JPH10177224A

JPH10177224A - Ｘ線撮影装置

Info

Publication number: JPH10177224A
Application number: JP35350696A
Authority: JP
Inventors: Naoki Yuguchi; 直樹湯口; Masaaki Kobayashi; 正明小林
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-12-17
Filing date: 1996-12-17
Publication date: 1998-06-30

Abstract

(57)【要約】【目的】冷却効果を向上させると共に安定した性能を
得る。【構成】フレーム２１の上部の通気口３４の内側にフ
ァン３５を設け、上下の通気口２８、３４の内側には、
通気口２８、３４を開閉するシャッタ２９、３６をそれ
ぞれ接地した状態で設ける。シャッタ２９、３６では、
開口３０ａ、３７ａをそれぞれ有する取付板３０、３７
をフレーム２１に取り付け、取付板３０、３７には遮光
板３１、３８をヒンジ３２、３９を介してそれぞれ取り
付け、取付板３０、３７と遮光板３１、３８の間にガス
ケット３３、４０をそれぞれ配置する。遮光板３１、３
８をばねにより開位置に付勢し、ソレノイド等により閉
位置に駆動する。遮光板３１、３８はロータアップから
本読みまで閉位置にあり、その他は開位置にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放射線をその強度
に応じた電気信号に変換する検出部と、この検出部から
の信号を処理する信号処理部とを備えると共に、検出部
を駆動するための半導体素子を備えるＸ線撮影装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種のＸ線撮影装置は、工業用
の非破壊検査や医療診断の分野で広く利用されており、
例えば図７に示すように、Ｘ線源１から放射されたＸ線
は被写体Ｓで吸収や散乱が行われた後にシンチレータ２
に入射する。シンチレータ２では、Ｘ線の入射量に比例
した強度の蛍光が発生し、この蛍光による可視像は受像
手段３において画像に変換される。

【０００３】一般に、シンチレータ２には支持体に蛍光
体を塗布して成る増感紙が使用され、受像手段３には銀
塩フィルムが使用されている。フィルムには蛍光量の対
数に比例した濃度のＸ線像が潜像として記録され、この
フィルムが現像により可視像とされた後に、検査や診断
に供される。この際に、医療用にはフィルムの両面に乳
剤を備えた両面乳剤フィルムが使用され、この両面乳剤
フィルムの両面にシンチレータ２が設けられることによ
り、フィルムの感度の向上が図られると共に、被写体Ｓ
つまり患者の被曝線量の低減が図られている。

【０００４】近年、デジタル技術が進歩するにつれ、Ｘ
線画像を電気信号に変換して表示するＸ線撮影装置が開
発されている。この種のＸ線撮影装置として例えばフィ
ルムデジタイザが知られており、このフィルムデジタイ
ザではＸ線が蛍光板で可視光に変換され、可視光により
銀塩フィルムに潜像が形成される。そして、現像された
フィルムに光が照射されることにより、フィルムを透過
した光がＣＣＤ等により光電的に変換され、ＣＲＴ等の
表示手段に表示される。

【０００５】また、半導体プロセス技術の進歩を利用し
たＸ線撮影装置も開発されており、この装置には受光手
段３として固体光検出手段が利用されている。固体光検
出手段は微小な光電変換素子とスイッチング素子等から
成る画素が二次元状に配列され、光を電気信号として検
出するようになっている。例えば図８に示すように、フ
レーム１１とカバー１２から成る箱体の内部に固体光検
出部１３が配置され、この固体光検出部１３の前面にシ
ンチレータ１４が積層されている。固体光検出部１３の
背後には信号処理部１５が配置され、固体光検出部１３
と信号処理部１５はフレキシブルプリント回路基板１６
により接続されている。このフレキシブルプリント回路
基板１６には、固体光検出部１３を駆動するための複数
の半導体素子１７が実装されている。そして、フレーム
１１の下部と上部に通気口１８、１９が設けられ、上部
の通気口１９の内側にファン２０が設けられることによ
り、半導体素子１７が冷却されるようになっている。

