JP2002022841A - Radiation photographing apparatus and system equipped with it - Google Patents

Radiation photographing apparatus and system equipped with it

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JP2002022841A
JP2002022841A JP2000202419A JP2000202419A JP2002022841A JP 2002022841 A JP2002022841 A JP 2002022841A JP 2000202419 A JP2000202419 A JP 2000202419A JP 2000202419 A JP2000202419 A JP 2000202419A JP 2002022841 A JP2002022841 A JP 2002022841A
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Japan
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signal
heat transfer
imaging apparatus
radiation imaging
amplifying
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JP2000202419A
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Osamu Yamamoto
理 山本
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Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent the S/N ratio of an electric signal from being worsened by a vibration generated at the inside or the outside of an apparatus. SOLUTION: The radiation photographing apparatus is provided with a conversion means which converts a radiation into the electric signal, an amplification means which amplifies the signal converted by the conversion means, a processing means which processes the signal amplified by the amplification means, a transmission means which comprises a first signal wire used to transmit the signal to the amplification means from the conversion means and which comprises a second signal wire used to transmit the signal to the processing means from the amplification means and a heat conduction means which conducts heat generated by the amplification means to a cooling means. At least in a region which influences the electric charge of the signal passing through the first signal wire, the heat conduction means is constituted so as to correspond to the amplification means in a state that the heat conduction means does not face the transmission means.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、医療診断用のX線
撮影装置、特にX線の受光媒体として複数の光電変換素
子が同一面上に配列されたエリアセンサを有する放射線
撮像装置及びそれを備えたシステムに関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray imaging apparatus for medical diagnosis, and more particularly to a radiation imaging apparatus having an area sensor in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged on the same surface as an X-ray receiving medium, and It is related to a system provided.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、医療診断を目的とする医療用X線
撮影、物質の非破壊検査等の様々な分野で、増感紙と放
射線写真フィルムとを組み合わせたいわゆる放射線写真
法が利用されている。この方法によれば、放射線画像
は、直接に放射線フィルム上に可視化された画像として
得ることができる。また、医療分野において近年では上
記の放射線写真フィルムの代りに、特開平08−116
044号公報で開示されているような、X線の受光媒体
として複数の光電変換素子と薄膜トランジスタTFTが
配列されたエリアセンサ面を有するX線撮影装置が提案
されている。
2. Description of the Related Art In various fields such as medical X-ray photography for medical diagnosis and nondestructive inspection of substances, a so-called radiographic method combining an intensifying screen and a radiographic film has been used. I have. According to this method, a radiographic image can be obtained directly as an image visualized on a radiographic film. In recent years, in the medical field, instead of the above radiographic film, Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-116
An X-ray imaging apparatus having an area sensor surface on which a plurality of photoelectric conversion elements and a thin film transistor TFT are arranged as an X-ray receiving medium as disclosed in Japanese Patent No. 044 is proposed.

【0003】図1(a)、図1(b)は、それぞれ従来
のX線撮影装置の上面図、平面図である。図1には、光
電変換素子とTFTとを内包する画素が複数個形成され
たガラスを材質とするa−Siセンサ基板(以下、「セ
ンサ基板」と称する。)1と、センサ基板1とシフトレ
ジスタSR1とを接続するフレキシブル回路基板2とを
示している。
FIGS. 1A and 1B are a top view and a plan view, respectively, of a conventional X-ray imaging apparatus. FIG. 1 shows an a-Si sensor substrate (hereinafter, referred to as a “sensor substrate”) 1 made of glass on which a plurality of pixels including a photoelectric conversion element and a TFT are formed, and a shift from the sensor substrate 1. 2 shows a flexible circuit board 2 for connecting to a register SR1.

【0004】また、図1には、検出用集積回路IC(以
下、「IC」と称する。)が実装されセンサ基板1とシ
フトレジスタSR2とを接続するフレキシブル基板3
と、X線を可視光に変換する蛍光体4などのシンチレー
タと、フレキシブル回路基板2,3に接続された回路基
板PCB1,PCB2と、回路基板PCB1,PCB2
に接続されたメモリを実装した信号処理回路基板5とを
示している。
FIG. 1 shows a flexible substrate 3 on which a detection integrated circuit IC (hereinafter referred to as “IC”) is mounted and connects a sensor substrate 1 and a shift register SR2.
And a scintillator such as a phosphor 4 for converting X-rays into visible light, circuit boards PCB1 and PCB2 connected to the flexible circuit boards 2 and 3, and circuit boards PCB1 and PCB2.
And a signal processing circuit board 5 mounted with a memory connected thereto.

【0005】さらに、図1には、Siゴム等の弾性体を
材質とするダンパー6と、ダンパー6と共にセンサ基板
1を保持するフレーム7と、信号処理回路基板5に実装
されているメモリ8をX線照射から保護する目的でフレ
ーム7の裏側に貼付けられた鉛板9とを示している。な
お、図1(a)のA点,B点は、それぞれセンサ面上の
光電変換素子とTFTとを含む各1画素を概念的に示し
たものである。
FIG. 1 shows a damper 6 made of an elastic material such as Si rubber, a frame 7 holding the sensor board 1 together with the damper 6, and a memory 8 mounted on the signal processing circuit board 5. A lead plate 9 attached to the back side of the frame 7 for protection from X-ray irradiation is shown. Note that points A and B in FIG. 1A conceptually show each pixel including a photoelectric conversion element and a TFT on the sensor surface.

【0006】図1に示すようなX線撮像装置は、X線が
照射される前には、シフトレジスタSR1,SR2とリ
フレッシュ制御回路(図示せず)からの制御信号とによ
り、全画素がリフレッシュモードの状態にある。このと
き画素中のTFT(図示せず)はonの状態である。次
にリフレッシュ制御回路からの制御信号が切り替わると
画素中の光電変換素子(図示せず)は光電変換モードの
状態になり、光電変換素子中のコンデンサ等の蓄積部
(図示せず)が初期化される。
In an X-ray imaging apparatus as shown in FIG. 1, before irradiation with X-rays, all pixels are refreshed by shift registers SR1 and SR2 and a control signal from a refresh control circuit (not shown). You are in the mode state. At this time, a TFT (not shown) in the pixel is in an on state. Next, when the control signal from the refresh control circuit is switched, the photoelectric conversion elements (not shown) in the pixels enter the photoelectric conversion mode, and the storage units (not shown) such as capacitors in the photoelectric conversion elements are initialized. Is done.

