JP2001099942A - Ｘ線平面検出装置 - Google Patents
Ｘ線平面検出装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 誤動作がなく、長期信頼性にも優れた平面型
Ｘ線検出装置を提供する。 【解決手段】 入射したＸ線を電荷に変換する光電変換
素子を２次元マトリクス状に形成した第１の基板３と、
前記第１の基板３を保持する板状金属保持部材５と、前
記第１の基板３と前記板状保持部材５との間に介在し、
入射Ｘ線の後方散乱を防止する遮蔽部材４と、前記板状
保持部材５の前記第１の基板とは反対側に配置され、電
子回路を搭載した第２の基板６と、前記第１の基板３と
第２の基板６とを電気的に接続し、半導体素子９を搭載
するフレキシブル基板８とを具備し、前記半導体素子９
は、前記遮蔽部材４のＸ線の入射面とは反対側に、前記
遮蔽部材４によりＸ線が遮蔽される位置に配置され、前
記板状保持部材５に、熱伝導性樹脂層１３を介して密着
していることを特徴とする。
Ｘ線検出装置を提供する。 【解決手段】 入射したＸ線を電荷に変換する光電変換
素子を２次元マトリクス状に形成した第１の基板３と、
前記第１の基板３を保持する板状金属保持部材５と、前
記第１の基板３と前記板状保持部材５との間に介在し、
入射Ｘ線の後方散乱を防止する遮蔽部材４と、前記板状
保持部材５の前記第１の基板とは反対側に配置され、電
子回路を搭載した第２の基板６と、前記第１の基板３と
第２の基板６とを電気的に接続し、半導体素子９を搭載
するフレキシブル基板８とを具備し、前記半導体素子９
は、前記遮蔽部材４のＸ線の入射面とは反対側に、前記
遮蔽部材４によりＸ線が遮蔽される位置に配置され、前
記板状保持部材５に、熱伝導性樹脂層１３を介して密着
していることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療用のＸ線撮影
装置等に用いられるＸ線平面検出装置に関する。
装置等に用いられるＸ線平面検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の直接変換方式の平面型Ｘ
線検出装置の概略構成を示す図である。図４に示す平面
型Ｘ線検出器において、電源５０により電圧印加電極５
１に高電圧が印加された状態で、高電界下のフォトコン
ダクタとして機能する、例えばセレニウム（Ｓｅ）層５
２にＸ線が入射すると、入射したＸ線が電荷の生成に寄
与し、電荷蓄積用電極５３を通して各画素に設けられて
いるコンデンサ５４に電荷が蓄積される。従って、図４
に示す平面型Ｘ線検出装置は、Ｘ線−電荷変換機能を有
することになる。
線検出装置の概略構成を示す図である。図４に示す平面
型Ｘ線検出器において、電源５０により電圧印加電極５
１に高電圧が印加された状態で、高電界下のフォトコン
ダクタとして機能する、例えばセレニウム（Ｓｅ）層５
２にＸ線が入射すると、入射したＸ線が電荷の生成に寄
与し、電荷蓄積用電極５３を通して各画素に設けられて
いるコンデンサ５４に電荷が蓄積される。従って、図４
に示す平面型Ｘ線検出装置は、Ｘ線−電荷変換機能を有
することになる。
【０００３】また、図４に示す従来の平面型Ｘ線検出装
置は、電荷量を電圧に変換する機能を有しており、各画
素のコンデンサ５４に蓄積された電荷をスイッチング機
能を有する例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５５によ
って選択し、選択した電荷を読み出し回路を構成する積
分アンプに導くことにより、積分アンプから電圧出力を
得ている。
置は、電荷量を電圧に変換する機能を有しており、各画
素のコンデンサ５４に蓄積された電荷をスイッチング機
能を有する例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５５によ
って選択し、選択した電荷を読み出し回路を構成する積
分アンプに導くことにより、積分アンプから電圧出力を
得ている。
【０００４】更に、図では示さないが、得られた電圧出
力は、Ａ／Ｄ変換器でデジタル信号に変換される。
力は、Ａ／Ｄ変換器でデジタル信号に変換される。
【０００５】図５は、このような従来のＸ線検出部およ
び読み出し回路部を一体化した平面型Ｘ線検出装置の構
成を示す図である。図５に示す従来の平面型Ｘ線検出装
置において、２次元マトリクス状に配置された複数の画
素電極７０は、入射したＸ線の強度に応じて光電変換膜
において生じた電荷を収集する。画素電極７０によって
収集された電荷を蓄積するために、画素電極７０には電
荷蓄積素子として用いられるコンデンサ７１が接続され
ている。
び読み出し回路部を一体化した平面型Ｘ線検出装置の構
成を示す図である。図５に示す従来の平面型Ｘ線検出装
置において、２次元マトリクス状に配置された複数の画
素電極７０は、入射したＸ線の強度に応じて光電変換膜
において生じた電荷を収集する。画素電極７０によって
収集された電荷を蓄積するために、画素電極７０には電
荷蓄積素子として用いられるコンデンサ７１が接続され
ている。
【０００６】また、各コンデンサに蓄積された画素電荷
に対応する情報を読み出すスイッチング素子として用い
られる複数のＴＦＴ７２が、ＴＦＴアレイとして設けら
れている。
に対応する情報を読み出すスイッチング素子として用い
られる複数のＴＦＴ７２が、ＴＦＴアレイとして設けら
れている。
【０００７】ＴＦＴ７２の駆動回路であるゲートドライ
バ７４は、同一行のＴＦＴ７２のゲートに電気的に接続
されたゲート駆動線７３に制御信号を供給することによ
って、ＴＦＴ７２のオン／オフ動作を行単位で制御す
る。これにより、同一行のＴＦＴ７２の出力信号は、信
号線７５を介して積分アンプ７６に読み出されて増幅さ
れる。
バ７４は、同一行のＴＦＴ７２のゲートに電気的に接続
されたゲート駆動線７３に制御信号を供給することによ
