JP2011096794A - 放射線画像撮影装置 - Google Patents
放射線画像撮影装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011096794A JP2011096794A JP2009248371A JP2009248371A JP2011096794A JP 2011096794 A JP2011096794 A JP 2011096794A JP 2009248371 A JP2009248371 A JP 2009248371A JP 2009248371 A JP2009248371 A JP 2009248371A JP 2011096794 A JP2011096794 A JP 2011096794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- upper electrode
- radiation detection
- detection element
- insulating layer
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 143
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 3
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
【課題】バイアス線の断線を防止し、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置1は、上部電極7aと下部電極7bとを備える複数の放射線検出素子7と、各放射線検出素子7の上部電極7aに接続され、バイアス電源14から各放射線検出素子7にバイアス電圧を供給し、放射線検出素子7の各列ごとに1本ずつ配線された複数のバイアス線9と、少なくとも信号線6や走査線5を被覆する絶縁層Iとを備え、絶縁層Iは、各放射線検出素子7の上部電極7aの表面部分では、上部電極7a上に、上部電極7aからの高さが均一な畝状に形成されており、バイアス線9は、畝状の絶縁層Irの表面部分に配線されている。
【選択図】図7
【解決手段】放射線画像撮影装置1は、上部電極7aと下部電極7bとを備える複数の放射線検出素子7と、各放射線検出素子7の上部電極7aに接続され、バイアス電源14から各放射線検出素子7にバイアス電圧を供給し、放射線検出素子7の各列ごとに1本ずつ配線された複数のバイアス線9と、少なくとも信号線6や走査線5を被覆する絶縁層Iとを備え、絶縁層Iは、各放射線検出素子7の上部電極7aの表面部分では、上部電極7a上に、上部電極7aからの高さが均一な畝状に形成されており、バイアス線9は、畝状の絶縁層Irの表面部分に配線されている。
【選択図】図7
Description
本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線検出素子にバイアス電圧を供給するバイアス線を備えた放射線画像撮影装置に関する。
照射されたX線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号として読み出して画像データに変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号として読み出して画像データに変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
このタイプの放射線画像撮影装置はFPD(Flat Panel Detector)として知られており、従来は支持台(或いはブッキー装置)と一体的に形成されていたが(例えば特許文献1参照)、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている(例えば特許文献2、3参照)。
ところで、放射線画像撮影装置の基板上に二次元状(マトリクス状)に設けられた放射線検出素子の表面を保護したり、複数の放射線検出素子や信号線等の各配線、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor。以下TFTという。)等のスイッチ手段が設けられた基板面側を平坦化する等の目的で、放射線検出素子の表面にアクリル等を積層して平坦化層が形成される場合がある(例えば特許文献4、5参照)。
また、放射線検出素子は、一般的に、放射線のエネルギや放射線が照射されたシンチレータで変換された電磁波のエネルギに応じて電荷を発生させる変換層を2枚の電極で挟むように形成され、電極間にバイアス電圧(いわゆる逆バイアス電圧の場合を含む。)を印加するように構成される。そして、放射線検出素子やTFTが基板上に積層されて形成される関係で、放射線検出素子の基板側の電極がTFTのソース電極に接続され、それと反対側すなわち放射線検出素子の表面側の電極にバイアス電圧が印加されるように構成される場合が多い。
そして、例えば特許文献6では、放射線検出素子の表面側の電極を各放射線検出素子で共通とし、この共通電極を各放射線検出素子の表面を被覆するように形成することが提案されている。その際、共通電極が光を遮らないようにするために酸化インジウム錫等の光透過性の導電材料で形成される。
しかし、特許文献4〜6に記載されているように、放射線や放射線から変換された電磁波が入射される側の放射線検出素子の表面に平坦化層や共通電極が設けられていると、それらを光透過性の材料で形成し、膜厚調整により使用範囲での電磁波等の反射・吸収を抑えたとしても平坦化層や共通電極による層数の増加に伴って、放射線検出素子に入射する電磁波等が微小ではあるが低下する。
