JPH01184951A - イメージスキャナ - Google Patents
イメージスキャナInfo
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- JPH01184951A JPH01184951A JP63010078A JP1007888A JPH01184951A JP H01184951 A JPH01184951 A JP H01184951A JP 63010078 A JP63010078 A JP 63010078A JP 1007888 A JP1007888 A JP 1007888A JP H01184951 A JPH01184951 A JP H01184951A
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- pixel sensors
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Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、イメージスキャナに関する。より詳細には、
本発明は平坦な原稿表面に密着させて、原稿上の文字や
画像等に応じた電気信号を出力する密着型イメージスキ
ャナの新規な構成に関する。
本発明は平坦な原稿表面に密着させて、原稿上の文字や
画像等に応じた電気信号を出力する密着型イメージスキ
ャナの新規な構成に関する。
従来の技術
ここでイメージスキャナとは、被写体から離れた位置で
被写体の画像情報を得たり、画素に対応する光電半導体
のマトリックスを搭載した基板を原稿に密着させ、原稿
上の文字あるいは図柄のような図形情報を電気信号とし
て出力するイメージセンサを指している。このような、
イメージセンサは、ワードプロセッサあるいは民生用ビ
デオ機器等の近年普及の著しい情報処理装置に画像情報
を人力する手段として注目され、各種の情報処理装置の
大幅な普及と共にその利用分野も拡大している。
被写体の画像情報を得たり、画素に対応する光電半導体
のマトリックスを搭載した基板を原稿に密着させ、原稿
上の文字あるいは図柄のような図形情報を電気信号とし
て出力するイメージセンサを指している。このような、
イメージセンサは、ワードプロセッサあるいは民生用ビ
デオ機器等の近年普及の著しい情報処理装置に画像情報
を人力する手段として注目され、各種の情報処理装置の
大幅な普及と共にその利用分野も拡大している。
第２図は、従来公知のイメージスキャナの原稿読み取り
部の構成の１例を概略的に示す断面図である。即ち、イ
メージスキャナは、ガラス等の透明基板１上に複数の画
素センサ２のマトリックスを搭載して形成されている。
部の構成の１例を概略的に示す断面図である。即ち、イ
メージスキャナは、ガラス等の透明基板１上に複数の画
素センサ２のマトリックスを搭載して形成されている。
このイメージスキャナを、画素センサ２の受光部が原稿
に対面するように原稿４上に載置し、何らかの手段によ
って基板１の裏面から原稿４を照明すると、基板１を透
過して原稿４に照射された照明光は、原稿上の反射率に
応じて反射する。この反射光が、画素センサ２によって
電気信号に変換され、画像信号として出力される。
に対面するように原稿４上に載置し、何らかの手段によ
って基板１の裏面から原稿４を照明すると、基板１を透
過して原稿４に照射された照明光は、原稿上の反射率に
応じて反射する。この反射光が、画素センサ２によって
電気信号に変換され、画像信号として出力される。
尚、実際のイメージスキャナでは、入射した照明光が、
画素センサ２の直下の原稿表面にも照射されるように、
画素センサ２の表面を、所定の厚さの透明な保護層３に
よって被覆することが普通である。
画素センサ２の直下の原稿表面にも照射されるように、
画素センサ２の表面を、所定の厚さの透明な保護層３に
よって被覆することが普通である。
イメージスキャナとしては、第２図に示したようにレン
ズ系を設けることなく、原稿と略密着するものの他、レ
ンズ系を設けるなどして被写体から離れた位置で被写体
の画像等の情報を電気信号として出力するものがある。
ズ系を設けることなく、原稿と略密着するものの他、レ
ンズ系を設けるなどして被写体から離れた位置で被写体
の画像等の情報を電気信号として出力するものがある。
また、画素センサ２としては、Ｓｉ結晶を用いたＭＯＳ
型、ＣＣＤ型、あるいはＣｄＳ、 ａ −３ｉ等の半導
体薄膜を用いたものがある。また、画素センサの幾何学
的配列は１次元センサ（リニアセンサ）と２次元センサ
（エリアセンサ）とに分類され、更に２次元センサには
、原稿と同じ面積の画素センサマトリックスを備えて、
走査することなしに原稿の図形情報を取り込むことので
きるものもある。
型、ＣＣＤ型、あるいはＣｄＳ、 ａ −３ｉ等の半導
体薄膜を用いたものがある。また、画素センサの幾何学
的配列は１次元センサ（リニアセンサ）と２次元センサ
（エリアセンサ）とに分類され、更に２次元センサには
、原稿と同じ面積の画素センサマトリックスを備えて、
