JPH06204445A - 光センサ及びそれを有する画像情報処理装置 - Google Patents
光センサ及びそれを有する画像情報処理装置Info
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- JPH06204445A JPH06204445A JP5015086A JP1508693A JPH06204445A JP H06204445 A JPH06204445 A JP H06204445A JP 5015086 A JP5015086 A JP 5015086A JP 1508693 A JP1508693 A JP 1508693A JP H06204445 A JPH06204445 A JP H06204445A
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- optical sensor
- light
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Abstract
(57)【要約】
本発明は非可視光領域の光信号を電気信号に変換する第
１の光電変換要素の上に可視光領域の光信号を電気信号
に変換する第２の光電変換素子を積層したことを特徴と
する光センサであり、これにより広い波長領域の光信号
を検出できる小型のセンサを提供できる。
１の光電変換要素の上に可視光領域の光信号を電気信号
に変換する第２の光電変換素子を積層したことを特徴と
する光センサであり、これにより広い波長領域の光信号
を検出できる小型のセンサを提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリ、イメー
ジスキャナー、複写機等の画像情報処理装置に用いられ
る光センサに関し、特に、可視光だけではなく非可視光
領域の光信号を電気信号に変換する光センサに関連す
る。
ジスキャナー、複写機等の画像情報処理装置に用いられ
る光センサに関し、特に、可視光だけではなく非可視光
領域の光信号を電気信号に変換する光センサに関連す
る。
【０００２】
【背景技術の説明】従来の光センサである固体撮像装置
としては、電荷結合素子（ＣＣＤ）型、ＭＯＳ型或いは
発明者大見忠弘及び田中信義に付与された米国特許第
４，７９１，４６９号の明細書に記載されている光トラ
ンジスタのエミッタに容量負荷を接続した増幅型の装置
が知られている。
としては、電荷結合素子（ＣＣＤ）型、ＭＯＳ型或いは
発明者大見忠弘及び田中信義に付与された米国特許第
４，７９１，４６９号の明細書に記載されている光トラ
ンジスタのエミッタに容量負荷を接続した増幅型の装置
が知られている。
【０００３】最近ではその用途も多様化しており、新し
い機能をもつ固体撮像装置が要求されている。
い機能をもつ固体撮像装置が要求されている。
【０００４】例えば、複写機の高画質化、カラー化に加
えて、目に見えない画像を認識し、それを再生し記録す
ることが要求されてきている。そのような画像即ち非可
視光画像としては例えば、赤外線を吸収する特性をもつ
インクで形成された画像等がある。
えて、目に見えない画像を認識し、それを再生し記録す
ることが要求されてきている。そのような画像即ち非可
視光画像としては例えば、赤外線を吸収する特性をもつ
インクで形成された画像等がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする技術課題】一般に非可視光を
検出するセンサは個別デバイスであり画像等の検出を、
可視光検出用のセンサと併せて用いるには何らかの新し
い設計思想が必要となる。
検出するセンサは個別デバイスであり画像等の検出を、
可視光検出用のセンサと併せて用いるには何らかの新し
い設計思想が必要となる。
【０００６】本発明者らは基本的な設計思想としてま
ず、可視光検出用のセンサと非可視光検出用のセンサと
をモノリシックに一つの半導体チップに収めるという技
術を見出した。
ず、可視光検出用のセンサと非可視光検出用のセンサと
をモノリシックに一つの半導体チップに収めるという技
術を見出した。
【０００７】しかしながら、上記技術には更なる改善の
余地が残されている。
余地が残されている。
【０００８】
【発明の目的】本発明の目的は、可視光から非可視光に
亘る広い波長領域の光信号を電気信号に変換することの
できる小型の光センサ及びそれを有する画像情報処理装
置を提供することにある。
亘る広い波長領域の光信号を電気信号に変換することの
できる小型の光センサ及びそれを有する画像情報処理装
置を提供することにある。
【０００９】上述した本発明の目的は、非可視光領域の
光信号を電気信号に変換する第１の光電変換要素の上に
可視光領域の光信号を電気信号に変換する第２の光電変
換要素を積層したことを特徴とする光センサ及び非可視
光領域の光信号を第１の電気信号に変換する第１の光電
変換要素の上に可視光領域の光信号を第２の電気信号に
変換する第２の光電変換要素を積層した光センサと、前
記第１の電気信号を基準信号を基に判別する判別手段
と、前記第２の電気信号に基づき画像を形成する画像形
成手段と、前記判別手段の出力に基づいて前記画像形成
手段の動作を制御する制御手段と、を具備することを特
徴とする画像情報処理装置により達成される。
光信号を電気信号に変換する第１の光電変換要素の上に
可視光領域の光信号を電気信号に変換する第２の光電変
換要素を積層したことを特徴とする光センサ及び非可視
光領域の光信号を第１の電気信号に変換する第１の光電
変換要素の上に可視光領域の光信号を第２の電気信号に
変換する第２の光電変換要素を積層した光センサと、前
記第１の電気信号を基準信号を基に判別する判別手段
と、前記第２の電気信号に基づき画像を形成する画像形
成手段と、前記判別手段の出力に基づいて前記画像形成
手段の動作を制御する制御手段と、を具備することを特
徴とする画像情報処理装置により達成される。
【００１０】
【作用】本発明によれば、非可視光に選択的な感度を持
つセンサ要素の上に、可視光に選択的な感度を持つセン
サ要素を形成することによって、特別な光学手段を用い
たり、あるいは、特殊な配置をすることなく同じ位置の
可視光信号と、非可視光信号を読取ることができる。
つセンサ要素の上に、可視光に選択的な感度を持つセン
サ要素を形成することによって、特別な光学手段を用い
たり、あるいは、特殊な配置をすることなく同じ位置の