【0007】この状態でシフトレジスタSR1,SR2
による制御信号が切り替わるとTFTはoffの状態に
なり、全画素の光電変換素子のドレイン電極(図示せ
ず)はオープンになるが蓄積部によって電荷が保持され
る。この状態のときX線が照射されると、蛍光体4によ
って可視発光した光が光電変換素子に入射し、光電変換
素子において入射した光の強度に応じた量の信号電荷が
発生し蓄積部にそれぞれ蓄積される。蓄積された電荷は
ICにより順次増幅されて回路基板PCB2を介して信
号処理回路基板5に転送される。
In this state, shift registers SR1 and SR2
When the control signal is switched, the TFT is turned off, and the drain electrodes (not shown) of the photoelectric conversion elements of all the pixels are opened, but the charge is held by the accumulation unit. In this state, when X-rays are irradiated, light emitted by the phosphor 4 is incident on the photoelectric conversion element, and an amount of signal charge corresponding to the intensity of the incident light is generated in the photoelectric conversion element, and is generated in the storage unit. Each is accumulated. The accumulated charges are sequentially amplified by the IC and transferred to the signal processing circuit board 5 via the circuit board PCB2.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のX線撮
影装置は、装置内部や外部からの振動の影響によってS
/N比が変動し、良好な画像が得られないという不具合
があった。すなわち、出力側の増幅器の役割をなすIC
内には抵抗器が内蔵されているが、センサからの電荷を
増幅する際、この抵抗器に電流が流れ、そのとき電気エ
ネルギーの大部分が熱エネルギーに変換される。
However, in the conventional X-ray imaging apparatus, the influence of vibration from the inside or the outside of the apparatus is not enough.
/ N ratio fluctuated and there was a problem that a good image could not be obtained. That is, an IC serving as an output-side amplifier
A resistor is built in, but when amplifying the electric charge from the sensor, a current flows through the resistor, and at that time, most of the electric energy is converted into thermal energy.

【0009】すると、IC自体が熱源となり、フレキシ
ブル基板3内の信号線を通じて図1(a)のセンサ面に
おいてICからの距離に応じて温度勾配ができる。また
IC周辺の周囲温度も熱伝達によって上昇してセンサの
周囲温度も場所によって差が生じる。
Then, the IC itself becomes a heat source, and a temperature gradient is generated on the sensor surface of FIG. 1A according to the distance from the IC through a signal line in the flexible substrate 3. Also, the ambient temperature around the IC rises due to heat transfer, and the ambient temperature of the sensor varies depending on the location.

【0010】光電変換素子には、初期化されても暗電流
が残留しているため、通常その量を差し引いて補正した
蓄積量を光電変換素子が検出した情報として利用してい
るが、光電変換素子の温度が変化するとそれに伴って暗
電流の量が変化し、補正した時点での温度とX線照射時
の温度で差があると実際の蓄積量と異なる値が出力され
る。
Since a dark current remains in the photoelectric conversion element even after initialization, the amount of accumulation corrected by subtracting the amount is usually used as information detected by the photoelectric conversion element. When the temperature of the element changes, the amount of dark current changes accordingly. If there is a difference between the temperature at the time of correction and the temperature at the time of X-ray irradiation, a value different from the actual storage amount is output.

【0011】図10は、暗電流の値と温度の関係を表し
たグラフで、縦軸に暗電流の値、横軸に温度を示してい
る。図1(a)に示したA点,B点は、ICの発熱によ
ってセンサ面に温度勾配ができ、たとえばA点がt
1 ℃、B点がt2 ℃になると仮定すると、周囲温度がt
℃のときセンサ面上の全画素が補正された後、ICの発
熱によりAはt1 ℃、Bはt2 ℃になる。
FIG. 10 is a graph showing the relationship between the dark current value and the temperature. The vertical axis shows the dark current value and the horizontal axis shows the temperature. The points A and B shown in FIG. 1A have a temperature gradient on the sensor surface due to the heat generated by the IC.
Assuming that 1 ° C. and point B is t 2 ° C., the ambient temperature is t
After all the pixels on the sensor surface are corrected at ° C, A becomes t 1 ° C and B becomes t 2 ° C due to the heat generated by the IC.

【0012】A点は、センサ面上でB点より中心に近
く、ICより離れた距離にあるためt 1<t2 となる。
tとt1 では殆ど差がないため、A点の暗電流の値を補
正した時点の値と同等とみてよいが、tとt2 では差が
あり補正してB点の暗電流を差し引いたとしても、残り
の値分がノイズ成分として出力される。また、IC自体
の熱量が増加しすぎると、IC内部の抵抗が融解して必
要以上の電流がIC内部の回路に流れ、破壊をきたす恐
れがある。このようなノイズ成分の増加、ICの破壊を
防ぐために、たとえば以下に説明するような手法が採ら
れている。
Point A is closer to the center than point B on the sensor surface.
And the distance from the IC 1<TTwoBecomes
t and t1Since there is almost no difference, the value of the dark current at point A is supplemented.
It can be considered equivalent to the value at the time of correction, but t and tTwoThen the difference
Even if it is corrected and the dark current at point B is subtracted,
Is output as a noise component. The IC itself
If the amount of heat of the IC increases too much, the internal resistance of the IC will melt and become necessary.
Unnecessary current flows to the circuit inside the IC, which may cause destruction.
There is. Such noise component increase and IC destruction
To prevent this, for example, the methods described below are adopted.
Have been.

