JP5711700B2 - 放射線撮像装置 - Google Patents

Description

本発明は、放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルを筐体内に収容した放射線撮像装置に関する。

従来より、放射線を放射線画像に変換する放射線変換パネルを筐体内に収容した放射線撮像装置として、例えば、放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換するシンチレータと、前記電磁波を放射線画像に応じた電気信号に変換する光電変換層とにより放射線変換パネルを構成した間接変換型の放射線撮像装置（以下、電子カセッテともいう。）がある（例えば、特許文献１及び２参照）。

特開２０１０−２６２１３４号公報 特開２０１０−２７６６８７号公報

光電変換層は、シンチレータで放射線から変換された電磁波を電気信号として検出するセンサ部と、該センサ部を支持する絶縁性基板とから構成される。ここで、筐体の天板の外表面を放射線が照射される照射面とした場合、放射線の入射方向に沿って、例えば、前記天板に対し前記光電変換層と前記シンチレータとの順に配置すれば、表面読取方式としてのＩＳＳ（Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ Ｓｉｄｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の電子カセッテが構成される。

ＩＳＳ方式の電子カセッテにおいて、放射線は、天板を透過した後に絶縁性基板及びセンサ部を介してシンチレータに至るので、前記絶縁性基板では、前記放射線の照射に起因して該絶縁性基板を構成する物質が電離することにより電荷が発生する。前記電荷が前記絶縁性基板に蓄積されると、前記センサ部の故障の原因となるおそれがある。特に、電子カセッテの薄型化のために絶縁性基板を薄くすると、該絶縁性基板に蓄積された電荷に起因する電界強度が高まるので、薄型の電子カセッテでは、センサ部の故障の発生が顕著になることが懸念される。

このような問題に対しては、絶縁性基板に蓄積された電荷をグランドに逃して、該絶縁性基板に前記電荷が蓄積されないようにすることが望ましい。

ところで、筐体の軽量化及び高剛性化を図るために、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）等の軽量且つ高剛性の材料で筐体を構成することが一般的に行われている。ＣＦＲＰは、導電性の炭素繊維の周囲を電気抵抗が比較的高いエポキシ樹脂等のプラスチックで固めることにより構成される。従って、前記ＣＦＲＰの表面は、前記プラスチックで覆われて電気抵抗が比較的高い。そのため、ＣＦＲＰからなる筐体に放射線変換パネルを収容すると、前記絶縁性基板に蓄積された電荷をグランドに逃すことが困難になる場合がある。

なお、上記の説明では、一例として、ＩＳＳ方式の電子カセッテについて説明した。上述の問題は、ＩＳＳ方式の電子カセッテに限らず、天板に対してシンチレータと光電変換層とが順に配置された、裏面読取方式であるＰＳＳ（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ｓｉｄｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の電子カセッテでも惹起される可能性がある。

本発明は、上記の課題を解消するためになされたものであり、筐体内に収容された放射線変換パネルの絶縁性基板に蓄積された電荷をグランドに逃すことが可能となる放射線撮像装置を提供することを目的とする。

本発明は、放射線を他の波長の電磁波に変換するシンチレータ及び該シンチレータにより変換された前記電磁波を放射線画像に変換する光電変換層から構成される放射線変換パネルと、前記放射線変換パネルを収容する筐体とを備える放射線撮像装置に関する。

この場合、前記光電変換層は、前記電磁波を前記放射線画像に応じた電気信号として検出するセンサ部と、該センサ部を支持する絶縁性基板とを有している。

そこで、本発明では、上記の目的を達成するため、前記筐体が前記絶縁性基板と電気的に結合される導電体を有し、該導電体は、特定の電位に接続可能としている。

この構成によれば、前記筐体の一部である前記導電体は、前記絶縁性基板と電気的に結合されると共に、特定の電位（例えば、前記放射線撮像装置に内蔵される電気回路の基準電位、又は、グランドの電位）に接続可能である。これにより、前記絶縁性基板に蓄積された電荷を前記導電体を介してグランドに逃すことが可能となる。この結果、前記絶縁性基板への電荷の蓄積に起因した前記センサ部の故障の発生を回避することができる。

ここで、本出願において、「導電体」とは、絶縁性基板に蓄積された電荷をグランドに逃すことができる程度の固有抵抗値、具体的には、１０^１２Ω（１ＴΩ）未満の固有抵抗値を有する非電気絶縁性の物質（電気絶縁体ではない物質）をいう。

このような導電体としては、導電材料からなる導電部、静電気除去材料からなる静電気除去部、又は、帯電防止材料からなる帯電防止部がある。前記導電部、前記静電気除去部又は前記帯電防止部は、固有抵抗値の大きさが互いに異なる。

前記導電部は、概ね、１０^−６Ω（１μΩ）〜１０^−２Ω（０．０１Ω）の範囲内の固有抵抗値を有する導電材料からなることが好ましい。また、前記静電気除去部は、概ね、１０^２Ω（１００Ω）〜１０^６Ω（１ＭΩ）の範囲内の固有抵抗値を有する材料であって、静電気を除去可能な材料からなることが好ましい。さらに、前記帯電防止部は、概ね、１０^６Ω（１ＭΩ）〜１０^９Ω（１ＧΩ）の範囲内の固有抵抗値を有する材料であって、帯電防止性の材料からなることが好ましい。

すなわち、１０^１２Ω（１ＴΩ）以上の固有抵抗値を有する材料は、一般的に電気絶縁材料であるため、本発明では、１０^１２Ω未満の固有抵抗値を有する導電体を用いて、前記絶縁性基板に蓄積された電荷をグランドに逃すようにしている。

なお、本明細書において、固有抵抗値とは、表面固有抵抗値のことをいい、例えば、ＡＳＴＭ（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｔｅｓｔｉｎｇ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ） Ｄ２５７の規格に従った測定方法（表面抵抗試験方法）により測定することができる。

ここで、前記筐体の少なくとも一部を該筐体の他の箇所よりも電気的に低抵抗にすれば、該少なくとも一部を前記導電体として機能させることができる。これにより、前記筐体内における前記絶縁性基板と前記導電体との電気的な結合を容易に行うことができる。

また、前記筐体の天板の外表面を前記放射線が照射される照射面とした場合、前記天板に対して前記放射線変換パネルを配置すれば、前記照射面にポジショニングされる被写体と前記放射線変換パネルとの距離が縮まるので、高画質の放射線画像を取得することが可能となる。なお、前記天板に対して前記光電変換層と前記シンチレータとを順に配置すれば、ＩＳＳ方式の放射線撮像装置を構成することができる。

そして、ＩＳＳ方式の放射線撮像装置は、下記（１）〜（４）のように構成されることが好ましい。

（１） 前記導電体は、前記天板における前記光電変換層側の箇所を前記筐体の他の箇所よりも電気的に低抵抗とすることにより形成され、前記導電体に前記絶縁性基板を面接触させる。これにより、前記絶縁性基板に電荷が発生しても、前記導電体を介してグランドに前記電荷を逃すことができる。

（２） 前記筐体のうち、少なくとも前記天板は、前記導電体を含み構成され、前記導電体は、前記放射線を透過可能な材料からなり、前記天板の内壁に露出している。これにより、前記導電体が露出した前記内壁に、他の層を介することなく、前記絶縁性基板を面接触させることが可能となる。この結果、前記放射線が前記シンチレータに到達する前に不用意に吸収されることを回避しつつ、前記絶縁性基板に蓄積された電荷を前記導電体を介してグランドに逃すことができる。

なお、前記内壁に前記導電体を露出させるには、例えば、前記導電体を含む前記天板の前記光電変換層側に対して、ブラスト処理、研磨処理、研削処理又はケミカルエッチングを施し、前記光電変換層側の表面を荒らすことで、前記内壁に前記導電体を露出させればよい。

（３） 前記絶縁性基板は、前記放射線を透過可能な導電シートを介して前記導電体と面接触してもよい。これにより、前記絶縁性基板に蓄積された電荷を前記導電シートと前記導電体とを介してグランドに逃すことができる。

ここで、本出願において、「導電シート」とは、「導電体」と同様に、１０^１２Ω（１ＴΩ）未満の固有抵抗値を有する非電気絶縁性のシート（電気絶縁体ではないシート）をいう。

このような導電シートとしては、導電材料からなる導電性シート、静電気除去材料からなる静電気除去シート、又は、帯電防止材料からなる帯電防止シートがある。前記導電性シート、前記静電気除去シート又は前記帯電防止シートは、前記導電部、前記静電気除去部又は前記帯電防止部と同様に、固有抵抗値の大きさが互いに異なる。

前記導電性シートは、前記導電部と同様に、概ね、１０^−６Ω〜１０^−２Ωの範囲内の固有抵抗値を有する導電材料からなることが好ましい。また、前記静電気除去シートは、前記静電気除去部と同様に、概ね、１０^２Ω〜１０^６Ωの範囲内の固有抵抗値を有する材料であって、静電気を除去可能な材料からなることが好ましい。さらに、前記帯電防止シートは、前記帯電防止部と同様に、概ね、１０^６Ω〜１０^９Ωの範囲内の固有抵抗値を有する材料であって、帯電防止性の材料からなることが好ましい。従って、本発明では、１０^１２Ω未満の固有抵抗値を有するシートを用いて、前記絶縁性基板に蓄積された電荷をグランドに逃すようにしている。

（４） 前記導電シートを有機材料で構成すれば、該導電シートでの前記放射線の吸収を抑制しつつ、前記絶縁性基板に蓄積された電荷をグランドに逃すことができる。特に、前記導電シートが有機材料で構成されると共に、前記光電変換層が有機光電変換材料（ＯＰＣ）を含み構成されていれば、前記シンチレータに到達するまでの前記放射線の減衰を一層抑制することができる。

また、前記筐体のうち少なくとも前記天板は、金属材料又は炭素材料からなることが好ましい。前記金属材料又は前記炭素材料は、ＣＦＲＰと比較して、表面の電気抵抗が低いため、前記金属材料又は前記炭素材料からなる前記天板は、全体が前記導電体となる。従って、前記天板の内壁に前記導電体を露出させるための処理が不要になると共に、該内壁に前記絶縁性基板を面接触させるだけで、該絶縁性基板に蓄積された電荷を前記金属材料又は前記炭素材料を介してグランドに効率よく逃すことができる。

上記の説明では、主として、前記筐体における前記天板に前記導電体を設ける場合について説明した。本発明において、前記導電体は、前記筐体における前記天板以外の箇所に設けてもよい。

具体的に、前記筐体の側部を該筐体の他の箇所よりも電気的に低抵抗とすることにより前記導電体を形成してもよい。この場合でも、前記絶縁性基板に蓄積された電荷を前記筐体の側部に設けた前記導電体を介してグランドに逃すことができる。また、前記筐体の側部に前記導電体を設けることにより、ＩＳＳ方式の放射線撮像装置に限らず、ＰＳＳ方式の放射線撮像装置に本発明を適用することも可能となる。

また、前記絶縁性基板と前記導電体とを第１の接続線を介して電気的に接続してもよい。これにより、前記絶縁性基板が前記筐体の内壁に接触できない場合や、前記筐体の側部に前記導電体を設けた場合であっても、前記第１の接続線及び前記導電体を介して、前記絶縁性基板に蓄積された電荷をグランドに逃すことが可能となる。

そして、上記の各発明において、前記筐体内には、前記センサ部が検出した前記電気信号を処理する電子部品と、前記電子部品が搭載される回路基板と、前記放射線撮像装置を駆動するための電源部と、一面に前記放射線変換パネルが配置されると共に他面に前記回路基板及び前記電源部が配置される基台とがさらに収容されている。

この場合、前記基台と前記導電体とを電気的に結合すれば、前記電子部品、前記回路基板及び前記電源部のグランドを取ることが可能になると共に、前記回路基板に蓄積された電荷についても、前記基台及び前記導電体を介してグランドに逃すことができる。

具体的に、前記基台は、前記筐体に固定されることで前記導電体と電気的に接続されるか、又は、第２の接続線を介して前記導電体と電気的に接続される。

また、前記筐体の内壁における少なくとも前記電源部と対向する箇所に非導電層を設けることが好ましい。前記筐体の落下や外部から前記筐体への衝撃によって、前記電源部と前記筐体の内壁に露出した前記導電体とが接触して該電源部がショートする可能性がある場合に、前記内壁における前記電源部との対向箇所に前記非導電層を予め設けることで、前記導電体と前記電源部との接触を回避することができる。

さらに、前記電子部品、前記回路基板及び前記電源部の共通の基準電位（前記電源部のマイナス端子又はプラス端子の電位）に前記導電体を接続するか、あるいは、前記導電体に対してフレームグランドを施すこと（前記導電体をグランドの電位に接続すること）により、前記導電体の前記特定の電位への接続を容易に行うことができる。

さらにまた、前記放射線の照射前に、前記導電体が前記特定の電位に接続された状態に切り換わることで、前記絶縁性基板に蓄積される電荷をグランドに効率よく且つ確実に逃すことができる。

また、本発明において、前記導電体は、金属又は炭素を含有することが好ましい。これにより、金属又は炭素をグランド接続する一方で、前記金属又は炭素に前記絶縁性基板を接触させれば、該絶縁性基板に蓄積された電荷を前記金属又は前記炭素を介してグランドに容易に逃すことができる。なお、前記金属又は前記炭素は、例えば、金属フィラー、炭素フィラー、炭素繊維であればよい。

また、前記導電体が炭素繊維であり、前記筐体のうち、少なくとも天板及び／又は側部が、前記炭素繊維を含むプラスチックであってもよい。これにより、前記天板及び／又は前記側部に含まれる炭素繊維を前記導電体として利用することが可能となる。

特に、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）でモノコック構造の筐体を構成し、前記天板又は前記側部に含まれる炭素繊維の一部を前記導電体として利用すれば、前記筐体の機械的強度を確保しつつ、前記絶縁性基板に蓄積された電荷を前記導電体を介してグランドに逃すことができる。

また、本発明では、前記放射線が照射される前記筐体の照射面側の内壁と前記放射線変換パネルとの間に、前記放射線が被写体を透過する際に発生する散乱放射線を除去するグリッドを設けてもよい。

前記グリッドは、鉛（Ｐｂ）等からなる放射線を吸収する部材（放射線吸収部材）とアルミニウム（Ａｌ）等からなる放射線を透過する部材（放射線透過部材）とによって構成され、これらの部材を構成する材料は、導電性を有する。従って、前記導電体が前記グリッドを介して前記絶縁性基板と電気的に結合されることにより、前記グリッドで前記散乱放射線を除去しつつ、前記絶縁性基板に蓄積された電荷を前記グリッド及び前記導電体を介してグランドに逃すことができる。

また、前記グリッドは、前記放射線変換パネルに沿って前記放射線吸収部材と前記放射線透過部材とを交互にスリット状又はマトリックス状に配置することにより構成される。この場合、前記グリッドと前記放射線変換パネルとの間に、前記放射線変換パネルに沿った前記放射線吸収部材及び前記放射線透過部材の延在方向と交差する方向を伝熱方向とする伝熱部材をさらに設けてもよい。

前記伝熱部材は、前記被写体から前記照射面側の内壁及び前記グリッドを介して伝わる熱を前記伝熱方向に放熱する。これにより、前記被写体からの熱が前記放射線変換パネルに伝わることで、当該熱に起因した放射線画像の画像ムラが発生することを防止することができる。

また、前記放射線吸収部材及び前記放射線透過部材がスリット状又はマトリックス状に配置されているため、前記グリッドを前記内壁に密着させれば、外部から前記筐体の照射面側に荷重がかかった場合でも、当該荷重に対する前記筐体の機械的強度を高めることができる。

さらに、前記筐体のうち、少なくとも前記照射面側の部分は、炭素繊維を含むプラスチックからなり、前記炭素繊維の繊維軸方向と前記延在方向とは、平面視で交差していることが好ましい。

外部から前記筐体の照射面側に荷重がかかった場合、前記照射面側は、前記繊維軸方向に沿って撓むが、前記繊維軸方向と前記延在方向とが交差しているので、前記グリッドを前記内壁に密着させれば、当該荷重に対する前記筐体の機械的強度を一層高めることができる。

また、前記被写体から前記筐体の照射面側に伝わる熱は、前記繊維軸方向に沿って放熱される。従って、前記炭素繊維による放熱作用と、前記伝熱部材による放熱作用とによって、前記熱に起因した放射線画像の画像ムラの発生を効率よく防止することができる。

本発明によれば、筐体の一部である導電体は、絶縁性基板と電気的に結合されると共に、特定の電位に接続可能である。これにより、前記絶縁性基板に蓄積された電荷を前記導電体を介してグランドに逃すことが可能となる。この結果、前記絶縁性基板への電荷の蓄積に起因したセンサ部の故障の発生を回避することができる。