可視光信号と、非可視光信号を読取ることができる。
【００１１】
【好適な実施態様の説明】本発明は可視光用の光電変換
要素（可視光センサ）と非可視光用の光電変換要素（非
可視光センサ）とを積層するものである。従って、非可
視光領域と可視光領域との広い範囲での光信号の検出を
行うことができ、小型で高性能な光センサが得られる。
要素（可視光センサ）と非可視光用の光電変換要素（非
可視光センサ）とを積層するものである。従って、非可
視光領域と可視光領域との広い範囲での光信号の検出を
行うことができ、小型で高性能な光センサが得られる。
【００１２】本発明の光電変換要素としては、ホトダイ
オードやホトトランジスタのような光起電力素子又は光
導電素子が好適に用いられる。そして、可視光領域の光
信号を電気信号に変換する光電変換要素としては、必要
な非可視光領域の光を透過し且つ可視光領域の光信号の
みを選択的に吸収することのできる材料からなる要素が
用いられる。
オードやホトトランジスタのような光起電力素子又は光
導電素子が好適に用いられる。そして、可視光領域の光
信号を電気信号に変換する光電変換要素としては、必要
な非可視光領域の光を透過し且つ可視光領域の光信号の
みを選択的に吸収することのできる材料からなる要素が
用いられる。
【００１３】具体的には、必要な非可視光を透過し、且
つ白黒信号を得るためには、可視光領域としての４００
ｎｍから７００ｎｍに亘る波長領域に選択的な感度をも
つように、要素の構成材料を選択する。また、可視光領
域のなかでも特定の領域の光信号を得るためには必要な
非可視光を透過し、且つその特定の領域とに選択的に感
度をもつ材料で要素を構成するか、非可視光領域と該特
定の領域との光を選択的に透過するフィルターを要素に
具備させる。
つ白黒信号を得るためには、可視光領域としての４００
ｎｍから７００ｎｍに亘る波長領域に選択的な感度をも
つように、要素の構成材料を選択する。また、可視光領
域のなかでも特定の領域の光信号を得るためには必要な
非可視光を透過し、且つその特定の領域とに選択的に感
度をもつ材料で要素を構成するか、非可視光領域と該特
定の領域との光を選択的に透過するフィルターを要素に
具備させる。
【００１４】そして、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、
青色（Ｂ）のようなカラー信号を得るためには、Ｒ領域
（例えば５８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域）に選択
的な感度をもつ要素（Ｒ要素）、Ｇ領域（例えば４８０
ｎｍから５８０ｎｍの波長領域）に選択的な感度をもつ
要素（Ｇ要素）及びＢ領域（例えば４００ｎｍから４８
０ｎｍの波長領域）に選択的な感度をもつ要素（Ｂ要
素）の複数の種類の要素を用いる。
青色（Ｂ）のようなカラー信号を得るためには、Ｒ領域
（例えば５８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域）に選択
的な感度をもつ要素（Ｒ要素）、Ｇ領域（例えば４８０
ｎｍから５８０ｎｍの波長領域）に選択的な感度をもつ
要素（Ｇ要素）及びＢ領域（例えば４００ｎｍから４８
０ｎｍの波長領域）に選択的な感度をもつ要素（Ｂ要
素）の複数の種類の要素を用いる。
【００１５】勿論この場合も、材料自体が上記Ｒ、Ｇ、
Ｂ各領域の光を選択的に吸収するもの、即ち、選択感度
をもつもので、且つ必要な非可視光を透過するもので各
要素を構成してもよいし、必要な非可視光を透過し且つ
Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての領域に感度をもつ要素に必要な可視
光を透過し各Ｒ、Ｇ、Ｂ領域の光をそれぞれ選択的に透
過するフィルターを具備させて各要素を構成する。
Ｂ各領域の光を選択的に吸収するもの、即ち、選択感度
をもつもので、且つ必要な非可視光を透過するもので各
要素を構成してもよいし、必要な非可視光を透過し且つ
Ｒ、Ｇ、Ｂの全ての領域に感度をもつ要素に必要な可視
光を透過し各Ｒ、Ｇ、Ｂ領域の光をそれぞれ選択的に透
過するフィルターを具備させて各要素を構成する。
【００１６】一方非可視光領域の光信号を電気信号に変
換する光電変換要素としては、例えば紫外線又は赤外線
に対して選択的な感度をもつ要素が用いられる。この場
合も、材料自体が非可視光領域の光に対して選択的な感
度を持つもので要素を構成する。
換する光電変換要素としては、例えば紫外線又は赤外線
に対して選択的な感度をもつ要素が用いられる。この場
合も、材料自体が非可視光領域の光に対して選択的な感
度を持つもので要素を構成する。
【００１７】又、本発明における、可視光領域、非可視
光領域又はＲ、Ｇ、Ｂの各波長領域は、波長の値によっ
て明確に区別されるものではなく、本発明に用いられる
光電変換要素は必要な各信号を得るために紫外、青色、
緑色、赤色、赤外各光を必要な量だけ光電変換し、不要
な光を実質的に光電変換しないように構成されていれば
よい。
光領域又はＲ、Ｇ、Ｂの各波長領域は、波長の値によっ
て明確に区別されるものではなく、本発明に用いられる
光電変換要素は必要な各信号を得るために紫外、青色、
緑色、赤色、赤外各光を必要な量だけ光電変換し、不要
な光を実質的に光電変換しないように構成されていれば
よい。
【００１８】本発明の光センサは、光電変換要素を周期
的に配列してカラーラインセンサ又はカラーエリアセン
サを構成することができる。好ましくは、カラー信号と
しての解像度における１画素がそれぞれＲ領域に選択的
な感度を有する要素（Ｒ要素）、Ｇ領域に選択的な感度
を有する要素（Ｇ要素）、Ｂ領域に選択的な感度を有す
る要素（Ｂ要素）を含むように構成する。
的に配列してカラーラインセンサ又はカラーエリアセン
サを構成することができる。好ましくは、カラー信号と
しての解像度における１画素がそれぞれＲ領域に選択的
な感度を有する要素（Ｒ要素）、Ｇ領域に選択的な感度
を有する要素（Ｇ要素）、Ｂ領域に選択的な感度を有す
る要素（Ｂ要素）を含むように構成する。
【００１９】検出すべき光信号を発生するものとして
は、３次元映像又は２次元像があり、２次元像の代表的
な例は原稿などの平面画像である。従って原稿の画像を
読み取るようなシステムに用いる場合には原稿面を照明
するための照明手段を設けることが望ましい。このよう
な照明手段としては、発光ダイオードやキセノンラン
