JP6270450B2 - 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法 - Google Patents
放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6270450B2 JP6270450B2 JP2013258139A JP2013258139A JP6270450B2 JP 6270450 B2 JP6270450 B2 JP 6270450B2 JP 2013258139 A JP2013258139 A JP 2013258139A JP 2013258139 A JP2013258139 A JP 2013258139A JP 6270450 B2 JP6270450 B2 JP 6270450B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor substrates
- radiation detection
- sensor
- sheet
- detection apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 73
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 145
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 80
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 80
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 35
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 30
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000002585 base Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- -1 polyparaxylylene Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2006—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using a combination of a scintillator and photodetector which measures the means radiation intensity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20185—Coupling means between the photodiode and the scintillator, e.g. optical couplings using adhesives with wavelength-shifting fibres
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/46—Arrangements for interfacing with the operator or the patient
- A61B6/461—Displaying means of special interest
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/48—Diagnostic techniques
- A61B6/486—Diagnostic techniques involving generating temporal series of image data
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Surgery (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
本発明は、放射線を検出する放射線検出装置、その放射線検出装置を使用した放射線検出システム、及び、その放射線検出装置の製造方法に関する。
放射線検出装置には、複数の光電変換素子がアレイ状に配列されたセンサ基板と、放射線を光電変換素子が感知可能な光に変換するシンチレータと、を備える、所謂間接変換型の放射線検出装置が用いられ得る。
特許文献１には、大面積の放射線検出装置を提供するために、複数のセンサ基板が隣接して配置され、複数のセンサ基板に跨ってシンチレータが配置された放射線検出装置が開示されている。また、特許文献１には、複数のセンサ基板とシンチレータとが、接着部材によって接着された放射線検出装置が開示されている。
しかしながら、特許文献１に記載された放射線検出装置にあっては、複数のセンサ基板の間に位置する接着部材の接着力に検討の余地がある。複数のセンサ基板の間に位置する接着部材が、温度変動や振動などにより、複数のセンサ基板から剥がれてしまうと、複数のセンサ基板の端部と接着部材の間に隙間が生じ得る。その隙間と接着部材内で、シンチレータからセンサ基板への光の伝搬状況に相違が生じ、その相違によって複数のセンサ基板から取得された画像にアーチファクトが生じ得る。
そこで、本発明では、複数のセンサ基板の端部と接着部材との接着不良が抑制された放射線検出装置を提供することを目的とする。
そこで、本発明では、複数のセンサ基板の端部と接着部材との接着不良が抑制された放射線検出装置を提供することを目的とする。
本発明の放射線検出装置は、各々が、複数の光電変換素子がアレイ状に配列された第１面と、当該第１面と対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面とをつなぐ側面と、を有し、隣接して配置された複数のセンサ基板と、前記複数のセンサ基板の前記第１面側に配置されたシンチレータと、前記複数のセンサ基板と前記シンチレータとを接着するためのシート状の接着部材と、前記複数のセンサ基板を支持する基台と、前記複数のセンサ基板を前記基台に固定するための固定部材と、を有し、前記シート状の接着部材が、前記複数のセンサ基板の間において、前記第１面から前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着するように、前記第１面及び前記側面の少なくとも一部に接着おり、前記固定部材の剛性が前記シート状の接着部材の剛性よりも低いことを特徴とする。また、本発明の放射線検出装置は、各々が、複数の光電変換素子がアレイ状に配列された第１面と、当該第１面と対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面とをつなぐ側面と、を有し、隣接して配置された複数のセンサ基板と、前記複数のセンサ基板の前記第１面側に配置されたシンチレータと、前記複数のセンサ基板と前記シンチレータとを接着するためのシート状の接着部材と、を有し、前記複数のセンサ基板は、前記第１面の前記複数の光電変換素子の周囲の少なくとも一部に配置されたガードリングと、前記ガードリングの一部及び前記複数の光電変換素子を覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の端部を除いて前記パッシベーション膜を覆う保護層と、を更に有し、前記シート状の接着部材は、前記複数のセンサ基板の間において、前記第１面から前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着するように、前記保護層と前記パッシベーション膜と前記ガードリングと前記第１面と前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着していることを特徴とする。