第１実施形態に係る電子カセッテが適用される放射線撮像システムの構成図である。 図１の電子カセッテの斜視図である。 図２の筐体の分解斜視図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。 図２のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。 図２のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、基板と天板との接触を図示した筐体内の一部断面図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、基板と天板との接触を図示した筐体内の一部断面図である。 図９Ａ及び図９Ｂは、基板と天板との接触を図示した筐体内の一部断面図である。 図１の電子カセッテのブロック図である。 図１の電子カセッテを用いた被写体の撮像を説明するためのフローチャートである。 第２実施形態に係る電子カセッテの断面図である。 図１２の電子カセッテの他の構成を示す断面図である。 図１２の電子カセッテの他の構成を示す断面図である。 図１２の電子カセッテの他の構成を示す断面図である。 図１２の電子カセッテの他の構成を示す断面図である。 図１２の電子カセッテの他の構成を示す断面図である。 図１２の電子カセッテの他の構成を示す断面図である。 第３実施形態に係る電子カセッテの断面図である。 第４実施形態に係る電子カセッテの断面図である。 図２０の電子カセッテの他の構成を示す断面図である。 図２０の電子カセッテの他の構成を示す断面図である。 第５実施形態に係る電子カセッテの斜視図である。 図２３の筐体の斜視図である。 第６実施形態に係る電子カセッテの斜視図である。 図２５の筐体の斜視図である。 図２７Ａは、ＩＳＳ方式の電子カセッテの内部構成を模式的に示す概略説明図であり、図２７Ｂは、図２７Ａのシンチレータの一例を模式的に示す概略説明図である。 第７実施形態に係る電子カセッテの断面図である。 図２９Ａ及び図２９Ｂは、第８実施形態に係る電子カセッテの一部断面図である。 第８実施形態に係る電子カセッテの断面図である。 図３１Ａ及び図３１Ｂは、電子カセッテの他の構成を示す断面図である。 第９実施形態に係る電子カセッテの断面図である。 第１０実施形態に係る電子カセッテの断面図である。 第１１実施形態に係る電子カセッテの断面図である。 第１１実施形態に係る電子カセッテの断面図である。 図３６Ａは、外部からの荷重がかかっていない筐体の状態を模式的に示す説明図であり、図３６Ｂは、外部から荷重がかかった筐体の状態を模式的に示す説明図である。 天板内での炭素繊維の配置、グリッド及びグラファイトシートの配置、並びに、被写体から伝わる熱が逃げる方向を図示した筐体の模式的平面図である。

本発明に係る放射線撮像装置の好適な実施形態について、図１〜図３７を参照しながら以下詳細に説明する。

［第１実施形態の構成］
先ず、第１実施形態に係る放射線撮像装置としての電子カセッテ２０Ａについて、図１〜図１１を参照しながら説明する。

図１は、第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａが適用される放射線撮像システム１０の構成図である。

放射線撮像システム１０は、放射線源１８、電子カセッテ２０Ａ、コンソール２２及び表示装置２４を備える。放射線源１８は、ベッド等の撮影台１２に横臥した被写体１４である患者に対して、放射線１６を照射する。電子カセッテ２０Ａは、被写体１４を透過した放射線１６を検出して放射線画像に変換する。コンソール２２は、放射線源１８及び電子カセッテ２０Ａを制御し、表示装置２４は、放射線画像を表示する。

コンソール２２と電子カセッテ２０Ａと表示装置２４との間では、例えば、ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ Ｗｉｄｅ Ｂａｎｄ）、ＩＥＥＥ８０２．１１ａ／ｂ／ｇ／ｎ等の無線ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、又は、ミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。なお、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行ってもよい。

コンソール２２には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム（ＲＩＳ）２６が接続されている。ＲＩＳ２６には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム（ＨＩＳ）２８が接続されている。

図２は、図１に示す電子カセッテ２０Ａの斜視図である。

電子カセッテ２０Ａは、撮影台１２と被写体１４との間に配置される略矩形状（六面体）の筐体２９を有する。

筐体２９は、中空の角筒状のハウジング本体（筐体本体部）３０と、ハウジング本体３０の開口部分を両側から閉塞する２つの蓋部材３２、３４とを有する。すなわち、筐体２９は、モノコック構造の筐体であり、外部からの応力（例えば、筐体２９の落下、被写体１４からの荷重、外部からの衝撃）を筐体２９全体として受ける構造となっている。

また、筐体２９（のハウジング本体３０及び蓋部材３２、３４）は、放射線１６を透過可能な炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）、アモルファスカーボン（ａ−カーボン）等の炭素を含む材料、又は、アルミニウム等の金属材料からなる。なお、ＣＦＲＰ及びａ−カーボンは、金属材料よりも熱膨張率が低いため、後述するハウジング本体３０の天板３５と放射線変換パネル１１６との密着（張り合わせ）の観点からすれば、温度変化に対する変形が比較的少ないＣＦＲＰ及びａ−カーボンで筐体２９を構成することが望ましい。

被写体１４が横臥する筐体２９の上面は、放射線１６が照射される照射面３６とされている。照射面３６には、被写体１４の撮像領域及び撮像位置を示すガイド線３８が形成され、ガイド線３８の外枠は、放射線１６の最大照射範囲（照射野）を示す撮像可能領域４０とされている。また、ガイド線３８の中心位置（十字状に交差する２本のガイド線３８の交点）は、該撮像可能領域４０の中心位置である。

図２及び図３に示すように、ハウジング本体３０を構成する４つの側面４２ａ〜４２ｄのうち、側面４２ａと側面４２ｂとの間には、ｘ方向に沿って中空部４１が形成されている。これにより、側面４２ａには、中空部４１に連通する開口部４４ａが形成され、側面４２ｂには、中空部４１に連通する開口部４４ｂが形成される。すなわち、照射面３６を有する天板３５と、底面４７を有する底板５３と、側面４２ａを有する側板４９と、側面４２ｄを有する側板５１とによって、角筒状のハウジング本体３０が構成され、該ハウジング本体３０の内部にｘ方向に延在する中空部４１が形成される。

そして、開口部４４ａを蓋部材３２で閉塞すると共に、開口部４４ｂを蓋部材３４で閉塞することにより、筐体２９が構成される。従って、筐体２９は、照射面３６と、蓋部材３２の側面５２と、蓋部材３４の側面８１と、ハウジング本体３０の２つの側面４２ｃ、４２ｄを含む２つの側面４３、４５と、ハウジング本体３０の底面４７を含む底面４６とを有する六面体として構成される。

蓋部材３２のｘ２方向側の側面５２には、電源スイッチ５４、ディスプレイ５６、入力端子５８、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）端子６０、カードスロット６４、及び、インジケータ６６が配設されている。電源スイッチ５４は、電子カセッテ２０Ａを起動するためのスイッチである。ディスプレイ５６は、各種情報を表示する表示部である。入力端子５８は、外部から充電を行なうためのＡＣアダプタである。ＵＳＢ端子６０は、外部機器との間で情報の送受信が可能なインターフェース手段である。カードスロット６４には、ＰＣカード等のメモリカード６２が装填可能である。インジケータ６６は、電子カセッテ２０Ａの各種の状況等を表示するＬＥＤ等である。

また、電子カセッテ２０Ａでは、インジケータ６６とディスプレイ５６とが配設されているが、インジケータ６６の表示機能をディスプレイ５６が代行することで、インジケータ６６を不要にすることができる。また、ディスプレイ５６での一部の表示機能をインジケータ６６が代行することで、ディスプレイ５６を不要にすることもできる。

蓋部材３２は、蓋本体６８、挿入部７０及び係合片７２から構成されている。蓋本体６８は、側面５２を備えており、前述のように、該側面５２には、電源スイッチ５４、ディスプレイ５６、入力端子５８、ＵＳＢ端子６０、カードスロット６４及びインジケータ６６が配設されている。挿入部７０は、蓋本体６８のｘ１方向側に形成され、開口部４４ａに嵌合可能である。係合片７２は、挿入部７０のｙ方向に沿った両端から開口部４４ａに向かって突出している。

また、２つの係合片７２の外側面（図３の左側の係合片７２ではｙ１方向の側面、及び、右側の係合片７２ではｙ２方向の側面）には係合凸部７４が形成されている。一方、ハウジング本体３０内壁の開口部４４ａ側には、係合凸部７４に係合可能な係合凹部７６が形成されている。

従って、蓋部材３２をｘ１方向に進行させて、開口部４４ａと挿入部７０とを嵌合させ、且つ、ハウジング本体３０の中空部４１に進入した２つの係合片７２の係合凸部７４と係合凹部７６とをそれぞれ係合させると、開口部４４ａが蓋部材３２により閉塞され、蓋部材３２とハウジング本体３０とを一体化させることができる。

一方、蓋部材３４は、電源スイッチ５４、ディスプレイ５６、入力端子５８、ＵＳＢ端子６０、カードスロット６４及びインジケータ６６が配設されていない点を除いては、前述の蓋部材３２と略同じ構成である。すなわち、蓋部材３４は、蓋本体８０、挿入部８２及び係合片８４から構成されている。

蓋本体８０は、蓋本体６８と略同一形状であり且つ側面５２と対向するｘ１方向の側面８１を有する。挿入部８２は、蓋本体８０のｘ２方向側に形成され、開口部４４ｂに嵌合可能である。係合片８４は、挿入部８２のｙ方向に沿った両端から開口部４４ｂに向かって突出している。

また、２つの係合片８４の外側面（図３の左側の係合片８４ではｙ１方向の側面、及び、右側の係合片８４ではｙ２方向の側面）にも係合凸部８６が形成されている。一方、ハウジング本体３０内壁の開口部４４ｂ側には、係合凸部８６に係合可能な係合凹部８８が形成されている。

従って、蓋部材３２の場合と同様に、蓋部材３４をｘ２方向に進行させて、開口部４４ｂと挿入部８２とを嵌合させ、且つ、ハウジング本体３０の中空部４１に進入した２つの係合片８４の係合凸部８６と係合凹部８８とをそれぞれ係合させると、開口部４４ｂが蓋部材３４により閉塞され、蓋部材３４とハウジング本体３０とを一体化させることができる。

図４〜図６は、筐体２９内を図示した電子カセッテ２０Ａの断面図である。

ハウジング本体３０の開口部４４ａ、４４ｂを２つの蓋部材３２、３４でそれぞれ閉塞することにより、筐体２９内には、中空部４１である室１１０が形成される。

室１１０の中央部には基台１１２が配置されている。また、基台１１２の表面１１４（照射面３６を有する天板３５側の面）には、ハウジング本体３０の天板３５側を透過して室１１０に入射した放射線１６を放射線画像に変換する放射線変換パネル１１６が配置されている。放射線変換パネル１１６は、撮像可能領域４０（図２及び図３参照）に対応する程度の大きさであることが望ましい。

放射線変換パネル１１６は、シンチレータ１１８及び光電変換層１２０から構成された、いわゆる間接変換型の放射線検出器である。シンチレータ１１８は、放射線１６を可視光等の他の波長の電磁波に変換する。光電変換層１２０は、シンチレータ１１８により変換された電磁波を電気信号に変換する。

また、図５及び図６に示すように、放射線変換パネル１１６は、放射線１６の照射方向に沿って、天板３５に対して、光電変換層１２０とシンチレータ１１８とが順に配置された表面読取方式としてのＩＳＳ方式の放射線検出器である。なお、シンチレータ１１８としては、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）又はガドリニウム・オキサイド・サルファ（Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ（ＧＯＳ））から構成されるシンチレータを用いればよい。

放射線変換パネル１１６（の光電変換層１２０）のｙ１方向の側面には、光電変換層１２０を駆動するための制御信号を光電変換層１２０に供給するための複数のフレキシブル基板１２２が所定間隔毎に配置されている。各フレキシブル基板１２２には、前記制御信号を生成する駆動用ＩＣ１２４がそれぞれ配置されている。一方、放射線変換パネル１１６（の光電変換層１２０）のｘ１方向の側面には、制御信号の供給によって駆動された光電変換層１２０から、放射線画像に応じた電気信号を読み出すための複数のフレキシブル基板１２６が所定間隔毎に配置されている。各フレキシブル基板１２６には、前記電気信号を読み出して所定の信号処理を行う読出用ＩＣ１２８がそれぞれ配置されている。

基台１１２の裏面１２９（筐体２９の底面４６側の面）には、電源部９４と、複数の回路基板１３０とが取り付けられている。また、各回路基板１３０には電子部品１３２が配設されている。図５及び図６に示すように、回路基板１３０には、フレキシブル基板１２２、１２６が接続されている。なお、基台１１２は、図示しない支持部材によって室１１０の中央部に配置されている。これにより、電源部９４、フレキシブル基板１２２、１２６、駆動用ＩＣ１２４、読出用ＩＣ１２８、回路基板１３０及び電子部品１３２と筐体２９の内壁との接触を回避することができる。また、放射線１６の照射による電源部９４と回路基板１３０及び電子部品１３２との劣化を防止するために、基台１１２は、放射線１６を遮蔽可能な鉛板で構成されてもよいし、あるいは、鉛を含むように構成されてもよい。

ここで、筐体２９内部での天板３５に対する放射線変換パネル１１６の配置について、図５〜図９Ｂを参照しながら説明する。

前述のように、ＩＳＳ方式の放射線変換パネル１１６は、天板３５に対して、光電変換層１２０とシンチレータ１１８とが順に配置されることにより構成される。

光電変換層１２０は、支持基板（絶縁性基板）１２０ａ及びセンサ部１２０ｂから構成される。支持基板１２０ａは、天板３５側に配置され且つ電気絶縁材料からなる。センサ部１２０ｂは、支持基板１２０ａのシンチレータ１１８側に配置され、且つ、該シンチレータ１１８において放射線１６から変換された可視光等の電磁波を電気信号に変換するフォトダイオードやフォトトランジスタ等を含む。また、支持基板１２０ａは、天板３５の内壁２６１に面接触し、一方で、センサ部１２０ｂは、シンチレータ１１８に密接している。

ところで、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａにおいて、放射線撮影の際に、被写体１４を透過した放射線１６は、天板３５の外表面としての照射面３６に到達して天板３５を透過した後、支持基板１２０ａ及びセンサ部１２０ｂを介してシンチレータ１１８に至る。

その際、支持基板１２０ａでは、放射線１６の照射に起因して該支持基板１２０ａを構成する電気絶縁材料（誘電体）の原子又は分子が電離することにより電荷が発生する。発生した電荷は、支持基板１２０ａに蓄積され、センサ部１２０ｂの故障の原因となるおそれがある。特に、電子カセッテ２０Ａの薄型化の目的で支持基板１２０ａを薄くすると、該支持基板１２０ａに蓄積された電荷による電界強度が高まるので、薄型の電子カセッテ２０Ａでは、センサ部１２０ｂの故障の発生が顕著になることが懸念される。

このような問題に対しては、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃して、該支持基板１２０ａに電荷が蓄積されないようにすることが望ましい。

しかしながら、一般的に、筐体２９の材料としては、該筐体２９の軽量化及び高剛性化を図るために、ＣＦＲＰ等の軽量且つ高剛性の材料が用いられる。この場合、ＣＦＲＰは、放射線１６を透過可能で且つ導電性を有する炭素繊維９０の周囲を、放射線１６を透過可能で且つ電気抵抗が比較的高いエポキシ樹脂等のプラスチックで固めることにより構成される。従って、ＣＦＲＰの表面は、プラスチックで覆われて電気抵抗が比較的高い。そのため、ＣＦＲＰからなる筐体２９内に放射線変換パネル１１６を収容すると、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃すことが困難になる場合がある。

そこで、第１実施形態では、図５及び図６に示すように、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃す目的で、天板３５の内壁２６１における支持基板１２０ａとの接触箇所に対して予めブラスト処理を施している。これにより、天板３５を構成する炭素繊維９０が室１１０に露出される。この結果、放射線変換パネル１１６を室１１０内に収容すれば、露出した炭素繊維９０（導電体、導電部、導電層、導電性部材）と支持基板１２０ａとを面接触させることができる。

この場合、炭素繊維９０は、導電性を有する物質であり、該炭素繊維９０の周囲にあるエポキシ樹脂等のプラスチックよりも電気的に低抵抗である。従って、内壁２６１における炭素繊維９０の露出箇所は、筐体２９の内壁の他の箇所よりも電気抵抗が低い箇所となる。そのため、例えば、炭素繊維９０にフレームグランドを施して、該炭素繊維９０をグランドの電位（特定の電位）に接続すれば、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を炭素繊維９０を介してグランドに逃すことができる。この結果、電荷の存在による支持基板１２０ａ内での電界強度の上昇、及び、センサ部１２０ｂの故障を、回避することが可能となる。

また、１０^１２Ω（１ＴΩ）以上の固有抵抗値を有する材料は、一般的に電気絶縁材料であるため、炭素繊維９０は、１０^１２Ω未満、好ましくは１０^９Ω以下、さらに好ましくは１０^−６Ω（１μΩ）〜１０^−２Ω（０．０１Ω）の範囲内の固有抵抗値を有すれば、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃すことが可能である。

つまり、炭素繊維９０等の導電材料からなる導電部（導電体）は、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃すことができる程度の固有抵抗値、すなわち、１０^１２Ω未満の固有抵抗値を有する非電気絶縁性の物質（支持基板１２０ａのような電気絶縁体ではない物質）からなることが好ましい。

