JP6980567B2 - 検出装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1実施形態に係る検出装置を示す平面図である。図2は、第1実施形態に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。図1及び図2に示すように、検出装置1は、センサ部10と、ゲート線駆動回路15と、信号線選択回路16と、を有する。
図29は、第2実施形態に係る検出装置を示す平面図である。図30は、第2実施形態に係るセンサ部、ゲート線駆動回路及び信号線選択回路の構成例を示すブロック図である。図31は、第2実施形態に係る検出装置の動作例を示すタイミング波形図である。
図32は、第3実施形態に係るAFE及び反転回路を表す回路図である。なお、本実施形態において、検出電極24、駆動電極32、第1スイッチング素子Tr、第2スイッチング素子xTr、ゲート線駆動回路15及び信号線選択回路16等の構成は、上述した第1実施形態と同様であり、詳細な説明は省略する。本実施形態では、検出電極24がカソードであり、駆動電極32(図5参照)がアノードである。すなわち、電流Ifhの流れる向きが、第1実施形態とは反対になる。このため、信号線SGLと増幅器481との間に反転回路49が設けられている。なお、反転回路49は、図32ではAFE48中に配置されているが、基板21側に設けられていてもよい。
図33は、第4実施形態に係る検出装置を示す平面図である。図34は、1つの検出領域について、駆動回路を表す回路図である。図33に示すように、検出装置1Bは、センサ部10と、ゲート線駆動回路15Aと、リセット回路16Aとを有する。本実施形態のセンサ部10は、温度を検出する温度センサである。ゲート線駆動回路15Aは、第2実施形態と同様に、制御回路102から供給される第1選択信号Vcに基づいて、第1ゲート駆動信号VGH及び第2ゲート駆動信号VGLを各ゲート線GCLに供給する。リセット回路16Aは、各信号線SGL及びAFE48の入力部をリセットする回路である。つまり、本実施形態では、信号線選択回路16が設けられていない。検出装置1Bは、ゲート線駆動回路15AによるCDM駆動のみを行う。なお、本実施形態において、検出電極24、駆動電極32、第1スイッチング素子Tr、第2スイッチング素子xTr等の構成は、上述した第1実施形態と同様であり、詳細な説明は省略する。
図36は、第5実施形態に係る検出装置の概略断面構成を示す断面図である。図37は、第5実施形態に係る検出装置を模式的に示す平面図である。図38は、検出電極、駆動電極、第8スイッチング素子及び第9スイッチング素子の関係を示す平面図である。図39は、図38の領域C4を拡大して示す平面図である。
2 バックプレーン
3 有機センサ層
10 センサ部
11 検出制御部
12 第1符号生成回路
13 第2符号生成回路
14 第3符号生成回路
15 ゲート線駆動回路
16 信号線選択回路
16A リセット回路
17 制御信号生成回路
21 基板
22 TFT層
24 検出電極
29 駆動電極接続端子
31 有機材料層
31a 開口
32 駆動電極
33 保護層
40 検出部
48 AFE
49 反転回路
101 制御基板
AA 検出領域
BKx 第1検出電極ブロック
BKy 第2検出電極ブロック
COM 基準信号線
GA 額縁領域
GCL ゲート線
LB1 基準信号供給線
LB2 リセット信号供給線
Lout 出力信号線
SGL 信号線
Tr 第1スイッチング素子
xTr 第2スイッチング素子
Vc 第1選択信号
VDD_ORG 駆動信号
VGH 第1ゲート駆動信号
VGL 第2ゲート駆動信号
Claims (15)
- 基板と、
前記基板の上側に設けられ、少なくとも検出領域と重なる位置に設けられた有機材料層と、
前記基板に垂直な方向において前記基板と前記有機材料層との間に設けられた複数の検出電極と、
複数の前記検出電極のそれぞれに設けられた第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子と異なる第2スイッチング素子と、
前記第1スイッチング素子に接続され第1方向に延在する複数のゲート線と、
前記第1スイッチング素子に接続され前記第1方向と交差する第2方向に延在する複数の信号線と、
所定の符号に基づいて複数の前記ゲート線ごとに電位が定められたゲート駆動信号を、複数の前記ゲート線を介して複数の前記第1スイッチング素子にそれぞれ供給する駆動回路と、を有し、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子には、共通の前記ゲート線を介して、前記駆動回路から同じ前記ゲート駆動信号が供給され、
前記第1スイッチング素子は、検出対象の前記検出電極と前記信号線とを接続し、
前記第2スイッチング素子は、非検出対象の前記検出電極と基準信号線とを接続し、
前記基準信号線は、前記非検出対象の前記検出電極に、固定された電位を有する基準信号を供給する、
検出装置。 - 第1方向に配列された複数の前記検出電極を含む第1検出電極ブロックは、共通の前記ゲート線を介して前記駆動回路と接続されている、
請求項1に記載の検出装置。 - 所定の符号に基づいて、前記ゲート線ごとに位相が定められた選択信号を生成する符号生成回路を有し、
前記駆動回路は、前記選択信号に基づいて前記ゲート駆動信号を生成する、
請求項1又は請求項2に記載の検出装置。 - 前記基板は、複数の前記検出電極が設けられた検出領域と、前記検出領域の外側の額縁領域とを有し、
前記駆動回路は、前記符号生成回路を含み、前記基板の前記額縁領域に設けられる、
請求項3に記載の検出装置。 - 前記基板とは異なる制御基板を有し、
前記符号生成回路は、前記制御基板に設けられる、
請求項3に記載の検出装置。 - 複数の前記検出電極から出力される信号を受けとるアナログフロントエンド回路と、
前記基板に設けられた信号線選択回路と、を有し、
前記信号線選択回路は、所定の符号に基づいて、複数の前記信号線のうち、検出対象の前記信号線と前記アナログフロントエンド回路とを接続する、
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記第2方向に配列された複数の前記検出電極を含む第2検出電極ブロックは、共通の前記信号線を介して前記信号線選択回路と接続されている、
請求項6に記載の検出装置。 - 前記第1方向に隣り合う2つの前記検出電極の間に前記基準信号線が設けられており、
前記第1方向に隣り合う2つの前記検出電極は、それぞれに設けられた前記第2スイッチング素子を介して共通の前記基準信号線に接続される、
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の検出装置。 - 複数の前記検出電極と同層に設けられた複数の駆動電極を有する、
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記有機材料層を挟んで複数の前記検出電極と対向する駆動電極を有する、
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記検出電極がアノードであり、駆動電極がカソードである、
請求項9又は請求項10に記載の検出装置。 - 前記検出電極がカソードであり、駆動電極がアノードであり、
前記信号線は、前記信号線に流れる電流を反転して出力する反転回路が接続される、
請求項9又は請求項10に記載の検出装置。 - 前記基板の額縁領域に設けられた接続端子を有し、
前記有機材料層には、前記接続端子と重なる位置に開口が設けられており、
前記駆動電極は、前記開口を介して前記接続端子と接続される、
請求項10に記載の検出装置。 - 前記有機材料層に照射される光の光量に応じて、前記検出電極から出力される信号が変化する、
請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記有機材料層の温度に応じて、前記検出電極から出力される信号が変化する、
請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の検出装置。
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