JP2002341042A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JP2002341042A JP2002341042A JP2001151058A JP2001151058A JP2002341042A JP 2002341042 A JP2002341042 A JP 2002341042A JP 2001151058 A JP2001151058 A JP 2001151058A JP 2001151058 A JP2001151058 A JP 2001151058A JP 2002341042 A JP2002341042 A JP 2002341042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- substrate
- housing
- conversion device
- conversion substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線撮像装置の軽量化、薄型化を図る。
【解決手段】 放射線を光に変換する蛍光板などの波長
変換材５と、波長変換材５で変換された光を電荷に変換
する光電変換素子及び変換された電荷の読み出しを制御
するＴＦＴなどのスイッチ手段が形成された光電変換基
板４と、光電変換基板４が載置される筐体８と、光電変
換基板４の光電変換素子等を駆動する駆動回路２と、駆
動回路２によって駆動された光電変換素子から読み出さ
れた電荷を処理する信号回路３と、信号回路３で処理さ
れた電荷を伝送するフレキシブル基板９と、光電変換基
板４と筐体８とを接続する接着材６とを備えている。
変換材５と、波長変換材５で変換された光を電荷に変換
する光電変換素子及び変換された電荷の読み出しを制御
するＴＦＴなどのスイッチ手段が形成された光電変換基
板４と、光電変換基板４が載置される筐体８と、光電変
換基板４の光電変換素子等を駆動する駆動回路２と、駆
動回路２によって駆動された光電変換素子から読み出さ
れた電荷を処理する信号回路３と、信号回路３で処理さ
れた電荷を伝送するフレキシブル基板９と、光電変換基
板４と筐体８とを接続する接着材６とを備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療用測定器、非
破壊検査器などに用いられる放射線撮像装置に関するも
のである。
破壊検査器などに用いられる放射線撮像装置に関するも
のである。
【０００２】なお、本明細書では、放射線の範ちゅうに
Ｘ線、α線、β線、γ線なども含まれるものとする。
Ｘ線、α線、β線、γ線なども含まれるものとする。
【０００３】
【従来の技術】従来、Ｘ線撮像装置は、Ｘ線を可視光に
変換する蛍光板を有する読み取り系と、蛍光板で変換さ
れた可視光を集める縮小光学系と、縮小光学系で集めら
れたＣＣＤ型センサーとを組み合わせて構成されてい
た。
変換する蛍光板を有する読み取り系と、蛍光板で変換さ
れた可視光を集める縮小光学系と、縮小光学系で集めら
れたＣＣＤ型センサーとを組み合わせて構成されてい
た。
【０００４】しかし、近年になり水素化アモルファスシ
リコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と称する。）に代表される
光電変換半導体材料の開発により、光電変換素子及び信
号処理部を大面積のガラス基板などの基板に形成し、情
報源と等倍の光学系で読み取る密着型センサーを備えた
Ｘ線撮像装置が実用化されつつある。
リコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と称する。）に代表される
光電変換半導体材料の開発により、光電変換素子及び信
号処理部を大面積のガラス基板などの基板に形成し、情
報源と等倍の光学系で読み取る密着型センサーを備えた
Ｘ線撮像装置が実用化されつつある。
【０００５】特に、ａ−Ｓｉは光電変換材料としてだけ
でなく、薄膜電界効果型トランジスタ（以下、「ＴＦ
Ｔ」と称する。）の半導体材料としても用いることがで
き、光電変換素子とスイッチ素子であるＴＦＴと同時に
形成することができ好適である。
でなく、薄膜電界効果型トランジスタ（以下、「ＴＦ
Ｔ」と称する。）の半導体材料としても用いることがで
き、光電変換素子とスイッチ素子であるＴＦＴと同時に
形成することができ好適である。
【０００６】ところが、こうしたＸ線撮像装置を製造す
ると、光電変換素子などを形成するガラス基板などの面