なお、本実施形態において、固有抵抗値とは、表面固有抵抗値のことをいい、例えば、ＡＳＴＭ Ｄ２５７の規格に従った測定方法（表面抵抗試験方法）により測定することができる。

また、内壁２６１に露出した炭素繊維９０とグランド（の電位）との接続については、例えば、筐体２９の外表面に炭素繊維９０に接続されるグランド端子を設け、このグランド端子をグランド接続することにより、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランド端子経由で逃してもよい。あるいは、筐体２９の外表面の一部を削って炭素繊維９０の一部を外部に露出させ、外部に露出した炭素繊維９０の一部をグランド（撮影台１２の一部）に接触させることにより電荷をグランドに逃してもよい。

また、ハウジング本体３０は、一体成形により製造することが可能であるため、炭素繊維９０は、ハウジング本体３０の天板３５、側板４９、５１及び底板５３に配置されることになる。この場合、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃す観点からすれば、少なくとも天板３５に炭素繊維９０が配置されていればよい。従って、前述したブラスト処理は、例えば、ハウジング本体３０を一体成形により製造した直後に実施すればよい。

さらに、ハウジング本体３０に限らず、筐体２９を構成する蓋部材３２、３４も炭素繊維９０を含むＣＦＲＰで構成してもよいことは勿論である。この場合、例えば、図３〜図５に示すように、ハウジング本体３０と蓋部材３２、３４との各接触箇所に対してブラスト処理を施すことにより炭素繊維９０を露出させることが好ましい。

具体的には、下記の箇所に対してブラスト処理を行い、炭素繊維９０を露出させればよい。（１）ハウジング本体３０の側面４２ａ、４２ｂに対してブラスト処理を行う。（２）ハウジング本体３０における挿入部７０、８２の外側表面との接触箇所に対してブラスト処理を行う。（３）蓋部材３２の挿入部７０の外側表面に対してブラスト処理を行う。（４）蓋部材３２の蓋本体６８における側面４２ａとの接触箇所に対してブラスト処理を行う。（５）蓋部材３４の挿入部８２の外側表面に対してブラスト処理を行う。（６）蓋部材３４の蓋本体８０における側面４２ｂとの接触箇所に対してブラスト処理を行う。

これにより、蓋部材３２の挿入部７０と開口部４４ａとを嵌合させると共に、蓋部材３４の挿入部８２と開口部４４ｂとを嵌合させて、モノコック構造の筐体２９を構成した際に、上記のブラスト処理によって露出した各炭素繊維９０が接触し、筐体２９全体に電磁シールドを施すことができる。また、ハウジング本体３０の炭素繊維９０や、各蓋部材３２、３４の炭素繊維９０が導通することにより、前述したグランド端子や、グランド接続するために削られる筐体２９の外表面の一部の箇所を、筐体２９の外表面における所望の箇所に設けることが可能となる。

さらに、筐体２９（のうち少なくとも天板３５）に配置される炭素繊維９０としては、アクリル繊維を原料としたＰＡＮ（Ｐｏｌｙａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）系炭素繊維や、ピッチを原料としたピッチ系炭素繊維であればよい。

また、天板３５における炭素繊維９０の配置の仕方としては、下記（１）〜（３）のうち、いずれかの配置構成であればよい。（１）一方向に延在する炭素繊維９０を束状に配置する。（２）一方向に延在する炭素繊維９０の束と該一方向に交差する他方向に延在する炭素繊維９０の束とを編成してマトリックス状に配置する。（３）炭素繊維９０を含むプリプレグを天板３５の厚み方向に複数枚積み重ねた後に加圧又は加熱して一体的に構成する。

なお、ハウジング本体３０全体をプリプレグで構成する場合、複数枚のプリプレグをリング状に巻き回した後に、これらのプリプレグを加圧又は加熱して一体化することによりハウジング本体３０を構成することができる。従って、プリプレグによりハウジング本体３０を構成する場合、複数枚のプリプレグを巻き回して筒状にする前に、ハウジング本体３０の内壁側となるプリプレグの表面の一部（内壁２６１の箇所）に対してブラスト処理を行えばよい。

第１実施形態では、内壁２６１に炭素繊維９０を露出させ、該炭素繊維９０と支持基板１２０ａとを面接触させている。そのため、上記のブラスト処理に代えて、内壁２６１（支持基板１２０ａ側の表面）に研磨処理、研削処理又はケミカルエッチングを施し、該内壁２６１を荒らすことで、炭素繊維９０を露出させることも可能である。

また、第１実施形態では、内壁２６１に炭素繊維９０のような導電体が露出されていればよい。そのため、上記の炭素繊維９０に代えて、筐体２９のうち、少なくとも天板３５に金属フィラー又は炭素フィラーを含有させ、内壁２６１に金属フィラー又は炭素フィラーを露出させてもよい。これにより、内壁２６１に露出した金属フィラー又は炭素フィラーと、支持基板１２０ａとを面接触させることで、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を、金属フィラー又は炭素フィラーを介してグランドに逃すことが可能となる。

また、第１実施形態では、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９等の導電シートを介して支持基板１２０ａと天板３５の内壁２６１とを面接触させてもよい。

図７Ａは、ハウジング本体３０（の天板３５）がアルミニウム等の放射線１６を透過可能な金属材料からなり、アルミニウムの天板３５に対して、導電シートとしての導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９を介し支持基板１２０ａを密着させる場合を図示している。従って、図７Ａの場合には、天板３５全体が支持基板１２０ａに対する導電体として機能するため、前述した内壁２６１に対するブラスト処理等は不要である。

また、前述のように、１０^１２Ω（１ＴΩ）以上の固有抵抗値を有する材料は電気絶縁材料であるので、天板３５を構成するアルミニウム等の金属材料は、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃すため、１０^１２Ω未満、好ましくは、１０^−６Ω〜１０^−２Ωの範囲内の固有抵抗値を有する。

一方、図７Ｂは、前述した図５及び図６と同様に、ハウジング本体３０（の天板３５）がＣＦＲＰからなり、天板３５の内壁２６１に予めブラスト処理等を施して炭素繊維９０を露出させた状態で、露出した炭素繊維９０に導電シートとしての導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９を介して支持基板１２０ａを密着させる場合を図示している。

なお、導電シートとは、前述の導電体と同様に、１０^１２Ω（１ＴΩ）未満の固有抵抗値を有する非電気絶縁性のシート（支持基板１２０ａのような電気絶縁体ではないシート）をいう。このような導電シートとして、第１実施形態では、導電性シートとしての導電性ポリマーフイルム９２若しくは導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７、又は、緩衝シート９９を採用可能である。導電性シート（導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３）と、静電気除去シート９５と、帯電防止シート９７とは、固有抵抗値の大きさが互いに異なる材料からなる。

導電性ポリマーフイルム９２及び導電性接着シート９３は、概ね、１０^−６Ω（１μΩ）〜１０^−２Ω（０．０１Ω）の範囲内の固有抵抗値を有する導電材料からなることが好ましい。また、静電気除去シート９５は、概ね、１０^２Ω（１００Ω）〜１０^６Ω（１ＭΩ）の範囲内の固有抵抗値を有する材料であって、静電気を除去可能な材料からなることが好ましい。さらに、帯電防止シート９７は、概ね、１０^６Ω（１ＭΩ）〜１０^９Ω（１ＧΩ）の範囲内の固有抵抗値を有する材料であって、帯電防止性の材料からなることが好ましい。

一方、緩衝シート９９は、導電性ポリマーフイルム９２及び導電性接着シート９３のような導電性能、静電気除去シート９５のような静電気除去性能、又は、帯電防止シート９７のような帯電防止性能を有し、且つ、緩衝性を有する導電性シート、静電気除去シート又は帯電防止シートである。

また、図７Ａ及び図７Ｂにおいて、導電性ポリマーフイルム９２は、放射線１６を透過可能な（放射線１６の吸収を抑制する）有機材料からなる導電性シートであることが好ましい。また、導電性接着シート９３は、放射線１６を透過可能な（放射線１６の吸収を抑制する）有機材料からなる導電性シートであることが好ましい。このように、有機材料からなる導電性ポリマーフイルム９２又は導電性接着シート９３であれば、放射線１６をほとんど吸収することがない。また、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を、導電性ポリマーフイルム９２又は導電性接着シート９３と、炭素繊維９０又は金属材料からなる天板３５とを介してグランドに逃すことができる。

一方、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７及び緩衝シート９９についても、放射線１６を透過可能な（放射線１６の吸収を抑制する）有機材料からなるシートであることが好ましい。このような有機材料からなる静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９を用いれば、導電性ポリマーフイルム９２及び導電性接着シート９３と同様の効果が得られる。

このような有機材料として、例えば、緩衝シート９９については、シリコーンゴムからなるシートを用いればよい。なお、後述するように、センサ部１２０ｂは、放射線１６の吸収を抑制する有機光電変換材料（ＯＰＣ）を含み構成される場合もあるため、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７、又は、緩衝シート９９についても、ＯＰＣを構成する有機系の材料で構成してもよい。

このように、図７Ａ及び図７Ｂの構成では、電気絶縁材料よりも低抵抗の１０^１２Ω未満の固有抵抗値を有するシート（導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９）を用いて、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を炭素繊維９０を介してグランドに逃すようにしている。

また、筐体２９が外部から応力（筐体２９の落下、被写体１４からの荷重、外部からの衝撃等）を受けた場合、放射線変換パネル１１６と基台１１２との間隔の変化に起因した剥離帯電又は摩擦帯電により電荷の移動が発生し、支持基板１２０ａに電荷が局所的に帯電する。このような局所的な電荷の帯電が放射線画像の画像ムラの原因になることが懸念される。

これに対して、図７Ａ及び図７Ｂでは、支持基板１２０ａが、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７、緩衝シート９９を介して天板３５の炭素繊維９０に面接触している。そのため、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７、緩衝シート９９による電荷の除去効果によって、支持基板１２０ａに帯電した電荷量が均一化され、画像ムラの発生を抑制することができる。

なお、図７Ａの構成においては、ａ−カーボンで天板３５を構成してもよい。ａ−カーボンは導電性を有するため、ａ−カーボンからなる天板３５では、金属材料の場合と同様に、内壁２６１に対するブラスト処理等は不要である。なお、ａ−カーボンについても、金属材料と同様に、支持基板１２０ａに帯電した電荷をグランドに逃すために、１０^１２Ω未満の固有抵抗値を有することが好ましいことは勿論である。

図８Ａは、支持基板（絶縁性基板）９６ａと、該支持基板９６ａのシンチレータ１１８側に配置された複数のＣＭＯＳセンサ９８とで光電変換層１２０が構成され、支持基板９６ａが導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９を介して天板３５の内壁２６１に面接触する場合を図示したものである。

図８Ａにおいて、ハウジング本体３０（の天板３５）は、導電性を有するａ−カーボンからなり、従って、内壁２６１に対するブラスト処理等は不要である。また、複数のＣＭＯＳセンサ９８は、支持基板９６ａのシンチレータ１１８側の表面にタイリングにより隙間なく配置されており、放射線１６の吸収を抑制する材料からなる。

すなわち、各ＣＭＯＳセンサ９８は、アルミニウム等の金属材料からなり且つ支持基板９６ａに配置された導電層９８ａと、結晶Ｓｉ（単結晶Ｓｉ）やＳｉＣからなる半導体基板９８ｂと、センサ部１２０ｂとして機能し且つ有機材料（例えば、後述する有機光電変換材料（ＯＰＣ））からなるセンサ部９８ｃとが順に積層されることにより構成される。

この場合、半導体基板９８ｂにおけるセンサ部９８ｃとの界面には酸化膜（ＳｉＯ_２）が形成され、該酸化膜が絶縁性基板として機能する。そのため、放射線１６の照射によって酸化膜の部分にも電荷が発生する。

そこで、図８Ａの構成では、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９と導電層９８ａとをビヤホール等の導電性部材１００によって電気的に接続することにより、酸化膜に発生した電荷を、導電層９８ａと、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９と、ａ−カーボンの天板３５とを介してグランドに逃すことができる。

また、絶縁性基板である支持基板９６ａに蓄積された電荷も、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９に直接放出されるか、あるいは、導電性部材１００を介して導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９に放出される。これにより、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９からａ−カーボンの天板３５を介してグランドに逃すことができる。

この結果、半導体基板９８ｂの酸化膜及び支持基板９６ａに蓄積された電荷に起因した電界強度の上昇、及び、センサ部９８ｃの故障の発生を防止することができる。また、半導体基板９８ｂの酸化膜及び支持基板９６ａに蓄積された電荷の局所的な滞留に起因した画像ムラの発生も抑制することができる。

なお、図８Ａでは、半導体基板９８ｂとして単結晶Ｓｉ又はＳｉＣを用いた場合について説明したが、放射線１６に対する耐性の観点からすれば、ＳｉＣからなる半導体基板９８ｂがより好ましい。これは、単結晶Ｓｉを用いた場合、Ｓｉと酸化膜（ＳｉＯ_２）との界面に溜まった電荷でＣＭＯＳセンサ９８が損傷を受ける可能性があるからである。従って、半導体基板９８ｂをＳｉＣにすれば、原子核が飛ばされにくくなり、安定なＳｉＯ_２膜を形成することができる。また、ＳｉＣは、バンドギャップがＳｉよりも大きい、いわゆるワイドギャップ半導体であり（Ｓｉのバンドギャップ：約１．１ｅＶ、ＳｉＣのバンドギャップ：約２．８ｅＶ、）、電離（電子−正孔対形成）に高エネルギーを要する。しかも、ＳｉＣは、反応断面積が小さい上に、原子間のボンディングが強く、原子変位の生成が起こりにくい。

なお、このような放射線１６に対する耐性が高いワイドギャップ半導体としては、ＳｉＣ以外にもＺｎＯがある。従って、半導体基板９８ｂとしてＺｎＯを採用してもよいことは勿論である。

一方、センサ部９８ｃ（を構成するフォトダイオードや薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｔｏｒ；ＴＦＴ））が有機材料から構成されていれば、センサ部９８ｃでの放射線１６の吸収が抑制されると共に、低温での成膜が可能となる。

また、図８Ａでは、ハウジング本体３０（の天板３５）がａ−カーボンからなる場合について図示したが、図７Ａのように、ハウジング本体３０がアルミニウム等の放射線１６を透過可能な金属材料であってもよいことは勿論である。

図８Ｂは、ハウジング本体３０（の天板３５）がＣＦＲＰからなる点で図８Ａの構成とは異なる。従って、この場合には、前述した図５、図６及び図７Ｂと同様に、天板３５の内壁２６１側に対して予めブラスト処理等を行って炭素繊維９０を露出させ、露出した炭素繊維９０に対して導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９を配置する。図８Ｂの場合でも、図８Ａの場合と同様に、半導体基板９８ｂ及び支持基板９６ａに蓄積された電荷を炭素繊維９０を介してグランドに逃すことが可能である。

図９Ａは、放射線１６を透過可能なアルミニウム等の金属材料からなる支持基板９６ｂに対して複数のＣＭＯＳセンサ９８がタイリングされている点で、図８Ａの構成とは異なる。

この場合、前述した導電層９８ａ及び導電性部材１００は省略され、支持基板９６ｂに対して半導体基板９８ｂとセンサ部９８ｃとが積層されている。また、図９Ａの構成では、導電性の支持基板９６ｂとａ−カーボンからなる天板３５とを面接触させることにより、前述の導電性ポリマーフイルム９２又は導電性接着シート９３を不要としている。

このように、図９Ａの構成では、天板３５とシンチレータ１１８との間の層数を減らして、放射線１６を吸収する層を介在させないようにしたので、放射線１６の吸収を一層抑制しつつ、半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷を支持基板９６ｂからａ−カーボンの天板３５を介してグランドに逃すことができる。なお、図９Ａの場合でも、ハウジング本体３０を放射線１６を透過可能なアルミニウム等の金属材料で構成してもよい。

図９Ｂは、ハウジング本体３０（の天板３５）がＣＦＲＰからなる点で図９Ａの構成とは異なる。従って、この場合には、前述した図５、図６、図７Ｂ及び図８Ｂと同様に、天板３５の内壁２６１側に対して予めブラスト処理等を行って炭素繊維９０を露出させ、露出した炭素繊維９０に対して支持基板９６ｂを配置する。図９Ｂの場合でも、図９Ａの場合と同様に、半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷を支持基板９６ｂ及び炭素繊維９０を介してグランドに逃すことができる。

図１０は、電子カセッテ２０Ａのブロック構成図である。

光電変換層１２０は、光電変換素子１４０と、スイッチング素子としてのＴＦＴ１４２とを有する。光電変換素子１４０は、放射線１６（図１、図２、図５及び図６参照）を電荷に変換して蓄積可能なｐｉｎ型のフォトダイオードやフォトトランジスタ等である。なお、図１０では、光電変換素子１４０がｐｉｎ型のフォトダイオードである場合を図示している。