また、本発明の放射線検出装置の製造方法は、各々が、複数の光電変換素子がアレイ状に配列された第１面と、当該第１面と対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面とをつなぐ側面と、を有し、隣接して基台に固定部材を用いて固定された複数のセンサ基板の前記第１面側に前記固定部材より剛性が高いシート状の接着部材を介してシンチレータを配置する配置工程と、前記シンチレータの前記複数のセンサ基板の間に対応する領域を、前記複数のセンサ基板と反対側から加圧することにより、前記複数のセンサ基板の間において、前記シート状の接着部材を前記第１面から前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着させる接着工程と、を行うことを特徴とする。また、本発明の放射線検出装置の製造方法は、各々が、複数の光電変換素子がアレイ状に配列された第１面と、当該第１面と対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面とをつなぐ側面と、を有し、隣接して配置された複数のセンサ基板の前記第１面側にシート状の接着部材を介してシンチレータを配置する配置工程と、前記シンチレータの前記複数のセンサ基板の間に対応する領域を、前記複数のセンサ基板と反対側から加圧することにより、前記複数のセンサ基板の間において、前記シート状の接着部材を前記第１面から前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着させる接着工程と、を行い、前記複数のセンサ基板は、前記第１面の前記複数の光電変換素子の周囲の少なくとも一部に配置されたガードリングと、前記ガードリングの一部及び前記複数の光電変換素子を覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の端部を除いて前記パッシベーション膜を覆う保護層と、を更に有し、前記接着工程は、前記複数のセンサ基板の間において、前記シート状の接着部材を前記保護層と前記パッシベーション膜と前記ガードリングと前記第１面と前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着させることを特徴とする。
本発明により、複数のセンサ基板の端部と接着部材との接着不良が抑制された放射線検出装置を提供することが可能となる。
以下に、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。様々な実施形態を通じて、同様の要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。本発明において、光は可視光、及び赤外線を含み、放射線はＸ線、α線、β線およびγ線を含む。
まず、図１（ａ）〜（ｃ）を用いて、本実施形態の放射線検出装置１００の概略構成例を説明する。図１（ａ）は、放射線検出装置１００を説明するための平面模式図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ―Ａ’箇所における断面構造を説明するための断面模式図であり、図１（ｃ）は、図１（ｂ）の領域Ｂを拡大した断面模式図である。
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態の放射線検出装置１００は、複数のセンサ基板１１２と、シンチレータ１２０と、接着部材１３０と、を含む。複数のセンサ基板１１２は夫々、各々が、複数の光電変換素子１１５がアレイ状に配列された第１面１１２ａと、その第１面１１２ａに対向する第２面１１２ｂと、第１面１１２ａと第２面１１２ｂとをつなく側面１１２ｃと、を有する。複数のセンサ基板１１２は、互いに隣接して配置される。シンチレータ１２０は、複数のセンサ基板１１２の第１面側に配置されている。接着部材１３０は、複数のセンサ基板１１２の第１面側で、複数のセンサ基板１１２とシンチレータ１２０とを接着する。ここで、シート状の接着部材１３０は、複数のセンサ基板１１２の間において、第１面１１２ａから側面１１２ｃの少なくとも一部に跨って連続して接着するように、第１面１１２ａ及び側面１１２ｃの少なくとも一部に接着している。すなわち、接着部材１３０は、複数のセンサ基板１１２とシンチレータ１２０とを接着しており、センサ基板１１２の第１面１１２ａから側面１１２ｃの少なくとも一部にかけて延在して設けられている。このように接着することにより、温度負荷や振動負荷により接着部材１３０に変動が生じても、接着部材１３０による複数のセンサ基板１１２に対する接着不良が抑制される。また、複数のセンサ基板１１２と接着部材１３０との間に隙間が発生することが抑制され、それに伴う画像アーチファクトの発生が抑制される。
センサ基板１１２は、第１面１１２ａに複数の光電変換素子１１５がアレイ状に配列されている。本実施形態では、センサ基板１１２には、単結晶シリコンウエハから製造された単結晶シリコン基板を用いており、光電変換素子１１５にはフォトダイオードが用いられている。また、センサ基板１１２には、複数の光電変換素子１１５に対応した複数のスイッチ素子（不図示）が設けられていてもよい。なお、本発明のセンサ基板１１２は上記に限定されるものではなく、絶縁基板上に堆積された非晶質シリコン等を使用したＰＩＮ型やＭＩＳ型センサとＴＦＴにより構成された画素を有するセンサ基板を用いてもよい。また、ＣＣＤやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）センサを用いてもよい。本実施形態のセンサ基板１１２は、ガードリング１１８と、パッシベーション膜１１６と、保護層１１７と、を更に有する。ガードリング１１８は、光電変換素子１１５の静電破壊防止のために設けられる導電体であり、第１面１１２ａの複数の光電変換素子１１５の周囲の少なくとも一部に配置されている。パッシベーション膜１１６は、光電変換素子１１５を被覆する絶縁膜であり、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁膜が好適に用いられ、ガードリング１１８の一部及び複数の光電変換素子１１５を覆う。保護層１１７は、光電変換素子１１５やパッシベーション膜１１６を外部からの衝撃等から保護するための層であり、ポリイミド等の有機絶縁層が好適に用いられ、パッシベーション膜１１６の端部を除いてパッシベーション膜１１６を覆う。