【０００６】上述のフレキシブルプリント回路基板１６
はＴＣＰ（Tape carrier package）と称され、電子部品
の実装技術として注目されている。この際に、半導体素
子１７は固体光検出部１３の可能な限り近傍に実装さ
れ、設置空間の低減が図られる上に、固体光検出部１３
からの微弱信号は検出直後に処理され、ノイズの混入が
防止されている。

【０００７】このＸ線撮影装置では、１枚の固体光検出
部１３を製造するために大型の半導体製造装置が必要と
され、歩留りの点からも製造が容易ではない状態にあ
る。このため、図９に示すようなＸ線撮影装置も開発さ
れている。このＸ線撮影装置では、シンチレータ１３
ａ、１３ｂをそれぞれ有する２枚の固体光検出部１４
ａ、１４ｂが上下に並設され、それらの端面が突き合わ
せられている。また、固体光検出部１４ａ、１４ｂの背
後に２つの信号処理部１５ａ、１５ｂが配置され、固体
光検出部１４ａ、１４ｂと信号処理部１５ａ、１５ｂは
フレキシブルプリント回路基板１６ａ、１６ｂを介して
それぞれ接続されている。そして、フレキシブルプリン
ト回路基板１６ａ、１６ｂに半導体素子１７ａ、１７ｂ
がそれぞれ実装されている。

【０００８】これらのＸ線撮影装置に使用される固体光
検出部１４、１４ａ、１４ｂは、透明導電膜と導電膜か
ら成る光電変換素子が、石英ガラスから成る基板上にア
モルファス半導体膜を挟んでマトリクス状に配列され、
これらの光電変換素子の表面にシンチレータが積層され
ている。また、ａ−ｓｉ（Ｈ）（水素化アモルファスシ
リコン）半導体に代表される光電変換半導体薄膜も提案
されており、それでは光電変換素子が大面積の基板に形
成され、情報源が等倍の光学系で読み取られる密着型セ
ンサとされている。

【０００９】そして、上述の固体光検出部１４、１４
ａ、１４ｂは次のような利点を有している。

【００１０】(a) デジタル画像を得ることができるの
で、画像処理が容易になり、不適切な撮影条件を容易に
補正し、関心領域を容易に強調することが可能となる。

【００１１】(b) ファクシミリ等の画像伝送手段を使用
することにより、遠隔地の患者のＸ線画像を専門医の所
属する医院に伝送して、専門医の診断に供することがで
きる。

【００１２】(c) 画像を光磁気ディスク等の記憶手段に
保存すれば、フィルムに保存することに比べて保存空間
を減少させることができる。

【００１３】(d) 過去の画像を容易に検索することがで
きるので、フィルムを検索することに比べて画像を容易
に提示することが可能となる。

【００１４】(e) ａ−ｓｉ（Ｈ）半導体はＴＦＴ（薄膜
電界型トランジスタ）として利用できるので、光電変換
素子の半導体層とＴＦＴの半導体層とを同一の基板上に
同時に形成することが可能となる。

【００１５】(f) 縮小光学系を必要とするＣＣＤ（固体
撮影素子）に比べてａ−ｓｉ（Ｈ）半導体は等倍で読み
取るため、Ｓ／Ｎ比が有利になる。

【００１６】(g) 縮小光学系を必要としないため、機器
の小型化が可能となると共に、広い設置空間を確保でき
ない診療所や検診車等に利用することが可能となる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示すＸ線撮影装置のように、半導体素子１７の発熱量が
少ない場合には、熱は空気中に直接逃げたり、フレキシ
ブルプリント回路基板１６を伝わって空気中に逃げたり
して、問題が生ずることはないが、図９に示すＸ線撮影
装置では下方の半導体素子１７ｂで暖められた空気が、
上方の半導体素子１７ａに接するので、上方の半導体素
子１７ａは従来よりも暖かい空気で冷却されることにな
り、冷却効果が低下するという問題がある。

