JP6700725B2 - 放射線検出装置、放射線検出システム及び放射線検出装置の制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、放射線検出装置、放射線検出システム及び放射線検出装置の制御方法に関する。

放射線検出装置は、複数の画素と走査回路と読出回路とを有する。各画素は、放射線を電荷に変換する変換素子と、薄膜トランジスタ等のスイッチ素子とを有する。近年、放射線検出装置の多機能化の一つとして、自動露出制御（ＡＥＣ：Automatic Exposure Control）機能の内蔵が検討されている。これにより、放射線検出装置において、放射線積算照射量を監視したり、放射線積算照射量が適正量に達したと判定し、放射線源を制御し、放射線照射を終了させることも可能となる。放射線積算照射量の監視、判定、制御等の動作（ＡＥＣ動作）は、胸部一般撮影であれば肺野、四肢骨撮影であれば骨部等、画像診断上重要な領域が所望のダイナミックレンジで描写されるように行うことが好ましい。そのため、これらの重要な領域に対応する、放射線検出装置の撮像領域内の一部又は複数の領域を関心領域として選び、放射線積算照射量の監視、判定等の対象とすることが好ましい。

特許文献１は、診断画像取得用の画素と、照射情報取得用の複数の検知画素を設けたセンサ基板を利用した放射線画像検出装置を開示する。放射線画像検出装置は、各検知画素の信号量に基づき、検知画素を監視対象の検知画素とそれ以外の検知画素に分別することで、適切なＡＥＣ動作を行うことができる。具体的には、放射線が照射されていない領域（非照射野）や、放射線が被写体を通過せずに放射線画像検出装置に直接入射する領域（素抜け部）が、監視対象から除外される。

特開２０１３−１３５３９０号公報

特許文献１には、以下の３つの課題がある。第１の課題は、関心領域以外に位置する検知画素も、監視対象の検知画素と同様に読み出しを行っており、無駄な動作をしているため、時間分解能が不足することである。第２の課題は、放射線を照射するまでどの検知画素を用いてＡＥＣ判定をすればよいか定まらず、関心領域以外の情報が含まれた照射量で判定を行う可能性があるため、ＡＥＣ精度が不足することである。第３の課題は、第２の課題と同様の原因により、空間分解能が不足することである。

本発明の目的は、高い時間分解能及び空間分解能で放射線照射量を検出することができる放射線検出装置、放射線検出システム及び放射線検出装置の制御方法を提供することである。

本発明の放射線検出装置は、放射線検出装置であって、放射線照射情報を得るために放射線照射量に応じた信号を生成する複数の検知画素と、前記複数の検知画素の領域に対応し、放射線が照射される領域である照射野を示すために放射線源から被写体及び前記装置に向けて照射された可視光を２次元情報として検出する検出手段と、前記検出手段により検出された２次元情報に基づき、前記複数の検知画素のうちで、監視対象の検知画素と監視対象外の検知画素を決定し、前記監視対象の検知画素が含まれる行の検知画素の信号を読み出す制御部とを有することを特徴とする。

本発明によれば、高い時間分解能及び空間分解能で放射線照射量を検出することができる。

放射線検出システムの構成例を示す図である。 放射線検出装置の構成例を示す断面図である。 放射線検出装置の構成例を示す図である。 検知領域付近の回路図である。 放射線検出装置の制御方法を示すフローチャートである。 放射線検出装置と被写体の位置関係を示す図である。 検知画素用走査回路の電圧出力を示すタイミングチャートである。 放射線積算照射量のサンプリング周期を示す図である。 センサ基板のレイアウトを示す平面図である。 センサ基板のレイアウトを示す断面図である。 センサ基板のレイアウトを示す断面図である。 放射線検出装置の制御方法を示すフローチャートである。 放射線検出装置と被写体の位置関係を示す図である。 放射線検出装置の制御方法を示すフローチャートである。 放射線検出装置と被写体の位置関係を示す図である。 ダーク電荷量の温度特性及び放射線検出装置の断面を示す図である。 放射線検出装置と被写体の位置関係を示す図である。 放射線検出システムの構成例を示す図である。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態による放射線検出システムの構成例を示す図である。放射線検出システムは、放射線源１及び放射線検出装置４を有する。放射線源１は、放射線検出装置４に向けて放射線３を照射する。放射線３は、例えばＸ線である。なお、図１では、放射線源１と放射線検出装置４の間に位置する被写体２（図６（ａ））は省略されている。放射線検出装置４は、筐体１０９上に設けられた撮像領域９０内に、複数の検出手段９１を有する。複数の検出手段９１は、互いに同一の四角い形状であり、撮像領域９０を５×５の行列状に分割した領域に設けられている。なお、検出手段９１の形状、配置数、配置方法は、これに限定されない。照射野３２は、撮像領域９０上に放射線３が照射される領域である。本実施形態では、放射線源１は、撮像領域９０に光３１を照射し、照射野３２を照らし出すことができる。光３１は、可視光や赤外光等の光であればよいが、照射野３２を肉眼で確認するためには光３１は可視光が好ましい。検出手段９１は、光３１を検出するセンサである。例えば、検出手段９１は、基板上に半導体薄膜及び電極を形成してフォトダイオードを形成し、適切な逆バイアスをフォトダイオードに印加し、空乏化させれば、可視光センサとなる。基板は、樹脂又はガラスを利用でき、電極は、金属やＩＴＯ等の導電性酸化物を利用できる。半導体薄膜は、有機又は無機の半導体材料を用いたｐ型／ｎ型順次積層構造や、バルクヘテロ接合構造を用いることができる。検出手段９１の製法は、選択した半導体薄膜の構造に応じて、真空蒸着法や印刷法等を利用できる。

図２（ａ）及び（ｂ）は、２種類の放射線検出装置４の構成例を示す断面図である。図２（ａ）及び（ｂ）では、バイアス印加や信号取り出しのための検出手段９１に必要な配線は省略している。まず、図２（ａ）の放射線検出装置４を説明する。筐体１０９は、放射線を透過し、可視光を透過しないものとする。検出手段９１は、筐体１０９の表面に設けられている。筐体１０９内には、センサ基板１０１とシンチレータ１９０が対向して配置されている。シンチレータ１９０は、放射線検出装置４に入射した放射線を可視光に変換する。センサ基板１０１は、シンチレータ１９０により変換された可視光を電荷に変換し、２次元画像を生成する。放射線検出装置４には被写体の放射線透過率に応じた放射線が入射されるので、センサ基板１０１は、被写体の放射線透過率に応じた２次元画像を生成する。なお、筐体１０９が可視光を透過する場合は、図２（ｂ）のように、検出手段９１を筐体１０９の内部に設けることができる。このとき、センサ基板１０１及びシンチレータ１９０は、遮光部材１０８で覆われている必要がある。

