JP4314073B2 - 放射線撮像装置及び放射線撮像方法 - Google Patents
放射線撮像装置及び放射線撮像方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4314073B2 JP4314073B2 JP2003175033A JP2003175033A JP4314073B2 JP 4314073 B2 JP4314073 B2 JP 4314073B2 JP 2003175033 A JP2003175033 A JP 2003175033A JP 2003175033 A JP2003175033 A JP 2003175033A JP 4314073 B2 JP4314073 B2 JP 4314073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- reading
- dark
- output
- imaging apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 124
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 70
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 50
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 30
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 24
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 24
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 6
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 3
- QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M mercury(1+);iodide Chemical compound [Hg]I QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 101100194362 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) res1 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 description 1
- 230000005250 beta ray Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、本発明は、放射線撮像装置及び方法に関し、特に、病院内での診断に用いられる放射線検出システムや、工業用の非破壊検査装置としても用いられる放射線撮像装置を対象とする。
【0002】
【従来の技術】
現在、医療におけるX線の静止画撮影系は、患者にX線を照射し、その透過X線像をフィルムに露光するフィルム方式が主流になっている。フィルムには、情報を表示、記録する機能を有し、大面積化でき、階調性が高く、しかも軽量で取り扱いが容易であるため、世界中に普及している。反面、現像工程を要する煩雑さ、長期にわたる保管場所の問題、検索に人手と時間を要する問題点を残している。
【0003】
一方、動画像の撮影系は、イメージ・インテンシファイア(I.I.)が主流となっている。I.I.は装置内部で光電子増倍作用を利用いるため、一般に感度が高く、被曝線量の観点で優れている。反面、光学系の影響による周辺画像の歪み、低コントラスト、装置が大きいといった短所が指摘されている。I.I.は患者の透視画像を医師がモニターするだけでなく、CCDのアナログ出力をディジタル変換して、記録、表示、保管することも可能である。しかし、診断には高い階調性が求められるため、透視画像にI.I.を用いても、静止画撮影においては、フィルムを用いている例が多い。
【0004】
最近、病院内でのX線画像のディジタル化の要求が高まりつつあり、フィルムの替わりに、固体撮像素子を2次元アレー状に配置させたX線検出素子を用い、X線量を電気信号に変換するX線撮像装置が使われ初めている。これは、X線画像をディジタル情報に置き換えることができるため、画像情報を遠方に、しかも瞬時に伝送することが可能になるため、遠方にいながら都心の大学病院に匹敵する高度な診断が受けられる長所がある。フィルムを用いなければ、病院内でフィルムの保管スペースが省ける長所もある。将来では、優れた画像処理技術を導入できれば、放射線医師を介さず、コンピュータを用いた自動診断化の可能性が大いに期待されている。
【0005】
そして、近年、固体撮像素子にアモルファスシリコン薄膜半導体を用い、静止画像を撮影できる放射線撮像装置が実用化された。アモルファスシリコン薄膜半導体の作製技術を用い、人体胸部の大きさをカバーする40cm角を超える大面積化が実現されている。その作製プロセスが比較的容易であるため、将来的には安価な検出装置の提供が期待されている。しかもアモルファスシリコンは1mm以下の薄いガラスに作製可能であるため、ディテクタとしての厚さを非常に薄く作製できる長所がある。
【0006】
このようなX線撮像装置は、放射線を電気信号に変換する複数の光電変換素子がマトリクス状に配列された光電変換回路と、この光電変換回路からの前記電気信号を読み出すための読み出し回路とを有している。図7は、9つの光電変換素子S1-1〜S3-3(スイッチ素子(TFT)T1-1〜T3-3を含む)が設けられた場合におけるX線撮像装置の動作を示すタイムチャートであり、符号等は図1,2に準拠する。
【0007】
まず、光電変換期間(X線照射期間)について説明する。
TFTは全てオフ状態において、光源(X線)がパルス的にオンすると、それぞれの光電変換素子に光が照射され、光の量に対応した信号電荷が素子容量に蓄積される。X線可視変換用の蛍光体を用いていれば、X線の量に対応した可視光を光電変換素子側に導光するような部材を用いるか、蛍光体を光電変換素子の極近傍に配置すればよい。なお、光源がオフした後でも素子容量に光電変換された信号電荷は保持される。