そこで、例えば図12(A)、(B)に示すように、少なくとも放射線検出素子100の表面側(すなわち上部電極100a側)には平坦化層等を形成せず、また、表面を被覆する絶縁層105も取り払って、放射線検出素子100の表面をいわば剥き出しの状態とする場合がある。そして、放射線検出素子100にバイアス電圧を供給するバイアス線104が、放射線検出素子100の上部電極100aや絶縁層105のさらに上側に積層され、バイアス線104等の上層には、さらに、バイアス線104等の腐食を防止するために無機層106が形成されている。
なお、図12(A)は、放射線検出素子等を表面側から見た平面図であり、図12(B)は(A)におけるX−X線に沿う断面図の一部である。また、100は放射線検出素子、100a〜100cは放射線検出素子100の上部電極、変換層および下部電極、101はTFT、102は信号線、103は走査線、104はバイアス線、105は絶縁層、105a、105bは絶縁層105の無機層および有機層を表す。
しかしながら、このような構成とすると、図13の拡大断面図に示すように、バイアス線104が、放射線検出素子100の上部電極100aの周縁の、図中矢印で示される絶縁層105の段差部分等で断線し易くなる。
特に、図14(A)に示すように、無機層105aの上方に有機層105bを積層する場合のように複数の層を積層して絶縁層105を形成する場合、上側の層(図の場合は有機層105b)が下側の層(無機層105a)よりも内側に突出するように積層されてしまうことがある。このような絶縁層105にバイアス線104を積層して形成すると、図14(B)に示すように、上側の層が突出した部分の下側の、図中矢印で示される部分でバイアス線104が断線し易くなる。
上記のようにバイアス線104が断線すると、図12(A)に示したように放射線検出素子100の各列ごとに1本ずつバイアス線104が配線されている場合には、断線部分から先の放射線検出素子100にバイアス電圧が供給されなくなる。そのため、それらの放射線検出素子100では、照射された放射線の線量に応じた電荷が発生されなくなり、放射線画像上に異常な画像データが線状に並ぶ、いわゆる線欠陥が発生してしまう。
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、バイアス線の断線を防止し、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列され、基板に近い側に設けられた下部電極と前記基板から遠い側に設けられた上部電極とを備える複数の放射線検出素子と、
前記各放射線検出素子の上部電極に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給し、かつ、前記二次元状に配列された複数の放射線検出素子のうち前記放射線検出素子の各列ごとに1本ずつ配線された複数のバイアス線と、
少なくとも前記信号線および走査線を被覆する絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、前記各放射線検出素子の上部電極の表面部分では、前記上部電極上に、前記上部電極からの高さが均一な畝状に形成されており、
前記バイアス線は、前記畝状の絶縁層の表面部分に配線されていることを特徴とする。
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列され、基板に近い側に設けられた下部電極と前記基板から遠い側に設けられた上部電極とを備える複数の放射線検出素子と、
前記各放射線検出素子の上部電極に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給し、かつ、前記二次元状に配列された複数の放射線検出素子のうち前記放射線検出素子の各列ごとに1本ずつ配線された複数のバイアス線と、
少なくとも前記信号線および走査線を被覆する絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、前記各放射線検出素子の上部電極の表面部分では、前記上部電極上に、前記上部電極からの高さが均一な畝状に形成されており、
前記バイアス線は、前記畝状の絶縁層の表面部分に配線されていることを特徴とする。
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、各放射線検出素子の上部電極の表面部分で、絶縁層を、上部電極上に、上部電極からの高さが均一な畝状に形成し、バイアス線をこの畝状の絶縁層の表面部分に配線するように構成した。
そのため、バイアス線が配線された畝状の絶縁層の表面部分が平坦となり、バイアス線が断線される確率が格段に低下され、バイアス線の断線を的確に防止することが可能となる。また、そのため、バイアス線の断線で放射線検出素子にバイアス電圧が供給されなくなることで生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
また、放射線検出素子の上部電極の表面部分には、絶縁層を上記の畝状の部分以外には設けないため、放射線検出素子に入射する放射線やシンチレータからの電磁波が絶縁層により反射・吸収されて低下することを防止することが可能となる。
