JP2007300996A - 放射線画像撮影装置 - Google Patents

Abstract

【課題】装置の強度を向上させるために内蔵したガラス支持基台の厚み分だけ、装置の厚みも増加してしまう。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、変換基板４、支持部材５、回路基板６を備えており、支持部材５は変換基板４と回路基板６の間に位置している。変換基板４の下面４０２にはＴＦＴ９が配置されており、また、回路基板６の面６０１には複数の制御素子６ａが配置されている。支持部材５には壁５０１により複数の空間５ａ、５ｂが形成されており、これら空間５ａ、５ｂにＴＦＴ９及び制御素子６ａを収納する。
【選択図】図７

Description

本発明は放射線画像撮影装置に関し、特に、耐衝撃、耐振動特性を向上させるための支持部材を内部に備えた放射線画像撮影装置に関する。

従来から、医療診断の場において、対象物に放射線を照射し、該対象物を透過した放射線を検出して放射線画像を得る装置が利用されている。このような放射線画像を得る方法として、放射線に対するフィルム／スクリーンを利用したものがあげられる。これは、放射線を照射すると可視光を発光する蛍光体を感光性フィルムの両面に密着させておき、対象物を透過した放射線を蛍光体で可視光に変換し、この可視光を感光性フィルムで捉えて化学処理で現像することにより、感光性フィルム上に形成された潜像を可視化して放射線画像を得るものである。

一方、デジタル技術の進歩により、放射線画像をデジタルデータとして取り扱うことのできるＣＲ（Ｃｏｍｐｕｔｅｄ Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ）システムが実用化されている。このシステムには、輝尽性蛍光体層が形成された蛍光体プレートを内蔵したＣＲカセッテが用いられ、対象物を透過した放射線を輝尽性蛍光体層に吸収させた後、蛍光体プレートを励起光で走査して輝尽性蛍光体層に蓄積された放射線エネルギーを輝尽発光光として放射させ、放射した輝尽発光光を光電変換することにより、放射線量に応じた電気信号を得る。そして、この電気信号に対して画像処理を行い、ＣＲＴなどの表示装置に表示することにより、高画質の放射線画像を得ることができるものである。

このＣＲシステムによると、従来のフィルム／スクリーンを利用したものと比較して非常に広いダイナミックレンジを有することが可能となるので、放射線の露光量の変動に影響されずに放射線画像を得ることができるという利点を有している。同時に、従来のフィルム／スクリーンとは異なり、感光性フィルムの化学処理が不要であるため、即時的に可視画像を得ることができる利点も有している。

更に、近年の半導体製造技術の発展により、放射線画像を撮影するＣＲカセッテに代わり、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）が使用され始めてきた。このＦＰＤは、基板上に複数の放射線検出素子を２次元的に配列させたものを内蔵し、放射線検出素子に照射された放射線量に応じた電気信号を出力するものである。このＦＰＤを用いれば、励起光を走査して輝尽発光光を放射させる仕組みを必要とせず、直接的に放射線画像のデータを得ることができるので、ＣＲカセッテを用いた場合より撮影作業が円滑となり、また、装置を小型にすることが可能となる。

従来においては、ＦＰＤは放射線室に設置されていたが、近年、より迅速且つ広範囲な部位の撮影を可能にするため、ＣＲカセッテと同等の使い勝手の可搬型のものが求められてきている。しかしながら、ＦＰＤはガラスなどの脆弱な材料により構成された基板を内蔵しているため、医療現場等で実際に持ち運んで使用するには耐衝撃、耐振動性能が不足していた。また、胸部など広範囲の放射線画像を得るためには基板も広面積にする必要があるが、一般的に基板自身の厚みは薄く、この基板を広面積にすると更に装置の強度が不足して破損し易くなることが危惧された。

そこで、特許文献１には、基板を支持するための支持部材としてガラス支持基台を内蔵することにより、荷重が加わった場合にも、ガラス基板の変型とこの変型による破損を防止する放射線画像撮影装置（ＦＰＤ）が記載されている。図１０はこの従来技術に係る放射線画像撮影装置の断面図であり、図１１は図１０の放射線画像撮影装置に内蔵されたガラス支持基台の平面図及び断面図である。