プ、ハロゲンランプ等の光源がある。光源としては検出
すべき光信号に応じて必要な波長領域の光を発生するも
のであればよい。
は、３次元映像又は２次元像があり、２次元像の代表的
な例は原稿などの平面画像である。従って原稿の画像を
読み取るようなシステムに用いる場合には原稿面を照明
するための照明手段を設けることが望ましい。このよう
な照明手段としては、発光ダイオードやキセノンラン
プ、ハロゲンランプ等の光源がある。光源としては検出
すべき光信号に応じて必要な波長領域の光を発生するも
のであればよい。
【００２０】
【実施例】（実施例１）図１は本実施例１による光セン
サのある１方向からみた模式的断面図、図２は該センサ
の図１のＸＸ′線による断面に対応した模式的断面図、
図３は該センサの回路図である。
サのある１方向からみた模式的断面図、図２は該センサ
の図１のＸＸ′線による断面に対応した模式的断面図、
図３は該センサの回路図である。
【００２１】図１は特にＲ要素、Ｇ要素、Ｂ要素、ＩＲ
要素を示しており、Ｎ型Ｓｉ型基板１上にＰ型半導体層
２、ｎ型半導体層４とを配しており、ここで赤外光を検
知する。
要素を示しており、Ｎ型Ｓｉ型基板１上にＰ型半導体層
２、ｎ型半導体層４とを配しており、ここで赤外光を検
知する。
【００２２】その上には薄い絶縁膜５、層間絶縁膜７、
９を介してＴｉ等の画像電極１０が設けられている。そ
の上にはＲ、Ｇ、Ｂ各要素共通の非単結晶半導体層とし
てのａ−Ｓｉ層１１、Ｐ型Ｓｉ層１２、ＩＴＯ等の透明
電極１３が設けられ、ここで可視光を検知する。特にカ
ラーフィルター１４が選択的に設けられることにより、
Ｒ要素、Ｇ要素、Ｂ要素が並んで配置されている。又、
１５は必要に応じて設けられる遠赤外線カットフィルタ
ーである。 詳しくは、可視光はＩＴＯ１３／ｐ−ａ−
Ｓｉ１２／ａ−Ｓｉ１１／Ｔｉ１０の積層型Ｐｉショッ
トキー型フォトダイオードで受光され、
９を介してＴｉ等の画像電極１０が設けられている。そ
の上にはＲ、Ｇ、Ｂ各要素共通の非単結晶半導体層とし
てのａ−Ｓｉ層１１、Ｐ型Ｓｉ層１２、ＩＴＯ等の透明
電極１３が設けられ、ここで可視光を検知する。特にカ
ラーフィルター１４が選択的に設けられることにより、
Ｒ要素、Ｇ要素、Ｂ要素が並んで配置されている。又、
１５は必要に応じて設けられる遠赤外線カットフィルタ
ーである。 詳しくは、可視光はＩＴＯ１３／ｐ−ａ−
Ｓｉ１２／ａ−Ｓｉ１１／Ｔｉ１０の積層型Ｐｉショッ
トキー型フォトダイオードで受光され、
【００２３】
【外１】 Ｔｉ１０の厚さは１５０Å程とし、この厚さのＴｉの赤
外光透過率を３０〜５０％程に設計する。赤外光は単結
晶Ｓｉ ＰＮ（２，４）ダイオードで受光する。ｓ−Ｓ
ｉ１１の厚さは
外光透過率を３０〜５０％程に設計する。赤外光は単結
晶Ｓｉ ＰＮ（２，４）ダイオードで受光する。ｓ−Ｓ
ｉ１１の厚さは
【００２４】
【外２】 より好ましくは５０００Å〜１μｍとする。個別電極は
Ｔｉ以外にもＷｏｒｋＦｕｎｏの小さいものならよい。
例えば、Ｃｒ，Ｔａなどである。厚さは赤外光検出が充
分できる透過率（上限）、抵抗（下限）から決定され
る。
Ｔｉ以外にもＷｏｒｋＦｕｎｏの小さいものならよい。
例えば、Ｃｒ，Ｔａなどである。厚さは赤外光検出が充
分できる透過率（上限）、抵抗（下限）から決定され
る。
【００２５】可視光と赤外光とから得られた電気信号は
個別のスイッチ素子であるトランジスタＱNR、ＱNG、Ｑ
NB及びＱNIR によりアンプＡＭ１、ＡＭ２を介して外部
に出力信号Ｖ１、Ｖ２として出力される。
個別のスイッチ素子であるトランジスタＱNR、ＱNG、Ｑ
NB及びＱNIR によりアンプＡＭ１、ＡＭ２を介して外部
に出力信号Ｖ１、Ｖ２として出力される。
【００２６】トランジスタＱNRはＰウエル２１、ソース
及びドレイン２２、２３及びゲート２４、ソース・ドレ
イン電極２５、２６を有している。
及びドレイン２２、２３及びゲート２４、ソース・ドレ
イン電極２５、２６を有している。
【００２７】一方、トランジスタＱNIR はソース・ドレ
イン４、３１、ゲート６を有しており、他のトランジス
タＱNG、ＱNBもＱNRと同じ構成である。
イン４、３１、ゲート６を有しており、他のトランジス
タＱNG、ＱNBもＱNRと同じ構成である。
【００２８】可視光及び赤外光を含む光信号（Ｒ信号、
Ｇ信号、Ｂ信号、ＩＲ信号）がセンサの受光部に照射さ
れると、可視光に基づく電気信号がホトダイオードＰ
R 、ＰG 、ＰB で発生し、赤外光に基づく電気信号がホ
トダイオードＰIRで発生する。シフトトランジスタＳＲ
２よりトランジスタＱNR、ＱNG、ＱNBを順次オンするパ
ルス列φR 、φG 、φB が出力されて共通ラインＬ２上
にＲ、Ｇ、Ｂ信号がシリアルに出力される。一方、シフ
トレジスタＳＲ１よりパルスφIRが出力されてＩＲ信号
が共通ラインＬ１上に出力される。
Ｇ信号、Ｂ信号、ＩＲ信号）がセンサの受光部に照射さ
れると、可視光に基づく電気信号がホトダイオードＰ
R 、ＰG 、ＰB で発生し、赤外光に基づく電気信号がホ
トダイオードＰIRで発生する。シフトトランジスタＳＲ
２よりトランジスタＱNR、ＱNG、ＱNBを順次オンするパ
ルス列φR 、φG 、φB が出力されて共通ラインＬ２上
にＲ、Ｇ、Ｂ信号がシリアルに出力される。一方、シフ
トレジスタＳＲ１よりパルスφIRが出力されてＩＲ信号
が共通ラインＬ１上に出力される。
【００２９】このようにシリアルな可視光信号と独立し
て赤外光信号が得られるので、例えば赤外光と可視光と
の光学的ＭＴＦが異なるような場合に独立した処理を行
える。
て赤外光信号が得られるので、例えば赤外光と可視光と
の光学的ＭＴＦが異なるような場合に独立した処理を行
える。
【００３０】図４は本発明の光センサの駆動方式の別の
例であり、各光信号に基づいた４つの信号は同時に４つ
のラインにパラレルに出力信号ＶR 、ＶG 、ＶB 、ＶIR
として出力される。これにより、４つの信号を高速で読
み出すことができる。図５は別の例であり、各光信号に
基づいた４つの信号は時系列的にシリアルに読み出され
る。これは、光センサの小型化をより一層進める場合に
有効な回路である。
例であり、各光信号に基づいた４つの信号は同時に４つ
のラインにパラレルに出力信号ＶR 、ＶG 、ＶB 、ＶIR
として出力される。これにより、４つの信号を高速で読
み出すことができる。図５は別の例であり、各光信号に
基づいた４つの信号は時系列的にシリアルに読み出され
る。これは、光センサの小型化をより一層進める場合に
