JP2003209665A - 画像読取方法および画像記録読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録用の電磁波の照射により放射線画像情報
が記録された放射線固体検出器から放射線画像情報に応
じた画像信号を読み取る放射線画像読取方法において、
放射線固体検出器の暗電流に起因する画像信号における
オフセットやゲインの補正を、より正確かつ簡易に行
う。 【解決手段】 遮光部材６が設けられた補正画素領域
を、読取画素のそれぞれに対して隣接するように設け、
補正手段２５が、読取画素に応じた画像信号を読取画素
に隣接した補正画素領域に応じた補正領域信号に基づい
て補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録用の電磁波の
照射により画像情報が記録された固体検出器から画像情
報に応じた画像信号を読み取る画像読取方法および上記
固体検出器を用いた画像記録読取装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】今日、医療診断等を目的とする放射線撮
影において、放射線を検出して放射線画像情報を表す画
像信号を出力する放射線固体検出器を使用した放射線画
像記録読取装置が知られている。そして、この装置に使
用される検出器としては、種々のタイプのものが提案、
実用化されている。

【０００３】例えば、放射線を電荷に変換する電荷生成
プロセスの面からは、放射線が照射されることにより蛍
光体から発せられた蛍光を光電変換素子で検出して得た
信号電荷を光電変換素子の蓄電部に一旦蓄積し、蓄積電
荷を画像信号（電気信号）に変換して出力する光変換方
式の放射線固体検出器（例えば特開昭５９−２１１２６
３号、特開平２−１６４０６７号、ＰＣＴ国際公開番号
ＷＯ９２／０６５０１号、ＳＰＩＥ Ｖoｌ.１４４３ Ｍ
ｅｄｉｃａｌＩｍａｇｉｎｇ Ｖ;ＩｍａｇｅＰｈｙｓｉ
ｃｓ(１９９１) ，ｐ.１０８−１１９等）、或いは、放
射線が照射されることにより放射線導電体内で発生した
信号電荷を電荷収集電極で集めて蓄電部に一旦蓄積し、
蓄積電荷を電気信号に変換して出力する直接変換方式の
放射線固体検出器（ＭＡＴＥＲＩＡＬ ＰＡＲＡＭＥＴ
ＥＲＳ ＩＮ ＴＨＩＣＫ ＨＹＤＲＯＧＥＮＡＴＥＤ Ａ
ＭＯＲＰＨＯＵＳ ＳＩＬＩＣＯＮＲＡＤＩＡＴＩＯＮ
ＤＥＴＥＣＴＯＳ、Ｌａｗｒｅｎｃｅ Ｂｅｒｋｅｌｅ
ｙ Ｌ.Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｃａｌｉｆｏｒｎｏ
ｉａ、Ｂｅｒｋｅｌｅｙ.ＣＡ ９４７２０ Ｘｅｒｏｘ
Ｐａｒｃ.Ｐａｌｏ Ａｌｔｏ.ＣＡ ９４３０４、Ｍｅｔ
ａｌ／Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｓｉｌｌｉｃｏｎ Ｍｕｔｉ
ｌａｙｅｒ Ｒａｄｉａｔｏｎ Ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ、Ｉ
ＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＮＵＣＬＥＡＲ
ＳＣＩＥＮＣＥ.ＶＯＬ.３６.ＮＯ.２.ＡＰＲＩＬ １９
８９、特開平１−２１６２９０号等）等がある。

【０００４】また、蓄積された電荷を外部に読み出す電
荷読出プロセスの面からは、該蓄電部と接続されたＴＦ
Ｔ（薄膜トランジスタ）を走査駆動して読み出すＴＦＴ
読出方式のものや、読取光（読取用の電磁波）を検出器
に照射して読み出す光読出方式のもの等がある。

【０００５】また、本願出願人は、特開２０００−１０
５２９７号公報や特開２０００−１６２７２６号公報に
おいて改良型直接変換方式の放射線固体検出器を提案し
ている。改良型直接変換方式の放射線固体検出器とは、
直接変換方式、且つ光読出方式のものであり、記録用の
放射線に対して透過性を有する第１の電極層、該第１の
電極層を透過した記録用の放射線の照射を受けることに
より光導電性（正確には放射線導電性）を呈する記録用
光導電層、第１の電極層に帯電される電荷と同極性の電
荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷と逆
極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送
層、読取用の電磁波の照射を受けることにより光導電性
（正確には電磁波導電性）を呈する読取用光導電層、読
取用の電磁波に対して透過性を有する第２の電極層を、
この順に積層して成るものであり、記録用光導電層と電
荷輸送層との界面（蓄電部）に、画像情報を担持する信
号電荷（潜像電荷）を蓄積するものである。

【０００６】また、この改良型直接変換方式を含む光読
出方式においては、更に蓄電部に蓄積された信号電荷を
読み出す方式として、例えば読取光が照射される側の電
極である第２の電極層（以下読取電極という）を平板状
のものとし、この読取電極側にレーザ等のスポット状の
読取光を走査して信号電荷を検出する方式、或いは読取
電極を多数の線状電極を配列して成るストライプ電極と
し、ストライプ電極の長手方向すなわち各線状電極の長
手方向と略直角な方向を主走査方向とし長手方向を副走
査方向として、スポット状の読取光を主走査方向および
副走査方向に走査して信号電荷を検出する方式および前
記主走査方向に延びたライン光源を該ストライプ電極の
長手方向（すなわち副走査方向）に走査して信号電荷を
検出する方式の３つの方式がある。

【０００７】また、上記のような放射線固体検出器にお
いては、蓄電部に蓄積された電荷を読み出す際、上記放
射線固体検出器は半導体を利用したものなので、蓄電部
に蓄積された電荷の量に応じた電流だけでなく暗電流ま
で読み出してしまう。この暗電流に起因して放射線固体
検出器から出力される画像信号に定常的なゲインやオフ
セットが含まれ正確な画像信号に基づく再生画像が得ら
れなかったり、再生画像の画質の劣化を招く問題を生じ
る。また、暗電流は温度によって変化したり、経時変化
を持つ場合もある。この問題を回避するため、本出願人
は、特開平７−０７２２５６号公報において、放射線画
像情報が記録された放射線固体検出器から読み出された
画像信号から放射線画像の記録されていない放射線固体
検出器から読み出された画像信号を差し引くことにより
上記オフセットやゲインを補正する方法を提案している
が、この場合、放射線画像情報の記録されていない放射
線固体検出器の読み取りが必要であるため、その分の手
間と時間が必要となる。また、特開平２０００−１７４
９８２号公報および特開平２０００−２２４３７７号公
報においては、放射線を検出しない不感画素を設け、こ
の不感画素に応じた画素信号を用いて上記オフセットや
ゲインを補正することにより、上記のように放射線画像
情報の記録されていない放射線検出器の読み取りを行う
ことなく上記オフセットやゲインを補正する方法が提案
されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
２０００−１７４９８２号公報および特開平２０００−
２２４３７７号公報においては、不感画素が、放射線固
体検出器における放射線画像情報が記録される領域外に
設けられていたり、放射線固体検出の端部に設けられた
りしていたので、不感画素が放射線画像情報が記録され
た画素から離れている場合には、これらの画素同志に同
じ暗電流が流れているとは考えにくく、正確な補正を行
うことが困難であった。