この場合、光電変換層１２０では、ガラス又は樹脂からなる基板の一面に複数の信号線１４４とゲート線１４６とを互いに交差させるように配設し、各ゲート線１４６と各信号線１４４とにより区画された小領域に光電変換素子１４０とＴＦＴ１４２とをそれぞれ設けている。これにより、前記基板に複数の光電変換素子１４０及び複数のＴＦＴ１４２が二次元マトリクス状に配列されている。また、１つの光電変換素子１４０には１本のバイアス線１４８が接続され、各バイアス線１４８は、１本の結線１５０を介してバイアス電源１７２に接続されている。

ここで、光電変換素子１４０のアノード電極は、バイアス線１４８に接続され、カソード電極は、ＴＦＴ１４２のソース電極Ｓに接続されている。一方、ＴＦＴ１４２のゲート電極Ｇは、ゲート線１４６を介してゲート駆動回路１５２に接続され、ドレイン電極Ｄは、信号線１４４を介して信号読出回路１５４に接続されている。この場合、ゲート駆動回路１５２は、複数の駆動用ＩＣ１２４に対応する放射線変換パネル１１６を駆動するための駆動回路部である。一方、信号読出回路１５４は、複数の読出用ＩＣ１２８に対応する放射線画像に応じた電気信号を読み出す読出回路部である。

バイアス電源１７２は、結線１５０及び各バイアス線１４８を介して各光電変換素子１４０に逆方向にバイアス電圧（逆バイアス電圧）を印加する。図１０では、ｐｉｎ型の光電変換素子１４０のｐ層側にアノード電極を介してバイアス線１４８が接続されているので、バイアス電源１７２からは、光電変換素子１４０のアノード電極に結線１５０及びバイアス線１４８を介して逆バイアス電圧として負の電圧（カソード電極よりも所定電圧以上低い電圧であればよい。）が印加されるようになっている。

なお、光電変換素子１４０のｐｉｎ型の積層順を逆に形成して（光電変換素子１４０の極性が逆となるように形成して）カソード電極にバイアス線１４８を接続する場合には、バイアス電源１７２からはカソード電極に逆バイアス電圧として正の電圧（アノード電極よりも所定電圧以上高い電圧であればよい。）が印加される。その場合には、図１０における光電変換素子１４０のバイアス電源１７２に対する接続の向きが逆向きになる。

ゲート駆動回路１５２からゲート線１４６を介してＴＦＴ１４２のゲート電極Ｇに信号読み出し用の電圧（制御信号）が印加されると、ＴＦＴ１４２のゲートが開き、光電変換素子１４０に蓄積された電荷、すなわち、電気信号（放射線画像信号）が、ＴＦＴ１４２のソース電極Ｓを介してドレイン電極Ｄから信号線１４４に読み出される。

信号読出回路１５４では、各信号線１４４に対して、増幅器１６０、サンプルホールド回路１６２、マルチプレクサ１６４及びＡＤ変換器１６６が順に接続されている。従って、各信号線１４４を介して読み出された電気信号は、チャージアンプからなる増幅器１６０によって増幅され、サンプルホールド回路１６２によってサンプリングされた後、マルチプレクサ１６４を介してＡＤ変換器１６６に順次供給され、デジタル信号（デジタル値）に変換される。ＡＤ変換器１６６は、デジタル値に変換された各光電変換素子１４０の電気信号を後述するカセッテ制御部１７４に順次出力する。

また、電子カセッテ２０Ａは、装置全体を制御するための制御部１７０を有する。

制御部１７０は、前述した電源スイッチ５４、ディスプレイ５６、入力端子５８、ＵＳＢ端子６０、カードスロット６４、インジケータ６６、電源部９４及びバイアス電源１７２に加え、放射線変換パネル１１６、ゲート駆動回路１５２及び信号読出回路１５４等を制御するカセッテ制御部１７４と、コンソール２２との間で無線通信により信号の送受信を行う通信部１７６とを有する。

電源部９４は、電源回路１７８と電源１８０とを有する。電源１８０は、バッテリ又はキャパシタ（例えば、電気二重層キャパシタ）等の蓄電手段である。また、電源回路１７８は、電源１８０の電圧を所望の電圧に変換して電子カセッテ２０Ａ内の各部に供給可能なＤＣ／ＤＣコンバータ等の電力変換回路である。

カセッテ制御部１７４は、マイクロコンピュータを含む計算機であり、図示しないＣＰＵがＲＯＭに記録されているプログラムを読み出し実行することで各種機能を実現する。

具体的に、カセッテ制御部１７４は、画像メモリ１８２及び記憶部１８６を有する。画像メモリ１８２は、放射線変換パネル１１６から信号読出回路１５４を介して取得した放射線画像を記憶する。記憶部１８６は、電子カセッテ２０Ａを特定するためのカセッテＩＤ情報を記憶する。

なお、制御部１７０中、バイアス電源１７２、カセッテ制御部１７４及び通信部１７６は、前述した回路基板１３０に搭載される電子部品１３２によって実現される。

［第１実施形態の動作］
次に、第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａを含む放射線撮像システム１０の動作について、図１１のフローチャートに従って説明する。なお、この動作説明では、必要に応じて、図１〜図１０も参照しながら説明する。

先ず、ステップＳ１において、ユーザは、病院内の放射線科等の所定の保管場所から撮影台１２（図１参照）にまで電子カセッテ２０Ａを運搬する。この場合、電子カセッテ２０Ａは、電源部９４（図５、図６及び図１０参照）がカセッテ制御部１７４にのみ電力供給を行って、該カセッテ制御部１７４のみが動作しているスリープ状態である。

次に、ユーザは、照射面３６を上方に向けた状態で電子カセッテ２０Ａを撮影台１２に配置した後に、電源スイッチ５４を投入する。これにより、先ず、カセッテ制御部１７４は、該カセッテ制御部１７４に加え、ディスプレイ５６、インジケータ６６及び通信部１７６にも電力供給を行うように電源部９４を制御する。この結果、ディスプレイ５６は、電子カセッテ２０Ａの起動を画面表示する。また、インジケータ６６は、ＬＥＤ等によって電子カセッテ２０Ａの起動を示す発光を行う。ユーザは、ディスプレイ５６の画面表示又はインジケータ６６の発光を視認することにより、電子カセッテ２０Ａが起動したことを把握することができる。さらに、通信部１７６は、コンソール２２との間での無線による信号の送受信が可能となる。

次に、ユーザは、コンソール２２を操作することにより、撮像対象である被写体１４に関わる被写体情報等の撮像条件（例えば、放射線源１８の管電圧や管電流、放射線１６の曝射時間）を含めた撮影オーダを登録する。なお、撮像枚数や撮像部位や撮像方法が予め決まっている場合に、ユーザは、これらの条件も撮影オーダに含めて登録しておく。

前述のように、コンソール２２と通信部１７６との間は、無線による信号の送受信が可能である。そのため、カセッテ制御部１７４は、通信部１７６を介して無線通信によりコンソール２２に撮影オーダの送信を要求する。これに対して、コンソール２２は、電子カセッテ２０Ａからの送信要求に応じて、前記撮影オーダを無線通信により電子カセッテ２０Ａに送信する。通信部１７６で受信された前記撮影オーダは、記憶部１８６に記憶される。

次のステップＳ２において、ユーザ及び電子カセッテ２０Ａは、撮影準備を行う。

この場合、カセッテ制御部１７４は、ディスプレイ５６、インジケータ６６、カセッテ制御部１７４及び通信部１７６以外の電子カセッテ２０Ａ内の各部にも電力供給を行うように、電源部９４を制御する。これにより、電源部９４からの電力供給を受けたバイアス電源１７２は、逆バイアス電圧を各光電変換素子１４０に印加し、該各光電変換素子１４０は、電荷蓄積が可能な状態に至る。また、カセッテ制御部１７４は、ゲート駆動回路１５２を制御して、全てのＴＦＴ１４２をオフ状態とする。

一方、ユーザは、放射線源１８と放射線変換パネル１１６との間の距離をＳＩＤ（線源受像画間距離）に調整する。この場合、ユーザは、照射面３６に被写体１４を配置させ、該被写体１４の撮像部位が撮像可能領域４０に入り、且つ、該撮像部位の中心位置が撮像可能領域４０の中心位置と略一致するように、該被写体１４のポジショニングを行う。

このようにして撮影準備が完了した後のステップＳ３において、ユーザは、コンソール２２又は放射線源１８に備わる図示しない曝射スイッチを投入する。コンソール２２に曝射スイッチが備わっている場合には、ユーザによる曝射スイッチの投入後、コンソール２２から無線通信によって撮像条件が放射線源１８に送信される。また、放射線源１８に曝射スイッチが備わっている場合には、ユーザによる曝射スイッチの投入後、放射線源１８から無線通信によりコンソール２２に対して撮像条件の送信が要求され、該コンソール２２は、放射線源１８からの送信要求に応じて、前記撮像条件を無線通信により放射線源１８に送信する。

放射線源１８は、撮像条件を受信すると、該撮像条件に従って、所定の線量からなる放射線１６を所定の曝射時間だけ被写体１４に照射する。放射線１６は、被写体１４を透過してハウジング本体３０内の放射線変換パネル１１６に至る。この場合、シンチレータ１１８は、放射線１６の強度に応じた強度の可視光を発光し、光電変換層１２０を構成する各光電変換素子１４０は、可視光を電気信号に変換し、電荷として蓄積する（ステップＳ４）。

次のステップＳ５において、カセッテ制御部１７４は、ゲート駆動回路１５２を制御して、ゲート駆動回路１５２から１本のゲート線１４６に信号読み出し用の電圧（制御信号）を印加させる。これにより、該ゲート線１４６にゲート電極Ｇが接続されている全てのＴＦＴ１４２のゲートが開き、これらのＴＦＴ１４２が接続されている各光電変換素子１４０に蓄積された電荷（図１０のｐｉｎ型の光電変換素子１４０では電子）が、電気信号として各信号線１４４にそれぞれ読み出される。

各増幅器１６０は、読み出された電気信号を増幅し、各サンプルホールド回路１６２は、増幅後の電気信号をサンプリングし、マルチプレクサ１６４を介してＡＤ変換器１６６に順次供給する。ＡＤ変換器１６６は、順次供給された電気信号に対するＡＤ変換を行い、デジタル信号に変換する。デジタル信号に変換された電気信号に応じた放射線画像は、カセッテ制御部１７４の画像メモリ１８２に一旦記憶される（ステップＳ６）。

このようにして、１本のゲート線１４６に接続された各光電変換素子１４０に対する電気信号（に応じた放射線画像）の読み出しの完了後、カセッテ制御部１７４は、ゲート駆動回路１５２を制御して、信号読み出し用の電圧を印加するゲート線１４６を順次切り替え、切り替えたゲート線１４６に接続された各光電変換素子１４０に対する電気信号の読み出しを順次行う。従って、電子カセッテ２０Ａでは、全てのゲート線１４６に接続された各光電変換素子１４０からの放射線画像の読み出しが完了するまで、ステップＳ５及びＳ６の処理を繰り返し行う。

なお、ステップＳ３での放射線１６の照射によって、電気絶縁材料からなる支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜には電荷が蓄積される。この結果、ステップＳ４〜Ｓ６において、蓄積された電荷により支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜での電界強度が上昇し、センサ部９８ｃ、１２０ｂの故障の原因となることが懸念される。

このような問題に対して、本実施形態では、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷を、天板３５（詳細には、天板３５の炭素繊維９０、ａ−カーボンからなる天板３５、又は、金属材料からなる天板３５）を介してグランドに逃すようにしている。これにより、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜での電界強度の上昇、及び、センサ部９８ｃ、１２０ｂの故障を防止することができる。

このようにして、全ての光電変換素子１４０からの放射線画像の読み出しが完了し、被写体１４の放射線画像が画像メモリ１８２に記憶された後のステップＳ７において、カセッテ制御部１７４は、画像メモリ１８２に記憶された放射線画像をディスプレイ５６に表示させる。また、カセッテ制御部１７４は、放射線画像と、記憶部１８６に記憶されたカセッテＩＤ情報とを共に通信部１７６を介して無線通信によりコンソール２２に送信する。

コンソール２２は、受信した放射線画像に対して所定の画像処理を行い、画像処理後の放射線画像を無線通信により表示装置２４に送信する。表示装置２４は、受信した放射線画像を表示する。従って、ユーザは、ディスプレイ５６に表示された放射線画像、又は、表示装置２４に表示された放射線画像を視認することにより、被写体１４に対して撮影オーダに応じた適切な撮像が行われたか否かを容易に判断することができる。

そして、ステップＳ８において、被写体１４に対する撮像が完了した場合（ステップＳ８：ＹＥＳ）、ユーザは、被写体１４を解放して撮像を終了させる（ステップＳ９）。次に、ユーザは、電源スイッチ５４を押して、電子カセッテ２０Ａをスリープ状態に移行させる。その後、ユーザは、電子カセッテ２０Ａを所定の保管場所まで運搬する（ステップＳ１０）。

一方、被写体１４に対して複数枚の撮像を行う場合であって、全ての撮像が完了していない場合には（ステップＳ８：ＮＯ）、ステップＳ２又はステップＳ３に戻り、次の撮像、又は、次の撮像のための撮影準備が行われる。

［第１実施形態の効果］
以上説明したように、第１実施形態に係る電子カセッテ２０Ａは、照射面３６を有する天板３５に対して、光電変換層１２０とシンチレータ１１８とが順に配置された放射線変換パネル１１６を有するＩＳＳ方式の電子カセッテである。この電子カセッテ２０Ａにおいて、天板３５の導電体（天板３５に含まれる炭素繊維９０、ａ−カーボンからなる天板３５、又は、アルミニウム等の金属材料からなる天板３５の導電部）と支持基板９６ａ、１２０ａとは、面接触により電気的に結合している。

これにより、例えば、導電体にフレームグランドを施して、該導電体をグランドの電位に接続すれば、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷を前記導電体を介してグランドに逃すことが可能となる。この結果、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜への電荷の蓄積に起因したセンサ部９８ｃ、１２０ｂの故障の発生を回避することができる。

また、放射線１６が照射される照射面３６を有する天板３５に対して放射線変換パネル１１６が面接触しているため、照射面３６にポジショニングされる被写体１４と放射線変換パネル１１６との距離を縮めることができ、高画質の放射線画像を取得することが可能となる。

この場合、天板３５における光電変換層１２０側の箇所をハウジング本体３０の他の箇所よりも電気的に低抵抗とすることで導電体（導電部、導電層）が形成される。この結果、該導電体に支持基板９６ａ、１２０ａを面接触させることで、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に電荷が発生しても、前記導電体を介してグランドに電荷を逃すことができる。

また、天板３５における光電変換層１２０側の箇所に対して予めブラスト処理等を施し、天板３５の内壁２６１に炭素繊維９０を露出させることで、炭素繊維９０が露出した内壁２６１に、他の層を介することなく、支持基板９６ａ、１２０ａを面接触させることが可能となる。この結果、放射線１６がシンチレータ１１８に到達する前に該放射線１６が不用意に吸収されることを回避しつつ、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷を炭素繊維９０を介してグランドに逃すことができる。

また、ハウジング本体３０（の天板３５）がＣＦＲＰから構成されていれば、筐体２９全体の軽量化及び高剛性化を図りつつ、炭素繊維９０をグランド接続することで、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷をグランドに容易に逃すことができる。

さらに、ハウジング本体３０（の天板３５）を、放射線１６を透過可能な（放射線１６の吸収を抑制する）ａ−カーボン又はアルミニウム等の金属材料で構成すれば、表面の電気抵抗が低いため、天板３５全体が導電体となる。この結果、天板３５の内壁２６１に対するブラスト処理等が不要になると共に、該内壁２６１に支持基板９６ａ、１２０ａを面接触させるだけで、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷を、ａ−カーボン又は金属材料を介してグランドに効率よく逃すことができる。

また、支持基板９６ａ、１２０ａを放射線１６を透過可能な導電シートとしての導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９を介して天板３５の内壁２６１に面接触させることにより、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷を導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９と天板３５の導電体とを介してグランドに逃すことができる。

なお、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷をグランドに確実に逃すことができるのであれば、天板３５の内壁２６１に対する導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９の面接触状態は、いかなる状態であってもよい。すなわち、天板３５の内壁２６１に対する面接触状態としては、内壁２６１への貼り付け（導電性接着シート９３）でもよいし、あるいは、内壁２６１への密着又は押し当て（導電性ポリマーフイルム９２、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９）であってもよい。

そして、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９を放射線１６の吸収を抑制する有機材料で構成すれば、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９での放射線１６の吸収を回避しつつ、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷をグランドに逃すことができる。特に、上記の導電シートが有機材料で構成されると共に、センサ部１２０ｂがＯＰＣを含み構成されていれば、シンチレータ１１８に到達するまでの放射線１６の減衰を一層抑制することができる。

なお、筐体２９がＣＦＲＰ、ａ−カーボン又は金属材料からなり、炭素繊維９０等の導電体がグランド接続されていれば、筐体２９全体に対して電磁シールドを施すことになるため、電子カセッテ２０Ａの電磁シールド機能を向上させることも可能となる。