シンチレータ１２０は、被検体を透過した放射線であるＸ線をセンサ基板１１２の光電変換素子１１５が感知可能な波長の光に変換するものである。本実施形態のシンチレータ１２０は、基材１２１と、シンチレータ層１２２と、シンチレータ保護層１２３とを有する。基材１２１は、ａ−ＣやＡｌ、樹脂などが用いられ得るが、ａ−Ｃより剛性の低いＡｌが好適に用いられ得る。シンチレータ層１２２は、Ｘ線を光電変換素子１１５が感知可能な波長の光に変換する層であり、ＧＯＳやＣｓＩ：Ｔｌといったものが使用され得る。ＧＯＳは、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ（テルビウム添加の酸硫化ガドリニウム）であり、粒状のシンチレータ材料を含むものである。ＣｓＩ：Ｔｌは、アルカリハライド系のシンチレータを代表するもので、タリウム添加の沃化セシウムであり、柱状結晶のシンチレータ材料を含むものである。シンチレータ保護層１２３は、外部からの水分や衝撃からシンチレータ層１２２を保護する層であり、ポリパラキシリレンやホットメルト樹脂などの有機樹脂が好適に使用され得る。なお、図１（ｂ）では、図面簡素化のため、保護層１２３は省略されている。
接着部材１３０は、複数のセンサ基板１１２の第１面側で、複数のセンサ基板１１２とシンチレータ１２０とを接着する。ここで、接着部材１３０は、複数のセンサ基板１１２の間において、第１面１１２ａから側面１１２ｃの少なくとも一部に跨って連続して接着するように、第１面１１２ａ及び側面１１２ｃの少なくとも一部に接着している。本実施形態では、接着部材１３０は、複数のセンサ基板１１２の間において、保護層１１７とパッシベーション膜１１６とガードリング１１８とセンサ基板１１２の第１面１１２ａとセンサ基板１１２の側面１１２ｃの少なくとも一部に跨って連続して接着される。このように、表面に段差形状を有する構造体にシート状の接着部材１３０が跨って連続して接着されることにより、接着部材１３０がより好適にセンサ基板１１２に接着されることとなる。接着部材１３０には、シンチレータ１２２で変換された光に対する光透過性の高い材料が好適に用いられ、例えば、アクリル系樹脂シート、シリコン系樹脂シート、ホットメルト樹脂シート等からなる、シート状の部材が好適に用いられ得る。接着部材１３０は、ＪＩＳ規格Ｚ０２３７に準拠した剥離角度１８０°条件でのガラスへの粘着力が１０Ｎ／２５ｍｍ以上、シンチレータの最大発光波長に対する透過率が９０％以上、厚さが１μｍ以上５０μｍ以下の有機樹脂が好ましい。
基台１１１は、複数のセンサ基板１１２を機械的に支持する部材であり、ガラス基板やＳＵＳ基板等の、基材１２１やシンチレータ層１２２よりも剛性が高いものが好適に用いられ得る。固定部材１１３は、複数のセンサ基板１１２を基台１１１に固定するための接着性の部材であり、接着部材１３０と同様の材料が用いられ得る。配線基板１１４は、センサ基板１１２と外部回路（不図示）との間で信号を伝送するための配線基板であり、フレキシブルプリント配線基板が好適に用いられ得る。
次に、図２（ａ）〜（ｃ）を用いて、本実施形態の放射線検出装置１００の製造方法を説明する。図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ―Ａ’箇所に対応する箇所の接着工程前の断面構成を説明する断面模式図であり、図２（ｂ）は、接着工程の例を説明する断面模式図であり、図２（ｃ）は、他の接着工程の例を説明する断面模式図である。なお、図２（ａ）〜（ｃ）では、図面簡略化のため保護層１２３は省略されている。
まず、図２（ａ）に示すように、固定部材１１３を用いて複数のセンサ基板１１２の第２面１１２ｂを基台１１１に固定する固定工程により、基材１１１の上に複数のセンサ基板１１２が配置される。また、基材１２１に設けられたシンチレータ層１２２を有するシンチレータ１２０を、接着部材１３０を介して複数のセンサ基板１１２の第１面側に配置する配置工程により、複数のセンサ基板１１２の表面１１２ａの上にシンチレータ層１２２が配置される。
次に、図２（ｂ）に示すように、シンチレータ１２０の複数のセンサ基板１１２の間に対応する領域を、複数のセンサ基板１１２と反対側から加圧する。図２（ｂ）に示す方法では、複数のセンサ基板１１２と反対側から接着部材１３０がセンサ基板１１２の対向する辺に沿って線状に加圧されるように、回転し得るローラー１５０を用いて加圧する。このように、シンチレータ１２０の複数のセンサ基板１１２の間に対応する領域を加圧することにより、複数のセンサ基板１１２の間に位置する接着部材１３０の一部領域が、センサ基板１１２の側面１１２ｂの一部領域にも接着される。このローラー１５０による加圧は、０．４ＭＰａ以上であることが好ましい。
また、図２（ｃ）に示すように、接着部材１３０としてホットメルト樹脂を用いる場合、温度調節が可能な圧着構造体１５１を用いてシンチレータ１２０の複数のセンサ基板１１２の間に対応する領域を、複数のセンサ基板１１２と反対側から加圧してもよい。圧着構造体１５１によってホットメルト樹脂がその溶融温度以上に加熱され、０．４ＭＰａ以上の圧力で加圧されることにより、複数のセンサ基板１１２の間に位置する接着部材１３０の一部領域が、センサ基板１１２の側面１１２ｂの一部領域にも接着される。
なお、複数のセンサ基板１１２の側面１１２ｃには、接着部材１３０の接着力向上のための様々な構成が適用され得る。図３に、接着部材１３０の接着力向上のための構成例を示す。図３は、図１（ｂ）の領域Ｂを拡大した断面構造において接着部材１３０の接着力向上のための構成例を説明するための断面模式図である。図３に示す例では、センサ基板１１２の表面１１２ａと側面１１２ｃによって構成され得る角部が除去され、センサ基板１１２は第１面１１２ａと側面１１２ｃの間に、第１面１１２ａ及び側面１１２ｃとは平行ではない第３面１１２ｄを有している。そして、接着部材１３０は、複数のセンサ基板１１２の間において、第１面１１２ａから第３面１１２ｄ及び側面１１２ｃの少なくとも一部に跨って連続して接着する。このような構成とすることにより、より好適に側面１１２ｃまで連続して被覆することが可能となり、また、接着面積の増大により接着部材１３０の接着力も向上する。
また、図４（ａ）及び（ｂ）に、接着部材１３０の接着力向上のための他の構成例を示す。図４（ａ）は、図１（ａ）のＡ―Ａ’箇所における接着部材１３０の接着力向上のための他の構成例の断面構造を説明するための断面模式図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の領域Ｃを拡大した断面模式図である。なお、図４（ａ）では、図面簡略化のため保護層１２３は省略されている。図４（ａ）及び（ｂ）に示す他の構成例では、複数のセンサ基板１１２のうちの少なくとも一つのセンサ基板１１２の側面１１２ｃが傾斜している。この傾斜は、第１面１１２ａに対して垂直な垂線に対して、第１面１１２ａから第２面１１２ｂに向かって、角度Ｄをもってセンサ基板１１２の内側に向かっている。複数のセンサ基板１１２の間において、このような角度Ｄをもって傾斜する構造となっているため、図１（ｃ）の構成に比べて接着部材１３０が側面１１２ｃの少なくとも一部からはがれにくい構成となる。角度Ｄは、０．２度〜５度が好ましい。
また、固定部材１１３の剛性は、接着部材１３０の剛性よりも低いことが好ましい。図５（ａ）及び（ｂ）を用いて、より好ましい固定部材１１３を用いた放射線検出装置を説明する。図５（ａ）は、より好ましい固定部材１１３を用いた放射線検出装置の断面構造を説明するため断面模式図であり、図５（ｂ）は、より好ましい固定部材１１３を説明するための断面模式図である。図５（ａ）に示すように、固定部材１１３の剛性が接着部材１３０の剛性よりも低いことにより、温度変動と熱膨張係数差に起因する応力が図中矢印の向きに発生した場合であっても、固定部材１１３がその応力を吸収する。それにより、接着部材１３０にかかる応力が抑制され、接着部材１３０が複数のセンサ基板１１２の第１面１１２ａから剥離して気泡が混入することが抑制される。好ましい固定部材１１３としては、図５（ｂ）に示すように、伸縮材１６１を接着材１６０で挟み込んだシート状の固定部材１１３である。伸縮材１６１としてはシート状のポリオレフィン系発泡体が用いられ、気泡１６２が内包される。接着材１６０としてはシート状のアクリル系やシリコン系の接着材などが用いられる。
