CN102565837B - 放射线检测装置和放射线检测系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了放射线检测装置和放射线检测系统。该放射线检测装置包括被配置用于将入射的放射线转换成可见光的闪烁体、光电转换单元和导电部件。光电转换单元包含布置于基板上的多个像素的二维阵列。各像素被配置用于将可见光转换成电信号。导电部件被供给固定电势。导电部件、基板、光电转换单元和闪烁体被依次从放射线检测装置的放射线入射侧到其相反侧设置。

Description

放射线检测装置和放射线检测系统

技术领域

本发明涉及适用于医疗成像装置、非破坏性测试装置或使用放射线的分析装置等的放射线检测装置和放射线检测系统。

背景技术

近年来，薄膜半导体制造技术已被用于由诸如TFT(薄膜晶体管)的开关元件和诸如光电转换元件的转换元件的组合实现的检测装置或放射线检测装置的制造。日本专利申请公开No.07-027864公开了如下这样的放射线检测装置，其中在由X射线源发射的X射线放射线的入射侧设置固态光检测器并且在相反侧设置闪烁体。即，在光检测器的放射线入射侧的相反侧设置闪烁体。影响这种类型的放射线检测装置的多个问题中的一个问题为源自X射线源或在放射线检测装置内产生的电磁噪声与X射线放射线一起入射到光检测器上。

发明内容

在其中在光检测器的放射线入射侧的相反侧设置闪烁体的放射线检测装置中，本发明提供了用于减少与主放射线一起入射到光检测器上的电磁噪声的影响的技术。

在本发明的一个方面中，放射线检测装置包括：被配置用于将入射的放射线转换成可见光的闪烁体；包含布置于基板上的像素的二维阵列的光电转换单元，各像素被配置用于将可见光转换成电信号；和被供给固定电势的导电部件。导电部件、基板、光电转换单元和闪烁体被依此顺序从放射线检测装置的放射线入射侧向其相反侧设置。

因此，在以上述方式配置的在光检测器的放射线入射侧的相反侧设置闪烁体的放射线检测装置中，有效地减少与主放射线一起入射到光检测器的放射线入射侧的电磁噪声的影响。

参照附图从示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1A是根据本发明的实施例的放射线检测装置的顶视图，并且图1B和图1C是其截面图和背视图。

图2A和图2B是根据本发明的实施例的放射线检测装置的截面图和背视图。

图3A和图3B是根据本发明的实施例的放射线检测装置的等效电路图及其的一个像素的截面图。

图4A和图4B是根据本发明的实施例的放射线检测装置的截面图和放大背视图。

图5A～5C是示出根据本发明的实施例的放射线检测装置的制造过程的截面图。

图6是示出使用根据本发明的实施例的放射线检测装置的放射线检测系统的示图。

具体实施方式

以下结合附图参照实施例进一步详细描述本发明。在本说明书中，使用术语“放射线”以描述各种类型的放射线，包括通过放射线衰变而辐射的诸如α射线、β射线、γ射线等的粒子束，和具有与这样的粒子束相近的高能量的其它射束。例如，X射线、宇宙射线等落入在本申请中描述的放射线的范围内。

第一实施例

首先，以下参照图1A、图1B和图1C描述根据本发明的第一实施例的放射线检测装置10。图1A是放射线检测装置10的顶视图(前视图)，图1B是沿图1A的截面标记IB-IB的截面图，图1C是放射线检测装置10的底视图(背视图)。

如所示的那样，放射线检测装置10具有大致矩形的形状，并且具有用于操纵和定位的手柄。光电转换单元3被设置在具有绝缘性表面的诸如玻璃基板的基板2的第一表面侧。光电转换单元3包含以二维阵列布置的多个像素。每一像素包含光电转换元件和开关元件。注意，基板2和光电转换单元3被放置成使得放射线从基板2的与第一表面侧相反的第二表面入射到基板2上。

以下，对于各元件，放射线入射到其上的表面将被称为第二表面，而与第二表面相反的表面将被称为第一表面。

基板2的第一表面的端部通过柔性布线板6与印刷电路板7a和7b连接。各种集成电路被安装在柔性布线板和印刷电路板上。集成电路包含例如用于驱动光电转换单元3的驱动电路、用于从光电转换单元3读取电信号的读取电路、用于向驱动电路和读取电路中的至少一个供给电力的电源电路和用于控制驱动电路和读取电路中的至少一个的控制电路等。