【０００９】本発明は、上記のような問題点に鑑み、固
体検出器の暗電流に起因する画像信号におけるオフセッ
トやゲインの補正を、より正確かつ簡易に行うことがで
きる画像読取方法および画像記録読取装置を提供するこ
とを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の画像読取
方法は、画像情報を担持した記録用の電磁波の照射によ
り発生した電荷を蓄積することにより画像情報を記録す
る固体検出器を用い、記録用の電磁波の照射により画像
情報が記録された固体検出器から画像情報に応じた画像
信号を画素毎に読み取るとともに、固体検出器における
記録用の電磁波の入射が抑制された補正領域から読み取
った補正領域信号に基づいて画像信号を補正する画像読
取方法において、補正領域を、画素単位の補正画素領域
とし、補正画素領域を、補正画素領域が記録用の電磁波
が照射される範囲に離散して分布するように複数設け、
補正画素領域以外の領域に位置する読取画素から読み取
った各画像信号を、各読取画素の近傍に位置する補正画
素領域から読み取った補正領域信号に基づいて補正する
ことを特徴とする。

【００１１】ここで、上記「記録用の電磁波」とは、例
えば、放射線などを意味するが、放射線画像情報を担持
した放射線の照射によって蛍光体などから発せられた蛍
光なども含むものとする。

【００１２】また、上記「記録用の電磁波の入射を抑制
する」とは、例えば、Ｃｒ、ＰｂまたはＷなどの遮光部
材などを設けて上記放射線を吸収して固体検出器に放射
線が入射するのを抑制したり、もしくは色素または顔料
などを含む遮光部材を設けて上記蛍光を吸収して固体検
出器に蛍光が入射するのを抑制したりするようにしても
よいし、放射線自体の強度を制御することにより固体検
出器への入射を抑制するようにしてもよい。

【００１３】また、上記「補正領域を、画素単位の補正
画素領域とする」とは、補正領域を画素単位で構成する
ことを意味する。

【００１４】また、「各読取画素の近傍に位置する補正
画素領域」とは、各読取画素に最も近い位置にある補正
画素領域であることが望ましい。

【００１５】本発明の第２の画像読取方法は、画像情報
を担持した記録用の電磁波の照射により発生した電荷を
蓄積することにより画像情報を記録する固体検出器を用
い、記録用の電磁波の照射により画像情報が記録された
固体検出器から画像情報に応じた画像信号を画素毎に読
み取るとともに、固体検出器における補正領域から読み
取った記録用の電磁波の入射が抑制された補正領域信号
に基づいて画像信号を補正する画像読取方法において、
固体検出器における画素を補正領域と補正領域以外の読
取領域とに分割し、読取領域から読み取った読取領域信
号から画像信号を生成し、その生成した画像信号を、読
取領域と同じ画素に位置する補正領域から読み取った補
正領域信号を用いて補正することを特徴とする。

【００１６】ここで、上記「固体検出器における画素を
補正領域と補正領域以外の読取領域とに分割する」と
は、固体検出器における１画素の領域を上記補正領域と
上記読取領域とに分割し、各領域からそれぞれ読取領域
信号と補正領域信号とを読み取ることができるようにす
ることをいう。例えば、ストライプ電極により画像信号
を読み取る形態の場合には、固体検出器における１画素
の領域を２本のストライプ電極で読み取るようにし、一
方のストライプ電極により補正領域に応じた補正領域信
号と読み取るものとし、他方のストライプ電極により読
取領域に応じた読取領域信号を読み取るようにすればよ
い。

【００１７】また、上記「読取領域」をさらに複数に分
割してもよい。この場合には、複数に分割された領域に
応じた信号に基づいて読取領域に応じた読取領域信号を
算出するようにすればよい。例えば、ＴＦＴにより画像
信号を読み取る形態の場合には、カラー液晶パネル用の
露光マスクを用いることにより１画素の領域にＲ領域、
Ｇ領域およびＢ領域に応じた３つのＴＦＴを構成し、２
つのＴＦＴが読取領域に応じた読取領域信号を読み取り
ようにし、残りの１つのＴＦＴが補正領域に応じた補正
領域信号を読み取るようにすればよい。この場合には、
上述したように２つのＴＦＴから読み取られた信号から
読取領域信号を算出するようにすればよい。

【００１８】本発明の第１の画像記録読取装置は、画像
情報を担持した記録用の電磁波の照射により発生した電
荷を蓄積することにより画像情報を記録する固体検出器
と、固体検出器に記録された画像情報に応じた画像信号
を画素毎に読み取るとともに、固体検出器における記録
用の電磁波の入射が抑制された補正領域から補正領域信
号を読み取る読取手段と、補正領域信号に基づいて画像
信号を補正する補正手段とを備えた画像記録読取装置に
おいて、補正領域が、画素単位の補正画素領域であり、
その補正画素領域が記録用の電磁波が照射される範囲に
離散して分布するように複数設けられ、補正手段が、補
正画素領域以外の領域に位置する読取画素から読み取っ
た各画像信号を、各読取画素の近傍に位置する補正画素
領域から読み取った補正領域信号に基づいて補正するも
のであることを特徴とするものである。

【００１９】また、上記第１の画像記録読取装置におい
ては、各読取画素に補正画素領域が隣接するように補正
画素領域を設け、補正手段が、読取画素から読み取った
各画像信号を、各読取画素に隣接した補正画素領域から
読み取った補正領域信号に基づいて補正するようにする
ことができる。

【００２０】ここで、上記「隣接する」とは、上下左右
の方向に隣接するだけでなく、斜め方向に角で隣接して
いるものも含むものとする。従って、１つの補正画素に
対しては最大８つの読取画素が隣接することになる。

【００２１】また、補正手段が、補正画素領域の画像信
号を補正画素領域の近傍に位置する読取画素から読み取
った画像信号に基づいて算出するようにすることができ
る。

【００２２】ここで、上記補正画素領域の画像信号の算
出に用いる読取画素に応じた画像信号は、補正領域信号
による補正後の画像信号であることが望ましいが、補正
前の画像信号でもよい。

【００２３】本発明の第２の画像記録読取装置は、画像
情報を担持した記録用の電磁波の照射により発生した電
荷を蓄積することにより画像情報を記録する固体検出器
と、固体検出器に記録された画像情報に応じた画像信号
を画素毎に読み取るとともに、固体検出器における記録
用の電磁波の入射が抑制された補正領域から補正領域信
号を読み取る読取手段と、補正領域信号に基づいて画像
信号を補正する補正手段とを備えた画像記録読取装置に
おいて、固体検出器における画素が補正領域と補正領域
以外の読取領域とに分割され、読取手段が、読取領域か
ら読み取った読取領域信号から画像信号を生成するもの
であり、補正手段が、上記生成した画像信号を、読取領
域と同じ画素に位置する補正領域から読み取った補正領
域信号を用いて補正するものであることを特徴とするも
のである。

【００２４】また、上記第２の画像記録読取装置におい
ては、記録用の電磁波を読取領域に集光する集光レンズ
を有するようにすることができる。

【００２５】

【発明の効果】本発明の第１の画像読取方法および画像
記録読取装置によれば、補正領域を、画素単位の補正画
素領域とし、補正画素領域を、補正画素領域が記録用の
電磁波が照射される範囲に離散して分布するように複数
設け、補正画素領域以外の領域に位置する読取画素から
読み取った各画像信号を、各読取画素の近傍に位置する
補正画素領域から読み取った補正領域信号に基づいて補
正するようにしたので、より正確かつ簡易に暗電流に起
因するオフセットやゲインなどを補正することができ
る。