【0013】図11は、IC自体が発する熱量を放熱す
るアルミニウム等の熱伝達率の高い金属を材質とする冷
却フィン10を、熱伝達部材11を介してICの表面に
設けている様子を示す図である。冷却フィン10及び熱
伝達部材11は、フレキシブル基板3のICを実装した
面と逆の面に設けた弾性体12及び固定板13をスリー
ブ14a,14bによって取り付けている。なお、11
a〜11cは、それぞれスリーブ14aと14bとの
間、紙面に対してそれぞれスリーブ14aの上側、スリ
ーブ14bの下側の領域を示している。ちなみに図11
において、図1と同様の部分には、同一の符号を付して
いる。
FIG. 11 shows a state in which cooling fins 10 made of a metal having a high heat transfer coefficient, such as aluminum, which dissipates the heat generated by the IC itself are provided on the surface of the IC via the heat transfer member 11. FIG. The cooling fins 10 and the heat transfer member 11 have an elastic body 12 and a fixing plate 13 provided on the surface of the flexible substrate 3 opposite to the surface on which the IC is mounted, attached by sleeves 14a and 14b. Note that 11
Reference numerals a to 11c denote regions between the sleeves 14a and 14b, the upper side of the sleeve 14a with respect to the paper surface, and the lower side of the sleeve 14b, respectively. By the way, FIG.
, The same parts as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.

【0014】冷却フィン10に伝達された熱量は、冷却
フィン10の表面より装置内の空気中に輻射され、自然
冷却、又は装置内に設けられた冷却用ファン(図示せ
ず)を使用した強制冷却によって放熱される。熱伝達部
材11の材質は、たとえばシリコーンゴムや窒化ホウ素
など熱伝達率の高い物質が使用されている。またシリコ
ーンゴムは硬度が低く、ICを実装したフレキシブル基
板3と冷却フィン10の取付時の誤差などを弾性体とし
て吸収する役割を果たしている。
The amount of heat transmitted to the cooling fins 10 is radiated from the surface of the cooling fins 10 into the air in the device, and is naturally cooled or forced by using a cooling fan (not shown) provided in the device. Heat is dissipated by cooling. As a material of the heat transfer member 11, a substance having a high heat transfer rate such as silicone rubber or boron nitride is used. Silicone rubber has a low hardness and plays a role of absorbing an error or the like at the time of mounting the flexible substrate 3 on which the IC is mounted and the cooling fin 10 as an elastic body.

【0015】ICからの熱量を効果的に伝達するために
は、IC、熱伝達部材11、冷却フィン10の熱伝達を
行う各々の接触面の表面積を大きくとり、且つ各々の密
着性を高めることが必要である。そのため、図11に示
すように、固定板13と冷却フィン10との間をスリー
ブ14a、14bで各々固定することにより、ICの冷
却フィン10に対する密着性を高めている。
In order to effectively transfer the heat from the IC, it is necessary to increase the surface area of each of the contact surfaces of the IC, the heat transfer member 11, and the cooling fin 10 for transferring heat, and to enhance the adhesion of each of the contact surfaces. is necessary. Therefore, as shown in FIG. 11, by fixing the fixing plate 13 and the cooling fins 10 with the sleeves 14a and 14b, the adhesion of the IC to the cooling fins 10 is enhanced.

【0016】この状態で、固定板13と冷却フィン10
との間隔はIC、フレキシブル基板3、熱伝達部材1
1、弾性体12の各々の厚みを加算した寸法より小さく
設定されており、そのため熱伝達部材11、弾性体12
が適度に圧縮して密着性を高めている。
In this state, the fixed plate 13 and the cooling fin 10
The distance between IC and flexible board 3 and heat transfer member 1
1. The dimensions are set smaller than the sum of the thicknesses of the elastic members 12, so that the heat transfer member 11 and the elastic members 12
Has been compressed moderately to increase the adhesion.

【0017】しかし、図11に示すように、冷却ファン
10等を備えると、構成だと以下のような不具合が生じ
ていた。図12(a)、12(b)は、その不具合の状
況を説明するためにIC、フレキシブル基板3、熱伝達
部材11の構成を模式的に表した図である。
However, as shown in FIG. 11, the provision of the cooling fan 10 and the like causes the following problems in the configuration. FIGS. 12A and 12B are diagrams schematically illustrating the configuration of the IC, the flexible substrate 3, and the heat transfer member 11 for explaining the state of the problem.

【0018】図12に示すように、熱伝達部材11の端
面は固定されていないため、領域11b,11cは装置
内部の冷却用ファンや装置外部の振動によって図12
(a)の矢印方向に揺れを生じる。また、フレキシブル
基板3も同様に図12(a)の矢印方向に揺れを生じ
る。領域11b,11cは、図12(a)のように、フ
レキシブル基板3内を通る信号線と熱伝達部材11との
距離が変わり、これらが近づくことのある部分である。
なお、図12(b)の領域11b,11cに示している
フレキシブル基板3、熱伝達部材11の各々に空いた2
つの穴は、スリーブ14a、14bを各々通す穴であ
る。
As shown in FIG. 12, since the end surface of the heat transfer member 11 is not fixed, the regions 11b and 11c are caused by the cooling fan inside the apparatus or the vibration outside the apparatus.
Shaking occurs in the direction of the arrow in FIG. In addition, the flexible substrate 3 also swings in the direction of the arrow in FIG. As shown in FIG. 12A, the regions 11b and 11c are portions where the distance between the signal line passing through the inside of the flexible substrate 3 and the heat transfer member 11 changes, and these may approach each other.
In addition, each of the flexible substrate 3 and the heat transfer member 11 shown in the regions 11b and 11c in FIG.
The three holes are holes through which the sleeves 14a and 14b pass.

【0019】センサ基板1上で蓄積された電荷をIC、
PCB2を介して信号処理回路基板5に転送する際に、
図12(a)の矢印方向に揺れが生じると、熱伝達部材
11とフレキシブル基板3との距離が変わり、熱伝達部
材11に残留している静電容量が、フレキシブル基板3
内の信号線を通る電荷の容量を不安定化させる。特に、
センサ基板1からICまでのフレキシブル基板3内の信
号線を通る電荷に対しては、静電容量の変化の影響を受
けてノイズ成分を加えた電荷がそのままICで増幅され
るため影響度が大きい。
The charge accumulated on the sensor substrate 1 is referred to as an IC,
When transferring to the signal processing circuit board 5 via the PCB 2,
When the swinging occurs in the direction of the arrow in FIG. 12A, the distance between the heat transfer member 11 and the flexible substrate 3 changes, and the capacitance remaining on the heat transfer member 11 is
Destabilizes the capacity of the charge passing through the signal lines inside. In particular,
The electric charge passing through the signal lines in the flexible substrate 3 from the sensor substrate 1 to the IC is greatly affected by the change in the capacitance because the electric charge to which the noise component is added is amplified by the IC as it is. .