図１０において、放射線画像撮影装置１００は、放射線画像撮影装置１００のフレームを兼ねた下部ケース１０１及び上部ケース１０２を備えており、下部ケース１０１と上部ケース１０２によって囲まれた空間には、光電変換素子をマトリクス状に並べ、この光電変換素子の表面に放射線を可視光に変換する蛍光体１０３を付着させたガラス基板１０４と、このガラス基板１０４を支持し、ガラス基板１０４と略同面積の大きさでガラス基板１０４の下部方向側に配置されたガラス支持基台１０５とが収納されている。そして、ガラス基板１０４とこのガラス支持基台１０５とを接合する粘着材１０６、及び光電変換素子を制御する制御用電気回路１０７、光電変換素子と制御用電気回路１０７を接続する接続ケーブル１０８、得られた放射線画像データを制御用電気回路１０７から放射線画像撮影装置の外部へ転送する転送ケーブル１０９を有している。制御用電気回路１０７はガラス支持基台１０５の下部に固定されている。

図１１に示すように、ガラス支持基台１０５は、平面板部材１１０、１１１と、これら平面板部材１１０、１１１に挟まれ、４角形の格子形状が複数連なった格子部材１１２との３層構造であり、平面板部材１１０、１１１と格子部材１１２が接合手段により互いに一体構造となっている。一体構造となったガラス支持基台１０５の内部には格子部材１１２により仕切られた中空空間１１３が複数形成されている。
特開平１１−１６０４３９号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の放射線画像撮影装置（ＦＰＤ）において、ガラス支持基台は平面上部材により挟まれて閉鎖されているため、ガラス支持基台の厚み分だけ装置の厚みも増加してしまうという問題が生じた。したがって、この種のＦＰＤは医療現場などで持ち運んで使用されるものであるにも拘わらず、ＦＰＤの耐衝撃、耐振動特性を向上させるためにガラス支持基台を内蔵すると、ＦＰＤ自身の厚みがガラス支持基台の厚み分だけ増加してしまい、結果的に持ち運び辛くなり使い勝手が悪くなってしまう。

また、上述したように、ＦＰＤは可搬型のＣＲカセッテの形態で使用され始めているため、ＣＲカセッテ用の放射線照射装置（カセッテホルダーなど）にも流用できることが望ましいが、ＦＰＤの厚みが増加してＣＲカセッテよりも厚くなってしまうと、別途ＦＰＤ用の放射線照射装置が必要となり、ＦＰＤの普及が困難となることが危惧される。

そこで本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、装置自身の厚みの増加を極力抑えつつ、強度を向上した放射線画像撮影装置の提供を目的とする。

上記目的を達成するため本発明の放射線画像撮影装置は、被写体を透過した放射線を電気信号に変換する変換手段が第１面に備えられ、前記変換手段により変換された電気信号を処理するための第１の電子部品が前記第１面と異なる第２面に配置された変換基板と、前記電気信号を処理するための第２の電子部品が、前記変換基板の第２面と対向する面に配置された回路基板と、前記変換基板と前記回路基板との間に位置して前記変換基板を支持するとともに、複数の空間を形成する壁を備え、該壁により形成される複数の空間に前記第１の電子部品及び前記第２の電子部品のうち少なくとも一方が収納された支持部材と、を有することを特徴とする。

なお、本発明における電子部品とは、自身では機能しないが他の部品と組み合わせることで機能する部品としての抵抗、コイル、コンデンサや、接続したり固定したりするための部品としてのコネクタ、端子、スイッチ、線材や、電気を加えることで入力と出力に一定の関係をもつ部品としてのトランジスタ、ＩＣ、ダイオード、オペアンプなどをいう。

本発明によれば、変換手段により変換された電気信号を処理する電子部品を支持部材の空間に収納したので、装置自身の厚みの増加を抑えつつ、強度を向上させることができる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、本実施の形態の説明における記載により、本発明の技術的範囲が限定されることはない。