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型(いわゆるカセッテ型)である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された放射線画像撮影装置に対しても適用される。
図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図2は、図1のA−A線に沿う断面図である。本実施形態では、放射線画像撮影装置1は、図1や図2に示すように、筐体2内にシンチレータ3や基板4等が収納されて構成されている。
筐体2は、少なくとも放射線入射面Rが放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図1や図2では、筐体2がフレーム板2Aとバック板2Bとで形成された、いわゆる弁当箱型である場合が示されているが、筐体2を一体的に角筒状に形成した、いわゆるモノコック型とすることも可能である。
また、図1に示すように、筐体2の側面部分には、電源スイッチ36や、LED等で構成されたインジケータ37、図示しないバッテリの交換等のために開閉可能とされた蓋部材38等が配置されている。また、本実施形態では、蓋部材38の側面部には、図示しない外部装置と無線で通信するための通信手段であるアンテナ装置39が埋め込まれている。
また、図2に示すように、筐体2の内部には、基板4の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台31が配置され、基台31には、電子部品32等が配設されたPCB基板33や緩衝部材34等が取り付けられている。なお、本実施形態では、基板4やシンチレータ3の放射線入射面Rには、それらを保護するためのガラス基板35が配設されている。
本実施形態では、シンチレータ3は、図3の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持膜3bの上に、例えば気相成長法により蛍光体3aを成長させて形成されたものであり、蛍光体3aの柱状結晶からなっている。
また、シンチレータ3の蛍光体3aは、例えば、放射線の入射を受けると300〜800nmの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。本実施形態では、このようにして蛍光体3aが柱状結晶として形成されたシンチレータ3は、蛍光体3aの柱状結晶の鋭角状の先端Paが下側、すなわち前述した基板4側を向くように配置され、支持膜3bがガラス基板35に貼付されることにより、シンチレータ3がガラス基板35に固定されるようになっている。
なお、本実施形態では、上記のように、シンチレータ3は蛍光体3aの柱状結晶からなるものが用いられているが、この他にも、例えば、ガラス基板35等に蛍光体を含むペーストを塗布する等して、シンチレータ3を層状に形成することも可能であり、シンチレータ3の構成や性状は特に限定されない。
基板4は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図4に示すように、基板4のシンチレータ3に対向する側の面4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各小領域rには、放射線検出素子7がそれぞれ設けられている。
このように、走査線5と信号線6で区画された各小領域rに二次元状に配列された複数の放射線検出素子7が設けられた領域r全体、すなわち図4に一点鎖線で示される領域が検出部Pとされている。
本実施形態では、放射線検出素子7としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。各放射線検出素子7は、スイッチ手段であるTFT8のソース電極に接続されている。また、TFT8のドレイン電極は信号線6に接続されている。
そして、TFT8は、後述する走査駆動手段15から走査線5を介してゲート電極にオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子7内に蓄積されている電荷を信号線6に放出させるようになっている。また、TFT8は接続された走査線5にオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して放射線検出素子7内に電荷を保持するようになっている。
本実施形態では、列状に配置された複数の放射線検出素子7にそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9は、基板4の検出部Pの外側の位置で1本の結線10に結束されている。
また、各走査線5や各信号線6、バイアス線9の結線10は、それぞれ基板4の端縁部付近に設けられた入出力端子(パッドともいう)11に接続されている。各入出力端子11には、図5に示すように、IC12a等のチップが組み込まれたCOF(Chip On Film)12が異方性導電接着フィルム(Anisotropic Conductive Film)や異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)等の異方性導電性接着材料13を介して接続されている。
また、COF12は、基板4の裏面4b側に引き回され、裏面4b側で前述したPCB基板33に接続されるようになっている。本実施形態では、このようにして、放射線画像撮影装置1の基板4部分が形成されている。なお、図5では、電子部品32等の図示が省略されている。
