JP2002022841A - 放射線撮影装置及びそれを備えたシステム - Google Patents
放射線撮影装置及びそれを備えたシステムInfo
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 91
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 37
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 54
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- MINPZZUPSSVGJN-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,4,4,4-hexachlorobutane Chemical group ClC(Cl)(Cl)CCC(Cl)(Cl)Cl MINPZZUPSSVGJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 101150049492 DVR gene Chemical group 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- AGCPZMJBXSCWQY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4-pentachlorobutane Chemical group ClCC(Cl)C(Cl)C(Cl)Cl AGCPZMJBXSCWQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003902 lesion Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- NMWSKOLWZZWHPL-UHFFFAOYSA-N 3-chlorobiphenyl Chemical compound ClC1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 NMWSKOLWZZWHPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 101001082832 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) Pyruvate carboxylase 2 Proteins 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置外部又は内部で生じる振動によって、電
気信号のＳ／Ｎ比が悪化しないようにする。 【解決手段】 放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第１信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第２信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、少なくとも、第１信号線を通る信号の電荷に影響す
る領域では、前記伝熱手段が前記伝達部材に対向しない
状態で、前記増幅手段に対応して構成されていることを
特徴とする。
気信号のＳ／Ｎ比が悪化しないようにする。 【解決手段】 放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第１信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第２信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、少なくとも、第１信号線を通る信号の電荷に影響す
る領域では、前記伝熱手段が前記伝達部材に対向しない
状態で、前記増幅手段に対応して構成されていることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療診断用のＸ線
撮影装置、特にＸ線の受光媒体として複数の光電変換素
子が同一面上に配列されたエリアセンサを有する放射線
撮像装置及びそれを備えたシステムに関するものであ
る。
撮影装置、特にＸ線の受光媒体として複数の光電変換素
子が同一面上に配列されたエリアセンサを有する放射線
撮像装置及びそれを備えたシステムに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、医療診断を目的とする医療用Ｘ線
撮影、物質の非破壊検査等の様々な分野で、増感紙と放
射線写真フィルムとを組み合わせたいわゆる放射線写真
法が利用されている。この方法によれば、放射線画像
は、直接に放射線フィルム上に可視化された画像として
得ることができる。また、医療分野において近年では上
記の放射線写真フィルムの代りに、特開平０８−１１６
０４４号公報で開示されているような、Ｘ線の受光媒体
として複数の光電変換素子と薄膜トランジスタＴＦＴが
配列されたエリアセンサ面を有するＸ線撮影装置が提案
されている。
撮影、物質の非破壊検査等の様々な分野で、増感紙と放
射線写真フィルムとを組み合わせたいわゆる放射線写真
法が利用されている。この方法によれば、放射線画像
は、直接に放射線フィルム上に可視化された画像として
得ることができる。また、医療分野において近年では上
記の放射線写真フィルムの代りに、特開平０８−１１６
０４４号公報で開示されているような、Ｘ線の受光媒体
として複数の光電変換素子と薄膜トランジスタＴＦＴが
配列されたエリアセンサ面を有するＸ線撮影装置が提案
されている。
【０００３】図１（ａ）、図１（ｂ）は、それぞれ従来
のＸ線撮影装置の上面図、平面図である。図１には、光
電変換素子とＴＦＴとを内包する画素が複数個形成され
たガラスを材質とするａ−Ｓｉセンサ基板（以下、「セ
ンサ基板」と称する。）１と、センサ基板１とシフトレ
ジスタＳＲ１とを接続するフレキシブル回路基板２とを
示している。
のＸ線撮影装置の上面図、平面図である。図１には、光
電変換素子とＴＦＴとを内包する画素が複数個形成され
たガラスを材質とするａ−Ｓｉセンサ基板（以下、「セ
ンサ基板」と称する。）１と、センサ基板１とシフトレ
ジスタＳＲ１とを接続するフレキシブル回路基板２とを
示している。
【０００４】また、図１には、検出用集積回路ＩＣ（以
下、「ＩＣ」と称する。）が実装されセンサ基板１とシ
フトレジスタＳＲ２とを接続するフレキシブル基板３
と、Ｘ線を可視光に変換する蛍光体４などのシンチレー
タと、フレキシブル回路基板２，３に接続された回路基
板ＰＣＢ１，ＰＣＢ２と、回路基板ＰＣＢ１，ＰＣＢ２
に接続されたメモリを実装した信号処理回路基板５とを
示している。
下、「ＩＣ」と称する。）が実装されセンサ基板１とシ
フトレジスタＳＲ２とを接続するフレキシブル基板３
と、Ｘ線を可視光に変換する蛍光体４などのシンチレー
タと、フレキシブル回路基板２，３に接続された回路基
板ＰＣＢ１，ＰＣＢ２と、回路基板ＰＣＢ１，ＰＣＢ２
に接続されたメモリを実装した信号処理回路基板５とを
示している。
【０００５】さらに、図１には、Ｓｉゴム等の弾性体を
材質とするダンパー６と、ダンパー６と共にセンサ基板
１を保持するフレーム７と、信号処理回路基板５に実装