図３は、放射線検出装置４の構成例を示す図である。図３を見やすくするため、センサ基板１０１と検出手段９１を並べて描いてあるが、実際には、図２（ｂ）のように、基板１０１と検出手段９１は筐体１０９内で互いに重なって配置されている。センサ基板１０１では、撮像領域９０に対応する領域を撮像領域９０ａとして示し、検出手段９１に対応する領域を領域９１ａとして示す。撮像領域９０ａには、図４（ａ）に示すように、検知画素１１１及び通常画素１１が行列状に配置されている。複数の検知画素１１１は、複数の通常画素１１の領域に設けられる。図３では、通常画素１１を省略している。通常画素１１及び検知画素１１１は、シンチレータ１９０により変換された可視光を電荷に変換する。すなわち、通常画素１１及び検知画素１１１は、放射線照射量に応じた電荷（信号）を生成する。以下、通常画素１１及び検知画素１１１をあわせて画素と呼ぶ。撮像領域９０ａは、１０００×１０００個から３０００×３０００個程度の画素を有する。通常画素１１は、診断に用いられる２次元画像を生成するために、撮像領域９０ａ全体にわたって２次元行列状に配列されている。撮像領域９０ａには、１０行×１０列＝１００個の検知領域８０が２次元行列状に配置されている。図３には、複数の検知領域８０のうちの１つの検知領域８０に斜線を付して示している。検知画素１１１は、検知領域８０毎に、放射線照射開始や放射線積算照射量等の放射線照射情報を得るために設けられている。各検知領域８０には、複数の検知画素１１１を設けてもよい。図３では、各検知領域８０は、３個の検知画素１１１を有する。同一列にある各検知領域８０の検知画素１１１は、全て共通の検知配線に接続されている。制御部４９は、走査回路２０、読出回路３０、検知画素用走査回路４１、検知画素用読出回路４０及びバイアス電源５０を制御し、種々の動作を行わせる。制御部４９は、複数の検知領域８０のうちの１つ又は複数の検知領域８０を選択し、検知領域８０毎の放射線照射情報を得ることができる。また、制御部４９は、これらの放射線照射情報を一時的に保持し、放射線積算照射量を算出することができる。さらに、制御部４９は、放射線源１に対して有線又は無線で接続され、放射線源１の開始信号及び停止信号を入力したり、放射線源１に対して放射線照射停止信号を出力するようにしてもよい。撮像領域９０ａには、検知画素１１１を駆動するための検知画素用制御配線４１１が複数設けられている。検知画素用走査回路４１は、複数の検知画素用制御配線４１１を順次駆動する。図３のように、検知画素用制御配線４１１を枝分かれさせ、検知画素用走査回路４１の１つの出力端子が複数の検知画素１１１を同時に駆動するようにしてもよい。

上述の通り、検出手段９１は、撮像領域９０を５×５の行列状に分割した領域にそれぞれ設けられる。検出手段９１の領域は、センサ基板１０１上では領域９１ａに対応する。領域９１ａには、４個の検知領域８０が設けられる。したがって、１個の検出手段９１に対し、４個の検知領域８０が対応している。バイアス電源５０ｂは、検出手段９１にバイアス電圧を印加する。読出回路４０ｂは、検出手段９１の信号を読み出す。制御部４９は、バイアス電源５０ｂ及び読出回路４０ｂを制御する。なお、上記で説明した以下の項目は一例であり、上記の説明以外であってもよい。

・画素、検知領域８０、検出手段９１の数
・検知領域８０毎の検知画素１１１の数、位置
・検出手段９１に対応する検知領域８０の数、位置
・各種配線の数

図４（ａ）は、図３のハッチングで示した検知領域８０付近の回路の拡大図である。検知領域８０は、行列状に配置された複数の画素（３個の検知画素１１１とその他の通常画素１１）を有する。図４（ｂ）に示すように、通常画素１１は、変換素子１２とスイッチ素子１３とを有する。変換素子１２は、フォトダイオード１２４と第１の電極１２５と第２の電極１２６を有し、光を電荷に変換する。スイッチ素子１３のドレイン電極には、変換素子１２の第１の電極１２５が電気的に接続される。変換素子１２の第２の電極１２６は、バイアス配線１９を介してバイアス電源５０に接続され、変換素子１２が光電変換動作を行うための電圧が印加される。信号配線１６は、列方向に複数配置され、各列の通常画素１１のスイッチ素子１３のソース電極に共通に接続される。制御配線１５は、行方向に複数配置され、各行の通常画素１１のスイッチ素子１３のゲート電極に共通に接続される。走査回路２０は、各行の制御配線１５の電圧を制御する。読出回路３０は、信号配線１６を介して、通常画素１１の信号を読み出す。スイッチ素子１３が導通状態となると、変換素子１２の信号が、信号配線１６を介して読出回路３０に出力される。検知画素１１１は、変換素子１２１とスイッチ素子１３１とを有する。変換素子１２１は、変換素子１２と同様に、フォトダイオード１２４と第１の電極１２５と第２の電極１２６を有し、光を電荷に変換する。スイッチ素子１３１のドレイン電極には、変換素子１２１の第１の電極１２５が電気的に接続される。変換素子１２１の第２の電極１２６は、バイアス配線１９を介してバイアス電源５０に接続され、変換素子１２１が光電変換動作を行うための電圧が印加される。検知配線１６１は、複数の検知画素１１１のスイッチ素子１３１のソース電極に共通に接続される。検知画素用制御配線４１１は、検知画素１１１のスイッチ素子１３１のゲート電極に共通に接続される。検知画素用走査回路４１は、検知画素用制御配線４１１の電圧を制御する。検知画素用読出回路４０は、検知画素用制御配線４１１を介して、検知画素１１１の信号を読み出す。スイッチ素子１３１が導通状態となると、変換素子１２１の信号が、検知画素用制御配線４１１を介して検知画素用読出回路４０に出力される。複数の検知画素１１１は、複数の検知画素１１１の信号をそれぞれ読み出すための複数のスイッチ素子１３１を有する。