積が大きくなるほど、歩留まりが低くなり、製造コスト
が増大する。
ると、光電変換素子などを形成するガラス基板などの面
積が大きくなるほど、歩留まりが低くなり、製造コスト
が増大する。
【０００７】そこで、複数枚のガラス基板等に光電変換
素子等を形成し、それらを平面的に配列して貼り合せて
なるＸ線撮像装置が提案されている。
素子等を形成し、それらを平面的に配列して貼り合せて
なるＸ線撮像装置が提案されている。
【０００８】このように複数の光電変換基板を貼り合わ
せて大面積のＸ線撮像装置を作製しようとした場合に、
入射面の平面性を保つため各光電変換基板の高さを合せ
るようにガラスなどの基台上に配列している。さらに、
Ｘ線撮像装置の環境温度および内部温度上昇等の温度変
化に対応できるように、基台と光電変換基板を同一材料
としている場合が多い。
せて大面積のＸ線撮像装置を作製しようとした場合に、
入射面の平面性を保つため各光電変換基板の高さを合せ
るようにガラスなどの基台上に配列している。さらに、
Ｘ線撮像装置の環境温度および内部温度上昇等の温度変
化に対応できるように、基台と光電変換基板を同一材料
としている場合が多い。
【０００９】図４は、従来の放射線撮像装置の模式的な
平面図である。図５は、図４のＢ−Ｂ’の断面図であ
る。なお、図４，図５には、光電変換素子などを形成し
た光電変換素子基板を４枚貼り合わせた例を示してい
る。
平面図である。図５は、図４のＢ−Ｂ’の断面図であ
る。なお、図４，図５には、光電変換素子などを形成し
た光電変換素子基板を４枚貼り合わせた例を示してい
る。
【００１０】図４，図５に示した放射線装置は、Ｘ線を
光に変換する蛍光板などの波長変換材５と、波長変換材
５で変換された光を電荷に変換する光電変換素子及び変
換された電荷の読み出しを制御するスイッチ素子が形成
された光電変換基板４と、光電変換基板４の光電変換素
子等を駆動する駆動回路２と、駆動回路２によって駆動
された光電変換素子から読み出された電荷を処理する信
号回路３と、光電変換基板４が並べられたガラス基台７
と、ガラス基台７が載置される筐体８と、信号回路３で
処理された電荷を伝送するフレキシブル基板９と、光電
変換基板４とガラス基台７と筐体８とを接続する接着材
６とからなる。
光に変換する蛍光板などの波長変換材５と、波長変換材
５で変換された光を電荷に変換する光電変換素子及び変
換された電荷の読み出しを制御するスイッチ素子が形成
された光電変換基板４と、光電変換基板４の光電変換素
子等を駆動する駆動回路２と、駆動回路２によって駆動
された光電変換素子から読み出された電荷を処理する信
号回路３と、光電変換基板４が並べられたガラス基台７
と、ガラス基台７が載置される筐体８と、信号回路３で
処理された電荷を伝送するフレキシブル基板９と、光電
変換基板４とガラス基台７と筐体８とを接続する接着材
６とからなる。
【００１１】波長変換材５は、ガドニウム系ＧＯＳやＣ
ｓＩなどにより形成している。
ｓＩなどにより形成している。
【００１２】光電変換基板４は、たとえば厚さが１．１
ｍｍの無アルカリガラスを材料としており、この基板上
にａ−Ｓｉに代表される光電変換半導体材料によって光
電変換素子及びスイッチ素子を形成したものである。
ｍｍの無アルカリガラスを材料としており、この基板上
にａ−Ｓｉに代表される光電変換半導体材料によって光
電変換素子及びスイッチ素子を形成したものである。
【００１３】駆動回路２，信号回路３は、それぞれプリ
ント回路基板などに形成している。
ント回路基板などに形成している。
【００１４】基台７は、たとえば厚さが１．１ｍｍの無
アルカリガラスを材料としており、光電変換基板４およ
び筐体８にそれぞれ接着剤等を用いて貼り合わせてい
る。
アルカリガラスを材料としており、光電変換基板４およ
び筐体８にそれぞれ接着剤等を用いて貼り合わせてい
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術
は、複数の光電変換基板を貼り合せた際の入射面の平面
性を維持するためにガラス基台を備えているので、Ｘ線
撮像装置全体の軽重量化や薄型化が妨げられている。た
とえば、厚みが１．１ｍｍ、面積が４３０ｍｍ×４３０
ｍｍの無アルカリガラスの重さは５００ｇとなる。
は、複数の光電変換基板を貼り合せた際の入射面の平面
性を維持するためにガラス基台を備えているので、Ｘ線
撮像装置全体の軽重量化や薄型化が妨げられている。た
とえば、厚みが１．１ｍｍ、面積が４３０ｍｍ×４３０
ｍｍの無アルカリガラスの重さは５００ｇとなる。