されているメモリ８をＸ線照射から保護する目的でフレ
ーム７の裏側に貼付けられた鉛板９とを示している。な
お、図１（ａ）のＡ点，Ｂ点は、それぞれセンサ面上の
光電変換素子とＴＦＴとを含む各１画素を概念的に示し
たものである。
材質とするダンパー６と、ダンパー６と共にセンサ基板
１を保持するフレーム７と、信号処理回路基板５に実装
されているメモリ８をＸ線照射から保護する目的でフレ
ーム７の裏側に貼付けられた鉛板９とを示している。な
お、図１（ａ）のＡ点，Ｂ点は、それぞれセンサ面上の
光電変換素子とＴＦＴとを含む各１画素を概念的に示し
たものである。
【０００６】図１に示すようなＸ線撮像装置は、Ｘ線が
照射される前には、シフトレジスタＳＲ１，ＳＲ２とリ
フレッシュ制御回路（図示せず）からの制御信号とによ
り、全画素がリフレッシュモードの状態にある。このと
き画素中のＴＦＴ（図示せず）はｏｎの状態である。次
にリフレッシュ制御回路からの制御信号が切り替わると
画素中の光電変換素子（図示せず）は光電変換モードの
状態になり、光電変換素子中のコンデンサ等の蓄積部
（図示せず）が初期化される。
照射される前には、シフトレジスタＳＲ１，ＳＲ２とリ
フレッシュ制御回路（図示せず）からの制御信号とによ
り、全画素がリフレッシュモードの状態にある。このと
き画素中のＴＦＴ（図示せず）はｏｎの状態である。次
にリフレッシュ制御回路からの制御信号が切り替わると
画素中の光電変換素子（図示せず）は光電変換モードの
状態になり、光電変換素子中のコンデンサ等の蓄積部
（図示せず）が初期化される。
【０００７】この状態でシフトレジスタＳＲ１，ＳＲ２
による制御信号が切り替わるとＴＦＴはｏｆｆの状態に
なり、全画素の光電変換素子のドレイン電極（図示せ
ず）はオープンになるが蓄積部によって電荷が保持され
る。この状態のときＸ線が照射されると、蛍光体４によ
って可視発光した光が光電変換素子に入射し、光電変換
素子において入射した光の強度に応じた量の信号電荷が
発生し蓄積部にそれぞれ蓄積される。蓄積された電荷は
ＩＣにより順次増幅されて回路基板ＰＣＢ２を介して信
号処理回路基板５に転送される。
による制御信号が切り替わるとＴＦＴはｏｆｆの状態に
なり、全画素の光電変換素子のドレイン電極（図示せ
ず）はオープンになるが蓄積部によって電荷が保持され
る。この状態のときＸ線が照射されると、蛍光体４によ
って可視発光した光が光電変換素子に入射し、光電変換
素子において入射した光の強度に応じた量の信号電荷が
発生し蓄積部にそれぞれ蓄積される。蓄積された電荷は
ＩＣにより順次増幅されて回路基板ＰＣＢ２を介して信
号処理回路基板５に転送される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＸ線撮
影装置は、装置内部や外部からの振動の影響によってＳ
／Ｎ比が変動し、良好な画像が得られないという不具合
があった。すなわち、出力側の増幅器の役割をなすＩＣ
内には抵抗器が内蔵されているが、センサからの電荷を
増幅する際、この抵抗器に電流が流れ、そのとき電気エ
ネルギーの大部分が熱エネルギーに変換される。
影装置は、装置内部や外部からの振動の影響によってＳ
／Ｎ比が変動し、良好な画像が得られないという不具合
があった。すなわち、出力側の増幅器の役割をなすＩＣ
内には抵抗器が内蔵されているが、センサからの電荷を
増幅する際、この抵抗器に電流が流れ、そのとき電気エ
ネルギーの大部分が熱エネルギーに変換される。
【０００９】すると、ＩＣ自体が熱源となり、フレキシ
ブル基板３内の信号線を通じて図１（ａ）のセンサ面に
おいてＩＣからの距離に応じて温度勾配ができる。また
ＩＣ周辺の周囲温度も熱伝達によって上昇してセンサの
周囲温度も場所によって差が生じる。
ブル基板３内の信号線を通じて図１（ａ）のセンサ面に
おいてＩＣからの距離に応じて温度勾配ができる。また
ＩＣ周辺の周囲温度も熱伝達によって上昇してセンサの
周囲温度も場所によって差が生じる。
【００１０】光電変換素子には、初期化されても暗電流
が残留しているため、通常その量を差し引いて補正した
蓄積量を光電変換素子が検出した情報として利用してい
るが、光電変換素子の温度が変化するとそれに伴って暗
電流の量が変化し、補正した時点での温度とＸ線照射時
の温度で差があると実際の蓄積量と異なる値が出力され
る。
が残留しているため、通常その量を差し引いて補正した
蓄積量を光電変換素子が検出した情報として利用してい
るが、光電変換素子の温度が変化するとそれに伴って暗
電流の量が変化し、補正した時点での温度とＸ線照射時
の温度で差があると実際の蓄積量と異なる値が出力され
る。
【００１１】図１０は、暗電流の値と温度の関係を表し
たグラフで、縦軸に暗電流の値、横軸に温度を示してい
る。図１（ａ）に示したＡ点，Ｂ点は、ＩＣの発熱によ
ってセンサ面に温度勾配ができ、たとえばＡ点がｔ
1 ℃、Ｂ点がｔ2 ℃になると仮定すると、周囲温度がｔ
℃のときセンサ面上の全画素が補正された後、ＩＣの発
熱によりＡはｔ1 ℃、Ｂはｔ2 ℃になる。
たグラフで、縦軸に暗電流の値、横軸に温度を示してい
る。図１（ａ）に示したＡ点，Ｂ点は、ＩＣの発熱によ
ってセンサ面に温度勾配ができ、たとえばＡ点がｔ
1 ℃、Ｂ点がｔ2 ℃になると仮定すると、周囲温度がｔ
℃のときセンサ面上の全画素が補正された後、ＩＣの発
熱によりＡはｔ1 ℃、Ｂはｔ2 ℃になる。
【００１２】Ａ点は、センサ面上でＢ点より中心に近
く、ＩＣより離れた距離にあるためｔ 1＜ｔ2 となる。
ｔとｔ1 では殆ど差がないため、Ａ点の暗電流の値を補
正した時点の値と同等とみてよいが、ｔとｔ2 では差が
あり補正してＢ点の暗電流を差し引いたとしても、残り
の値分がノイズ成分として出力される。また、ＩＣ自体
の熱量が増加しすぎると、ＩＣ内部の抵抗が融解して必
要以上の電流がＩＣ内部の回路に流れ、破壊をきたす恐
れがある。このようなノイズ成分の増加、ＩＣの破壊を
防ぐために、たとえば以下に説明するような手法が採ら
れている。
く、ＩＣより離れた距離にあるためｔ 1＜ｔ2 となる。
ｔとｔ1 では殆ど差がないため、Ａ点の暗電流の値を補
正した時点の値と同等とみてよいが、ｔとｔ2 では差が
あり補正してＢ点の暗電流を差し引いたとしても、残り
の値分がノイズ成分として出力される。また、ＩＣ自体
の熱量が増加しすぎると、ＩＣ内部の抵抗が融解して必
要以上の電流がＩＣ内部の回路に流れ、破壊をきたす恐
れがある。このようなノイズ成分の増加、ＩＣの破壊を
防ぐために、たとえば以下に説明するような手法が採ら
れている。
【００１３】図１１は、ＩＣ自体が発する熱量を放熱す
るアルミニウム等の熱伝達率の高い金属を材質とする冷
却フィン１０を、熱伝達部材１１を介してＩＣの表面に
設けている様子を示す図である。冷却フィン１０及び熱
伝達部材１１は、フレキシブル基板３のＩＣを実装した
面と逆の面に設けた弾性体１２及び固定板１３をスリー
ブ１４ａ，１４ｂによって取り付けている。なお、１１
ａ〜１１ｃは、それぞれスリーブ１４ａと１４ｂとの
間、紙面に対してそれぞれスリーブ１４ａの上側、スリ
ーブ１４ｂの下側の領域を示している。ちなみに図１１
において、図１と同様の部分には、同一の符号を付して
いる。
るアルミニウム等の熱伝達率の高い金属を材質とする冷
却フィン１０を、熱伝達部材１１を介してＩＣの表面に
設けている様子を示す図である。冷却フィン１０及び熱
伝達部材１１は、フレキシブル基板３のＩＣを実装した