闪烁体4被牢固于设置于光电转换单元3的与放射线入射到其上的表面相反的第一表面上。更具体而言，闪烁体4的第二表面通过蒸镀或接合牢固地与光电转换单元3的第一表面连接。

在该配置中，当闪烁体4接收穿过基板2的放射线并且作为其响应发光时，闪烁体4在其的更接近光电转换单元3的一侧与在其相反侧相比吸收更大量的放射线并且发射更大量的光。这导致可由光电转换单元3吸收的可见光的量增加，这使得敏感度能够增加。并且，在本配置中，闪烁体4在接近光电转换单元3的位置处发光，并由此能够减少可见光的散射的影响，这导致MTF(调制传递函数)增加。

闪烁体4的第一表面通过粘接剂、黏着剂(mordant)或减震器等被固定于设置在外封壳8中的支撑基台9的第二表面。印刷电路板7a和7b被设置在支撑基台9的第一表面侧。导电部件1被放置为与基板2的第二表面接触或者通过粘接剂等牢固地与基板2的第二表面连接。即，导电部件1与基板2的第二表面紧密接触。因此，在根据本发明的本实施例的以上述方式配置的放射线检测装置中，从放射线检测装置的放射线入射侧到相反侧以导电部件1、光电转换单元3和闪烁体4的顺序设置元件。

在外封壳8的放射线入射侧，设置盖子5。盖子5优选能够允许放射线容易地穿过其中并且提供高防水性和高气密性，使得通过外封壳8和盖子5形成气密外壳。在由外封壳8和盖子5形成的外壳中，设置导电部件1、基板2、光电转换单元3、闪烁体4、柔性布线板6和印刷电路板7a和7b，使得它们被牢固地附接到支撑基台9。印刷电路板7a和7b被设置在支撑基台9的第二表面侧。这减少了放射线对于集成电路的负面影响。

当捕获图像时，放射线必须穿过放射线透明盖子5以到达导电部件1。因此，导电部件1由具有适当的厚度的导电材料制成，从而允许99.0％或更多的放射线穿过导电部件1。更具体而言，例如，可通过在基板2的第一表面上通过真空蒸镀或通过使用粘接剂将Al膜接合到其上以形成包含铝的金属薄膜(以下，称为Al膜)来制造导电部件1。为了实现必要的刚度和放射线透过率，Al膜的厚度可被设为0.1～100μm。导电部件1的另一例子是通过在基板2的第一表面上牢固地形成诸如不锈钢膜的含铁(Fe)的金属薄膜(以下，称为Fe膜)获得的导电部件。如同Al膜一样，要适当地确定Fe膜的厚度。例如，厚度可被设为0.1～10μm。当使用诸如Pb的具有高的放射线吸收率的导电材料作为导电部件1时，厚度要被设为0.1～1μm，以实现大于等于99.0％的放射线透过率。

金属薄膜一般具有高的光反射性。因此，存在穿过光电转换单元3的光被闪烁体4反射回的可能性。为了避免这一点，粘接剂可包含具有高的光吸收性的材料。通过真空蒸镀形成的导电膜的另一例子是包含Ti层和Al层的多层膜，该Ti层和Al层被形成为使得具有高的光吸收性的Ti层被设置在基板2的第二表面上并且Al层被设置在Ti层上。导电膜的又一例子是诸如ITO(铟锡氧化物)膜的透明导电膜。

通过柔性布线板6从电源电路向导电部件1供给固定电势，使得导电部件1用作电磁屏蔽。关于向其供给的固定电势，可以使用诸如地电势、供给到光电转换元件的电势、供给到读取电路的电势等的各种固定电势。为了供给地电势作为固定电势，导电部件1可与外封壳8或支撑基台9电连接，使得导电部件1实际上被供给地电势。

在本实施例中，在基板2的第二表面的全部区域上形成导电部件1。以这种方式，导电部件1与基板2的第二表面在其全部区域上紧密接触。在一个实施例中，导电部件1的区域比光电转换单元3的区域大。形成导电部件1的区域不限于上述的情况，可以在基板2的第二表面上形成导电部件1，使得导电部件1在大致等于光电转换单元3的区域的区域上扩展。不必完全覆盖基板2的整个第二表面。如图2A和图2B所示，可以以具有特定开口大小的网格的形状形成导电部件1。