次に、センサ基板１０１に用いる通常画素１１及び検知画素１１１の構造の一例を示す。図９は、図４（ａ）の一部のレイアウト例を示す平面図であり、３個の通常画素１１と１個の検知画素１１１が配置されている。図１０（ａ）は図９の通常画素１１のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図１０（ｂ）は図９の検知画素１１１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。通常画素１１は、光を電荷に変換する変換素子１２と、変換素子１２の電荷に応じた電気信号を出力するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）であるスイッチ素子１３とを含む。変換素子１２は、基板１００の上に設けられたスイッチ素子１３の上に層間絶縁層１８１を挟んで積層されている。変換素子１２は、スイッチ素子１３を介して、信号配線１６に接続されている。変換素子１２は、第１の電極１２５、ＰＩＮフォトダイオード１２４、及び第２の電極１２６を有する。変換素子１２上には、保護膜１８２、第２の相間絶縁層１８３、バイアス配線１９と一体の共通電極、保護膜１８４が順に配置されている。保護膜１８４上には、不図示の平坦化膜、及びシンチレータ１９０が配置されている。第２の電極１２６は、コンタクトホールを介して、バイアス配線１９に接続されている。第２の電極１２６には、光透過性を有するＩＴＯが用いられ、シンチレータ１９０で放射線から変換された光が透過可能である。検知画素１１１も、通常画素１１と同様に、変換素子１２１とスイッチ素子１３１とを有する。検知画素１１１は、通常画素１１とは異なり、変換素子１２１はスイッチ素子１３１を介して検知配線１６１に接続されている。その他のスイッチ素子１３１及び変換素子１２１の構成は、通常画素１１のスイッチ素子１３と変換素子１２と同様である。なお、上記では、変換素子１２及び１２１としてＰＩＮフォトダイオード１２４を用いた場合を示したが、本実施形態はそれに限定されるものではない。変換素子１２及び１２１として、例えばＭＩＳ型のセンサを用いてもよい。また、上記の図９の例では、検知画素１１１に対応する位置に通常画素１１が存在しないため、診断用画像上で画素情報が欠落してしまう。これを避けるため、図１１のように、右下の画素領域を２つに分割して、右下の画素領域に通常画素１１と検知画素１１１を並置し、画素情報の欠落が生じないようにしてもよい。

図５は、放射線検出装置４の制御方法を示すフローチャートである。制御部４９は、以下の３つの動作を行う。第１の動作では、制御部４９は、放射線照射前に、検出手段９１により照射野３２を認識する。第２の動作では、制御部４９は、放射線照射前に、第１の動作の結果に基づき、複数の検知領域８０を照射野３２内の監視対象領域と照射野３２外の監視対象外領域に分ける。第３の動作では、制御部４９は、放射線照射中に、監視対象外領域からの読み出しステップを省略する。上記に関し、図５のフローチャートに沿って、放射線画像撮影までに放射線検出装置４及び作業者が行うステップの流れを説明する。図６（ａ）の被写体２は、例えば四肢である。

ステップＳ１〜Ｓ６は、放射線照射前の撮影準備ステップである。放射線検出装置４の制御部４９は、各検知領域８０が監視対象であるか否かを区別するためのフラグを有する。ステップＳ１では、制御部４９は、すべての検知領域８０を監視対象にするため、すべてのフラグを１（監視対象内）に初期化する。次に、ステップＳ２では、作業者は、図６（ａ）のように、撮像領域９０に被写体２を配置し、放射線源１の位置決めを行う。このとき、作業者は、放射線源１から撮像領域９０に向かって可視光３１を照射し、照射野３２の位置を確認する。次に、ステップＳ３では、制御部４９は、検出手段９１により検出された光強度の２次元情報を読み出し、図６（ｂ）に示す光強度の２次元情報を得る。ここで、各検出手段９１は、光強度に応じてオン又はオフのいずれかの情報を制御部４９に対して出力する。なお、各検出手段９１は、オンとオフの中間の情報を出力するようにしてもよい。次に、ステップＳ４では、制御部４９は、検出手段９１の光強度の２次元情報を基に、図６（ｃ）に示す照射野３２を認識する（上記の第１の動作）。すなわち、検出手段９１は、放射線の照射野３２を検出する。次に、ステップＳ５では、制御部４９は、図６（ｄ）のように、照射野３２外の検知領域８０を監視対象外領域としてその検知領域８０のフラグを０にする（上記の第２の動作）。なお、照射野３２内の検知領域８０は、監視対象領域としてフラグの１を維持する。すなわち、制御部４９は、検出手段９１により検出された２次元情報に基づき、複数の検知画素１１１のうちで、監視対象の検知画素１１１と監視対象外の検知画素１１１を決定する。次に、ステップＳ６では、制御部４９は、画素から不要なダーク電荷を排出するための動作（空読み）を停止させ、センサ基板１０１を放射線照射の準備ができた状態に遷移させる。以上のステップＳ６までの処理により、放射線検出装置４は放射線を照射される準備が整う。次に、ステップＳ７では、放射線検出装置４の準備完了後、作業者は、放射線検出装置４に対する放射線照射の開始を指示する。これにより、図８（ａ）に示すように、時刻ｔ０では、放射線源１は、放射線検出装置４に対して放射線３の照射を開始する。