【００２６】また、上記第１の画像読取方法および画像
記録読取装置においては、各読取画素に補正画素領域が
隣接するように補正画素領域を設け、補正手段が、読取
画素から読み取った各画像信号を、各読取画素に隣接し
た補正画素領域から読み取った補正領域信号に基づいて
補正するようにした場合には、読取画素と補正画素とが
より近い位置に存在するので、より正確な補正を行うこ
とができる。

【００２７】また、補正手段が、補正画素領域の画像信
号を補正画素領域の近傍に位置する読取画素から読み取
った画像信号に基づいて算出するようにするようにした
場合には、補正画素領域についても適当な画像信号が算
出されるので、補正画素領域を設けたことによる画質の
劣化を抑制することができる。

【００２８】本発明の第２の画像読取方法および画像記
録読取装置によれば、固体検出器における画素を補正領
域と補正領域以外の読取領域とに分割し、読取領域から
読み取った読取領域信号から画像信号を生成し、その生
成した画像信号を、読取領域と同じ画素に位置する補正
領域から読み取った補正領域信号を用いて補正するよう
にしたので、より正確かつ簡易に暗電流に起因するオフ
セットやゲインなどを補正することができる。

【００２９】また、上記第２の画像記録読取装置におい
ては、集光レンズを用いて読取領域に記録用の電磁波を
集光するようにした場合には、補正領域を設けたことに
よる画質の劣化を抑制することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。図１は本発明による
画像読取方法を実施する画像記録読取装置において用い
られる放射線固体検出器の概略図であり、図１（Ａ）は
斜視図、図１（Ｂ）は検出器のＸ−Ｙ断面図、図１
（Ｃ）はＸ−Ｚ断面図である。

【００３１】放射線固体検出器１０は、放射線画像情報
を静電潜像として記録し、読取用の電磁波（以下読取光
と称す）で走査されることにより、前記静電潜像に応じ
た電流を発生するものであり、具体的には、記録用の放
射線（例えば、Ｘ線等、以下記録光という）に対して透
過性を有する第１の電極層１、記録光の照射を受けるこ
とにより導電性を呈する記録用光導電層２、第１の電極
層１に帯電される電荷（例えば負電荷）に対しては略絶
縁体として作用し、かつ、該電荷と逆極性の電荷（上述
の例においては正電荷）に対しては略導電体として作用
する電荷輸送層３、読取光の照射を受けることにより導
電性を呈する読取用光導電層４、読取光に対して透過性
を有する第２の電極層５を、この順に積層してなるもの
である。

【００３２】ここで、上記放射線固体検出器１０には、
図１に示すように第１の電極層１の上面に、該第１の電
極層１への記録光の入射を抑制する遮光部材６が設けら
れている。遮光部材６は、図１に示すように１画素の大
きさであり、この遮光部材６が設けられた画素を補正画
素領域という。図２に示すように、補正画素領域はその
周囲に遮光部材６の設けられてない画素（読取画素とい
う）が隣接するように設けられている。つまり、本実施
の形態では、補正画素領域が、第１の電極層１の全面に
９画素に１画素の割合で均一に設けられている。遮光部
材６としては記録光を吸収することにより記録光の入射
を抑制するものを用いることが望ましい。例えば、Ｃ
ｒ、ＰｂまたはＷなどを含んだ部材などを利用すること
ができる。

【００３３】また、第２の電極層５は、多数の線状電極
（図中の斜線部）がストライプ状に配列されて成るもの
である。各線状電極であるエレメント５ａの間５ｂは読
取光を遮光するものとするのが好ましい。

【００３４】次に、上記放射線固体検出器１０に放射線
画像情報を記録する方法および記録された放射線画像情
報を読み取る方法について詳細に説明する。図３は、図
１に示した放射線固体検出器１０を用いた放射線画像記
録読取装置の概略構成図を示すものである。

【００３５】本放射線画像記録読取装置は、放射線固体
検出器１０、電流検出手段２０、補正手段２５、記録光
照射手段３０および読取光照射手段４０からなり、記録
光照射手段３０は記録光Ｌ１を被写体９に一様に爆射す
るものであり、読取光照射手段４０は、ライン状に略一
様な読取光Ｌ２を第２の電極層５のエレメント５ａと概
略直交させつつ、エレメント５ａの長手方向（図中の矢
印方向）に走査露光するものである。

【００３６】電流検出手段２０は、第２の電極層５の各
エレメント５ａにそれぞれ接続された多数の電流検出ア
ンプ２１ａを有しており、読取光Ｌ２の露光により各エ
レメント５ａに流れる電流をエレメント５ａ毎に検出す
るものである。放射線固体検出器１０の第１の電極層１
は、接続手段２１ｂのＢ端子および電源２１ｃの負極に
接続されており、電源２１ｃの正極は接続手段２１ｂの
Ａ端子に接続されている。接続手段２１ｂのＣ端子は各
電流検出アンプ２１ａに接続されている（図３
（Ｂ））。

【００３７】補正手段２５は、上記のようにして設けら
れた補正画素領域に応じた補正領域信号を用いて、補正
画素領域以外の読取画素の画像信号を補正するものであ
る。

【００３８】電極層１の上面には被写体９が配設されて
おり、被写体９は記録光Ｌ１を透過する透過部９ａと透
過しない遮光部９ｂが存在する。

【００３９】まず、第１の電極層１とエレメント５ａと
の間に直流電圧を印加し両電極層を帯電させる。これに
より、図４（Ａ）に示すように第１の電極層１とエレメ
ント５ａとの間にはＵの字状の電界が形成される。

【００４０】次に、記録光照射手段３０から記録光Ｌ１
を被写体９に向けて一様に爆射する。記録光Ｌ１は被写
体９の透過部９ａを透過し、さらに第１の電極層１をも
透過する。記録用光導電層２はこの透過した記録光Ｌ１
を受け導電性を呈するようになる。記録光Ｌ１によって
生成される負電荷および正電荷を、図面上では−または
＋を丸で囲んで表すものとする。

【００４１】記録用光導電層２中に生じた正電荷は、記
録用光導電層２中を第１の電極層１に向かって高速に移
動し、第１の電極層１と記録用光導電層２との界面で第
１の電極層１に帯電している負電荷と電荷再結合して消
滅する（図４（Ｂ））。一方、記録用光導電層２中に生
じた負電荷は記録用光導電層２中を電荷転送層３に向か
って移動する。電荷転送層３は第１の電極層１に帯電し
た電荷と同じ極性の電荷（本実施の形態では負電荷）に
対して絶縁体として作用するものであるから、記録用光
導電層２中を移動してきた負電荷は記録用光導電層２と
電荷転送層３との界面で停止し、電界分布に沿ってエレ
メント５ａに集中して蓄積され（図４(Ｂ)）、これによ
りエレメント５ａを中心として放射線画像情報に応じた
静電潜像が記録されるようになる（図４（Ｃ)）。蓄積
される電荷量は記録用光導電層２中に生じる負電荷の
量、即ち、記録光L1の被写体９を透過した光量によって
定まるものである。