って、ＴＦＴ７２のオン／オフ動作を行単位で制御す
る。これにより、同一行のＴＦＴ７２の出力信号は、信
号線７５を介して積分アンプ７６に読み出されて増幅さ
れる。
【０００８】その後、増幅された信号はマルチプレクサ
７７において順次選択され、Ａ／Ｄコンバータ（図示せ
ず）によってデジタル信号に変換されて出力される。
７７において順次選択され、Ａ／Ｄコンバータ（図示せ
ず）によってデジタル信号に変換されて出力される。
【０００９】一方、平面型Ｘ線検出装置は、コンパクト
な筐体構造を実現できることから、患者に対し角度をつ
けてＸ線撮影し、より深い撮影を行うことが期待されて
いる。このためには、画素エリアの端部から筐体までの
距離をできるだけ小さくしなければならない。
な筐体構造を実現できることから、患者に対し角度をつ
けてＸ線撮影し、より深い撮影を行うことが期待されて
いる。このためには、画素エリアの端部から筐体までの
距離をできるだけ小さくしなければならない。
【００１０】図６に、ＴＡＢ法を用いて実装した従来の
平面型Ｘ線検出装置の断面図を示す。図６に示す平面型
Ｘ線検出装置では、 ＴＦＴアレイ（図示せず）、フォ
トコンダクタ２および高電圧用電極１が設けられたガラ
ス基板３が、アルミニウムからなる保持部材５に実装さ
れ、また、ガラス基板３と保持部材５の間には、Ｘ線の
後方散乱を防止する鉛板からなる金属板４が挟み込まれ
ている。
平面型Ｘ線検出装置の断面図を示す。図６に示す平面型
Ｘ線検出装置では、 ＴＦＴアレイ（図示せず）、フォ
トコンダクタ２および高電圧用電極１が設けられたガラ
ス基板３が、アルミニウムからなる保持部材５に実装さ
れ、また、ガラス基板３と保持部材５の間には、Ｘ線の
後方散乱を防止する鉛板からなる金属板４が挟み込まれ
ている。
【００１１】保持部材５の裏には、ＴＦＴアレイを駆動
する電子回路やＸ線を光電変換した電気信号を処理する
回路を実装したプリント基板６が搭載されている。この
プリント基板６とガラス基板３は、ＴＡＢ方式で、積分
アンプＩＣもしくはゲートドライバＩＣ（半導体チップ
９）を実装するフレキシブル基板８により電気的に接続
されており、それによって狭額縁な実装がなされてい
る。
する電子回路やＸ線を光電変換した電気信号を処理する
回路を実装したプリント基板６が搭載されている。この
プリント基板６とガラス基板３は、ＴＡＢ方式で、積分
アンプＩＣもしくはゲートドライバＩＣ（半導体チップ
９）を実装するフレキシブル基板８により電気的に接続
されており、それによって狭額縁な実装がなされてい
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図６に示す
実装構造では、入射したＸ線が、フレキシブル基板８に
実装した半導体チップ９に直接当たり、そのため半導体
素子９の誤動作や信頼性の劣化をまねいてしまうという
問題がある。この解決策として、積分アンプを電子回路
を搭載したプリント基板６に実装する方法が考えられる
が、ガラス基板３に搭載されているＴＦＴと積分アンプ
間の距離が増加し、その増加により配線容量も増加し、
その結果、ノイズが増大して画質に多大な影響を与えて
しまう。
実装構造では、入射したＸ線が、フレキシブル基板８に
実装した半導体チップ９に直接当たり、そのため半導体
素子９の誤動作や信頼性の劣化をまねいてしまうという
問題がある。この解決策として、積分アンプを電子回路
を搭載したプリント基板６に実装する方法が考えられる
が、ガラス基板３に搭載されているＴＦＴと積分アンプ
間の距離が増加し、その増加により配線容量も増加し、
その結果、ノイズが増大して画質に多大な影響を与えて
しまう。
【００１３】また、積分アンプは画質を劣化させるノイ
ズを抑える観点から、出来るだけ低温にしなけれればな
らないが、図６に示すように、従来は冷却機構を設ける
ことが出来ない構造であった。
ズを抑える観点から、出来るだけ低温にしなけれればな
らないが、図６に示すように、従来は冷却機構を設ける
ことが出来ない構造であった。
【００１４】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、狭額縁の実装を行っても、入射Ｘ線の影響を半導
体素子に与えず、そのため誤動作がなく、長期信頼性に
も優れた平面型Ｘ線検出装置を提供することを目的とす
る。
ので、狭額縁の実装を行っても、入射Ｘ線の影響を半導
体素子に与えず、そのため誤動作がなく、長期信頼性に
も優れた平面型Ｘ線検出装置を提供することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、入射したＸ線を電荷に変換する光電変換
素子を２次元マトリクス状に形成した第１の基板と、前
記第１の基板を保持する板状金属保持部材と、前記第１
の基板と前記板状保持部材との間に介在し、入射Ｘ線の
後方散乱を防止する遮蔽部材と、前記板状保持部材の前
記第１の基板とは反対側に配置され、電子回路を搭載し
た第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板とを電気
的に接続し、半導体素子を搭載する第３の基板とを具備
し、前記第３の基板に搭載された半導体素子は、前記遮
蔽部材のＸ線の入射面とは反対側に、前記遮蔽部材によ
りＸ線が遮蔽される位置に配置され、前記板状保持部材
に、熱伝導性樹脂層を介して密着していることを特徴と
するＸ線平面検出装置を提供する。
め、本発明は、入射したＸ線を電荷に変換する光電変換
素子を２次元マトリクス状に形成した第１の基板と、前
記第１の基板を保持する板状金属保持部材と、前記第１
の基板と前記板状保持部材との間に介在し、入射Ｘ線の
後方散乱を防止する遮蔽部材と、前記板状保持部材の前
記第１の基板とは反対側に配置され、電子回路を搭載し
た第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板とを電気