上述した放射線検出装置は、図６に説明されるような放射線検出システムに応用され得る。図６に、上述の本実施形態の放射線検出装置を用いた移動可能な放射線検出システムへの応用例を示す。
図６は、動画／静止画の撮影が可能な可搬型の放射線検出装置を用いた放射線検出システムの概念図である。図６において、１１５は本実施形態の放射線検出装置１００で得られた画像信号の表示が可能な表示部、９０３は被検体９０４を載せるための寝台である。また、９０２は放射線発生装置１１０、放射線検出装置１００、及びＣ型アーム９０１を移動可能にする台車、９０５はそれらを制御可能な構成を有する移動型の制御装置である。Ｃ型アーム９０１は放射線発生装置１１０及び放射線検出装置１００を保持するものである。制御装置９０５は、制御コンピュータ１０８、制御卓１１４、放射線制御装置１０９を有しており、放射線検出装置１００で得られた画像信号を画像処理して表示装置１１５等に伝送することも可能である。また、制御装置９０５による画像処理により生成された画像データは、電話回線等の伝送手段により遠隔地へ転送することができる。それにより、遠隔地の医師が転送された画像データに基づく画像を診断することが可能となる。また、伝送された画像データをフィルムに記録することや光ディスク等の保存手段に保存することも可能である。ただし、放射線検出装置１００をＣ型アーム９０１から取り外し可能な構成とし、Ｃ型アーム９０１の放射線発生装置１１０とは別の放射線発生装置を用いて撮影を行ってもよい。
以下に、具体的な材料を用いた実施例を説明する。なお、いずれも実施例も、以下に示す耐久試験の結果は良好なものであった。耐久試験は、シンチレータ１２０を下向きに配置した状態で重力加速度２Ｇで所定周波数での振動を１時間行った後、放射線検出装置に放射線を照射して画像を確認する試験である。
（実施例１）
センサ基板１１２には、第１面１１２ａに複数のフォトダイオードがアレイ状に配列された、厚さ５００μｍの単結晶シリコン基板を用いる。シンチレータ１２０は、厚さ３００μｍのＡｌの基台１２１と、厚さ８００μｍのＣｓＩ：Ｔｌのシンチレータ層１２２と、厚さ２５μｍのポリパラキシリレンのシンチレータ保護層１２３と、を含む。センサ基板１１２は厚さ１．８ｍｍのガラス基板の基台１１に、厚さ１．５ｍｍのポリオレフィン系発泡体である伸縮材１６１を用いた固定部材１１３によって固定されている。シンチレータ１２０と複数のセンサ基板１１２の第１面１１２ａの間には、厚さ２５μｍのアクリル系樹脂を用いた接着部材１３０が配置される。そして、図２（ｂ）に示すように、回転し得るローラー１５０を用いて、０．４ＭＰａの圧力で加圧することにより、接着部材１３０は、センサ基板１１２の側面１１２ｃの第１面１１２ａ側から５μｍの位置まで接着される。
センサ基板１１２には、第１面１１２ａに複数のフォトダイオードがアレイ状に配列された、厚さ５００μｍの単結晶シリコン基板を用いる。シンチレータ１２０は、厚さ３００μｍのＡｌの基台１２１と、厚さ８００μｍのＣｓＩ：Ｔｌのシンチレータ層１２２と、厚さ２５μｍのポリパラキシリレンのシンチレータ保護層１２３と、を含む。センサ基板１１２は厚さ１．８ｍｍのガラス基板の基台１１に、厚さ１．５ｍｍのポリオレフィン系発泡体である伸縮材１６１を用いた固定部材１１３によって固定されている。シンチレータ１２０と複数のセンサ基板１１２の第１面１１２ａの間には、厚さ２５μｍのアクリル系樹脂を用いた接着部材１３０が配置される。そして、図２（ｂ）に示すように、回転し得るローラー１５０を用いて、０．４ＭＰａの圧力で加圧することにより、接着部材１３０は、センサ基板１１２の側面１１２ｃの第１面１１２ａ側から５μｍの位置まで接着される。
（実施例２）
センサ基板１１２、シンチレータ１２０、及び、固定部材１１３は実施例１と同様のものを用いている。シンチレータ１２０と複数のセンサ基板１１２の第１面１１２ａの間には、厚さ２５μｍのエチレン−メタクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を用いた接着部材１３０が配置される。そして、図２（ｃ）に示すように、１００〜１２０℃に加熱された圧着構造体１５１を用いて、０．４ＭＰａの圧力で加圧することにより、接着部材１３０は、センサ基板１１２の側面１１２ｃの第１面１１２ａ側から５０μｍの位置まで接着される。
センサ基板１１２、シンチレータ１２０、及び、固定部材１１３は実施例１と同様のものを用いている。シンチレータ１２０と複数のセンサ基板１１２の第１面１１２ａの間には、厚さ２５μｍのエチレン−メタクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を用いた接着部材１３０が配置される。そして、図２（ｃ）に示すように、１００〜１２０℃に加熱された圧着構造体１５１を用いて、０．４ＭＰａの圧力で加圧することにより、接着部材１３０は、センサ基板１１２の側面１１２ｃの第１面１１２ａ側から５０μｍの位置まで接着される。
（実施例３）
シンチレータ１２０、接着部材１３０、及び、固定部材１１３は実施例１と同様のものを用いている。センサ基板１１２は、図３に示すように、第１面の端５μｍにわたって角部が除去されて第３面１１２ｄを有している以外は、実施例１と同様のものを用いている。そして、実施例１と同様に、回転し得るローラー１５０を用いて、０．４ＭＰａの圧力で加圧することにより、接着部材１３０は、センサ基板１１２の側面１１２ｃの第１面１１２ａ側から７μｍの位置まで接着される。
シンチレータ１２０、接着部材１３０、及び、固定部材１１３は実施例１と同様のものを用いている。センサ基板１１２は、図３に示すように、第１面の端５μｍにわたって角部が除去されて第３面１１２ｄを有している以外は、実施例１と同様のものを用いている。そして、実施例１と同様に、回転し得るローラー１５０を用いて、０．４ＭＰａの圧力で加圧することにより、接着部材１３０は、センサ基板１１２の側面１１２ｃの第１面１１２ａ側から７μｍの位置まで接着される。
（実施例４）
シンチレータ１２０、接着部材１３０、及び、固定部材１１３は実施例１と同様のものを用いている。センサ基板１１２は、図４（ｂ）に示すように、１度の角度Ｄをもってセンサ基板１１２の内側に向かって傾斜している以外は、実施例１と同様のものを用いている。そして、実施例１と同様に、回転し得るローラー１５０を用いて、０．４ＭＰａの圧力で加圧することにより、接着部材１３０は、センサ基板１１２の側面１１２ｃの第１面１１２ａ側から４μｍの位置まで接着される。
シンチレータ１２０、接着部材１３０、及び、固定部材１１３は実施例１と同様のものを用いている。センサ基板１１２は、図４（ｂ）に示すように、１度の角度Ｄをもってセンサ基板１１２の内側に向かって傾斜している以外は、実施例１と同様のものを用いている。そして、実施例１と同様に、回転し得るローラー１５０を用いて、０．４ＭＰａの圧力で加圧することにより、接着部材１３０は、センサ基板１１２の側面１１２ｃの第１面１１２ａ側から４μｍの位置まで接着される。
