画素とが、同じ行に配されていることを特徴とする項目１乃至３の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目５）
前記第１画素と前記第２画素とが、同じ列に配されていることを特徴とする項目１乃至３の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目６）
前記第１画素と前記第２画素とが、互いに異なる行、かつ、互いに異なる列に配されていることを特徴とする項目１乃至３の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目７）
前記複数の画素は、放射線に対する感度が互いに異なる第３画素と第４画素とを含み、
前記共通の列信号線を第１列信号線として、前記第３画素と前記第４画素とは、前記複数の列信号線のうち前記第１列信号線とは異なる第２列信号線に接続され、かつ、前記複数の駆動線のうち互いに異なる駆動線にそれぞれ接続され、
前記照射情報を検出する際に、
前記駆動回路は、前記第３画素と前記第４画素とを互いに異なるタイミングで駆動し、
前記検出回路は、前記第３画素から出力される信号と、前記第４画素から出力される信号と、にさらに基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする項目１乃至５の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目８）
前記照射情報を検出する際に、前記駆動回路は、前記第１画素と前記第３画素とを同じタイミングで駆動し、かつ、前記第２画素と前記第４画素とを同じタイミングで駆動することを特徴とする項目７に記載の放射線撮像装置。

（項目９）
前記複数の画素は、放射線に対する感度が互いに異なる第３画素と第４画素とを含み、
前記共通の列信号線を第１列信号線として、前記第３画素と前記第４画素とは、前記複数の列信号線のうち前記第１列信号線とは異なる第２列信号線に接続され、
前記第３画素は、前記複数の駆動線のうち前記第１画素と同じ駆動線に接続され、
前記第４画素は、前記複数の駆動線のうち前記第２画素と同じ駆動線に接続され、
前記照射情報を検出する際に、前記検出回路は、前記第３画素から出力される信号と、前記第４画素から出力される信号と、にさらに基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする項目３に記載の放射線撮像装置。

（項目１０）
前記照射情報を検出する際に、前記検出回路は、前記第３画素から出力される信号と、前記第４画素から出力される信号と、の差分にさらに基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする項目７乃至９の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目１１）
前記照射情報を検出する際に、前記検出回路は、前記第１画素から出力される信号と前記第２画素から出力される信号との差分と、前記第３画素から出力される信号と前記第４画素から出力される信号との差分と、に基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする項目１０に記載の放射線撮像装置。

（項目１２）
前記第１画素は、前記第２画素よりも放射線に対する感度が高く、
前記第３画素は、前記第４画素よりも放射線に対する感度が低いことを特徴とする項目７乃至１１の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目１３）
前記複数の画素のうち前記第１画素、前記第２画素、前記第３画素および前記第４画素が配された画素行以外に配された画素から出力される信号に基づいて、前記放射線画像が生成されることを特徴とする項目７乃至１２の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目１４）
前記複数の画素を覆うように配されたシンチレータと、
前記第２画素と前記シンチレータとの間、および、前記第４画素と前記シンチレータとの間に配された遮光層と、
をさらに含むことを特徴とする項目７乃至１３の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目１５）
前記複数の画素のうち前記第１画素および前記第２画素が配された画素行以外に配された画素から出力される信号に基づいて、前記放射線画像が生成されることを特徴とする項目１乃至６の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目１６）
前記複数の画素を覆うように配されたシンチレータと、
前記第２画素と前記シンチレータとの間に配された遮光層と、
をさらに含むことを特徴とする項目１乃至６および項目１５の何れか１項目に記載の放射線撮像装置。

（項目１７）
項目１乃至１６の何れか１項目に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とする放射線撮像システム。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１：画素、３：列信号線、６：駆動線、１０：駆動回路、１２：読出回路、１３：検出回路、１００：放射線撮像装置、

Claims (17)