图2A和图2B分别是其中导电部件1以具有方形开口的网格的形状形成的放射线检测装置的截面图和背视图。在图2A和图2B中，可根据要被阻挡的电磁噪声的频率适当地确定开口大小。例如，在要被阻挡的电磁噪声具有100GHz的频率的情况下，由于电磁噪声的波长为约3.0mm，因此，导电部件1的网格的开口大小(各开口的面积)可被设为1.5mm²，以实现足够高的屏蔽能力。考虑用于成像的X射线放射线具有1pm(1×10^-12m)～10nm(10×10^-9m)的范围中的波长。因此，如果以上述方式形成导电部件1，那么得到的导电部件1的对于放射线的吸收性和反射性可低。考虑到MTF，网格的开口的面积大小和间距可被设为等于像素的面积大小和间距或为其整数倍。

闪烁体4的反射层(在后面详细描述)可被供给与供给到导电部件1的电势相同的固定电势或地电势。这使得能够通过具有电磁屏蔽能力的元件基本完全覆盖设置在基板2的第一表面上的光电转换单元3。因此，不仅能够减少来自放射线源或其它外部装置的电磁噪声的影响，而且能够减少如下这样的电磁噪声的影响，该电磁噪声由于例如集成电路或导电部件1的漫反射而在放射线检测装置中产生并且到达基板2的放射线入射表面。

在该结构中，以与导电部件1的网格类似的方式，可根据要被阻挡的电磁噪声的频率适当地确定反射层和导电部件1之间的距离。由于导电部件1与基板2的第二表面紧密接触，因此，导电部件1和闪烁体4的反射层之间的距离可适当地为小。这使得能够实现更好的电磁屏蔽。此外，支撑基台9可被供给与供给到导电部件1的电势相同的固定电势或接地电势。

关于基板2，可以使用许多类型的基板，只要它们具有绝缘表面即可。具体的例子是诸如玻璃基板、石英基板、塑料基板等的绝缘基板、在其表面上设置有绝缘膜的绝缘基板。另一例子是在其表面上设置有绝缘膜的导电基板(诸如在其表面上设置有绝缘膜的单晶硅基板或金属基板)。关于基板2的材料，可以使用可通过减薄处理被容易地减薄的材料。

下面，参照图3A描述根据本发明的本实施例的放射线检测装置的等效电路。在根据本发明的本实施例的放射线检测装置中，在基板2的第一表面上设置包含以包含行和列的阵列的形式布置的多个像素101的光电转换单元3。

各像素101包含将放射线或光转换成电荷的光电转换元件104，和输出与由光电转换元件104产生的电荷对应的电信号的开关元件105。

在本实施例中，使用金属-绝缘体-半导体型(MIS型)光电转换元件作为各光电转换元件，并且，使用薄膜晶体管(TFT)作为各开关元件。

用于将放射线转换成可由光电转换元件检测的可见光的闪烁体4可被设置在光电转换元件的放射线入射侧。各光电转换元件104的第一电极103与相应的一个开关元件105的第一主电极电连接，并且，转换元件104的第二电极102与一个偏压线106电连接。各偏压线106共用地与布置于相应的一列中的光电转换元件104的第二电极102连接。各开关元件105的控制电极与一个驱动线107电连接，并且，开关元件105的第二主电极与一个信号线108电连接。各驱动线107共用地与布置于相应的行中的开关元件105的控制电极连接，并且，还通过相应的一个第一互连布线109与驱动电路110电连接。

驱动电路110被配置用于依次或同时向沿列方向布置的多个驱动线107供给驱动脉冲，由此与沿行方向布置的多个信号线108并行地以行为单位从像素输出电信号。各信号线108共用地与沿列方向布置的多个开关元件105的第二主电极电连接，并且还通过第二连接线111与读取电路112电连接。

读取电路112包含积分放大器113以及被配置用于采样和保持由积分放大器113提供的放大后的电信号的采样和保持电路，该积分放大器113对于相应的信号线108设置并被配置用于提供通过信号线108接收的电信号的积分和放大值。读取电路112还包含被配置为将从采样和保持电路并行输出的电信号转换成串行的电信号的多路复用器115，和被配置用于将输出的电信号转换成数字数据的模数转换器116。从电源电路119向读取电路112的非反相输入端子供给基准电势Vref。

电源电路119还通过共用偏压线117和第三连接线118与沿行方向布置的多个偏压线106电连接，以向各光电转换元件104的第二电极102供给偏压电势Vs或初始化电势Vr。

下面，参照图3A描述根据本实施例的放射线检测装置的操作。通过开关元件向转换元件104的第一电极103施加基准电势Vref，并且，向第二电极102施加偏压电势Vs，由此向转换元件104加偏压，使得MIS型光电转换元件的光电转换层被耗尽。在这种状态下，向处于检查的被检体发射的放射线穿过被检者，同时强度衰减，并且通过荧光部件(未示出)被转换成可见光。得到的可见光入射到光电转换元件上，并且被转换成电荷。