有効な回路である。
【００３１】（製造方法）Ｎ型単結晶Ｓｉウエハを基板
１として用意し、その上にエピタキシャル層を形成す
る。ここにイオン注入と熱処理とを行い、トランジスタ
ＱのＰウエル２１とＩＲ用ホトダイオードのカソード２
とを形成する。又、導入する不純物を変えて分離領域３
を形成することにより、可視光信号とＩＲ信号とのクロ
ストーク及びＩＲ信号のオーバーフローによるブルーミ
ングを防止する。
１として用意し、その上にエピタキシャル層を形成す
る。ここにイオン注入と熱処理とを行い、トランジスタ
ＱのＰウエル２１とＩＲ用ホトダイオードのカソード２
とを形成する。又、導入する不純物を変えて分離領域３
を形成することにより、可視光信号とＩＲ信号とのクロ
ストーク及びＩＲ信号のオーバーフローによるブルーミ
ングを防止する。
【００３２】ゲート絶縁膜用のＳｉＯ2 からなる薄い絶
縁膜５を形成後、ポリシリコンからなるゲート６、２４
を形成し、その後イオン注入によりソース・ドレイン２
２、２３、４、３１を形成する。こうすればゲート端と
ソース・ドレイン端は自己整合する。
縁膜５を形成後、ポリシリコンからなるゲート６、２４
を形成し、その後イオン注入によりソース・ドレイン２
２、２３、４、３１を形成する。こうすればゲート端と
ソース・ドレイン端は自己整合する。
【００３３】その後各電極２５、２６、８や層間絶縁膜
７、９を形成する。
７、９を形成する。
【００３４】次に可視光用のフォトダイオードをＩＲ用
ダイオードの上に形成する。まず、Ｔｉをスパッタリン
グしてから個別電極形状にパターニングする。次いで、
可視光を充分に吸収し、赤外光を透過するに充分な半導
体光電変換膜としての水素化ａ−Ｓｉグロー放電法によ
りを形成する。代表的な条件は以下の通り。
ダイオードの上に形成する。まず、Ｔｉをスパッタリン
グしてから個別電極形状にパターニングする。次いで、
可視光を充分に吸収し、赤外光を透過するに充分な半導
体光電変換膜としての水素化ａ−Ｓｉグロー放電法によ
りを形成する。代表的な条件は以下の通り。
【００３５】 ガス組成 ＳｉＨ4 ：１０ｓｃｃｍ，Ｈ2 ：５０ｓｃｃ
ｍ 圧力 ０．１Ｔｏｒｒ ＲＦパワー １０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） 基板温度 ２５０℃ 堆積速度 １．１Å／ｓｅｃ このようにして得られたａ−Ｓｉ膜はハンドギャップが
１．７３ｅＶ、暗導電率が６．１×１０-12ｓ／ｃｍと
なる。
ｍ 圧力 ０．１Ｔｏｒｒ ＲＦパワー １０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ） 基板温度 ２５０℃ 堆積速度 １．１Å／ｓｅｃ このようにして得られたａ−Ｓｉ膜はハンドギャップが
１．７３ｅＶ、暗導電率が６．１×１０-12ｓ／ｃｍと
なる。
【００３６】又、こうして得られたａ−Ｓｉ膜の分光特
性を単結晶Ｓｉのものと比べて図６に示す。次にＳｉＨ
4 とＨ2 に加えて、Ｂ2 Ｈ6 又はＢＦ3 を加えて非単結
晶のｐ型Ｓｉ膜１２を形成する。
性を単結晶Ｓｉのものと比べて図６に示す。次にＳｉＨ
4 とＨ2 に加えて、Ｂ2 Ｈ6 又はＢＦ3 を加えて非単結
晶のｐ型Ｓｉ膜１２を形成する。
【００３７】後は、ＩＴＯ１３を形成した後、カラーフ
ィルター１４をのせて光センサが完成する。
ィルター１４をのせて光センサが完成する。
【００３８】図７に上記ａ−Ｓｉ膜１１の透過率を遠赤
外カットフィルタ１５の特性と共に示す。図中斜線部の
光が下方にあるＩＲ用フォトダイオードに入射すること
になる。
外カットフィルタ１５の特性と共に示す。図中斜線部の
光が下方にあるＩＲ用フォトダイオードに入射すること
になる。
【００３９】（実施例２）本実施例は前述した実施例の
変形例であり、個別電極１０の材料を除く、他の構成は
全て同じである。
変形例であり、個別電極１０の材料を除く、他の構成は
全て同じである。
【００４０】本例ではＴｉに代えて非単結晶としてのｎ
型シリコン膜を電極材料として用いている。
型シリコン膜を電極材料として用いている。
【００４１】本例によれば可視用フォトダイオードがＰ
ＩＮ構成となり、暗電流がより一層低減されるのに加
え、個別電極１０によって赤外光が反射されたり吸収さ
れたりする量が減り、ＩＲ信号の感度向上に有効であ
る。
ＩＮ構成となり、暗電流がより一層低減されるのに加
え、個別電極１０によって赤外光が反射されたり吸収さ
れたりする量が減り、ＩＲ信号の感度向上に有効であ
る。
【００４２】（実施例３）本例は実施例１の変形例であ
り、個別電極１０とａ−Ｓｉ層１１との間にｎ型シリコ
ン層１６を個別に設けたものである。
り、個別電極１０とａ−Ｓｉ層１１との間にｎ型シリコ
ン層１６を個別に設けたものである。
【００４３】その他の構成は実施例１と同じである。
【００４４】（実施例４）本例は実施例１の変形例であ
り、個別電極とａ−Ｓｉ層１１との間に非晶質炭化シリ
コン（ａ−ＳｉＣ）層１０を全面に設けたものである。
このａ−ＳｉＣ層としてはバンドギャップが２．１ｅＶ
のものを厚み５００Å程として形成される。
り、個別電極とａ−Ｓｉ層１１との間に非晶質炭化シリ
コン（ａ−ＳｉＣ）層１０を全面に設けたものである。
このａ−ＳｉＣ層としてはバンドギャップが２．１ｅＶ
のものを厚み５００Å程として形成される。
【００４５】本例によれば横方向の光電変換要素間の分
離特性が向上し、クロストークが抑制される。
離特性が向上し、クロストークが抑制される。
【００４６】その他の構成は実施例１と同じである。
【００４７】（実施例５）本実施例は実施例１における
トランジスタＱNR、ＱNG、ＱNB、ＱNIR を全てｎＭＯＳ
トランジスタからバイポーラトランジスタに置き換えた
ものである。即ち、可視光用センサとしてａ−Ｓｉホト
ダイオードを用い、赤外光用センサとしてｎｐｎバイポ
ーラトランジスタのベースに光キャリアを蓄積し、エミ
ッタに接続された容量負荷に電圧としてＩＲ信号を読み
出す。
トランジスタＱNR、ＱNG、ＱNB、ＱNIR を全てｎＭＯＳ
トランジスタからバイポーラトランジスタに置き換えた
ものである。即ち、可視光用センサとしてａ−Ｓｉホト
ダイオードを用い、赤外光用センサとしてｎｐｎバイポ
ーラトランジスタのベースに光キャリアを蓄積し、エミ
ッタに接続された容量負荷に電圧としてＩＲ信号を読み
出す。
【００４８】本例の回路図を図１２に示す。