【００１６】また、ガラス基台を省くことによって小型
化、軽量化を達成することは可能になるが、装置内の温
度変化などによって、光電変換基板が筐体との熱膨張係
数等の温度特性の差から湾曲してしまい、入射面の平面
性を維持するのが困難となる。これによって、被写体に
照射されて情報を含んだ放射線や可視光を検出した場合
に、画像ピッチのずれなどによって画像が乱れてしまう
のは免れない。
化、軽量化を達成することは可能になるが、装置内の温
度変化などによって、光電変換基板が筐体との熱膨張係
数等の温度特性の差から湾曲してしまい、入射面の平面
性を維持するのが困難となる。これによって、被写体に
照射されて情報を含んだ放射線や可視光を検出した場合
に、画像ピッチのずれなどによって画像が乱れてしまう
のは免れない。
【００１７】特に光電変換基板を複数貼り合せた構造の
場合においては、光電変換基板間の隙間において湾曲し
てしまい、画素の中心からの距離が各基板においてずれ
てしまうことも考えられ、そうなった際の画像の補正は
複雑となる。
場合においては、光電変換基板間の隙間において湾曲し
てしまい、画素の中心からの距離が各基板においてずれ
てしまうことも考えられ、そうなった際の画像の補正は
複雑となる。
【００１８】そこで、本発明は、入射面の平面性を保ち
つつ、電磁波および放射線撮像装置の軽量化、薄型化を
図ることを課題とする。
つつ、電磁波および放射線撮像装置の軽量化、薄型化を
図ることを課題とする。
【００１９】また本発明は、複数枚の光電変換基板を平
面的に配列した光電変換装置において、各基板の温度変
化などによる高さギャップの発生をなくすことにより、
ピントズレ、解像力の低下および感度の低下、表面に蛍
光体を接着する場合の蛍光体の剥れ等の問題が生じない
光電変換装置を簡単な方法で実現することを課題とす
る。
面的に配列した光電変換装置において、各基板の温度変
化などによる高さギャップの発生をなくすことにより、
ピントズレ、解像力の低下および感度の低下、表面に蛍
光体を接着する場合の蛍光体の剥れ等の問題が生じない
光電変換装置を簡単な方法で実現することを課題とす
る。
【００２０】加えて本発明は、基台上に隣接配置された
基板間の間隙の変化が実質的になく、光電変換素子のピ
ッチずれなどが生じない光電変換装置を提供することを
課題とする。
基板間の間隙の変化が実質的になく、光電変換素子のピ
ッチずれなどが生じない光電変換装置を提供することを
課題とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、光を電気信号に変換する光電変換素子が
配列された光電変換基板を平面上に複数貼り合わせるよ
うにして筐体に接着された光電変換装置であって、前記
複数の光電変換基板と前記筐体との材料を、各熱膨張係
数が同程度の材料とすることを特徴とする。
め、本発明は、光を電気信号に変換する光電変換素子が
配列された光電変換基板を平面上に複数貼り合わせるよ
うにして筐体に接着された光電変換装置であって、前記
複数の光電変換基板と前記筐体との材料を、各熱膨張係
数が同程度の材料とすることを特徴とする。
【００２２】また、本発明の光電変換装置は、筐体の内
面に光を電気信号に変換する光電変換素子を配列してな
ることを特徴とする。
面に光を電気信号に変換する光電変換素子を配列してな
ることを特徴とする。
【００２３】さらに、本発明の放射線撮像装置は、上記
光電変換装置を備えることを特徴とする。
光電変換装置を備えることを特徴とする。
【００２４】さらにまた、本発明の放射線撮像システム
は、上記放射線撮像装置を備えることを特徴とする。
は、上記放射線撮像装置を備えることを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００２６】図１は、本発明の実施形態の放射線撮像装
置の模式的な斜視図である。図２は、図１のＸ線撮像装
置フレーム（筐体）８内に格納される放射線撮像装置の
平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’の断面図であ
る。なお、図２，図３には、ガラスからなる光電変換素
子などを形成した光電変換基板を４枚貼り合わせた例を
示している。ここでは放射線としてＸ線を例に挙げて説
明する。
置の模式的な斜視図である。図２は、図１のＸ線撮像装
置フレーム（筐体）８内に格納される放射線撮像装置の
平面図である。図３は、図２のＡ−Ａ’の断面図であ
る。なお、図２，図３には、ガラスからなる光電変換素