【0008】
次に、読み出し期間について説明する。
読み出し動作は、S1-1〜S1-3の1行目、次にS2-1〜S2-3の2行目、次にS3-1〜S3-3の3行目の順で行われる。まず、S1-1〜S1-3の1行目を読み出しするためにスイッチ素子(TFT)T1-1〜T1-3のゲート配線G1にSR1からゲートパルスを与える。これにより、T1-1〜T1-3がオン状態になり、S1-1〜S1-3に蓄積されていた信号電荷が、信号配線M1〜M3に転送される。M1〜M3の信号配線には、読み出し容量CM1〜CM3が付加されており、信号電荷はTFTを介し、読み出し容量CM1〜CM3に転送されることになる。例えば信号配線M1の付加されている読み出し容量CM1は、M1に接続されているT1-1〜T3-1のゲート−ソース間の電極間容量(Cgs)の総和(3個分)である。M1〜M3に転送された信号電荷は、アンプA1〜A3で増幅される。
【0009】
容量CL1〜CL3に転送され、SMPL信号をオフするとともにホールドされる。次にシフトレジスタ103からスイッチSr1、Sr2、Sr3の順番で、パルスを印加することにより、CL1〜CL3にホールドされていた信号が、CL1、CL2、CL3の順でアンプ104から出力される。B1、B2、B3のアナログ信号出力が104のアンプから出力されることから、シフトレジスタ103とスイッチSr1〜Sr3を含めてアナログマルチプレクサと称する。結果としてS1-1、S1-2、S1-3の1行分の光電変換信号がアナログマルチプレクサにより順次出力されることになる。S2-1〜S2-3の2行目の読み出し動作、S3-1〜S3-3の3行目の読み出し動作も同様に行われる。
【0010】
1行目のSMPL信号によりM1〜M3の信号をCL1〜CL3にサンプルホールドすれば、M1〜M3をCRES信号によりGND電位にリセットしその後G2のゲートパルスを印加することができる。すなわち1行目の信号をSR2により直列変換動作をする間に、同時に光電変換素子S2−1〜S2−3の2行目の信号電荷をSR1により転送することができる。
以上の動作により、第1行から第3行全ての光電変換素子の信号電荷を出力することができる。
【0011】
以上述べてきた光電変換回路の動作において、放射線の画像を読み取ることができるが、実際にそのままの画像には光電変換回路や読み出し回路で生成される固定パターンノイズが含まれる。
【0012】
固定パターンノイズの発生要因はいくつかあげられるが、
(A)光電変換素子のダーク電流のばらつき
(B)スイッチ素子のリーク電流のばらつき
(C)光電変換回路の信号配線容量CM1〜CM3のばらつき
(D)読み出し回路のアンプ(例えばA1〜A3)のオフセット電圧のばらつきなどがある。
【0013】
(A),(B)はドット状のノイズとして画像に現れ、(C),(D)はスジ状のノイズとして画像に現れ、いずれも画像品位を損なう原因である。従って、従来では、それらの固定パターンノイズを、暗出力像として別個に読み込み、放射線を照射した放射線像から暗出力像を減算処理して、固定パターンノイズを補正(以下、FPN補正と称する。)していた。暗出力像の取り込みについては、暗出力像を工場出荷時または撮影前に読み込んでおき、その暗出力情報としてメモリに記憶させておく方式と、放射線像を読み込む直前または直後に取得する方式があった。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
暗出力像(FPN)を工場出荷時あるいは撮影の前に予め取得しておく方式は以下の課題を有している。
【0015】
▲1▼光電変換素子のダーク電流は温度特性があり、暗出力像(FPN)を取得した時と放射線像を撮影する時とで温度差が発生することがあり、FPNを完全に補正できない。
【0016】
▲2▼TFTのリーク電流は経時変化を伴うために、暗出力像(FPN)を取得した時と放射線像を撮影する時とではリーク電流が異なり、FPNを完全に補正できない。
【0017】
また、暗出力像を放射線像の直前または直後に読み込む方式は、▲1▼,▲2▼の課題を克服しているが、更に以下の課題を残している。
▲3▼光電変換回路から発生するランダム性のノイズ(以下、単にランダムノイズと称する。)や読み取り用回路から発生するランダム性のノイズなど固定パターンノイズではないノイズ成分を補正できず、減算処理を行うことによりむしろ√2倍に増大され、画質を低下させる。
【0018】
ランダムノイズは光電変換素子のダーク電荷によるショットノイズや、スイッチ素子内の電子の熱的擾乱により発生する熱雑音(ジョンソンノイズ)等によるもので、統計確率的に発生するノイズであり、ある種不可避のノイズ成分である。信号配線M1〜M3も抵抗値を持てばその抵抗体の熱雑音がランダムノイズとなる。また読み出し回路では、それを構成するオペアンプからもランダムノイズを発生する。
【0019】
ランダムノイズの量を求める方法としては、ある画素に着眼し、その画素のダークデータを多数回収集し、その分布を求めることにより得られる。すなわちその分布はガウス分布となりその標準偏差(σ)を求めることにより算出される。
【0020】
2次元アレー状の光電変換回路と読み出し回路を接続した放射線撮像装置からの暗出力像には、固定パターンノイズとランダムノイズの双方が含まれている。それらは暗出力像のみならず、同様に放射線像にも含まれている。放射線像と暗出力像を減算すれば、固定パターンノイズはキャンセルされるが、ランダムノイズは補正されない。ランダムノイズは暗出力像と放射線像とでは対応する画素ごとでも異なる。暗出力像の取り込み時に発生するランダムノイズと放射線像の取り込み時に発生するランダムノイズは、互いに独立な事象であるために、減算処理(FPN補正処理)した画像には、減算する前のランダムノイズ量(標準偏差σ)の√2倍のランダムノイズ量(√2・σ)が含まれることになる。