【００４９】（実施例６）図１３は実施例５による光セ
ンサの回路構成を変形したものである。
ンサの回路構成を変形したものである。
【００５０】各信号はバイポーラトランジスタＴR 、Ｔ
G 、ＴB 、ＴIRのベースに蓄積される。そして、パルス
φT によりトランジスタＱT がオンすると増幅された信
号が容量負荷ＣTに電圧として読み出される。その後は
シフトレジスタＳＲによりトランジスタＱT2が同時にオ
ンして、各信号がパラレルに出力信号ＶR 、ＶG 、Ｖ
B 、ＶIRとして出力される。
G 、ＴB 、ＴIRのベースに蓄積される。そして、パルス
φT によりトランジスタＱT がオンすると増幅された信
号が容量負荷ＣTに電圧として読み出される。その後は
シフトレジスタＳＲによりトランジスタＱT2が同時にオ
ンして、各信号がパラレルに出力信号ＶR 、ＶG 、Ｖ
B 、ＶIRとして出力される。
【００５１】トランジスタＱPR、ＱPG、ＱPB、ＱPIR 及
びトランジスタＱERはリセット用のトランジスタ、φ
T 、φER、φBRはパルス源、ＶER、ＶBR、ＶSS、ＶCCは
基準電圧源である。
びトランジスタＱERはリセット用のトランジスタ、φ
T 、φER、φBRはパルス源、ＶER、ＶBR、ＶSS、ＶCCは
基準電圧源である。
【００５２】（実施例７）図４は実施例７による光セン
サの模式的断面図である。各符号で示される構成要素は
前述したものと同じである。異なる点はＩＲ用のダイオ
ード（２、４）を３つの可視光用の要素のうち１つの下
にのみ形成し、残る両隣りの部分を素子分離領域３とし
た点である。これによりＩＲ光電変換要素（２、４）間
に大きな素子分離領域が介在するのでＩＲ信号のクロス
トークがより一層良好に抑えられる。
サの模式的断面図である。各符号で示される構成要素は
前述したものと同じである。異なる点はＩＲ用のダイオ
ード（２、４）を３つの可視光用の要素のうち１つの下
にのみ形成し、残る両隣りの部分を素子分離領域３とし
た点である。これによりＩＲ光電変換要素（２、４）間
に大きな素子分離領域が介在するのでＩＲ信号のクロス
トークがより一層良好に抑えられる。
【００５３】（実施例８）図１５は本実施例による光セ
ンサを示す模式的断面図である。
ンサを示す模式的断面図である。
【００５４】非可視光である赤外光（ＩＲ）センサとし
ては基板１０１上に設けられた、電極１０２、バンドギ
ャップが１．４０〜１．４８ｅＶ程のアモルファスシリ
コンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ）層１０３、Ｐ型シリ
コン層１０４及び透明電極１０５からなるフォトダイオ
ードを用いている。
ては基板１０１上に設けられた、電極１０２、バンドギ
ャップが１．４０〜１．４８ｅＶ程のアモルファスシリ
コンゲルマニウム（ａ−ＳｉＧｅ）層１０３、Ｐ型シリ
コン層１０４及び透明電極１０５からなるフォトダイオ
ードを用いている。
【００５５】一方、可視光センサとしては絶縁膜１０６
上に設けられた個別電極１０７、バンドギャップが１．
６５〜１．８０ｅＶ程のａ−Ｓｉ層１０８、Ｐ型シリコ
ン層１０９及び透明電極１１０からなるフォトダイオー
ドを用いている。
上に設けられた個別電極１０７、バンドギャップが１．
６５〜１．８０ｅＶ程のａ−Ｓｉ層１０８、Ｐ型シリコ
ン層１０９及び透明電極１１０からなるフォトダイオー
ドを用いている。
【００５６】図１６は本例の光センサの感度分布を示す
ものであり、ａに示す特性がバンドギャップが１．７２
ｅＶのａ−Ｓｉ層、ｂに示す特性がバンドギャップが
１．４８ｅＶのａ−ＳｉＧｅ層、破線Ｃがバンドギャッ
プ１．４０ｅＶのａ−ＳｉＧｅ層の特性を示している。
ものであり、ａに示す特性がバンドギャップが１．７２
ｅＶのａ−Ｓｉ層、ｂに示す特性がバンドギャップが
１．４８ｅＶのａ−ＳｉＧｅ層、破線Ｃがバンドギャッ
プ１．４０ｅＶのａ−ＳｉＧｅ層の特性を示している。
【００５７】このように半導体の構成材料を変えること
により、積層型のセンサを構成することができる。
により、積層型のセンサを構成することができる。
【００５８】（実施例９）本実施例９は前出の図１４に
示した光センサのうち可視光センサであるフォトダイオ
ード（１０、１１、１２、１３）の部分をアバランシェ
ホトダイオード（ＡＰＤ）に置換したものである。
示した光センサのうち可視光センサであるフォトダイオ
ード（１０、１１、１２、１３）の部分をアバランシェ
ホトダイオード（ＡＰＤ）に置換したものである。
【００５９】その断面を図１７に示す。
【００６０】この例ではＡＰＤとして光吸収層１１とキ
ャリア増倍層１１１、１１２、１１３、１１４とを機能
的に分離した積層構造をもつものである。
ャリア増倍層１１１、１１２、１１３、１１４とを機能
的に分離した積層構造をもつものである。
【００６１】１１５はキャリアの反対方向への注入を防
止し、可視光がそれより下方に入射しないように設けら
れた遮光兼ブロッキング層である。
止し、可視光がそれより下方に入射しないように設けら
れた遮光兼ブロッキング層である。
【００６２】層１１１〜１１４はそれぞれバンドギャッ
プが下側から上側に向かって連続的に小さくなっている
アモルファス半導体層であり、ａ−ＳｉｘＧｅｙＣｚの
組成比ｘ：ｙ：ｚを適宜変更することにより構成されて
いる。この部分では、伝導帯又は価電子帯のいずれか一
方に主たるエネルギー差が生じており該エネルギー差に
よって各層１１１〜１１４の界面近傍において、電子又
は正孔のイオン化が生じる。
プが下側から上側に向かって連続的に小さくなっている
アモルファス半導体層であり、ａ−ＳｉｘＧｅｙＣｚの
組成比ｘ：ｙ：ｚを適宜変更することにより構成されて
いる。この部分では、伝導帯又は価電子帯のいずれか一
方に主たるエネルギー差が生じており該エネルギー差に
よって各層１１１〜１１４の界面近傍において、電子又
は正孔のイオン化が生じる。
【００６３】図１に本発明の光センサを有する画像情報
処理装置のブロック図を示す。
処理装置のブロック図を示す。
【００６４】光センサ１００２は原稿のほぼ同一点をそ
れぞれＲ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）、
それに加え約１０００ｎｍ付近に感度を有する赤外成分
に分解して４００ｄｐｉの画素密度で読み取る。
れぞれＲ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）、