また、第１実施形態の説明では、導電体にフレームグランドを施して、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷を該導電体を介してグランドに逃す場合について説明した。第１実施形態は、上記の説明に限定されることはなく、電子カセッテ２０Ａに内蔵される電気回路（電源部９４、フレキシブル基板１２２、１２６、駆動用ＩＣ１２４、読出用ＩＣ１２８、回路基板１３０及び電子部品１３２）の共通の基準電位（電源部９４のマイナス端子又はプラス端子の電位）に前記導電体を接続することにより、前記電荷を基準電位を介してグランドに逃してもよい。

つまり、フレームグランドの場合には、導電体がグランドの電位（特定の電位）に直接接続され、一方で、基準電位との接続の場合には、導電体が基準電位（特定の電位）を介してグランドに接続される。いずれの場合であっても、導電体の特定の電位（基準電位、グランドの電位）への接続を容易に行うことができる。

さらに、第１実施形態では、放射線１６の照射前（図１１のステップＳ２の期間）に、導電体が特定の電位に接続された状態に動的に切り換わればよい。これにより、被写体１４に対する放射線撮影の際に、支持基板９６ａ、１２０ａ及び半導体基板９８ｂの酸化膜に蓄積された電荷をグランドに効率よく且つ確実に逃すことができる。

また、第１実施形態では、下記の効果も得られる。

ハウジング本体３０の開口部４４ａ、４４ｂを蓋部材３２、３４で閉塞して筐体２９を構成することにより、電子カセッテ２０Ａの落下や、外部からの衝撃があっても蓋部材３２、３４のみの破損で済ませることが可能となる。この結果、リワーク時には、蓋部材３２、３４のみ交換すればよく、電子カセッテ２０Ａの修理コストを大幅に削減することができる。

このように、蓋部材３２、３４のみの破損で済むため、ハウジング本体３０の中空部４１（室１１０）に収容された放射線変換パネル１１６や、電源部９４、フレキシブル基板１２２、１２６、駆動用ＩＣ１２４、読出用ＩＣ１２８、回路基板１３０及び電子部品１３２等の各種の電子部品を適切に保護することができる。

また、ハウジング本体３０には、２つの開口部４４ａ、４４ｂが形成されているので、どちらの開口部４４ａ、４４ｂからも室１１０内の放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品の出し入れが可能となり、これらの構成要素の交換作業等を容易に行うことができる。

さらに、上述のように、筐体２９がモノコック構造であるため、装置全体の軽量化を実現できると共に、外部からの応力（例えば、筐体２９の落下、被写体１４からの荷重、外部からの衝撃）を筐体２９全体として受けることができるので、該筐体２９の機械的強度（耐落下性、耐荷重性、耐衝撃性）を向上させることができる。

また、筐体２９は、落下や外部からの衝撃に対して蓋部材３２、３４のみの損傷で済むような構造であるため、筐体２９の上面である照射面３６と底面４６との損傷を回避することができる。

［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る電子カセッテ２０Ｂについて図１２〜図１８を参照しながら説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同じ構成要素については、同じ参照符号を付けて、その詳細な説明を省略し、以下同様とする。

第２実施形態では、電子カセッテ２０Ｂのハウジング本体３０が、電子カセッテ２０Ａのハウジング本体３０のように一体成形により構成されるものではなく、２以上の部材を連結することによりハウジング本体３０が構成される点で、第１実施形態とは異なる。従って、第２実施形態に係る電子カセッテ２０Ｂは、モノコック構造ではない筐体２９にも適用可能である。

先ず、図１２の電子カセッテ２０Ｂでは、断面略Ｕ字状の下側ケース３０ｂの開口部分に天板３５を上方から覆い被せることによりハウジング本体３０が構成される。

天板３５はＣＦＲＰからなり、内壁２６１には予めブラスト処理等が施され、炭素繊維９０が室１１０に露出している。一方、下側ケース３０ｂは金属材料からなる。この場合、下側ケース３０ｂの開口部分に天板３５を覆い被せることにより、下側ケース３０ｂの上端部と天板３５の内壁２６１に露出している炭素繊維９０とが接触する。また、下側ケース３０ｂの内側（内壁）は、電気絶縁材料からなる非導電層１０２で覆われている。

図１２の構成では、支持基板１２０ａが内壁２６１に露出した炭素繊維９０に面接触することにより、モノコック構造ではない筐体２９であっても、第１実施形態でのグランド接続に関わる各効果を容易に得ることができる。また、金属材料からなる下側ケース３０ｂの上端部と天板３５の炭素繊維９０とが接触することにより、筐体２９全体として電磁シールドを施すことができる。

さらに、電子カセッテ２０Ｂの落下や外部から電子カセッテ２０Ｂへの衝撃によって、制御信号の生成及び供給や電気信号の処理に関わる各種の電子部品が下側ケース３０ｂに接触してショートする可能性がある。具体的に、電源部９４、フレキシブル基板１２２、１２６、駆動用ＩＣ１２４、読出用ＩＣ１２８、回路基板１３０及び電子部品１３２、特に電源部９４と、下側ケース３０ｂとが接触してショートする可能性がある。このような場合に、筐体２９内における電源部９４等との対向箇所である下側ケース３０ｂの内壁を非導電層１０２で予め覆うことにより、電源部９４等が下側ケース３０ｂに接触してショートすることを回避することができる。

なお、図１２の電子カセッテ２０Ｂにおいても、天板３５をａ−カーボン又はアルミニウム等の金属材料で構成してもよいことは勿論である。また、下側ケース３０ｂについても、ＣＦＲＰ、ａ−カーボン又はアルミニウム等の金属材料で構成してもよいことは勿論である。

図１３の電子カセッテ２０Ｂでは、ＣＦＲＰからなる天板３５及び底板５３と、金属材料からなる側板４９、５１とを組み立てることによりハウジング本体３０が構成される点で、図１２の構成とは異なる。この場合、非導電層１０２は、側板４９、５１の室１１０側（内壁）に形成されている。また、前述のように、ＣＦＲＰは、炭素繊維９０の周囲を電気抵抗の高いプラスチックで固めて構成され、その表面は該プラスチックで覆われて電気抵抗が比較的高くなっているため、底板５３の室１１０側（内壁）に非導電層１０２は設けられていない。なお、底板５３の両端部は、予めブラスト処理等が施されて炭素繊維９０が露出しており、露出した炭素繊維９０は、側板４９、５１と接触している。

図１３の構成でも、支持基板１２０ａが内壁２６１に露出した炭素繊維９０に面接触することにより、図１２と同様の効果を得ることができる。また、金属材料からなる側板４９、５１と、天板３５及び底板５３の各炭素繊維９０とが接触することにより、筐体２９全体として電磁シールドを施すことができる。さらに、側板４９、５１の内壁を非導電層１０２で覆うと共に、底板５３をＣＦＲＰで構成することにより、電源部９４、フレキシブル基板１２２、１２６、駆動用ＩＣ１２４、読出用ＩＣ１２８、回路基板１３０及び電子部品１３２等の各種の電子部品のショートを回避することができる。

なお、図１３の電子カセッテ２０Ｂにおいても、天板３５及び底板５３をａ−カーボン又はアルミニウム等の金属材料で構成し、側板４９、５１をＣＦＲＰ、ａ−カーボン又はアルミニウムで構成してもよいことは勿論である。

図１４の電子カセッテ２０Ｂでは、ＣＦＲＰからなる断面略Ｕ字状の上側ケース３０ａと、金属材料からなる断面略Ｕ字状の下側ケース３０ｂと、上側ケース３０ａの上面に形成された凹部に装着された上板３０ｃとからハウジング本体３０が構成される点で、図１２及び図１３の構成とは異なる。

この場合、上側ケース３０ａの照射面３６側の箇所が天板３５として機能する。また、非導電層１０２は、下側ケース３０ｂの室１１０側（内壁）に形成されている。さらに、基台１１２は、グランドラインとして機能する接続線（第２の接続線）１０４を介して下側ケース３０ｂに接続されている。さらにまた、上側ケース３０ａの下端部は、予めブラスト処理等により炭素繊維９０が露出しており、露出した炭素繊維９０は、下側ケース３０ｂの上端部と接触している。

図１４の構成でも、支持基板１２０ａが内壁２６１に露出した炭素繊維９０に面接触することにより、図１２及び図１３と同様の効果を得ることができる。また、金属材料からなる下側ケース３０ｂと、上側ケース３０ａの炭素繊維９０とが接触することにより、筐体２９全体として電磁シールドを施すことができる。

さらに、下側ケース３０ｂの内壁を非導電層１０２で覆うことにより、電源部９４、フレキシブル基板１２２、１２６、駆動用ＩＣ１２４、読出用ＩＣ１２８、回路基板１３０及び電子部品１３２等の各種の電子部品のショートを回避することができる。さらにまた、基台１１２が接続線１０４を介して下側ケース３０ｂに接続されているため、電源部９４、回路基板１３０及び電子部品１３２のグランドを取ることが可能になると共に、回路基板１３０に蓄積された電荷についても、基台１１２、接続線１０４及び下側ケース３０ｂを介してグランドに逃すことができる。

また、上板３０ｃが照射面３６を形成するため、被写体１４が接触する可能性のある照射面３６に汚れや傷がついた場合には、該上板３０ｃのみ交換すればよいので、修理コストを抑制しつつ、筐体２９を清潔にした状態で被写体１４に対する撮像を行うことができる。なお、上板３０ｃが装着された上側ケース３０ａに汚れや傷がついた場合には、該上側ケース３０ａのみ交換し、上板３０ｃや下側ケース３０ｂは、そのまま利用できることは勿論である。

なお、図１４の電子カセッテ２０Ｂにおいても、上側ケース３０ａをａ−カーボン又はアルミニウム等の金属材料で構成し、下側ケース３０ｂをＣＦＲＰ、ａ−カーボン又はアルミニウムで構成してもよいことは勿論である。

図１５の電子カセッテ２０Ｂでは、図１４で説明した上側ケース３０ａ及び下側ケース３０ｂによりハウジング本体３０が構成され、基台１１２がネジ部材１０６によって下側ケース３０ｂの底面側（底板５３）に固定される点で、図１４の構成とは異なる。この場合、非導電層１０２は、下側ケース３０ｂにおける電源部９４、回路基板１３０及び電子部品１３２に対向する箇所（底板５３の内壁）に形成されている。

図１５の構成でも、図１４と同様の効果を得ることができる。また、下側ケース３０ｂの底板５３側を非導電層１０２で覆うことにより、電源部９４、回路基板１３０及び電子部品１３２の下側ケース３０ｂへの接触によるショートの発生を回避することができる。さらに、基台１１２がネジ部材１０６により下側ケース３０ｂに固定されているため、電源部９４、回路基板１３０及び電子部品１３２のグランドを取ることが可能になると共に、回路基板１３０に蓄積された電荷についても、基台１１２及び下側ケース３０ｂを介してグランドに逃すことができる。

図１６の電子カセッテ２０Ｂでは、ＣＦＲＰからなる上側ケース３０ａの側部が、金属材料からなる底板５３まで延在することにより、該上側ケース３０ａと底板５３とによってハウジング本体３０が構成される点で、図１２〜図１５の構成とは異なる。この場合、上側ケース３０ａの側部の一部（側板５１）に対して予めブラスト処理等が施されることにより炭素繊維９０が露出し、露出した炭素繊維９０と基台１１２とが接続線１０４を介して接続されている。また、上側ケース３０ａの下端部についても、予めブラスト処理等が施されることにより炭素繊維９０が露出し、露出した炭素繊維９０と底板５３とが接触している。

さらに、基台１１２の裏面１２９の中央部に回路基板１３０が配置され、裏面１２９の右側に電源部９４が配置されている。さらにまた、非導電層１０２は、下側ケース３０ｂにおける電源部９４、回路基板１３０及び電子部品１３２に対向する箇所（底板５３の内壁）に形成されている。

図１６の構成でも、炭素繊維９０と底板５３とを接触させたことによる効果、接続線１０４で接続することによる効果、非導電層１０２を形成したことによる効果等が容易に得られる。また、図１６の電子カセッテ２０Ｂにおいて、例えば、上方から天板３５に対して荷重がかかった場合、筐体２９の中央付近が最も変形する。従って、図１６では、基台１１２の裏面１２９の中央部に配置された回路基板１３０及び電子部品１３２が、金属材料からなる底板５３に接触してショートする可能性が最も高い。

このような問題に対して、図１６の構成では、底板５３における電源部９４、回路基板１３０及び電子部品１３２に対向する箇所に非導電層１０２をそれぞれ設けることにより、筐体２９の変形に起因した、各種の電子部品と金属材料からなる底板５３との接触を回避することができる。

特に、外部からの荷重に対して最も変形する筐体２９の中央付近に配置された回路基板１３０及び電子部品１３２に対しては、該回路基板１３０に対応して底板５３に非導電層１０２を設けることによって、該底板５３との接触を効果的に回避することができる。

また、図１６では、電源部９４、回路基板１３０及び電子部品１３２のうち、電源部９４が底板５３側に最も突出しており、電源部９４が底板５３と接触してショートを起こす可能性も高い。そこで、電源部９４に対応して底板５３に非導電層１０２を設けることによって、該底板５３との接触を確実に回避することが可能となる。

図１７の電子カセッテ２０Ｂでは、下側ケース３０ｂの側部が天板３５まで延在することにより、該天板３５と下側ケース３０ｂとによってハウジング本体３０が構成される点で、図１２〜図１６の構成とは異なる。この場合、天板３５及び下側ケース３０ｂは、いずれもＣＦＲＰで構成されている。また、天板３５の側板４９、５１の箇所と下側ケース３０ｂの上端部とに対して予めブラスト処理等が施されることにより炭素繊維９０がそれぞれ露出し、下側ケース３０ｂの開口部分を天板３５で覆うことにより、露出した各炭素繊維９０を接触させる。さらに、図１７の場合、非導電層１０２は、下側ケース３０ｂの内壁を全体的に覆うように形成されている。

図１７の構成では、下側ケース３０ｂに天板３５を覆い被せて各炭素繊維９０を接触させることにより、筐体２９全体として電磁シールドを施すことができる。また、下側ケース３０ｂの内壁を非導電層１０２で覆うことにより、下側ケース３０ｂの炭素繊維９０の一部が室１１０に露出するような場合があっても、電源部９４、フレキシブル基板１２２、１２６、駆動用ＩＣ１２４、読出用ＩＣ１２８、回路基板１３０及び電子部品１３２と該炭素繊維９０との接触を防止して、ショートの発生を回避することができる。

図１８の電子カセッテ２０Ｂでは、ＣＦＲＰからなる下側ケース３０ｂに対して、ＣＦＲＰからなる上側ケース３０ａを被せることによりハウジング本体３０が構成される点で図１２〜図１７の構成とは異なる。従って、上側ケース３０ａの側部の内側に下側ケース３０ｂの側部が配置されることになる。

この場合、上側ケース３０ａの側部と、下側ケース３０ｂの側部とに対して予めブラスト処理等を施して炭素繊維９０を露出させることにより、下側ケース３０ｂに対して上側ケース３０ａを被せると、各炭素繊維９０を接触させることができ、この結果、筐体２９全体として電磁シールドを施すことができる。

また、図１８では、電源部９４、回路基板１３０及び電子部品１３２のうち、電源部９４が底板５３側に最も突出し、一部の電子部品１３２が次に突出している。そのため、電源部９４及び一部の電子部品１３２が底板５３の内壁に露出する炭素繊維９０と接触してショートを起こす可能性が高い。

そこで、図１８では、下側ケース３０ｂの内壁のうち、電源部９４及び一部の電子部品１３２に対向する箇所についてのみ非導電層１０２を形成する。これにより、ショートする可能性の高い電源部９４及び一部の電子部品１３２と、炭素繊維９０との接触を回避して、該ショートの発生を防止することができる。なお、底板５３側に最も突出している電源部９４は、ショートを起こす可能性が最も高いので、下側ケース３０ｂの内壁のうち、少なくとも電源部９４に対向する箇所に対して非導電層１０２が形成されていればよい。

［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る電子カセッテ２０Ｃについて、図１９を参照しながら説明する。

第３実施形態では、放射線変換パネル１１６と天板３５との間にスポンジ等の緩衝部材１０８が介挿され、支持基板１２０ａがグランドラインとしての接続線（第１の接続線）１０５を介してハウジング本体３０に含まれる炭素繊維９０と接続されている点で、第１及び第２実施形態とは異なる。

図１９において、ＣＦＲＰからなるハウジング本体３０のうち、側板５１の内壁の一部に予めブラスト処理等を施すことにより室１１０に炭素繊維９０を露出させ、露出した炭素繊維９０と支持基板１２０ａとを接続線１０５で接続する。また、基台１１２の両端部は、ネジ部材１０６により底板５３に固定されている。この場合、底板５３におけるネジ部材１０６及び基台１１２との接触箇所には、予めブラスト処理等が施されて炭素繊維９０が露出している。そのため、基台１１２の両端部がネジ部材１０６により底板５３に固定されると、露出した炭素繊維９０と基台１１２の両端部とが接触する。