当开关元件105响应从驱动电路110施加到驱动线107的驱动脉冲而接通时，与该电荷对应的电信号在信号线108上被输出，并且，电信号通过读取电路112作为数字数据被读出。然后，偏压线106的电势从偏压电势Vs变为初始化电势Vr以接通开关元件105，由此从光电转换元件去除正或负残留载流子。然后，偏压线106的电势从初始化电势Vr变为偏压电势Vs，以完成转换元件104的初始化。

下面，参照图3B描述一个像素的截面结构。用作开关元件105的TFT包含在基板2的第一表面上形成的第一导电层201、第一绝缘层202、第一半导体层203、第一杂质半导体层204和第二导电层205。第一导电层201被用作TFT的控制电极(栅极电极)，并且，第一绝缘层202被用作TFT的栅极绝缘膜。第一半导体层203用作沟道，第一杂质半导体层204用作欧姆接触层，并且，第二导电层205用作TFT的第一或第二主电极(源极或漏极电极)。

在上层水平处，第二绝缘层206被设置作为层间绝缘层。关于第二绝缘层，可以使用有机绝缘膜、无机绝缘膜或它们的多层结构。更具体而言，可以使用包含用作覆盖TFT的钝化膜的无机绝缘膜和用作平坦化膜的有机绝缘膜的多层结构。

在第二绝缘层206上，形成光电转换元件104。光电转换元件104包含第三导电层207、第三绝缘层208、第二半导体层209、第二杂质半导体层210和第五导电层212。第三导电层207用作光电转换元件104的下电极(第一电极103)。第三绝缘层208用作用于阻挡产生的正和负载流子移动的完美的绝缘层。第二半导体层209用作将放射线或光转换成电荷的光电转换层。

第二杂质半导体层210用作阻挡正或负载流子移动的阻挡层。第五导电层212用作上电极(第二电极102)。第四导电层211用作偏压线106。

上电极(第二电极102)用于向整个转换元件104施加偏压电压，其中，偏压电压等于通过偏压线106供给的偏压电势Vs或初始化电势Vr与供给到第一电极103的基准电势Vref之间的差值。如上所述，开关元件105和光电转换元件104以层叠的方式被设置在基板2的第一表面上。

在进一步的上层水平处，设置与如同第二绝缘层206一样用作钝化膜和平坦化层两者的第四绝缘层213。通过上述这些元件形成一个像素。在包含诸如第一导电层和第四绝缘层213的上述的各种导电或绝缘层的多层结构中形成光电转换单元3。

闪烁体4被牢固地设置在光电转换单元3的第一表面上。闪烁体4包含荧光层214、荧光层保护层215、反射层216和支撑元件217。荧光层214用于将入射的放射线转换成具有在可由光电转换元件检测的范围中的波长的可见光。通过蒸镀在光电转换单元3的第一表面上形成荧光层214，或者，荧光层214通过粘接剂牢固地与光电转换单元3的第一表面接合。

荧光层保护层215用于保护荧光层214以使其不受水或冲击影响。荧光层保护层215可由有机树脂制成。反射层216用于沿向光电转换单元3的方向反射由荧光层214发射的可见光。反射层216可由对于放射线高度透明并且高度反射光的诸如铝的金属材料制成。反射层216可被施加固定的电势，使得它用作电磁屏蔽。

支撑元件217用于确保反射层216的高刚度并且保护荧光层214和反射层216。支撑元件217可以是诸如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)板的有机树脂片材。在基板2的第一表面之上形成反射层216，使得至少光电转换单元3被反射层216覆盖。在以上述的方式形成反射层216的该结构中，反射层216和位置与基板2的第二表面紧密接触的导电部件1之间的距离基本上由基板2的厚度给定，这增强了电磁屏蔽。

闪烁体4被固定于支撑基台9，使得闪烁体4的支撑元件217被设置于其上的表面与支撑基台9接触。下面，描述各种元件的厚度的具体例子。关于基板2，可以使用具有0.7mm的典型厚度的玻璃基板。开关元件105的厚度可以为约0.5μm，第二绝缘层206的厚度可以为约3.5μm，光电转换元件4的厚度可以为约1μm，并且，第四绝缘层213的厚度可以为约5μm。在这种情况下，光电转换单元3具有约10μm的总厚度。荧光层214的厚度可以为约400μm，荧光保护层215的厚度可以为约50μm，反射层216的厚度可以为约20μm，并且，支撑元件217的厚度可以为约10μm。在这种情况下，闪烁体4具有约500μm的总厚度。因此，在光电转换单元3周围的周边区域中导电部件1和反射层216之间的距离为约0.8mm。为了阻挡具有100GHz的频率的电磁噪声，距离要小于1.5mm，因此导电部件1和反射层216之间的距离的上述值小于该临界值。