ステップＳ８〜Ｓ１４は、放射線照射中の放射線積算照射量計測ステップである。時刻ｔ１では、制御部４９は、照射線積算照射量の測定を開始する。なお、図８（ａ）のように、制御部４９は、ステップＳ７の放射線照射開始時刻ｔ０の前に、ステップＳ１〜Ｓ６の撮影準備ステップが終了直後の時刻ｔ１に、ステップＳ８〜Ｓ１４の放射線積算照射量計測ステップを開始してもよい。制御部４９は、ステップＳ８〜Ｓ１４により、各検知領域８０における放射線積算照射量を順次求める。ステップＳ８では、制御部４９は、現在の行の検知領域８０のフラグがすべて０であるか否かを判定する。制御部４９は、そのフラグがすべて０である場合にはステップＳ１３に処理を進め、そのフラグがすべて０でない場合にはステップＳ９に処理を進める。ステップＳ１３では、制御部４９は、次の行に移動し、ステップＳ８に処理を戻す。図６（ｄ）の場合、制御部４９は、１行目及び２行目では、検知領域８０のフラグがすべて０であるため、ステップＳ８からステップＳ１３に進む。３行目以降では、制御部４９は、フラグが１である検知領域８０があるため、ステップＳ８からステップＳ９に進む。ステップＳ９では、制御部４９は、現在の行の検知領域８０内の検知画素１１１のスイッチ素子１３１をオンにし、現在の行の検知領域８０内の検知画素１１１の信号を検知画素用読出回路４０に出力させる。すなわち、制御部４９は、監視対象の検知画素１１１が含まれる行の検知画素１１１の信号を読み出し、監視対象の検知画素１１１が含まれない行の検知画素１１１の信号を読み出さない。具体的には、制御部４９は、監視対象の検知画素１１１が含まれる行の検知画素１１１のスイッチ素子１３１を行単位で導通状態にすることにより監視対象の検知画素１１１が含まれる行の検知画素１１１の信号を行単位で読み出す。また、制御部４９は、監視対象の検知画素１１１が含まれない行の検知画素１１１のスイッチ素子１３１を非導通状態に維持する。次に、ステップＳ１０では、制御部４９は、現在の行の各検知領域８０内の検知画素１１１の信号を積算し、現在の行の各検知領域８０の放射線照射開始からの放射線積算照射量を計算する。次に、ステップＳ１１では、制御部４９は、現在の行の検知領域８０に、関心領域があるか否かを判定する。例えば、制御部４９は、照射野３２の中央付近に位置する検知領域８０を関心領域として推定して判定してもよい。制御部４９は、現在の行の検知領域８０に関心領域がある場合にはステップＳ１２に処理を進め、現在の行の検知領域８０に関心領域がない場合にはステップＳ１４に処理を進める。ステップＳ１４では、制御部４９は、次の行に移動し、ステップＳ８に処理を戻す。ステップＳ１２では、制御部４９は、現在の行の各検知領域８０の放射線積算照射量が所定の閾値より多いか否かの判定（ＡＥＣ動作）を行う。すなわち、制御部４９は、上記の読み出した行が関心領域を含む行であり、かつ上記の読み出した行の検知画素の信号に基づく放射線積算照射量が閾値より多くなったか否かを判定する。上記の閾値は、作業者が事前に入力した値や、制御部４９が各種判断結果に基づいて決定した値である。制御部４９は、その放射線積算照射量が閾値未満である場合にはステップＳ１４に処理を進め、その放射線積算照射量が閾値より多い場合には、放射線積算照射量計測ステップを終了し、ステップＳ１５に処理を進める。

図７（ａ）は、上記の放射線積算照射量計測ステップＳ８〜Ｓ１４において、検知画素用走査回路４１の各電圧出力端子（１〜１０行目）の出力電圧を示すタイミングチャートである。図６（ｄ）の場合、検知画素用走査回路４１は、３〜１０行目の検知領域８０のみにハイレベルパルスを順に出力する。図７（ａ）のハイレベル期間では、その行の検知領域８０の検知画素１１１のスイッチ素子１３１が導通し、その行の検知領域８０の検知画素１１１の信号が検知画素用読出回路４０に出力される。検知画素用読出回路４０は、３〜１０行目の検知領域８０の検知画素１１１の信号を順に入力する。検知画素用読出回路４０は、３〜１０行目の検知領域８０の放射線積算照射量を、図７（ａ）及び図８（ｂ）に示す周期Ｔ（サンプリング周期）で順次更新する。この様子を図８（ｂ）に示す。時刻ｔ２では、３〜１０行目の検知領域８０のうちの関心領域について、放射線積算照射量が閾値より多くなり、制御部４９は、放射線検出装置４への放射線積算照射量が最適となったと判断し、放射線積算照射量計測ステップを終了する。以上の通り、制御部４９は、監視対象ではない１行目及び２行目の検知領域８０からの読み出しを行わない（上記の第３の動作）。また、検知画素用読出回路４０は、他の制御を行ってもよい。特に、３〜１０行目の検知領域８０の読み出しステップＳ９では、検知画素用読出回路４０は、少なくとも一部の動作を休止することで、消費電力を抑制することができる。例えば、検知画素用読出回路４０が検知配線１６１毎に積分アンプやＣＤＳ回路やＡ／Ｄ変換器等の各種回路ブロックを有する場合を説明する。その場合、検知画素用読出回路４０は、３〜１０行目の検知領域８０のフラグの値（１／０）に応じて、上記ブロックの一部又は全部を休止させることにより消費電力を低減することができる。すなわち、検知画素用読出回路４０は、３〜１０行目の検知領域８０のフラグの値に応じて、監視対象の検知画素１１１から読み出された信号を処理し、監視対象外の検知画素から読み出された信号の処理を休止する。

図５において、ステップＳ１５では、制御部４９は、放射線源１に対して放射線照射停止信号を出力する。これにより、図８（ａ）に示すように、時刻ｔ２では、放射線源１は、放射線３の照射を停止する。次に、ステップＳ１６では、制御部４９は、走査回路２０を行順次で駆動し、すべての行の通常画素１１の信号を行順で読出回路３０に読み出す。読出回路３０は、すべての通常画素１１から入力された信号を基に診断用画像を形成する。

以上の処理により、放射線検出装置４は、放射線積算照射量を測定することができる。なお、放射線検出装置４は、検知画素１１１における放射線照射量信号を基に、放射線積算照射量以外の照射量情報（瞬間照射量、照射量の時間変化率等）を求めてもよい。また、放射線検出装置４は、放射線積算照射量を求める際には、放射線照射量信号を加算して放射線積算照射量を直接求める代わりに、任意の時点での放射線照射量信号から放射線積算照射量に関する情報を推定してもよい。