第３実施形態では、支持基板１２０ａと炭素繊維９０とを接続線１０５を介して電気的に接続しているため、支持基板１２０ａが天板３５の内壁２６１に面接触できない場合であっても、接続線１０５及び炭素繊維９０を介して、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃すことが可能となる。また、緩衝部材１０８を介挿することにより、電子カセッテ２０Ｃの落下や外部からの衝撃に対して放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品を適切に保護することができる。

また、第３実施形態では、第１及び第２実施形態のように、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を天板３５を介してグランドに逃すことは行っておらず、接続線１０５を介してグランドに逃すようにしているため、緩衝部材１０８を省略して、支持基板１２０ａと天板３５との密着状態を解消することも可能である。この場合、筐体２９内に放射線変換パネル１１６を固定保持するために、接着剤等により放射線変換パネル１１６を基台１１２に貼り付けることが望ましい。

なお、第３実施形態においても、第１及び第２実施形態と共通する構成（例えば、ネジ部材１０６による基台１１２の固定）については、同様の効果が得られることは勿論である。

［第４実施形態］
次に、第４実施形態に係る電子カセッテ２０Ｄについて、図２０〜図２２を参照しながら説明する。

第４実施形態は、基台１１２を蓋部材３２に固定した状態で、ハウジング本体３０に蓋部材３２を嵌合させると、基台１１２に配置された放射線変換パネル１１６や各種の電子部品が筐体２９に収容される、いわゆるスロットイン方式である点で、第１〜第３実施形態とは異なる。

先ず、図２０の電子カセッテ２０Ｄでは、ＣＦＲＰからなる蓋部材３２の挿入部７０の内方にスポンジ等の緩衝部材１９０が配置され、該緩衝部材１９０の凹部１９２に基台１１２の一端部が差し込まれると共に、該基台１１２と蓋部材３２に含まれる炭素繊維９０との間が接続線１０４で接続されている。

この場合、ハウジング本体３０及び蓋部材３２、３４は、いずれもＣＦＲＰからなり、ハウジング本体３０の内壁２６１に限らず、ハウジング本体３０と蓋部材３２、３４との接触箇所や、蓋部材３２における接続線１０４との接続箇所についても、ブラスト処理等が施されることで炭素繊維９０が露出される。

従って、緩衝部材１９０の凹部１９２に基台１１２の一端部が差し込まれると共に、基台１１２と蓋部材３２の炭素繊維９０とが接続線１０４で接続された状態で、ハウジング本体３０の開口部４４ａと蓋部材３２の挿入部７０とを嵌合させると、基台１１２と共に放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品が筐体２９内に収容され、さらには、ハウジング本体３０及び蓋部材３２、３４の各炭素繊維９０が接触して、筐体２９全体として電磁シールドが施されることになる。

この結果、回路基板１３０に蓄積される電荷を基台１１２、接続線１０４及び蓋部材３２の炭素繊維９０を介してグランドに逃すことが可能となる。また、スロットイン方式で放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品が基台１１２と共に筐体２９内に収容されるため、電子カセッテ２０Ｄの組立作業や、放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品の交換作業が容易なものとなる。さらに、基台１１２が緩衝部材１９０の凹部１９２に嵌合しているため、電子カセッテ２０Ｄの落下や外部からの衝撃に対して、基台１１２、放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品を適切に保護することができる。

図２１の電子カセッテ２０Ｄは、挿入部７０の内側に緩衝部材１９０に代えて導電性の板ばね１９３が設けられ、該板ばね１９３の弾発力によって基台１１２の一端部が蓋部材３２の挿入部７０に押圧固定される点で、図２０の構成とは異なる。

この場合、挿入部７０の底板５３側の箇所は、室１１０の中央部に基台１１２を保持するために、天板３５側の箇所と比較して厚肉となっている。また、挿入部７０における板ばね１９３の基端部側と、該挿入部７０における基台１１２の一端部に接触する箇所とには、予めブラスト処理等が施されることにより炭素繊維９０が露出している。そのため、基台１１２の一端部が板ばね１９３の弾発力によって蓋部材３２の挿入部７０に押圧固定されると、基台１１２の一端部の上側は、板ばね１９３を介して炭素繊維９０と電気的に接続され、一方で、基台１１２の一端部の下側は、露出した炭素繊維９０と接触する。

従って、図２１の場合でも、基台１１２の一端部が板ばね１９３によって蓋部材３２の挿入部７０に押圧固定された状態で、ハウジング本体３０の開口部４４ａと蓋部材３２の挿入部７０とを嵌合させると、図２０の場合と同様に、基台１１２と共に放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品が筐体２９内に収容される。また、ハウジング本体３０及び蓋部材３２、３４の各炭素繊維９０が接触することで、筐体２９全体として電磁シールドが施される。

この結果、回路基板１３０に蓄積される電荷を基台１１２、板ばね１９３及び蓋部材３２の炭素繊維９０を介してグランドに逃すことが可能となる。また、図２１においても、スロットイン方式で放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品が基台１１２と共に筐体２９内に収容されるため、電子カセッテ２０Ｄの組立作業や、放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品の交換作業が容易なものとなる。

図２２の電子カセッテ２０Ｄは、前述の緩衝部材１９０及び板ばね１９３に代えて、導電性のネジ部材１９４により基台１１２の一端部を蓋部材３２の挿入部７０に固定する点で、図２０及び図２１の構成とは異なる。

この場合でも、挿入部７０の底板５３側の箇所は、室１１０の中央部に基台１１２を保持するために、天板３５側の箇所と比較して厚肉となっている。挿入部７０の底板５３側の箇所（厚肉部分）におけるネジ部材１９４及び基台１１２との接触箇所には、予めブラスト処理等が施されて炭素繊維９０が露出している。そのため、基台１１２の一端部がネジ部材１９４により挿入部７０の厚肉部分に固定されると、露出した炭素繊維９０と基台１１２の一端部とが接触する。

従って、図２２の場合でも、基台１１２の一端部がネジ部材１９４によって蓋部材３２の挿入部７０に固定された状態で、ハウジング本体３０の開口部４４ａと蓋部材３２の挿入部７０とを嵌合させると、図２０及び図２１の場合と同様に、基台１１２と共に放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品が筐体２９内に収容され、さらには、ハウジング本体３０及び蓋部材３２、３４の各炭素繊維９０が接触して、筐体２９全体として電磁シールドが施されることになる。

この結果、回路基板１３０に蓄積される電荷を基台１１２、ネジ部材１９４及び蓋部材３２の炭素繊維９０を介してグランドに逃すことが可能となる。また、図２２においても、スロットイン方式で放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品が基台１１２と共に筐体２９内に収容されるため、電子カセッテ２０Ｄの組立作業や、放射線変換パネル１１６及び各種の電子部品の交換作業が容易なものとなる。

［第５実施形態］
次に、第５実施形態に係る電子カセッテ２０Ｅについて図２３及び図２４を参照しながら説明する。

第５実施形態に係る電子カセッテ２０Ｅでは、筐体２９におけるｘ２方向側が薄板状の蓋部材３２とされ、ｘ１方向側がユーザが把持可能な把持部２０６とされている。従って、ユーザは、把持部２０６の取っ手２０８を把持した状態で電子カセッテ２０Ｅを運搬することが可能である。

また、図２４に示すように、図示しないヒンジ部材を中心として蓋部材３２を回動させることにより、蓋部材３２によって開口部４４ａを閉塞することができる一方で、開口部４４ａを開放状態とすることもできる。

第５実施形態でも、第１〜第４実施形態と同様の効果が得られることは勿論である。

また、第５実施形態では、蓋部材３２を下にした状態で取っ手２０８を把持して電子カセッテ２０Ｅを運搬するので、運搬中に筐体２９を落下させても、蓋部材３２のみの損傷で済ませることができる。

［第６実施形態］
次に、第６実施形態に係る電子カセッテ２０Ｆについて図２５及び図２６を参照しながら説明する。

第６実施形態に係る電子カセッテ２０Ｆは、筐体２９の厚みが全体的に薄く、ハウジング本体３０の側面４２ａが湾曲面となっていると共に、該湾曲面に合わせて、蓋部材３２も湾曲形状となっている。この場合、側面４２ａの中央部は、ｘ１方向に向かって凹み、蓋部材３２の中央部は、側面４２ａの凹部に対応してｘ１方向に膨出した凸部となっている。この凸部に取っ手２２０が設けられている。

一方、ハウジング本体３０のｘ１方向の２つの角部２２６（側面４２ｂと側面４２ｃ、４２ｄとを連結する２つの角部）は、ハウジング本体３０の中心に向かって凹んでおり、この凹部にはＬ字状の緩衝部材２２２が嵌合している。

なお、電子カセッテ２０Ｆは、筐体２９が薄厚であるため、ディスプレイ５６は、照射面３６における撮像可能領域４０外に配置され、電源スイッチ５４、入力端子５８、ＵＳＢ端子６０及びカードスロット６４は、側面４２ｄに配置されている。

このように構成される第６実施形態に係る電子カセッテ２０Ｆにおいても、第１〜第４実施形態と同様の効果が得られる。

また、第６実施形態では、蓋部材３２に取っ手２２０が設けられているので、蓋部材３２を上にした状態で取っ手２２０を把持して電子カセッテ２０Ｆを運搬することになるが、この場合でも、電子カセッテ２０Ｆを容易に運搬することができる。

［第１〜第６実施形態の他の構成］
また、第１〜第６実施形態において、放射線変換パネル１１６は、図２７Ａ及び図２７Ｂのように構成してもよい（変形例）。この変形例では、ＣｓＩからなるシンチレータを用いた放射線変換パネル１１６の具体的な構成について、詳細に説明する。

図２７Ａ及び図２７Ｂの変形例において、放射線変換パネル１１６は、被写体１４を透過した放射線１６を可視光に変換する（放射線１６を吸収して可視光を放出する）シンチレータ５００と、該シンチレータ５００で変換された可視光を放射線画像に応じた電気信号（電荷）に変換する放射線検出部５０２とから構成される。なお、シンチレータ５００は、前述のシンチレータ１１８に対応し、放射線検出部５０２のうち、後述する絶縁性基板５０８以外の箇所は、センサ部１２０ｂに対応する。

従って、図２７Ａに示すように、この変形例においても、絶縁性基板５０８は、天板３５の内壁２６１に露出した炭素繊維９０と面接触している。また、この変形例においても、放射線１６の照射によって発生した電荷を、炭素繊維９０を介してグランドに逃すことにより、第１実施形態等の各効果が得られることは勿論である。

また、図２７Ａ及び図２７Ｂに示す放射線変換パネル１１６は、前述した第１〜第６実施形態での説明と同様に、放射線１６が照射される照射面３６に対して放射線検出部５０２とシンチレータ５００との順に配置されたＩＳＳ方式である。

ＩＳＳ方式では、シンチレータ５００は、放射線１６が入射される照射面３６側がより強く発光する。そのため、ＩＳＳ方式は、照射面３６に対してシンチレータ５００と放射線検出部５０２との順に配置された裏面読取方式であるＰＳＳ（Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ｓｉｄｅ Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式と比較して、放射線検出部５０２が照射面３６に接近した状態で配置されているため、撮像によって得られる放射線画像の分解能が高く、且つ、放射線検出部５０２での可視光の受光量も増大する。従って、ＩＳＳ方式は、ＰＳＳ方式よりも、放射線変換パネル１１６（電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｆ）の感度を向上させることができる。

また、シンチレータ５００は、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムを添加したヨウ化セシウム）、ＣｓＩ：Ｎａ（ナトリウム賦活ヨウ化セシウム）、ＧＯＳ等の材料を用いることができる。

図２７Ｂは、一例として、蒸着基板５０４にＣｓＩを含む材料を蒸着させることにより、柱状結晶領域を含むシンチレータ５００を形成した場合を図示している。

具体的に、図２７Ｂのシンチレータ５００では、放射線１６が入射される照射面３６側（放射線検出部５０２側）に柱状結晶５００ａからなる柱状結晶領域が形成され、該照射面３６側の反対側に非柱状結晶５００ｂからなる非柱状結晶領域が形成された構成となっている。なお、蒸着基板５０４としては、耐熱性の高い材料が望ましく、例えば、低コストという観点からアルミニウム（Ａｌ）が好適である。また、シンチレータ５００は、柱状結晶５００ａの平均径が該柱状結晶５００ａの長手方向に沿っておよそ均一とされている。

上記のように、シンチレータ５００は、柱状結晶領域（柱状結晶５００ａ）及び非柱状結晶領域（非柱状結晶５００ｂ）で形成された構成であると共に、高効率の発光が得られる柱状結晶５００ａからなる柱状結晶領域が放射線検出部５０２側に配置されている。そのため、シンチレータ５００で発生された可視光は、柱状結晶５００ａ内を進行して放射線検出部５０２へ射出される。この結果、放射線検出部５０２側へ射出される可視光の拡散が抑制され、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｆによって検出される放射線画像のボケが抑制される。また、シンチレータ５００の深部（非柱状結晶領域）に到達した可視光も、非柱状結晶５００ｂによって放射線検出部５０２側へ反射するので、放射線検出部５０２に入射される可視光の光量（シンチレータ５００で発光された可視光の検出効率）を向上させることもできる。

なお、シンチレータ５００の照射面３６側に位置する柱状結晶領域の厚みをｔ１とし、シンチレータ５００の蒸着基板５０４側に位置する非柱状結晶領域の厚みをｔ２とすれば、ｔ１とｔ２との間では、０．０１≦（ｔ２／ｔ１）≦０．２５の関係を満足することが望ましい。

このように、柱状結晶領域の厚みｔ１と非柱状結晶領域の厚みｔ２とが上記の関係を満たすことで、発光効率が高く且つ可視光の拡散を防止する領域（柱状結晶領域）と、可視光を反射する領域（非柱状結晶領域）とのシンチレータ５００の厚み方向に沿った比率が好適な範囲となる。この結果、シンチレータ５００の発光効率、該シンチレータ５００で発光された可視光の検出効率、及び、放射線画像の解像度が向上する。

なお、非柱状結晶領域の厚みｔ２が厚すぎると発光効率の低い領域が増え、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｆの感度の低下につながることから、（ｔ２／ｔ１）は０．０２以上且つ０．１以下の範囲であることがより好ましい。

また、上記の説明では、柱状結晶領域と非柱状結晶領域とが連続的に形成された構成のシンチレータ５００について説明したが、例えば、上記の非柱状結晶領域に代えて、Ａｌ等から成る光反射層を設けて、柱状結晶領域のみ形成された構成としてもよいし、他の構成であってもよい。

放射線検出部５０２は、シンチレータ５００の光射出側（柱状結晶５００ａ）から射出された可視光を検出する。図２７Ａの側面視において、放射線検出部５０２では、放射線１６の入射方向に沿って、照射面３６に対して、絶縁性基板５０８、ＴＦＴ層５１０及び光電変換部５１２が順に積層されている。ＴＦＴ層５１０の底面には、光電変換部５１２を覆うように平坦化層５１４が形成されている。なお、絶縁性基板５０８は、前述の支持基板１２０ａに対応する。

また、放射線検出部５０２は、フォトダイオード（ＰＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ）等からなる光電変換部５１２、蓄積容量５１６及びＴＦＴ５１８を備えた画素部５２０を、絶縁性基板５０８上に平面視でマトリクス状に複数形成した、ＴＦＴアクティブマトリクス基板（以下、ＴＦＴ基板ともいう。）として構成される。

なお、ＴＦＴ５１８は、前述のＴＦＴ１４２に対応し、光電変換部５１２及び蓄積容量５１６は、光電変換素子１４０に対応する。

光電変換部５１２は、シンチレータ５００側の下部電極５１２ａと、ＴＦＴ層５１０側の上部電極５１２ｂとの間に、光電変換膜５１２ｃを配置して構成される。光電変換膜５１２ｃは、シンチレータ５００から放出された可視光を吸収し、吸収した可視光に応じた電荷を発生する。

下部電極５１２ａは、シンチレータ５００から放出された可視光を光電変換膜５１２ｃに入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ５００の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましい。具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｏｘｉｄｅ）を用いることが好ましい。

なお、下部電極５１２ａとしてＡｕ等の金属薄膜を用いることもできるが、９０％以上の光透過率を得ようとすると抵抗値が増大しやすくなるため、ＴＣＯの方が好ましい。例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｄｏｐｅｄ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｎＯ_２等を用いることが好ましいが、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からＩＴＯが最も好ましい。また、下部電極５１２ａは、全ての画素部５２０で共通する一枚構成としてもよいし、画素部５２０毎に分割してもよい。

また、光電変換膜５１２ｃは、可視光を吸収して電荷を発生する材料から構成すればよく、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）や有機光電変換材料（ＯＰＣ）等を用いることができる。光電変換膜５１２ｃをアモルファスシリコンで構成した場合、シンチレータ５００から放出された可視光を広い波長域にわたって吸収するように構成することができる。但し、アモルファスシリコンからなる光電変換膜５１２ｃの形成には蒸着を行う必要があり、絶縁性基板５０８が合成樹脂製である場合、絶縁性基板５０８の耐熱性も考慮する必要がある。