【0021】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、透視撮影を行なうに際して、当該装置内で発生する固定パターンノイズ成分を補正し、且つその補正に伴い、放射線検出手段や読み出し手段から発生するランダムノイズの増加を抑制して、信頼性の高い優れた放射線撮像装置及び方法を提供することを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本発明の放射線撮像装置は、放射線を電気信号に変換する複数の放射線検出素子がマトリクス状に配列された放射線検出手段と、前記放射線検出手段を駆動制御する駆動手段と、前記駆動制御された放射線検出手段からの前記電気信号を読み出すための読み出し手段と、前記読み出し手段から出力された前記電気信号を処理する信号処理手段と、を含み、放射線照射がなされた前記放射線検出手段を前記駆動手段により駆動して前記読み出し手段から放射線像情報を出力する第1の読み取り動作と、前記放射線照射がなされることなく前記放射線検出手段を前記駆動手段により駆動して前記読み出し手段から暗時出力情報を出力する第2の読み取り動作と、を選択的に実行する機能を有して撮影を行ない、前記信号処理手段は、N(N≧2)個の記憶手段と、N回の前記第2の読み取り動作で得られ前記N個の記憶手段に記憶させたN回分の暗時出力情報を平均化処理した補正用情報を前記放射線像情報から減算する制御手段と、を有する放射線撮像装置であって、前記制御手段は、前記撮影を行なうに際して前記放射線照射の前に前記N回より多い複数回実行された前記第2の読み取り動作で得られた複数回分の暗時出力情報を前記N個の記憶手段へ順次に且つ繰り返し書き込みを行ない、且つ前記放射線照射の命令を受けて前記書き込みを終了して、前記N個の記憶手段に前記N回分の暗時出力情報を記憶させる。
【0023】
本発明の放射線撮像装置の一態様では、前記制御手段は、前記N個の記憶手段を順次選択する選択部と、前記記憶手段及び前記選択部を制御して前記N回分の暗時出力情報を平均化処理した補正用情報を前記放射線像情報から減算する制御部と、を有する。
【0024】
本発明の放射線撮像装置の一態様では、前記放射線検出素子は、放射線を可視光に変換する波長変換体と、可視光を受光して電気信号に変換する光電変換体とを有する。
【0025】
本発明の放射線撮像装置の一態様では、前記波長変換体は、Gd2O3、Gd2O2S及びCsIのうちから選ばれた1種を母体材料として構成されている。
【0026】
本発明の放射線撮像装置の一態様では、前記光電変換体は、アモルファスシリコンを主材料として構成されている。
【0027】
本発明の放射線撮像装置の一態様では、前記放射線検出素子はスイッチ素子を有する。
【0028】
本発明の放射線撮像装置の一態様では、前記放射線検出素子は、放射線を吸収して直接的に電気信号に変換する機能を有し、その主材料がアモルファスセレン、ヒ素化ガリウム、ヨウ化水銀、ヨウ化鉛から選ばれた1種である。
【0029】
本発明の放射線撮像方法は、放射線を電気信号に変換する複数の放射線検出素子がマトリクス状に配列されてなる放射線検出手段と、前記放射線検出手段を駆動制御する駆動手段と、前記駆動制御された放射線検出手段からの前記電気信号を読み出すための読み出し手段と、前記読み出し手段から出力された前記電気信号を処理する信号処理手段と、N(N≧2)個の記憶手段と、を含み、放射線照射がなされた前記放射線検出手段を前記駆動手段により駆動して前記読み出し手段から放射線像情報を出力する第1の読み取り動作と、前記放射線照射がなされることなく前記放射線検出手段を前記駆動手段により駆動して前記読み出し手段から暗時出力情報を出力する第2の読み取り動作と、を選択的に実行する機能を有して撮影を行なう放射線撮像装置を用い、前記第2の読み取り動作をN回行なって得られ前記N個の記憶手段に記憶させたN回分の暗時出力情報を平均化処理した補正用情報を前記放射線像情報から減算する放射線撮像方法であって、前記撮影を行なうに際して、前記放射線照射の前に前記N回より多い複数回実行された前記第2の読み取り動作で得られた複数回分の暗時出力情報を前記N個の記憶手段へ順次に且つ繰り返し書き込みを行ない、且つ前記放射線照射の命令を受けて前記書き込みを終了して、前記N個の記憶手段に前記N回分の暗時出力情報を記憶させることを特徴とする。
【0030】
本発明の放射線撮像装置の一態様では、前記Nが、2≦N≦5である。
【0031】
本発明の放射線撮像装置及び方法において、「暗出力読み取り動作」で得られた暗出力像に含まれるランダムノイズの標準偏差をσ1とすると、「暗出力読み取り動作」をN回行い、それらの平均化処理を行った暗出力像に含まれる標準偏差はσ1/√Nになる。
【0032】
「明出力読み取り動作」で得られた明出力像に含まれるランダムノイズの標準偏差をσ2とすると、明出力像から前記平均化処理を行った暗出力像を減算した最終的な放射線像に含まれるランダムノイズの標準偏差σtは、
σt={σ22+(σ1/√N)2}1/2
となる。
【0033】
ここで、実際の明出力像に含まれる放射線のショットノイズについては、ここでは必要がないため無視している。明出力に含まれるランダムノイズのσ2は暗出力に含まれるσ1と同じであるため、これらを単にσとすると
σt=σ(1+1/N)1/2
となる。
【0034】
N=1の従来の場合、σt=1.41であったランダムノイズは、N=2回実施することによりσ=1.22、N=3でσt=1.15、N=4でσt=1.11と回数Nが多いほどランダムノイズは改善する。
【0035】
また、本発明では、「暗出力読み取り動作」は、「明出力読み取り動作」の直前または直後に行うために、放射線撮像装置を取り巻く環境温度の変化や経時変化など、固定パターンノイズの変動要因の影響を受けないので、補正精度が高い放射線撮像装置の提供が可能となる。
【0036】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した好適な実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本実施形態によるアモルファスシリコン薄膜半導体を用いたX線撮像装置の概略構成であり、可視光を捕らえ電気信号に変換する光電変換素子を用いたX線撮像装置の平面的回路図である。このX線撮像装置では、動画撮影モードと静止画撮影モードとを選択的に設定自在とされている。図1には、X線を可視光に変換する蛍光体は図示していない。なお、本実施形態ではX線撮像を例示するが、本発明はこれに限定されることなく、α線、β線、γ線なども放射線の範疇に含むものとして説明する。