的に接続し、半導体素子を搭載する第３の基板とを具備
し、前記第３の基板に搭載された半導体素子は、前記遮
蔽部材のＸ線の入射面とは反対側に、前記遮蔽部材によ
りＸ線が遮蔽される位置に配置され、前記板状保持部材
に、熱伝導性樹脂層を介して密着していることを特徴と
するＸ線平面検出装置を提供する。
【００１６】本発明のＸ線平面検出装置において、板状
保持部材の端面に孔が設けられ、半導体素子は、孔内に
熱伝導性樹脂層を介して配置されている構成とすること
が出来る。
保持部材の端面に孔が設けられ、半導体素子は、孔内に
熱伝導性樹脂層を介して配置されている構成とすること
が出来る。
【００１７】また、板状保持部材の端面をテーパー状に
加工し、このテーパー面に半導体素子を熱伝導性樹脂層
を介して配置した構成とすることも出来る。
加工し、このテーパー面に半導体素子を熱伝導性樹脂層
を介して配置した構成とすることも出来る。
【００１８】更に、板状保持部材の端部はステップ状に
加工し、このステップの底部に半導体素子を熱伝導性樹
脂層を介して配置した構成とすることも可能である。
加工し、このステップの底部に半導体素子を熱伝導性樹
脂層を介して配置した構成とすることも可能である。
【００１９】なお、板状保持部材内には、水冷用溝、水
冷用パイプ、およびヒートパイプのいずれかを配置する
ことが出来、このような構造とすることにより、半導体
素子からの熱の放熱性を更に高めることが出来る。
冷用パイプ、およびヒートパイプのいずれかを配置する
ことが出来、このような構造とすることにより、半導体
素子からの熱の放熱性を更に高めることが出来る。
【００２０】板状保持部材は、アルミニウム、銅、鉄等
の熱伝導性の良好な材料により構成することが出来る。
板状保持部材の厚さは、１〜２０ｍｍであるのが好まし
い。
の熱伝導性の良好な材料により構成することが出来る。
板状保持部材の厚さは、１〜２０ｍｍであるのが好まし
い。
【００２１】遮蔽部材としては、鉛板、または鉛板と鉄
板の組合せを用いることが出来る。
板の組合せを用いることが出来る。
【００２２】遮蔽部材の厚さは、０．８〜２．０ｍｍで
あるのが好ましい。
あるのが好ましい。
【００２３】熱伝導性樹脂層は、シリコーンゴム系の材
料により構成することが出来る。熱伝導性樹脂層の厚さ
は、１ｍｍ以下であるのが好ましい。なお、半導体素子
を搭載する第３の基板は、半導体素子が板状保持部材を
押圧するように取付けられるが、その際、熱伝導性樹脂
層は緩衝層の役割を果し、半導体素子の損傷を防止する
ことが出来る。これらの効果を考慮すると、熱伝導性樹
脂層の厚さは、０．１〜０．５ｍｍであるのが好まし
い。
料により構成することが出来る。熱伝導性樹脂層の厚さ
は、１ｍｍ以下であるのが好ましい。なお、半導体素子
を搭載する第３の基板は、半導体素子が板状保持部材を
押圧するように取付けられるが、その際、熱伝導性樹脂
層は緩衝層の役割を果し、半導体素子の損傷を防止する
ことが出来る。これらの効果を考慮すると、熱伝導性樹
脂層の厚さは、０．１〜０．５ｍｍであるのが好まし
い。
【００２４】以上のように構成される本発明のＸ線平面
検出装置によると、第２の基板および第３の基板に搭載
された半導体素子は、いずれも遮蔽部材により遮蔽され
ている位置に配置されているため、狭額縁構造を実現し
つつ、Ｘ線の照射により誤動作を起こすことがなく、長
期信頼性に優れている。
検出装置によると、第２の基板および第３の基板に搭載
された半導体素子は、いずれも遮蔽部材により遮蔽され
ている位置に配置されているため、狭額縁構造を実現し
つつ、Ｘ線の照射により誤動作を起こすことがなく、長
期信頼性に優れている。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態とし
て、本発明の種々の実施例について説明する。
て、本発明の種々の実施例について説明する。
【００２６】実施例１ 図１は、本発明の第一の実施例に係る平面型Ｘ線検出装
置の断面図である。図１に示す平面型Ｘ線検出装置にお
いて、ＴＦＴアレイ（図示せず）、フォトコンダクタ２
および高電圧用電極１が設けられたガラス基板３が、ア
ルミニウムからなる保持部材５に実装され、また、ガラ
ス基板３と保持部材５の間には、Ｘ線の後方散乱を防止
する厚さ１ｍｍ程度の鉛板からなる遮蔽板４が挟み込ま
れている。なお、後方散乱の防止をさらに向上させるた
め、鉛板と重ねて厚さ１ｍｍ程度の鉄板を配置すればさ
らに大きな効果を得ることが出来る。
置の断面図である。図１に示す平面型Ｘ線検出装置にお
いて、ＴＦＴアレイ（図示せず）、フォトコンダクタ２
および高電圧用電極１が設けられたガラス基板３が、ア
ルミニウムからなる保持部材５に実装され、また、ガラ
ス基板３と保持部材５の間には、Ｘ線の後方散乱を防止
する厚さ１ｍｍ程度の鉛板からなる遮蔽板４が挟み込ま
れている。なお、後方散乱の防止をさらに向上させるた
め、鉛板と重ねて厚さ１ｍｍ程度の鉄板を配置すればさ
らに大きな効果を得ることが出来る。
【００２７】保持部材５の裏には、ＴＦＴアレイを駆動
する電子回路やＸ線を光電変換した電気信号を処理する
回路を実装したプリント基板６が搭載されている。この
プリント基板６とガラス基板３は、ＴＡＢ方式で実装さ
れた半導体チップ９を搭載するフレキシブル基板８で電
気的に接続されている。
する電子回路やＸ線を光電変換した電気信号を処理する
回路を実装したプリント基板６が搭載されている。この
プリント基板６とガラス基板３は、ＴＡＢ方式で実装さ
れた半導体チップ９を搭載するフレキシブル基板８で電
気的に接続されている。
【００２８】以上の構造体は、アルミニウム等の筐体
（図示せず）に納められ、機械的に固定されている。フ
レキシブル基板８に実装された半導体チップ９は、ＴＦ
ＴのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うゲートドライバーＩＣ、も
しくはＸ線を光電変換し、得られた電荷を電圧として出
力する積分アンプＩＣである。
（図示せず）に納められ、機械的に固定されている。フ
レキシブル基板８に実装された半導体チップ９は、ＴＦ
ＴのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うゲートドライバーＩＣ、も
しくはＸ線を光電変換し、得られた電荷を電圧として出
力する積分アンプＩＣである。
【００２９】これらのＩＣは、長期間Ｘ線を受けている
と信頼性が低下し、誤動作を引き起こしたり、ＩＣの破
損をまねく。そのため、本実施例では、保持部材５の側
面に穴もしくは溝を形成し、その中に半導体チップ９を
完全に挿入している。
と信頼性が低下し、誤動作を引き起こしたり、ＩＣの破
損をまねく。そのため、本実施例では、保持部材５の側
面に穴もしくは溝を形成し、その中に半導体チップ９を
完全に挿入している。
【００３０】このような半導体チップ９の配置方法によ
り、プリント基板７上の半導体素子７だけでなく、半導
体チップ９もＸ線にさらされることがなくなるので、全
ての半導体素子がＸ線後方散乱防止のための遮蔽板４で
保護され、信頼性の向上を図ることができる。
り、プリント基板７上の半導体素子７だけでなく、半導
体チップ９もＸ線にさらされることがなくなるので、全
ての半導体素子がＸ線後方散乱防止のための遮蔽板４で
保護され、信頼性の向上を図ることができる。
【００３１】更に、半導体チップ９は、例えば熱伝導性
シリコーンゴム（ＴＣ―ＴＨ：商品名、信越シリコーン
社製）からなる熱伝導性樹脂層１３を介してアルミニウ
ムからなる保持部材５に密着し、熱的に低熱抵抗な状態
で実装される。保持部材５の内部には水冷用パイプ１０
が設置されており、半導体チップ９は、熱伝導性樹脂層
１２を介して水冷用パイプ１０により、十分冷却され
る。
シリコーンゴム（ＴＣ―ＴＨ：商品名、信越シリコーン
社製）からなる熱伝導性樹脂層１３を介してアルミニウ
ムからなる保持部材５に密着し、熱的に低熱抵抗な状態
で実装される。保持部材５の内部には水冷用パイプ１０
が設置されており、半導体チップ９は、熱伝導性樹脂層
１２を介して水冷用パイプ１０により、十分冷却され
る。
【００３２】フレキシブル基板８の外側には、Ｆｅから
なるシールド板１２が設置されている。シールド板１２
は、外来ノイズに弱い積分アンプを電磁気的に保護する
とともに、シールド板１２と保持部材５をねじどめなど
で固定することで、半導体チップ９と保持部材５の密着
性を向上させ、半導体チップ９の冷却性を向上させるこ
とが可能である。この場合、熱伝導性樹脂層１３は、伝
熱性を高めるだけでなく、緩衝の役割を果し、半導体チ
ップ９の損傷を防止する役割も果す。
なるシールド板１２が設置されている。シールド板１２
は、外来ノイズに弱い積分アンプを電磁気的に保護する
とともに、シールド板１２と保持部材５をねじどめなど
で固定することで、半導体チップ９と保持部材５の密着
性を向上させ、半導体チップ９の冷却性を向上させるこ
とが可能である。この場合、熱伝導性樹脂層１３は、伝
熱性を高めるだけでなく、緩衝の役割を果し、半導体チ
ップ９の損傷を防止する役割も果す。
【００３３】実施例２ 図２は、本発明の第２の実施例に係る平面型Ｘ線検出装
置の断面図である。この平面型Ｘ線検出装置は、半導体
チップ９の実装方法と冷却方式以外は、実施例１と同様
である。
置の断面図である。この平面型Ｘ線検出装置は、半導体
チップ９の実装方法と冷却方式以外は、実施例１と同様
である。
【００３４】本実施例に係る平面型Ｘ線検出装置では、
銅からなる保持部材の端部が図２に示すようにテーパー
状に切除され、半導体チップ９が傾斜面に実装されてい
る。この際、実施例１においても述べたように、半導体
チップ９と保持部材５は、熱伝導性シリコーンゴム（Ｔ
Ｃ―ＴＨ：商品名、信越シリコーン社製）からなる熱伝
導性樹脂層１３を介して低熱抵抗で熱的に接続されてい
る。
銅からなる保持部材の端部が図２に示すようにテーパー
状に切除され、半導体チップ９が傾斜面に実装されてい
る。この際、実施例１においても述べたように、半導体
チップ９と保持部材５は、熱伝導性シリコーンゴム（Ｔ
Ｃ―ＴＨ：商品名、信越シリコーン社製）からなる熱伝
導性樹脂層１３を介して低熱抵抗で熱的に接続されてい
る。
【００３５】また、実施例１では保持部材５の冷却に水
冷を用いたが、装置の用途によっては水冷が不可能な場
合があり、実施例２ではヒートパイプが用いられてい
る。ヒートパイプの凝縮部は筐体に接続されたり、外部
に引き出しフィンをつけて放熱されている（図示せ
ず）。
冷を用いたが、装置の用途によっては水冷が不可能な場
合があり、実施例２ではヒートパイプが用いられてい
る。ヒートパイプの凝縮部は筐体に接続されたり、外部
に引き出しフィンをつけて放熱されている（図示せ
ず）。
【００３６】実施例２においても、入射したＸ線から全
ての半導体素子がＸ線後方散乱防止のための遮蔽板４に
より保護されているため、半導体素子に誤動作が生ずる
ことがなく、高い信頼性を得ることができる。
ての半導体素子がＸ線後方散乱防止のための遮蔽板４に
より保護されているため、半導体素子に誤動作が生ずる
ことがなく、高い信頼性を得ることができる。
【００３７】実施例３ 図３は、本発明の第３の実施例に係る平面型Ｘ線検出装
置の断面図である。この平面型Ｘ線検出装置は、半導体
チップ９の実装方法および保持部材の材質以外は、実施
例１と同様である。
置の断面図である。この平面型Ｘ線検出装置は、半導体
チップ９の実装方法および保持部材の材質以外は、実施
例１と同様である。
【００３８】本実施例に係る平面型Ｘ線検出装置では、
アルミニウムからなる保持部材５の端部が、図３に示す
ようにステップ状に切除され、半導体チップ９がステッ