【0020】このような不具合が生じた画像をCRT
や、プリンタ等で出力すると、実際にX線によって分布
される照射濃度と差が生じる部分ができ、撮影した患者
の病変がその部分に存在する場合には、その病変を発見
できない場合もある。
An image having such a problem is displayed on a CRT.
Also, when output is performed by a printer or the like, there is a portion where a difference occurs with the irradiation density actually distributed by X-rays. If a lesion of a patient who has taken an image is present in that portion, the lesion may not be found.

【0021】そこで、本発明は、装置外部又は内部で生
じる振動によって、電気信号のS/N比が悪化しないよ
うにすることを課題とする。
Therefore, an object of the present invention is to prevent the S / N ratio of an electric signal from being deteriorated by vibration generated outside or inside the apparatus.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第1信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第2信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、少なくとも、第1信号線を通る信号の電荷に影響す
る領域では、前記伝熱手段が前記伝達部材に対向しない
状態で、前記増幅手段に対応して構成されていることを
特徴とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, the present invention provides a converting means for converting radiation into an electric signal, an amplifying means for amplifying a signal converted by the converting means, and an amplifying means. Processing means for processing the signal amplified in step (a), and a second signal line for transmitting a signal from the conversion means to the amplification means, and a second signal line for transmitting a signal from the amplification means to the processing means. In a radiation imaging apparatus including a flexible transmission member having a signal line and a heat transfer unit that transfers heat generated by the amplification unit to a cooling unit, at least the charge of a signal passing through the first signal line is affected. In a region where the heat transfer means does not face the transfer member, the heat transfer means is configured to correspond to the amplification means.

【0023】また、本発明は、放射線を電気信号に変換
する変換手段と、前記変換手段によって変換された信号
を増幅する増幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を
処理する処理手段と、前記変換手段から増幅手段への信
号の伝達のために第1信号線を有すると共に前記増幅手
段から前記処理手段への信号を伝達するために第2信号
線を有する柔軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発
生熱を冷却手段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮
像装置において、前記増幅手段と前記伝熱手段との間に
絶縁体を備え、前記冷却手段をアースに落とすことを特
徴とする。
Further, the present invention provides a conversion means for converting radiation into an electric signal, an amplification means for amplifying the signal converted by the conversion means, a processing means for processing the signal amplified by the amplification means, A flexible transmission member having a first signal line for transmitting a signal from the conversion means to the amplification means and having a second signal line for transmitting a signal from the amplification means to the processing means; In a radiation imaging apparatus comprising: a heat transfer unit that transfers heat generated by the amplifying unit to a cooling unit, an insulator is provided between the amplifying unit and the heat transfer unit, and the cooling unit is dropped to ground. It is characterized by.

【0024】さらに、本発明は、放射線を電気信号に変
換する変換手段と、前記変換手段によって変換された信
号を増幅する増幅手段と、該増幅手段で増幅された信号
を処理する処理手段と、前記変換手段から増幅手段への
信号の伝達のために第1信号線を有すると共に前記増幅
手段から前記処理手段への信号を伝達するために第2信
号線を有する柔軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の
発生熱を冷却手段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線
撮像装置において、前記伝熱手段と前記冷却手段とを前
記第1信号線側で固定部材によって固定し、該固定部材
をアースに落とすことを特徴とする。
Further, the present invention provides a converting means for converting radiation into an electric signal, an amplifying means for amplifying the signal converted by the converting means, a processing means for processing the signal amplified by the amplifying means, A flexible transmission member having a first signal line for transmitting a signal from the conversion means to the amplification means and having a second signal line for transmitting a signal from the amplification means to the processing means; In a radiation imaging apparatus provided with a heat transfer unit that transfers heat generated by the amplification unit to a cooling unit, the heat transfer unit and the cooling unit are fixed by a fixing member on the first signal line side, and the fixing is performed. It is characterized in that the member is dropped to ground.

【0025】さらにまた、本発明の放射線線撮像システ
ムは、上記いずれかに記載の放射線撮像装置と、前記放
射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、前
記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示
手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための
伝送処理手段と、前記放射線を発生させるための放射線
源とを具備することを特徴とする。
Still further, according to the present invention, there is provided a radiation image pickup system, the radiation image pickup apparatus according to any one of the above, a signal processing means for processing a signal from the radiation image pickup apparatus, and a signal from the signal processing means. Recording means for performing, a display means for displaying a signal from the signal processing means, a transmission processing means for transmitting a signal from the signal processing means, and a radiation source for generating the radiation It is characterized by having.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照して説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0027】(実施形態1)図1(a)は、本発明の実
施形態1のX線撮像装置の構成を示す平面図である。図
1(b)は、図1(a)の断面図である。図1におい
て、光電変換素子とTFTとを内包する変換手段である
画素が複数個形成されたガラスを材質とするa−Siセ
ンサ基板(以下、「センサ基板」と称する。)1と、増
幅手段であるところの検出用集積回路IC(以下、「I
C」と称する。)が実装されセンサ基板1とシフトレジ
スタSR2とを接続する伝達部材であるところのフレキ
シブル基板3と、X線を可視光に変換する蛍光体4など
のシンチレータと、フレキシブル基板3に接続された回
路基板PCB2と、回路基板PCB2に接続されたメモ
リを実装した処理手段であるところの信号処理回路基板
5とを示している。
(Embodiment 1) FIG. 1A is a plan view showing a configuration of an X-ray imaging apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1B is a cross-sectional view of FIG. In FIG. 1, an a-Si sensor substrate (hereinafter, referred to as a “sensor substrate”) 1 made of glass and formed with a plurality of pixels as a conversion unit including a photoelectric conversion element and a TFT, and an amplification unit. (Hereinafter referred to as “I
C ". ), A flexible substrate 3 which is a transmission member for connecting the sensor substrate 1 and the shift register SR2, a scintillator such as a phosphor 4 for converting X-rays into visible light, and a circuit connected to the flexible substrate 3. FIG. 3 shows a substrate PCB2 and a signal processing circuit substrate 5 which is a processing unit mounted with a memory connected to the circuit substrate PCB2.