次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態は、光を検出する検出手段９１を撮像領域９０に対応して２次元に複数設けておき、その検出手段９１の２次元出力パターンに基づき、放射線照射前に予め関心領域を絞り込む。これにより、無駄な動作を省いて時間分解能を高めることができる。また、本実施形態は、関心領域以外の領域の情報を除外して、ＡＥＣ精度を高めたり、空間分解能を高めたりすることができる。また、本実施形態は、監視対象でない１行目及び２行目の検知領域８０の検知画素１１１からの信号読み出しを行わないことにより、サンプリング周期Ｔを短縮することができる。その結果、ＡＥＣ動作の時間分解能を高めることができる。

比較例として、図７（ｂ）及び図８（ｃ）は、放射線照射中に、監視対象でない１行目及び２行目の検知領域８０の検知画素１１１からの信号読み出しを省略しない場合のタイミングチャート及び放射線積算照射量の更新タイミングを示す図である。このときのサンプリング周期は、Ｔｒである。図７（ａ）及び図８（ｂ）の本実施形態のサンプリング周期Ｔは、図７（ｂ）及び図９（ｃ）のサンプリング周期Ｔｒと比較して短いため、ＡＥＣ動作の時間分解能は本実施形態の方が優れている。なお、本実施形態は、撮像領域９０に対して照射野３２の占める割合が小さい場合に特に有効である。また、本実施形態は、検知画素用読出回路４０の少なくとも一部を休止させることで、消費電力低減を図ることができる。

（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態による放射線検出システムは、第１の実施形態による放射線検出システムと同様の構成を有する。以下、本実施形態が第１の実施形態と異なる点を説明する。本実施形態では、検出手段９１は、圧力センサであり、例えば、抵抗膜式のタッチパネル、又はＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等を用いることができる。以下、検出手段９１は、抵抗膜式圧力センサである場合を例に説明する。放射線検出装置４の断面図は、図２（ａ）と同様である。検出手段９１は、第１の実施形態と同様に、撮像領域９０を５×５の行列状に分割した領域にそれぞれ設けられる。検出手段４１は、圧力を検出し、その検出した圧力を制御部４９に出力する。制御部４９は、後述するように、データベースを参照し、検出手段９１により検出された圧力の２次元情報を基に被写体２の部位を認識し、監視対象領域の位置を推定する。

図１２は、本発明の第２の実施形態による放射線検出装置４の制御方法を示すフローチャートである。制御部４９は、以下の３つの動作を行う。第１の動作では、制御部４９は、放射線照射前に、検出手段９１により被写体２が位置する領域を認識する。第２の動作では、制御部４９は、放射線照射前に、第１の動作の結果に基づき、被写体２の部位を認識し、複数の検知領域８０を関心領域を含む監視対象領域と関心領域を含まない監視対象外領域に分ける。第３の動作では、制御部４９は、放射線照射中に、監視対象外領域からの読み出しステップを省略する。上記に関し、図１２のフローチャートに沿って、放射線画像撮影までに放射線検出装置４及び作業者が行うステップの流れを説明する。図１３（ａ）の被写体２は、例えば四肢である。

ステップＳ１０１〜Ｓ１０６は、放射線照射前の撮影準備ステップである。ステップＳ１０１では、制御部４９は、すべての検知領域８０を監視対象にするため、すべてのフラグを１（監視対象内）に初期化する。次に、ステップＳ１０２では、作業者は、図１３（ａ）のように、撮像領域９０に接するように被写体２を配置し、放射線源１の位置決めを行う。このとき、作業者は、放射線源１から撮像領域９０に向かって可視光３１を照射する必要はない。次に、ステップＳ１０３では、制御部４９は、検出手段９１により検出された圧力の２次元情報を読み出し、図１３（ｂ）に示す圧力の２次元情報を得る。すなわち、検出手段９１は、被写体２の位置を検出する。ここで、各検出手段９１は、圧力に応じてオン又はオフのいずれかの情報を制御部４９に対して出力する。次に、ステップＳ１０４では、制御部４９は、検出手段９１の圧力の２次元情報を基に、図１３（ｃ）に示すように、被写体２の部位（撮像領域９０に対向する部分の部位）が四肢であると認識する（上記の第１の動作）。次に、ステップＳ１０５では、制御部４９は、データベースを参照し、認識した被写体２の部位である四肢に基づき、関心領域を図１３（ｄ）の白丸で示す位置に設定し、関心領域以外の領域を図１３（ｄ）の黒丸で示す位置に設定する。具体的には、制御部４９は、図１３（ｄ）の黒丸で示す関心領域以外の領域の検知領域８０を監視対象外領域としてその検知領域８０のフラグを０にする（上記の第２の動作）。なお、関心領域内の検知領域８０は、監視対象領域としてフラグの１を維持する。制御部４９は、データベースに加え、撮影条件及び手技を保持するコンソール等を利用すれば、関心領域をさらに正確に決定することができる。その後、放射線検出装置４は、図５のステップＳ６〜Ｓ７と同様に、ステップＳ１０６〜Ｓ１０７の処理を行う。

ステップＳ１０８〜Ｓ１１３は、放射線照射中の放射線積算照射量計測ステップである。制御部４９は、ステップＳ１０８〜Ｓ１１３により、各検知領域８０における放射線積算照射量を順次求める。ステップＳ１０８では、制御部４９は、現在の行の検知領域８０のフラグがすべて０であるか否かを判定する。制御部４９は、そのフラグがすべて０である場合にはステップＳ１１２に処理を進め、そのフラグがすべて０でない場合にはステップＳ１０９に処理を進める。ステップＳ１１２では、制御部４９は、次の行に移動し、ステップＳ１０８に処理を戻す。図１３（ｄ）の場合、制御部４９は、１行目〜５行目及び８行目〜１０行目では、検知領域８０のフラグがすべて０であるため、ステップＳ１０８からステップＳ１１２に進む。６行目及び７行目では、制御部４９は、フラグが１である検知領域８０があるため、ステップＳ１０８からステップＳ１０９に進む。ステップＳ１０９では、制御部４９は、現在の行の検知領域８０内の検知画素１１１のスイッチ素子１３１をオンにし、現在の行の検知領域８０内の検知画素１１１の信号を検知画素用読出回路４０に出力させる。次に、ステップＳ１１０では、制御部４９は、現在の行の各検知領域８０内の検知画素１１１の信号を積算し、現在の行の各検知領域８０の放射線照射開始からの放射線積算照射量を計算する。次に、ステップＳ１１１では、制御部４９は、現在の行の各検知領域８０の放射線積算照射量が所定の閾値より多いか否かの判定（ＡＥＣ動作）を行う。すなわち、制御部４９は、上記の読み出した行の検知画素１１１の信号に基づく放射線積算照射量が閾値より多くなったか否かを判定する。制御部４９は、その放射線積算照射量が閾値未満である場合にはステップＳ１１３に処理を進め、その放射線積算照射量が閾値より多い場合には、放射線積算照射量計測ステップを終了し、ステップＳ１１４に処理を進める。ステップＳ１２３では、制御部４９は、次の行に移動し、ステップＳ１０８に処理を戻す。放射線検出装置４は、図５のステップＳ１５と同様にステップＳ１１４の処理を行い、その後、図５のステップＳ１６と同様にステップＳ１１５の処理を行う。