プ面に実装されている。この際、実施例１においても述
べたように、半導体チップ９と保持部材５は、熱伝導性
シリコーンゴム（ＴＣ―ＴＨ：商品名、信越シリコーン
社製）からなる熱伝導性樹脂層１３を介して低熱抵抗で
熱的に接続されている。
アルミニウムからなる保持部材５の端部が、図３に示す
ようにステップ状に切除され、半導体チップ９がステッ
プ面に実装されている。この際、実施例１においても述
べたように、半導体チップ９と保持部材５は、熱伝導性
シリコーンゴム（ＴＣ―ＴＨ：商品名、信越シリコーン
社製）からなる熱伝導性樹脂層１３を介して低熱抵抗で
熱的に接続されている。
【００３９】実施例３においても、入射したＸ線から全
ての半導体素子がＸ線後方散乱防止のための遮蔽板４に
より保護されているため、半導体素子に誤動作が生ずる
ことがなく、高い信頼性を得ることができる。
ての半導体素子がＸ線後方散乱防止のための遮蔽板４に
より保護されているため、半導体素子に誤動作が生ずる
ことがなく、高い信頼性を得ることができる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｘ線による半導体素子の誤動作や長期的な信頼性の低下
がない、狭額縁構造が実現できるため、医療現場で望ま
れている患者へのより深い角度でのＸ線撮影が可能な平
面型Ｘ線検出装置を提供することができる。
Ｘ線による半導体素子の誤動作や長期的な信頼性の低下
がない、狭額縁構造が実現できるため、医療現場で望ま
れている患者へのより深い角度でのＸ線撮影が可能な平
面型Ｘ線検出装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るＸ線平面検出装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図２】本発明の第２の実施例に係るＸ線平面検出装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】本発明の第３の実施例に係るＸ線平面検出装置
を示す断面図。
を示す断面図。
【図４】従来のＸ線平面検出装置を示す断面図。
【図５】従来の直接変換方式のＸ線平面検出装置の概略
構成を示す図。
構成を示す図。
【図６】従来のＸ線平面検出装置におけるＸ線検出部お
よび読み出し回路部の構成を示す図。
よび読み出し回路部の構成を示す図。
１…高電圧印加用電極 ２…フォトコンダクター ３…ガラス基板 ４…遮蔽板 ５…保持部材 ６…プリント基板 ７…半導体素子 ８…フレキシブル基板 ９…半導体チップ １０…水冷用パイプ １１…ヒートパイプ １２…シールド板 １３…熱伝導性樹脂層 ５０…電源 ５１…電圧印加電極 ５２…フォトコンダクター ５３…電荷蓄積用電極 ５４…コンデンサ ５５…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ７０…画素電極 ７１…コンデンサ ７２…ＴＦＴ ７３…ゲート駆動線 ７４…ゲートドライバ ７５…信号線 ７６…積分アンプ
フロントページの続き (72)発明者 山田 真一 栃木県大田原市下石上1385番の１ 株式会 社東芝那須工場内 Ｆターム(参考） 2G088 EE02 FF02 GG21 JJ05 JJ29 JJ40
Claims (4)
- 【請求項１】入射したＸ線を電荷に変換する光電変換素
子を２次元マトリクス状に形成した第１の基板と、 前記第１の基板を保持する板状金属保持部材と、 前記第１の基板と前記板状保持部材との間に介在し、入
射Ｘ線の後方散乱を防止する遮蔽部材と、 前記板状保持部材の前記第１の基板とは反対側に配置さ
れ、電子回路を搭載した第２の基板と、 前記第１の基板と第２の基板とを電気的に接続し、半導
体素子を搭載する第３の基板とを具備し、前記第３の基
板に搭載された半導体素子は、前記遮蔽部材のＸ線の入
射面とは反対側に、前記遮蔽部材によりＸ線が遮蔽され
る位置に配置され、前記板状保持部材に、熱伝導性樹脂
層を介して密着していることを特徴とするＸ線平面検出
装置。 - 【請求項２】前記板状保持部材の端面に孔が設けられ、
前記半導体素子は、前記孔内に熱伝導性樹脂層を介して
配置されていることを特徴とする請求項１に記載のＸ線
平面検出装置。 - 【請求項３】前記板状保持部材の端面はテーパー状に加
工され、前記半導体素子は、前記テーパー面に熱伝導性
樹脂層を介して配置されていることを特徴とする請求項
１に記載のＸ線平面検出装置。 - 【請求項４】前記板状保持部材内には、水冷用溝、水冷
用パイプ、およびヒートパイプのいずれかが配置されて
いることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかの項
に記載のＸ線平面検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27626199A JP2001099942A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | Ｘ線平面検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27626199A JP2001099942A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | Ｘ線平面検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001099942A true JP2001099942A (ja) | 2001-04-13 |
Family
ID=17566977
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP27626199A Pending JP2001099942A (ja) | 1999-09-29 | 1999-09-29 | Ｘ線平面検出装置 |
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|---|---|
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Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003002001A1 (en) * | 2001-06-07 | 2003-01-09 | Hitachi Medical Corporation | X-ray diagnostic apparatus |
| JP2003035778A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Canon Inc | 光電変換装置および放射線撮像装置 |
| JP2004219318A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| US7046764B1 (en) | 2004-10-04 | 2006-05-16 | General Electric Company | X-ray detector having an accelerometer |
| US7189972B2 (en) | 2004-10-04 | 2007-03-13 | General Electric Company | X-ray detector with impact absorbing cover |
| US7317190B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-01-08 | General Electric Company | Radiation absorbing x-ray detector panel support |
| US7342998B2 (en) | 2004-11-18 | 2008-03-11 | General Electric Company | X-ray detector quick-connect connection system |
| JP2008073522A (ja) * | 2006-09-18 | 2008-04-03 | General Electric Co <Ge> | インタフェイス・アセンブリ、及びセンサ・アレイにデータ取得システムを一体形成する方法 |
| JP2008510130A (ja) * | 2004-08-13 | 2008-04-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ソリッドステート検出器パッケージングの技術 |
| US7381964B1 (en) | 2004-11-24 | 2008-06-03 | General Electric Company | Method and system of x-ray data calibration |
| JP2009018109A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Shimadzu Corp | Ｘ線診断装置 |
| US7581885B2 (en) | 2004-11-24 | 2009-09-01 | General Electric Company | Method and system of aligning x-ray detector for data acquisition |
| JP2009268900A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | General Electric Co <Ge> | 計算機式断層写真法検出器装置 |
| US7626177B2 (en) | 2007-12-17 | 2009-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for detecting X-rays and X-ray detector performing the method |
| WO2010140475A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiographic apparatus |
| US7866163B2 (en) | 2004-10-04 | 2011-01-11 | General Electric Company | Radiographic detector docking station with dynamic environmental control |
| JP2011117962A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | General Electric Co <Ge> | ディジタルｘ線検出器の検出器アセンブリ |
| JP2011128000A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | Ｘ線画像検出器 |
| US8222612B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-07-17 | Fujifilm Corporation | Radiation image capturing apparatus |
| JP2013007712A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
| JP2013088325A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置 |
| US10340302B2 (en) | 2012-12-07 | 2019-07-02 | Analog Devices, Inc. | Compact sensor module |
| WO2022252008A1 (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | X射线探测器及其制作方法 |
| US11664340B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-05-30 | Analog Devices, Inc. | Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier |
| US11688709B2 (en) | 2018-12-06 | 2023-06-27 | Analog Devices, Inc. | Integrated device packages with passive device assemblies |
| US12002838B2 (en) | 2019-12-05 | 2024-06-04 | Analog Devices, Inc. | Shielded integrated device packages |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63101788A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多チヤンネル型半導体放射線検出器 |
| JPH09152486A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-06-10 | Canon Inc | 撮像装置 |
| JPH09288184A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Canon Inc | 光電変換装置 |
-
1999
- 1999-09-29 JP JP27626199A patent/JP2001099942A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63101788A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多チヤンネル型半導体放射線検出器 |
| JPH09152486A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-06-10 | Canon Inc | 撮像装置 |
| JPH09288184A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Canon Inc | 光電変換装置 |
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003002001A1 (en) * | 2001-06-07 | 2003-01-09 | Hitachi Medical Corporation | X-ray diagnostic apparatus |
| JP2003035778A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Canon Inc | 光電変換装置および放射線撮像装置 |
| JP2004219318A (ja) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| JP2008510130A (ja) * | 2004-08-13 | 2008-04-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | ソリッドステート検出器パッケージングの技術 |
| US7317190B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-01-08 | General Electric Company | Radiation absorbing x-ray detector panel support |
| US7189972B2 (en) | 2004-10-04 | 2007-03-13 | General Electric Company | X-ray detector with impact absorbing cover |
| US7866163B2 (en) | 2004-10-04 | 2011-01-11 | General Electric Company | Radiographic detector docking station with dynamic environmental control |
| US7127032B1 (en) | 2004-10-04 | 2006-10-24 | General Electric Company | X-ray detector having an accelerometer |
| US7435967B2 (en) | 2004-10-04 | 2008-10-14 | General Electric Company | X-ray detector with impact absorbing cover |
| US7046764B1 (en) | 2004-10-04 | 2006-05-16 | General Electric Company | X-ray detector having an accelerometer |
| US7342998B2 (en) | 2004-11-18 | 2008-03-11 | General Electric Company | X-ray detector quick-connect connection system |
| US7581885B2 (en) | 2004-11-24 | 2009-09-01 | General Electric Company | Method and system of aligning x-ray detector for data acquisition |
| US7381964B1 (en) | 2004-11-24 | 2008-06-03 | General Electric Company | Method and system of x-ray data calibration |
| JP2008073522A (ja) * | 2006-09-18 | 2008-04-03 | General Electric Co <Ge> | インタフェイス・アセンブリ、及びセンサ・アレイにデータ取得システムを一体形成する方法 |
| JP2009018109A (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-29 | Shimadzu Corp | Ｘ線診断装置 |
| US8222612B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-07-17 | Fujifilm Corporation | Radiation image capturing apparatus |
| US7626177B2 (en) | 2007-12-17 | 2009-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for detecting X-rays and X-ray detector performing the method |
| JP2009268900A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | General Electric Co <Ge> | 計算機式断層写真法検出器装置 |
| WO2010140475A1 (en) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiographic apparatus |
| US8592774B2 (en) | 2009-06-05 | 2013-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiographic apparatus |
| US8969820B2 (en) | 2009-06-05 | 2015-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiographic apparatus |
| CN102460216A (zh) * | 2009-06-05 | 2012-05-16 | 佳能株式会社 | 放射线摄像设备 |
| JP2010281753A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Canon Inc | Ｘ線画像撮影装置 |
| CN102460216B (zh) * | 2009-06-05 | 2014-11-05 | 佳能株式会社 | 放射线摄像设备 |
| CN103472479A (zh) * | 2009-06-05 | 2013-12-25 | 佳能株式会社 | 放射线摄像设备 |
| JP2011117962A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | General Electric Co <Ge> | ディジタルｘ線検出器の検出器アセンブリ |
| JP2011128000A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Toshiba Corp | Ｘ線画像検出器 |
| JP2013007712A (ja) * | 2011-06-27 | 2013-01-10 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
| JP2013088325A (ja) * | 2011-10-19 | 2013-05-13 | Fujifilm Corp | 放射線画像撮影装置 |
| US10340302B2 (en) | 2012-12-07 | 2019-07-02 | Analog Devices, Inc. | Compact sensor module |
| US11688709B2 (en) | 2018-12-06 | 2023-06-27 | Analog Devices, Inc. | Integrated device packages with passive device assemblies |
| US12002838B2 (en) | 2019-12-05 | 2024-06-04 | Analog Devices, Inc. | Shielded integrated device packages |
| US11664340B2 (en) | 2020-07-13 | 2023-05-30 | Analog Devices, Inc. | Negative fillet for mounting an integrated device die to a carrier |
| WO2022252008A1 (zh) * | 2021-05-31 | 2022-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | X射线探测器及其制作方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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