【００１８】また、高画質化や高速処理が求められるに
つれて、光電変換素子の微細化や半導体素子１７、１７
ａ、１７ｂの高集積化の実現が要求されてきているた
め、半導体素子１７、１７ａ、１７ｂの高集積化は消費
電力と発熱量の増大を招き、フレキシブルプリント回路
基板１６、１６ａ、１６ｂに高温部分を発生させるとい
う問題が生ずる。

【００１９】この問題に対処するため、半導体素子１
７、１７ａ、１７ｂに図示しない放熱部材を接触させ
て、半導体素子１７、１７ａ、１７ｂの熱を放熱部材に
導き、ファン２０の作用により流通する空気により放熱
部材を冷却することも考えられる。しかしながら、フレ
キシブルプリント回路基板１６、１６ａ、１６ｂは可撓
性を有するので、振動等によって半導体素子１７、１７
ａ、１７ｂと放熱部材の間に隙間が発生し、放熱部材の
能力が低下する虞れがある。このため、半導体素子１
７、１７ａ、１７ｂの性能が劣化し、寿命が短くなり故
障し易く、ノイズが増加するという問題が生ずると共
に、周辺の電子部品の温度の上昇によりそれらの性能も
劣化するという問題が生ずる。

【００２０】一方、ａ−ｓｉ（Ｈ）半導体の薄膜を使用
したＸ線撮影装置では、解像度の点から画素ピッチが１
００μｍ以下であることが望ましく、胸部を撮影するた
めには、光電変換素子の有効領域の広さを少なくとも４
００ｍｍ×４００ｍｍにすることが望ましい。しかしな
がら、固体光検出部１４、１４ａ、１４ｂを１００μｍ
のピッチで４００ｍｍ×４００ｍｍの有効領域に形成し
た場合には、画素数は１，６００万個と極めて多数にな
る。このため、多数の画素が光電変換信号を処理する場
合には、信号処理部１５、１５ａ、１５ｂに実装した図
示しないバッファアンプＩＣやＡＤ変換ＩＣが高速で動
作する必要が生じ、消費電力や発熱量が増大するという
問題がある。

【００２１】また、大量のデータを遠方へ高速で伝送す
る場合には、伝送エラーを除去するためのラインドライ
バＩＣが必要になる。このラインドライバＩＣは高速タ
イプのバイポーラＩＣであるため、消費電力と発熱量も
多くなる。近年、低消費電力で高速性を有するＣＭＯＳ
型ＩＣが開発されているが、汎用するまでに至っていな
いため、高速タイプのバイポーラＩＣを使用する必要が
あり、この種のバイポーラＩＣを使用した場合には消費
電力の増大に伴う発熱量の増大が問題となる。

【００２２】このように、半導体素子１７、１７ａ、１
７ｂの温度が上昇すると、次のような問題点が発生す
る。

【００２３】(イ) 光電変換素子やＴＦＴの温度が上昇す
ると共に、光電変換素子の暗電流や光電流が変化し、暗
電流の変化により光電変換素子同士の間に温度むらが生
ずる。

【００２４】(ロ) 暗電流の増大により光電変換素子での
ショットノイズがランダムノイズとして悪影響を及ぼ
す。

【００２５】(ハ) 温度むらの発生により、内面における
暗電流にばらつきが発生し、固定パターンノイズとして
悪影響を及ぼす。

【００２６】(ニ) 温度むらの発生により、面内シェーデ
ィングを引き起こすと共に、光電変換素子の蓄積された
信号電荷をＴＦＴを介して転送する際に、所謂ＫＴＣノ
イズ（Ｋ：ポルツマン定数、Ｔ：絶対温度、Ｃ：転送系
での容量）を発生させ、ランダムノイズとして悪影響を
及ぼす。