一方、有機光電変換材料を含む材料で光電変換膜５１２ｃを構成した場合、主に可視光域で高い吸収を示す吸収スペクトルが得られるので、光電変換膜５１２ｃにおいては、シンチレータ５００から放出された可視光以外の電磁波の吸収はほとんどなくなる。この結果、Ｘ線やγ線等の放射線１６の光電変換膜５１２ｃでの吸収により発生するノイズを抑制することができる。

また、有機光電変換材料からなる光電変換膜５１２ｃは、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドを用いて、有機光電変換材料を被形成体上に付着させることにより形成することができるので、該被形成体に対する耐熱性は要求されない。このため、この変形例では、光電変換膜５１２ｃを有機光電変換材料で構成している。

さらに、光電変換膜５１２ｃを有機光電変換材料で構成した場合、光電変換膜５１２ｃで放射線１６がほとんど吸収されない。そのため、放射線１６が透過するように放射線検出部５０２が配置されるＩＳＳ方式において、放射線検出部５０２を透過する放射線１６の減衰を抑制することができ、該放射線１６に対する感度の低下を抑えることができる。従って、光電変換膜５１２ｃを有機光電変換材料で構成することは、特にＩＳＳ方式において好適である。

光電変換膜５１２ｃを構成する有機光電変換材料は、シンチレータ５００から放出された可視光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ５００の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ５００の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければ、シンチレータ５００から放出された可視光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ５００の放射線１６に対する発光ピーク波長との差が１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。

このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えば、キナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えば、キナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍである。そのため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ５００の材料としてＣｓＩ：Ｔｌを用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光電変換膜５１２ｃで発生する電荷量を略最大にすることができる。

次に、放射線変換パネル１１６に適用可能な光電変換膜５１２ｃについて、より具体的に説明する。

放射線変換パネル１１６における電磁波吸収／光電変換部位は、上部電極５１２ｂ及び下部電極５１２ａと、該上部電極５１２ｂ及び下部電極５１２ａに挟まれた光電変換膜５１２ｃを含む有機層である。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び、層間接触改良部位等を積み重ねるか、若しくは、混合することで形成することができる。

上記有機層は、有機ｐ型化合物又は有機ｎ型化合物を含有することが好ましい。有機ｐ型半導体（化合物）は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体（化合物）であり、電子を供与しやすい性質を有する有機化合物である。さらに詳しくは、２つの有機材料を接触させて用いたときに、イオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物である。従って、ドナー性有機化合物としては、電子供与性を有する有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。有機ｎ型半導体（化合物）は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体（化合物）であり、電子を受容しやすい性質を有する有機化合物である。さらに詳しくは、２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物である。従って、アクセプター性有機化合物は、電子受容性を有する有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。

有機ｐ型半導体及び有機ｎ型半導体として適用可能な材料や、光電変換膜５１２ｃの構成については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。

また、光電変換部５１２は、少なくとも上部電極５１２ｂ及び下部電極５１２ａと光電変換膜５１２ｃとを含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。

電子ブロッキング膜は、上部電極５１２ｂと光電変換膜５１２ｃとの間に設けることができ、上部電極５１２ｂと下部電極５１２ａとの間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極５１２ｂから光電変換膜５１２ｃに電子が注入されて暗電流が増加してしまうことを抑制することができる。電子ブロッキング膜には電子供与性有機材料を用いることができる。実際に電子ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜５１２ｃの材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上電子親和力（Ｅａ）が大きく、且つ、隣接する光電変換膜５１２ｃの材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と同等のＩｐ、若しくは、それより小さいＩｐを有するものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。

電子ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、光電変換部５１２の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。

正孔ブロッキング膜は、光電変換膜５１２ｃと下部電極５１２ａとの間に設けることができる。これにより、上部電極５１２ｂと下部電極５１２ａとの間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極５１２ａから光電変換膜５１２ｃに正孔が注入されて暗電流が増加してしまうことを抑制することができる。正孔ブロッキング膜には電子受容性有機材料を用いることができる。実際に正孔ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜５１２ｃの材料等に応じて選択すればよい。具体的には、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が大きく、且つ、隣接する光電変換膜５１２ｃの材料の電子親和力（Ｅａ）と同等のＥａ、若しくは、それより大きいＥａを有するものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。

正孔ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、光電変換部５１２の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。

なお、光電変換膜５１２ｃで発生した電荷のうち、正孔が下部電極５１２ａに移動し、電子が上部電極５１２ｂに移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜の位置と正孔ブロッキング膜の位置とを逆にすればよい。また、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜を両方設けることは必須ではなく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。

ＴＦＴ層５１０のＴＦＴ５１８では、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び活性層（チャネル層）が積層され、さらに、活性層上にソース電極とドレイン電極とが所定の間隔を隔てて形成されている。活性層は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブ等のうちのいずれかにより形成することができるが、活性層を形成可能な材料はこれらに限定されるものではない。

活性層を形成可能な非晶質酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ_４がより好ましい。なお、活性層を形成可能な非晶質酸化物はこれらに限定されるものではない。

また、活性層を形成可能な有機半導体材料としては、例えば、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開２００９−２１２３８９号公報で詳細に説明されているため、説明を省略する。

非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブ等のうちのいずれかによってＴＦＴ５１８の活性層を形成すれば、Ｘ線等の放射線１６を吸収せず、あるいは、吸収したとしても極めて微量に留まるため、放射線検出部５０２におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。

また、活性層をカーボンナノチューブで形成した場合、ＴＦＴ５１８のスイッチング速度を高速化することができ、また、ＴＦＴ５１８における可視光域の光の吸収度合いを低下させることができる。なお、活性層をカーボンナノチューブで形成する場合、活性層にごく微量の金属性不純物が混入しただけでＴＦＴ５１８の性能が著しく低下するため、遠心分離等により非常に純度の高いカーボンナノチューブを分離・抽出して活性層の形成に用いる必要がある。

また、有機光電変換材料で形成した膜及び有機半導体材料で形成した膜は、いずれも十分な可撓性を有している。そのため、有機光電変換材料で形成した光電変換膜５１２ｃと、活性層を有機半導体材料で形成したＴＦＴ５１８とを組み合わせた構成であれば、被写体１４の体の重みが荷重として加わる放射線検出部５０２の高剛性化は必ずしも必要ではなくなる。

また、絶縁性基板５０８は、光透過性を有し且つ放射線１６の吸収が少ないものであればよい。ここで、ＴＦＴ５１８の活性層を構成する非晶質酸化物や、光電変換部５１２の光電変換膜５１２ｃを構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板５０８としては、半導体基板、石英基板、及び、ガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、合成樹脂製の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を用いることができる。このような合成樹脂製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば、持ち運び等に有利となる。なお、絶縁性基板５０８には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。

なお、アラミドは２００℃以上の高温プロセスを適用できるため、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドはＩＴＯやガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて基板を薄型化できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドとを積層して絶縁性基板５０８を形成してもよい。

また、バイオナノファイバは、バクテリア（酢酸菌、Ａｃｅｔｏｂａｃｔｅｒ Ｘｙｌｉｎｕｍ）が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、且つ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０％〜７０％も含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３ｐｐｍ〜７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度（４６０ＭＰａ）、高弾性（３０ＧＰａ）で、且つ、フレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて絶縁性基板５０８を薄型化できる。

絶縁性基板５０８としてガラス基板を用いた場合、放射線検出部５０２（ＴＦＴ基板）全体としての厚みは、例えば、０．７ｍｍ程度になるが、この変形例では、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｆの薄型化を考慮し、絶縁性基板５０８として、光透過性を有する合成樹脂からなる薄型の基板を用いている。これにより、放射線検出部５０２全体としての厚みを、例えば、０．１ｍｍ程度に薄型化できると共に、放射線検出部５０２に可撓性を持たせることができる。また、放射線検出部５０２に可撓性をもたせることで、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｆの耐衝撃性が向上し、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｆに衝撃が加わった場合にも破損し難くなる。また、プラスチック樹脂や、アラミド、バイオナノファイバ等は、いずれも放射線１６の吸収が少なく、絶縁性基板５０８をこれらの材料で形成した場合、絶縁性基板５０８による放射線１６の吸収量も少なくなるため、ＩＳＳ方式により放射線検出部５０２を放射線１６が透過する構成であっても、放射線１６に対する感度の低下を抑えることができる。

なお、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｆの絶縁性基板５０８として合成樹脂製の基板を用いることは必須ではなく、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｆの厚さは増大するものの、ガラス基板等の他の材料からなる基板を絶縁性基板５０８として用いるようにしてもよい。

また、放射線検出部５０２（ＴＦＴ基板）のうち、放射線１６の到来方向の反対側（シンチレータ５００側）には、放射線検出部５０２を平坦にするための平坦化層５１４が形成されている。

この変形例では、放射線変換パネル１１６を下記のように構成してもよい。

（１）ＰＤを含む光電変換部５１２を有機光電変換材料で構成し、ＣＭＯＳセンサを用いてＴＦＴ層５１０を構成してもよい。この場合、ＰＤのみが有機系材料からなるので、ＣＭＯＳセンサを含むＴＦＴ層５１０は可撓性を有しなくてもよい。なお、有機光電変換材料からなる光電変換部５１２と、ＣＭＯＳセンサとについては、特開２００９−２１２３７７号公報に記載されているため、その詳細な説明は省略する。

（２）ＰＤを含む光電変換部５１２を有機光電変換材料で構成すると共に、有機材料からなるＴＦＴを備えたＣＭＯＳ回路によって可撓性を有するＴＦＴ層５１０を実現してもよい。この場合、ＣＭＯＳ回路で用いられるｐ型有機半導体の材料としてペンタセンを採用すると共に、ｎ型有機半導体の材料としてフッ化銅フタロシアニン（Ｆ_１６ＣｕＰｃ）を採用すればよい。これにより、より小さな曲げ半径にすることが可能な可撓性を有するＴＦＴ層５１０を実現することができる。また、このようにＴＦＴ層５１０を構成することにより、ゲート絶縁膜を大幅に薄くすることができ、駆動電圧を低下させることも可能となる。さらに、ゲート絶縁膜、半導体、各電極を室温又は１００℃以下で作製することができる。さらにまた、可撓性を有する絶縁性基板５０８上にＣＭＯＳ回路を直接作製することもできる。しかも、有機材料からなるＴＦＴは、スケーリング則に沿った製造プロセスにより微細化することが可能となる。なお、絶縁性基板５０８は、薄厚のポリイミド基板上にポリイミド前駆体をスピンコート法で塗布して加熱すれば、ポリイミド前駆体がポリイミドに変化するので、凹凸のない平坦な基板を実現することができる。

（３）ミクロンオーダの複数のデバイスブロックを基板上の指定位置に配置する自己整合配置技術（Ｆｌｕｉｄｉｃ Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ法）を適用して、結晶ＳｉからなるＰＤ及びＴＦＴを、樹脂基板からなる絶縁性基板５０８上に配置してもよい。この場合、ミクロンオーダの微小デバイスブロックとしてのＰＤ及びＴＦＴを他の基板に予め作製した後に該基板から切り離し、液体中で、前記ＰＤ及び前記ＴＦＴをターゲット基板としての絶縁性基板５０８上に散布して統計的に配置する。絶縁性基板５０８には、デバイスブロックに適合させるための加工が予め施されており、デバイスブロックを選択的に絶縁性基板５０８に配置することができる。従って、最適な材料で作られた最適なデバイスブロック（ＰＤ及びＴＦＴ）を最適な基板（絶縁性基板５０８）上に集積化させることができ、結晶でない絶縁性基板５０８（樹脂基板）にＰＤ及びＴＦＴを集積化することが可能となる。

［第７〜第１１実施形態］
また、上述した第１〜第６実施形態及び変形例については、図２８〜図３７に示す実施形態に変更することも可能である。

［第７実施形態］
図２８は、第３実施形態に係る電子カセッテ２０Ｃの構成を一部変更した電子カセッテ（第７実施形態に係る電子カセッテ２０Ｇ）の断面図である。

この電子カセッテ２０Ｇでは、蓋部材３２がマグネシウム合金等の金属材料からなり、該蓋部材３２と支持基板１２０ａとを接続線１０５で接続している。従って、第７実施形態では、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を、接続線１０５と、筐体２９の側部としての蓋部材３２とを介して、グランドに逃すことになる。

なお、支持基板１２０ａは、天板３５に対しては密着するのみである。すなわち、第７実施形態では、第１実施形態のように、天板３５等に対するブラスト処理等は施されておらず、従って、炭素繊維９０が室１１０に露出することはない。

また、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を、天板３５を介してグランドに逃すことは行っていないため、支持基板１２０ａと天板３５との密着状態を解消することも可能である。この場合、筐体２９内に放射線変換パネル１１６を固定保持するために、接着剤等により放射線変換パネル１１６を基台１１２に貼り付けることが望ましい。

さらに、第７実施形態では、図２８の説明に限定されることはなく、蓋部材３２以外の筐体２９の他の側部（蓋部材３４、側板４９又は側板５１）について、金属材料等の導電体を含み構成し、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を前記他の側部の導電体を介してグランドに逃してもよいことは勿論である。

［第８実施形態］
図２９Ａ〜図３０は、第１及び第２実施形態に係る電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂの構成を一部変更した電子カセッテ（第８実施形態に係る電子カセッテ２０Ｈ）の断面図である。

この電子カセッテ２０Ｈでは、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９の底面が支持基板１２０ａに面接触で密着する一方で、上面の複数箇所が天板３５に点接触で接触している。

すなわち、図２９Ａ及び図２９Ｂに示すように、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９の上面に所定間隔で凹部２００を形成することにより、該上面には天板３５に向かって突出する複数の凸部２０２が所定間隔で形成される。従って、該各凸部２０２が天板３５に接触することになる。

なお、図２９Ａは、天板３５がアルミニウム等の金属材料からなる場合を図示したものであり、図２９Ｂは、天板３５がＣＦＲＰからなり、ブラスト処理等により支持基板１２０ａ側に炭素繊維９０が露出している場合を図示したものである。従って、図２９Ａの場合には、各凸部２０２がアルミニウム等の天板３５に接触し、一方で、図２９Ｂの場合には、各凸部２０２が炭素繊維９０に接触している。

上述した各凸部２０２は、実際には、図３０に示すように、平面視で略矩形状の形状を有しており、各凹部２００となる部分は互いに連通して空気の通り道（流路２０４）となっている。また、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９の上面が凹凸状であるため、上記のシートと天板３５との凸部２０２を介した点接触による接触面積は、前記のシートと天板３５とを面接触で密着させる場合と比較して、小さくなる。

そのため、放射線変換パネル１１６又はハウジング本体３０を交換する際に、放射線変換パネル１１６を破損させることなく、天板３５から導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９を剥離して、放射線変換パネル１１６を取り外すことができる。

また、上面が凹凸状であり、各凹部２００が連通して流路２０４を形成しているため、該流路２０４に空気が介在することで、皺を発生させることなく、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９（の各凸部２０２）を天板３５に密着させることができる。

さらに、天板３５及び放射線変換パネル１１６の熱膨張係数が互いに異なる場合、放射線変換パネル１１６を天板３５に面接触で密着させると、熱膨張係数の違いに起因して、放射線変換パネル１１６に反りが発生することが懸念される。

このような問題に対して、第８実施形態では、天板３５に接触する導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９の上面が凹凸状であるので、天板３５の熱膨張の影響が放射線変換パネル１１６に伝わりにくくなり、放射線変換パネル１１６の反りの発生を抑制することができる。

さらにまた、筐体２９が外部から応力（筐体２９の落下、被写体１４からの荷重、外部からの衝撃等）を受けて、天板３５と、導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９とに歪みが発生する場合、流路２０４内の空気は、当該歪みに応じて、室１１０内における蓋部材３２、３４側及び側板４９、５１側の空間に逃げる。この結果、空気が流路２０４内に留まることに起因した放射線変換パネル１１６の局所的な変形（歪み）の発生を防止することができる。

特に、被写体１４が天板３５に乗っかった状態で、該被写体１４に対する放射線撮影が行われる場合には、被写体１４から天板３５への荷重に起因した放射線変換パネル１１６の変形が抑制されるので、該被写体１４の放射線画像を適切に取得することができる。

［第１〜第８実施形態の変形例］
また、上記の第１〜第８実施形態では、筐体２９が導電部（炭素繊維９０、ａ−カーボン、アルミニウム等の金属材料の導電体）を有する場合について説明した。本実施形態は、この説明に限定されることはなく、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃すことができるのであれば、筐体２９に静電気除去性能又は帯電防止性能を有する部分（静電気除去部又は帯電防止部の導電体）を設けてもよい。

具体的に、図３１Ａ及び図３１Ｂは、ハウジング本体３０の天板３５が静電気除去部又は帯電防止部である場合を図示したものである。図３１Ａは、支持基板１２０ａが導電性ポリマーフイルム９２、導電性接着シート９３、静電気除去シート９５、帯電防止シート９７又は緩衝シート９９を介して天板３５に面接触で密着している場合を図示したものである。図３１Ｂは、支持基板１２０ａが天板３５に面接触で直接密着している場合を図示したものである。