それに加え約１０００ｎｍ付近に感度を有する赤外成分
に分解して４００ｄｐｉの画素密度で読み取る。
【００６５】該センサー出力は白色板及び赤外光基準板
を用いて、いわゆるシェーディング補正を施され、各８
ｂｉｔの画像信号として識別部１００１及び画像処理部
１００３に入力される。画像処理部１００３は一般のカ
ラー複写機で行われる変倍、マスキング、ＯＣＲ等の処
理を行い記録信号であるＣ、Ｍ、Ｙ、Ｋの４色信号を生
成する。
を用いて、いわゆるシェーディング補正を施され、各８
ｂｉｔの画像信号として識別部１００１及び画像処理部
１００３に入力される。画像処理部１００３は一般のカ
ラー複写機で行われる変倍、マスキング、ＯＣＲ等の処
理を行い記録信号であるＣ、Ｍ、Ｙ、Ｋの４色信号を生
成する。
【００６６】一方識別部１００１では本発明の特徴とす
る原稿中の特定パターンの検出を行い、その結果を記録
制御部１００４に出力して必要に応じて、特定色による
ぬりつぶり等、記録信号に加工を加えて記録部１００５
で記録紙上に記録し、あるいは記録動作を中止するなど
により忠実な画像再生を禁止する。
る原稿中の特定パターンの検出を行い、その結果を記録
制御部１００４に出力して必要に応じて、特定色による
ぬりつぶり等、記録信号に加工を加えて記録部１００５
で記録紙上に記録し、あるいは記録動作を中止するなど
により忠実な画像再生を禁止する。
【００６７】次に本発明で検出しようとする画像パター
ンについて図１９、図２０を用いて概説する。
ンについて図１９、図２０を用いて概説する。
【００６８】図１９は、可視領域ではほぼ透過し、８０
０ｎｍ付近の赤外光を吸収する透明色素の分光特性を示
しており、例えば三井東圧化学（株）のＳＩＲ−１５９
等が代表的である。
０ｎｍ付近の赤外光を吸収する透明色素の分光特性を示
しており、例えば三井東圧化学（株）のＳＩＲ−１５９
等が代表的である。
【００６９】図２０は上記透明赤外吸収色素で構成され
る透明インクを用いて作られたパターン例である。すな
わち、ある特定の、すなわち赤外光を反射するインクａ
で記録された三角形のパターンの上に１辺が約１２０μ
ｍの正方形の徴小パターンｂを上記透明インクを用いて
印刷してある。同パターンは図で示す様に可視域ではほ
とんど同色であるためｂのパターンは人の目では識別不
能であるが、赤外域において検出が可能となる。尚以後
の説明のために１例として約１２０μｍ□のパターンを
図示したが、４００ｄｐｉでこのｂの領域を読めば図示
するごとく約４画素の大きさとなる。尚該パターンの形
成法は、この例に限定されるものではない。
る透明インクを用いて作られたパターン例である。すな
わち、ある特定の、すなわち赤外光を反射するインクａ
で記録された三角形のパターンの上に１辺が約１２０μ
ｍの正方形の徴小パターンｂを上記透明インクを用いて
印刷してある。同パターンは図で示す様に可視域ではほ
とんど同色であるためｂのパターンは人の目では識別不
能であるが、赤外域において検出が可能となる。尚以後
の説明のために１例として約１２０μｍ□のパターンを
図示したが、４００ｄｐｉでこのｂの領域を読めば図示
するごとく約４画素の大きさとなる。尚該パターンの形
成法は、この例に限定されるものではない。
【００７０】図２１を用いてさらに図１８の識別部１０
０１の詳細について説明する。図２１の１０−１〜１０
−４はＦｉＦｏで構成される画像データ遅延部であり、
それぞれ３２ｂｉｔ（８ｂｉｔ×４成分）の画像データ
を１ライン分づつ遅延する。
０１の詳細について説明する。図２１の１０−１〜１０
−４はＦｉＦｏで構成される画像データ遅延部であり、
それぞれ３２ｂｉｔ（８ｂｉｔ×４成分）の画像データ
を１ライン分づつ遅延する。
【００７１】入力画像信号はまずフリップフロップ１１
−１、１１−２で２画素分遅延保持してＡの画素データ
を、メモリ１０−１、１０−２で２ラインさらに遅延し
たＣの画素データを、さらにＦＦ１１−３、１１−４で
２画素分遅延させた注目画素データＸを、ＦＦ１１−
５、１１−６で２画素分遅延させたＢの画素データを同
様にしてＤの画素データをそれぞれ同時に判定部１１１
２に入力する。ここで注目画素位置Ｘに対するその近傍
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ４画素の位置関係は図２２のごとくな
る。
−１、１１−２で２画素分遅延保持してＡの画素データ
を、メモリ１０−１、１０−２で２ラインさらに遅延し
たＣの画素データを、さらにＦＦ１１−３、１１−４で
２画素分遅延させた注目画素データＸを、ＦＦ１１−
５、１１−６で２画素分遅延させたＢの画素データを同
様にしてＤの画素データをそれぞれ同時に判定部１１１
２に入力する。ここで注目画素位置Ｘに対するその近傍
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ４画素の位置関係は図２２のごとくな
る。
【００７２】即ち、今注目画素Ｘが図２０のｂの部分の
インクを読んでいたとするならば上記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは
いずれもその周囲に位置するａパターンの画像を読んで
いることになる。
インクを読んでいたとするならば上記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは
いずれもその周囲に位置するａパターンの画像を読んで
いることになる。
【００７３】（判定アルゴリズム）今Ａの画素信号を構
成するＲ成分をＡR 、Ｇ成分をＡG 、Ｂ成分をＡB 、赤
外成分をＡIRとし、同様にＢ、Ｃ、Ｄの各画素信号を構
成するＲ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの各成分を定義する。そして、
同色成分の平均値ＹR 、ＹG 、ＹB 、ＹIRを次式で求め
る。
成するＲ成分をＡR 、Ｇ成分をＡG 、Ｂ成分をＡB 、赤
外成分をＡIRとし、同様にＢ、Ｃ、Ｄの各画素信号を構
成するＲ、Ｇ、Ｂ、ＩＲの各成分を定義する。そして、
同色成分の平均値ＹR 、ＹG 、ＹB 、ＹIRを次式で求め
る。
【００７４】
【外３】
【００７５】目的のパターンの判定は、それぞれ上式で
求めた平均値Ｙと注目画素Ｘの差に従う。すなわち、 ΔＲ＝｜ＹＲ −ＸＲ ｜、ΔＧ＝｜ＹＧ −ＸＧ ｜、ΔＢ＝｜ＹＢ −Ｘ Ｂ ｜、ΔＩＲ＝ＹＩＲ−ＸＩＲ としたとき、 ΔＲ＜Ｋ ΔＧ＜Ｋ （Ｋ、Ｌは定数） ΔＢ＜Ｋ ΔＩＲ＞Ｌ が成立すれば、パターン有りと判定する。