図１は、本発明の一例である可搬型の放射線画像撮影装置１の分解斜視図であり、図２は、図１に示す放射線画像撮影装置１の概略断面図である。図１、２において、放射線画像撮影装置１は、放射線画像撮影装置１のフレームを兼ねた上部ケース２及び下部ケース３を備えており、上部ケース２と下部ケース３によって囲まれた空間には、変換基板４、支持部材５、複数の制御素子６ａを配置した回路基板６が収納されている。本実施の形態においては、変換基板４と回路基板６との間に支持部材５を配置することにより、装置の強度、特に曲げ強度を向上することが可能となっている。

変換基板４は、半導体素子との化学作用のないこと、半導体プロセスの温度に耐えること、寸法安定性等の必要性からガラス板が多く用いられる。この変換基板４の第１面４０１（図２において上面）には、対象物を透過した放射線を可視光に変換する蛍光体７と、この蛍光体７により変換された可視光を電気信号に変換するフォトダイオード８（本発明における変換手段は蛍光体７とフォトダイオード８により構成される）が積層して形成されている。また、変換基板４の第１面４０１と異なる第２面４０２（図２おいて下面）には、フォトダイオード８により得た電気信号の出力制御をするスイッチング素子としてのＴＦＴ９（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：本発明における第１の電子部品）が配置されている。この変換基板４の詳細については後述する。

回路基板６は、フォトダイオード８により変換された電気信号をアナログ信号からデジタル信号に変換したり、各種部品に電源を供給したり、取得した電気信号を外部の装置に送信したりする制御素子６ａ（本発明における第２の電子部品）を配置している。回路基板６は片面に制御素子６ａが配置されており、この制御素子６ａが配置された側の面６０１（図２において上面）が変換基板４と対向している。制御素子６ａは、図示しない配線によって、変換基板４の第２面４０２に配置されたＴＦＴ９と接続されている。なお、本実施の形態のおいては、片面に制御素子を配置した回路基板を用いて説明するが、当然、両面に制御素子を配置したものを用いても構わない。

支持部材５は、変換基板４と回路基板６との間に位置しており、変換基板４及び回路基板６に対して接着剤や粘着剤などで接着して固定されている。また、支持部材５は、図示しないネジなどの固定部品により、下部ケース３に強固に固定されている。この支持部材５は、放射線画像撮影装置１の曲げ強度を向上させるため剛性の高い材質により構成されており、この例としては、鉛、アルミニウム、鉄鋼などの金属やガラス、プラスチックなどの樹脂などがあげられる。また、後述するように、支持部材５には制御素子６ａやＴＦＴ９が収納されるので、漏電し難い材質により構成されるのが好ましい。

このように構成された放射線画像撮影装置１においては、対象物を透過した放射線は放射線強度に応じて蛍光体７により可視光に変換され、可視光はフォトダイオード８により電気信号に変換される。そして、このフォトダイオード８により変換された電気信号はＴＦＴ９、制御素子６ａなどを介して放射線画像データとして外部装置に送信され、外部装置（例えばＣＲＴなどの表示装置）により放射線画像が可視化される。

図３は、放射線画像撮影装置１の構成を示すブロック図である。なお、放射線画像撮影装置１としては、間接変換型と直接変換型のものが存在する。間接変換型は被写体を透過した放射線を一旦光変換した後、その光量に応じた電気信号を生成する方式であり、直接変換型は光変換を介さずに透過した放射線を直接電気信号に変換する方式である。本実施形態では、間接変換型を適用した例を説明するが、当然直接変換型であっても良い。

図３に示す放射線画像撮影装置１は、放射線を検出して電気信号に変換し、この電気信号の出力を制御する画素Ｇ１１〜Ｇｍｎを有するセンサ部２１と、電気信号の出力時にセンサ部２１の各画素Ｇ１１〜Ｇｍｎを垂直方向に走査する垂直走査回路２２と、センサ部２１の各画素Ｇ１１〜Ｇｍｎから出力される電気信号を行毎に保持する出力回路２３−１〜２３−ｎと、出力回路２３−１〜２３−ｎで保持された電気信号を列毎のシリアルな電気信号に変換するマルチプレクサ２４と、マルチプレクサ２４から与えられる電気信号をデジタルデータに変換するＡ／Ｄ変換回路２５と、垂直走査回路２２、出力回路２３−１〜２３−ｎ、マルチプレクサ２４、及びＡ／Ｄ変換回路２５それぞれの動作タイミングを指定するタイミングジェネレータ２６と、を備えている。本実施形態においては、センサ部２１は蛍光体７、フォトダイオード８、ＴＦＴ９により構成され、垂直走査回路２２、出力回路２３−１〜２３−ｎ、マルチプレクサ２４、Ａ／Ｄ変換回路２５及びタイミングジェネレータ２６は制御素子６ａにより構成されている。

この放射線画像撮影装置１は、画素Ｇ１１〜Ｇｍｎのそれぞれに直流電圧ＶＤＤを印加する電力供給線２７と、垂直走査回路２２から各行毎に与える信号φＶ１〜φＶｍをセンサ部２１における各行の画素に与えるために行毎に設けられた駆動線２８−１〜２８−ｍと、センサ部２１における画素からの電気信号を列毎に出力回路２３−１〜２３−ｎに出力するために列毎に設けられた信号読出線２９−１〜２９−ｎと、タイミングジェネレータ２６よりセンサ部２１の出力回路２３−１〜２３−ｎをリセットするリセット信号φＲＳＴを出力回路２３−１〜２３−ｎに与えるリセット線３０と、を備える。なお、タイミングジェネレータ２６と、垂直走査回路２２、マルチプレクサ２４、及びＡ／Ｄ変換回路２５との間や、マルチプレクサ２４とＡ／Ｄ変換回路２５との間にも、信号をやりとりするための信号線が接続されるが、その詳細な説明は省略する。

又、出力回路２３−１〜２３−ｎは、各列の信号読出線２９−１〜２９−ｎと接続されている。この出力回路２３−１〜２３−ｎ及び画素Ｇ１１〜Ｇｍｎの構成について、図４を参照して詳細に説明する。なお、以下では、ａ行ｂ列の画素Ｇａｂを代表して、その構成について説明する。すなわち、図４に画素Ｇａｂと出力回路２３−ｂの回路構成を示す。

図４に示すように、画素Ｇａｂは、電力供給線２７と接続されて直流電圧ＶＤＤがカソードに印加されるフォトダイオード８と、フォトダイオード８のアノードにドレイン電極が接続されるとともに信号読出線２９−ｂにソース電極が接続されたＴＦＴ９と、を備える。そして、ＴＦＴ９のゲート電極には駆動線２８−ａが接続されており、垂直走査回路２２からの信号φＶａが与えられる。なお、蛍光体７については図示していないが、上述したように、蛍光体７により放射線を可視光に変換して、この可視光がフォトダイオード８に入射される。

出力回路２３−ｂは、オペアンプとキャパシタとにより構成されるいわゆるチャージセンシングアンプを備えている。すなわち、信号読出線２９−ｂに反転入力端子が接続されるとともに非反転入力端子に基準電圧ＶＲＥＦが印加されるオペアンプ３２と、オペアンプ３２の反転入力端子と出力端子との間に並列に接続されたキャパシタ３３及びスイッチ３４と、を備える。そして、オペアンプ３２の出力端子がマルチプレクサ２４の入力側に接続されるとともに、タイミングジェネレータ２６からリセット線３０を通じて与えられる信号φＲＳＴによって、スイッチ３４のＯＮ／ＯＦＦが制御される。このように構成されるチャージセンシングアンプは、電気信号をキャパシタ３３に保持することで積分機能を具備した読み出し回路であり、キャパシタ３３がリセットされない限り、電気信号を読み出しても電気信号は保持されるという特性を有する。

このように、画素Ｇ１１〜Ｇｍｎの及び出力回路２３−１〜２３−ｎが構成されるとき、画素Ｇ１１〜Ｇｍｎの及び出力回路２３−１〜２３−ｎのリセット動作を行う場合、タイミングジェネレータ２６からハイとなる信号φＲＳＴが与えられて、出力回路２３−１〜２３−ｎそれぞれのスイッチ３４がＯＮとされると同時に、垂直走査回路２２から信号φＶ１〜φＶｍが与えられて、画素Ｇ１１〜ＧｍｎのそれぞれのＴＦＴ９がＯＮとされる。

このとき、スイッチ３４がＯＮとなるため、オペアンプ３２の出力端子と反転入力端子とが接続されて、キャパシタ３３に蓄積された電荷が放電される。又、ＴＦＴ９がＯＮとなるため、フォトダイオード８のアノードが、ＴＦＴ９とスイッチ３４を介してオペアンプ３４の出力端子と電気的に接続され、フォトダイオード８のアノードに蓄積された電荷が放電される。よって、フォトダイオード８のアノード及びキャパシタ３３がリセットされる。

撮像動作が行われるときは、信号φＲＳＴがローとされて、スイッチ３４がＯＦＦとされるとともに、画素Ｇａｂにおいて、信号φＶａがローとされて、ＴＦＴ９がＯＦＦとされる。これにより、フォトダイオード８により光電変換されて得られた電荷がフォトダイオード８のアノードに蓄積されることとなる。そして、画素Ｇａｂの信号読み出し時において、信号φＶａがハイとされてＴＦＴ９がＯＮとされることで、フォトダイオード８のアノードに蓄積された電荷が電気信号としてキャパシタ３３に蓄積され、オペアンプ３２の出力端子の電圧値が変更し、このオペアンプ３２の出力端子の電圧値がマルチプレクサ２４に与えられる。

そして、マルチプレクサ２４では、得られた電圧値をシリアルな電気信号に変換してＡ／Ｄ変換回路２５に送信し、Ａ／Ｄ変換回路２５ではこの電気信号をデジタルデータに変換する。このようにして、放射線画像撮影装置１で放射線画像データが作成される。

次に、図５を用いて変換基板４の詳細を説明する。図５は変換基板４の一部を拡大した拡大断面図である。なお、本実施の形態においては、変換基板４の上面４０１に蛍光体７及びフォトダイオード８を積層して形成し、変換基板４の下面４０２にＴＦＴ９を形成している。このように、蛍光体７及びフォトダイオード８とＴＦＴ９とをそれぞれ異なる面に形成することにより、変換基板４の上面４０１において蛍光体７及びフォトダイオード８を形成可能な面積が大きくなり、各画素の感度を高くすることが可能となる。

図５に示すように、変換基板４の上面４０１には、まず受光部電極４１が形成され、この受光部電極４１を覆うように、ｐ型アモルファスシリコン層４２とｎ型アモルファスシリコン層４３とが順番に積層されてＰＮ型となるフォトダイオード８が形成される。

そして、このフォトダイオード８のｎ型アモルファスシリコン層４３に上面に、インジウム−スズ酸化物で構成されるＩＴＯ膜のような透明電極膜４４が形成され、更に、透明電極膜４４の上面には蛍光体７が形成される。なお、透明電極膜４４は上述した電力供給線２７として機能する。変換基板４には貫通穴が設けられ、この貫通穴に受光部電極４１と接続された貫通電極４５が形成される。

又、変換基板４の下面４０２には、ＴＦＴ９のゲート電極４６が形成され、貫通電極４５の設置位置以外において、変換基板４の下面４０２及びゲート電極４６を覆うように絶縁膜４７が積層される。そして、絶縁膜４７の下面のゲート電極４６の設置位置に相当する部分を覆うようにチャネル層４８が積層され、又、チャネル層４８の下面中央位置にチャネルストップ層４９が積層される。

このチャネルストップ層４９の両端それぞれからチャネル層４８の両端それぞれを覆うように、ドレイン領域及びソース領域となるコンタクト層５０、５１が積層される。更に、コンタクト層５０の下面から貫通電極４５に至る位置までにドレイン電極５２が形成され、コンタクト層５１の下面から信号読出線２９（図３の信号読出線２９−１〜２９−ｎに相当する）に至る位置までにソース電極５３が形成される。そして、このようにＴＦＴ９が形成された変換基板４の下面全体に対して、ＴＦＴ９を含む回路構造を保護するための絶縁膜となるパッシベーション膜５４が積層される。

このように変換基板４の下面４０２にＴＦＴ９を配置することにより、各画素の感度を高くすることが可能となるが、図５に示すように、変換基板４の下面４０２側にはＴＦＴ９による凸部が形成されている。そこで、本実施の形態においては、回路基板６の面６０１に配置された制御素子６ａとともにこの変換基板４の下面４０２に配置されたＴＦＴ９を、支持部材５に収納するようにしている。

図６乃至図８を参照しつつ、支持部材５にＴＦＴ９や制御素子６ａを収納した状態を説明する。図６は放射線画像撮影装置１の一部を切り欠いた上面図であり、図７は図６におけるＡ−Ａ’断面を拡大した拡大断面図であり、図８は支持部材５の他の例を示す図である。

支持部材５は、制御素子６ａの高さＤ２やＴＦＴ９の高さＤ３よりも大きな厚みＤ１を有し、変換基板４と略同面積の大きさを有する板である。支持部材５は、上述したように、変換基板４のＴＦＴ９が配置された下面４０２側で、且つ、回路基板６の制御素子６ａが配置された面６０１側に位置するように、変換基板４と回路基板６との間に位置している。この支持部材５は、壁５０１により鉛直方向（図６において紙面に垂直な方向）に伸びた６角柱の空間５ａが全面に亘って連続して形成されたハニカム構造を有しており、またこの一部に、空間５ａを複数個繋げて空間５ａよりも大きい空間５ｂ１と空間５ｂ１よりも更に大きい空間５ｂ２（以下空間５ｂ１と空間５ｂ２とを合わせて空間５ｂともいう）が形成されている。

これら空間５ａ、５ｂは、支持部材５を変換基板４や回路基板６に当接させた際、制御素子６ａやＴＦＴ９の配置された位置と対向する位置に、制御素子６ａやＴＦＴ９の大きさ（幅）に対応して予め形成されている。すなわち、図６に示すように、回路基板６には異なる幅をもつ複数の制御素子６ａが拡散して配置されているので、これら制御素子６ａが配置された位置やそれぞれの素子がもつ幅に合わせて、小さな制御素子６ａには空間５ａが、大きな制御素子６ａには空間５ｂ１あるいは空間５ｂ２が対応するように壁５０１が形成されている。また、図示していないが、変換基板４の下面４０２側には、ＴＦＴ９が均等な距離間をそれぞれ維持しながら画素数分だけ配置されているので、これらの位置、幅に合わせて空間５ａ、５ｂは形成されている。なお、図６に示す空間５ｂは、長方形の形状のものしか示していないが、空間５ａを適宜組み合わせて繋げることにより、円形、三角形、正方形などの形状とすることも可能である。

上述したように、壁５０１を適宜に配置することによって空間５ａ、５ｂは、制御素子６ａ、ＴＦＴ９の配置された位置や大きさに合わせて形成されるので、図７に示すように、変換基板４と回路基板６とを支持部材５に当接させた際には、ＴＦＴ９や制御素子６ａは空間５ａ、５ｂに合致して嵌りあい、ＴＦＴ９や制御素子６ａは空間５ａ、５ｂに収納される。なお、ここでは簡略化のため、ＴＦＴ９は空間５ａ、５ｂに２、３個程度しか収納されていないが、通常、ＴＦＴ９は制御素子６ａと比較して非常に小さいものであるため、一つの空間に、例えば１０個、２０個などまとめて収納される。そして、壁５０１と変換基板４及び回路基板６が当接し、固着されていることにより、放射線撮影装置１に応力が加えられたとしても、変換基板４の変形が抑制され、変形に伴う破損を防ぐことができる。なお、図７に示すように、ＴＦＴ９と制御素子６ａとを接続する配線１０（上記の駆動線２８や信号読出線２９）を、空間５ａ、５ｂを介して接続することにより、配線１０を変換基板４の側面を経由させる必要がなくなるので、配線用のスペース分だけ装置を小型にすることができる。また、その分だけ配線を短くすることが可能となるので、電気ノイズの低減、部品コストの低減を図ることができる。

このように、本実施の形態においては、変換基板４に配置されたＴＦＴ９及び回路基板６に配置された制御素子６ａを、支持部材５の空間５ａ、５ｂに収納するように構成したので、ＴＦＴ９と制御素子６ａの高さ分だけ、装置の厚みを減らすことが可能となる。

そして、空間５ａ、５ｂはＴＦＴ９や制御素子６ａの位置や大きさに合わせて形成されるので、壁５０１とＴＦＴ９や制御素子６ａとが互いに干渉することなく、壁５０１と変換基板４及び回路基板６が当接して固着されるので、長期に亘って高い剛性を維持することが可能となる。また、制御素子６ａやＴＦＴ９が長期に亘って安定して機能する。

なお、支持部材５は、上述した６角柱の空間を有するものに限られることなく、例えば、図８（ａ）に示すように、円柱の空間が連続して形成されたものや、図８（ｂ）に示すように、４角柱の空間が連続して形成されたものを用いても良い。また、当然、これらの形状を適宜組み合わせて用いることも可能である。

また、支持部材５と回路基板６とは必ずしも当接させる必要はなく、例えば、図９に示すように、所定の間隙を設けて支持部材５と回路基板６とをスペーサ１１により連結し、制御素子６ａの一部を支持部材５に挿入するようにしても構わない。

以上の説明では、支持部材５の空間５ａ、５ｂに制御素子６ａ及びＴＦＴ９の両方を収納するようにしたが、ＴＦＴ９を変換基板４の上面４０１に配置し、支持部材５に形成された空間５ａ、５ｂに制御素子６ａのみを収納したり、制御素子６ａを回路基板６の面６０１と反対側の面に配置し、空間５ａ、５ｂにＴＦＴ９のみを収納したりするようにしても、本発明の目的を達成することは可能である。

また、制御素子６ａ、ＴＦＴ９の配置された位置、大きさに合わせて空間５ａ、５ｂを形成するのではなく、空間５ａ、５ｂの形成された位置、大きさに合わせて制御素子６ａ、ＴＦＴ９を配置するようにしても良いことはいうまでもない。

また、制御素子６ａとＴＦＴ９とを連続した同一の空間に収納せず、例えば、空間の途中を閉鎖するなどして、制御素子６ａとＴＦＴ９とを別々の空間に収納するようにしても構わない。

本発明の一例である可搬型の放射線画像撮影装置の分解斜視図である。 図１に示す放射線画像撮影装置の概略断面図である。 図１に示す放射線画像撮影装置の構成を示すブロック図である。 画素Ｇａｂと出力回路２３−ｂの回路構成を示す図である。 変換基板の一部を拡大した拡大断面図である。 放射線画像撮影装置１の一部を切り欠いた上面図である。 図６におけるＡ−Ａ’断面を拡大した拡大断面図である。 支持部材の他の例を示す図である。 支持部材と回路基板との他の連結例を示す図である。 従来技術に係る放射線画像撮影装置の概略断面図である。 図１０の放射線画像撮影装置に内蔵されたガラス支持基台の平面図及び断面図である。

符号の説明

１ 放射線画像撮影装置
４ 変換基板
５ 支持部材
５ａ 空間
５ｂ 空間
６ 回路基板
６ａ 制御素子
８ フォトダイオード
９ ＴＦＴ
４０１ 変換基板の第１面
４０２ 変換基板の第２面
５０１ 壁

Claims (4)

1. 被写体を透過した放射線を電気信号に変換する変換手段が第１面に備えられ、前記変換手段により変換された電気信号を処理するための第１の電子部品が前記第１面と異なる第２面に配置された変換基板と、
   前記電気信号を処理するための第２の電子部品が、前記変換基板の第２面と対向する面に配置された回路基板と、
   前記変換基板と前記回路基板との間に位置して前記変換基板を支持するとともに、複数の空間を形成する壁を備え、該壁により形成される複数の空間に前記第１の電子部品及び前記第２の電子部品のうち少なくとも一方が収納された支持部材と、を有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
2. 前記複数の空間は、前記変換基板に配置された第１の電子部品の位置又は前記回路基板に配置された第２の電子部品の位置に合わせて形成されることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
3. 前記複数の空間は、前記変換基板に配置された第１の電子部品の大きさ又は前記回路基板に配置された第２の電子部品の大きさに合わせて形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像撮影装置。
4. 前記複数の空間は、異なる大きさの空間を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の放射線画像撮影装置。

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