面と逆の面に設けた弾性体１２及び固定板１３をスリー
ブ１４ａ，１４ｂによって取り付けている。なお、１１
ａ〜１１ｃは、それぞれスリーブ１４ａと１４ｂとの
間、紙面に対してそれぞれスリーブ１４ａの上側、スリ
ーブ１４ｂの下側の領域を示している。ちなみに図１１
において、図１と同様の部分には、同一の符号を付して
いる。
【００１４】冷却フィン１０に伝達された熱量は、冷却
フィン１０の表面より装置内の空気中に輻射され、自然
冷却、又は装置内に設けられた冷却用ファン（図示せ
ず）を使用した強制冷却によって放熱される。熱伝達部
材１１の材質は、たとえばシリコーンゴムや窒化ホウ素
など熱伝達率の高い物質が使用されている。またシリコ
ーンゴムは硬度が低く、ＩＣを実装したフレキシブル基
板３と冷却フィン１０の取付時の誤差などを弾性体とし
て吸収する役割を果たしている。
フィン１０の表面より装置内の空気中に輻射され、自然
冷却、又は装置内に設けられた冷却用ファン（図示せ
ず）を使用した強制冷却によって放熱される。熱伝達部
材１１の材質は、たとえばシリコーンゴムや窒化ホウ素
など熱伝達率の高い物質が使用されている。またシリコ
ーンゴムは硬度が低く、ＩＣを実装したフレキシブル基
板３と冷却フィン１０の取付時の誤差などを弾性体とし
て吸収する役割を果たしている。
【００１５】ＩＣからの熱量を効果的に伝達するために
は、ＩＣ、熱伝達部材１１、冷却フィン１０の熱伝達を
行う各々の接触面の表面積を大きくとり、且つ各々の密
着性を高めることが必要である。そのため、図１１に示
すように、固定板１３と冷却フィン１０との間をスリー
ブ１４ａ、１４ｂで各々固定することにより、ＩＣの冷
却フィン１０に対する密着性を高めている。
は、ＩＣ、熱伝達部材１１、冷却フィン１０の熱伝達を
行う各々の接触面の表面積を大きくとり、且つ各々の密
着性を高めることが必要である。そのため、図１１に示
すように、固定板１３と冷却フィン１０との間をスリー
ブ１４ａ、１４ｂで各々固定することにより、ＩＣの冷
却フィン１０に対する密着性を高めている。
【００１６】この状態で、固定板１３と冷却フィン１０
との間隔はＩＣ、フレキシブル基板３、熱伝達部材１
１、弾性体１２の各々の厚みを加算した寸法より小さく
設定されており、そのため熱伝達部材１１、弾性体１２
が適度に圧縮して密着性を高めている。
との間隔はＩＣ、フレキシブル基板３、熱伝達部材１
１、弾性体１２の各々の厚みを加算した寸法より小さく
設定されており、そのため熱伝達部材１１、弾性体１２
が適度に圧縮して密着性を高めている。
【００１７】しかし、図１１に示すように、冷却ファン
１０等を備えると、構成だと以下のような不具合が生じ
ていた。図１２（ａ）、１２（ｂ）は、その不具合の状
況を説明するためにＩＣ、フレキシブル基板３、熱伝達
部材１１の構成を模式的に表した図である。
１０等を備えると、構成だと以下のような不具合が生じ
ていた。図１２（ａ）、１２（ｂ）は、その不具合の状
況を説明するためにＩＣ、フレキシブル基板３、熱伝達
部材１１の構成を模式的に表した図である。
【００１８】図１２に示すように、熱伝達部材１１の端
面は固定されていないため、領域１１ｂ，１１ｃは装置
内部の冷却用ファンや装置外部の振動によって図１２
（ａ）の矢印方向に揺れを生じる。また、フレキシブル
基板３も同様に図１２（ａ）の矢印方向に揺れを生じ
る。領域１１ｂ，１１ｃは、図１２（ａ）のように、フ
レキシブル基板３内を通る信号線と熱伝達部材１１との
距離が変わり、これらが近づくことのある部分である。
なお、図１２（ｂ）の領域１１ｂ，１１ｃに示している
フレキシブル基板３、熱伝達部材１１の各々に空いた２
つの穴は、スリーブ１４ａ、１４ｂを各々通す穴であ
る。
面は固定されていないため、領域１１ｂ，１１ｃは装置
内部の冷却用ファンや装置外部の振動によって図１２
（ａ）の矢印方向に揺れを生じる。また、フレキシブル
基板３も同様に図１２（ａ）の矢印方向に揺れを生じ
る。領域１１ｂ，１１ｃは、図１２（ａ）のように、フ
レキシブル基板３内を通る信号線と熱伝達部材１１との
距離が変わり、これらが近づくことのある部分である。
なお、図１２（ｂ）の領域１１ｂ，１１ｃに示している
フレキシブル基板３、熱伝達部材１１の各々に空いた２
つの穴は、スリーブ１４ａ、１４ｂを各々通す穴であ
る。
【００１９】センサ基板１上で蓄積された電荷をＩＣ、
ＰＣＢ２を介して信号処理回路基板５に転送する際に、
図１２（ａ）の矢印方向に揺れが生じると、熱伝達部材
１１とフレキシブル基板３との距離が変わり、熱伝達部
材１１に残留している静電容量が、フレキシブル基板３
内の信号線を通る電荷の容量を不安定化させる。特に、
センサ基板１からＩＣまでのフレキシブル基板３内の信
号線を通る電荷に対しては、静電容量の変化の影響を受
けてノイズ成分を加えた電荷がそのままＩＣで増幅され
るため影響度が大きい。
ＰＣＢ２を介して信号処理回路基板５に転送する際に、
図１２（ａ）の矢印方向に揺れが生じると、熱伝達部材
１１とフレキシブル基板３との距離が変わり、熱伝達部
材１１に残留している静電容量が、フレキシブル基板３
内の信号線を通る電荷の容量を不安定化させる。特に、
センサ基板１からＩＣまでのフレキシブル基板３内の信
号線を通る電荷に対しては、静電容量の変化の影響を受
けてノイズ成分を加えた電荷がそのままＩＣで増幅され
るため影響度が大きい。
【００２０】このような不具合が生じた画像をＣＲＴ
や、プリンタ等で出力すると、実際にＸ線によって分布
される照射濃度と差が生じる部分ができ、撮影した患者
の病変がその部分に存在する場合には、その病変を発見
できない場合もある。
や、プリンタ等で出力すると、実際にＸ線によって分布
される照射濃度と差が生じる部分ができ、撮影した患者
の病変がその部分に存在する場合には、その病変を発見
できない場合もある。
【００２１】そこで、本発明は、装置外部又は内部で生
じる振動によって、電気信号のＳ／Ｎ比が悪化しないよ
うにすることを課題とする。
じる振動によって、電気信号のＳ／Ｎ比が悪化しないよ
うにすることを課題とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第１信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第２信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、少なくとも、第１信号線を通る信号の電荷に影響す
る領域では、前記伝熱手段が前記伝達部材に対向しない
状態で、前記増幅手段に対応して構成されていることを
特徴とする。
に、本発明は、放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第１信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第２信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、少なくとも、第１信号線を通る信号の電荷に影響す
る領域では、前記伝熱手段が前記伝達部材に対向しない
状態で、前記増幅手段に対応して構成されていることを
特徴とする。
【００２３】また、本発明は、放射線を電気信号に変換
する変換手段と、前記変換手段によって変換された信号