【００４２】一方、記録光Ｌ１は被写体９の遮光部９ｂ
を透過しないから、放射線固体検出器１０の遮光部９ｂ
の下部にあたる部分は何ら変化を生じない（図４(Ａ)〜
(Ｃ)を参照）。

【００４３】また、被写体９の透過部９ａを透過し、第
１の電極層１の上面に設けられた遮光部材６に入射した
記録光Ｌ１は大部分が遮光部材６に吸収され、わずかに
ではあるが遮光部材６を透過した記録光Ｌ１は上記と同
様に記録用光導電層２に入射される。従って、上記遮光
部材６の設けられた補正画素領域に応じた範囲にも電荷
が蓄積される。

【００４４】次に、上記のように記録された放射線画像
情報を読み取る際には、まず、接続手段２１ｂを放射線
固体検出器１０の第１の電極層１側（Ｂ端子）に接続
し、第１の電極層１と第２の電極層５のストライプ電極
とを同電位にして電荷の再配列を行う（図５（Ａ））。
その後、読取光照射手段４０により読取光Ｌ２を走査露
光すると、読取光Ｌ２は第２の電極層５を透過し、この
透過した読取光Ｌ２が照射された読取用光導電層４は走
査露光に応じて正負の電荷が発生し導電性を呈するよう
になる（図５（Ｂ））。記録用光導電層２と電荷輸送層
３との界面と第２の電極層５との間には、蓄積電荷に応
じて電界が形成されている。また、電荷輸送層３は正電
荷に対しては導電体として作用するものであるから、読
取用光導電層４に生じた正電荷は蓄積電荷に引きつけら
れるように電荷輸送層３の中を急速に移動し、記録用光
導電層２と電荷輸送層３との界面で蓄積電荷と電荷再結
合し消滅する（図５（Ｃ））。一方、読取用光導電層４
に生じた負電荷は第２電極層５の正電荷と電荷再結合を
し消滅する（図５（Ｃ））。このとき、放射線固体検出
器１０の第１の電極層１から電流検出アンプ２１ａを介
して第２の電極層５の各エレメント５ａに電流Ｉが流れ
る。各電流検出アンプ２１ａにおいては、この電流Ｉに
よって積分コンデンサ２１ｅが充電され、流れる電流量
に応じて積分コンデンサ２１ｅに電荷が蓄積され、積分
コンデンサ２１ｅの両端の電圧が上昇する。したがっ
て、走査露光中の画素と画素の間に接続手段２１ｆをオ
ンして積分コンデンサ２１ｅに蓄積された電荷を放電さ
せることにより、積分コンデンサ２１ｅの両端には次々
と画素毎の蓄積電荷に対応して電圧の変化が観測される
こととなる。この電圧の変化は、放射線固体検出器１０
に蓄積されていた各画素毎の電荷と対応するものである
から、電圧の変化を検出することによって放射線画像情
報を読み出すことができるようになる。

【００４５】ここで、上記のようにして読み出された各
画素毎の信号は、それぞれ補正手段２５に出力される。
補正手段２５には、上記各画素毎の信号を記憶するメモ
リ（図示省略）が設けられており、このメモリに電流検
出アンプ２１ａからの出力に応じて各画素毎の信号が記
憶されていく。例えば、図３におけるｅ１〜ｅｎのエレ
メント５ａから出力される信号をＶ１〜Ｖｎとし、１ラ
イン目の読み取りにより出力された各画素の信号をＶ１
-１〜Ｖｎ-１、２ライン目の読み取りにより出力された
各画素の信号をＶ１-２〜Ｖｎ-２とすると、メモリには
図６に示されるように各画素の信号が記憶されていく。

【００４６】ところで、本実施の形態では、上記のよう
に補正画素領域を設けているので、例えば、図６に示す
ように各画素の信号が記憶された場合には、斜線部で示
すＶ２-２、Ｖ５-２、Ｖ２-５およびＶ５-５が補正画素
領域に応じた補正領域信号となる。補正手段２５は、こ
の補正領域信号を用いて、補正画素領域以外の読取画素
に応じた画像信号を補正する。この画像信号の補正に用
いられる補正領域信号は、その読取画素に隣接する補正
画素領域のものが用いられる。従って、図６に示すよう
に画像信号および補正領域信号が記憶されている場合に
は、画像信号Ｖ１-１、Ｖ１-２、Ｖ１-３、Ｖ２-１、Ｖ
２-３、Ｖ３-１、Ｖ３-２およびＶ３-３は、補正領域信
号Ｖ２-２を用いて補正される。また、画像信号Ｖ１-
４、Ｖ１-５、Ｖ１-６、Ｖ２-４、Ｖ２-６、Ｖ３-４、
Ｖ３-５およびＶ３-６は、補正領域信号Ｖ２-５を用い
て補正される。

【００４７】補正の演算方法は、例えば、画像信号の値
から補正領域信号の値を差し引いたものに３／２を掛け
合わせたものを補正された画像信号とすればよい。この
補正の演算方法は以下のようにして求めたものである。
画像信号Ｄｎの信号成分をＤ、ノイズ成分をＤ０、補正
領域信号Ｄｄの信号成分をＤ’、ノイズ成分をＤ０とす
ると、補正領域信号の信号成分Ｄ’が画像信号Ｄの１／
３になると仮定すれば、下式（１）、（２）および
（３）を解くことにより下式（４）に求められる。

【００４８】Ｄｄ＝Ｄ０＋Ｄ’ …（１） Ｄｎ＝Ｄ０＋Ｄ …（２） Ｄ’＝ （１／３）×Ｄ …（３） →Ｄ＝（Ｄｎ−Ｄｄ）×３／２ …（４） 上記のようにして全ての読取画素に応じた画像信号につ
いて、補正画素領域に応じた補正領域信号を用いて補正
された信号を求めることができる。

【００４９】また、補正手段２５において、補正画素領
域に応じた画像信号をその周辺に位置する読取画素の補
正後の画像信号を用いて補間して求めるようにしてもよ
い。

【００５０】上記第１の実施の形態の放射線画像記録読
取装置によれば、読取画素に補正画素領域が隣接するよ
うに補正画素領域を設け、補正手段２５が、読取画素に
応じた画像信号を読取画素に隣接した補正画素領域に応
じた補正領域信号に基づいて補正するようにしたので、
より正確かつ簡易に暗電流に起因するオフセットやゲイ
ンなどを補正することができる。

【００５１】また、補正手段２５が、補正画素領域に応
じた画像信号をその周辺に位置する読取画素の補正後の
画像信号を用いて補間して求めるようにした場合には、
補正画素領域についても適当な画像信号が算出されるの
で、補正画素領域を設けたことによる画質の劣化を抑制
することができる。

【００５２】次に、本発明の画像読取方法を実施する画
像記録読取装置の第２の実施の形態について説明をす
る。図７は本実施の形態において用いられる放射線固体
検出器の概略構成を示す図であり、図７（Ａ）は斜視
図、図７（Ｂ）はＸＹ断面図、図７（Ｃ）はＸＺ断面図
である。

