JPS63101788A - 多チヤンネル型半導体放射線検出器 - Google Patents
多チヤンネル型半導体放射線検出器Info
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- JPS63101788A JPS63101788A JP61247742A JP24774286A JPS63101788A JP S63101788 A JPS63101788 A JP S63101788A JP 61247742 A JP61247742 A JP 61247742A JP 24774286 A JP24774286 A JP 24774286A JP S63101788 A JPS63101788 A JP S63101788A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、医療用放射線診断装置や工業用非破壊検査装
置等に用いられる多チャンネル型半導体放射線検出器に
関するものである。
置等に用いられる多チャンネル型半導体放射線検出器に
関するものである。
従来の技術
多チャンネル型半導体放射線検出器は放射線に有感な半
導体結晶より構成される単位検出素子を一次元、あるい
は二次元に配列し、放射線強度の空間分布を測定するも
のである。その為、医療用Ｘ線診断装置や非破壊Ｘ線検
査装置等の検出器として従来の銀塩フィルムやＸ線テレ
ビカメラに代わり用いることができる。医療用診断装置
、非破壊Ｘ線診断装置に応用するには、単位検出素子の
実装密度を高くて、空間解像度を向上させる必要がある
。例えば１Ｂあたり１個以上の密度が必要となる。よっ
て各単位検出素子は微小な容積でも十分な感度が得られ
ることが必要である。ＣｄＴｅ 。
導体結晶より構成される単位検出素子を一次元、あるい
は二次元に配列し、放射線強度の空間分布を測定するも
のである。その為、医療用Ｘ線診断装置や非破壊Ｘ線検
査装置等の検出器として従来の銀塩フィルムやＸ線テレ
ビカメラに代わり用いることができる。医療用診断装置
、非破壊Ｘ線診断装置に応用するには、単位検出素子の
実装密度を高くて、空間解像度を向上させる必要がある
。例えば１Ｂあたり１個以上の密度が必要となる。よっ
て各単位検出素子は微小な容積でも十分な感度が得られ
ることが必要である。ＣｄＴｅ 。
ＧａＡａ 、）（ｇＩ２等の化合物半導体は実効原子番
号が大きいので微小な容積でも放射線感度が高く、多チ
ャンネル型半導体放射線検出器材料として適当である。
号が大きいので微小な容積でも放射線感度が高く、多チ
ャンネル型半導体放射線検出器材料として適当である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、ＣｄＴｅのような化合物半導体では緒特性の温
度依存性が特に強く、放射線に対する感度も雰囲気温度
に大きく影響される。多チャンネル型半導体放射線検出
器では単位検出素子や各素子からの信号を増巾するアン
プ等の実装密度が高いので、アンプ等の回路系の発熱に
より雰囲気温度が上昇し、各検出素子の感度が変化し、
信頼性が低下する。
度依存性が特に強く、放射線に対する感度も雰囲気温度
に大きく影響される。多チャンネル型半導体放射線検出
器では単位検出素子や各素子からの信号を増巾するアン
プ等の実装密度が高いので、アンプ等の回路系の発熱に
より雰囲気温度が上昇し、各検出素子の感度が変化し、
信頼性が低下する。
問題点を解決するため０手段
半導体検出器アレイおよびアンプを固定しているハウジ
ングの中空部に気体もしくは液体を流すことにより、）
・ウジング、半導体放射線検出器プレイ、アンプを冷却
するよう構成する。
ングの中空部に気体もしくは液体を流すことにより、）
・ウジング、半導体放射線検出器プレイ、アンプを冷却
するよう構成する。
作 用
ハウジング、半導体放射線検出器アレイ、アンプが冷却
されるので動作時における単位検出素子の雰囲気温度の
上昇が防がれる為、各単位検出素子の特性変化のない安
定した多チャンネル型半導体放射線検出器が提供される
。
されるので動作時における単位検出素子の雰囲気温度の
上昇が防がれる為、各単位検出素子の特性変化のない安
定した多チャンネル型半導体放射線検出器が提供される
。
実施例
第１図は本発明の多チャンネル型半導体放射線検出器の
一実施例である。第１図において１は中空のハウジング
、２は中空部、３は基板、４は共通端子、５は信号取り
出し端子、６は半導体放射線検出器アレイ、７はリード
、８はアンプである。
一実施例である。第１図において１は中空のハウジング
、２は中空部、３は基板、４は共通端子、５は信号取り
出し端子、６は半導体放射線検出器アレイ、７はリード
、８はアンプである。
以下第１図を用いて本実施例を説明する。原子番号が高
く放射線の散乱が少なくかつ熱伝導度の小さいＦａ 、
Ｇｏ 、Ｎｉ 、Ｃｕ 、Ｍｏ 、Ａｇ 、Ｃｄ等の金
属より構成され、中空部２を有し、液体および気体を流
すことが可能なハウジング１上に、絶縁材料より成る基
板３を形成する。絶縁材料としては、アルミナ、酸化ケ
イ素、チッ化ケイ素等のセラミックスや鉛ガラス、モリ
ブデンガラス、タングステンガラス等のガラスである。
く放射線の散乱が少なくかつ熱伝導度の小さいＦａ 、
Ｇｏ 、Ｎｉ 、Ｃｕ 、Ｍｏ 、Ａｇ 、Ｃｄ等の金
属より構成され、中空部２を有し、液体および気体を流
すことが可能なハウジング１上に、絶縁材料より成る基
板３を形成する。絶縁材料としては、アルミナ、酸化ケ
イ素、チッ化ケイ素等のセラミックスや鉛ガラス、モリ
ブデンガラス、タングステンガラス等のガラスである。
基板２を形成する手段としては、セラミックス材料では