因此，通过由导电部件1和反射层216提供的电磁屏蔽基本上完全覆盖光电转换单元3，因此实现良好的电磁屏蔽。

在导电部件1通过粘接剂被设置在基板2的第二表面上的情况下，包含粘接剂的厚度的总厚度可被设为小于临界值。通过以上述的方式将导电部件1设置为与基板2的第二表面紧密接触，能够抑制源自放射线源或外部装置并且到达基板2的放射线入射表面的电磁噪声的侵入。还能够抑制在放射线检测装置内产生并且到达基板2的放射线入射表面的电磁噪声的侵入。

第二实施例

以下参照图4A和图4B描述本发明的第二实施例。以下的描述将关注与上述的第一实施例的不同，并且，与根据第一实施例的那些机构或元件类似的结构或元件将被省略。

第一不同之处在于，基板2具有通过在基板2的第二表面上至少在设置光电转换单元3的区域中执行减薄处理而制成的绝缘表面。通过使用以上述的方式形成的基板2，能够在与光电转换单元3对应的区域中减少由基板2导致的放射线的衰减。可至少对于形成光电转换单元3的区域执行基板2的减薄处理，但是基板2的整个第二表面可经受减薄处理。

在减薄处理中，当使用玻璃基板作为基板2时，可以使用等离子干蚀刻或湿蚀刻。当使用这样的具有经减薄的绝缘表面的基板作为基板2时，可能必须考虑在导电部件1和通过基板2与导电部件1相对的导电层之间形成的电容。特别地，当经减薄的区域的厚度小于等于0.1mm时，必须考虑在第二导电层205和用作驱动线107或信号线108的第一导电层201之间形成的电容。

例如，导电部件1可形成为具有诸如图4B所示的图案的图案，以减少导电部件1和用作驱动线107的第一导电层201或用作信号线108的第二导电层205之间的电容。更具体而言，例如，导电部件1可被构图为使得导电部件1不具有通过基板2与用作信号线108的第二导电层205相对的部分，并且/或者，导电部件1可被构图为减小导电部件1的通过基板2与用作驱动线107的第一导电层相对的部分的大小。上述的构图是第二不同之处。

下面，参照图5A～5C描述根据本实施例的放射线检测装置的制造方法。首先，如图5A所示，通过使用已知的薄膜半导体制造技术在具有绝缘表面的基板2的第一表面上形成光电转换单元3。然后，通过使用已知的方法在光电转换单元3的第一表面上设置闪烁体4。

并且，通过使用已知的减薄处理减薄基板2的第二表面侧的预定区域，使得基板2具有图5B所示的截面形状。然后，以与第一实施例类似的方式在基板2的处理后的第二表面上形成要被用作导电部件1的导电材料的膜，并且，通过使用已知的薄膜半导体制造技术将该导电材料构图成图4B所示的图案，由此获得导电部件1。

然后，如图5C所示，通过柔性布线板6使印刷电路板7a和7b与基板2的周边区域连接。在本实施例中，基板2的周边区域不被减薄，从而周边区域具有足够大的厚度以确保高强度以允许执行连接。

由于以上述的方式在设置闪烁体4之后执行连接，因此，基板2的刚度被闪烁体4增强，因此，刚度足够高以允许执行连接。

然后，提供其中设置支撑基台9的外封壳8，并且，在外封壳8中放置基板2、光电转换单元3、闪烁体4、柔性布线板6以及印刷电路板7a和7b的集合，使得闪烁体4的第一表面被固定到支撑基台9，并使得印刷电路板7a和7b位于支撑基台9的第一表面侧。

然后，盖子5被设置在外封壳8的放射线入射侧，使得获得图4A所示的放射线检测装置。

注意，以上参照图5A～5C描述的制造过程不限于本实施例，其也可被应用于第一实施例。

通过使用上述的根据本实施例的结构，不仅实现了与在第一实施例中实现的优点类似的优点，而且还能够在不导致通过信号线108读取的信号的噪声增加的情况下抑制由于基板2的吸收导致的在与光电转换单元3对应的区域中入射到基板2上的放射线的衰减。因此，根据本实施例的放射线检测装置可具有比根据第一实施例可实现的敏感度高的敏感度。