【００５３】放射線固体検出器５０は、放射線画像情報
を静電潜像として記録し、読取用の電磁波（以下読取光
と称す）で走査されることにより、前記静電潜像に応じ
た電流を発生するものであり、具体的には、記録光Ｌ２
の励起により蛍光Ｌ４を発する蛍光体５１、多数の平板
状のエレメント５２ａをストライプ状に配列してなる第
１ストライプ電極が形成された第１の電極層５２、記録
光の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導
電層５３、読取光の照射を受けることにより導電性を呈
する前露光用光導電層５４、多数の平板状のエレメント
５５ａをストライプ状に配列してなる第２ストライプ電
極が形成された第２の電極層５５を、この順に積層して
なるものである。記録用光導電層５３と前露光用光導電
層５４との間に蓄電部５６が形成される。第１の電極層
５２は蛍光Ｌ４を透過するものである。

【００５４】ここで、本実施の形態においては、図７に
示すように１画素の領域を２本のエレメント５５aで読
み取るように第２の電極層５５が形成されている。そし
て、この２本のエレメント５５ａのうちエレメント５５
ｂは読取領域信号を読み取るために用いられ、エレメン
ト５５ｃは補正領域信号を読み取るために用いられる。
エレメント５５ｃが読み取る補正領域に応じた第１の電
極層５２の上面には遮光部材５７が設けられている。遮
光部材５７としては蛍光Ｌ４を吸収することにより蛍光
の記録用光電層５３への入射を抑制するものを用いるこ
とが望ましい。例えば、Ｃｒや色素または顔料などを含
んだ部材などを利用することができる。

【００５５】次に、上記放射線固体検出器５０に放射線
画像情報を記録する方法および記録された放射線画像情
報を読み取る方法について詳細に説明する。図８および
図９は、図７に示した放射線固体検出器５０を用いた本
発明の画像記録読取装置を適用した放射線画像記録読取
装置の概略構成図を示すものである。

【００５６】本放射線画像記録読取装置は、放射線固体
検出器５０、電流検出手段６０、補正手段６５、記録光
照射手段７０および読取光照射手段８０からなり、記録
光照射手段７０は記録光Ｌ１を被写体９に一様に爆射す
るものであり、読取光照射手段８０は、ライン状に略一
様な読取光Ｌ２を第２の電極層５５のエレメント５５ａ
と概略直交させつつ、エレメント５５ａの長手方向（図
中の矢印方向）に走査露光するものである。

【００５７】電流検出手段６０には、放射線固体検出器
５０から外部に流れ出す放電電流を検出する電流検出ア
ンプ６１、電源６２、スイッチ６３，６４、スイッチ部
６９およびスイッチ部６８が設けられている。

【００５８】スイッチ部６９は、第１ストライプ電極の
エレメント５２ａの１つずつと各別に接続されたスイッ
チング素子６９ａを有している。各スイッチング素子６
９ａの他方の端子は共通にスイッチ６４のｃ端子に接続
されている。スイッチ部６８は、第２ストライプ電極の
エレメント５５ａの１つずつと各別に接続されたスイッ
チング素子６８ａを有している。

【００５９】電流検出アンプ部６１は、電流検出アンプ
６１ｄを多数有し、各電流検出アンプ６１ｄは、オペア
ンプ６１ａ、積分コンデンサ６１ｂおよびスイッチ６１
ｃから成る。各オペアンプ６１ａの非反転入力端子(+)
がスイッチ６３のｃ端子に共通に接続され、反転入力端
子(一)が各別にスイッチ部６８のスイッチング素子６８
ａに接続され、該スイッチング素子６８ａを介してそれ
ぞれ対応するエレメント５５ａに接続されている。

【００６０】電源６２の正極は、スイッチ６３のｂ端子
とスイッチ６４のａ端子とに接続されている。電源６２
の負極は、スイッチ６３のａ端子とスイッチ６４のｂ端
子とに接続されている。

【００６１】また、電流検出回路６０には制御手段６６
が設けられており、前露光光Ｌ３の照射の後に記録光Ｌ
２を放射線固体検出器５０に照射する際には、該制御手
段６６は、先ずスイッチ６３,６４の少なくとも一方を
何れの端子にも接続せず放射線固体検出器５０と電源６
２とを切り離して、電圧の印加を停止させる。

【００６２】また、制御手段６６は、前露光光Ｌ３を照
射する際には、スイッチ６３,６４をともにａ端子また
はｂ端子に接続し、オペアンプ６１ａのイマジナリーシ
ョートを介して、放射線固体検出器５０に電源６２から
電圧が印加されるようにする。なお、スイッチ６３,６
４を、ともにａ端子に接続した場合と、ｂ端子に接続し
た場合とでは、放射線固体検出器５０に印加される電圧
の極性が逆になる。また、必要に応じて、前露光光Ｌ３
を照射した後に、例えばａ端子に接続していた状態から
ｂ端子に接続変更する等、スイッチ６３,６４の接続を
逆接続して、前露光光Ｌ３を照射していたときとは逆極
性の電圧が放射線固体検出器５０に印加されるようにす
る。

【００６３】制御手段６６からはスイッチ６３,６４並
びにスイッチ部６８,６９に制御信号がそれぞれ入力さ
れており、読取時には、制御手段６６は、先ずスイッチ
６３をａ端子に接続してスイッチ６４をｂ端子に接続
し、またはスイッチ６３をｂ端子に接続してスイッチ７
４をａ端子に接続されるようにする。また、制御手段６
６は、第1ストライプ電極のエレメント５２ａの1つずつ
をエレメント５５ａの長手方向に順次切り替えながら、
切り替えられたエレメント５２ａが各スイッチング素子
６８ａとオペアンプ６１ａのイマジナリショートを介し
て第２ストライプ電極の各エレメント５５ａと順次接続
されるように、第２ストライプ電極の工レメント５５ａ
の1つずつをエレメント５２ａの長手方向に順次切り替
える。このスイッチ部６８によるエレメント５２ａの長
手方向への順次切替えは主走査に対応し、スイッチ部６
９によるエレメント５５ａの長手方向への順次切替えは
副走査に対応する。図８においては、エレメント５５ａ
に対して主走査方向の位置であるカラムの番号Ｃ１〜Ｃ
５を付し、エレメント５２ａに対して副走査方向の位置
である読出ラインの番号Ｌ１〜Ｌ５を付すものとする。

【００６４】そして、電流検出アンプ６１ｄはスイッチ
部６８,６９による切替接続によって放射線固体検出器
５０から外部に流れ出す放電電流をエレメント５２ａ，
５５ａの格子点について順次検出することにより、蓄電
部５６に蓄積された電荷の量に応じたレベルの電気信号
を取得するものである。

【００６５】次に、放射線固体検出器５０に前露光光Ｌ
３を照射して蓄電部５６に一様の電荷を蓄積し、その
後、放射線画像情報を静電潜像として記録し、さらに記
録された静電潜像を読み出す方法について説明する。

【００６６】最初に、蓄電部５６に一様の電荷を蓄積す
る一様電荷蓄積過程について、図１０に示す電荷モデル
を参照して説明する。なお、蛍光体５１および遮光部材
５７は省略して示す。また、前露光光Ｌ３によって前露
光用光導電層５４内に生成される負電荷および正電荷
を、図面上では一または+を丸で囲んで表すものとす
る。なお、図１０においては遮光部材５７を省略してい
る。