【0028】また、図1には、Siゴム等の弾性体を材
質とするダンパー6と、ダンパー6と共にセンサ基板1
を保持するフレーム7と、信号処理回路基板5に実装さ
れているメモリ8をX線照射から保護する目的でフレー
ム7の裏側に貼付けられた鉛板9とを示している。
FIG. 1 shows a damper 6 made of an elastic material such as Si rubber, and a sensor board 1 together with the damper 6.
And a lead plate 9 attached to the back side of the frame 7 for the purpose of protecting the memory 8 mounted on the signal processing circuit board 5 from X-ray irradiation.

【0029】図2(a)は、図1(a)のフレキシブル
基板3の周辺図である。図2(b)は、冷却手段である
ところの冷却フィン10側から見た伝熱手段であるとこ
ろの熱伝達部材15の周辺図である。図2には、IC自
体が発する熱量を放熱するアルミニウム等の熱伝達率の
高い金属を材質とする冷却フィン10と、冷却フィン1
0に熱を伝達する熱伝達部材15と、フレキシブル基板
3のICを実装した面と逆の面に設けた弾性体12及び
固定板13と、弾性体12及び固定板13と冷却フィン
10及び熱伝達部材11とを接続するスリーブ14a,
14bとを示している。なお、フレキシブル基板3を通
る信号線のうちスリーブ14a側の信号線を第1信号
線、スリーブ14b側の信号線を第2信号線としてい
る。
FIG. 2A is a peripheral view of the flexible substrate 3 of FIG. 1A. FIG. 2B is a peripheral view of the heat transfer member 15 serving as the heat transfer unit viewed from the cooling fin 10 serving as the cooling unit. FIG. 2 shows a cooling fin 10 made of a metal having a high heat transfer coefficient, such as aluminum, which radiates the heat generated by the IC itself, and a cooling fin 1.
0, a heat transfer member 15 for transferring heat to the flexible substrate 3, an elastic body 12 and a fixing plate 13 provided on a surface of the flexible substrate 3 opposite to the surface on which the IC is mounted, an elastic body 12 and the fixing plate 13, a cooling fin 10, and a heat sink. A sleeve 14a for connecting with the transmission member 11,
14b. In addition, among the signal lines passing through the flexible substrate 3, the signal line on the sleeve 14a side is a first signal line, and the signal line on the sleeve 14b side is a second signal line.

【0030】図2に示すように、本実施形態では、IC
とフレキシブル基板3との実装面の面積以下の面積の熱
伝達部材15を備えている。これにより、熱伝達部材1
5とフレキシブル基板3の信号線との距離が振動等によ
って変わらないようにしている。また、熱伝達部材15
を、ICと冷却フィン10との間に押し付けるように設
けている。
As shown in FIG. 2, in this embodiment, the IC
A heat transfer member 15 having an area equal to or smaller than the area of the mounting surface of the flexible substrate 3 and the flexible substrate 3. Thereby, the heat transfer member 1
The distance between the signal line 5 and the signal line of the flexible substrate 3 is not changed by vibration or the like. The heat transfer member 15
Is provided so as to be pressed between the IC and the cooling fin 10.

【0031】(実施形態2)図3は、本発明の実施形態
2のX線撮像装置に係る熱伝達部材16の周辺図であ
る。なお、図3において16aは、熱伝達部材16のう
ちICに接触していない領域を示している。また、図3
において図1(b)と同様の部分には、同一の符号を付
している。
(Embodiment 2) FIG. 3 is a peripheral view of a heat transfer member 16 according to an X-ray imaging apparatus of Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 3, reference numeral 16a denotes a region of the heat transfer member 16 that is not in contact with the IC. FIG.
In FIG. 1, the same parts as those in FIG. 1B are denoted by the same reference numerals.

【0032】図3に示すように、本実施形態では、第2
保持部材であるところのスリーブ14bによって固定で
きるような形状の熱伝達部材16を用いている。熱伝達
部材16を用いると、スリーブ14b側で熱伝達部材1
6とICとの位置合わせが容易となる。
As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the second
A heat transfer member 16 having a shape that can be fixed by a sleeve 14b as a holding member is used. When the heat transfer member 16 is used, the heat transfer member 1
6 and the IC can be easily aligned.

【0033】ところで、このような熱伝達部材16を用
いると、冷却ファンの駆動などによって生じた振動によ
って、領域16aとフレキシブル基板3内の信号線との
距離が変動する場合があるが、第2信号線を通る信号
は、すでにICで増幅されている。そこで、増幅後の信
号が領域16aの電荷による影響は小さい場合には、図
3に示すように熱伝達部材16を用いるとよい。
When such a heat transfer member 16 is used, the distance between the region 16a and the signal line in the flexible substrate 3 may fluctuate due to vibrations generated by driving a cooling fan or the like. The signal passing through the signal line has already been amplified by the IC. Therefore, when the amplified signal is less affected by the charge in the region 16a, the heat transfer member 16 may be used as shown in FIG.

【0034】(実施形態3)図4は、本発明の実施形態
3のX線撮像装置に係る熱伝達部材17の周辺図であ
る。なお、図4において17a〜17cは、それぞれ熱
伝達部材17のうちICに接触している領域、ICに接
触していない領域のうち第1保持部材であるところのス
リーブ14a側、14b側の領域を示している。また、
図4において図1(b)と同様の部分には、同一の符号
を付している。
(Embodiment 3) FIG. 4 is a peripheral view of a heat transfer member 17 according to an X-ray imaging apparatus of Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 4, reference numerals 17a to 17c denote regions of the heat transfer member 17 that are in contact with the IC and regions that are not in contact with the IC, that is, regions on the sleeve 14a side and 14b side that are the first holding members. Is shown. Also,
In FIG. 4, the same parts as those in FIG. 1 (b) are denoted by the same reference numerals.