【0037】
図1において、S1-1〜S3-3はマトリクス状に配列された光電変換素子、T1-1〜T3-3はスイッチ素子(TFT)、G1〜G3はTFTをオン/オフさせるためのゲート配線、M1〜M3は信号配線である。光電変換素子はフォトダイオードと容量を並列接続で表記しており、逆方向バイアスが印加される。すなわち、フォトダイオ−ドのカソ−ド電極側は+(プラス)にバイアスされる。バイアス配線は通常共通の配線であるが、図1中では共通の配線としては省略している。光電変換された電荷は容量に蓄積される。S1-1〜S3-3、T1-1〜T3-3、G1〜G3、M1〜M3、Vs線、これらを総じて放射線検出回路または光電変換回路と称する。102はゲート配線G1〜G3にパルスを印加し、光電変換素子S1-1〜S3-3を駆動制御するシフトレジスタ、107は光電変換回路部101内のM1〜M3の並列信号出力を増幅し、直列変換して出力するための読み出し用回路、108は読み出し用回路107から出力された電気信号を処理する信号処理回路である。
【0038】
各光電変換素子は、放射線を可視光に変換する波長変換体と、可視光を受光して電気信号に変換する光電変換体とを有しており、波長変換体は、Gd2O3、Gd2O2S及びCsIのうちから選ばれた1種を母体材料として構成され、光電変換体は、アモルファスシリコンを主材料として構成されている。また、各光電変換素子を、放射線を吸収して前記波長変換体を介さず直接的に電気信号に変換する機能を有するように構成し、その主たる材料として、アモルファスセレン、ヒ素化ガリウム、ヨウ化水銀、ヨウ化鉛から選ばれた1種としてもよい。なお、ここでは記載の便宜上、3×3画素分の光電変換素子を例示したが、実際の構成では更に多数の光電変換素子が配列される。
【0039】
図2は、図1の読み出し用回路107の内部構造を示す回路図である。
図2において、RES1〜RES3はM1〜M3をリセットするスイッチ、A1〜A3はM1〜M3の信号を増幅するアンプ、CL1〜CL3はA1〜A3で増幅された信号を一時的に記憶するサンプルホールド容量、Sn1〜Sn3はサンプルホールドするためのスイッチ、B1〜B3はバッファアンプ、Sr1〜Sr3は並列信号を直列変換するためのスイッチ、103は、Sr1〜Sr3に直列変換するためのパルスを与えるシフトレジスタ、104は直列変換された信号を出力するバッファアンプである。
【0040】
図3は、本実施形態の主要構成をなす図1の信号処理回路108の内部構造を示す模式図である。
この信号処理回路108は、読み出し回路107からのアナログ出力をディジタル変換するADコンバータ11と、N=4回分の暗時出力(FPN出力)を格納する4つのFPNメモリ1〜4と、X線が照射された後の読み出し動作による明出力を格納する明出力メモリ5と、当該信号処理回路108を統括し、FPNメモリ1〜4及び明出力メモリ5に記憶されたデータに後述するような信号処理を施すCPU(中央演算処理装置)6と、CPUにより制御されるシフトレジスタ7とを有し構成されている。
【0041】
図4は、本実施形態によるX線撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
ここでは、フレームNo.(フレーム数)が24であり、また暗出力読み取り動作を4回行っているタイミング例を示す。紙面右側に向かう方向が時間の経過を意味する。図7のタイミングチャートで示しているX線照射期間を、図4では「X」で表しており、また図7で示す読み出し期間を「H」で表している。「H」は、明出力読み取り動作の期間で、本読み期間または本読み動作と称す。図1において、「X」と「H」は24フレーム目に記載している。「W」はX線照射期間「X」と同じタイムスケールであるが、X線の照射を行わない。「W」は言わば光電変換素子のダークを蓄積している期間でウェイト期間と称する。「K」と「F」はそのウェイト期間の後の読み出し動作を示しており、光電変換装置の動作上、図13の読み出し期間「H」と何ら違いはない。「K」と「F」は全く同じ読み出し動作であるが、その違いは、放射線像を取得する情報として使用するか否かである。「K」は空読み(カラヨミ)期間または空読み動作と称し、「F」はFPN読み取り期間またはFPN読み取り動作と称する。放射線像を取得する情報としては「F」が採用される。
【0042】
次に動作手順について説明する。
図4では、暗出力読み取り動作を4回行う場合を例示している。先ず、光電変換装置は、「W」と「K」を交互に動作させる。この時、実際の撮影現場では、X線技師(撮影者)は、光電変換装置の受光面上で、患者(被撮影者)の撮影部位の位置合わせを行っている。この期間の空読み「K」の暗時出力情報は、この後いつX線が照射されるのかわからないため、信号処理回路108に記憶しておく。X線技師(撮影者)は、患者の位置合わせが終了し撮影の準備が整ったならば、装置の曝射命令を発する。曝射命令を受けた光電変換装置は、その時点のウェイト動作「W」と空読み動作「K」(便宜上「K」と書くが実際には「F」である。)を行い、その後X線照射期間「X」に遷移し、最後に、明出力の読み取り動作「H」を行い、撮影を終了する。
【0043】
撮影が終了した時点で本読み動作「H」の直前の4回分の空読み動作「K」がFPNの補正情報として用いられる。図4では、「F」として表している。この場合、フレームNo.で、21、22,23の空読み動作が「F」になっている。しかし、動作が開始された時点では、どの時点の空読み動作「K」がFPN読み取り動作「F」のデータに採用されるのか予想できず、飽くまでX線技師(撮影者)による曝射命令により本読み動作「H」終了した時点で、「H」直前の「F」が決定される。
【0044】
従って、撮影開始からの「K」の情報は、メモリに記憶しなければならない。しかし、曝射命令は、動作開始直後に発生するか否かは判らないため、全てのFPNをメモリに記憶することは、メモリ容量を多く必要とするためにさほど得策ではない。
【0045】