【００６７】放射線検出器５０の蓄電部５６に一様の電
荷を蓄積する際には、先ずスイッチ６３，６４を共にａ
側に切り替え、またスイッチ部６８,６９のスイッチン
グ素子６８ａ,６９ａを全てオンにし、第１ストライプ
電極と第２ストライプ電極との間に電源６２からオペア
ンプ６１ａを介して直流電圧を印加し、第１ストライプ
電極の全エレメント５２ａを正に帯電させ、第２ストラ
イプ電極の全エレメント５５ａを負に帯電させる(図１
０(Ａ))。これにより、両電極間には所定の電界分布が
生じる。

【００６８】次に、両電極間に電圧を印加した状態で、
第２の電極層５５側から該電極層５５の全面について略
一様強度の前露光光Ｌ３を照射する。前露光光Ｌ３は、
放射線固体検出器５０の第２の電極層１５を透過し、前
露光用光導電層５４内で前露光光の光量に応じた量の正
負の電荷対を発生せしめる(図１０(Ｂ))。

【００６９】第１ストライプ電極と第２ストライプ電極
の間には所定の電界分布が生じているので、この電界分
布に応じて、発生した電荷対のうち、負電荷が蓄電部５
６の方へ移動する。一方、正電荷が第２の電極層５５の
方へ移動し、第２ストライプ電極のエレメント５５ａに
帯電している負電荷と電荷再結合して消滅する。前露光
光Ｌ３を十分に照射すると、エレメント５５ａに帯電し
ていた全ての負電荷が、前露光用光導電層５４内で発生
した正電荷と電荷再結合して消滅する。つまり、蓄電部
５６において負電荷が一様電荷として蓄積され、エレメ
ント５２ａには正電荷が帯電された状態となる(図１０
(Ｃ))。

【００７０】次に、放射線画像情報を静電潜像として記
録する静電潜像記録過程について、図１１に示す電荷モ
デルを参照して説明する。

【００７１】放射線固体検出器５０に静電潜像を記録す
る際には、先ずスイッチ６３,６４の少なくとも一方を
何れの端子にも接続せず放射線固体検出器５０と電源６
２とを切り離して、放射線固体検出５０への電圧の印加
を停止させる。なお、スイッチ６３,６４によらず、ス
イッチ部６９の全スイッチング素子６９ａをオフにした
り、スイッチ部６８の全スイッチング素子６８ａをオフ
にしてもよい（図１１（Ａ））。

【００７２】次に、放射線Ｌ１を被写体９に爆射し、被
写体９の透過部９ａを通過した被写体の放射線画像情報
を担持する記録光Ｌ２を放射線固体検出器５０の蛍光体
５１へ照射する。これにより、蛍光体５１から、記録光
Ｌ２の励起により、記録光Ｌ２の線量に応じた光量の蛍
光Ｌ４が発せられる（図１１（Ｂ））。蛍光体５１から
発せられた蛍光Ｌ４は、第１の電極層５２を透過し、記
録用光導電層５３内で蛍光Ｌ４の光量に応じた量の正負
の電荷対を発生せしめる（図１１（Ｃ））。

【００７３】ここで、本実施の形態では、１画素の領域
が読取領域と補正領域とに分割されており、上述の通り
補正領域には遮光部材５７が設けられている。従って、
補正領域に応じた蛍光体５１の領域で生じた蛍光Ｌ４は
遮光部材５７に吸収されるため、記録用光導電層５３に
は遮光部材５７によって吸収されなかった僅かな蛍光Ｌ
４のみが入射し、これに応じた正負の電荷対が発生する
ことになる。

【００７４】第１ストライプ電極と蓄電部５６との間に
は、各エレメント５２ａに帯電している正電荷と、蓄電
部５６に蓄積された一様な負電荷との間で所定の電界分
布が生じている。したがって、この電界分布に応じて、
発生した電荷対のうち、負電荷が第１の電極層５２の方
へ移動しストライプ電極のエレメント５２ａに帯電して
いる正電荷と電荷再結合して消滅する。また、正電荷が
蓄電部５６の方へ移動し蓄積された負電荷と電荷再結合
して消滅する（図１１（Ｄ）の左側部）。

【００７５】一方、被写体９の非透過部９ｂに照射され
た放射線Ｌ１は被写体９を透過することがないので、そ
の部分に対応する第1ストライプ電極のエレメント５２
ａには正電荷が帯電し、蓄電部５６には負電荷が帯電し
たまま残る（図１１（Ｃ）の右側部)。

【００７６】ところで、上述した説明では、エレメント
５２ａや蓄電部５６に帯電している電荷を全て消滅させ
る分の電荷対が記録用光電層１３内で発生するものとし
て説明したものであるが、実際に発生する電荷対の量
は、放射線固体検出器５０に入射する蛍光Ｌ４の強度や
線量に応じたものとなる。つまり、放射線固体検出器５
０に蓄積されたまま残る電荷の量は、被写体９を透過し
放射線固体検出器５０に入射した蛍光Ｌ４の強度や線量
が大きくなるほど減少することとなるので、前露光によ
って蓄電部５６に蓄積せしめた一様電荷量から、この残
存電荷量を差し引いたものが静電潜像を担持することと
なる。換言すれぱ、静電潜像を担持する負電荷が潜像電
荷として蓄電部５６に蓄積され、放射線固体検出器５０
に静電潜像が記録されたこととなる。

【００７７】ここで、本実施の形態では、１画素の領域
が読取領域と補正領域とに分割されており、上述の通り
補正領域には遮光部材５７が設けられている。従って、
遮光部材５７が設けられてない読取領域に応じた蓄積部
５６に静電潜像を担持する負電荷が潜像電荷として蓄積
され、遮光部材５７が設けられた補正領域に応じた蓄電
部５６には、上記読取領域から読み出される読取領域信
号を補正するための補正領域信号に応じた負電荷が蓄積
されることになる。

【００７８】次に、上記のようにして放射線固体検出器
５０に記録された静電潜像を読み出す静電潜像読取過程
について、図１２に示す電荷モデルを参照して説明す
る。

【００７９】放射線固体検出器５０から静電潜像を読み
取る際には、スイッチ６３をａ端子に接続してスイッチ
６４をｂ端子に接続し、またはスイッチ６３をｂ端子に
接続してスイッチ６４をａ端子に接続して、スイッチ部
６９のスイッチング素子６９ａとスイッチ部６８のスイ
ッチング素子６８ａとがオンしたときに、オペアンプ７
１ａのイマジナリショートを介してエレメント５２ａが
エレメント５５ａと接続されるように準備する（図１２
（Ａ））。

【００８０】次いで、スイッチ部６９のスイッチング素
子６９ａのうちの第1ラインＬ１分のみをオンさせ、ス
イッチ部６８のスイッチング素子６８ａを、エレメント
５５ａの配列方向(エレメント５２ａの長手方向)に、一
方の端から他方の端に向けて(カラムＣ１からＣ５方向
に)順次切り替えて1つずつオンさせて、オンしたスイッ
チング素子６８ａと接続されたエレメント５５ａと第１
ラインＬ１分のエレメント５２ａとを、オペアンプ７１
ａを介して順次接続する（図１２（Ｂ）)。この順次接
続は第1ラインＬ１における主走査に相当する。