１００ 放射線検出装置
１１１ 基台
１１２ センサ基板
１１２ａ 第１面
１１２ｂ 第２面
１１２ｃ 第３面
１１５ 光電変換素子
１２０ シンチレータ
１２１ 基材
１２２ シンチレータ層
１５０ ローラー
１１１ 基台
１１２ センサ基板
１１２ａ 第１面
１１２ｂ 第２面
１１２ｃ 第３面
１１５ 光電変換素子
１２０ シンチレータ
１２１ 基材
１２２ シンチレータ層
１５０ ローラー
Claims (14)
- 各々が、複数の光電変換素子がアレイ状に配列された第１面と、当該第１面と対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面とをつなぐ側面と、を有し、隣接して配置された複数のセンサ基板と、
前記複数のセンサ基板の前記第１面側に配置されたシンチレータと、
前記複数のセンサ基板と前記シンチレータとを接着するためのシート状の接着部材と、
前記複数のセンサ基板を支持する基台と、
前記複数のセンサ基板を前記基台に固定するための固定部材と、
を有し、
前記シート状の接着部材が、前記複数のセンサ基板の間において、前記第１面から前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着するように、前記第１面及び前記側面の少なくとも一部に接着しており、
前記固定部材の剛性が前記シート状の接着部材の剛性よりも低いことを特徴とする放射線検出装置。 - 前記複数のセンサ基板は、前記第１面の前記複数の光電変換素子の周囲の少なくとも一部に配置されたガードリングと、前記ガードリングの一部及び前記複数の光電変換素子を覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の端部を除いて前記パッシベーション膜を覆う保護層と、を更に有し、
前記シート状の接着部材は、前記複数のセンサ基板の間において、前記保護層と前記パッシベーション膜と前記ガードリングと前記第１面と前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着していることを特徴とする、請求項１に記載の放射線検出装置。 - 各々が、複数の光電変換素子がアレイ状に配列された第１面と、当該第１面と対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面とをつなぐ側面と、を有し、隣接して配置された複数のセンサ基板と、
前記複数のセンサ基板の前記第１面側に配置されたシンチレータと、
前記複数のセンサ基板と前記シンチレータとを接着するためのシート状の接着部材と、
を有し、
前記複数のセンサ基板は、前記第１面の前記複数の光電変換素子の周囲の少なくとも一部に配置されたガードリングと、前記ガードリングの一部及び前記複数の光電変換素子を覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の端部を除いて前記パッシベーション膜を覆う保護層と、を更に有し、
前記シート状の接着部材は、前記複数のセンサ基板の間において、前記第１面から前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着するように、前記保護層と前記パッシベーション膜と前記ガードリングと前記第１面と前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着していることを特徴とする放射線検出装置。 - 前記複数のセンサ基板を支持する基台と、
前記複数のセンサ基板を前記基台に固定するための固定部材と、
を更に有し、
前記固定部材の剛性が前記シート状の接着部材の剛性よりも低いことを特徴とする請求項３に記載の放射線検出装置。 - 前記複数のセンサ基板のうちの少なくとも一つが、前記複数のセンサ基板の間において、前記第１面と前記側面の間に前記第１面及び前記側面とは平行ではない第３面を有し、
前記シート状の接着部材は、前記複数のセンサ基板の間において、前記第１面から前記第３面及び前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の放射線検出装置。 - 前記複数のセンサ基板の間において、前記複数のセンサ基板のうちの少なくとも一つのセンサ基板の側面が、前記第１面に対して垂直な垂線に対して、前記第１面から前記第２面に向かって、前記少なくとも一つのセンサ基板の内側に向かって傾斜していることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
- 請求項１から６のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置で得られた信号に基づく画像を表示する表示装置と、
を有することを特徴とする放射線検出システム。 - 各々が、複数の光電変換素子がアレイ状に配列された第１面と、当該第１面と対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面とをつなぐ側面と、を有し、隣接して基台に固定部材を用いて固定された複数のセンサ基板の前記第１面側に前記固定部材より剛性が高いシート状の接着部材を介してシンチレータを配置する配置工程と、
前記シンチレータの前記複数のセンサ基板の間に対応する領域を、前記複数のセンサ基板と反対側から加圧することにより、前記複数のセンサ基板の間において、前記シート状の接着部材を前記第１面から前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着させる接着工程と、
を行う放射線検出装置の製造方法。 - 前記複数のセンサ基板は、前記第１面の前記複数の光電変換素子の周囲の少なくとも一部に配置されたガードリングと、前記ガードリングの一部及び前記複数の光電変換素子を覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の端部を除いて前記パッシベーション膜を覆う保護層と、を更に有し、
前記接着工程は、前記複数のセンサ基板の間において、前記シート状の接着部材を前記保護層と前記パッシベーション膜と前記ガードリングと前記第１面と前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着させることを特徴とする請求項８に記載の放射線検出装置の製造方法。 - 各々が、複数の光電変換素子がアレイ状に配列された第１面と、当該第１面と対向する第２面と、前記第１面及び前記第２面とをつなぐ側面と、を有し、隣接して配置された複数のセンサ基板の前記第１面側にシート状の接着部材を介してシンチレータを配置する配置工程と、
前記シンチレータの前記複数のセンサ基板の間に対応する領域を、前記複数のセンサ基板と反対側から加圧することにより、前記複数のセンサ基板の間において、前記シート状の接着部材を前記第１面から前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着させる接着工程と、
を行い、