、セラミックス基板を接着材やセメント等で固着する方
法やＣＶＤ等の結晶成長法でハウジング１上に薄膜を成
長する方法がある。また基板３が鉛ガラス、モリブデン
ガラス、タングステンガラス等のガラスの場合は、ガラ
ス板を接着材またはセメントでハウジング１に固着する
方法がある。
、セラミックス基板を接着材やセメント等で固着する方
法やＣＶＤ等の結晶成長法でハウジング１上に薄膜を成
長する方法がある。また基板３が鉛ガラス、モリブデン
ガラス、タングステンガラス等のガラスの場合は、ガラ
ス板を接着材またはセメントでハウジング１に固着する
方法がある。
基板３上には、印刷焼付、蒸着等の方法で、共通端子４
や信号域υ出子端子６から成るパターン電極を形成する
。電極にはＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ１等の導電性の良い金
属を用いる。
や信号域υ出子端子６から成るパターン電極を形成する
。電極にはＡｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ１等の導電性の良い金
属を用いる。
基板３上の共通端子４上には、導電性ペーストや半田付
は等の方法で、複数個の単位検出素子より構成される半
導体放射線検出器アレイ６の共通電極側を道通がとれる
ように固着する。ここで半導体材料はＧａＡａ 、Ｃｄ
Ｔｅ 、ＨｇＩ２等の放射線に有感な化合物半導体結晶
またはＳｉ、Ｇｅ等の放射線に有感な単元素半導体結晶
である。半導体放射線検出器アレイ６の各単位検出素子
の信号収集電極と信号取り出し端子６をリード７により
接続する、接続方法としてはワイヤボンディング、フィ
ルムキャリアによる接続等がある。また各単位検出素子
で発生した電荷を増巾するためのアンプ８も基板３上に
固定する。本実施例ではアンプの入力端子を直接、信号
数シ出し端子６に接続している。
は等の方法で、複数個の単位検出素子より構成される半
導体放射線検出器アレイ６の共通電極側を道通がとれる
ように固着する。ここで半導体材料はＧａＡａ 、Ｃｄ
Ｔｅ 、ＨｇＩ２等の放射線に有感な化合物半導体結晶
またはＳｉ、Ｇｅ等の放射線に有感な単元素半導体結晶
である。半導体放射線検出器アレイ６の各単位検出素子
の信号収集電極と信号取り出し端子６をリード７により
接続する、接続方法としてはワイヤボンディング、フィ
ルムキャリアによる接続等がある。また各単位検出素子
で発生した電荷を増巾するためのアンプ８も基板３上に
固定する。本実施例ではアンプの入力端子を直接、信号
数シ出し端子６に接続している。
以上で多チャンネル型半導体放射線検出器の１単位が構
成される。
成される。
第２図に本発明の多チャンネル型半導体放射線検出器を
、Ｘ線診断装置や非破壊Ｘ線検査装置の検出器として用
いる場合の例を示す。９は第１図の実施例の多チャンネ
ル側半導体放射線検出器で、これを一単位として、多数
個、各単位の半導体放射線検出器アレイ６が直線に並ぶ
ように連結したものである。この時、各多チャンネル型
半導体放射線検出器の中空部２が外部と密閉されるよう
に連結する必要がある。そして中空部２には、動作時に
３０°Ｃ以下の定温に保たれＮ２．Ｈｅ、空気。
、Ｘ線診断装置や非破壊Ｘ線検査装置の検出器として用
いる場合の例を示す。９は第１図の実施例の多チャンネ
ル側半導体放射線検出器で、これを一単位として、多数
個、各単位の半導体放射線検出器アレイ６が直線に並ぶ
ように連結したものである。この時、各多チャンネル型
半導体放射線検出器の中空部２が外部と密閉されるよう
に連結する必要がある。そして中空部２には、動作時に
３０°Ｃ以下の定温に保たれＮ２．Ｈｅ、空気。
フレオンガス等の気体や水や有機フッ素化合物液体等の
冷媒９を流し、各多チャンネル型半導体放射線検出器９
の温度を３０°Ｃ以下の定温に保つ。
冷媒９を流し、各多チャンネル型半導体放射線検出器９
の温度を３０°Ｃ以下の定温に保つ。
また、・・ウジング１が放射線の吸収が大きい金属で作
られているので後方散乱が少なく、空間分解能が向上す
る。特に基板３に鉛ガラス、モリブデンガラス、タング
ステンガラスを用いた場合、後方散乱防止効果が大きく
なる。
られているので後方散乱が少なく、空間分解能が向上す
る。特に基板３に鉛ガラス、モリブデンガラス、タング
ステンガラスを用いた場合、後方散乱防止効果が大きく
なる。
発明の効果
本発明によれば、半導体放射線検出器アレイが定温に保
たれるので、特性変動のない安定した多チャンネル型放
射線検出器が得られる。また後方散乱が防止された事に
より空間分解能がより優れた多チャンネル型放射線検出
器が提供される。
たれるので、特性変動のない安定した多チャンネル型放
射線検出器が得られる。また後方散乱が防止された事に
より空間分解能がより優れた多チャンネル型放射線検出
器が提供される。
第１図は本発明の一実施例における多チャンネル型半導
体放射線検出器を示す斜視図、第２図は本発明の多チャ
ンネル型半導体放射線検出器の応用例を示す斜視図であ
る。 １・・・・・・ハウジング、２・・・・・・中空部、３
・・・・・基板、４・・・・・・共通端子、６・・・・
・・信号取り出し端子、６・・・・半導体放射線検出器
アレイ、７・・・・・・リード、８・・・・・アンプ、
９・・・・・・多チャンネル型半導体放射線検出器、１
ｏ・・・・・・冷媒。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名菓】
図 第２図
体放射線検出器を示す斜視図、第２図は本発明の多チャ
ンネル型半導体放射線検出器の応用例を示す斜視図であ
る。 １・・・・・・ハウジング、２・・・・・・中空部、３
・・・・・基板、４・・・・・・共通端子、６・・・・