を増幅する増幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を
処理する処理手段と、前記変換手段から増幅手段への信
号の伝達のために第１信号線を有すると共に前記増幅手
段から前記処理手段への信号を伝達するために第２信号
線を有する柔軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発
生熱を冷却手段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮
像装置において、前記増幅手段と前記伝熱手段との間に
絶縁体を備え、前記冷却手段をアースに落とすことを特
徴とする。
する変換手段と、前記変換手段によって変換された信号
を増幅する増幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を
処理する処理手段と、前記変換手段から増幅手段への信
号の伝達のために第１信号線を有すると共に前記増幅手
段から前記処理手段への信号を伝達するために第２信号
線を有する柔軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発
生熱を冷却手段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮
像装置において、前記増幅手段と前記伝熱手段との間に
絶縁体を備え、前記冷却手段をアースに落とすことを特
徴とする。
【００２４】さらに、本発明は、放射線を電気信号に変
換する変換手段と、前記変換手段によって変換された信
号を増幅する増幅手段と、該増幅手段で増幅された信号
を処理する処理手段と、前記変換手段から増幅手段への
信号の伝達のために第１信号線を有すると共に前記増幅
手段から前記処理手段への信号を伝達するために第２信
号線を有する柔軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の
発生熱を冷却手段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線
撮像装置において、前記伝熱手段と前記冷却手段とを前
記第１信号線側で固定部材によって固定し、該固定部材
をアースに落とすことを特徴とする。
換する変換手段と、前記変換手段によって変換された信
号を増幅する増幅手段と、該増幅手段で増幅された信号
を処理する処理手段と、前記変換手段から増幅手段への
信号の伝達のために第１信号線を有すると共に前記増幅
手段から前記処理手段への信号を伝達するために第２信
号線を有する柔軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の
発生熱を冷却手段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線
撮像装置において、前記伝熱手段と前記冷却手段とを前
記第１信号線側で固定部材によって固定し、該固定部材
をアースに落とすことを特徴とする。
【００２５】さらにまた、本発明の放射線線撮像システ
ムは、上記いずれかに記載の放射線撮像装置と、前記放
射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、前
記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示
手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための
伝送処理手段と、前記放射線を発生させるための放射線
源とを具備することを特徴とする。
ムは、上記いずれかに記載の放射線撮像装置と、前記放
射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、前
記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示
手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための
伝送処理手段と、前記放射線を発生させるための放射線
源とを具備することを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００２７】（実施形態１）図１（ａ）は、本発明の実
施形態１のＸ線撮像装置の構成を示す平面図である。図
１（ｂ）は、図１（ａ）の断面図である。図１におい
て、光電変換素子とＴＦＴとを内包する変換手段である
画素が複数個形成されたガラスを材質とするａ−Ｓｉセ
ンサ基板（以下、「センサ基板」と称する。）１と、増
幅手段であるところの検出用集積回路ＩＣ（以下、「Ｉ
Ｃ」と称する。）が実装されセンサ基板１とシフトレジ
スタＳＲ２とを接続する伝達部材であるところのフレキ
シブル基板３と、Ｘ線を可視光に変換する蛍光体４など
のシンチレータと、フレキシブル基板３に接続された回
路基板ＰＣＢ２と、回路基板ＰＣＢ２に接続されたメモ
リを実装した処理手段であるところの信号処理回路基板
５とを示している。
施形態１のＸ線撮像装置の構成を示す平面図である。図
１（ｂ）は、図１（ａ）の断面図である。図１におい
て、光電変換素子とＴＦＴとを内包する変換手段である
画素が複数個形成されたガラスを材質とするａ−Ｓｉセ
ンサ基板（以下、「センサ基板」と称する。）１と、増
幅手段であるところの検出用集積回路ＩＣ（以下、「Ｉ
Ｃ」と称する。）が実装されセンサ基板１とシフトレジ
スタＳＲ２とを接続する伝達部材であるところのフレキ
シブル基板３と、Ｘ線を可視光に変換する蛍光体４など
のシンチレータと、フレキシブル基板３に接続された回
路基板ＰＣＢ２と、回路基板ＰＣＢ２に接続されたメモ
リを実装した処理手段であるところの信号処理回路基板
５とを示している。
【００２８】また、図１には、Ｓｉゴム等の弾性体を材
質とするダンパー６と、ダンパー６と共にセンサ基板１
を保持するフレーム７と、信号処理回路基板５に実装さ
れているメモリ８をＸ線照射から保護する目的でフレー
ム７の裏側に貼付けられた鉛板９とを示している。
質とするダンパー６と、ダンパー６と共にセンサ基板１
を保持するフレーム７と、信号処理回路基板５に実装さ
れているメモリ８をＸ線照射から保護する目的でフレー
ム７の裏側に貼付けられた鉛板９とを示している。
【００２９】図２（ａ）は、図１（ａ）のフレキシブル
基板３の周辺図である。図２（ｂ）は、冷却手段である
ところの冷却フィン１０側から見た伝熱手段であるとこ
ろの熱伝達部材１５の周辺図である。図２には、ＩＣ自
体が発する熱量を放熱するアルミニウム等の熱伝達率の
高い金属を材質とする冷却フィン１０と、冷却フィン１
０に熱を伝達する熱伝達部材１５と、フレキシブル基板
３のＩＣを実装した面と逆の面に設けた弾性体１２及び
固定板１３と、弾性体１２及び固定板１３と冷却フィン
１０及び熱伝達部材１１とを接続するスリーブ１４ａ，
１４ｂとを示している。なお、フレキシブル基板３を通
る信号線のうちスリーブ１４ａ側の信号線を第１信号
線、スリーブ１４ｂ側の信号線を第２信号線としてい
る。
基板３の周辺図である。図２（ｂ）は、冷却手段である
ところの冷却フィン１０側から見た伝熱手段であるとこ
ろの熱伝達部材１５の周辺図である。図２には、ＩＣ自
体が発する熱量を放熱するアルミニウム等の熱伝達率の
高い金属を材質とする冷却フィン１０と、冷却フィン１
０に熱を伝達する熱伝達部材１５と、フレキシブル基板