求めた平均値Ｙと注目画素Ｘの差に従う。すなわち、 ΔＲ＝｜ＹＲ −ＸＲ ｜、ΔＧ＝｜ＹＧ −ＸＧ ｜、ΔＢ＝｜ＹＢ −Ｘ Ｂ ｜、ΔＩＲ＝ＹＩＲ−ＸＩＲ としたとき、 ΔＲ＜Ｋ ΔＧ＜Ｋ （Ｋ、Ｌは定数） ΔＢ＜Ｋ ΔＩＲ＞Ｌ が成立すれば、パターン有りと判定する。
【００７６】即ち、注目画素がその周辺画素と比べて可
視域では色味に差が小であり、赤外特性において定数Ｌ
以上の差を有すると判定できる。
視域では色味に差が小であり、赤外特性において定数Ｌ
以上の差を有すると判定できる。
【００７７】図２３は上記判定アルゴリズムを実施した
ハードウェア例である。加算器１２１はそれぞれ４画素
分の各色成分を単純加算し、その上位８ｂｉｔ分を出力
し、それぞれＹR 、ＹG 、ＹB 、ＹIRを得る。減算器１
２２は、それぞれ注目画素信号の各成分との差を求め、
Ｒ、Ｇ、Ｂの３成分は、その絶対値を基準信号としての
定数Ｋと比較器１２３、１２４、１２５で比較する。一
方赤外成分は基準信号としての定数Ｌと比較器１２６に
よって比較する。上記各比較器出力がアンドゲート１２
７に入力され、その出力端子において“１”の場合、パ
ターンを判定したことになる。
ハードウェア例である。加算器１２１はそれぞれ４画素
分の各色成分を単純加算し、その上位８ｂｉｔ分を出力
し、それぞれＹR 、ＹG 、ＹB 、ＹIRを得る。減算器１
２２は、それぞれ注目画素信号の各成分との差を求め、
Ｒ、Ｇ、Ｂの３成分は、その絶対値を基準信号としての
定数Ｋと比較器１２３、１２４、１２５で比較する。一
方赤外成分は基準信号としての定数Ｌと比較器１２６に
よって比較する。上記各比較器出力がアンドゲート１２
７に入力され、その出力端子において“１”の場合、パ
ターンを判定したことになる。
【図１】本発明の実施例１による光センサの模式的断面
図。
図。
【図２】実施例１による光センサの図１とは別の方向か
らの模式的断面図。
らの模式的断面図。
【図３】実施例１による光センサの回路図。
【図４】本発明の実施例２による光センサの回路図。
【図５】本発明の実施例３による光センサの回路図。
【図６】本発明に用いられる光電変換層の分光特性を示
す線図。
す線図。
【図７】本発明に用いられる光電変換層と遠赤外カット
フィルターの分光特性を示す線図。
フィルターの分光特性を示す線図。
【図８】本発明の実施例４による光センサの模式的断面
図。
図。
【図９】実施例４による光センサの図１とは別の方向か
らの模式的断面図。
らの模式的断面図。
【図１０】本発明の実施例５による光センサの模式的断
面図。
面図。
【図１１】実施例５による光センサの図１とは別の方向
からの模式的断面図。
からの模式的断面図。
【図１２】本発明の実施例６による光センサの回路図。
【図１３】本発明の実施例７による光センサの回路図。
【図１４】本発明の実施例８による光センサの模式的断
面図。
面図。
【図１５】本発明の実施例９による光センサの模式的断
面図。
面図。
【図１６】実施例９に用いられる光電変換層の分光特性
を示す線図。
を示す線図。
【図１７】本発明の実施例１０による光センサの模式的
断面図。
断面図。
【図１８】本発明の画像情報処理装置の制御系のブロッ
ク図。
ク図。
【図１９】本発明の画像情報処理装置により読み取るこ
とのできる原稿に用いられる赤外光吸収色素の分光特性
を示す線図。
とのできる原稿に用いられる赤外光吸収色素の分光特性
を示す線図。
【図２０】本発明の画像情報処理装置により読み取るこ
とのできる原稿を示す模式図。
とのできる原稿を示す模式図。
【図２１】本発明の画像情報処理装置における判別手段
の構成を示すブロック図。
の構成を示すブロック図。
【図２２】本発明の画像情報処理装置における判別動作
を説明するための模式図。
を説明するための模式図。
【図２３】図２１に示した判別手段の詳細な構成を示す
ブロック図。
ブロック図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 9/07 Ａ 9187−5Ｃ (72)発明者 宮脇 守 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 非可視光領域の光信号を電気信号に変換
する第１の光電変換要素の上に可視光領域の光信号を電
気信号に変換する第２の光電変換要素を積層したことを
特徴とする光センサ。 - 【請求項２】 前記非可視光領域とは赤外領域である請
求項１に記載の光センサ。 - 【請求項３】 非可視光領域の光信号を第１の電気信号
に変換する第１の光電変換要素の上に可視光領域の光信
号を第２の電気信号に変換する第２の光電変換要素を積
層した光センサと、 前記第１の電気信号を基準信号を基に判別する判別手段
と、 前記第２の電気信号に基づき画像を形成する画像形成手
段と、 前記判別手段の出力に基づいて前記画像形成手段の動作
を制御する制御手段と、 を具備することを特徴とする画像情報処理装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5015086A JPH06204445A (ja) | 1993-01-01 | 1993-01-01 | 光センサ及びそれを有する画像情報処理装置 |
| US08/174,444 US5453611A (en) | 1993-01-01 | 1993-12-28 | Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip |
| DE69331767T DE69331767T2 (de) | 1993-01-01 | 1993-12-30 | Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung |
| EP97114202A EP0809298B1 (en) | 1993-01-01 | 1993-12-30 | Solid-state image pickup device |
| EP93121113A EP0605898B1 (en) | 1993-01-01 | 1993-12-30 | Solid-state image pickup device |
| KR1019930032351A KR970011763B1 (ko) | 1993-01-01 | 1993-12-30 | 고체 촬상 장치 |