・・信号取り出し端子、６・・・・半導体放射線検出器
アレイ、７・・・・・・リード、８・・・・・アンプ、
９・・・・・・多チャンネル型半導体放射線検出器、１
ｏ・・・・・・冷媒。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名菓】
図 第２図
Claims (5)
- （１）放射線に有感な半導体放射線検出素子を複数個、
アレイ状に配置した多チャンネル型放射線検出器であっ
て、中空のハウジング上に絶縁層を介して、複数個の単
位検出素子より構成される半導体放射線検出器アレイお
よびアンプを配置し、ハウジングの中空部に気体もしく
は液体を流すことにより、半導体放射線検出器アレイお
よびアンプの冷却を行なうことを特徴とする多チャンネ
ル型半導体放射線検出器。 - （２）絶縁層表面にパターン電極を形成し、パターン電
極を形成し、パターン上に半導体放射線検出器アレイあ
るいはアンプを直接固定し配線することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の多チャンネル型半導体放射線
検出器。 - （３）ハウジングが熱伝導に優れ、かつ原子番号の大き
い金属より構成されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の多チャンネル型半導体放射線検出器。 - （４）絶縁層がアルミナ、チッ化ケイ素、酸化ケイ素等
のセラミックスであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の多チャンネル型半導体放射線検出器。 - （５）絶縁層が鉛ガラス、モリブデンガラス、タングス
テンガラスであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の多チャンネル型半導体放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247742A JPS63101788A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 多チヤンネル型半導体放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247742A JPS63101788A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 多チヤンネル型半導体放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63101788A true JPS63101788A (ja) | 1988-05-06 |
Family
ID=17167992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61247742A Pending JPS63101788A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | 多チヤンネル型半導体放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63101788A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231184A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Olympus Optical Co Ltd | 二次元荷電粒子検出装置 |
| JP2001099942A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | Ｘ線平面検出装置 |
| JP2002202377A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
| JP2009041942A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
| CN106772532A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-31 | 沈阳东软医疗系统有限公司 | 基于水冷的光电探测器封装结构及其封装方法 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61247742A patent/JPS63101788A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0231184A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Olympus Optical Co Ltd | 二次元荷電粒子検出装置 |
| JP2001099942A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | Ｘ線平面検出装置 |
| JP2002202377A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
| JP2009041942A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 半導体放射線検出器 |
| CN106772532A (zh) * | 2017-01-04 | 2017-05-31 | 沈阳东软医疗系统有限公司 | 基于水冷的光电探测器封装结构及其封装方法 |
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