【００２７】(ホ) ＴＦＴの温度が上昇すると、Ｓ／Ｎ比
が低下すると共に画素間にＳ／Ｎ比のばらつきが発生
し、画質を低下させ信頼性を損なう。

【００２８】(ヘ) 放熱効果を高めるためには、通気口１
８、１９を大きくして光電変換素子やＴＦＴを流通する
空気量を増加させる必要があるが、通気口１８、１９を
大きくすると、入射した光がシンチレータ１３、１３
ａ、１３ｂや固体光検出部１４、１４ａ、１４ｂに入射
し、迷光となって光電変換素子やＴＦＴに入射し易く、
Ｓ／Ｎ比を低下させる。

【００２９】(ト) 光電変換素子は微弱な信号で動作する
ため、誘導ノイズが画像に混入して画質を低下させる。

【００３０】本発明の目的は、上述した問題点を解消
し、冷却効果を向上させると共に安定した性能を保持で
きるＸ線撮影装置を提供することにある。

【００３１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第１発明に係るＸ線撮影装置は、通気口を備えた箱体
の内部に、放射線をその強度に応じた電気信号に変換す
る検出部と、該検出部からの信号を処理する信号処理部
と、前記検出部を駆動する半導体素子と、前記通気口を
通して空気を流通させるファンと、前記通気口を開閉す
るシャッタとを備えたことを特徴とする。

【００３２】また、第２発明に係るＸ線撮影装置は、放
射線をその強度に応じた電気信号に変換する検出部と、
該検出部からの信号を処理する信号処理部と、前記検出
部を駆動する半導体素子と、前記半導体素子に接触して
その熱を放出する放熱手段とを備えたことを特徴とす
る。

【００３３】

【発明の実施の形態】本発明を図１〜図６に図示の実施
例に基づいて詳細に説明する。図１は第１の実施例の部
分断面図であり、フレーム２１とカバー２２により囲ま
れた箱体の内部には、Ｘ線が入射する方向Ａの側に光電
変換素子から成る固体光検出部２３が図示しない支持部
に支持され、固体光検出部２３の前面にはシンチレータ
２４が接合されている。固体光検出部２３の後方には信
号処理部２５が配置され、これらの固体光検出部２３と
信号処理部２５はフレキシブルプリント回路基板２６に
より接続されている。フレキシブルプリント回路基板２
６には、固体光検出部２３を駆動するための複数の半導
体素子２７が実装されている。

【００３４】カバー２２のＸ線入射部分は、Ｘ線の低吸
収材料から形成されている。固体光検出部２３では、透
明なガラス基板の上に多数の光電変換素子が二次元状に
配列され、シンチレータ２４は方向Ａから入射したＸ線
により発光するようにされている。信号処理部２５に
は、アナログ信号をデジタル信号に高速でＡＤ変換する
コンバータ、変換されたデジタル信号を一時的に記憶す
るＲＡＭ、データを演算処理するＣＰＵ、プログラムを
記憶した不揮発性のＲＯＭ、データを遠方へ高速伝送す
るラインドライバ等が実装されている。このような信号
処理部２５には、半導体素子２７からの信号がフレキシ
ブルプリント回路基板２６を介して転送されるようにな
っている。そして、半導体素子２７は固体光検出部２３
に可能な限り近設され、固体光検出部２３からの微弱な
信号を容易に検出すると共に、信号に外部ノイズが混入
することが防止されている。

【００３５】フレーム２１の下部には、空気を流通させ
る通気口２８が設けられ、通気口２８の内側には通気口
２８を開閉するためのシャッタ２９が設けられている。
シャッタ２９では、開口３０ａを有する取付板３０がフ
レーム２１に固定され、取付板３０には遮光板３１がヒ
ンジ３２を介して取り付けられている。遮光板３１は図
示しないばねにより開位置つまり鎖線で示す位置に付勢
されており、取付板３０と遮光板３１の間にはガスケッ
ト３３が配置され、遮光板３１が閉じた際に開口３０ａ
が密閉されるようになっている。