ここで、図6を用いて放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。
各放射線検出素子7の基板4に近い側には下部電極7bが設けられ、基板4から遠い側には上部電極7aが設けられている。そして、各放射線検出素子7の上部電極7aにはそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9は結線10に結束されてバイアス電源14に接続されている。各バイアス線9は、バイアス電源14からバイアス電圧(本実施形態では逆バイアス電圧)をそれぞれ各放射線検出素子7の上部電極7aに供給するようになっている。
また、各放射線検出素子7の下部電極7bはTFT8のソース電極8s(図6中ではSと表記されている。)に接続されており、各TFT8のゲート電極8g(図6中ではGと表記されている。)は、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから延びる走査線5の各ラインL1〜Lxにそれぞれ接続されている。また、各TFT8のドレイン電極8d(図6中ではDと表記されている。)は各信号線6にそれぞれ接続されている。
走査駆動手段15は、ゲートドライバ15bにオン電圧やオフ電圧を供給する電源回路15aと、走査線5の各ラインL1〜Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えるゲートドライバ15bとを備えている。ゲートドライバ15bは、前述したように、走査線5の各ラインL1〜Lxを介してTFT8のゲート電極8gに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えて、各TFT8のオン状態とオフ状態とを制御するようになっている。
また、各信号線6は、読み出しIC16内に形成された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。読み出し回路17は、増幅回路18と、相関二重サンプリング(Correlated Double Sampling)回路19と、アナログマルチプレクサ21と、A/D変換器20とで構成されている。
例えば、放射線画像撮影の際、被写体を介して放射線画像撮影装置1に放射線が照射されると、シンチレータ3で放射線が他の波長の電磁波に変換されて、その直下の放射線検出素子7に照射される。そして、放射線検出素子7内では、照射された放射線の線量(電磁波の光量)に応じて電荷(電気信号)が発生する。
各放射線検出素子7からの電荷の読み出し処理においては、走査駆動手段15のゲートドライバ15bから走査線5の各ラインL1〜Lxを介してゲート電極8gにオン電圧が印加されたTFT8がオン状態となり、放射線検出素子7から信号線6に電荷が放出される。
そして、放射線検出素子7から放出された電荷量に応じて増幅回路18から電圧値が出力され、それを相関二重サンプリング回路19で相関二重サンプリングしてアナログ値の画像データがマルチプレクサ21に出力される。マルチプレクサ21から順次出力された画像データは、A/D変換器20で順次デジタル値の画像データに変換され、記憶手段23に出力されて順次保存されるようになっている。
制御手段22は、CPU(Central Processing Unit)やROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、FPGA(Field Programmable Gate Array)等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。制御手段22は、放射線画像撮影装置1の各部材の動作等を制御するようになっている。
制御手段22には、DRAM(Dynamic RAM)等で構成される記憶手段23や、放射線画像撮影装置1の各機能部に電力を供給するバッテリ24が接続されている。また、制御手段22には、前述したアンテナ装置39が接続されており、また、図示を省略するが、前述した電源スイッチ36やインジケータ37等(図1参照)が接続されている。
ところで、本実施形態では、バイアス線9は、放射線検出素子7の上部電極7aに対して図7や図8(A)、(B)、図9に示す構成により接続されている。
なお、図7は放射線検出素子等を表面側(すなわちシンチレータ3側)から見た平面図であり、図8(A)は図7におけるY1−Y1線に沿う断面図の一部、図8(B)は図7におけるY2−Y2線に沿う断面図の一部であり、図9は図7におけるZ−Z線に沿う断面図の一部である。また、7cは放射線検出素子7の光電変換層を表す。
また、図7等では、前述した図12(A)に示された放射線検出素子100よりも放射線検出素子7が大きく示されているが、これは放射線検出素子7とバイアス線9との関係を見やすくするためであり、本発明においてサイズが大きい放射線検出素子を用いることを意味するものではない。
本実施形態では、図7に示すように、走査線5や信号線6、TFT8等は絶縁層Iでその表面側を被覆されており、図8(A)、(B)、図9に示すように、絶縁層Iは無機材料からなる無機層Iaと樹脂等の有機材料からなる有機層Ib等で形成されている。絶縁層Iは、必ずしも無機層Iaと有機層Ibとを備えている必要はなく適宜の材料で形成することが可能であるが、バイアス線9の下側すなわち放射線検出素子7側以外の部分では放射線検出素子7の上部電極7a上に積層されないようになっている。
すなわち、図7や図8(A)、(B)に示すように、絶縁層Iは、放射線検出素子7の上部電極7aの表面部分では、上部電極7a上に、上部電極7aからの高さが均一な畝状に形成されており、この畝状の絶縁層Irの表面部分にバイアス線9が配線されるようになっている。この場合、畝状の絶縁層Irは、放射線検出素子7の上部電極7a上に積層して形成され、積層の高さには製造上の誤差が含まれる。従って、上記のように上部電極7aからの高さが均一という場合、厳密な意味での均一性を要求するものではなく、均一の高さに積層する際の製造上の誤差(不均一さ)が許容されるものである。
また、図7や図8(B)、図9に示すように、放射線検出素子7の上部電極7aの表面部分のうち、この畝状の絶縁層Ir以外の部分には絶縁層Iが積層されていない。なお、図8(A)、(B)や図9に示すように、バイアス線9や放射線検出素子7の上部電極7a等の上層には、さらに、バイアス線9や上部電極7a等の腐食を防止するために、窒化シリコン等からなる無機層Ipが形成されている。
また、本実施形態では、図7に示すように、畝状の絶縁層Irの一部が幅広に形成されており、その中央部分に、放射線検出素子7の上部電極7a側に向かってテーパ状に穿設された矩形状の貫通孔Hが形成されている。
そして、バイアス線9も畝状の絶縁層Irの幅広に形成された中央部分の表面側で幅広に形成されており、バイアス線9は、その部分で、テーパ状に穿設された矩形状の貫通孔Hの内壁に沿って貫通孔Hの四方から放射線検出素子7の上部電極7a側に移行し、貫通孔Hの上部電極7a側への開口部で放射線検出素子7の上部電極7aに接続されるように構成されている。
従って、この場合、図7に示すように、放射線検出素子7の上部電極7aに対するバイアス線9の接点Cは略矩形状の形状となる。なお、テーパ状に形成される貫通孔Hは、必ずしも矩形状である必要はなく、円形等の他の適宜の形状に形成することが可能である。その際、例えばテーパ状の円形の貫通孔Hを形成した場合には、バイアス線9の上部電極7aへの接点9aは略円形状の形状となる。
次に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用について説明する。
例えば図12(A)、(B)に示した従来のバイアス線と放射線検出素子の上部電極との接続の仕方と異なり、本実施形態では、図7〜図9に示したように、放射線検出素子7の上部電極7a上に上部電極7aからの高さが均一な畝状の絶縁層Irを形成し、その畝状の絶縁層Irの表面部分にバイアス線9が配線されている。
そのため、本実施形態では、バイアス線9が配線された畝状の絶縁層Irの表面部分に、従来の場合のような絶縁層の段差(図13等参照)が形成されず、畝状の絶縁層Irの表面部分が平坦であるため、バイアス線9が断線する確率を格段に低下させることが可能となる。実際上、このような構成とすれば、バイアス線9は断線しない。
そして、バイアス線9が断線する確率を格段に低下させることが可能となるため、バイアス線9の断線で放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなることで生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
また、放射線検出素子7の上部電極7aの表面部分は、上記の畝状の絶縁層Ir以外の部分に絶縁層Iが形成されていないため、シンチレータ3からの電磁波が絶縁層で反射・吸収されることがなく、放射線検出素子7に入射する電磁波が低下することを防止することが可能となる。
なお、本実施形態では、図3に示したように、シンチレータ3の柱状結晶の蛍光体3aの鋭角状の先端Paが放射線検出素子7に対向する配置される。このように配置すると、シンチレータ3に放射線が照射されて蛍光体3aの柱状結晶内で発生し伝播した電磁波が柱状結晶の鋭角状の先端Paから放射線検出素子7側に出力されるが、その際、電磁波の左右方向(すなわち放射線検出素子7に向かう方向に直交する方向)への拡散の度合が少なくなり、得られる放射線画像の鮮鋭性が向上するという効果がある。
しかし、図示を省略するが、その際、前述した特許文献4、5等に記載されているように各放射線検出素子7の表面上(すなわちシンチレータ3側)に平坦化層が設けられていると、シンチレータ3の蛍光体3aの柱状結晶の先端Paが平坦化層にぶつかって潰れていわば臼歯状になり、出力される電磁波が左右方向に拡散し易くなって画像の鮮鋭性が低下する場合がある。
また、シンチレータ3の蛍光体3aの柱状結晶の先端Paが平坦化層にぶつかって破壊され、その破片がシンチレータ3と平坦化層との間に介在する状態になる等して、得られる放射線画像の画質が低下する場合もある。
しかし、本実施形態では、上記のように、放射線検出素子7の上部電極7aのうち上記の畝状の絶縁層Ir以外の部分には絶縁層が設けられておらず、シンチレータ3の蛍光体3aの柱状結晶の先端Paとぶつかり合う構造体が存在しないため、上記のような問題が生じず、シンチレータ3を図3のように構成することで得られる放射線画像の高い鮮鋭性を維持することが可能となる。
また、シンチレータ3の蛍光体3aの柱状結晶の先端Paが構造体にぶつかって破壊される可能性が低くなり、破片がシンチレータ3と平坦化層との間に介在する状態が発生する確率を低下させることができる。そのため、得られる放射線画像の画質の向上を図ることが可能となる。
一方、放射線検出素子7の上部電極7aへのバイアス線9の接点9a部分では、図13等に示した従来の場合と同様の絶縁層Irの段差が生じている。そのため、図10に示すように、例えば、放射線検出素子7の上部電極7aに接続するバイアス線9の矩形状の接点9aの一部Bが、絶縁層Irの段差部分で破断が生じる可能性がある。
しかし、本実施形態では、前述したように、バイアス線9がテーパ状に穿設された矩形状の貫通孔Hの内壁に沿って貫通孔Hの四方から放射線検出素子7の上部電極7a側に移行し、貫通孔Hの上部電極7a側への開口部で放射線検出素子7の上部電極7aに接続されるように構成されている。
そのため、接点9aの一部Bが破断したとしても、破断部B以外の部分に破断が生じていなければ、バイアス線9との接続が維持されるため、放射線検出素子7の上部電極7aに的確にバイアス電圧が供給され続ける。そのため、最終的に得られる放射線画像上の当該放射線検出素子7の部分に、いわゆる点欠陥を生じることがない。
また、図11に示すように、仮に、矩形状の接点9aの4辺全てが破断すると、接点9aとバイアス線9との接続が途絶えるため、当該放射線検出素子7の上部電極7aにはバイアス電圧を供給できなくなる。そのため、最終的に得られる放射線画像上では、当該放射線検出素子7の部分でいわゆる点欠陥を生じる。
しかし、このように点欠陥が生じるとしても、図11に示すように、接点9aの周囲の部分Cではバイアス線9の連続性が保たれ、バイアス線9自体は断線しない。そのため、接点9aに断線が生じても、Cの部分で連続するバイアス線9を介して当該部分から先の放射線検出素子7にバイアス電圧が的確に供給されるため、最終的に得られる放射線画像上で線欠陥が発生することを的確に防止することが可能となる。
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、各放射線検出素子7の上部電極7aの表面部分で、絶縁層Iを、上部電極7a上に、上部電極7aからの高さが均一な畝状に形成し、バイアス線9をこの畝状の絶縁層Irの表面部分に配線するように構成した。
そのため、バイアス線9が配線された畝状の絶縁層Irの表面部分が平坦であるため、バイアス線9が断線される確率が格段に低下され、バイアス線9の断線を的確に防止することが可能となる。また、そのため、バイアス線9の断線で放射線検出素子7にバイアス電圧が供給されなくなることで生じる線欠陥の発生率を的確に低下させることが可能となる。
また、放射線検出素子7の上部電極7aの表面部分には、絶縁層I(すなわち無機層Iaや有機層Ib)を上記の畝状の絶縁層Ir以外の部分には設けないため、放射線検出素子7に入射する放射線やシンチレータ3からの電磁波が絶縁層により反射・吸収されて低下することを防止することが可能となる。
また、本実施形態のように、畝状の絶縁層Irにテーパ状に穿設された貫通孔Hを介してバイアス線9と放射線検出素子7の上部電極7aが接続するように構成すれば、接点9aの一部Bに破断が生じたとしても、破断部B以外の部分に破断が生じていなければ、バイアス線9との接続が維持される。そのため、放射線検出素子7の上部電極7aに的確にバイアス電圧を供給し続けることが可能となり、最終的に得られる放射線画像上の当該放射線検出素子7の部分でいわゆる点欠陥を生じることを防止することが可能となる。
また、仮に、接点9aがバイアス線9から破断しても、最終的に得られる放射線画像上で当該放射線検出素子7の部分で点欠陥を生じるものの、接点9aの周囲の部分Cで連続するバイアス線9を介して当該部分から先の放射線検出素子7にバイアス電圧が的確に供給される。そのため、最終的に得られる放射線画像上で線欠陥が発生することを的確に防止することが可能となる。
なお、本発明は上記の各実施形態に限定されず、本発明の趣旨から逸脱しない限り、適宜変更可能であることはいうまでもない。
1 放射線画像撮影装置
4 基板
5 走査線
6 信号線
7 放射線検出素子
7a 上部電極
7b 下部電極
9 バイアス線
14 バイアス電源
H 貫通孔
I 絶縁層
Ir 畝状の絶縁層
r 領域
4 基板
5 走査線
6 信号線
7 放射線検出素子
7a 上部電極
7b 下部電極
9 バイアス線
14 バイアス電源
H 貫通孔
I 絶縁層
Ir 畝状の絶縁層
r 領域
Claims (2)
- 互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列され、基板に近い側に設けられた下部電極と前記基板から遠い側に設けられた上部電極とを備える複数の放射線検出素子と、
前記各放射線検出素子の上部電極に接続され、バイアス電源から前記各放射線検出素子にバイアス電圧を供給し、かつ、前記二次元状に配列された複数の放射線検出素子のうち前記放射線検出素子の各列ごとに1本ずつ配線された複数のバイアス線と、
少なくとも前記信号線および走査線を被覆する絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、前記各放射線検出素子の上部電極の表面部分では、前記上部電極上に、前記上部電極からの高さが均一な畝状に形成されており、
前記バイアス線は、前記畝状の絶縁層の表面部分に配線されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。 - 前記バイアス線は、前記放射線検出素子の前記上部電極側に向かって前記畝状の絶縁層にテーパ状に穿設された貫通孔の内壁に沿って前記貫通孔の四方から前記上部電極側に移行し、前記貫通孔の前記上部電極側への開口部で前記上部電極に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の放射線画像撮影装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009248371A JP2011096794A (ja) | 2009-10-29 | 2009-10-29 | 放射線画像撮影装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009248371A JP2011096794A (ja) | 2009-10-29 | 2009-10-29 | 放射線画像撮影装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011096794A true JP2011096794A (ja) | 2011-05-12 |
Family
ID=44113414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009248371A Pending JP2011096794A (ja) | 2009-10-29 | 2009-10-29 | 放射線画像撮影装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011096794A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8916833B2 (en) | 2012-12-07 | 2014-12-23 | Japan Display Inc. | Imaging device and imaging display system |
-
2009
- 2009-10-29 JP JP2009248371A patent/JP2011096794A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8916833B2 (en) | 2012-12-07 | 2014-12-23 | Japan Display Inc. | Imaging device and imaging display system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7812313B2 (en) | Conversion apparatus, radiation detecting apparatus, and radiation detecting system | |
US7629564B2 (en) | Conversion apparatus, radiation detecting apparatus, and radiation detecting system | |
JP5693174B2 (ja) | 放射線検出装置及び放射線検出システム | |
US8067743B2 (en) | Imaging apparatus and radiation imaging apparatus | |
EP2902807B1 (en) | Radiograph detection device | |
US8946634B2 (en) | Radiographic image capture device | |
US20160178757A1 (en) | Radiographic image capture device | |
WO2011148943A1 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
US8039809B2 (en) | Sensor panel and image detecting device | |
JP2009133837A (ja) | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
JP2011149910A (ja) | 放射線検出器 | |
KR20090087278A (ko) | 엑스레이 검출기 및 이의 제조방법 | |
JP2007300996A (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
JP2018084485A (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
JP4911966B2 (ja) | 放射線検出装置および放射線撮像システム | |
JP2004311593A (ja) | 電磁波検出器およびアクティブマトリクス基板 | |
EP3410159B1 (en) | Light detection device and operating method thereof | |
JP2012182346A (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
JP2011096794A (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
US20180348382A1 (en) | Radiation detector | |
JP2010127680A (ja) | 放射線画像検出センサユニット | |
JP2005308582A (ja) | 放射線検出器 | |
WO2009139209A1 (ja) | 放射線画像検出器および放射線画像検出器の製造方法 | |
JP2005308583A (ja) | 放射線検出器 | |
JP2010237138A (ja) | 放射線検出装置 |