上記の図１３（ａ）〜（ｄ）は、被写体２が四肢である場合を例に示した。図１３（ｅ）〜（ｈ）は、被写体２が胸部である場合を示し、それぞれ、図１３（ａ）〜（ｄ）に対応する。すなわち、被写体２が図１３（ｅ）に示す胸部の場合、圧力の２次元情報の読出結果は図１３（ｆ）となる。その場合、制御部４９は、被写体２が胸部である（図１３（ｇ））と判断し、関心領域（又はその候補）は、胸部撮影の肺野に対応する図１３（ｈ）の位置であると判断される。

次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態では、圧力を検出する検出手段９１を撮像領域９０に対応して２次元に複数設けておき、その検出手段９１の２次元圧力パターンに基づき、放射線照射前に予め関心領域を特定する。本実施形態は、第１の実施形態と比較して、監視対象領域を精度よく絞り込むことができるため、ＡＥＣ精度を高めることができる。

なお、検出手段９１は、被写体２の領域を検出できるものであれば、上述した圧力センサの他にも各種のセンサを用いることができる。具体的には、検出手段９１は、以下のものを用いることができる。検出手段９１は、光センサであり、被写体２及び放射線検出装置４が位置する室内の照明光（放射線検出装置４の周囲の環境光）等が入射する光を検出し、制御部４９は、第１の実施形態と同様に、その検出された光を用いて被写体２の領域を検出可能である。また、検出手段９１は、静電容量センサ（静電容量式タッチパネル等）であってもよい。また、検出手段９１は、温度センサ（有機ｐ−ｎダイオードや焦電体等）であってもよく、後述の第４の実施形態に示すように通常画素１１や検知画素１１１の電気特性に温度依存性がある場合はそれを利用してもよい。

（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態による放射線検出システムは、第２の実施形態による放射線検出システムと同様の構成を有する。以下、本実施形態が第２の実施形態と異なる点を説明する。第２の実施形態において、撮像領域９０において被写体２が対向していない領域は、関心領域となることがないため、データベース等による被写体２の部位認識による関心領域の設定を行わなくてもよい。この場合、監視対象領域のうちのどの部分が関心領域であるかは別途判断が必要である。そこで、本実施形態による制御部４９は、以下の３つの動作を行う。第１の動作では、制御部４９は、放射線照射前に、検出手段９１により被写体２が位置する領域を認識する。第２の動作では、制御部４９は、放射線照射前に、第１の動作の結果に基づき、複数の検知領域８０を被写体２が位置する監視対象領域と被写体２が位置しない監視対象外領域に分ける。第３の動作では、制御部４９は、放射線照射中に、監視対象外領域からの読み出しステップを省略する。上記に関し、図１４のフローチャートに沿って、放射線画像撮影までに放射線検出装置４及び作業者が行うステップの流れを説明する。図１５（ａ）の被写体２は、例えば四肢である。

図１４は、本発明の第３の実施形態による放射線検出装置４の制御方法を示すフローチャートである。ステップＳ２０１〜Ｓ２０６は、放射線照射前の撮影準備ステップである。ステップＳ２０１では、制御部４９は、図１２のステップＳ１０１と同様の処理を行う。次に、ステップＳ２０２では、作業者は、図１５（ａ）のように、撮像領域９０に接するように被写体２を配置し、放射線源１の位置決めを行う。次に、ステップＳ２０３では、制御部４９は、検出手段９１により検出された圧力の２次元情報を読み出し、図１５（ｂ）に示す圧力の２次元情報を得る（上記の第１の動作）。本実施形態では、図１２の被写体の部位の認識ステップＳ１０４がない。次に、ステップＳ２０５では、制御部４９は、検出手段９１の圧力の２次元情報を基に、図１５（ｃ）のように、被写体２が対向している白丸の検知領域８０を監視対象領域に設定し、被写体２が対向していない黒丸の検知領域８０を監視対象外領域に設定する。具体的には、制御部４９は、図１５（ｃ）の黒丸で示す監視対象外領域の検知領域８０のフラグを０にする（上記の第２の動作）。なお、監視対象領域の検知領域８０は、フラグの１を維持する。その後、放射線検出装置４は、図１２のステップＳ１０６〜Ｓ１０７と同様に、ステップＳ２０６〜Ｓ２０７の処理を行う。