【００３６】一方、フレーム２１の上部にも空気を流通
させる通気口３４が設けられ、通気口３４の内側には空
気を流通させるファン３５が設けられている。ファン３
５の内側には、通気口３４を開閉するためのシャッタ３
６が設けられており、シャッタ３６では、開口３７ａを
有する取付板３７がフレーム２１に固定され、取付板３
７には遮光板３８がヒンジ３９を介して取り付けられて
いる。この遮光板３８も図示しないばねにより開位置つ
まり鎖線で示す位置に付勢されており、取付板３７と遮
光板３８の間にはガスケット４０が配設され、遮光板３
８が閉じた際に開口３７ａが密閉されるようになってい
る。

【００３７】遮光板３１、３８は、図示しないロータリ
ソレノイド、駆動モータ等により矢印方向へ駆動され、
開口３０ａ、３７ａをそれぞれ閉じるようにされてい
る。また、遮光板３１、３８は金属板、又は合成樹脂の
表面にアルミニウム、銅等の導電部材が薄く貼付された
もの、又は樹脂材料の表面に導電部材が蒸着又はメッキ
されたものにより形成されている。そして、遮光板３
１、３８とガスケット３３、４０は電気的に接地されて
いる。これにより、シャッタ２９、３６は、開口３０
ａ、３７ａを密閉することにより、外部からの光を遮断
すると共に、接地により外来の誘導ノイズを遮断する。

【００３８】図２はタイミングチャート図であり、Ｘ線
のロータアップ信号、Ｘ線の曝射信号、リフレッシュ信
号、読取信号（光電変換モード）、暗電流及びシャッタ
２９、３６のオン信号のタイミングを示している。ここ
で、固体光検出部２３の光電変換素子にはリフレッシュ
モードと光電変換モードの２種のモードが与えられ、光
電変換素子はリフレッシュモードで初期化され、光電変
換モードで光が電荷として蓄積されるようになってい
る。

【００３９】このように構成されたＸ線撮影装置により
被検者を撮影する際には、撮影者は撮影準備が完了した
後に曝射ボタンの１段目を押す。これにより、時間t0で
ロータアップ信号の発生によりＸ線源の管球のロータが
回転し、同期してシャッタ信号のオンにより遮光板３
１、３８が開口３０ａ、３７ａをそれぞれ閉じて、光電
変換素子が受光できる状態になる。

【００４０】次に、ロータアップが完了した後に、撮影
者は曝射ボタンの２段目を押す。これにより、曝射信号
が発生すると共に、時間t1でリフレッシュ信号が発生す
る。リフレッシュ信号が発生すると、直後に多大な暗電
流が発生し、この暗電流が電荷として光電変換素子に蓄
積される。光電変換素子から画素データを読み取る際に
は、時間t3で本読みが行われる前に時間t2で光電変換素
子の空読みが行われ、蓄積された電荷が放射される。そ
して、Ｘ線は空読みから一定時間後に曝射され、時間t3
で本読みが行われた後にシャッタ信号がオフになり、遮
光板３１、３８が開口３０ａ、３７ａを開く。

【００４１】この第１の実施例では、スポット撮影時の
撮影時間、つまり撮影者が曝射ボタンの１段目を押して
から撮影が完了までの時間は数秒であり、遮光板３１、
３８が開口３０ａ、３７ａを閉じている時間も数秒を若
干上回る程度であるので、撮影時以外には遮光板３１、
３８が開口３０ａ、３７ａを十分に開放する。これによ
り、ファン３５は半導体素子２７の熱で昇温した空気を
外部に排出し、半導体素子２７等の昇温を抑えることが
でき、安定した性能を保持することが可能となる。ま
た、連続撮影時でもスポット撮影時と同様の効果を得る
ことができる。