子などを形成した光電変換基板を４枚貼り合わせた例を
示している。ここでは放射線としてＸ線を例に挙げて説
明する。
【００２７】図１には、Ｘ線源から出射され被写体を通
過したＸ線が入射するＸ線入射面１を示している。筐体
８は、光電変換基板４の材料の熱膨張係数と同程度の熱
膨張係数の材料によって形成している。
過したＸ線が入射するＸ線入射面１を示している。筐体
８は、光電変換基板４の材料の熱膨張係数と同程度の熱
膨張係数の材料によって形成している。
【００２８】図２，図３には、Ｘ線を光に変換する蛍光
板などの波長変換材料５と、波長変換材５で変換された
光を電荷に変換する光電変換素子及び変換された電荷の
読み出しを制御するＴＦＴなどのスイッチ手段が形成さ
れた光電変換基板４と、該光電変換基板４が載置される
筐体８と、光電変換基板４の光電変換素子等を駆動する
駆動回路２と、駆動回路２によって駆動された光電変換
素子から読み出された電荷を処理する信号回路３と、信
号回路３で処理された電荷を伝送するフレキシブル基板
９と、光電変換基板４と筐体８とを接続する接着材６と
を示している。
板などの波長変換材料５と、波長変換材５で変換された
光を電荷に変換する光電変換素子及び変換された電荷の
読み出しを制御するＴＦＴなどのスイッチ手段が形成さ
れた光電変換基板４と、該光電変換基板４が載置される
筐体８と、光電変換基板４の光電変換素子等を駆動する
駆動回路２と、駆動回路２によって駆動された光電変換
素子から読み出された電荷を処理する信号回路３と、信
号回路３で処理された電荷を伝送するフレキシブル基板
９と、光電変換基板４と筐体８とを接続する接着材６と
を示している。
【００２９】ここで、本実施形態においては波長変換材
５を設けて放射線を可視光に変換した後に検出を行って
いるが、半導体材料に放射線に対して感応性を有するも
のを用いれば、特にこれを設ける必要はない。
５を設けて放射線を可視光に変換した後に検出を行って
いるが、半導体材料に放射線に対して感応性を有するも
のを用いれば、特にこれを設ける必要はない。
【００３０】また駆動回路２，信号回路３は、たとえば
光電変換基板４上に形成してもよい。
光電変換基板４上に形成してもよい。
【００３１】波長変換材５は、ガドニウム系ＧＯＳやＣ
ｓＩなどにより形成している。
ｓＩなどにより形成している。
【００３２】光電変換基板４は、無アルカリガラス、ア
ルミニウム、ステンレス（ＳＵＳ）、マグネシウム、ポ
リエチレン・テフタレート（ＰＥＴ）、ガラスエポキ
シ、セラミックなどを材料としているが、その中でも無
アルカリガラスが平面性維持や価格などの面において特
に好適に用いられる。この光電変換基板上にａ−Ｓｉに
代表される光電変換半導体材料によって光電変換素子及
びＴＦＴなどのスイッチ素子を形成している。また、光
電変換基板４は、波長変換材料５および筐体８にそれぞ
れ接着剤等を用いて貼り合わせている。
ルミニウム、ステンレス（ＳＵＳ）、マグネシウム、ポ
リエチレン・テフタレート（ＰＥＴ）、ガラスエポキ
シ、セラミックなどを材料としているが、その中でも無
アルカリガラスが平面性維持や価格などの面において特
に好適に用いられる。この光電変換基板上にａ−Ｓｉに
代表される光電変換半導体材料によって光電変換素子及
びＴＦＴなどのスイッチ素子を形成している。また、光
電変換基板４は、波長変換材料５および筐体８にそれぞ
れ接着剤等を用いて貼り合わせている。
【００３３】ここで、無アルカリガラスの熱膨張係数は
４．７×１０-6ｍｍ／℃である。アルミニウムの熱膨張
係数は２３．１×１０-6ｍｍ／℃である。ステンレス
（ＳＵＳ）の熱膨張係数は１４．７×１０-6ｍｍ／℃で
ある。マグネシウムの熱膨張係数は２６．０×１０-6ｍ
ｍ／℃である。ポリエチレン・テフタレート（ＰＥＴ）
の熱膨張係数は３０．０×１０-6ｍｍ／℃である。ガラ
スエポキシの熱膨張係数は１５×１０-6ｍｍ／℃〜２０
×１０-6ｍｍ／℃である。セラミックの熱膨張係数は６
×１０-6ｍｍ／℃である。
４．７×１０-6ｍｍ／℃である。アルミニウムの熱膨張
係数は２３．１×１０-6ｍｍ／℃である。ステンレス
（ＳＵＳ）の熱膨張係数は１４．７×１０-6ｍｍ／℃で
ある。マグネシウムの熱膨張係数は２６．０×１０-6ｍ
ｍ／℃である。ポリエチレン・テフタレート（ＰＥＴ）
の熱膨張係数は３０．０×１０-6ｍｍ／℃である。ガラ
スエポキシの熱膨張係数は１５×１０-6ｍｍ／℃〜２０
×１０-6ｍｍ／℃である。セラミックの熱膨張係数は６
×１０-6ｍｍ／℃である。