３のＩＣを実装した面と逆の面に設けた弾性体１２及び
固定板１３と、弾性体１２及び固定板１３と冷却フィン
１０及び熱伝達部材１１とを接続するスリーブ１４ａ，
１４ｂとを示している。なお、フレキシブル基板３を通
る信号線のうちスリーブ１４ａ側の信号線を第１信号
線、スリーブ１４ｂ側の信号線を第２信号線としてい
る。
【００３０】図２に示すように、本実施形態では、ＩＣ
とフレキシブル基板３との実装面の面積以下の面積の熱
伝達部材１５を備えている。これにより、熱伝達部材１
５とフレキシブル基板３の信号線との距離が振動等によ
って変わらないようにしている。また、熱伝達部材１５
を、ＩＣと冷却フィン１０との間に押し付けるように設
けている。
とフレキシブル基板３との実装面の面積以下の面積の熱
伝達部材１５を備えている。これにより、熱伝達部材１
５とフレキシブル基板３の信号線との距離が振動等によ
って変わらないようにしている。また、熱伝達部材１５
を、ＩＣと冷却フィン１０との間に押し付けるように設
けている。
【００３１】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材１６の周辺図であ
る。なお、図３において１６ａは、熱伝達部材１６のう
ちＩＣに接触していない領域を示している。また、図３
において図１（ｂ）と同様の部分には、同一の符号を付
している。
２のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材１６の周辺図であ
る。なお、図３において１６ａは、熱伝達部材１６のう
ちＩＣに接触していない領域を示している。また、図３
において図１（ｂ）と同様の部分には、同一の符号を付
している。
【００３２】図３に示すように、本実施形態では、第２
保持部材であるところのスリーブ１４ｂによって固定で
きるような形状の熱伝達部材１６を用いている。熱伝達
部材１６を用いると、スリーブ１４ｂ側で熱伝達部材１
６とＩＣとの位置合わせが容易となる。
保持部材であるところのスリーブ１４ｂによって固定で
きるような形状の熱伝達部材１６を用いている。熱伝達
部材１６を用いると、スリーブ１４ｂ側で熱伝達部材１
６とＩＣとの位置合わせが容易となる。
【００３３】ところで、このような熱伝達部材１６を用
いると、冷却ファンの駆動などによって生じた振動によ
って、領域１６ａとフレキシブル基板３内の信号線との
距離が変動する場合があるが、第２信号線を通る信号
は、すでにＩＣで増幅されている。そこで、増幅後の信
号が領域１６ａの電荷による影響は小さい場合には、図
３に示すように熱伝達部材１６を用いるとよい。
いると、冷却ファンの駆動などによって生じた振動によ
って、領域１６ａとフレキシブル基板３内の信号線との
距離が変動する場合があるが、第２信号線を通る信号
は、すでにＩＣで増幅されている。そこで、増幅後の信
号が領域１６ａの電荷による影響は小さい場合には、図
３に示すように熱伝達部材１６を用いるとよい。
【００３４】（実施形態３）図４は、本発明の実施形態
３のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材１７の周辺図であ
る。なお、図４において１７ａ〜１７ｃは、それぞれ熱
伝達部材１７のうちＩＣに接触している領域、ＩＣに接
触していない領域のうち第１保持部材であるところのス
リーブ１４ａ側、１４ｂ側の領域を示している。また、
図４において図１（ｂ）と同様の部分には、同一の符号
を付している。
３のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材１７の周辺図であ
る。なお、図４において１７ａ〜１７ｃは、それぞれ熱
伝達部材１７のうちＩＣに接触している領域、ＩＣに接
触していない領域のうち第１保持部材であるところのス
リーブ１４ａ側、１４ｂ側の領域を示している。また、
図４において図１（ｂ）と同様の部分には、同一の符号
を付している。
【００３５】本実施形態では、スリーブ１４ａ、１４ｂ
によって位置決めされ、且つフレキシブル基板３内の信
号線に接触しない形状の熱伝達部材１７を用いている。
具体的には、領域１７ａ、１７ｂの形状は、端面にそれ
ぞれスリーブ１４ａ、１４ｂに接触するＵ字型の溝を有
しており、このＵ字型の溝を、スリーブ１４ａ、１４ｂ
に接触させることで、実施形態２と同様に、熱伝達部材
１７の位置決めを容易にしている。
によって位置決めされ、且つフレキシブル基板３内の信
号線に接触しない形状の熱伝達部材１７を用いている。
具体的には、領域１７ａ、１７ｂの形状は、端面にそれ
ぞれスリーブ１４ａ、１４ｂに接触するＵ字型の溝を有
しており、このＵ字型の溝を、スリーブ１４ａ、１４ｂ
に接触させることで、実施形態２と同様に、熱伝達部材
１７の位置決めを容易にしている。
【００３６】また、領域１７ｂ、１７ｃの図面短手方向
の距離ｘ１、ｘ２を、Ｓ／Ｎ比を悪化させないような長
さとすることが必要である。これは、領域１７ｂ、１７
ｃが振動によりフレキシブル基板３との距離が近づくこ
とがあるため、あまり長いと、振動によって領域１７
ｂ、１７ｃとフレキシブル基板３とが近づくことで、フ
レキシブル基板３内の信号線を通る電荷が不安定となる
からである。
の距離ｘ１、ｘ２を、Ｓ／Ｎ比を悪化させないような長
さとすることが必要である。これは、領域１７ｂ、１７
ｃが振動によりフレキシブル基板３との距離が近づくこ
とがあるため、あまり長いと、振動によって領域１７
ｂ、１７ｃとフレキシブル基板３とが近づくことで、フ
レキシブル基板３内の信号線を通る電荷が不安定となる
からである。
【００３７】（実施形態４）図５（ａ）は、本発明の実
施形態４のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材１１の周辺図
である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ｂ間の断面図
を図面の矢印方向から見た図である。固定部材１９本実
施形態では、熱伝達部材１１と冷却フィン１０とを固定
部材１８，１９によって固定している。具体的には、固
定部材１８によって、冷却フィン１０と領域１１ｂとを
挟み込み、固定部材１９によって、冷却フィン１０と領
域１１ｃとを挟み込んでいる。
施形態４のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材１１の周辺図
である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ｂ間の断面図
を図面の矢印方向から見た図である。固定部材１９本実
施形態では、熱伝達部材１１と冷却フィン１０とを固定
部材１８，１９によって固定している。具体的には、固
定部材１８によって、冷却フィン１０と領域１１ｂとを
挟み込み、固定部材１９によって、冷却フィン１０と領
域１１ｃとを挟み込んでいる。
【００３８】ここで、振動によってフレキシブル基板３
と領域１１ｂ、１１ｃとの距離が近づく場合があるた
め、固定部材１８，１９の材質を導電体とし、冷却フィ
ン１０を電位０のアースに落として図５（ａ）のように
固定部材１８，１９と冷却フィン１０をアース線２０を
介して接続する。
と領域１１ｂ、１１ｃとの距離が近づく場合があるた
め、固定部材１８，１９の材質を導電体とし、冷却フィ
ン１０を電位０のアースに落として図５（ａ）のように