【００８１】この切替接続によって、エレメント５２ａ
と各エレメント５５ａとが順次同電位となり、第１ライ
ンＬ１分のエレメント５２ａとオンしたスイッチング素
子６８ａと接続されたエレメント５５ａに対応する部分
すなわちエレメント１２ａ,１６ａの格子点に蓄積して
いる負電荷との間で電荷再配列が行われる。つまり、接
続されたエレメント５２ａに帯電していた正電荷がオペ
アンプ６１ａを経由して第２の電極層５５の方へ移動
し、対応する部分の蓄積部５６とエレメント５２ａとの
間の容量Ｃａおよび蓄積部５６とエレメント５５ａとの
間の容量Ｃｂの各大きさに応じて正電荷が再配分され
る。一方、蓄積部５６に負電荷が帯電してない部分では
正電荷の移動はない。

【００８２】電流検出アンプ部６１の各電流検出アンプ
６１ｄは、この正電荷の移動によって放射線固体検出器
５０から流れ出す放電電流Ｉｄによって、電流検出アン
プ７１ｄの出力部の電圧が変化するのを各エレメント５
５ａ毎に順次検出する。この電圧の変化は放射線固体検
出器５０に蓄積されていた各画素毎の潜像電荷の量に応
じたものとなるので、スイッチ部６８の順次切替えによ
って、主走査方向に次々と画素毎の潜像電荷に対応して
電圧の変化が観測されることとなり、第1ラインＬ１分
の画像信号が得られる。

【００８３】ここで、本実施の形態では、１画素の領域
における読取領域に応じた読取領域信号は第２ストライ
プ電極のエレメント５５ｂにより読み出され、補正領域
に応じた補正領域に応じた補正領域信号は第２ストライ
プ電極にエレメント５５ｃから読み出される。エレメン
ト５５ｂから読み出された読取領域信号およびエレメン
ト５５ｃから読み出された補正領域信号はそれぞれ電流
検出アンプにより検出され、それぞれの電圧変化は補正
手段６５に入力される。例えば、図９においてカラムＣ
１から読み出された信号は補正領域信号Ｕ１として補正
手段６５に入力され、カラムＣ２から読み出された信号
は読取領域信号Ｕ２として補正手段６５に入力される。
補正手段６５は図１３に示すような差分アンプ６７を、
放射線固体検出器５０における主走査方向についての画
素数分備えている。補正領域信号Ｕ１と読取領域信号Ｕ
２はこの差分アンプに入力され、差分アンプにおいてそ
の差が算出され、所定のゲインを掛け合わせた後、画像
信号Ｔ１として出力される。放射線固体検出器５０のエ
レメント５５ｂ，５５ｃから出力される信号は全て上記
のようにして補正手段６５において補正されて画像信号
として出力される。上記所定のゲインは、例えば、読取
領域信号と補正領域信号とが第１の実施の形態における
数式（１）〜（３）のような関係である場合には、上記
差分に３／２を掛け合わせるようゲインを設定すればよ
い。

【００８４】以下順に、例えぱ第２ラインＬ２のエレメ
ント５２ａと接続されたスイッチング素子６９ａのみを
オンさせ、他の読出ラインＬ１,Ｌ３,Ｌ４などのエレメ
ント５２ａと接続された各スイッチング素子６９ａをオ
フさせるなど、スイッチ部６９のスイッチング素子６９
ａをエレメント５５ａの長手方向に順次切り替えて所望
の読出ライン分のみをオンさせ、上記第１ラインＬ１分
の作用と同様にスイッチ部６８のスイッチング素子６８
ａを順次切り替えて当該読出ラインについての電流検出
を行なうことにより当該読出ラインの各画素毎の補正領
域信号と読取領域信号を得、補正手段６５により補正し
て画像信号を得、副走査方向に全ライン分の画像信号の
算出を行なうことにより1枚分の静電潜像を表す画像信
号を得る、つまり放射線画像情報を読み取ることができ
る。

【００８５】上記第２の実施の形態の放射線画像記録読
取装置によれば、放射線固体検出器５０における画素を
補正領域と補正領域以外の読取領域とに分割し、読取領
域から読み取った読取領域信号から画像信号を生成し、
その生成した画像信号を、読取領域と同じ画素に位置す
る補正領域から読み取った補正領域信号を用いて補正す
るようにしたので、より正確かつ簡易に暗電流に起因す
るオフセットやゲインなどを補正することができる。

【００８６】また、上記第２の実施の形態においては、
図１４に示すように放射線固体検出器５０における読取
領域に記録光が集光されて照射されるようにレンズ５８
を設けるようにしてもよい。このようにレンズ５８によ
り集光するようにした場合には、補正領域を設けたこと
による画質の劣化を抑制することができる。

【００８７】また、上記第２の実施の形態においてはス
トライプ電極により潜像電荷を読み出す形態としたが、
ＴＦＴにより潜像電荷を読み出す形態とした場合には、
例えば、カラー液晶パネル用を作成する際の露光マスク
を用いて、図１５に示すように１画素の領域に３つのト
ランジスタＴｒ１，Ｔｒ２，Ｔｒ３を構成し、この３つ
のトランジスタのうちＴｒ１およびＴｒ３を読取領域信
号を読み出すために利用し、Ｔｒ２を補正領域信号を読
み出すために利用するようにしてもよい。この場合、放
射線画像情報を担持した記録光をフォトダイオードで検
出する形態のときは、Ｔｒ２が読み出す領域に応じたフ
ォトダイオードへの記録光の入射が抑制されるように遮
光部材５７を設けるようにすればよい。また、放射線画
像情報を担持した記録光を光導電層で検出する形態のと
きには、Ｔｒ２が読み出す領域に応じた光導電層への記
録光の入射が抑制されるように遮光部材５７を設けるよ
うにすればよい。

【００８８】さらに、Ｔｒ１およびＴｒ２を読取領域信
号読出用のトランジスタとし、Ｔｒ３を補正領域信号読
出用のトランジスタとした場合、もしくは、Ｔｒ２およ
びＴｒ３を読取領域信号読出用のトランジスタとし、Ｔ
ｒ１を補正領域信号読出用のトランジスタとした場合に
は、図１４に示した形態と同様に、読取領域信号読出用
のトランジスタが読み出す領域に応じたフォトダイオー
ドまたは光導電層に記録光が集光されるようにレンズを
設けるようにしてもよい。

【００８９】また、上記のように３つのトランジスタに
より１画素の信号を読み出す場合には、図１５に示すよ
うに２つの読取領域信号読出用のトランジスタにより読
み出された信号を加算したものを読取領域信号として差
分アンプ９０に入力し、一方、１つの補正領域信号読出
用のトランジスタにより読み出された信号を２倍したも
のを補正領域信号として差分アンプ９０に入力し、上記
読取領域信号から補正領域信号を差し引いたものを画像
信号とすることにより補正を行うようにすればよい。さ
らに、上記差分アンプに所定のゲインを設定するように
してもよい。

【００９０】また、上記第２の実施の形態においては、
蛍光体５１内に遮光部材５７を設けるようにしたが、図
１６に示すように蛍光体５１の上面に遮光部材５７を設
けるようにしてもよい。