【0035】本実施形態では、スリーブ14a、14b
によって位置決めされ、且つフレキシブル基板3内の信
号線に接触しない形状の熱伝達部材17を用いている。
具体的には、領域17a、17bの形状は、端面にそれ
ぞれスリーブ14a、14bに接触するU字型の溝を有
しており、このU字型の溝を、スリーブ14a、14b
に接触させることで、実施形態2と同様に、熱伝達部材
17の位置決めを容易にしている。
In this embodiment, the sleeves 14a, 14b
The heat transfer member 17 is positioned so that it does not come into contact with the signal lines in the flexible substrate 3.
Specifically, the shape of the regions 17a and 17b has a U-shaped groove on the end face that comes into contact with the sleeves 14a and 14b, respectively, and the U-shaped groove is formed in the sleeves 14a and 14b.
, The positioning of the heat transfer member 17 is facilitated similarly to the second embodiment.

【0036】また、領域17b、17cの図面短手方向
の距離x1、x2を、S/N比を悪化させないような長
さとすることが必要である。これは、領域17b、17
cが振動によりフレキシブル基板3との距離が近づくこ
とがあるため、あまり長いと、振動によって領域17
b、17cとフレキシブル基板3とが近づくことで、フ
レキシブル基板3内の信号線を通る電荷が不安定となる
からである。
It is necessary that the distances x1 and x2 between the regions 17b and 17c in the lateral direction of the drawing are set so as not to deteriorate the S / N ratio. This corresponds to the areas 17b, 17
Since the distance between the flexible substrate 3 and the flexible substrate 3 may be short due to vibration, if the distance is too long, the region 17 may be vibrated.
This is because the electric charges passing through the signal lines in the flexible substrate 3 become unstable when the flexible substrate 3 approaches the flexible substrate 3.

【0037】(実施形態4)図5(a)は、本発明の実
施形態4のX線撮像装置に係る熱伝達部材11の周辺図
である。図5(b)は、図5(a)のA−B間の断面図
を図面の矢印方向から見た図である。固定部材19本実
施形態では、熱伝達部材11と冷却フィン10とを固定
部材18,19によって固定している。具体的には、固
定部材18によって、冷却フィン10と領域11bとを
挟み込み、固定部材19によって、冷却フィン10と領
域11cとを挟み込んでいる。
(Embodiment 4) FIG. 5A is a peripheral view of a heat transfer member 11 of an X-ray imaging apparatus according to Embodiment 4 of the present invention. FIG. 5B is a cross-sectional view taken along a line AB in FIG. 5A as viewed from the direction of the arrow in the drawing. In the present embodiment, the heat transfer member 11 and the cooling fin 10 are fixed by the fixing members 18 and 19. Specifically, the cooling fin 10 and the region 11b are sandwiched by the fixing member 18, and the cooling fin 10 and the region 11c are sandwiched by the fixing member 19.

【0038】ここで、振動によってフレキシブル基板3
と領域11b、11cとの距離が近づく場合があるた
め、固定部材18,19の材質を導電体とし、冷却フィ
ン10を電位0のアースに落として図5(a)のように
固定部材18,19と冷却フィン10をアース線20を
介して接続する。
Here, the flexible substrate 3 is vibrated by vibration.
In some cases, the distance between the first and second regions 11b and 11c is short. Therefore, the material of the fixing members 18 and 19 is made of a conductive material, and the cooling fin 10 is dropped to the ground of 0 potential, as shown in FIG. 19 and the cooling fin 10 are connected via a ground wire 20.

【0039】また、冷却フィン10を電位0のアースに
落とせない場合には、装置内の他の図示しない電位0の
筐体にアースを落とすことで、領域11b,11cとフ
レキシブル基板3との間に固定部材18,19によって
導電体が挿入された形となり、たとえフレキシブル基板
3が振動によって揺れが生じても、熱伝達部材11内に
内包する静電容量の影響を受け難くなる。
If the cooling fins 10 cannot be dropped to the ground of potential 0, the ground is dropped to another casing of potential 0 (not shown) in the apparatus, so that the space between the areas 11b and 11c and the flexible substrate 3 can be reduced. Thus, even if the flexible substrate 3 is shaken by vibration, the conductor is not easily affected by the capacitance contained in the heat transfer member 11.

【0040】なお、熱伝達部材11の領域11c側で
は、実施形態2で説明したように、ICによって増幅さ
れた後の信号が、振動によって領域11cとフレキシブ
ル基板3との距離が変動することによって、静電容量の
影響を受けない場合には、固定部材19を用いなくても
よい。
On the side of the region 11c of the heat transfer member 11, as described in the second embodiment, the signal after being amplified by the IC changes due to the fluctuation of the distance between the region 11c and the flexible substrate 3 due to vibration. In the case where there is no influence from the capacitance, the fixing member 19 may not be used.

【0041】(実施形態5)図6は、本発明の実施形態
5のX線撮像装置に係る熱伝達部材22の周辺図であ
る。本実施形態では、熱伝達部材22とICとの間に絶
縁体24を設けている。また、熱伝達部材22には、シ
リコーンゴム、窒化ホウ素などの熱伝達率の高い物質と
ポリアミドと銀とを織りあわせた導電性繊維を用いてい
る。また、冷却フィン10には、アルミニウムや銅等熱
伝達率の高い金属を用い、冷却フィン10が熱伝達部材
22と接触する面には、酸化防止等のため膜処理がなさ
れていないため、冷却フィン10と熱伝達部材22は電
位差0となる。
(Embodiment 5) FIG. 6 is a peripheral view of a heat transfer member 22 according to an X-ray imaging apparatus of Embodiment 5 of the present invention. In the present embodiment, the insulator 24 is provided between the heat transfer member 22 and the IC. The heat transfer member 22 is made of a conductive fiber obtained by weaving a material having a high heat transfer rate, such as silicone rubber or boron nitride, and polyamide and silver. The cooling fin 10 is made of a metal having a high heat transfer coefficient, such as aluminum or copper, and the surface of the cooling fin 10 in contact with the heat transfer member 22 is not subjected to film treatment to prevent oxidation. The potential difference between the fin 10 and the heat transfer member 22 becomes zero.