固定部材１８，１９と冷却フィン１０をアース線２０を
介して接続する。
【００３９】また、冷却フィン１０を電位０のアースに
落とせない場合には、装置内の他の図示しない電位０の
筐体にアースを落とすことで、領域１１ｂ，１１ｃとフ
レキシブル基板３との間に固定部材１８，１９によって
導電体が挿入された形となり、たとえフレキシブル基板
３が振動によって揺れが生じても、熱伝達部材１１内に
内包する静電容量の影響を受け難くなる。
落とせない場合には、装置内の他の図示しない電位０の
筐体にアースを落とすことで、領域１１ｂ，１１ｃとフ
レキシブル基板３との間に固定部材１８，１９によって
導電体が挿入された形となり、たとえフレキシブル基板
３が振動によって揺れが生じても、熱伝達部材１１内に
内包する静電容量の影響を受け難くなる。
【００４０】なお、熱伝達部材１１の領域１１ｃ側で
は、実施形態２で説明したように、ＩＣによって増幅さ
れた後の信号が、振動によって領域１１ｃとフレキシブ
ル基板３との距離が変動することによって、静電容量の
影響を受けない場合には、固定部材１９を用いなくても
よい。
は、実施形態２で説明したように、ＩＣによって増幅さ
れた後の信号が、振動によって領域１１ｃとフレキシブ
ル基板３との距離が変動することによって、静電容量の
影響を受けない場合には、固定部材１９を用いなくても
よい。
【００４１】（実施形態５）図６は、本発明の実施形態
５のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材２２の周辺図であ
る。本実施形態では、熱伝達部材２２とＩＣとの間に絶
縁体２４を設けている。また、熱伝達部材２２には、シ
リコーンゴム、窒化ホウ素などの熱伝達率の高い物質と
ポリアミドと銀とを織りあわせた導電性繊維を用いてい
る。また、冷却フィン１０には、アルミニウムや銅等熱
伝達率の高い金属を用い、冷却フィン１０が熱伝達部材
２２と接触する面には、酸化防止等のため膜処理がなさ
れていないため、冷却フィン１０と熱伝達部材２２は電
位差０となる。
５のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材２２の周辺図であ
る。本実施形態では、熱伝達部材２２とＩＣとの間に絶
縁体２４を設けている。また、熱伝達部材２２には、シ
リコーンゴム、窒化ホウ素などの熱伝達率の高い物質と
ポリアミドと銀とを織りあわせた導電性繊維を用いてい
る。また、冷却フィン１０には、アルミニウムや銅等熱
伝達率の高い金属を用い、冷却フィン１０が熱伝達部材
２２と接触する面には、酸化防止等のため膜処理がなさ
れていないため、冷却フィン１０と熱伝達部材２２は電
位差０となる。
【００４２】また冷却フィン１０は装置内の他の図示し
ない電位０の筐体のアースに落とされているため、熱伝
達部材２２も同様に電位０となる。したがって、熱伝達
部材２２とフレキシブル基板３は振動により揺れが生じ
ても、フレキシブル基板３内の信号線を通る電荷に影響
を与える静電容量が熱伝達部材２２内に存在しないた
め、Ｓ／Ｎ比が悪化しない。
ない電位０の筐体のアースに落とされているため、熱伝
達部材２２も同様に電位０となる。したがって、熱伝達
部材２２とフレキシブル基板３は振動により揺れが生じ
ても、フレキシブル基板３内の信号線を通る電荷に影響
を与える静電容量が熱伝達部材２２内に存在しないた
め、Ｓ／Ｎ比が悪化しない。
【００４３】ところで、ＩＣは、通常ＩＣ内部の回路を
保護するための筐体を有しているが、より薄型化するた
めやＩＣ内の抵抗の熱量を効率よくＩＣの外へ逃がすた
めに筐体を有していないものや、筐体も回路の一部とし
て電位を与えているものがある。この場合、絶縁体２４
は、導電体である熱伝達部材２２とＩＣが直接接触する
ことを防ぐという役割も果たしている。したがって表面
に電位のあるＩＣに対しても、熱伝達部材の利点を有効
に利用することができる。
保護するための筐体を有しているが、より薄型化するた
めやＩＣ内の抵抗の熱量を効率よくＩＣの外へ逃がすた
めに筐体を有していないものや、筐体も回路の一部とし
て電位を与えているものがある。この場合、絶縁体２４
は、導電体である熱伝達部材２２とＩＣが直接接触する
ことを防ぐという役割も果たしている。したがって表面
に電位のあるＩＣに対しても、熱伝達部材の利点を有効
に利用することができる。
【００４４】（実施形態６）図７（ａ）は、本発明の実
施形態６のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材１１の周辺図
である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ｂ間を図面矢
印方向から見た断面図である。本実施形態では、フレキ
シブル基板３と冷却フィン１０とを固定部材２５により
固定し、さらにフレキシブル基板３と領域１１ｂ、１１
ｃとの間にスペーサー２６を設けてこれらの距離が変わ
らないようにしている。
施形態６のＸ線撮像装置に係る熱伝達部材１１の周辺図
である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ｂ間を図面矢
印方向から見た断面図である。本実施形態では、フレキ
シブル基板３と冷却フィン１０とを固定部材２５により
固定し、さらにフレキシブル基板３と領域１１ｂ、１１
ｃとの間にスペーサー２６を設けてこれらの距離が変わ
らないようにしている。
【００４５】固定部材２５は、図７（ａ）、図７（ｂ）
に示すように、冷却フィン１０、熱伝達部材１１、スペ
ーサー２６及びフレキシブル基板３を挟み込むような形
状としている。スペーサー２６には、ポリカーボネート
等の樹脂系で絶縁体であり、その厚みはＩＣのフレキシ
ブル基板３上の厚みと同等としている。
に示すように、冷却フィン１０、熱伝達部材１１、スペ
ーサー２６及びフレキシブル基板３を挟み込むような形
状としている。スペーサー２６には、ポリカーボネート
等の樹脂系で絶縁体であり、その厚みはＩＣのフレキシ
ブル基板３上の厚みと同等としている。
【００４６】また、固定部材２５によって領域１１ｂ，
１１ｃとフレキシブル基板３とが固定されるため、振動
によってこれらの距離が変わらない。したがってフレキ
シブル基板３内の信号線を通る電荷に影響を与える静電
容量は変化せず、Ｓ／Ｎ比は悪化しない。
１１ｃとフレキシブル基板３とが固定されるため、振動
によってこれらの距離が変わらない。したがってフレキ
シブル基板３内の信号線を通る電荷に影響を与える静電
容量は変化せず、Ｓ／Ｎ比は悪化しない。
【００４７】なお、熱伝達部材１１の領域１１ｃ側で
は、実施形態２で説明したように、ＩＣによって増幅さ
れた後の信号が、振動によって領域１１ｃとフレキシブ
ル基板３との距離が変動することによって、静電容量の
影響を受けない場合には、固定部材２５を用いなくても
よい。
は、実施形態２で説明したように、ＩＣによって増幅さ
れた後の信号が、振動によって領域１１ｃとフレキシブ
ル基板３との距離が変動することによって、静電容量の
影響を受けない場合には、固定部材２５を用いなくても
よい。
【００４８】（実施形態７）図８（ａ）、図８（ｂ）は
本発明の実施形態７のＸ線検出装置の実装例の模式的構
成図及び模式的断面図である。光電変換素子とＴＦＴ
（トランジスタ）はａ−Ｓｉセンサ基材６０１１内に複