【００３４】光電変換基板４と筐体８とはできることな
ら同じ材料を用いるのが好ましいが、熱膨張係数が近け
れば、異なる材料を用いてもよい。具体的には、光電変
換基板４と筐体８とのいずれか一方をアルミニウム、他
方をマグネシウムのような場合である。
ら同じ材料を用いるのが好ましいが、熱膨張係数が近け
れば、異なる材料を用いてもよい。具体的には、光電変
換基板４と筐体８とのいずれか一方をアルミニウム、他
方をマグネシウムのような場合である。
【００３５】筐体８は貼り合わせ部がなく一枚の平面状
になっており、筐体８上に複数の光電変換基板を貼り合
わせて設置するために、装置内の温度変化などがあった
場合に光電変換基板４の隙間によって光電変換基板４が
たわんでしまい、画素ピッチがずれる。光電変換基板４
と筐体８との熱膨張係数の差が大きければ大きいほど、
ずれは大きくなる。
になっており、筐体８上に複数の光電変換基板を貼り合
わせて設置するために、装置内の温度変化などがあった
場合に光電変換基板４の隙間によって光電変換基板４が
たわんでしまい、画素ピッチがずれる。光電変換基板４
と筐体８との熱膨張係数の差が大きければ大きいほど、
ずれは大きくなる。
【００３６】熱膨張変化に対する画素ピッチのずれは±
２０％程度はその後の画像信号の処理で補正できる。画
素ピッチのずれを±２０％以内とするためには、通常放
射線撮像装置を用いる温度環境の場合には、光電変換基
板４と筐体８の熱膨張係数の差は１０％以内に設定して
おけばよい。
２０％程度はその後の画像信号の処理で補正できる。画
素ピッチのずれを±２０％以内とするためには、通常放
射線撮像装置を用いる温度環境の場合には、光電変換基
板４と筐体８の熱膨張係数の差は１０％以内に設定して
おけばよい。
【００３７】接着剤６は、ウレタン系、シリコーン系、
スチレン系、エステル系、塩化ビニル系、エポキシ系の
樹脂などのように、柔軟性のある接着剤としている。
スチレン系、エステル系、塩化ビニル系、エポキシ系の
樹脂などのように、柔軟性のある接着剤としている。
【００３８】このように、本実施形態のＸ線撮像装置
は、ガラス基台７をなくし、筐体８上に光電変換基板４
を複数枚、平面性を維持しながら直接配置することによ
り、Ｘ線撮像装置全体を軽量化している。なお、筐体８
上に光電変換素子等を直接形成することで、光電変換基
板４をなくしてもよい。
は、ガラス基台７をなくし、筐体８上に光電変換基板４
を複数枚、平面性を維持しながら直接配置することによ
り、Ｘ線撮像装置全体を軽量化している。なお、筐体８
上に光電変換素子等を直接形成することで、光電変換基
板４をなくしてもよい。
【００３９】なお、本実施形態では、Ｘ線撮像装置を例
に説明したが、光電変換装置も同様に軽量化、薄型化で
きる。また、フレキシブル基板９を通じて伝送された電
荷に基づいてＸ線写真をモニタなどに表示して診療が行
えるようにしたり、係る画像をディスク状の記録媒体な
どに保存できるようにしてもよい。
に説明したが、光電変換装置も同様に軽量化、薄型化で
きる。また、フレキシブル基板９を通じて伝送された電
荷に基づいてＸ線写真をモニタなどに表示して診療が行
えるようにしたり、係る画像をディスク状の記録媒体な
どに保存できるようにしてもよい。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
筐体と光電変換基板との材料を、各熱膨張係数が同程度
の材料としているので、装置内の温度変化によるピッチ
ずれを低減し且つ、ガラス基板をなくすことができ、そ
の分、光電変換装置や放射線撮像装置を軽量化、薄型化
することができる。
筐体と光電変換基板との材料を、各熱膨張係数が同程度
の材料としているので、装置内の温度変化によるピッチ
ずれを低減し且つ、ガラス基板をなくすことができ、そ
の分、光電変換装置や放射線撮像装置を軽量化、薄型化
することができる。
【図１】本発明の実施形態のＸ線撮像装置の筐体８の模
式的な斜視図である。
式的な斜視図である。
【図２】図１の筐体８内に格納されるＸ線撮像装置の平
面図である。
面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’の断面図である。
【図４】従来のＸ線撮像装置の模式的な平面図である。
【図５】図４のＢ−Ｂ’の断面図である。