走査することなしに原稿の図形情報を取り込むことので
きるものもある。
発明が解決しようとする課題
ところで、イメージスキャナの画素センサの各々は、極
めて微小な光電半導体素子によって形成されており、各
画素が出力する電気信号は絶対的には非常に微弱なレベ
ルのものである。
めて微小な光電半導体素子によって形成されており、各
画素が出力する電気信号は絶対的には非常に微弱なレベ
ルのものである。
従って、画素の出力信号は、素子のスイッチングノイズ
等の内部雑音並びに光源用照明の変動あるいは電源回路
から侵入する雑音、更に空間電磁波等による外部雑音に
より大きく影響を受ける。
等の内部雑音並びに光源用照明の変動あるいは電源回路
から侵入する雑音、更に空間電磁波等による外部雑音に
より大きく影響を受ける。
殊に、近年、画素の細密化とイメージスキャナの長尺化
あるいは大画面化傾向により、また、精密な階調検出へ
の要求という点からも、これらの雑音による出力信号の
品質の劣化の低減は非常に重要な課題となっている。
あるいは大画面化傾向により、また、精密な階調検出へ
の要求という点からも、これらの雑音による出力信号の
品質の劣化の低減は非常に重要な課題となっている。
そこで、本発明の目的は、画像読み取りに際して生じる
ノイズの混入を防止して良好な画像信号を得ることので
きる新規な構成のイメージスキャナを提供することにあ
る。
ノイズの混入を防止して良好な画像信号を得ることので
きる新規な構成のイメージスキャナを提供することにあ
る。
課題を解決するための手段
即ち、本発明に従い、基板上に配列された複数の画素セ
ンサを備えるイメージスキャナであって、該画素センサ
が、該画素センサとは電気的に絶縁され、且つ接地され
た導電層によって覆われていることを特徴とするイメー
ジスキャナが提供される。
ンサを備えるイメージスキャナであって、該画素センサ
が、該画素センサとは電気的に絶縁され、且つ接地され
た導電層によって覆われていることを特徴とするイメー
ジスキャナが提供される。
作用
本発明に従うイメージスキャナは、画素を形成する光電
半導体層が、絶縁層を介して形成された接地した導電体
層によって覆われていることをその主要な特徴としてい
る。
半導体層が、絶縁層を介して形成された接地した導電体
層によって覆われていることをその主要な特徴としてい
る。
この導電体層は電磁波シールドとして動作するので、外
部からの雑音要因である空間電磁波等を有効に遮断する
。従って、本発明に従うイメージスキャナでは、非常に
雑音成分の少ない電気信号として画像情報が出力される
。
部からの雑音要因である空間電磁波等を有効に遮断する
。従って、本発明に従うイメージスキャナでは、非常に
雑音成分の少ない電気信号として画像情報が出力される
。
実施例
以下に添付の図面を参照にして本発明を詳述する。尚、
以下に説明するものは、本発明の実施例にすぎず、本発
明の技術的範囲を何ら制限するものではない。
以下に説明するものは、本発明の実施例にすぎず、本発
明の技術的範囲を何ら制限するものではない。
実施例１
第１図（ａ）は、本発明に従うイメージスキャナの読み
取り部の構成を示す断面図である。
取り部の構成を示す断面図である。
基板１上（第１図（ａ）では下面）に複数の画素センサ
２が設けられているという構造は、第２図に示した従来
のイメージスキャナと同じであるが、被写体から離れた
位置で被写体の画像の情報を電気信号として出力するも
のである。このイメージスキャナでは、更に、基板１の
画素センサ２が形成されていない側の面に、前面に亘っ
て導電体層５が設けられている。後述のように、基板１
はガラスを材料としており、画素センサ２と導電体層５
との間で絶縁体層としても機能している。
２が設けられているという構造は、第２図に示した従来
のイメージスキャナと同じであるが、被写体から離れた
位置で被写体の画像の情報を電気信号として出力するも
のである。このイメージスキャナでは、更に、基板１の
画素センサ２が形成されていない側の面に、前面に亘っ
て導電体層５が設けられている。後述のように、基板１
はガラスを材料としており、画素センサ２と導電体層５
との間で絶縁体層としても機能している。
このイメージスキャナは以下のようにして作製した。
まず、厚さ１ｍ［ｌ］の透明ガラス基板１上に、ａ −
３ｉのｐ−１−ｎ構造のフォトダイオード型の画素セン
サ２を形成した。ａ−３ｉは公知の５Ｉ８４ガスのグロ
ー放電分解法を用いて、基板温度２００℃にて形成し、
ｉ型層は不純物をドープせず、ｐ型層はＢを、ｎ型層に
はＰをそれぞれドープした。尚、ｐ型層の膜厚は５００
０人、ｉ型層およびｎ型層の膜厚はいずれも３００人と
した。
３ｉのｐ−１−ｎ構造のフォトダイオード型の画素セン
サ２を形成した。ａ−３ｉは公知の５Ｉ８４ガスのグロ
ー放電分解法を用いて、基板温度２００℃にて形成し、
ｉ型層は不純物をドープせず、ｐ型層はＢを、ｎ型層に
はＰをそれぞれドープした。尚、ｐ型層の膜厚は５００
０人、ｉ型層およびｎ型層の膜厚はいずれも３００人と
した。