数個形成され、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路
ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板６０１０が接続
されている。
本発明の実施形態７のＸ線検出装置の実装例の模式的構
成図及び模式的断面図である。光電変換素子とＴＦＴ
（トランジスタ）はａ−Ｓｉセンサ基材６０１１内に複
数個形成され、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路
ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板６０１０が接続
されている。
【００４９】フレキシブル回路基板６０１０の逆側は回
路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。前記ａ−
Ｓｉセンサ基材６０１１の複数枚が基台６０１２の上に
接着され大型の光電変換装置を構成する基台６０１２の
下には処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ線から
保護するため鉛板６０１３が実装されている。
路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。前記ａ−
Ｓｉセンサ基材６０１１の複数枚が基台６０１２の上に
接着され大型の光電変換装置を構成する基台６０１２の
下には処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ線から
保護するため鉛板６０１３が実装されている。
【００５０】ａ−Ｓｉセンサ基材６０１１上にはＸ線を
可視光に変換するためのシンチレータ６０３０たとえば
ＣｓＩが、蒸着されている。図８（ｂ）に示されるよう
に全体をカーボンファイバー製のケース６０２０に収納
している。
可視光に変換するためのシンチレータ６０３０たとえば
ＣｓＩが、蒸着されている。図８（ｂ）に示されるよう
に全体をカーボンファイバー製のケース６０２０に収納
している。
【００５１】図９は、図８のＸ線検出装置のＸ線診断シ
ステムへの応用例を示したものである。Ｘ線チューブ６
０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６
０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレータを上部に
実装した光電変換装置６０４０に入射する。この入射し
たＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれてい
る。
ステムへの応用例を示したものである。Ｘ線チューブ６
０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６
０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレータを上部に
実装した光電変換装置６０４０に入射する。この入射し
たＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれてい
る。
【００５２】Ｘ線の入射に対応してシンチレータは発光
し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報
はディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０に
より画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観察
できる。
し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報
はディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０に
より画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観察
できる。
【００５３】また、この情報は電話回線６０９０等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６
１００によりフィルム６１１０に記録することもでき
る。
【００５４】なお、以上説明した本発明の各実施形態で
は、Ｘ線撮像装置を用いた場合を例に説明したが、α，
β，γ線等の放射線を用いることができる。また、光は
光電変換素子により検出可能な波長領域の電磁波であ
り、可視光を含む。さらに、たとえば放射線を含む電磁
波を電気信号に変換する電磁波電気信号変換装置にも適
用することができる。
は、Ｘ線撮像装置を用いた場合を例に説明したが、α，
β，γ線等の放射線を用いることができる。また、光は
光電変換素子により検出可能な波長領域の電磁波であ
り、可視光を含む。さらに、たとえば放射線を含む電磁
波を電気信号に変換する電磁波電気信号変換装置にも適
用することができる。
【００５５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、第１信
号線を通る信号の電荷に影響する領域では、伝熱手段が
伝達部材に対向しない状態で、増幅手段に対応して構成
されているため、装置外部又は内部で生じる振動によっ
て、電気信号のＳ／Ｎ比が悪化しないようにすることが
できる。
号線を通る信号の電荷に影響する領域では、伝熱手段が
伝達部材に対向しない状態で、増幅手段に対応して構成
されているため、装置外部又は内部で生じる振動によっ
て、電気信号のＳ／Ｎ比が悪化しないようにすることが
できる。
【図１】本発明の実施形態１のＸ線撮像装置の構成を示
す平面図及び断面図である。
す平面図及び断面図である。
【図２】図１のフレキシブル基板の周辺図である。
【図３】本発明の実施形態２のＸ線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
達部材の周辺図である。
【図４】本発明の実施形態３のＸ線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
達部材の周辺図である。
【図５】本発明の実施形態４のＸ線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
達部材の周辺図である。
【図６】本発明の実施形態５のＸ線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
達部材の周辺図である。
【図７】本発明の実施形態６のＸ線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
達部材の周辺図である。
【図８】本発明の実施形態７のＸ線検出装置の実装例の
模式的構成図及び模式的断面図である。
模式的構成図及び模式的断面図である。
【図９】図８のＸ線検出装置のＸ線診断システムへの応
用例を示したものである。
用例を示したものである。
【図１０】暗電流の値と温度の関係を表したグラフで、
縦軸に暗電流の値、横軸に温度を示している。
縦軸に暗電流の値、横軸に温度を示している。
【図１１】冷却フィンを熱伝達部材を介してＩＣの表面
に設けている様子を示す図である。
に設けている様子を示す図である。
【図１２】フレキシブル回路基板、熱伝達部材の構成を