図3に示す信号処理回路108により、放射線撮像装置からのアナログ出力を記憶するには、先ず読み出し回路107からのアナログ出力がADコンバータ11でディジタル変換され、4つのFPNメモリ1〜4及び明出力メモリ5に格納される。ADコンバータの出力は、上記5つのメモリのデータ線に並列に接続される。CPU6のデータバスも、上記5つのメモリのデータ線に接続されている。一方、CPU6のアドレスバスは、上記5つのメモリのアドレス線に接続されている。時系列的に出力されるN=4回分の暗時出力(FPN出力)は、CPU6により制御されるシフトレジスタ7の出力信号(G1〜G4)により、それぞれのメモリに格納される。シフトレジスタ7は、フレーム数が増加する度に、G1→G2→G3→G4とシフト動作を行い、G4が出力された後は再度G1に戻るようにCPU6が監視している。従って、常に連続した4回分の空読み動作「K」の出力が、それぞれのメモリに格納されることになる。つまり、4個分のメモリが全て書き込みされたとしても、撮影技師による曝射命令が発せられない限り、メモリには次々と新しい暗時出力のデータが格納されることになる。曝射命令が発した後に、X線照射期間「X」に遷移したならばFPNメモリへの書き込みを終了する。FPNメモリ1〜FPNメモリ4に格納されているデータが、明出力読み取り動作「H」直前の、N=4回分の暗時出力データとなる。
【0046】
X線照射期間「X」が終了後、読み出し動作「H」により出力される明出力データは、CPU6の明出力用の制御信号により、明出力メモリ5に格納する。
【0047】
図5は、連続した4回分のFPNデータを平均化処理する場合の手順を示す概念図である。
それぞれのFPNメモリ1〜4には、2次元アレー状に配列された画素に対応するFPNデータが記憶されている。それぞれの画素ごとのFPNデータはデータバスを介してCPU6に取り込まれる。CPUは、4回分の平均化処理を容易に行うことができる。平均化処理とは、それぞれの画素ごとに4回分のFPNを加算し、4で割り算する処理である。CPU6で計算(平均化処理)された値は、別に容易されたメモリに格納してもいいし、あるいは既にあるFPNメモリ1〜4のいずれかのメモリに上書きしてもよい。
【0048】
CPU6で平均化された補正用のFPNデータと、明出力メモリ5に格納されているX線画像データ(明出力データ)とは、更に画素ごとに減算処置が行われる。明出力データと補正用のFPNデータは、同様にデータバスを介してCPU6に取り込まれ、当該CPU6内で計算(引き算処理)される。
【0049】
以上の過程により、FPN補正され、ランダムノイズが抑制された良好な放射線画像データを得ることができる。
【0050】
以上説明したように、本実施形態によれば、透視撮影を行なうに際して、当該装置内で発生する固定パターンノイズ成分を補正し、且つその補正に伴い、光電変換回路101や読み出し回路107から発生するランダムノイズの増加を抑制して、信頼性の高い優れた放射線撮像装置及び方法が実現する。
【0051】
(変形例)
図6は、本実施形態の変形例におけるX線撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
図6では、フレームNo(フレーム数)は52、また暗出力読み取り動作を2回行っているタイミング例を示す。紙面右側に向かう方向が時間の経過を意味する。「X」「H」「W」[K][F]は本実施形態で説明した内容と全く同様である。
【0052】
次に図6の動作手順について説明する。
図6では、暗出力読み取り動作を2回行う場合を例示する。先ず、光電変換装置は、「W」と「K」を交互に動作させる。この時、実際の撮影現場では、X線技師(撮影者)は、光電変換装置の受光面上で、患者(被撮影者)の撮影部位の位置合わせを行っている。この期間の空読み「K」の暗時出力情報は、実施形態1と異なりメモリへ記憶はしない。X線技師(撮影者)は、患者の位置合わせが終了し撮影の準備が整ったならば、装置の曝射命令を発する。曝射命令を受けた光電変換装置は、その時点のウェイト動作「W」と空読み動作「K」を行い、その後X線照射期間「X」に遷移し、その後明出力の読み取り動作「H」を行う。明出力の読み取り動作「H」が終了直後に、ウェイト動作「W」と空読み動作「K」をそれぞれ2回分の動作を行い、撮影動作を終了する。明出力の読み取り動作「H」直後の2回分の空読み動作は、メモリに格納される。それらは、暗時出力補正データ(FPN補正データ)として用いられるため、図6では「F」と表記している。
【0053】
N=2回分のFPNデータ「F」は、後にそれぞれ対応する画素ごとに平均化処理され、1フレーム分の暗時出力データ(FPN補正データ)が作成される。平均化処理されたFPN補正データは、明出力読み取り動作「H」の明出力データから、それぞれ対応する画素ごとに引き算することにより、FPN補正された良好な放射線画像データを得る。また、本発明の放射線撮像装置及び方法において、「暗出力読み取り動作」で得られた暗出力像に含まれるランダムノイズの標準偏差をσ1とすると、「暗出力読み取り動作」をN回行い、それらの平均化処理を行った暗出力像に含まれる標準偏差はσ1/√Nになる。「明出力読み取り動作」で得られた明出力像に含まれるランダムノイズの標準偏差をσ2とすると、明出力像から前記平均化処理を行った暗出力像を減算した最終的な放射線像に含まれるランダムノイズの標準偏差σtは、σt={σ22+(σ1/√N)2}1/2となる。
【0054】
ここで、実際の明出力像に含まれる放射線のショットノイズについては、ここでは必要がないため無視している。明出力に含まれるランダムノイズのσ2は暗出力に含まれるσ1と同じであるため、これらを単にσとするとσt=σ(1+1/N)1/2となる。
N=1の従来の場合、σt=1.41であったランダムノイズは、N=2回実施することによりσ=1.22、N=3でσt=1.15、N=4でσt=1.11と回数Nが多いほどランダムノイズは改善する。
【0055】