第三实施例

以下参照图6描述使用根据本发明的实施例的放射线检测装置的放射线检测系统。由用作放射线源的X射线管6050产生的X射线6060穿过病人或被检者6061的身体部分(胸部)6062并且入射到放射线检测装置6040上，该放射线检测装置6040具有设置在光电转换单元3的第一表面上的闪烁体4。入射的X射线包含关于病人6061的身体内部的信息。响应入射的X射线，闪烁体4发射光。发射的光通过光电转换单元3被转换成电荷。电荷被转换成数字信号，并且通过用作信号处理单元的图像处理器6070被进行图像处理。在安装在控制室内的用作显示单元的显示器6080上显示得到的图像(获得的信息)。获得的信息可通过电话线6090等通过传输单元被传送到远程位置。信息可在安装在远程位置的医生室内的用作显示单元的显示器6081上被显示，或者，它可被存储在诸如光盘的存储介质中。这允许远程位置的医生进行诊断。该信息可通过用作记录单元的胶片处理器6100被记录于用作记录介质的胶片6110上。

虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有这样的变型和等同的结构和功能。

Claims (11)

1.一种放射线检测装置，包括：

闪烁体，被配置用于将入射的放射线转换成可见光，并且包含将放射线转换成能够由像素检测的光的荧光层和具有电磁屏蔽能力的元件；

光电转换单元，包含在基板上按二维阵列布置的多个像素，各像素被配置用于将通过闪烁体执行的转换得到的可见光转换成电信号；

导电部件，所述导电部件被供给固定电势，和

外壳，在所述外壳中至少设置基板、闪烁体和导电部件；

其中，所述导电部件、基板、光电转换单元和闪烁体在外壳内被依此顺序从放射线检测装置的放射线入射侧向其相反侧设置，并且所述光电转换单元设置在所述元件和所述导电部件之间。

2.根据权利要求1的放射线检测装置，

其中，光电转换单元被设置在基板的与放射线入射表面相反的表面上，并且，

导电部件被设置在基板的放射线入射表面上。

3.根据权利要求2的放射线检测装置，其中，导电部件被设置成使得导电部件至少部分地与基板的放射线入射表面接触，或者使得导电部件与基板的放射线入射表面接合。

4.根据权利要求3的放射线检测装置，

其中，所述元件包含被供给固定电势的金属材料层。

5.根据权利要求4的放射线检测装置，其中，所述金属材料层被供给与供给所述导电部件的固定电势相同的固定电势。

6.根据权利要求1的放射线检测装置，

其中，外壳包括包含支撑基台的外封壳和设置在外封壳的放射线入射侧的盖子，并且，

其中，闪烁体的与放射线入射表面相反的表面被固定于支撑基台。

7.根据权利要求6的放射线检测装置，还包括通过柔性布线板与基板的周边区域连接的印刷电路板，

其中，柔性布线板被设置在支撑基台的与放射线入射侧相反的一侧，并且，

其中，电源电路被设置在柔性布线板上，并且固定电势通过柔性布线板从电源电路被供给。

8.根据权利要求6的放射线检测装置，其中，导电部件与外封壳或支撑基台电连接。

9.根据权利要求1的放射线检测装置，其中，基板具有绝缘表面，所述绝缘表面通过在基板上从该基板的放射线入射侧至少在设置光电转换元件的区域中执行减薄处理而被形成。

10.根据权利要求9的放射线检测装置，其中，

多个像素中的每一个均包含光电转换元件和开关元件，

其中，放射线检测装置还包含设置在基板的与放射线入射表面相反的表面上的驱动线和信号线，驱动线与沿行方向布置的多个开关元件连接，信号线与沿列方向布置的多个开关元件连接，

在基板的放射线入射侧的表面上在至少包含设置光电转换单元的区域的区域中设置所述导电部件，使得没有导电部件被设置在与信号线相对的区域中，并且使得导电部件与驱动线相对的区域具有比其它区域小的宽度。

11.一种放射线检测系统，包括：

根据权利要求1的放射线检测装置；

被配置用于处理来自放射线检测装置的信号的信号处理单元；

被配置用于存储从信号处理单元供给的信号的存储单元；

被配置用于显示从信号处理单元供给的信号的显示单元；以及

被配置用于传输从信号处理单元供给的信号的传输单元。