１ Ｘ線入射面 ２ 駆動回路 ３ 信号回路 ４ 光電変換基板 ５ 波長変換材料 ６ 接着材 ７ ガラス基台 ８ 筐体 ９ フレキシブル基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ｋ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE30 FF02 GG19 GG20 JJ05 JJ09 JJ37 LL12 4M118 AA10 AB01 BA04 CA01 CB06 CB11 HA20 HA21 HA24 HA26 5C024 AX12 CX01 EX21 5F088 AB05 BA16 BB03 BB07 GA02 GA10 JA17 JA20 LA08
Claims (9)
- 【請求項１】 筐体の中に複数の光電変換素子を配列し
た光電変換基板を有する光電変換装置において、 前記光電変換基板を前記筐体に直接設置し、前記光電変
換基板と前記筐体の熱膨張係数を同程度とすることを特
徴とする光電変換装置。 - 【請求項２】 前記筐体と前記光電変換基板の熱膨張係
数の差が１０％以内であることを特徴とする請求項１記
載の光電変換装置。 - 【請求項３】 前記光電変換基板と前記筐体とが同材料
であることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項４】 前記光電変換基板及び前記筐体の材料
は、金属、樹脂又はセラミックであることを特徴とする
請求項１記載の光電変換装置。 - 【請求項５】 前記光電変換基板及び前記筐体の材料
は、無アルカリガラス、アルミニウム、ステンレス、マ
グネシウム、ポリエチレン・テフタレート、ガラスエポ
キシであることを特徴とする請求項１記載の光電変換装
置。 - 【請求項６】 前記光電変換基板と前記筐体とが接着材
によって接着されていることを特徴とする請求項１から
５のいずれか１項記載の光電変換装置。 - 【請求項７】 前記接着材は、ウレタン系、シリコーン
系、スチレン系、エステル系、塩化ビニル系、エポキシ
系の樹脂であることを特徴とする請求項６記載の光電変
換装置。 - 【請求項８】 請求項１から７のいずれか１項記載の光
電変換装置を備えることを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の放射線撮像装置を備え
ることを特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001151058A JP2002341042A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001151058A JP2002341042A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002341042A true JP2002341042A (ja) | 2002-11-27 |
Family
ID=18995976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001151058A Pending JP2002341042A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002341042A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011148943A1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
| WO2011148960A1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及びその組立方法 |
| CN110045410A (zh) * | 2013-12-13 | 2019-07-23 | 佳能株式会社 | 辐射检测装置及其制造方法、辐射检测系统 |
-
2001
- 2001-05-21 JP JP2001151058A patent/JP2002341042A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011148943A1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置 |
| WO2011148960A1 (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像撮影装置及びその組立方法 |
| JP2011247686A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置 |