1. 複数の行および複数の列を構成するように配された複数の画素と、
   行方向に延在する複数の駆動線を介して前記複数の画素を制御する駆動回路と、
   前記複数の画素で生成された信号を複数の列信号線を介して読み出す読出回路と、
   前記読出回路によって読み出された信号に基づいて、放射線画像とは別に放射線の照射情報を検出する検出回路と、を含む放射線撮像装置であって、
   前記複数の列信号線のそれぞれは、前記複数の画素のうち行方向に互いに隣り合う２つの画素列に配された画素に接続され、
   前記複数の画素は、放射線に対する感度が互いに異なる第１画素と第２画素とを含み、
   前記第１画素と前記第２画素とは、前記複数の列信号線のうち共通の列信号線に接続され、かつ、前記複数の駆動線のうち互いに異なる駆動線にそれぞれ接続され、
   前記照射情報を検出する際に、
   前記駆動回路は、前記第１画素と前記第２画素とを互いに異なるタイミングで駆動し、
   前記検出回路は、前記第１画素から出力される信号と、前記第２画素から出力される信号と、に基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする放射線撮像装置。
2. 前記照射情報を検出する際に、前記検出回路は、前記第１画素から出力される信号と、前記第２画素から出力される信号と、の差分に基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
3. 前記複数の画素のうち前記行方向に互いに隣り合い、かつ、前記共通の列信号線に接続された２つの画素が、前記共通の列信号線を挟んで線対称または点対称の構成を備えていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
4. 前記第１画素と前記第２画素とが、同じ行に配されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
5. 前記第１画素と前記第２画素とが、同じ列に配されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
6. 前記第１画素と前記第２画素とが、互いに異なる行、かつ、互いに異なる列に配されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
7. 前記複数の画素は、放射線に対する感度が互いに異なる第３画素と第４画素とを含み、
   前記共通の列信号線を第１列信号線として、前記第３画素と前記第４画素とは、前記複数の列信号線のうち前記第１列信号線とは異なる第２列信号線に接続され、かつ、前記複数の駆動線のうち互いに異なる駆動線にそれぞれ接続され、
   前記照射情報を検出する際に、
   前記駆動回路は、前記第３画素と前記第４画素とを互いに異なるタイミングで駆動し、
   前記検出回路は、前記第３画素から出力される信号と、前記第４画素から出力される信号と、にさらに基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
8. 前記照射情報を検出する際に、前記駆動回路は、前記第１画素と前記第３画素とを同じタイミングで駆動し、かつ、前記第２画素と前記第４画素とを同じタイミングで駆動することを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
9. 前記複数の画素は、放射線に対する感度が互いに異なる第３画素と第４画素とを含み、
   前記共通の列信号線を第１列信号線として、前記第３画素と前記第４画素とは、前記複数の列信号線のうち前記第１列信号線とは異なる第２列信号線に接続され、
   前記第３画素は、前記複数の駆動線のうち前記第１画素と同じ駆動線に接続され、
   前記第４画素は、前記複数の駆動線のうち前記第２画素と同じ駆動線に接続され、
   前記照射情報を検出する際に、前記検出回路は、前記第３画素から出力される信号と、前記第４画素から出力される信号と、にさらに基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
10. 前記照射情報を検出する際に、前記検出回路は、前記第３画素から出力される信号と、前記第４画素から出力される信号と、の差分にさらに基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
11. 前記照射情報を検出する際に、前記検出回路は、前記第１画素から出力される信号と前記第２画素から出力される信号との差分と、前記第３画素から出力される信号と前記第４画素から出力される信号との差分と、に基づいて前記照射情報を検出することを特徴とする請求項１０に記載の放射線撮像装置。
12. 前記第１画素は、前記第２画素よりも放射線に対する感度が高く、
    前記第３画素は、前記第４画素よりも放射線に対する感度が低いことを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
13. 前記複数の画素のうち前記第１画素、前記第２画素、前記第３画素および前記第４画素が配された画素行以外に配された画素から出力される信号に基づいて、前記放射線画像が生成されることを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
14. 前記複数の画素を覆うように配されたシンチレータと、
    前記第２画素と前記シンチレータとの間、および、前記第４画素と前記シンチレータとの間に配された遮光層と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の放射線撮像装置。
15. 前記複数の画素のうち前記第１画素および前記第２画素が配された画素行以外に配された画素から出力される信号に基づいて、前記放射線画像が生成されることを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
16. 前記複数の画素を覆うように配されたシンチレータと、
    前記第２画素と前記シンチレータとの間に配された遮光層と、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
17. 請求項１乃至１６の何れか１項に記載の放射線撮像装置と、
    前記放射線撮像装置から出力される信号を処理する信号処理部と、
    を備えることを特徴とする放射線撮像システム。

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