図8は、実際に、X線撮像装置を用いて平均化処理回数に対するノイズ量を測定した実験値と理論値を示した特性図である。放射線撮像装置には、730万画素を2次元アレー状に放射線検出手段を配置し、駆動手段、信号読み取り手段、信号処理手段を配置している。第1の読み取り動作は、本来の使い方としては被写体の透過X線を読み取るが、ここではノイズ量の低減効果を示すために、まっ暗な環境下で読み取り動作を行っている。第2の読み取り動作は、同じくまっ暗な環境下において全部で8回の測定を行っており、図8の横軸は、第2の読み取り動作における平均化処理の回数を示す。縦軸は、第1の読み取り動作データから第2の読み取り動作データ(平均化データ)を引き算し、720万の画素データの標準偏差を示している。ちなみに横軸の平均化回数=1のところは従来例であり、データが一つのため平均化処理は行えない。図8から平均化処理の回数をn≧2にすることにより、ノイズ量が低減することが実験的に確認された。平均化回数を多くすればするほどノイズ量が低減するが、最終的には、n=1回の時のノイズ量(3.8)の√2分の1に収束する。平均化による改善の度合いは、平均化回数が2回の時が一番高く、n=1回の従来例(√2=41.4%増し)に対し、n=2の時は22.4%に減少する。n=3の時は15.5%増しななる。平均化回数を多くすればするほど理想値(3.8÷√2=2.687)に収束するが、平均回数を多くすることはそれだけ積算時間がかかるため、ノイズ特性とのトレードオフの関係にある。
【0056】
図8からわかるように、平均化回数を多くすることは、ノイズ量を減らすことになるが、回数が多くなればなるほど、その効果が薄れてくる。ランダム性のノイズを含んだ画像は、そのランダムノイズの収束値(理想値)に対して10%の増加あれば、画像品位を大きく損なうことはなく、また工場生産におけるS/Nのばらつきの範囲内である、つまり、最大n=5の平均処理を行えば、本発明の目的を達成でき、逆に、それ以上の平均処理を行うことは、かえって使い勝手を損なう原因となる。従って、2〜5回の平均化回数を行うことが、ノイズ量の改善度が高く、かつ処理時間も短いため、妥当である。
【0057】
以上説明したように、本変形例によれば、透視撮影を行うに際して、当該装置内で発生する固定パターンノイズ成分を補正し、且つその補正に伴い、光電変換回路101や読み出し回路107から発生するランダムノイズの増加を抑制して、信頼性の高い優れた放射線撮像装置及び方法が実現する。
【0058】
【発明の効果】
本発明の放射線撮像装置及び方法によれば、FPNを含んだ暗時出力と、放射線像を含んだ明出力とを減算処理を施すことにより、FPNが補正された良好な放射線画像を得ることができる。
【0059】
しかも、本発明の放射線撮像装置及び方法によれば、FPNを含んだ暗時出力を放射線像を含んだ明出力の撮影の直前または直後に取得するため、明出力に含まれFPN成分に極めて近い暗時出力が得られ、FPN補正精度が高い。
【0060】
更に、本発明の放射線撮像装置及び方法によれば、複数回取り込んだ暗時出力に対して平均化処理を施したFPNデータを用いてFPN補正を行うために、FPN補正に伴うランダムノイズの増加を抑制させることが可能であり、放射線画像の画質が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態によるアモルファスシリコン薄膜半導体を用いたX線撮像装置の概略構成を示す回路図である。
【図2】図1の読み出し用回路の内部構造を示す回路図である。
【図3】本実施形態の主要構成をなす図1の信号処理回路108の内部構造を示す模式図である。
【図4】本実施形態によるX線撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図5】本実施形態において、連続した4回分のFPNデータを平均化処理する場合の手順を示す概念図である。
【図6】変形例において、連続した2回分のFPNデータを平均化処理する場合の手順を示す概念図である。
【図7】従来例によるX線撮像装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図8】X線撮像装置を用いて平均化処理回数に対するノイズ量を測定した実験値と理論値を示した特性図である。
【符号の説明】
1〜4 FPNメモリ
5 明出力メモリ
6 CPU
7 シフトレジスタ
101 光電変換回路
102 シフトレジスタ(スイッチング素子用)
103 シフトレジスタ(読み出しスイッチ用)
107 読み出し用回路
108 信号処理回路
S1-1〜S3-3 光電変換素子
T1-1〜T3-3 スイッチング素子
G1〜G3 ゲート駆動配線
M1〜M3 マトリクス信号配線
Vs 光電変換素子のバイアス線
CM1〜CM3 マトリクス信号配線に付加している読み出し容量
RES1〜RES3 CM1〜CM3をリセットするスイッチ
A1〜A3,B1〜B3,104 アンプ
Sn1〜Sn3 読み出し容量に信号を転送するための転送スイッチ
Sr1〜Sr3 読み出し容量の信号を順次読み出すための読み出し用スイッチ
「X」 X線照射期間X線照射動作
「K」 空読み期間空読み動作(FPN補正データとして使用しない)
「H」 明出力読み込み期間(本読み期間)本読み動作
「F」 暗時出力読み込み期間FPN読み込み動作(FPN補正データ)
「W」 ウェイト期間ウェイト動作
Claims (8)
- 放射線を電気信号に変換する複数の放射線検出素子がマトリクス状に配列された放射線検出手段と、前記放射線検出手段を駆動制御する駆動手段と、前記駆動制御された放射線検出手段からの前記電気信号を読み出すための読み出し手段と、前記読み出し手段から出力された前記電気信号を処理する信号処理手段と、を含み、
放射線照射がなされた前記放射線検出手段を前記駆動手段により駆動して前記読み出し手段から放射線像情報を出力する第1の読み取り動作と、前記放射線照射がなされることなく前記放射線検出手段を前記駆動手段により駆動して前記読み出し手段から暗時出力情報を出力する第2の読み取り動作と、を選択的に実行する機能を有して撮影を行ない、
前記信号処理手段は、N(N≧2)個の記憶手段と、N回の前記第2の読み取り動作で得られ前記N個の記憶手段に記憶させたN回分の暗時出力情報を平均化処理した補正用情報を前記放射線像情報から減算する制御手段と、を有する放射線撮像装置であって、