【００４２】図３は第２の実施例の部分断面図であり、
フレーム４１とカバー４２による箱体の内部には固体光
検出部４３が図示しない支持部に支持され、固体光検出
部４３の前面にはシンチレータ４４が接合されている。
固体光検出部４３の背後には信号処理部４５が配置さ
れ、固体光検出部４３と信号処理部４５はフレキシブル
プリント回路基板４６により接続されている。フレキシ
ブルプリント回路基板４６には複数の半導体素子４７が
実装されている。そして、フレーム４１の上下には通気
口４８、４９が形成され、上部の通気口４９の内側にフ
ァン５０が設けられている。

【００４３】信号処理部４５の背後には仕切板５１が設
けられており、フレキシブルプリント回路基板４６と仕
切板５１の外側には、半導体素子４７で発生した熱を放
出するための放熱手段５２が設けられている。放熱手段
５２では、全ての半導体素子４７の表側に第１の密着部
材５３が配置され、全ての半導体素子４７の裏側には第
２の密着部材５４が配置されている。第１の密着部材５
３の外面には複数枚のフィン５５ａを備えた断面Ｌ字状
の放熱部材５５が、全ての半導体素子５３に圧接するよ
うに配置され、第２の密着部材５４の内側には圧着部材
５６が全ての半導体素子５４に圧接するように配置され
ている。

【００４４】図４に示すように放熱部材５５と圧着部材
５６は、フレキシブルプリント回路基板４６の孔４６ａ
を通したスペーサ５７とクリップ５８を介して連結され
ている。このため、スペーサ５７にはクリップ５８を挿
通させる孔５７ａが設けられると共に、スペーサ５７の
上端にはフランジ部５７ｂが形成されている。また、フ
レキシブルプリント回路基板４６にはスペーサ５７を挿
通させる孔４６ａが形成され、放熱部材５５にはスペー
サ５７を挿通させる孔５５ｂが形成され、圧着部材５６
にはクリップ５８の先端部を挿通させる孔５６ａが形成
されている。フランジ部５７ｂの径は放熱部材５５の孔
５５ｂの径よりも大きくされ、圧着部材５６の孔５６ａ
の内径はスペーサ５７の外径よりも小さくされている。
クリップ５８の先端には傘状の可撓係止片５８ｂが形成
され、この可撓係止片５８ｂは圧着部材５６の孔５６ａ
を通った後に拡径して、圧着部材５６に係止するように
なっている。

【００４５】そして、放熱部材５５の一端は半導体素子
４７の位置まで延在され、他端は仕切板５１の背後に延
在されている。フィン５５ａは仕切板５１の背後に延在
された放熱部材５５の背後に、空気流通域Ｂに突出する
ように設けられ、仕切板５１の背後に延在された放熱部
材５５は、スペーサ５９を介して仕切板５１に固定され
ている。これにより、放熱部材５５の熱が信号処理部４
５側へ戻ることが防止されている。

【００４６】ここで、第１の密着部材５３と第２の密着
部材５４は、電気絶縁性に優れた材料により形成され、
第１の密着部材５３と第２の密着部材５４の少なくとも
一方は弾性体とされている。また、第１の密着部材５３
には高熱伝導率を有する例えばシリコンゴム等が使用さ
れ、第２の密着部材５４には低熱伝導率の材料又は断熱
材料が使用されている。また、放熱部材５５は高熱伝導
率の材料、例えば銅、アルミニウム等が使用されてい
る。第１の密着部材５３と半導体素子４７及び／又は放
熱部材５５とは、シリコングリース等を塗布し、これを
挟む形式で接触するようにしてもよい。

【００４７】そして、スペーサ５７のフランジ部５７ｂ
から先端までの長さは、半導体素子４７の厚さに密着部
材５３、５４の厚さを加えた長さから、所定の圧力で圧
縮された密着部材５３、５４の圧縮量を減じた長さに、
放熱部材５５の厚みを加えた長さとされている。これに
より、半導体素子４７の表裏に密着部材５３、５４がそ
れぞれ配置され、密着部材５３、５４の外側に放熱部材
５５と圧着部材５６がそれぞれ配置され、スペーサ５７
が通され後にクリップ５８が挿し込まれて、半導体素子
４７は密着部材５３、５４により均一の圧力で密着され
る。