【００９１】また、図１７に示すように補正領域に応じ
た蛍光体５１における領域全体５１ａに、例えば、色素
や顔料を含ませることにより放射線固体検出器５０に照
射される蛍光を吸収して記録用光導電層５３に入射され
る蛍光を抑制するようにしてもよい。

【００９２】また、図１８に示すように補正領域に応じ
た蛍光体５１における領域に穴５１ｂを設けて蛍光体５
１で発生する蛍光を減少させることにより記録用光導電
層５３に入射される蛍光を抑制するようにしてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による画像記録読取装置の第１の実施の
形態を適用した放射線画像記録読取装置において使用さ
れる放射線固体検出器の斜視図（Ａ）、ＸＹ断面図
（Ｂ）、ＹＺ断面図（Ｃ）

【図２】図１に示す放射線固体検出器の平面図

【図３】本発明による画像記録読取装置の第１の実施の
形態を用いた放射線画像記録読取装置の概略構成図

【図４】図３に示す放射線画像記録読取装置を用いて放
射線画像情報を記録する方法を説明する図

【図５】図３に示す放射線画像記録読取装置を用いて記
録された放射線画像情報を読み取る方法を説明する図

【図６】図３に示す放射線画像記録読取装置により読み
出された画像信号を説明する図

【図７】本発明による画像記録読取装置の第２の実施の
形態を適用した放射線画像記録読取装置において使用さ
れる放射線固体検出器の斜視図（Ａ）、ＸＹ断面図
（Ｂ）、ＹＺ断面図（Ｃ）

【図８】本発明による画像記録読取装置の第２の実施の
形態を用いた放射線画像記録読取装置の概略構成図

【図９】本発明による画像記録読取装置の第２の実施の
形態を用いた放射線画像記録読取装置の概略構成図

【図１０】図８に示す放射線画像記録読取装置を用いて
放射線固体検出器に一様電荷を蓄積する方法を説明する
図

【図１１】図８に示す放射線画像記録読取装置を用いて
放射線画像情報を記録する方法を説明する図

【図１２】図８に示す放射線画像記録読取装置を用いて
記録された放射線画像情報を読み取る方法を説明する図

【図１３】図８に示す放射線画像記録読取装置の補正手
段における差分アンプを示す図

【図１４】図８に示す放射線画像記録読取装置において
集光レンズを設けた形態を示す図

【図１５】本発明の画像記録読取装置のその他の実施の
形態を用いた放射線画像記録読取装置の一部概略構成図

【図１６】本発明の画像記録読取装置のその他の実施の
形態を用いた放射線画像記録読取装置の一部概略構成図

【図１７】本発明の画像記録読取装置のその他の実施の
形態を用いた放射線画像記録読取装置の一部概略構成図

【図１８】本発明の画像記録読取装置のその他の実施の
形態を用いた放射線画像記録読取装置の一部概略構成図

【符号の説明】

１，５２ 第１の電極層 ２，５３ 記録用光導電層 ３ 電荷輸送層 ４ 読取用光導電層 ５，５５ 第２の電極層 ６，５７ 遮光部材 ９ 被写体 １０，５０ 放射線固体検出器 ２０，６０ 電流検出手段 ２５，６５ 補正手段 ３０ 記録光照射手段 ４０ 読取光照射手段 ５４ 前露光用光導電層 ５６ 蓄電部 ６１ 電流検出アンプ部 ６２ 電源 ６３，６４ スイッチ ６６ 制御手段 ６７ 差分アンプ ６８，６９ スイッチ部

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H013 AB00 AB10 5B047 AA17 AB02 BB04 BC01 CB05 CB22 DA01 DA06 DC07 5C072 AA01 BA02 BA04 DA15 DA21 EA08 FA01 FB16 FB17 UA05 VA01

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画像情報を担持した記録用の電磁波の照
   射により発生した電荷を蓄積することにより前記画像情
   報を記録する固体検出器を用い、前記記録用の電磁波の
   照射により前記画像情報が記録された前記固体検出器か
   ら前記画像情報に応じた画像信号を画素毎に読み取ると
   ともに、前記固体検出器における前記記録用の電磁波の
   入射が抑制された補正領域から読み取った補正領域信号
   に基づいて前記画像信号を補正する画像読取方法におい
   て、 前記補正領域を、前記画素単位の補正画素領域とし、 該補正画素領域を、該補正画素領域が前記記録用の電磁
   波が照射される範囲に離散して分布するように複数設
   け、 該補正画素領域以外の領域に位置する読取画素から読み
   取った各画像信号を、各読取画素の近傍に位置する前記
   補正画素領域から読み取った補正領域信号に基づいて補
   正することを特徴とする画像読取方法。
2. 【請求項２】 画像情報を担持した記録用の電磁波の照
   射により発生した電荷を蓄積することにより前記画像情
   報を記録する固体検出器を用い、前記記録用の電磁波の
   照射により前記画像情報が記録された前記固体検出器か
   ら前記画像情報に応じた画像信号を画素毎に読み取ると
   ともに、前記固体検出器における前記記録用の電磁波の
   入射が抑制された補正領域から読み取った補正領域信号
   に基づいて前記画像信号を補正する画像読取方法におい
   て、 前記固体検出器における前記画素を前記補正領域と該補
   正領域以外の読取領域とに分割し、 前記読取領域から読み取った読取領域信号から前記画像
   信号を生成し、 該生成した画像信号を、前記読取領域と同じ画素に位置
   する前記補正領域から読み取った補正領域信号を用いて
   補正することを特徴とする画像読取方法。
3. 【請求項３】 画像情報を担持した記録用の電磁波の照
   射により発生した電荷を蓄積することにより前記画像情
   報を記録する固体検出器と、該固体検出器に記録された
   前記画像情報に応じた画像信号を画素毎に読み取るとと
   もに、前記固体検出器における前記記録用の電磁波の入
   射が抑制された補正領域から補正領域信号を読み取る読
   取手段と、前記補正領域信号に基づいて前記画像信号を
   補正する補正手段とを備えた画像記録読取装置におい
   て、 前記補正領域が、前記画素単位の補正画素領域であり、
   該補正画素領域が前記記録用の電磁波が照射される範囲
   に離散して分布するように複数設けられ、 前記補正手段が、前記補正画素領域以外の領域に位置す
   る読取画素から読み取った各画像信号を、各読取画素の
   近傍に位置する前記補正画素領域から読み取った補正領
   域信号に基づいて補正するものであることを特徴とする
   画像記録読取装置。
4. 【請求項４】 画像情報を担持した記録用の電磁波の照
   射により発生した電荷を蓄積することにより前記画像情
   報を記録する固体検出器と、該固体検出器に記録された
   前記画像情報に応じた画像信号を画素毎に読み取るとと
   もに、前記固体検出器における前記記録用の電磁波の入
   射が抑制された補正領域から補正領域信号を読み取る読
   取手段と、前記補正領域信号に基づいて前記画像信号を
   補正する補正手段とを備えた画像記録読取装置におい
   て、 前記固体検出器における前記画素が前記補正領域と該補
   正領域以外の読取領域とに分割され、 前記読取手段が、前記読取領域から読み取った読取領域
   信号から前記画像信号を生成するものであり、 前記補正手段が、前記生成した画像信号を、前記読取領
   域と同じ画素に位置する前記補正領域から読み取った補
   正領域信号を用いて補正するものであることを特徴とす
   る画像記録読取装置。