前記制御手段は、前記撮影を行なうに際して前記放射線照射の前に前記N回より多い複数回実行された前記第2の読み取り動作で得られた複数回分の暗時出力情報を前記N個の記憶手段へ順次に且つ繰り返し書き込みを行ない、且つ前記放射線照射の命令を受けて前記書き込みを終了して、前記N個の記憶手段に前記N回分の暗時出力情報を記憶させることを特徴とする放射線撮像装置。 - 前記制御手段は、前記N個の記憶手段を順次選択する選択部と、前記記憶手段及び前記選択部を制御して前記N回分の暗時出力情報を平均化処理した補正用情報を前記放射線像情報から減算する制御部と、を有することを特徴とする請求項1に記載の放射線撮像装置。
- 前記放射線検出素子は、放射線を可視光に変換する波長変換体と、可視光を受光して電気信号に変換する光電変換体とを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線撮像装置。
- 前記波長変換体は、Gd2O3、Gd2O2S及びCsIのうちから選ばれた1種を母体材料として構成されていることを特徴とする請求項3に記載の放射線撮像装置。
- 前記光電変換体は、アモルファスシリコンを主材料として構成されていることを特徴とする請求項4に記載の放射線撮像装置。
- 前記放射線検出素子はスイッチ素子を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の放射線撮像装置。
- 前記放射線検出素子は、放射線を吸収して直接的に電気信号に変換する機能を有し、その主材料がアモルファスセレン、ヒ素化ガリウム、ヨウ化水銀、ヨウ化鉛から選ばれた1種であることを特徴とする請求項1又は2に記載の放射線撮像装置。
- 放射線を電気信号に変換する複数の放射線検出素子がマトリクス状に配列されてなる放射線検出手段と、前記放射線検出手段を駆動制御する駆動手段と、前記駆動制御された放射線検出手段からの前記電気信号を読み出すための読み出し手段と、前記読み出し手段から出力された前記電気信号を処理する信号処理手段と、N(N≧2)個の記憶手段と、を含み、放射線照射がなされた前記放射線検出手段を前記駆動手段により駆動して前記読み出し手段から放射線像情報を出力する第1の読み取り動作と、前記放射線照射がなされることなく前記放射線検出手段を前記駆動手段により駆動して前記読み出し手段から暗時出力情報を出力する第2の読み取り動作と、を選択的に実行する機能を有して撮影を行なう放射線撮像装置を用い、
前記第2の読み取り動作をN回行なって得られ前記N個の記憶手段に記憶させたN回分の暗時出力情報を平均化処理した補正用情報を前記放射線像情報から減算する放射線撮像方法であって、
前記撮影を行なうに際して、前記放射線照射の前に前記N回より多い複数回実行された前記第2の読み取り動作で得られた複数回分の暗時出力情報を前記N個の記憶手段へ順次に且つ繰り返し書き込みを行ない、且つ前記放射線照射の命令を受けて前記書き込みを終了して、前記N個の記憶手段に前記N回分の暗時出力情報を記憶させることを特徴とする放射線撮像方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003175033A JP4314073B2 (ja) | 2002-06-19 | 2003-06-19 | 放射線撮像装置及び放射線撮像方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002178801 | 2002-06-19 | ||
JP2003175033A JP4314073B2 (ja) | 2002-06-19 | 2003-06-19 | 放射線撮像装置及び放射線撮像方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004080749A JP2004080749A (ja) | 2004-03-11 |
JP4314073B2 true JP4314073B2 (ja) | 2009-08-12 |
Family
ID=32032528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003175033A Expired - Fee Related JP4314073B2 (ja) | 2002-06-19 | 2003-06-19 | 放射線撮像装置及び放射線撮像方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4314073B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4557697B2 (ja) * | 2004-12-08 | 2010-10-06 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及びその制御方法 |
JP4597936B2 (ja) | 2005-10-06 | 2010-12-15 | 富士フイルム株式会社 | 乳房画像撮影装置 |
CN101480043B (zh) * | 2006-07-27 | 2011-02-16 | 株式会社岛津制作所 | 光或放射线摄像装置 |
KR101393633B1 (ko) * | 2007-10-31 | 2014-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 엑스레이 검출 패널, 엑스레이 검출기 및 엑스레이검출기의 구동 방법 |
JP2009128186A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
JP5483832B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2014-05-07 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影制御装置および方法 |
JP5176081B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2013-04-03 | 株式会社吉田製作所 | X線撮影方法およびx線撮影装置 |
JP4968364B2 (ja) * | 2010-04-21 | 2012-07-04 | 株式会社島津製作所 | 撮像装置 |