| CN102918418A (zh) * | 2010-05-25 | 2013-02-06 | 富士胶片株式会社 | 放射线成像装置 |
| CN110045410A (zh) * | 2013-12-13 | 2019-07-23 | 佳能株式会社 | 辐射检测装置及其制造方法、辐射检测系统 |
| CN110045410B (zh) * | 2013-12-13 | 2023-01-03 | 佳能株式会社 | 辐射检测装置及其制造方法、辐射检测系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6856670B2 (en) | X-ray diagnostics installation with a flexible solid state X-ray detector | |
| JP5142943B2 (ja) | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| US7564112B2 (en) | Semiconductor device, radiographic imaging apparatus, and method for manufacturing the same | |
| JP5607426B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
| US20090289170A1 (en) | Radiation detection apparatus and radiation detection system | |
| JP2011247686A (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
| US6600158B1 (en) | Semiconductor device and radiation image pickup system having the device | |
| WO2001051950A1 (fr) | Capteur d'image rayons x | |
| JP4208789B2 (ja) | 放射線検出装置、その製造方法、シンチレータパネル、及び放射線検出システム | |
| US10345455B2 (en) | Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and method of manufacturing radiation detection apparatus | |
| US9971043B2 (en) | Radiation detection apparatus, radiation imaging system, and manufacturing method | |
| JP2002022841A (ja) | 放射線撮影装置及びそれを備えたシステム | |
| JP2002341042A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2002369078A (ja) | 放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
| JP2005114518A (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法 | |
| US7750307B2 (en) | Radiation image capturing apparatus | |
| JP2007159790A (ja) | 放射線撮影装置及び放射線撮影システム | |
| JP2007184407A (ja) | 電磁波検出装置及び放射線撮像システム | |
| JP2004061116A (ja) | 放射線検出装置及びシステム | |
| JP2003014855A (ja) | 放射線検出装置及びシステム | |
| JP2002303675A (ja) | 放射線検出装置及びそれを用いた放射線撮像システム | |
| JP6995666B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
| JP2002267758A (ja) | Ｘ線撮像装置 | |
| JP2006052979A (ja) | 放射線検出装置及びシンチレータパネル | |
| JP2002055165A (ja) | 放射線検出装置及びそれを備えた放射線撮像システム |