各画素センサの寸法を１００ Ｘ １００μｍとして、
この半導体層上にＣｒ層を一般的なフォトリングラフィ
技術によってパターニングし、基板面からＣｒ／ａ −
３ｉ （ｐ −１−ｎ） ／ ＩＴＯ（透明電極）構造
のイメージスキャナとした。尚、実用上の配慮から、Ｉ
ＴＯ層上に、基板の全面に亘って５ｉｎ２による透明保
護膜３を形成した。
この半導体層上にＣｒ層を一般的なフォトリングラフィ
技術によってパターニングし、基板面からＣｒ／ａ −
３ｉ （ｐ −１−ｎ） ／ ＩＴＯ（透明電極）構造
のイメージスキャナとした。尚、実用上の配慮から、Ｉ
ＴＯ層上に、基板の全面に亘って５ｉｎ２による透明保
護膜３を形成した。
続いて、基板１の裏面、即ち画素センサの形成されてい
ない側の面の全面に亘り、導電体層５としてＡ１層を形
成し、これを接地した。
ない側の面の全面に亘り、導電体層５としてＡ１層を形
成し、これを接地した。
こうして完成したイメージスキャナは、全長２１０ｍｍ
の１次元センサである。
の１次元センサである。
実施例２
また、本発明の異なる実施例として、第１図ら）に示す
ようなイメージスキャナを作製した。
ようなイメージスキャナを作製した。
まず、透明ガラス基板１の片方の面に、第１図（ａ）に
示したイメージスキャナの作製と同様の方法で基板１上
に画素センサ２を搭載し、更に真空蒸着法により画素セ
ンサ上を厚さ１０μｍの５ＩＯ２の透明保護層３によ、
って覆った。 。
示したイメージスキャナの作製と同様の方法で基板１上
に画素センサ２を搭載し、更に真空蒸着法により画素セ
ンサ上を厚さ１０μｍの５ＩＯ２の透明保護層３によ、
って覆った。 。
続いて、この実施例では、第１図ら）に示すように、酸
化インジウム錫（ＩＴＯ）の導電体層５を、透明保護層
３の上に形成してこれを接地した。
化インジウム錫（ＩＴＯ）の導電体層５を、透明保護層
３の上に形成してこれを接地した。
更に、比較のために、上述の方法と同じ方法で、導電体
層を具備しない、即ち第２図に示した従来のイメージス
キャナと同じ構造のイメージスキャナを作製した。
層を具備しない、即ち第２図に示した従来のイメージス
キャナと同じ構造のイメージスキャナを作製した。
これら、第１図（ａ）に示した実施例１のイメージスキ
ャナと、第１図（ｂ）に示した実施例２のイメージスキ
ャナ並びに第２図に示した従来のイメージスキャナに、
それぞれ全く同じ構成の駆動回路を接続し、更に同じ信
号処理法（公知の蓄積動作）、光照射等の条件を揃えて
画像読み取りを行い、イメージスキャナとしての性能を
評価した。評価結果を第１表に示す。
ャナと、第１図（ｂ）に示した実施例２のイメージスキ
ャナ並びに第２図に示した従来のイメージスキャナに、
それぞれ全く同じ構成の駆動回路を接続し、更に同じ信
号処理法（公知の蓄積動作）、光照射等の条件を揃えて
画像読み取りを行い、イメージスキャナとしての性能を
評価した。評価結果を第１表に示す。
第１表
第１表にも示すように、導電層の設けられていない従来
のイメージスキャナの場合、原稿面の照明強度が１，０
００１Ｘの場合、２値では十分な画像信号が得られるが
、５００１Ｘでは２値でも原画像を識別できる画像信号
を得ることができなかった。
のイメージスキャナの場合、原稿面の照明強度が１，０
００１Ｘの場合、２値では十分な画像信号が得られるが
、５００１Ｘでは２値でも原画像を識別できる画像信号
を得ることができなかった。
これに対して、第１図（ａ）に示した実施例１の構造の
イメージスキャナでは、１．０００１Ｘでは１２段階の
階調が、また５００１Ｘでも８段階の階調を十分に識別
することができた。
イメージスキャナでは、１．０００１Ｘでは１２段階の
階調が、また５００１Ｘでも８段階の階調を十分に識別
することができた。
更に、第１図ら）に示した実施例２の構造のイメージス
キャナの場合は、１．０００ ｌｘでは１６段階の階調
が、また、５００１Ｘの照明強度でも１２段階の階調が
識別可能であり、極めて良好な画像信号が得られた。
キャナの場合は、１．０００ ｌｘでは１６段階の階調
が、また、５００１Ｘの照明強度でも１２段階の階調が
識別可能であり、極めて良好な画像信号が得られた。
尚、導電体層は、基板と画素センサとの間に配置しても
よく、また、２層の導電体層によって画素センサの層を
挾むように構成する場合には、更に高い雑音遮断効果が
期待される。
よく、また、２層の導電体層によって画素センサの層を
挾むように構成する場合には、更に高い雑音遮断効果が
期待される。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、イメージスキャナ
の画素センサを覆って形成した、接地した導電層を設け
ることにより、イメージスキャナ内外からの雑音が画素
センサの出力信号に混入することを極めて有効に減少で
きる。
の画素センサを覆って形成した、接地した導電層を設け
ることにより、イメージスキャナ内外からの雑音が画素
センサの出力信号に混入することを極めて有効に減少で
きる。
従って、イメージセンサによる画像の信号処理が良好と