前記複数のセンサ基板は、前記第１面の前記複数の光電変換素子の周囲の少なくとも一部に配置されたガードリングと、前記ガードリングの一部及び前記複数の光電変換素子を覆うパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の端部を除いて前記パッシベーション膜を覆う保護層と、を更に有し、
前記接着工程は、前記複数のセンサ基板の間において、前記シート状の接着部材を前記保護層と前記パッシベーション膜と前記ガードリングと前記第１面と前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着させることを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 - 前記複数のセンサ基板を基台に固定部材を用いて固定させる固定工程を更に含み、
前記固定部材の剛性が前記シート状の接着部材の剛性よりも低いことを特徴とする請求項１０に記載の放射線検出装置の製造方法。 - 前記複数のセンサ基板のうちの少なくとも一つが、前記複数のセンサ基板の間において、前記第１面と前記側面の間に前記第１面及び前記側面とは平行ではない第３面を有しており、
前記接着工程は、前記複数のセンサ基板の間において、前記シート状の接着部材を前記第１面から前記第３面及び前記側面の少なくとも一部に跨って連続して接着させることを特徴とする請求項８から１１のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。 - 前記複数のセンサ基板の間において、前記複数のセンサ基板のうちの少なくとも一つのセンサ基板の側面が、前記第１面に対して垂直な垂線に対して、前記第１面から前記第２面に向かって、前記少なくとも一つのセンサ基板の内側に向かって傾斜していることを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
- 前記接着工程は、ローラーを用いて、前記複数のセンサ基板の間に対応する領域を前記複数のセンサ基板と反対側から加圧することを特徴とする請求項８から１３のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013258139A JP6270450B2 (ja) | 2013-12-13 | 2013-12-13 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法 |
| CN201910219458.9A CN110045410B (zh) | 2013-12-13 | 2014-10-30 | 辐射检测装置及其制造方法、辐射检测系统 |
| KR1020167017969A KR101818874B1 (ko) | 2013-12-13 | 2014-10-30 | 방사선 검출 장치, 방사선 검출 시스템 및 방사선 검출 장치의 제조 방법 |
| PCT/JP2014/078874 WO2015087636A1 (ja) | 2013-12-13 | 2014-10-30 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法 |
| CN201811096760.1A CN109239761B (zh) | 2013-12-13 | 2014-10-30 | 辐射检测装置、辐射检测系统、以及用于制造辐射检测装置的方法 |
| GB1612140.2A GB2536394B (en) | 2013-12-13 | 2014-10-30 | Radiation detecting device, and radiation detecting system |
| CN201480068223.XA CN105829916B (zh) | 2013-12-13 | 2014-10-30 | 辐射检测装置、辐射检测系统、以及用于制造辐射检测装置的方法 |
| US15/103,247 US20160291172A1 (en) | 2013-12-13 | 2014-10-30 | Radiation detecting device, radiation detecting system, and method for manufacturing the radiation detecting device |
| DE112014005663.4T DE112014005663T5 (de) | 2013-12-13 | 2014-10-30 | Strahlungserfassungsvorrichtung, Strahlungserfassungssystem und Verfahren zur Herstellung der Strahlungserfassungsvorrichtung |
| US16/794,731 US11226419B2 (en) | 2013-12-13 | 2020-02-19 | Radiation detecting device, radiation detecting system, and method for manufacturing the radiation detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013258139A JP6270450B2 (ja) | 2013-12-13 | 2013-12-13 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015114268A JP2015114268A (ja) | 2015-06-22 |
| JP2015114268A5 JP2015114268A5 (ja) | 2017-01-26 |
| JP6270450B2 true JP6270450B2 (ja) | 2018-01-31 |
Family
ID=53370953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013258139A Active JP6270450B2 (ja) | 2013-12-13 | 2013-12-13 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び、放射線検出装置の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20160291172A1 (ja) |
| JP (1) | JP6270450B2 (ja) |
| KR (1) | KR101818874B1 (ja) |
| CN (3) | CN110045410B (ja) |
| DE (1) | DE112014005663T5 (ja) |
| GB (1) | GB2536394B (ja) |
| WO (1) | WO2015087636A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6877289B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2021-05-26 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線出装置の製造方法 |
| JP6601825B2 (ja) | 2018-04-06 | 2019-11-06 | 株式会社ＥｍｂｏｄｙＭｅ | 画像処理装置および２次元画像生成用プログラム |