EP3061398B1 (en) * | 2013-10-21 | 2020-09-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiographic imaging device and method for controlling same, radiographic image processing device and method, and program and computer-readable storage medium |
JP6294632B2 (ja) * | 2013-10-21 | 2018-03-14 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影装置およびその制御方法、放射線画像処理装置および方法、並びに、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP6305008B2 (ja) * | 2013-10-21 | 2018-04-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮影装置およびその制御方法、放射線画像処理装置および方法、並びに、プログラムおよびコンピュータ可読記憶媒体 |
-
2003
- 2003-06-19 JP JP2003175033A patent/JP4314073B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004080749A (ja) | 2004-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7113565B2 (en) | Radiological imaging apparatus and method | |
JP4850730B2 (ja) | 撮像装置、その処理方法及びプログラム | |
JP4965931B2 (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、その制御方法、及び制御プログラム | |
JP5043448B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP4724313B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
JP4989120B2 (ja) | 放射線撮像システム及びその駆動方法 | |
US7302039B2 (en) | Radiography apparatus, radiography system, and control method thereof | |
JP2009141439A (ja) | 放射線撮像装置、その駆動方法及びプログラム | |
JP4739060B2 (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像システム、及びその制御方法 | |
JP4314073B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像方法 | |
JP4557697B2 (ja) | 放射線撮像装置及びその制御方法 | |
JP5155759B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2018135293A1 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP4872017B2 (ja) | 撮像装置、その駆動方法、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
CN102640017A (zh) | 成像装置、成像系统、控制该装置和系统的方法及程序 | |
WO2019049456A1 (ja) | 放射線撮像装置、その制御方法、及び、放射線撮像システム | |
JP5028545B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
JP2004023654A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像方法 | |
US8497485B2 (en) | Imaging apparatus | |
JP2007221453A (ja) | 放射線撮像装置及びその駆動方法 | |
JP4921581B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
JP2004024683A (ja) | 放射線検出装置及び放射線検出システム | |
JP2004024682A (ja) | 放射線検出装置及び放射線検出システム | |
JP2006043293A (ja) | 放射線撮像装置及びその制御方法 | |
JP2005168961A (ja) | 放射線画像撮影装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060613 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080606 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090512 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090518 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4314073 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120522 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130522 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140522 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |