JP2001281343A

JP2001281343A - ２次元画像検出器およびその製造方法

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Publication number: JP2001281343A
Application number: JP2000089070A
Authority: JP
Inventors: Toshinori Yoshimuta; 利典吉牟田; Kenji Sato; 賢治佐藤; Shinya Hirasawa; 伸也平澤
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2000-03-28
Filing date: 2000-03-28
Publication date: 2001-10-10
Anticipated expiration: 2020-03-28
Also published as: JP3978971B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電磁波感応層である半導体膜の特性の劣化を
抑えた２次元画像検出器を提供する。【解決手段】アクティブマトリックス基板２０に、剛
性および熱伝導性を有するベース基板５０を、熱伝導性
を有する粘弾性体であるゲルシート４０を介して予め貼
り合わせておく。ベース基板５０と一体になったアクテ
ィブマトリックス基板２０の表面にアモルファス半導体
厚膜を積層形成する。その結果、ベース基板５０の剛性
により、アクティブマトリックス基板２０の自重による
撓みが生じないので、半導体膜に応力が生じることがな
くなり、半導体膜の劣化を抑えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、医療分野、工業
分野、さらに原子力分野などに用いられる２次元画像検
出器に係り、特に、この種の２次元画像検出器などに備
えられ放射線、可視光線、赤外線、紫外線などの電磁波
に感応する半導体膜の特性の劣化を抑制する構造に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の２次元画像検出器は、放射線（例
えばＸ線）が入射することによりキャリア（電子−正孔
対）が生成される半導体膜を備え、この半導体膜の表面
に形成され電圧印加電極にバイアス電圧が印加されると
ともに、半導体膜の裏面に縦・横２次元マトリックス配
置された多数個のキャリア収集電極ごとに電荷蓄積用の
コンデンサと通常オフ（ＯＦＦ）状態の電荷読み出し用
のスイッチ素子（例えば薄膜トランジスタ）とがそれぞ
れ接続されていて、放射線照射に伴ってコンデンサに蓄
積された電荷が、オン（ＯＮ）状態に移行したスイッチ
素子を経由して放射線信号として読み出される構成とな
っている（例えば、文献「L.S.Jeromin,etal., ”Appli
cation of a-Si Active-Matrix Technology in a X-Ray
DetectorPanel”,SID 97 DIGEST,pp.91-94,1997」、
「特開平６−３４２０９８号公報」参照）。

【０００３】大面積の２次元画像検出器の場合、各製造
工程などで、アクティブマトリックス基板の上にアモル
ファス・セレン（ａ−Ｓｅ）のような半導体膜などが積
層形成された薄くて撓み易い状態で取り扱われている。

【０００４】また、大面積の２次元画像検出器の場合、
アクティブマトリックス基板の表面に各種真空蒸着法に
よりアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）のような半導体
厚膜を積層形成している。すなわち、図６（ａ）に示す
ように、一般的な真空蒸着法による成膜では、真空下で
アクティブマトリックス基板２０を吸着固定することが
できないので、蒸着用材料を配置した上側にアクティブ
マトリックス基板２０の両端を器具７０で挟み込むよう
に固定して配置し、アクティブマトリックス基板２０が
蒸着物と対向する面（図６（ａ）ではアクティブマトリ
ックス基板２０の下側の面）にアモルファス半導体厚膜
１１を積層形成している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、大面積で厚みの薄い２次元画像検出器
の場合、各製造工程で取り扱う際に負荷が加わり２次元
画像検出器が撓み、半導体膜に応力が生じて特性の劣化
を生じるといった問題がある。

【０００６】また、２次元画像検出器の製造過程では、
アクティブマトリックス基板２０自体の厚みが薄いため
に、図６（ａ）の実線に示すように、その自重によりア
クティブマトリックス基板２０は下方向に数ｍｍ程度の
撓みが生じ、そのままの状態でアモルファス半導体厚膜
１１が積層形成されてゆく。通常、２次元画像検出器
は、図６（ｂ）に示すように、アモルファス半導体厚膜
１１をＸ線などの入射側に向けて上向きで設置される。
すなわち、撓みの凸面を上向けに設置されるので、アク
ティブマトリックス基板２０はその自重により水平状態
に戻り、アモルファス半導体厚膜１１に応力が生じる。
そのために、アモルファス半導体厚膜１０にクラックな
どが発生して特性の劣化を生じるといった問題がある。

【０００７】また、ａ−Ｓｅは、成膜時のアクティブマ
トリックス基板２０の温度により特性が変化するという
性質がある。すなわち、上述のようにアクティブマトリ
ックス基板２０に撓みの生じたまま成膜が行われると、
アクティブマトリックス基板２０上の温度分布が均一に
保てないので均一な膜特性が得られないといった問題も
ある。この発明は、このような事情に鑑みてなされたも
のであって、電磁波感応用の半導体膜の特性を劣化させ
ることのない２次元画像検出器を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に係る２次元画像検出器は、電磁波情報を
電荷情報に変換する半導体膜と、前記電荷情報を読み出
すアクティブマトリックス基板とを備えた２次元画像検
出器において、前記アクティブマトリックス基板を、熱
伝導性を有する粘弾性体を介して、剛性および熱伝導性
を有するベース基板に貼り合わせたことを特徴とする。

【０００９】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の２次元画像検出器において、前記熱伝導性を有
する粘弾性体は、シリコーンを主材としたゲル状物質で
あることを特徴とする。

【００１０】また、請求項３に記載の発明は、電磁波情
報を電荷情報に変換する半導体膜と、前記電荷情報を読
み出すアクティブマトリックス基板とを備えた２次元画
像検出器の製造方法において、電荷情報を読み出すアク
ティブマトリックス基板を、熱伝導性を有する粘弾性体
を介して、剛性および熱伝導性を有するベース基板に貼
り合わせた後に、前記アクティブマトリックス基板上に
電磁波情報を電荷情報に変換する半導体膜を生成するこ
とを特徴とする。

【００１１】

【作用】この発明の作用は次のとおりである。すなわ
ち、請求項１に記載の２次元画像検出器の場合、２次元
画像検出器自体が熱伝導性を有する粘弾性体を介して、
剛性および熱伝導性を有するベース基板に貼り合わされ
たままの状態で各種装置類に組み込まれるため、各工程
などで取り扱われる際に半導体膜に応力が生じない。

【００１２】また、請求項２に記載の２次元画像検出器
の場合、熱伝導性を有する粘弾性体であるシリコーンを
主体とするゲル状物質を用いることにより、エポキシ系
やＳｉ系の接着剤のように硬化に時間を要する必要もな
く、加工なども容易に行なわれるので、作業効率の向上
が図られる。

【００１３】また、請求項３に記載の２次元画像検出器
の場合、各種真空蒸着法によりアクティブマトリックス
基板の表面を覆うように半導体膜が生成される際に、ア
クティブマトリックス基板に剛性および熱伝導性の優れ
たベース基板を、熱伝導性を有する粘弾性体を用いて予
め貼り合わせた状態で行なわれる。

【００１４】すなわち、成膜時にアクティブマトリック
ス基板の表面が下向きにされたその表面に半導体膜が積
層される。このとき、アクティブマトリックス基板の自
重による撓みと、半導体膜などの積層に伴って加わる荷
重による撓みとは、前記剛性を有するベース基板と貼り
合わさることにより解消されるとともに、アクティブマ
トリックス基板の撓みによるアクティブマトリックス基
板自体の温度分布のバラツキも解消される。さらに、ベ
ース基板自体は熱伝導性のよい材料を用いているので成
膜時にアクティブマトリックス基板の温度分布のバラツ
キが生じない。

【００１５】また、前記貼り合わせ材料は熱伝導性を有
しているので、アクティブマトリックス基板の温度分布
のバラツキを生じることはなく、アクティブマトリック
ス基板とベース基板とをしっかりと接着している。ま
た、粘弾性体は弾力性を有しているので、アクティブマ
トリックス基板とベース基板との熱膨張係数の差異によ
る接合面での反りによる負荷が解消される。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。図１は、この発明の２次元画像検
出器の正面図である。この実施例に係る２次元画像検出
器は大きく分けて、検出対象のＸ線などの入射側から順
にＸ線などをキャリア（電子−正孔対）に変換・蓄積す
る膜構造の検出部１０と、前記検出部１０で変換・蓄積
された電荷を検出信号として読み出すアクティブマトリ
ックス基板２０と、前記アクティブマトリックス基板２
０がゲルシート４０を介して貼り合わされるベース基板
５０とから構成されている。また、アクティブマトリッ
クス基板２０には、ＦＰＣ３０（Flexible Printed Cir
cuit）が接続されいる。なお、ゲルシート４０はこの発
明の粘弾性体に相当する。

【００１７】以下各部の構成および機能についての説明
する。検出部１０は、図３に示すように、放射線（例え
ばＸ線）が入射することによりキャリアが生成される放
射線感応型のアモルファス半導体厚膜１１と、このアモ
ルファス半導体厚膜１１の放射線入射側に設けられて注
入キャリアを選択する選択性高抵抗膜１２と、アモルフ
ァス半導体厚膜１１の放射線入射側の選択性高抵抗膜１
２の表面に設けられた電圧印加電極１３と、アモルファ
ス半導体厚膜１１の放射線入射側とは反対側に設けられ
たキャリア収集電極１４とを備えている。以下、アモル
ファス半導体厚膜１１の構成を具体的に説明する。

【００１８】アモルファス半導体厚膜１１は膜厚が０．
３〜１．０ｍｍ前後の高純度アモルファス・セレン（ａ
−Ｓｅ）厚膜である。このａ−Ｓｅ厚膜は特に検出エリ
アの大面積化に対する適正に優れている。アモルファス
半導体厚膜１１は、仮に薄いと検出対象の放射線の素通
りする量が多くなり、放射線を十分に捕捉できなくなる
ことから、０．３〜１．０ｍｍ前後の厚めの膜が用いら
れる。

【００１９】選択性高抵抗膜１２は、アモルファス半導
体厚膜１１と電圧印加電極１３との間にアモルファス半
導体厚膜１１を全面的に覆うようにして、この実施例で
はｐ型キャリア選択性高抵抗膜１２として形成されてい
る。すなわち、放射線検出に寄与しない多数キャリアの
注入を阻止し、少数キャリアの注入を許容する構成とな
っている。なお、選択性高抵抗膜１２は、Ｓｂ₂Ｓ₃、
ＳｂＴｅ、ＺｅＴｅ、ＣｄＴｅ、ＡｓＳｅ、ＣｄＺｎＴ
ｅなどの膜や、有機膜が適当である。なお、半導体の極
性および選択性高抵抗膜１２は上の例示のものに限られ
ない。

【００２０】電圧印加電極１３およびキャリア収集電極
１４においては、図３に示すように、電圧印加電極１３
の方は全検出素子Ｄｕの共通電極として全面的に形成さ
れているが、キャリア収集電極１４の方は個別電極とし
て２次元マトリックス状に各検出素子Ｄｕごとに分離形
成されている。その結果、放射線強度の２次元分布の検
出が可能となる。

【００２１】なお、電圧印加電極１３およびキャリア収
集電極１４は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｉｎなどの金属やＩ
ＴＯ（インジウム錫酸化物）などの導電性材料などで形
成される。なお、電極の材料は上の例示のものに限られ
ない。

【００２２】アクティブマトリックス基板２０は、図３
および図４に示すように、誘電体基板２１と、前記キャ
リア収集電極１４からの収集キャリアを溜めるコンデン
サＣｓと、コンデンサＣｓに蓄積された電荷を取り出す
ための通常時オフ（遮断）の電荷取り出し用のスイッチ
素子２２である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えてい
る。また、実施例の検出部１０は、電圧印加電極１３に
Ｖ_Aのバイアス電圧が印加された状態で放射線照射に伴
う生成キャリアがキャリア収集電極１４からコンデンサ
Ｃｓに送り込まれて蓄積されるとともに、読み出しタイ
ミングになった時にスイッチ素子２２がオン（接続）と
なって蓄積電荷が放射線検出信号として読み出される構
成となっている。

【００２３】なお、図４では、説明の便宜上、縦３×横
３マトリックス構成で合計９個分のマトリックス構成が
示されているだけであるが、実際の場合、必要に応じ
て、例えば縦１０２４×横１０２４程度のマトリックス
構成をとなる。

【００２４】以下、アクティブマトリックス基板２０の
構成を具体的に説明する。アクティブマトリックス基板
２０は、図３および図４に示すように、検出素子Ｄｕの
スイッチ素子２２用薄膜トランジスタのソースがＸ軸方
向に配列した縦の読み出し配線２３に接続され、ゲート
がＹ軸方向に配列した横の読み出し配線２６に接続され
ている。読み出し配線２３は電荷−電圧変換器群（プリ
アンプ群）２４を介してマルチプレクサ２５に接続され
ているとともに、読み出し配線２６はゲートドライバ２
７に接続されている。なお、電荷−電圧変換器群２４で
は、１本の読み出し配線２３に対して、図示しないが、
電荷−電圧変換器２４が１個それぞれ接続されている。

【００２５】そして、２次元画像検出器の場合、マルチ
プレクサ２５およびゲートドライバ２７へ信号取り出し
用の走査信号が送り込まれることになる。検出部１０の
各検出素子Ｄｕの特定は、Ｘ方向・Ｙ方向の配列に沿っ
て各検出素子Ｄｕへ順番に割り付けられているアドレス
（例えば、０〜１０２３）に基づいて行なわれるので、
取り出し用の走査信号は、それぞれＸ方向アドレスまた
はＹ方向アドレスを指定する信号となる。Ｙ方向の走査
信号に従ってゲートドライバ２７からＹ方向の読み出し
配線２６に対し取り出し用の電圧が印加されるのに伴
い、各検出素子Ｄｕが列単位で選択される。そして、Ｘ
方向の走査信号に従ってマルチプレクサ２５が切り替え
られることにより、選択された列の検出素子Ｄｕのコン
デンサＣｓに蓄積された電荷が、電荷−電圧変化器群２
４およびマルチプレクサ２５の順に経て外部に送りださ
れることになる。

【００２６】なお、上述の誘電体基板２１はガラス基板
などからなり、前記コンデンサＣｓはＳｉＯ₂層などか
らなる。

【００２７】次ぎに、ＦＰＣ３０には半導体集積回路の
チップなどがマウントされた回路基板であり、前記アク
ティブマトリックス基板２０と異方導電性フィルム（Ａ
ＣＦ）などにより接合されている。また、ＦＰＣ３０は
アクティブマトリックス基板２０の端から折り曲げらた
状態でベース基板５０の側面に接着固定されることが好
ましい。すなわち、ＦＰＣ３０上のマウント部品や回路
に直に照射されるＸ線などの影響による劣化を回避する
ことができる。また、ＦＰＣ３０が固定されていること
により、ＦＰＣ３０自体の柔軟性が原因で発生する振動
による振動ノイズを低減することもできる。

【００２８】ゲルシート４０は、シリコーンを主体にセ
ラミック（Ａｌ₂Ｏ₃）などと混ぜ合された混合物であ
る。すなわち、シリコーンの特性である接着性と弾力性
とを備えるとともに、セラミック（Ａｌ₂Ｏ₃）など熱
伝導性の両方の特性を兼ね備えている。この実施例に使
用されるゲルシート４０の特性は、弾力性を示す硬度
（針入度）は６０以上で、熱伝導率は１．０（Ｗ／ｍ
ｋ）以上で、体積抵抗率は１．０×１０¹³（Ω・ｃｍ）
以上である。また、このゲルシート４０は、常温で接着
するといった特性も備えている。

【００２９】なお、前記ゲルシート４０の代わりに液体
のゲルを塗布して熱処理を施し、適度に溶剤を蒸発させ
たものなどを使用してもよい。

【００３０】ベース基板５０は、図１に示すように、ア
クティブマトリックス基板２０の各４辺よりも短い４辺
を備えており、アクティブマトリックス基板２０の周縁
よりも内側に収まる形状をしている。このベース基板５
０の材料は、剛性および熱伝導性を兼ね備えたものであ
り、ガラス基板またはＡｌ（アルミニウム）やＳＵＳ
（ステンレス鋼）などの金属が用いられる。また、Ｘ線
などの遮蔽を行ないたい場合には、数十ｍｍ程度の厚み
のＰｂ（鉛）やＷ（タングステン）などの焼結合金が用
いられる。さらに、加工の容易性と軽量化を図るために
数ｍｍ程度のＡｌにＰｂを貼り合わせたものを用いてよ
い。

【００３１】なお、この発明の２次元画像検出器は、前
記ベース基板５０と貼り合わせて一体成型したものを装
置類に組み込むことを前提としているため、ベース基板
５０に前記剛性の優れた金属を用いることにより、装置
類に組み込むための締結部品用のタップなどの加工も容
易に行なうことができる。さらに、装置類に２次元画像
検出器を組み込む工程でベース基板５０を剥がすといっ
た余計な加工を必要としない。その結果、組み込み工程
でアモルファス半導体厚膜１１に余計に負荷が加わるこ
とも回避できる。また、ベース基板５０にアクティブマ
トリックス基板２０と同じ材料を用いることが好まし
い。すなわち、熱膨張係数が同一であり、熱膨張係数の
差異による負荷がアモルファス半導体厚膜１１に加えら
れない。

【００３２】なお、ベース基板５０のサイズは、前記サ
イズに限定されるものではなく、アクティブマトリック
ス基板２０と同じサイズやそれ以上であってもよい。

【００３３】次いで、上記実施例の２次元画像検出器の
概略製造方法について説明する。ベース基板５０に予め
ゲルシート４０を貼り付けておき、アクティブマトリッ
クス基板２０と貼り合わせる。なお、ゲルシート４０は
ベース基板５０もしくはアクティブマトリックス基板２
０のいずれか一方に貼り合わせておけばよく、そのサイ
ズはベース基板５０を全て覆う１枚ものであってもよい
し、数ミリ角の形状に裁断されたものを等間隔に複数枚
貼り付けたものであってもよい。

【００３４】前記ベース基板５０と貼り合わされて一体
成型されているアクティブマトリックス基板２０は、各
種真空蒸着用の成膜装置内に設置される。このとき、ア
クティブマトリックス基板２０に直接にアモルファス半
導体厚膜１１を生成するために、積層されるべく配置さ
れた成膜材料の上方向に前記アクティブマトリックス基
板２０の表面が対面するように設置される。

【００３５】次ぎに、前記アクティブマトリックス基板
２０の表面に薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によ
るパターン化技術を利用して、キャリア収集電極１４、
アモルファス半導体厚膜１１、キャリア選択性高抵抗膜
１２、電圧印加電極１３の順で積層形成されてゆく。

【００３６】すなわち、アクティブマトリックス基板２
０と剛性および熱伝導性の優れたベース基板５０とを、
熱伝導性を有する粘弾性体であるゲルシート４０を介し
て貼り合わせることにより、アモルファス半導体厚膜１
１の成膜時のアクティブマトリックス基板２０自体の自
重による撓みと、この撓みより起因するアクティブマト
リックス基板２０の温度分布の不均一によるアモルファ
ス半導体厚膜１１の特性の劣化を抑制することができ
る。さらに、アクティブマトリックス基板２０とベース
基板５０との熱膨張係数の差異による前記両基板２０、
５０との接合面での反りによる負荷もゲルシート４０の
弾力性により解消することができるできるので、アモル
ファス半導体厚膜１１に余計な応力のかかっていない２
次元画像検出器が実現される。

【００３７】この発明は、上記実施例に限らず、次のよ
うに変形実施することもできる。すなわち、図５に示す
ように、ベース基板５０の両端に別途Ｐｂ（鉛）などの
金属のダミーベース６０を設けてもよい。ダミーベース
６０はネジなどによりベース基板５０に連結されてお
り、そのサイズはアクティブマトリックス基板から数ミ
リ程度はみ出す程度の直方体の形状をしている。このダ
ミーベース６０を設けることにより２次元画像検出器と
してＸ線などを検出する際に、アモルファス半導体厚膜
１１に斜め方向から入射して抜け出た余計なＸ線などを
遮蔽することができる。

【００３８】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明の２次元画像検出器によれば、２次元画像検出器自体
が、熱伝導性を有する粘弾性体を介して、剛性および熱
伝導性を有するベース基板に貼り合わされたままの状態
で各種装置類に組み込まれるため、各工程などの取り扱
いの際に加わる負荷外力による反りにのために発生する
半導体膜の応力を回避することができる。その結果、半
導体膜の特性の劣化を生じない。また、アクティブマト
リックス基板とベース基板とを貼り合わせている粘弾性
体が熱伝導性を有しているので、アクティブマトリック
ス基板に不均一な温度分布を生じることがない。また、
粘弾性体の弾力性により、アクティブマトリックス基板
とベース基板との熱膨張係数の差異により接合面で生じ
る基板同士の反りよる負荷も解消することができる。

【００３９】また、請求項２に記載の２次元画像検出器
によれば、貼り合わせ材料に熱伝導性を有する粘弾性体
であるシリコーンを主体とするゲル状物質を用いること
により、硬化時間を必要せずに常温での貼り付けが可能
なので、加工が容易に行なえることから作業効率の向上
を図ることができる。

【００４０】また、請求項３に記載の２次元画像検出器
によれば、アクティブマトリックス基板に剛性を有する
ベース基板を貼り合わせた状態で、半導体膜が積層形成
されるので、基板の撓みが解消されるとともに、基板の
撓みに起因するアクティブマトリックス基板自体の温度
分布のバラツキも解消される。その結果、半導体膜に与
える温度分布のバラツキによる特性の劣化も回避するこ
とができる。また、ベース基板は熱伝導性にも優れてい
おり、温度分布のバラツキといった影響をアクティブマ
トリックス基板に与えることがない。また、この発明の
２次元画像検出器を用いて電磁波情報を検出する際に、
電磁波の入射面側である半導体膜の面を上向きに設置し
ても、基板が変形しないので、半導体膜にクラックなど
も生じない。すなわち、半導体膜の特性の劣化の生じな
い２次元画像検出器が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例の２次元画像検出器の断面
図である。

【図２】この発明の一実施例の２次元画像検出器の平面
図である。

【図３】アモルファス半導体厚膜の構成を示す断面図で
ある。

【図４】アクティブマトリックス基板の等価回路を示す
電気回路図である。

【図５】変形例の２次元画像検出器の断面図である。

【図６】従来例の２次元画像検出器の概略図であり、
（ａ）は真空蒸着法による成膜時の様子を示す図、
（ｂ）は２次元画像検出器の製品装着時の様子を示す図
である。

【符号の説明】

１０ … 検出部２０ … アクティブマトリックス基板３０ … ＦＰＣ４０ … ゲルシート５０ … ベース基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者平澤伸也京都市中京区西ノ京桑原町１番地株式会社島津製作所内Ｆターム(参考） 2G088 EE01 EE27 FF02 FF14 GG21 JJ05 JJ09 JJ23 JJ37 4M118 AA08 AA10 AB01 BA05 CA15 CB05 CB20 FB09 FB13 FB16 FB23 FB25 HA24 HA25 5C024 AX01 AX06 AX11 CY48 EX21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電磁波情報を電荷情報に変換する半導体
膜と、前記電荷情報を読み出すアクティブマトリックス
基板とを備えた２次元画像検出器において、前記アクテ
ィブマトリックス基板を、熱伝導性を有する粘弾性体を
介して、剛性および熱伝導性を有するベース基板に貼り
合わせたことを特徴とする２次元画像検出器。
【請求項２】請求項１に記載の２次元画像検出器にお
いて、前記熱伝導性を有する粘弾性体は、シリコーンを
主材としたゲル状物質であることを特徴とする２次元画
像検出器。
【請求項３】電磁波情報を電荷情報に変換する半導体
膜と、前記電荷情報を読み出すアクティブマトリックス
基板とを備えた２次元画像検出器の製造方法において、
電荷情報を読み出すアクティブマトリックス基板を、熱
伝導性を有する粘弾性体を介して、剛性および熱伝導性
を有するベース基板に貼り合わせた後に、前記アクティ
ブマトリックス基板上に電磁波情報を電荷情報に変換す
る半導体膜を生成することを特徴とする２次元画像検出
器の製造方法。