【0042】また冷却フィン10は装置内の他の図示し
ない電位0の筐体のアースに落とされているため、熱伝
達部材22も同様に電位0となる。したがって、熱伝達
部材22とフレキシブル基板3は振動により揺れが生じ
ても、フレキシブル基板3内の信号線を通る電荷に影響
を与える静電容量が熱伝達部材22内に存在しないた
め、S/N比が悪化しない。
Since the cooling fins 10 are grounded to another casing (not shown) having a potential of 0 in the apparatus, the heat transfer member 22 also has the potential of 0. Therefore, even if the heat transfer member 22 and the flexible substrate 3 oscillate due to vibration, there is no capacitance in the heat transfer member 22 that affects the electric charge passing through the signal line in the flexible substrate 3, so that S / N The ratio does not deteriorate.

【0043】ところで、ICは、通常IC内部の回路を
保護するための筐体を有しているが、より薄型化するた
めやIC内の抵抗の熱量を効率よくICの外へ逃がすた
めに筐体を有していないものや、筐体も回路の一部とし
て電位を与えているものがある。この場合、絶縁体24
は、導電体である熱伝達部材22とICが直接接触する
ことを防ぐという役割も果たしている。したがって表面
に電位のあるICに対しても、熱伝達部材の利点を有効
に利用することができる。
By the way, an IC usually has a housing for protecting a circuit inside the IC. However, in order to make the IC thinner and to efficiently release the heat of the resistance inside the IC to the outside of the IC, the housing is generally used. Some of them have no body, and others have a case in which a housing gives a potential as part of a circuit. In this case, the insulator 24
Also plays a role of preventing the heat transfer member 22, which is a conductor, from coming into direct contact with the IC. Therefore, the advantage of the heat transfer member can be effectively used even for an IC having a potential on its surface.

【0044】(実施形態6)図7(a)は、本発明の実
施形態6のX線撮像装置に係る熱伝達部材11の周辺図
である。図7(b)は、図7(a)のA−B間を図面矢
印方向から見た断面図である。本実施形態では、フレキ
シブル基板3と冷却フィン10とを固定部材25により
固定し、さらにフレキシブル基板3と領域11b、11
cとの間にスペーサー26を設けてこれらの距離が変わ
らないようにしている。
(Embodiment 6) FIG. 7A is a peripheral view of a heat transfer member 11 according to an X-ray imaging apparatus of Embodiment 6 of the present invention. FIG. 7B is a cross-sectional view taken along a line AB in FIG. In this embodiment, the flexible substrate 3 and the cooling fins 10 are fixed by the fixing member 25, and the flexible substrate 3 and the regions 11b and 11b are further fixed.
A spacer 26 is provided between the first and second members c and c so that these distances do not change.

【0045】固定部材25は、図7(a)、図7(b)
に示すように、冷却フィン10、熱伝達部材11、スペ
ーサー26及びフレキシブル基板3を挟み込むような形
状としている。スペーサー26には、ポリカーボネート
等の樹脂系で絶縁体であり、その厚みはICのフレキシ
ブル基板3上の厚みと同等としている。
The fixing member 25 is shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b).
As shown in FIG. 5, the cooling fin 10, the heat transfer member 11, the spacer 26, and the flexible substrate 3 are sandwiched therebetween. The spacer 26 is a resin-based insulator such as polycarbonate, and has a thickness equal to the thickness of the IC on the flexible substrate 3.

【0046】また、固定部材25によって領域11b,
11cとフレキシブル基板3とが固定されるため、振動
によってこれらの距離が変わらない。したがってフレキ
シブル基板3内の信号線を通る電荷に影響を与える静電
容量は変化せず、S/N比は悪化しない。
Further, the fixing member 25 allows the regions 11b,
11c and the flexible substrate 3 are fixed, so that their distance does not change due to vibration. Therefore, the capacitance affecting the charge passing through the signal line in the flexible substrate 3 does not change, and the S / N ratio does not deteriorate.

【0047】なお、熱伝達部材11の領域11c側で
は、実施形態2で説明したように、ICによって増幅さ
れた後の信号が、振動によって領域11cとフレキシブ
ル基板3との距離が変動することによって、静電容量の
影響を受けない場合には、固定部材25を用いなくても
よい。
On the side of the region 11c of the heat transfer member 11, as described in the second embodiment, the signal after being amplified by the IC causes the distance between the region 11c and the flexible substrate 3 to fluctuate due to vibration. In the case where there is no influence from the capacitance, the fixing member 25 may not be used.

【0048】(実施形態7)図8(a)、図8(b)は
本発明の実施形態7のX線検出装置の実装例の模式的構
成図及び模式的断面図である。光電変換素子とTFT
(トランジスタ)はa−Siセンサ基材6011内に複
数個形成され、シフトレジスタSR1と検出用集積回路
ICが実装されたフレキシブル回路基板6010が接続
されている。
(Embodiment 7) FIGS. 8A and 8B are a schematic configuration diagram and a schematic cross-sectional view of a mounting example of an X-ray detector according to Embodiment 7 of the present invention. Photoelectric conversion element and TFT
A plurality of (transistors) are formed in the a-Si sensor substrate 6011, and the shift register SR1 is connected to the flexible circuit board 6010 on which the integrated circuit IC for detection is mounted.

【0049】フレキシブル回路基板6010の逆側は回
路基板PCB1、PCB2に接続されている。前記a−
Siセンサ基材6011の複数枚が基台6012の上に
接着され大型の光電変換装置を構成する基台6012の
下には処理回路6018内のメモリ6014をX線から
保護するため鉛板6013が実装されている。
The opposite side of the flexible circuit board 6010 is connected to the circuit boards PCB1 and PCB2. A-
A lead plate 6013 for protecting the memory 6014 in the processing circuit 6018 from X-rays is provided below the base 6012 that forms a large-sized photoelectric conversion device by bonding a plurality of Si sensor bases 6011 on the base 6012. Has been implemented.