【００４８】なお、実施例では作業性に優れるクリップ
５８を使用したが、クリップ５８に代えてねじを用いる
ことができる。この場合には、圧着部材５６の孔５６ａ
はタップ孔にする必要がある。

【００４９】このように構成されたＸ線撮影装置が作動
すると、ファン５０が作動すると共に、半導体素子４７
に熱が発生する。このとき、仕切板５１は空気が信号処
理部４５側へ流れることを防止し、空気は通気口４８か
ら流通域Ｂを流通して通気口４９へ流通する。また、第
２の密着部材５４の熱伝導率は低いので、第２の密着部
材５４は熱が圧着部材５６に伝わることを防止し、圧着
部材５６の温度が上昇することは少ない。従って、固体
光検出部４３や信号処理部４５に熱が蓄積することを防
止できる。

【００５０】これに加えて、第１の密着部材５３の熱伝
導率は高いので、半導体素子４７の熱が放熱部材５５に
容易に伝達し、放熱部材５５の温度が半導体素子４７の
温度に接近する。そして、放熱部材５５の熱は、フィン
５５ａに伝達した後に通気口４８から通気口４９に流れ
る空気に放出される。

【００５１】このように、第２の実施例では半導体素子
４７に放熱手段５３を設けたので、半導体素子４７の昇
温と劣化を防止でき、安定した性能を保持することが可
能となる。また、半導体素子４７と放熱部材５５の間に
圧縮した第１の密着部材５３を介在させ、半導体素子４
７と圧着部材５６の間に圧縮した第２の密着部材５４を
たので、振動が生じた場合でも半導体素子４７と放熱部
材５５の密着状態を確保できる。

【００５２】更に、放熱部材５５側の第１の密着部材５
３の熱伝導率を大きくし、圧着部材５６側の第２の密着
部材５４の熱伝導率を小さくしたので、半導体素子４７
の熱を放熱部材５５に効率良く伝達させて放熱させるこ
とができる上に、半導体素子４７の熱が固体光検出部４
３に戻ることを防止できる。そして、放熱部材５５を全
ての第１の密着部材５３に圧接させたので、半導体素子
４７同士の温度のばらつきを抑えることができ、安定し
た性能を保持することが可能となる。

【００５３】図５は第３の実施例の部分断面図であり、
分割された固体光検出部６１、６２、シンチレータ６
３、６４、信号処理部６５、６６が設けられ、固体光検
出部６１、６２と信号処理部６５、６６は、フレキシブ
ルプリント回路基板６７、６８によりそれぞれ接続さ
れ、フレキシブルプリント回路基板６７、６８には半導
体素子６９、７０がそれぞれ実装されている。そして、
半導体素子６９、７０には、第２の実施例と同様な構成
の放熱手段７１、７２が設けられている。

【００５４】ここで、上部の放熱手段７１の放熱部材７
３の表面積は、下部の放熱手段７２の放熱部材７４の表
面積よりも大きくされている。また、図６のＺ−Ｚ線に
沿って見た背面図に示すように、空気の流れが部分Ｅに
比べて部分Ｄ、Ｆは遅くなるので、放熱手段７１、７２
にそれぞれ設けたフィン７３ａ、７４ａの表面積は、部
分Ｄ、Ｆが部分Ｅよりも大きくされている。

【００５５】この第３の実施例では、上方の放熱部材７
３の表面積を下方の放熱部材７４の表面積よりも大きく
したので、上方の放熱部材７３が下方よりも比較的高温
な空気により冷却されても、半導体素子４７同士の温度
のばらつきを抑えることができる。また、フィン７３
ａ、７４ａの表面積を部分Ｄ、Ｆを部分Ｅよりも大きく
したので、部分Ｄ、Ｆで空気の流量が少ない場合でも、
フィン７３ａ、７４ａの放熱量を均一に保持することが
できる。