| JP6659182B2 (ja) * | 2018-07-23 | 2020-03-04 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、その製造方法及び放射線撮像システム |
| EP4039193A4 (en) * | 2019-09-30 | 2022-11-23 | FUJIFILM Corporation | RADIATION IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING RADIATION IMAGING DEVICE |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5381014B1 (en) * | 1993-12-29 | 1997-06-10 | Du Pont | Large area x-ray imager and method of fabrication |
| US5844243A (en) * | 1997-07-15 | 1998-12-01 | Direct Radiography Co. | Method for preparing digital radiography panels |
| WO2001063321A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif d'imagerie a rayons x et son procede de fabrication |
| US6504158B2 (en) * | 2000-12-04 | 2003-01-07 | General Electric Company | Imaging array minimizing leakage currents |
| JP2003017676A (ja) * | 2001-04-27 | 2003-01-17 | Canon Inc | 放射線撮像装置およびそれを用いた放射線撮像システム |
| JP2002341042A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | Canon Inc | 光電変換装置 |
| JP4789372B2 (ja) * | 2001-08-27 | 2011-10-12 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置、システム及びそれらに備えられるシンチレータパネル |
| JP2004303925A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Canon Inc | 撮像用基板 |
| JP2006052979A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
| JP2006278877A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びその製造方法 |
| JP2007017215A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | 放射線像変換パネルの製造方法 |
| US7828926B1 (en) * | 2006-04-04 | 2010-11-09 | Radiation Monitoring Devices, Inc. | Selective removal of resin coatings and related methods |
| JP5004848B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| US8003950B2 (en) * | 2008-01-18 | 2011-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiation detector, X-ray CT apparatus, and method for manufacturing radiation detector |
| JP2010008123A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | センサモジュール |
| RU2510520C2 (ru) * | 2008-11-21 | 2014-03-27 | Трикселль | Способ сборки ячеистого радиационного детектора |
| JP5305996B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2013-10-02 | 株式会社東芝 | 放射線検出器およびその製造方法 |
| JP2010249722A (ja) * | 2009-04-17 | 2010-11-04 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 放射線画像検出カセッテ |
| JP2011128085A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Canon Inc | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 |
| JP5645500B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2014-12-24 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 |
| US20120045883A1 (en) * | 2010-08-23 | 2012-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing soi substrate |
| JP5792958B2 (ja) * | 2011-01-13 | 2015-10-14 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法 |
| JP2012168128A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
| JP5498982B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置 |
| JP2013002887A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Canon Inc | 放射線検出パネルおよび放射線撮影装置 |
| US20130026380A1 (en) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | General Electric Company | Radiation detector with angled surfaces and method of fabrication |
-
2013
- 2013-12-13 JP JP2013258139A patent/JP6270450B2/ja active Active
-
2014