| DE69317752T DE69317752T2 (de) | 1993-01-01 | 1993-12-30 | Festkörpers-Bildaufnahmeeinrichtung |
| US08/950,176 US5801373A (en) | 1993-01-01 | 1997-10-14 | Solid-state image pickup device having a plurality of photoelectric conversion elements on a common substrate |
| HK98103909A HK1004703A1 (en) | 1993-01-01 | 1998-05-06 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5015086A JPH06204445A (ja) | 1993-01-01 | 1993-01-01 | 光センサ及びそれを有する画像情報処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204445A true JPH06204445A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11879038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5015086A Pending JPH06204445A (ja) | 1993-01-01 | 1993-01-01 | 光センサ及びそれを有する画像情報処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204445A (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11143031A (ja) * | 1997-11-11 | 1999-05-28 | Konica Corp | 非可視画像情報を用いた可視画像出力方法および可視画像形成方法 |
| JP2003298039A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-10-17 | Agilent Technol Inc | 二色フォトディテクタを有するディジタルイメージセンサ |
| JP2008085807A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 画像処理装置、内視鏡装置、及び画像処理プログラム |
| JP2008085160A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 撮像素子 |
| JP2008079937A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Fujifilm Corp | 画像処理装置、内視鏡装置、及び画像処理プログラム |
| JP2008218445A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
| JP2008227091A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
| JP2009272620A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 積層型イメージセンサー |
| US7920189B2 (en) | 2007-03-16 | 2011-04-05 | Fujifilm Corporation | Solid-state imaging device |
| US8059319B2 (en) | 2007-08-03 | 2011-11-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
| US8111286B2 (en) | 2006-09-28 | 2012-02-07 | Fujifilm Corporation | Image processing apparatus, endoscope, and computer readable medium |
| US8189081B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus, driving method thereof, camera, and copier |
| JP2012191222A (ja) * | 2012-05-21 | 2012-10-04 | Fujifilm Corp | 光電変換素子の製造方法 |
| US8344306B2 (en) | 2008-07-25 | 2013-01-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Imaging method and apparatus |
| US8411185B2 (en) | 2009-02-23 | 2013-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus having plural unit cell groups with transfer switches connected to different common output lines |
| US8848047B2 (en) | 2006-09-28 | 2014-09-30 | Fujifilm Corporation | Imaging device and endoscopic apparatus |
| US9013765B2 (en) | 2009-10-07 | 2015-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
| WO2015076022A1 (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | オリンパス株式会社 | 撮像素子 |
| JP2015103157A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
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