【００５６】なお、放熱部材５５、７３は例えばフレー
ム４１とカバー４２による箱体そのものとすることも可
能である。

【００５７】

【発明の効果】以上したように第１の発明に係るＸ線撮
影装置は、通気口を開閉するシャッタを設けたので、通
気口の開口を大きくし冷却効果を向上させることができ
ると共に、通気口から入射する光を遮断でき、安定した
性能を保持することが可能となる。

【００５８】また、第２発明に係るＸ線撮影装置は、半
導体素子に接触してその熱を放出する放熱手段を設けた
ので、冷却効果を向上させることができ、安定した性能
を保持することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の部分断面図である。

【図２】タイミングチャート図である。

【図３】第２の実施例の部分断面図である。

【図４】部分拡大断面図である。

【図５】第３の実施例の部分断面図である。

【図６】Ｚ−Ｚ線に沿って見た背面図である。

【図７】従来例の撮影状態の概略図である。

【図８】第１の従来例の断面図である。

【図９】第２の従来例の断面図である。

【符号の説明】

２３、４３、６１、６２固体光検出部２４、４４、６３、６４シンチレータ２５、４５、６５、６６信号処理部２６、４６、６７、６８フレキシブルプリント回路基
板２７、４７、６９、７０半導体素子２８、３４、４８、４９通気口２９、３６シャッタ３５、５０ファン５２、７１、７２放熱手段５３第１の密着部材５４第２の密着部材５５、７３、７４放熱部材５７スペーサ５８クリップ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】通気口を備えた箱体の内部に、放射線を
その強度に応じた電気信号に変換する検出部と、該検出
部からの信号を処理する信号処理部と、前記検出部を駆
動する半導体素子と、前記通気口を通して空気を流通さ
せるファンと、前記通気口を開閉するシャッタとを備え
たことを特徴とするＸ線撮影装置。
【請求項２】前記シャッタは電気的に接地した請求項
１に記載のＸ線撮影装置。
【請求項３】前記シャッタは撮影と同期して作動する
ようにした請求項１又は２に記載のＸ線撮影装置。
【請求項４】放射線をその強度に応じた電気信号に変
換する検出部と、該検出部からの信号を処理する信号処
理部と、前記検出部を駆動する半導体素子と、前記半導
体素子に接触してその熱を放出する放熱手段とを備えた
ことを特徴とするＸ線撮影装置。
【請求項５】前記放熱手段は前記半導体素子の表側に
配置した放熱部材と、前記半導体素子の裏側に配置した
圧着部材と、前記放熱部材と前記圧着部材を連結する連
結部材と、前記半導体素子と前記放熱部材に密着するよ
うに設けた第１の密着部材と、前記半導体素子と前記圧
着部材に密着するように設けた第２の密着部材とから成
る請求項４に記載のＸ線撮影装置。
【請求項６】前記第１の密着部材と前記第２の密着部
材のうちの少なくとも一方を弾性体とした請求項５に記
載のＸ線撮影装置。
【請求項７】前記第１の密着部材の熱伝導率を前記第
２の密着部材の熱伝導率よりも大きくした請求項５又は
６に記載のＸ線撮影装置。
【請求項８】前記第２の密着部材を断熱体とした請求
項５〜７のうちの何れか１つの請求項に記載のＸ線撮影
装置。
【請求項９】前記連結手段は前記配線部に設けた孔を
通して前記放熱部材と前記圧着部材を連結した請求項５
〜８のうちの何れか１つの請求項に記載のＸ線撮影装
置。
【請求項１０】前記放熱部材の表面積を前記半導体素
子の位置に応じて変化させる請求項５〜９のうちの何れ
か１つの請求項に記載のＸ線撮影装置。