- 2014-10-30 DE DE112014005663.4T patent/DE112014005663T5/de active Pending
- 2014-10-30 US US15/103,247 patent/US20160291172A1/en not_active Abandoned
- 2014-10-30 KR KR1020167017969A patent/KR101818874B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-30 CN CN201910219458.9A patent/CN110045410B/zh active Active
- 2014-10-30 GB GB1612140.2A patent/GB2536394B/en active Active
- 2014-10-30 CN CN201480068223.XA patent/CN105829916B/zh active Active
- 2014-10-30 CN CN201811096760.1A patent/CN109239761B/zh active Active
- 2014-10-30 WO PCT/JP2014/078874 patent/WO2015087636A1/ja active Application Filing
-
2020
- 2020-02-19 US US16/794,731 patent/US11226419B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110045410B (zh) | 2023-01-03 |
| CN109239761A (zh) | 2019-01-18 |
| CN105829916B (zh) | 2019-04-02 |
| US20160291172A1 (en) | 2016-10-06 |
| JP2015114268A (ja) | 2015-06-22 |
| DE112014005663T5 (de) | 2016-09-15 |
| US11226419B2 (en) | 2022-01-18 |
| GB2536394B (en) | 2020-12-09 |
| CN110045410A (zh) | 2019-07-23 |
| CN109239761B (zh) | 2023-01-10 |
| CN105829916A (zh) | 2016-08-03 |
| GB2536394A (en) | 2016-09-14 |
| KR20160094438A (ko) | 2016-08-09 |
| GB201612140D0 (en) | 2016-08-24 |
| WO2015087636A1 (ja) | 2015-06-18 |
| KR101818874B1 (ko) | 2018-01-15 |
| US20200183022A1 (en) | 2020-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11226419B2 (en) | Radiation detecting device, radiation detecting system, and method for manufacturing the radiation detecting device | |
| JP6000680B2 (ja) | 放射線検出装置、その製造方法及び撮像システム | |
| US9081104B2 (en) | Radiation detection apparatus and radiation detection system | |
| JP5607426B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| US7564112B2 (en) | Semiconductor device, radiographic imaging apparatus, and method for manufacturing the same | |
| US20140103216A1 (en) | Radiation detection apparatus and radiation detection system | |
| JP2006220439A (ja) | シンチレータパネル、放射線検出装置及びその製造方法 | |
| JP2007071836A (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| US10345455B2 (en) | Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and method of manufacturing radiation detection apparatus | |
| JP2007057428A (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| US9417338B2 (en) | Radiation image pickup apparatus, and radiation image pickup system | |
| JP2015114268A5 (ja) | ||
| JP2021056092A (ja) | 放射線撮像装置 | |
| JP4819344B2 (ja) | 半導体装置、放射線撮像装置、及びその製造方法 | |
| JP2022092706A (ja) | 放射線検出装置の製造方法 | |
| JP6077787B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| JP2022092707A (ja) | 放射線検出装置の製造方法 | |
| JP7337663B2 (ja) | 放射線検出装置の製造方法 | |
| KR20200019478A (ko) | X선 디텍터 | |
| JP2021071378A (ja) | 放射線検出装置の製造方法 | |
| JP2017190981A (ja) | 放射線撮像装置及びその製造方法、並びに、放射線撮像システム | |
| JP2021015058A (ja) | 放射線撮像装置および放射線撮像システム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161209 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161209 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170829 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170915 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171128 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171226 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6270450 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |