JP2010127680A - 放射線画像検出センサユニット - Google Patents

Abstract

【課題】筐体を大型化することなく、外部から加わる衝撃によりカセッテ内のガラス基板が破損することを防止すること。
【解決手段】被写体のＸ線画像を検出する検出センサユニット２１において、対向ガラス板２１２に対するガラス基板２１３の突出部が設けられている。突然の衝撃が加わってもガラス基板２１３の破損を防止するよう、ガラス基板２１３の突出部には突出部を補強する補強部材が設置されている。
【選択図】図６

Description

本発明は、放射線画像検出センサユニットに関する。

近年、被写体に放射線を照射し、被写体を透過した放射線を検出して放射線画像を得る方法として、デジタル方式の放射線画像検出装置が用いられている。このような放射線画像検出装置としては、いわゆるＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）がある。

ＦＰＤの一例としては、基板上に複数の検出素子を二次元的に配列し、被写体を透過した放射線が蛍光体（シンチレータ）に照射され、照射された放射線量に応じて発光する可視光を検出素子により電荷に変換して光電変換素子に蓄積し、光電変換素子に蓄積した電荷を読み出すことにより放射線画像を得るものがある（特許文献１参照）。このようなＦＰＤは撮影直後に放射線画像を得られるという即時性を有している。

図９はＦＰＤであるカセッテを用いた従来のシステムの概略図である。

カセッテＡ（特許文献１では「二次元撮影装置」という名称である）は放射線画像検出センサユニットＢを内蔵し、放射線発生部Ｃから出射されたＸ線を被写体Ｐに照射し、被写体Ｐを透過したＸ線は二次元の格子状に配列した光電変換素子を有する放射線画像検出センサユニットＢによって検出される。光電変換素子から出力される画像信号を画像処理部Ｄにおいてデジタル画像処理し、モニタＥに被写体Ｐの放射線画像を表示する。

図１０はカセッテＡの縦断面図である。

筐体Ａ１の内部には基台Ａ２が設けられており、この基台Ａ２には放射線画像検出センサユニットＢが取り付けられている。放射線画像検出センサユニットＢは、半導体素子と化学作用せず、半導体プロセスの温度に耐え、寸法安定性等が必要なことからガラス板により構成された基板Ｂ１と、半導体プロセスにより二次元配列的に形成された光電変換素子Ｂ２と、金属化合物から成る蛍光体を樹脂板に塗布した蛍光板Ｂ３と、蛍光板Ｂ３の上面にある不透湿フィルムＢ４が一体的に積層されて構成されている。基板Ｂ１の端部には光電変換素子Ｂ２で発生した電気信号を取り出すための電気信号取出部Ｂ５が設けられている。

基台Ａ２の下面には、光電変換された電気信号を処理するための電子部品を搭載した電気基板Ａ３が突起Ａ４を介して固定されている。この電気基板Ａ４と電気信号取出部Ｂ５間は、フレキシブル電気基板Ａ５によって接続されている。

図１０に示すカセッテＡは可搬型である。
特開平１１−２８４９０９号公報

図１０に示すカセッテＡは、基板Ｂ１において蛍光板Ｂ３から突出した部分（図１０のＸ領域）があり、この突出部分に電気信号取出部Ｂ５が設置されている。また、基板Ｂ１の突出部分は、ガラス１枚により構成されているため、強度が低い。

カセッテＡは持ち運ぶ際に落下させたり、他の物体と接触させたりして、カセッテＡ全体に衝撃が加わる場合があるが、基板Ｂ１の突出部分の強度が低いため、カセッテＡ全体に衝撃が加わった場合にガラス基板Ｂ１の突出部分が破損してしまう場合がある。破損防止のため、カセッテＡ内に加わる衝撃を吸収する緩衝部材を基板Ｂ１の突出部分の周辺に設置する方法も考えられるが、緩衝部材を設置すると筐体が大型化してしまう。従来のカセッテと互換性があるカセッテＡとする場合はカセッテ全体の外形サイズが限られているため、ガラス基板Ｂ１の突出部分の周辺に緩衝部材を設置する十分なスペースを確保することができない。

そこで、本発明の目的は、筐体を大型化することなく、外部から加わる衝撃によりカセッテ内のガラス基板が破損することを防止する放射線画像検出センサユニットを提供することになる。

上記目的を達成するため、本発明に係る放射線画像検出センサユニットは、
被写体に向けて照射された放射線を検出する放射線画像検出センサユニットであって、
入射した放射線を光に変換するシンチレータと、
前記シンチレータにより変換された光を受けて電気信号に変換する光電変換部と、
前記シンチレータに対して放射線が照射される側に設置された対向ガラス板と、
少なくとも前記光電変換部を支持するガラス基板と、
前記対向ガラス板に対する前記ガラス基板の突出部に設置され、前記突出部を補強する補強部材と、
を有することを特徴とするものである。

本発明に係る放射線画像検出センサユニットによれば、筐体を大型化することなく、外部から加わる衝撃によりカセッテ内のガラス基板が破損することを防止することが出来る。

以下、本発明の実施の形態について図を基に説明する。

［カセッテ型検出器の概要］図１は、カセッテ型検出器の斜視図である。

カセッテ型検出器１は、カセッテ型のフラットパネルディテクタ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ：以下「ＦＰＤ」と称する。）である。カセッテ型検出器１は、照射された放射線を検出してデジタル画像データとして取得する検出器ユニット２（図３等参照）と、検出器ユニット２を内部に収納するハウジング３とを備えている。

本実施形態において、ハウジング３は、その放射線入射方向の厚さが１５ｍｍとなるように形成されている。なお、ハウジング３の放射線入射方向の厚さは１６ｍｍ以下であり、従来のスクリーン／フィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格（ＪＩＳ Ｚ ４９０５）に準拠するサイズ（１５ｍｍ＋１ｍｍであり、かつ１５ｍｍ−２ｍｍ）の範囲内である（ＪＩＳ Ｚ ４９０５に対応する国際規格は、ＩＥＣ ６０４０６である）。

図２は、ハウジング３の分解斜視図である。

図２に示すように、ハウジング３は、両端部に開口部３１１、３１２を有する中空のハウジング本体部３１と、ハウジング本体部３１の各開口部３１１、３１２を覆う第１の蓋部材３２及び第２の蓋部材３３とを備えている。

ハウジング本体部３１は、例えば、心材（型）の上にカーボン繊維を巻回して所望の厚み（例えば、１ｍｍ〜２ｍｍ）とした上で形状を整え、巻回したカーボン繊維の上に熱硬化性樹脂を流した上で、高温高圧で焼き固めることにより成型し、その後心材を抜き取ることによって形成する。また、所望の厚み（例えば、１ｍｍ〜２ｍｍ）で、予め所定サイズのハウジング本体部３１の展開長に合致する矩形状の板状部材を形成し、この板状部材を心材（型）に沿って折り曲げて、端面同士を接着剤等で結合することにより、角筒状としてもよい。

第１の蓋部材３２及び第２の蓋部材３３は、蓋本体部３２１、３３１と、挿入部３２２、３３２とを備えており、例えば非導電性のプラスチック等の非導電性の材料によって形成されている。

挿入部３２２、３３２の各側面には、第１の蓋部材３２及び第２の蓋部材３３と、ハウジング本体部３１と、を係合する係合片３２４、３３４が、開口部３１１、３１２に対する挿入方向に向かって延出している。係合片３２４、３３４の外側面には、それぞれ係合凸部３２５、３３５が設けられている。第１の蓋部材３２と第２の蓋部材３３がハウジング本体部３１に挿入されると、係合凸部３２５、３３５がハウジング本体部３１に設置された係合凹部３１５、３１６に係合する。

第１の蓋部材３２における蓋本体部３２１の一側面には、カセッテ型検出器１と外部の機器との間で無線により情報の送受信を行うためのアンテナ装置９が埋め込まれており、アンテナ装置９には、金属からなる平板状の一対の放射板９１、９２と、一対の放射板９１、９２に対して給電する給電部９３とが設けられている。

アンテナ装置９は、金属やカーボン等の導電性材料からなる導電性部材に近接した位置に設けると受信感度、受信利得が低下することから、カーボン等の導電性材料で形成されているハウジング本体部３１や金属等で形成されている各種電子部品から出来るだけ離れた位置に設けることが好ましい。

また、蓋本体部３２１の一面であって、アンテナ装置９が形成されている面と同一面上には、ハウジング３の内部に設けられた充電池２４（図３等参照）を充電する際に外部の電源等と接続される充電用端子４５と、カセッテ型検出器１の電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える電源スイッチ４６が設けられている。更に、アンテナ装置９が形成されている面と放射線入射側の面とによって形成される角部には、例えばＬＥＤ等で構成され充電池２４の充電状況や各種の操作状況等を表示するインジケータ４７が設けられている。

［カセッテ型検出器の内部構造］次にカセッテ型検出器１の内部構造について説明する。図３は、図１に示すカセッテ型検出器１をａ方向からみた所定箇所の断面図である。

図３に示すように、検出器ユニット２は、検出センサユニット（放射線画像検出センサ）２１、基台２２、各種の電子部品を実装した電気基板２３、充電池２４等により構成されている。本実施形態において、基台２２の上方には遮蔽部材２５を介して検出センサユニット２１が取り付けられており、基台２２の下方には複数の電気基板２３と充電池２４が取り付けられている。

基台２２は可撓性があり、薄い樹脂により構成されている。厚さは約１ｍｍであり、材質は例えば、ポリカーボネイトとＡＢＳを混合した樹脂である。このように可撓性のある樹脂により基台２２が形成され、軽量化を行なうことで撮影時の患部へのセット性向上やカセッテ型検出器１移動時の持運び性の向上が図れる。

検出センサユニット２１はシンチレータ層２１１、光電変換部としての信号検出部（不図示）、対向ガラス板２１２、ガラス基板２１３、補強部材２１４等から構成されている。検出センサユニット２１の基本構造を説明すると、ガラス基板２１３の上に信号検出部が支持されており、その上方にシンチレータ層２１１が設置されている。シンチレータ層２１１の上方には対向ガラス板２１２が設置されており、シンチレータ層２１１は対向ガラス板２１２とガラス基板２１３に挟まれている（つまり積層構造となっている）。

シンチレータ層２１１は入射した放射線を光に変換する機能を有する。シンチレータ層２１１は、例えば、蛍光体を主たる成分とし、入射した放射線に基づいて、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を出力するようになっている。

シンチレータ層２１１は、対向ガラス板２１２の下側（撮影時に放射線が入射する側と反対側）に貼付されており、対向ガラス板２１２の上側（撮影時に放射線が入射する側）にはガラス保護フィルム（不図示）が積層されている。

シンチレータ層２１１の下方には信号検出部（図５では１５１で示す）が形成されおり、信号検出部はシンチレータ層２１１から出力された電磁波（光）を電気エネルギーに変換して蓄積し、蓄積された電気エネルギーに基づく画像信号の出力を行う。信号検出部はガラス基板２１３に支持されている。

対向ガラス板２１２とガラス基板２１３は、ともに厚みが０．６ｍｍ程度であり、レーザにより端面を切断することにより、端面、すなわち、切断面と、この切断面とガラス基材の上面との稜線部分、及び切断面とガラス基材の下面との稜線部分を平滑化する平滑化処理を施されている。

ガラス基板２１３の下方には補強部材２１４が設置されており、対向ガラス板２１２に対するガラス基板２１３の突出部を補強している。補強部材２１４についての詳細な構造は後述する。

基台２２の下方には複数の電気基板２３が設置されている。本実施形態において、電気基板２３上に配置される電子部品としては、例えば各部の制御を行う制御部２８（図５参照）を構成するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等からなる記憶部（図示せず）、走査駆動回路１６（図５参照）、信号読出し回路１７（図５参照）等がある。

また、基台２２の中央部には、カセッテ型検出器１を構成する複数の駆動部（例えば、後述する走査駆動回路１６（図５参照）、信号読出し回路１７（図５参照）、通信部（不図示）、記憶部（不図示）、充電量検出部（不図示）、インジケータ４７、検出センサユニット２１等）に電力を供給する充電池２４が設けられている。

充電池２４として本実施形態では電気二重層コンデンサを使用している。但し、電気二重層コンデンサ以外に例えばリチウムイオンキャパシタ、ニッカド電池、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池、小型シール鉛電池、鉛蓄電池等の充電自在な電池を適用することが出来る。

充電池２４は、基台２２上の所定の位置に設置することにより前述の充電用端子４５と電気的に接続されるようになっており、例えば、カセッテ型検出器１を外部電源と接続されるクレードル等の充電用装置（図示せず）に装着することによって充電用装置側の端子とハウジング３側の充電用端子４５とが接続されて充電池２４の充電が行われるようになっている。

ガラス基板２１３の端部には信号検出部で発生した電気信号を取り出すための電気信号取出部２１５が設けられており、この電気信号取出部２１５と所定の電気基板２３とはフレキシブルハーネス２６により接続されている。

また、カセッテ型検出器１の落下等により衝撃が加わった場合でもハウジング３内の部品が破損しないよう、基台２２の側面や対向ガラス板２１２の上面等に衝撃を吸収する緩衝部材２７が設置されている。

［検出センサユニットの回路構成］次に、検出センサユニット２１の回路構成について説明する。図４は、信号検出部１５１を構成する１画素分の光電変換部の等価回路図である。

図４に示すように、１画素分の光電変換部の構成は、フォトダイオード１５２と、フォトダイオード１５２で蓄積された電気エネルギーをスイッチングにより電気信号として取り出す薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」と称する。）１５３とから構成されている。フォトダイオード１５２は、電荷を生成し蓄積する撮像素子である。フォトダイオード１５２から取り出された電気信号は、増幅器１５４により信号読出し回路１７が検出可能なレベルにまで電気信号を増幅するようになっている。

具体的には、光の照射を受けるとフォトダイオード１５２で電荷が発生し、ＴＦＴ１５３のゲートＧに信号読出し用の電圧が印加されると、ＴＦＴ１５３のソースＳに接続されたフォトダイオード１５２から電荷がＴＦＴ１５３のドレインＤ側に流れ、増幅器１５４に並列に接続されたコンデンサ１５４ａに蓄積される。そして、増幅器１５４から、コンデンサ１５４ａに蓄積された電荷に比例して増幅された電気信号が出力されるようになっている。

また、増幅器１５４から増幅された電気信号が出力されて電気信号が取り出されると、増幅器１５４やコンデンサ１５４ａに並列に接続されたスイッチ１５４ｂがオンされてコンデンサ１５４ａに蓄積された電荷が放出されて、増幅器１５４がリセットされるようになっている。なお、フォトダイオード１５２は、単に規制キャパシタンスを有した光ダイオードでもよいし、フォトダイオード１５２と光電変換部のダイナミックレンジを改良するように追加コンデンサを並列に含んでいるものでもよい。

図５は、このような光電変換部を二次元に配列した等価回路図であり、画素間には、走査線Ｌｌと信号線Ｌｒが直交するように配設されている。ＴＦＴ１５３のソースＳには前述のフォトダイオード１５２の一端側が接続されており、ＴＦＴ１５３のドレインＤは信号線Ｌｒに接続されている。一方、フォトダイオード１５２の他端側は、各行に配された隣接するフォトダイオード１５２の他端側と接続されて共通のバイアス線Ｌｂを通じてバイアス電源１５５に接続されている。

このバイアス電源１５５は制御部２８に接続され、制御部２８からの指示によりバイアス線Ｌｂを通じてフォトダイオード１５２に電圧がかるようになっている。また各行に配されたＴＦＴ１５３のゲートＧは、共通の走査線Ｌｌに接続されており、走査線Ｌｌは走査駆動回路１６を介して制御部２８に接続されている。同様に、各列に配されたＴＦＴ１５３のドレインＤは、共通の信号線Ｌｒに接続されて制御部２８に制御される信号読出し回路１７に接続されている。

信号読出し回路１７には、前述した信号線Ｌｒごとの増幅器１５４が設けられている。信号読出し時には、選択された走査線Ｌｌに信号読出し用の電圧が印加され、それによりその走査線Ｌｌに接続されている各ＴＦＴ１５３のゲートＧに電圧が印加され、各ＴＦＴ１５３を介して各フォトダイオード１５２から各信号線Ｌｒにそのフォトダイオード１５２で発生した電荷が流れる。そして、各増幅器１５４でフォトダイオード１５２ごとに電荷が増幅され、１行分のフォトダイオード１５２の情報が取り出される。そして、この操作を走査線Ｌｌをそれぞれ切り替えて全ての走査線Ｌｌについて行うことで、全フォトダイオード１５２から情報を取り出すようになっている。

各増幅器１５４にはそれぞれサンプルホールド回路１５６が接続されている。各サンプルホールド回路１５６は信号読出し回路１７に設けられたアナログマルチプレクサ１５７に接続されており、信号読出し回路１７により読み出された信号は、アナログマルチプレクサ１５７からＡ／Ｄ変換器１５８を介して前述した制御部２８に出力されるようになっている。

なお、ＴＦＴ１５３は、液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系のもの、有機半導体を用いたものの何れであってもよい。

また、本実施形態では、撮像素子として光電変換素子としてのフォトダイオード１５２を用いた場合を例示したが、光電変換素子はフォトダイオード以外の固体撮像素子を用いてもよい。

以上、図１〜図５に示すようなカセッテ型検出器１を使用することにより、被写体のＸ線画像を検出することが可能となっている。

［ガラス基板の破損防止］図６は、検出センサユニット２１の詳細図である。図６（ａ）は検出センサユニット２１の断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）におけるｂ方向からみた検出センサユニット２１の上面図、図６（ｃ）は図６（ａ）におけるｃ方向からみた検出センサユニット２１の下面図である。

図６（ａ）で示すように、ガラス基板２１３においてシンチレータ層２１１や対向ガラス板２１２から突出した部分（図６（ａ）のＹ領域）があり、この突出部（対向ガラス板２１２に対するガラス基板２１３の突出部）に電気信号取出部２１５が設置されている。検出センサユニット２１を内蔵するカセッテ型検出器１を持ち運ぶ際に落下させたり、他の物体と接触させたりして、カセッテ型検出器１全体に衝撃が加わる場合があるが、ガラス基板２１３の突出部が何ら補強されていないと強度が低いため、衝撃が加わった場合にガラス基板２１３の突出部が破損してしまう場合がある。そこで、ガラス基板２１３の突出部を補強する補強部材２１４がガラス基板２１３に設置されている。

図６（ａ）、図６（ｃ）で示すように補強部材２１４はガラス基板２１３の下面に設置されており、また、補強部材２１４はシンチレータ層２１１の下面に設置された信号検出器の電気信号に影響を与えることがないよう、絶縁性のフィルムにより形成されている。絶縁性のフィルムとしては、強度や耐熱性に優れるＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムである。

ガラス基板２１３の下面に設置した補強部材２１４によりガラス基板２１３の突出部は厚さが増すために強度が高くなり、カセッテ型検出器１に撮影時や移動時の落下等の突然の衝撃が加わってもガラス基板２１３の変形を防止し、ガラス基板２１３の破損を防止することが出来る。 ガラス基板２１３の突出部の受ける衝撃応力をσ、衝撃力をＷ、ガラス基板２１３の突出部厚み方向の断面積をＳとすると、衝撃応力σは次の（１）式で表せる。
σ＝Ｗ／Ｓ ・・・（１）
つまり、衝撃力Ｗを断面積Ｓで割った値が衝撃応力σとなる。この式より衝撃応力σを小さくすることがガラス基板２１３の変形を防止し、ガラス基板２１３の破損を防止することに繋がる。

衝撃応力σを小さくする１つの手段として断面積Ｓを大きい値とするという手段がある。本実施形態のガラス基板２１３の突出部に補強部材２１４を設置することで、ガラス基板２１３の突出部厚み方向の断面積Ｓが補強部材２１４を設置していない時より大きい値となり、衝撃応力Ｓを小さく出来る。この衝撃応力Ｓを小さくすることでガラス基板２１３の変形を防止し、ガラス基板２１３の破損を防止することが出来る。

また、補強部材２１４は軽量で比較的薄い絶縁性のフィルムでも補強部材としての機能を発揮できる。本実施形態では、補強部材２１４の厚みは０．３ｍｍ〜１．２ｍｍである。このことによりガラス基板２１３の突出部に補強部材２１４を設置する構造でカセッテ型検出器１のＸ線入射方向の厚みを抑えてスペースを大きくとることなく強度が高くなるため、従来のカセッテと互換性を維持した軽量で小型のカセッテ型検出器１を提供でき、併せてガラス基板２１３の変形を防止し、ガラス基板２１３の破損を防止することが出来る。

更に、ガラス基板２１３において、突出部以外の部分はシンチレータ層２１１や対向ガラス板２１２により積層構造となっており、この部分は一定の強度があるため、補強部材２１４は突出部のみに設置すれば良い。この結果、ガラス基板２１３全面に補強部材２１４を設置する必要はなく、カセッテ型検出器１の軽量化を図ることも出来る。

なお、図６（ｂ）、図６（ｃ）で示すようにガラス基板２１３の左右に突出部があるため、左右の突出部に設置する補強部材２１４を同じ材料で且つ形状を同一にし、左右で対称になるように複数の補強部材２１４がガラス基板２１３に設置されている。このようにすればカセッテ型検出器１内が熱により高温となっても熱によるガラス基板２１３の不均一な変形を防止でき、シンチレータ層２１１や信号検出部１５１による放射線画像の検出動作が適切に行うことが出来る。

［検出センサユニットの変形例］図７、図８に検出センサユニット２１の変形例を示す。

図７はガラス基板２１３の四辺に補強部材２１４を設置した検出センサユニット２１を示す説明図である。図７（ａ）は検出センサユニット２１の上面図であり、図７（ｃ）は検出センサユニット２１の下面図である。

図６に示す検出センサユニット２１ではガラス基板２１３の対向する二辺に電気信号取出部２１５が設置された突出部が設けられているが、図７に示す検出センサユニット２１の変形例では、ガラス基板２１３の四辺において突出部が設けられており、その四辺に電気信号取出部２１５が設置されている。従って、補強部材２１４も突出部と同様に、ガラス基板２１３の四辺、且つガラス基板２１３の下面に形成されている。つまり、ガラス基板２１３の四辺において電気信号を取り出す検出センサユニット２１でも、図７のように補強部材２１４を設置することにより、カセッテ型検出器１に撮影時や移動時の落下等の突然の衝撃が加わってもガラス基板２１３の変形を防止し、ガラス基板２１３の破損を防止することが出来る。

なお、ガラス基板２１３の四辺のうち、何れかの辺に電気部品が設置されていて補強部材２１４を取り付けることが出来ない場合は、他の残りの辺に補強部材２１４を設置するようにしてもよい。このようにすることでも、カセッテ型検出器１に撮影時や移動時の落下等の突然の衝撃が加わってもガラス基板２１３の変形を防止し、ガラス基板２１３の破損を防止することが出来る。

図８は補強部材２１４を増設した検出センサユニット２１を示す説明図である。図８で示す検出センサユニット２１では、補強部材２１４をガラス基板２１３の突出部の下方に設置するだけでなく、ガラス基板２１３の突出部の上方（電気信号取付部２１５の上方でもある）にも設置してある。このような形態であれば、ガラス基板２１３の突出部において厚さが増すために更に強度が高くなり、よりガラス基板の破損を防止することが可能となる。また、ガラス基板２１３の突出部の上方にある空間が有効利用でき、補強部材２１４を設置してもカセッテ型検出器１を大きくすることなく、撮影時や移動時の落下等の突然の衝撃が加わってもガラス基板２１３の変形を防止し、ガラス基板２１３の破損を防止することが出来る。

なお、本発明は当該実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更や追加があっても本発明に含まれる。

本実施形態では、検出センサユニット２１がシンチレータ層２１１と信号検出部１５１とによって構成されている間接変換方式のＦＰＤを例として説明したが、ＦＰＤは間接変換方式のものに限られない。例えば、放射線を吸収し放射線を電荷に変換するアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）層を設け、このａ−Ｓｅ層の中に放射線フォトンを高電圧で引き込むことにより、検出器に照射された放射線の放射線エネルギーを直接電荷量に変換する（電気信号化する）直接変換方式のＦＰＤにおいても、ａ−Ｓｅ層を２枚のガラス基材の間に挟み込む本発明の構成を適用することが可能である。

カセッテ型検出器を示す斜視図である。 ハウジングの分解斜視図である。 図１に示すカセッテ型検出器をａ方向から見た所定箇所の断面図である。 信号検出部を構成する光電変換部の１画素分の等価回路構成図である。 図４に示す光電変換部を二次元に配列した等価回路構成図である。 検出センサユニットの詳細図である。 ガラス基板の四辺に補強部材を設置した検出センサユニットを示す説明図である。 補強部材を増設した検出センサユニットを示す説明図である。 ＦＰＤであるカセッテを用いた従来のシステムの概略図である。 カセッテの縦断面図である。

符号の説明

１ カセッテ型検出器
２ 検出器ユニット
３ ハウジング
９ アンテナ装置
２１ 検出センサユニット
２２ 基台
２３ 電気基板
２４ 充電池
２５ 遮蔽部材
２６ フレキシブルハーネス
２７ 緩衝部材
１５１ 信号検出部
２１１ シンチレータ層
２１２ 対向ガラス板
２１３ ガラス基板
２１４ 補強部材
２１５ 電気信号取出部

Claims (4)

1. 被写体に向けて照射された放射線を検出する放射線画像検出センサユニットであって、
   入射した放射線を光に変換するシンチレータと、
   前記シンチレータにより変換された光を受けて電気信号に変換する光電変換部と、
   前記シンチレータに対して放射線が照射される側に設置された対向ガラス板と、
   少なくとも前記光電変換部を支持するガラス基板と、
   前記対向ガラス板に対する前記ガラス基板の突出部に設置され、前記突出部を補強する補強部材と、
   を有することを特徴とする放射線画像検出センサユニット。
2. 前記補強部材は、絶縁性の部材である請求項１に記載の放射線画像検出センサユニット。
3. 前記ガラス基板において複数の前記補強部材が対称に設置されている請求項１又は２に記載の放射線画像検出センサユニット。
4. 前記補強部材は、前記突出部の上方及び下方に設置されている請求項１から請求項３までの何れか１項に記載の放射線画像検出センサユニット。

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