ここで、静電気除去部とは、静電気除去シート９５又は静電気除去性能を有する緩衝シート９９と同様に、概ね、１０^２Ω（１００Ω）〜１０^６Ω（１ＭΩ）の範囲内の固有抵抗値を有する材料であって、静電気を除去可能な材料からなる導電体である。また、帯電防止部は、帯電防止シート９７又は帯電防止機能を有する緩衝シート９９と同様に、概ね、１０^６Ω（１ＭΩ）〜１０^９Ω（１ＧΩ）の範囲内の固有抵抗値を有する材料であって、帯電防止性の材料からなる導電体である。

すなわち、前述したように、１０^１２Ω（１ＴΩ）以上の固有抵抗値を有する材料は、一般的に電気絶縁材料であるため、筐体２９は、１０^１２Ω未満の固有抵抗値を有する材料からなる静電気除去部又は帯電防止部を具備することで、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を静電気除去部又は帯電防止部を介してグランドに逃すことが可能となる。

なお、図３１Ａ及び図３１Ｂでは、一例として、天板３５が静電気除去部又は帯電防止部である場合を説明したが、筐体２９の他の箇所を静電気除去部又は帯電防止部として構成し、支持基板１２０ａ等に蓄積された電荷をグランドに逃してもよいことは勿論である。

例えば、第７実施形態を一部変更して、金属材料からなる蓋部材３２を静電気除去部又は帯電防止部として構成してもよい。この場合でも、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を、静電気除去部又は帯電防止部としての蓋部材３２を介してグランドに逃すことができる。

また、第１〜第８実施形態において、筐体２９における回路基板１３０に蓄積された電荷をグランドに逃す部分（基台１１２に連結される筐体２９の一部分）を、静電気を除去可能な材料又は帯電防止性の材料で構成し、静電気除去部又は帯電防止部として機能させることも好ましい。この場合でも、回路基板１３０に蓄積された電荷を、静電気除去部又は帯電防止部を介してグランドに逃すことができる。

さらに、第１〜第８実施形態では、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｈについて説明したが、第７実施形態（図２８参照）のように、筐体２９の側部が導電体を含み構成されていれば、放射線１６の入射方向に沿ってシンチレータ１１８と光電変換層１２０とが順に配置されたＰＳＳ方式の電子カセッテに対しても、第７実施形態を適用することで、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃すことが可能となる。

すなわち、ＰＳＳ方式の電子カセッテは、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｈと比較して、シンチレータ１１８と内壁２６１とが近接すると共に、光電変換層１２０と内壁２６１とが離間する。そのため、ＰＳＳ方式の電子カセッテは、第１実施形態（図１〜図１０参照）のように、光電変換層１２０を内壁２６１に密着させることが困難である。

そこで、ＰＳＳ方式の電子カセッテに対して、第７実施形態を適用し、蓋部材３２等に導電体を設け、該導電体と光電変換層１２０の支持基板１２０ａとを接続線１０５で接続すれば、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を前記導電体を介してグランドに逃すことができる。

なお、図１〜図３１Ｂに示すＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｈについて、放射線１６の入射方向に沿ったシンチレータ１１８と光電変換層１２０との配置順を入れ替えれば、ＰＳＳ方式の電子カセッテとなるため、該ＰＳＳ方式の電子カセッテの図示は省略する。

また、ＰＳＳ方式の電子カセッテは、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｈと比較して、基本的には、シンチレータ１１８と光電変換層１２０との配置順が異なるだけである。そのため、ＰＳＳ方式の電子カセッテにおいても、シンチレータ１１８及び光電変換層１２０の配置順以外の電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｈの他の構成による各効果も得られることは勿論である。

［第９実施形態］
図３２は、第４及び第７実施形態に係る電子カセッテ２０Ｄ、２０Ｇの構成を一部変更した電子カセッテ（第９実施形態に係る電子カセッテ２０Ｉ）の断面図である。

この電子カセッテ２０Ｉでは、天板３５の内壁２６１と支持基板１２０ａとの間にグリッド２４０が設けられている。グリッド２４０は、内壁２６１に対して、所定の間隔で離間している。そのため、第９実施形態では、第４実施形態（図２０参照）と同様に、緩衝部材１９０の凹部１９２に基台１１２の一端部を差し込んだスロットイン方式を採用している。

グリッド２４０は、放射線１６が被写体１４を透過する際に発生する散乱放射線を除去するものであり、放射線吸収部材２４０ａと放射線透過部材２４０ｂとから構成される。放射線吸収部材２４０ａは、Ｐｂ等からなる散乱放射線や放射線１６を吸収する部材である。放射線透過部材２４０ｂは、Ａｌ等からなる放射線１６を透過する部材である。放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂを構成する材料（例えば、Ｐｂ、Ａｌ）は、いずれも、導電性を有している。

また、グリッド２４０は、内壁２６１及び支持基板１２０ａ（ｘ方向）に沿って、放射線吸収部材２４０ａと放射線透過部材２４０ｂとを交互にスリット状に配置することにより構成される。なお、グリッド２４０は、内壁２６１及び支持基板１２０ａの平面（ｘ方向及びｙ方向）に沿って、放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂをマトリックス状に配置することにより構成してもよい。

具体的に、グリッド２４０は、支持基板１２０ａの上面（内壁２６１側の表面）に対して、放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂを上述のように順に貼り付けることで構成すればよい。あるいは、支持基板１２０ａの上面に蒸着等によって放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂを上述の順に形成することでグリッド２４０を構成してもよい。

そして、グリッド２４０の放射線吸収部材２４０ａ又は放射線透過部材２４０ｂ（図３２では放射線透過部材２４０ｂ）と、金属材料からなる蓋部材３２とは、接続線１０５を介して接続されている。前述のように、放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂは、導電性を有すると共に、支持基板１２０ａに接触している。すなわち、グリッド２４０は、支持基板１２０ａと電気的に結合された状態にある。

従って、第９実施形態では、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を、グリッド２４０（図３２では放射線透過部材２４０ｂ）、接続線１０５及び蓋部材３２を介してグランドに逃すことができる。また、グリッド２４０は、放射線変換パネル１１６よりも放射線１６の入射方向の前方に配置されているので、散乱放射線を効果的に除去することができる。この結果、放射線変換パネル１１６は、より高画質の放射線画像を取得することが可能となる。

［第１０実施形態］
図３３は、第９実施形態に係る電子カセッテ２０Ｉの構成を一部変更した電子カセッテ（第１０実施形態に係る電子カセッテ２０Ｊ）の断面図である。

この電子カセッテ２０Ｊでは、天板３５の内壁２６１にグリッド２４０が密着すると共に、グリッド２４０の底面と支持基板１２０ａとの間に、伝熱部材としてのグラファイトシート２４２が介挿されている。この場合、グラファイトシート２４２は、平面方向（ｘ方向又はｙ方向）を伝熱方向とする放射線変換パネル１１６の中間層として配置される。

第１０実施形態では、グリッド２４０が内壁２６１に密着し、放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂがスリット状又はマトリックス状に配置されている。これにより、被写体１４から天板３５に荷重が加えられた場合でも、当該荷重に対する天板３５を含めた筐体２９の機械的強度を高めることができる。

ところで、例えば、スリット状のグリッド２４０の場合、被写体１４が天板３５に接触することにより、被写体１４からの熱が天板３５及びグリッド２４０を介して放射線変換パネル１１６に伝わると、二次元マトリクス状に配列された複数の光電変換素子１４０（図１０参照）のアレイにおける温度分布が不均一になり（スリット形状に応じた不均一な温度分布となり）、放射線画像の画像ムラが発生するおそれがある。

そこで、第１０実施形態では、グリッド２４０と支持基板１２０ａとの間に、平面方向が伝熱方向であるグラファイトシート２４２を介挿し、被写体１４からの熱が伝わる方向（ｚ方向）と、伝熱方向（ｘ方向又はｙ方向）とが互いに異なる方向となるようにしている。すなわち、グラファイトシート２４２は、被写体１４からの熱が伝わる方向に対する熱伝導異方性を有する。

これにより、被写体１４が天板３５に接触し、被写体１４からの熱が天板３５及びグリッド２４０を介してグラファイトシート２４２に伝わった場合、当該熱は、前記伝熱方向に沿って放熱される。従って、第１０実施形態では、被写体１４からの熱が放射線変換パネル１１６に伝わることを阻止することができる。この結果、被写体１４からの熱に起因した放射線画像の画像ムラの発生を防止することができる。

なお、グラファイトシート２４２の伝熱方向が、放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂの延在方向（図３３では紙面に垂直なｙ方向）に対して交差する方向（例えば、ｘ方向）であれば、被写体１４からの熱を効率よく放熱することが可能である。

［第１１実施形態］
図３４及び図３５は、第１０実施形態に係る電子カセッテ２０Ｊの構成を一部変更した電子カセッテ（第１１実施形態に係る電子カセッテ２０Ｋ）の断面図である。

この電子カセッテ２０Ｋでは、放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂの延在方向がｘ方向である。また、図３６Ａ〜図３７に示すように、天板３５内の炭素繊維９０は、ｙ方向に沿って延在している。さらに、グラファイトシート２４２の伝熱方向も、ｙ方向である。従って、第１１実施形態では、炭素繊維９０の繊維軸方向（ｙ方向）及びグラファイトシート２４２の伝熱方向（ｙ方向）と、放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂの延在方向（ｘ方向）とが直交している。

具体的に、天板３５には、図３６Ａ〜図３７に示すように、角筒状のハウジング本体３０の軸方向（ｘ方向）に直交するｙ方向に沿って延在した炭素繊維９０が、天板３５の厚み方向（ｚ方向）に沿って積層されている。また、該炭素繊維９０は、ｘ方向に沿って所定間隔で配置されている。

天板３５はハウジング本体３０の一部であるため、炭素繊維９０は、実際には、室１１０を囲繞するように、天板３５、側板４９、５１及び底板５３内に配置されていることが望ましい。すなわち、図３６Ａ及び図３６Ｂは、天板３５内に炭素繊維９０が直線状に配置される場合についてのみ図示したものであり、炭素繊維９０は、実際には、室１１０を取り囲むように配置されている。

そのため、放射線撮影の際、被写体１４が天板３５（の照射面３６）に接触して、該被写体１４から天板３５に荷重がかかれば、図３６Ｂに示すように、ハウジング本体３０は、中空部４１及び開口部４４ａ、４４ｂ（図３、図２４及び図２６参照）が撓んで潰れるように変形する。

この場合、天板３５内でハウジング本体３０の軸方向であるｘ方向に直交するｙ方向に沿って炭素繊維９０が配置されているので、ハウジング本体３０の撓み方向（荷重を受けてハウジング本体３０が潰れるｚ１方向）に対する機械的強度が増加し、この結果、筐体２９全体の機械的強度を増加させることができる。

しかも、天板３５の内壁２６１にはグリッド２４０が密着し、炭素繊維９０の繊維軸方向（ｙ方向）と直交するｘ方向に放射線吸収部材２４０ａ及び放射線透過部材２４０ｂが延在している。そのため、グリッド２４０は、炭素繊維９０と協働して、ハウジング本体３０の撓み方向に対する機械的強度を含めた筐体２９全体の機械的強度を一層増加させる。

また、被写体１４が天板３５に接触することにより該被写体１４の熱が天板３５に伝わるが、前記熱は、炭素繊維９０を伝って図３７のＨ１及びＨ２に示す伝熱方向に逃げて外部に放熱される。そのため、放射線変換パネル１１６への前記熱の伝達を回避することができる。

しかも、前述のように、筐体２９内には、グリッド２４０と支持基板１２０ａとの間にグラファイトシート２４２が介挿され、その伝熱方向がｙ方向であるため、炭素繊維９０で放熱されなかった被写体１４の熱の一部がグラファイトシート２４２に伝わったとしても、当該一部の熱は、前記伝熱方向を伝ってＨ３及びＨ４に示す伝熱方向に逃げて放熱される。

このように、第１１実施形態では、炭素繊維９０とグラファイトシート２４２とが協働して、被写体１４から天板３５に伝わる熱を放熱するため、当該熱が放射線変換パネル１１６に伝わることを阻止し、より高画質の放射線画像を取得することが可能となる。

なお、第１１実施形態では、天板３５の炭素繊維９０のうち、少なくとも最表層の炭素繊維９０（被写体１４に最も近接する炭素繊維９０）の繊維軸方向がｙ方向であればよい。筐体２９を構成するＣＦＰＲの機械的強度は、最表層の炭素繊維９０の繊維軸方向に左右されやすいからである。

［第９〜第１１実施形態の変形例］
第９〜第１１実施形態では、放射線変換パネル１１６に対して放射線１６の入射方向の前方にグリッド２４０を配置するため、シンチレータ１１８に到達する放射線１６の線量が低下することが想定される。

そこで、光電変換層１２０において、光電変換素子１４０、ＴＦＴ１４２、信号線１４４及びゲート線１４６を形成する基板については、薄板ガラス又は樹脂基板を用いることが好ましい。基板の薄板化により、シンチレータ１１８が被写体１４に近づくことになるため、放射線１６の線量の低下を抑制することが可能となる。また、グリッド２４０とセンサ部１２０ｂとの距離も短くなるので、グリッド２４０による散乱放射線の除去効果が一層得られやすくなる。

また、第９〜第１１実施形態では、一例として、グリッド２４０と、金属材料からなる蓋部材３２とを接続線１０５で接続することで、支持基板１２０ａに蓄積された電荷をグランドに逃す場合について説明した。

第１０及び第１１実施形態では、第１、第２及び第４実施形態のように、天板３５の内壁２６１に露出した炭素繊維９０にグリッド２４０を面接触させてもよい。また、第９〜第１１実施形態では、第３実施形態のように、側板５１の内壁に露出した炭素繊維９０と、グリッド２４０とを接続線１０５で接続させてもよい。いずれの場合であっても、支持基板１２０ａに蓄積された電荷を好適にグランドに逃すことができる。

なお、本発明は、上述の実施形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。

１６…放射線
２０Ａ〜２０Ｋ…電子カセッテ
２９…筐体
３０…ハウジング本体
３０ａ…上側ケース
３０ｂ…下側ケース
３２、３４…蓋部材
３５…天板
３６…照射面
４１…中空部
４４ａ、４４ｂ…開口部
４９、５１…側板
５３…底板
７０、８２…挿入部
９０…炭素繊維
９２…導電性ポリマーフイルム
９３…導電性接着シート
９５…静電気除去シート
９６ａ、９６ｂ、１２０ａ…支持基板
９７…帯電防止シート
９８…ＣＭＯＳセンサ
９８ａ…導電層
９８ｂ…半導体基板
９８ｃ、１２０ｂ…センサ部
９９…緩衝シート
１０２…非導電層
１０４、１０５…接続線
１０６、１９４…ネジ部材
１０８、１９０、２２２…緩衝部材
１１０…室
１１６…放射線変換パネル
１１８、５００…シンチレータ
１２０…光電変換層
１２２、１２６…フレキシブル基板
１２４…駆動用ＩＣ
１２８…読出用ＩＣ
１９２、２００…凹部
１９３…板ばね
２０２…凸部
２０４…流路
２４０…グリッド
２４０ａ…放射線吸収部材
２４０ｂ…放射線透過部材
２４２…グラファイトシート
２６１…内壁
５０８…絶縁性基板

Claims (6)

1. 放射線を他の波長の電磁波に変換するシンチレータ、及び、該シンチレータにより変換された前記電磁波を放射線画像に変換する光電変換層から構成される放射線変換パネルと、
   前記放射線変換パネルを収容し、且つ、外表面を前記放射線が照射される照射面とした天板を有する筐体と、
   を備え、
   前記天板に対して前記光電変換層と前記シンチレータとが順に配置され、
   前記光電変換層は、前記電磁波を前記放射線画像に応じた電気信号として検出するセンサ部と、該センサ部を支持する絶縁性基板とを有し、
   前記筐体は、前記天板における前記光電変換層側の箇所を前記筐体の他の箇所よりも電気的に低抵抗とした導電体を有し、
   前記導電体は、特定の電位に接続可能であり、
   前記絶縁性基板は、前記放射線を透過可能な導電シートを介して前記導電体に面接触することを特徴とする放射線撮像装置。
2. 請求項１記載の装置において、
   前記導電体は、前記放射線を透過可能な材料からなり、前記天板の内壁に露出していることを特徴とする放射線撮像装置。
3. 請求項１又は２記載の装置において、
   前記導電シートは、有機材料からなることを特徴とする放射線撮像装置。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置において、
   前記筐体のうち少なくとも前記天板は、金属材料又は炭素材料からなることを特徴とする放射線撮像装置。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置において、
   前記導電体は、金属又は炭素を含有することを特徴とする放射線撮像装置。
6. 請求項５記載の装置において、
   前記導電体は、炭素繊維であり、
   前記筐体のうち、少なくとも天板は、前記炭素繊維を含むプラスチックからなることを特徴とする放射線撮像装置。

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