なり、Ｓ／Ｎ比の高い鮮明な画信号を得ることができる
。
なり、Ｓ／Ｎ比の高い鮮明な画信号を得ることができる
。
第１図（ａ）は、本発明に従って作製されたイメージス
キャナの１実施例の構成を示す断面図であり、第１図（
ｂ）は、本発明に従って作製されたイメージスキャナの
他の実施例の構成を示す断面図であり、 第２図は、従来のイメージスキャナの構成を概略的に示
す断面図である。 〔主な参照番号〕 １・・・透明ガラス基板、 ２・・・画素センサ、 ３・・・透明保護膜、 ４・・・原稿、 ５・・・導電体層 特許出願人 住友電気工業株式会社 日本電信電話株式会社
キャナの１実施例の構成を示す断面図であり、第１図（
ｂ）は、本発明に従って作製されたイメージスキャナの
他の実施例の構成を示す断面図であり、 第２図は、従来のイメージスキャナの構成を概略的に示
す断面図である。 〔主な参照番号〕 １・・・透明ガラス基板、 ２・・・画素センサ、 ３・・・透明保護膜、 ４・・・原稿、 ５・・・導電体層 特許出願人 住友電気工業株式会社 日本電信電話株式会社
Claims (4)
- （１）基板上に配列された複数の画素センサを備えるイ
メージスキャナであって、該画素センサが、該画素セン
サとは電気的に絶縁され、且つ接地された導電層によっ
て覆われていることを特徴とするイメージスキャナ。 - （２）前記導電層が、上記基板の前記画素センサの形成
されていない側の面を覆う導電体層であることを特徴と
する第１請求項に記載のイメージスキャナ。 - （３）上記導電層が、上記基板上に形成されたイメージ
センサ上に、絶縁層を介して形成されている導電体層で
あることを特徴とする第１請求項に記載のイメージスキ
ャナ。 - （４）上記導電体層が、透明であることを特徴とする特
許請求の範囲請求項から第３請求項までの何れか１項に
記載のイメージスキャナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010078A JPH01184951A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | イメージスキャナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63010078A JPH01184951A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | イメージスキャナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184951A true JPH01184951A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11740321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63010078A Pending JPH01184951A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | イメージスキャナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184951A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006237772A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
| US7422382B2 (en) | 2005-02-16 | 2008-09-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Camera module |
| JP2012112726A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63010078A patent/JPH01184951A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7422382B2 (en) | 2005-02-16 | 2008-09-09 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Camera module |
| JP2006237772A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
| JP4687139B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2011-05-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
| JP2012112726A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
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