ステップＳ２０８〜Ｓ２１４は、放射線照射中の放射線積算照射量計測ステップである。制御部４９は、ステップＳ２０８〜Ｓ２１４により、各検知領域８０における放射線積算照射量を順次求める。ステップＳ２０８では、制御部４９は、現在の行の検知領域８０のフラグがすべて０であるか否かを判定する。制御部４９は、そのフラグがすべて０である場合にはステップＳ２１３に処理を進め、そのフラグがすべて０でない場合にはステップＳ２０９に処理を進める。ステップＳ２１３では、制御部４９は、次の行に移動し、ステップＳ２０８に処理を戻す。図１５（ｃ）の場合、制御部４９は、１行目〜４行目及び９行目〜１０行目では、検知領域８０のフラグがすべて０であるため、ステップＳ２０８からステップＳ２１３に進む。５行目〜８行目では、制御部４９は、フラグが１である検知領域８０があるため、ステップＳ２０８からステップＳ２０９に進む。ステップＳ２０９では、制御部４９は、現在の行の検知領域８０内の検知画素１１１のスイッチ素子１３１をオンにし、現在の行の検知領域８０内の検知画素１１１の信号を検知画素用読出回路４０に出力させる。次に、ステップＳ２１０では、制御部４９は、現在の行の各検知領域８０内の検知画素１１１の信号を積算し、現在の行の各検知領域８０の放射線照射開始からの放射線積算照射量を計算する。次に、ステップＳ２１１では、制御部４９は、現在の行の検知領域８０に、関心領域があるか否かを判定する。例えば、制御部４９は、照射野３２の中央付近に位置する検知領域８０を関心領域として推定して判定してもよい。制御部４９は、現在の行の検知領域８０に関心領域がある場合にはステップＳ２１２に処理を進め、現在の行の検知領域８０に関心領域がない場合にはステップＳ２１４に処理を進める。ステップＳ２１４では、制御部４９は、次の行に移動し、ステップＳ２０８に処理を戻す。ステップＳ２１２では、制御部４９は、現在の行の各検知領域８０の放射線積算照射量が所定の閾値より多いか否かの判定（ＡＥＣ動作）を行う。制御部４９は、その放射線積算照射量が閾値未満である場合にはステップＳ２１４に処理を進め、その放射線積算照射量が閾値より多い場合には、放射線積算照射量計測ステップを終了し、ステップＳ２１５に処理を進める。放射線検出装置４は、図１２のステップＳ１１４と同様にステップＳ２１５の処理を行い、その後、図１２のステップＳ１１５と同様にステップＳ２１６の処理を行う。

上記の図１５（ａ）〜（ｃ）は、被写体２が四肢である場合を例に示した。図１５（ｄ）〜（ｆ）は、被写体２が胸部である場合を示し、それぞれ、図１５（ａ）〜（ｃ）に対応する。すなわち、被写体２が図１５（ｄ）に示す胸部の場合、圧力の２次元情報の読出結果は図１５（ｅ）となり、監視対象領域は図１５（ｆ）となる。

次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態では、圧力を検出する検出手段９１を撮像領域９０に対応して２次元に複数設けておき、その検出手段９１の２次元圧力パターンに基づき、放射線照射前に予め関心領域を絞り込む。本実施形態では、第２の実施形態と比較して、関心領域の絞り込み精度が低いが、データベース等が不要であるため、放射線検出装置４及び放射線検出システムの構成を簡素化することができる。

（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態による放射線検出システムは、第２の実施形態による放射線検出システムと同様の構成を有する。以下、本実施形態が第２の実施形態と異なる点を説明する。本実施形態は、第２の実施形態に対して、複数の検知画素１１１が検出手段９１を兼ねている点が異なる。本実施形態では、制御部４９は、検知画素１１１に発生するダーク電荷量の温度依存性を利用して温度を検出する。図１６（ａ）に、Ｘ線が照射されていない検知画素１１１から検知画素用読出回路４０に出力されるダーク電荷量の温度特性の一例を示す。このように検知画素１１１のフォトダイオード１２４において熱的に生成される電荷量が温度とともに増加することを利用し、各検知画素１１１のダーク電荷量を測定すれば、検知画素１１１付近に被写体２が対向しているかどうかを推定することができる。被写体２の体温により、被写体２に対向している検知画素１１１の温度が高くなり、その検知画素１１１の発生電荷量が増加する。図１６（ｂ）に、放射線検出装置４の断面図を示す。被写体２の温度が速やかにセンサ基板１０１に伝わるように、センサ基板１０１は、シンチレータ１９０と反対側の面において、筐体１０９に直接接着されている。

制御部４９は、第２の実施形態の図１２のフローチャートの処理と同様の処理を行う。以下、本実施形態が第２の実施形態と異なる処理を説明する。ステップＳ１０２では、作業者は、図１７（ａ）のように、撮像領域９０に接するように被写体２を配置し、放射線源１の位置決めを行う。次に、ステップＳ１０３では、制御部４９は、検出手段９１である検知画素１１１により検出された電荷量（温度）の２次元情報を読み出し、図１７（ｂ）に示す電荷量（温度）の２次元情報を得る。次に、ステップＳ１０４では、制御部４９は、検出手段９１である検知画素１１１の電荷量（温度）の２次元情報を基に、図１７（ｃ）に示すように、被写体２の部位（撮像領域９０に対向する部分の部位）が四肢であると認識する。次に、ステップＳ１０５では、制御部４９は、データベースを参照し、被写体２が四肢である場合の関心領域を図１７（ｄ）の白丸で示す位置に設定し、関心領域以外の領域を図１７（ｄ）の黒丸で示す位置に設定する。具体的には、制御部４９は、図１７（ｄ）の黒丸で示す関心領域以外の領域の検知領域８０を監視対象外領域としてその検知領域８０のフラグを０にする。なお、関心領域内の検知領域８０は、監視対象領域としてフラグの１を維持する。以後の処理は、第２の実施形態と同様である。本実施形態では、１個の検出手段９１に対して１個の検知領域８０が対応している。制御部４９は、検知画素１１１の温度情報を検知領域８０毎に合計又は平均して用いる。

上記の図１７（ａ）〜（ｄ）は、被写体２が四肢である場合を例に示した。図１７（ｅ）〜（ｈ）は、被写体２が胸部である場合を示し、それぞれ、図１７（ａ）〜（ｄ）に対応する。すなわち、被写体２が図１７（ｅ）に示す胸部の場合、温度の２次元情報の読出結果は図１７（ｆ）となる。その場合、制御部４９は、被写体２が胸部である（図１７（ｇ））と判断し、関心領域（又はその候補）は、胸部撮影の肺野に対応する図１７（ｈ）の位置であると判断される。

次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態では、温度を検出する検出手段９１を撮像領域９０に対応して２次元に複数設けておき、その検出手段９１の２次元温度パターンに基づき、放射線照射前に予め関心領域を特定する。本実施形態では、第２の実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態では、検知画素１１１が検出手段９１を兼ねることができるため、放射線検出装置４の構成が簡単になる。

（第５の実施形態）
第１〜第４の実施形態による放射線検出装置４は、放射線検査装置等に代表される放射線検出システムに適用することができる。放射線検出システムは、例えば、放射線検出装置４を含む撮像装置と、イメージプロセッサ等を含む信号処理部と、ディスプレイ等を含む表示部と、放射線を発生させるための放射線源とを有する。