模式的に表した図である。
模式的に表した図である。
１ センサ基板 ３ フレキシブル基板 １０ 冷却フィン １１，１５，１６，１７，２２ 熱伝達部材 １８，１９，２５ 固定部材 ２４ 絶縁体 ２６ スペーサー ＰＣＢ２ 回路基板 ＩＣ 検出用集積回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/09 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 EE03 EE29 FF02 GG19 GG20 GG21 JJ05 JJ09 JJ37 LL21 LL23 4C093 AA03 CA06 EB12 EB13 EB17 EB20 5F088 AB05 BA03 BA10 BB07 EA04 EA07 GA02 HA15 JA16 LA07 LA08
Claims (10)
- 【請求項１】 放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第１信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第２信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、 少なくとも、第１信号線を通る信号の電荷に影響する領
域では、前記伝熱手段が前記伝達部材に対向しない状態
で、前記増幅手段に対応して構成されていることを特徴
とする放射線撮像装置。 - 【請求項２】 前記伝熱手段と前記増幅手段とを接触さ
せ、且つ前記伝熱手段の前記増幅手段と接触している面
の総面積を、前記増幅手段の前記伝熱手段と接触してい
る面の総面積よりも小さくすることを特徴とする請求項
１に記載の放射線撮像装置。 - 【請求項３】 前記伝熱手段は、前記第１，第２信号線
側の双方で前記冷却手段と前記増幅手段との距離を保つ
第１，第２保持部材によって保持されていることを特徴
とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。 - 【請求項４】 前記伝熱手段は、前記第２保持部材を通
す孔が設けられており、前記孔に前記第２保持部材を通
すことによって放熱手段本体の位置を保持することを特
徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。 - 【請求項５】 前記伝熱手段は、前記第１，第２保持手
段によって位置決めされるような形状としていることを
特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。 - 【請求項６】 放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第１信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第２信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、 前記増幅手段と前記伝熱手段との間に絶縁体を備え、前
記冷却手段をアースに落とすことを特徴とする放射線撮
像装置。 - 【請求項７】 放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第１信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第２信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、 前記伝熱手段と前記冷却手段とを前記第１信号線側で固
定部材によって固定し、該固定部材をアースに落とすこ
とを特徴とする放射線撮像装置。 - 【請求項８】 前記固定部材は、さらに、前記伝熱部材
と前記伝達部材との間に絶縁体を介して前記冷却手段側
と該伝達部材とを固定することを特徴とする請求項７に
記載の放射線撮像装置。 - 【請求項９】 前記伝熱手段と前記冷却手段とを前記第
２信号線側で固定部材によって固定し、該固定部材をア
ースに落とすことを特徴とする請求項７又は８に記載の
放射線撮像装置。 - 【請求項１０】 請求項１から９のいずれかに記載の放
射線撮像装置と、 前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段
と、 前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、 前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、 前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段と、 前記放射線を発生させるための放射線源とを具備するこ
とを特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000202419A JP2002022841A (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 放射線撮影装置及びそれを備えたシステム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000202419A JP2002022841A (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 放射線撮影装置及びそれを備えたシステム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002022841A true JP2002022841A (ja) | 2002-01-23 |
Family
ID=18699946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000202419A Pending JP2002022841A (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 放射線撮影装置及びそれを備えたシステム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002022841A (ja) |
Cited By (14)
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| US11664340B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-05-30 | Analog Devices, Inc. | Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier |
| US11688709B2 (en) | 2018-12-06 | 2023-06-27 | Analog Devices, Inc. | Integrated device packages with passive device assemblies |
-
2000
- 2000-07-04 JP JP2000202419A patent/JP2002022841A/ja active Pending
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