JPWO2016189600A1 - 撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 118
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 245
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- -1 naphthoquinone compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical class [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
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- H—ELECTRICITY
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- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
- H01L27/1465—Infrared imagers of the hybrid type
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
- H01L27/14652—Multispectral infrared imagers, having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW structures
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/131—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing infrared wavelengths
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- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
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- H04N2209/00—Details of colour television systems
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- H04N2209/041—Picture signal generators using solid-state devices
- H04N2209/042—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor
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Abstract
Description
R’=R−αIR(r) ・・・(A1)
G’=G−βIR(g) ・・・(A2)
B’=B−γIR(b) ・・・(A3)
図1は、本発明の第1の実施形態の撮像装置1の構成を示している。撮像装置1は、撮像機能を有する電子機器である。例えば、撮像装置1は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、および内視鏡などである。図1に示すように、撮像装置1は、レンズ10と、撮像部20(固体撮像装置)と、信号処理部30(信号処理回路)と、表示部40と、駆動制御部50と、レンズ制御部60と、カメラ制御部70と、カメラ操作部80と、記憶部90とを有する。
G’=G−βIR(g) ・・・(1)
本発明の第2の実施形態では、図2に示す撮像部20が、図5に示す撮像部20aに変更される。撮像部20a以外の構成は、第1の実施形態の撮像装置1の構成と同様である。図5は、撮像部20aの一部の断面が示されている。図5に示すように、撮像部20aは、第1の基板100と第2の基板200とを有する。図5に示す構成において、図2に示す構成と異なる点を説明する。
B’=B−γIR(b) ・・・(2)
本発明の第3の実施形態の撮像装置1では、複数の第3の光電変換部211の配列が、図4に示す配列から図8に示す配列に変更される。図8に示す配列以外の構成は、第1の実施形態の撮像装置1の構成と同様である。
本発明の第4の実施形態では、図2に示す撮像部20が、図9に示す撮像部20bに変更される。撮像部20b以外の構成は、第1の実施形態の撮像装置1の構成と同様である。図9は、撮像部20bの一部の断面が示されている。図9に示すように、撮像部20bは、第1の基板100と第2の基板200とを有する。図9に示す構成において、図2に示す構成と異なる点を説明する。
本発明の第5の実施形態では、図2に示す撮像部20が、図10に示す撮像部20cに変更される。撮像部20c以外の構成は、第1の実施形態の撮像装置1の構成と同様である。図10は、撮像部20cの一部の断面が示されている。図10に示すように、撮像部20cは、第1の基板100と第2の基板200とを有する。図10に示す構成において、図2に示す構成と異なる点を説明する。
10 レンズ
20,20a,20b,20c 撮像部
30 信号処理部
40 表示部
50 駆動制御部
60 レンズ制御部
70 カメラ制御部
80 カメラ操作部
90 記憶部
100 第1の基板
110 第1の半導体層
111 第1の光電変換部
112 第2の光電変換部
120 透明層
121 赤外吸収層
130R,130G,130B カラーフィルタ
140,141 マイクロレンズ
200 第2の基板
210 第2の半導体層
211 第3の光電変換部
220 信号読み出し回路
300 第1の信号処理部
310 第2の信号処理部
Claims (7)
- 第1の基板と、
前記第1の基板に積層された第2の基板と、
信号処理回路と、
を有し、
前記第1の基板は、
第1の可視光と赤外光とに基づく第1の信号を生成し、前記第1の可視光の波長は可視光帯域の第1の波長である複数の第1の光電変換部と、
第2の可視光のみに基づく第2の信号を生成し、前記第2の可視光の波長は可視光帯域の第2の波長であり、前記第2の波長は前記第1の波長と異なる複数の第2の光電変換部と、
前記赤外光を吸収し、かつ、前記第2の可視光のみを透過させる赤外吸収層と、
を有し、
前記第2の基板は、
前記複数の第1の光電変換部を透過した前記赤外光に基づく第3の信号を生成する複数の第3の光電変換部
を有し、
前記信号処理回路は、前記第1の信号を前記第3の信号により補正することにより、第4の信号を生成し、
前記信号処理回路は、前記第2の信号と前記第4の信号とに基づいて可視光画像信号を生成し、
前記信号処理回路は、前記第3の信号に基づいて赤外光画像信号を生成する
撮像装置。 - 前記赤外吸収層は、複数のマイクロレンズである
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記赤外吸収層は、複数のカラーフィルタである
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第2の基板は、前記複数の第3の光電変換部から前記第3の信号を読み出す複数の信号読み出し回路をさらに有し、
前記複数の信号読み出し回路のそれぞれは、前記複数の第2の光電変換部の少なくとも1つに対応する領域に配置され、
前記第1の基板は第1の面を有し、
前記第3の光電変換部の第1の面積は、前記第1の光電変換部の第2の面積よりも大きく、前記第1の面積は、第2の面における前記第3の光電変換部の面積であり、前記第2の面積は、第3の面における前記第2の光電変換部の面積であり、前記第2の面と前記第3の面とは前記第1の面に平行である
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の可視光は、緑色光を含み、
前記第2の可視光は、赤色光または青色光を含み、
前記複数の第2の光電変換部は、
前記赤色光のみに基づく前記第2の信号を生成する前記第2の光電変換部と、
前記青色光のみに基づく前記第2の信号を生成する前記第2の光電変換部と、
を含み、
前記複数の第1の光電変換部と前記複数の第2の光電変換部との配列は、ベイヤ配列に対応する配列である
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1の可視光は、青色光を含み、
前記第2の可視光は、赤色光または緑色光を含み、
前記複数の第2の光電変換部は、
前記赤色光のみに基づく前記第2の信号を生成する前記第2の光電変換部と、
前記緑色光のみに基づく前記第2の信号を生成する前記第2の光電変換部と、
を含み、
前記複数の第1の光電変換部と前記複数の第2の光電変換部との配列は、ベイヤ配列に対応する配列である
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記複数の第3の光電変換部のそれぞれは、前記複数の第1の光電変換部の2つ以上を透過した光を受光する
請求項1に記載の撮像装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2015/064806 WO2016189600A1 (ja) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016189600A1 true JPWO2016189600A1 (ja) | 2018-03-08 |
JP6470404B2 JP6470404B2 (ja) | 2019-02-13 |
Family
ID=57393840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017520078A Expired - Fee Related JP6470404B2 (ja) | 2015-05-22 | 2015-05-22 | 撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10181488B2 (ja) |
JP (1) | JP6470404B2 (ja) |
WO (1) | WO2016189600A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6633268B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2020-01-22 | グローリー株式会社 | センサモジュール及び紙葉類処理装置 |
TWI577971B (zh) * | 2015-10-22 | 2017-04-11 | 原相科技股份有限公司 | 雙孔徑測距系統 |
JP6920110B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2021-08-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
JP2019036788A (ja) * | 2017-08-10 | 2019-03-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
KR102614851B1 (ko) | 2018-07-23 | 2023-12-19 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US20200412980A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Apple Inc. | Stacked Electromagnetic Radiation Sensors for Visible Image Sensing and Infrared Depth Sensing, or for Visible Image Sensing and Infrared Image Sensing |
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JP2013143533A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2014135535A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | Olympus Corp | 撮像装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5453611A (en) | 1993-01-01 | 1995-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip |
US20080230123A1 (en) | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion element and solid-state imaging device |
US20090159799A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Spectral Instruments, Inc. | Color infrared light sensor, camera, and method for capturing images |
WO2010100897A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2013187475A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Olympus Corp | 固体撮像装置およびカメラシステム |
-
2015
- 2015-05-22 JP JP2017520078A patent/JP6470404B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-05-22 WO PCT/JP2015/064806 patent/WO2016189600A1/ja active Application Filing
-
2017
- 2017-10-25 US US15/792,952 patent/US10181488B2/en active Active
Patent Citations (5)
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JPH06204445A (ja) * | 1993-01-01 | 1994-07-22 | Canon Inc | 光センサ及びそれを有する画像情報処理装置 |
JP2008091535A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
JP2008227091A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
JP2013143533A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2014135535A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | Olympus Corp | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10181488B2 (en) | 2019-01-15 |
WO2016189600A1 (ja) | 2016-12-01 |
US20180047773A1 (en) | 2018-02-15 |
JP6470404B2 (ja) | 2019-02-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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R250 | Receipt of annual fees |
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