図１８は、本発明の第５の実施形態による放射線検出システムの例を示す図である。放射線撮像装置６０４０は、上記の放射線検出装置４を有する。Ｘ線チューブ（放射線源）６０５０は、Ｘ線（放射線）６０６０を発生する。Ｘ線（放射線）６０６０は、患者等の被検者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線撮像装置６０４０に入射する。入射したＸ線６０６０には被検者６０６１の体内部の情報が含まれている。放射線撮像装置６０４０では、入射したＸ線６０６０に応じた電気的情報が得られる。その後、この情報はデジタル変換され、イメージプロセッサ（信号処理部）６０７０により画像処理され、コントロールルーム（制御室）のディスプレイ（表示部）６０８０により検査結果として表示される。また、この情報は、電話、ＬＡＮ、インターネット等のネットワーク（伝送処理手段）６０９０により遠隔地へ転送される。これにより、この情報をドクタールーム等の別の場所におけるディスプレイ６０８１に検査結果として表示し、遠隔地の医師が診断することが可能である。また、この情報及び検査結果を、例えば、光ディスク等に保存することもできるし、フィルムプロセッサ６１００によってフィルム６１１０等の記録媒体に記録することもできる。

以上のように、第１〜第５の実施形態では、検出手段９１は、複数の検知画素１１１の領域に対応し、光、圧力、静電容量及び温度のいずれかを２次元情報として検出する。制御部４９は、複数の検出手段９１の２次元情報に基づき、放射線照射前に予め監視対象領域又は関心領域を絞り込む。これにより、無駄な動作を省いて、ＡＥＣ動作の時間分解能を高めることができる。また、第１〜第５の実施形態では、関心領域以外の領域の情報を除外し、ＡＥＣ動作の精度を高めたり、空間分解能を高めたりすることができる。上記の放射線検出システムは、医療用画像診断装置、非破壊検査装置、放射線を用いた分析装置等に使用することができる。

なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。

１ 放射線源、４ 放射線検出装置、１０１ センサ基板、１０８ 遮光材、１０９ 筐体、１１ 通常画素、１１１ 検知画素、１９０ シンチレータ、９１ 検出手段

Claims (13)

1. 放射線検出装置であって、
   放射線照射情報を得るために放射線照射量に応じた信号を生成する複数の検知画素と、
   前記複数の検知画素の領域に対応し、放射線が照射される領域である照射野を示すために放射線源から被写体及び前記装置に向けて照射された可視光を２次元情報として検出する検出手段と、
   前記検出手段により検出された２次元情報に基づき、前記複数の検知画素のうちで、監視対象の検知画素と監視対象外の検知画素を決定し、前記監視対象の検知画素が含まれる行の検知画素の信号を読み出す制御部と
   を有することを特徴とする放射線検出装置。
2. 前記制御部は、前記２次元情報に基づき、前記監視対象の検知画素が含まれない行の検知画素の信号を読み出さないことを特徴とする請求項１記載の放射線検出装置。
3. さらに、２次元画像を生成するために放射線照射量に応じた信号を生成する複数の通常画素を有し、
   前記複数の検知画素は、前記複数の通常画素の領域に設けられ、
   前記制御部は、前記読み出した行の検知画素の信号に基づく放射線積算照射量が閾値より多くなった場合には、放射線照射停止信号を出力し、前記複数の通常画素の信号を読み出すことを特徴とする請求項１又は２記載の放射線検出装置。
4. さらに、２次元画像を生成するために放射線照射量に応じた信号を生成する複数の通常画素を有し、
   前記複数の検知画素は、前記複数の通常画素の領域に設けられ、
   前記制御部は、前記読み出した行が関心領域を含む行であり、かつ前記読み出した行の検知画素の信号に基づく放射線積算照射量が閾値より多くなった場合には、放射線照射停止信号を出力し、前記複数の通常画素の信号を読み出すことを特徴とする請求項１又は２記載の放射線検出装置。
5. 前記制御部は、前記検出手段により検出された情報に基づき被写体の部位を認識し、前記認識した被写体の部位に基づき、前記複数の検知画素のうちで、監視対象の検知画素と監視対象外の検知画素を決定することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
6. 前記複数の検知画素は、前記検出手段を兼ねていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
7. 前記複数の検知画素は、前記複数の検知画素の信号をそれぞれ読み出すための複数のスイッチ素子を有し、
   前記制御部は、前記監視対象の検知画素が含まれる行の検知画素のスイッチ素子を行単位で導通状態にすることにより前記監視対象の検知画素が含まれる行の検知画素の信号を行単位で読み出し、前記監視対象の検知画素が含まれない行の検知画素のスイッチ素子を非導通状態に維持することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
8. さらに、前記監視対象の検知画素から読み出された信号を処理し、前記監視対象外の検知画素から読み出された信号の処理を休止する読出回路を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
9. 前記検出手段は、放射線照射前に検出し、
   前記制御部は、放射線照射前に、前記複数の検知画素のうちで、監視対象の検知画素と監視対象外の検知画素を決定し、放射線照射中に、前記監視対象の検知画素が含まれる行の検知画素の信号を読み出すことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
10. 前記検出手段は、前記放射線の照射野又は被写体の位置を検出することを特徴とする請求項１記載の放射線検出装置。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
    放射線を照射する放射線源と
    を有することを特徴とする放射線検出システム。
12. 放射線検出装置の制御方法であって、
    前記放射線検出装置は、放射線照射情報を得るために放射線照射量に応じた信号を生成する複数の検知画素と、前記複数の検知画素の領域に対応し、放射線が照射される領域である照射野を示すために放射線源から被写体及び前記装置に向けて照射された可視光を２次元情報として検出する検出手段と、を有し、
    制御部により、前記検出手段により検出された２次元情報に基づき、前記複数の検知画素のうちで、監視対象の検知画素と監視対象外の検知画素を決定する第１ステップと、
    前記制御部により、前記監視対象の検知画素が含まれる行の検知画素の信号を読み出す第２ステップと
    を有することを特徴とする放射線検出装置の制御方法。
13. 前記第２ステップは、前記制御部により、前記監視対象の検知画素が含まれない行の検知画素の信号を読み出さないことを特徴とする請求項１２記載の放射線検出装置の制御方法。

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