【0050】a−Siセンサ基材6011上にはX線を
可視光に変換するためのシンチレータ6030たとえば
CsIが、蒸着されている。図8(b)に示されるよう
に全体をカーボンファイバー製のケース6020に収納
している。
On the a-Si sensor substrate 6011, a scintillator 6030 for converting X-rays into visible light, for example, CsI is deposited. As shown in FIG. 8B, the whole is housed in a case 6020 made of carbon fiber.

【0051】図9は、図8のX線検出装置のX線診断シ
ステムへの応用例を示したものである。X線チューブ6
050で発生したX線6060は患者あるいは被験者6
061の胸部6062を透過し、シンチレータを上部に
実装した光電変換装置6040に入射する。この入射し
たX線には患者6061の体内部の情報が含まれてい
る。
FIG. 9 shows an example of application of the X-ray detector of FIG. 8 to an X-ray diagnostic system. X-ray tube 6
X-ray 6060 generated at 050 is the patient or subject 6
061 through the chest 6062, and enters the photoelectric conversion device 6040 on which the scintillator is mounted. The incident X-ray includes information on the inside of the body of the patient 6061.

【0052】X線の入射に対応してシンチレータは発光
し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報
はディジタルに変換されイメージプロセッサ6070に
より画像処理され制御室のディスプレイ6080で観察
できる。
The scintillator emits light in response to the incidence of X-rays, and photoelectrically converts the light to obtain electrical information. This information is converted into digital data, image-processed by an image processor 6070, and can be observed on a display 6080 in the control room.

【0053】また、この情報は電話回線6090等の伝
送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタール
ームなどディスプレイ6081に表示もしくは光ディス
ク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が
診断することも可能である。またフィルムプロセッサ6
100によりフィルム6110に記録することもでき
る。
Further, this information can be transferred to a remote place by a transmission means such as a telephone line 6090, displayed on a display 6081 such as a doctor's room at another place, or stored in a storage means such as an optical disk. It is also possible to make a diagnosis. Also film processor 6
100 can also be recorded on the film 6110.

【0054】なお、以上説明した本発明の各実施形態で
は、X線撮像装置を用いた場合を例に説明したが、α,
β,γ線等の放射線を用いることができる。また、光は
光電変換素子により検出可能な波長領域の電磁波であ
り、可視光を含む。さらに、たとえば放射線を含む電磁
波を電気信号に変換する電磁波電気信号変換装置にも適
用することができる。
In each of the embodiments of the present invention described above, the case where the X-ray imaging apparatus is used has been described as an example.
Radiation such as β and γ rays can be used. Light is electromagnetic waves in a wavelength region that can be detected by the photoelectric conversion element, and includes visible light. Further, the present invention can be applied to, for example, an electromagnetic wave electric signal converter that converts electromagnetic waves including radiation into electric signals.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、第1信
号線を通る信号の電荷に影響する領域では、伝熱手段が
伝達部材に対向しない状態で、増幅手段に対応して構成
されているため、装置外部又は内部で生じる振動によっ
て、電気信号のS/N比が悪化しないようにすることが
できる。
As described above, according to the present invention, in a region where the electric charge of the signal passing through the first signal line is affected, the heat transfer means is configured to correspond to the amplification means without being opposed to the transfer member. Therefore, it is possible to prevent the S / N ratio of the electric signal from being deteriorated by vibration generated outside or inside the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態1のX線撮像装置の構成を示
す平面図及び断面図である。
FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view illustrating a configuration of an X-ray imaging apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のフレキシブル基板の周辺図である。FIG. 2 is a peripheral view of the flexible substrate of FIG. 1;

【図3】本発明の実施形態2のX線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
FIG. 3 is a peripheral view of a heat transfer member according to the X-ray imaging apparatus of Embodiment 2 of the present invention.

【図4】本発明の実施形態3のX線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
FIG. 4 is a peripheral view of a heat transfer member according to an X-ray imaging apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.

【図5】本発明の実施形態4のX線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
FIG. 5 is a peripheral view of a heat transfer member according to an X-ray imaging apparatus of Embodiment 4 of the present invention.

【図6】本発明の実施形態5のX線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
FIG. 6 is a peripheral view of a heat transfer member according to an X-ray imaging apparatus of Embodiment 5 of the present invention.

【図7】本発明の実施形態6のX線撮像装置に係る熱伝
達部材の周辺図である。
FIG. 7 is a peripheral view of a heat transfer member according to an X-ray imaging apparatus according to Embodiment 6 of the present invention.

【図8】本発明の実施形態7のX線検出装置の実装例の
模式的構成図及び模式的断面図である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram and a schematic cross-sectional view of a mounting example of an X-ray detection device according to a seventh embodiment of the present invention.

【図9】図8のX線検出装置のX線診断システムへの応
用例を示したものである。
9 shows an application example of the X-ray detection device of FIG. 8 to an X-ray diagnostic system.

【図10】暗電流の値と温度の関係を表したグラフで、
縦軸に暗電流の値、横軸に温度を示している。
FIG. 10 is a graph showing a relationship between a dark current value and a temperature;
The vertical axis shows the value of dark current, and the horizontal axis shows temperature.

【図11】冷却フィンを熱伝達部材を介してICの表面
に設けている様子を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a state in which cooling fins are provided on the surface of an IC via a heat transfer member.

【図12】フレキシブル回路基板、熱伝達部材の構成を
模式的に表した図である。
FIG. 12 is a diagram schematically illustrating configurations of a flexible circuit board and a heat transfer member.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 センサ基板 3 フレキシブル基板 10 冷却フィン 11,15,16,17,22 熱伝達部材 18,19,25 固定部材 24 絶縁体 26 スペーサー PCB2 回路基板 IC 検出用集積回路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sensor board 3 Flexible board 10 Cooling fins 11, 15, 16, 17, 22 Heat transfer member 18, 19, 25 Fixing member 24 Insulator 26 Spacer PCB2 Circuit board IC Detection integrated circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 31/09 H01L 31/00 A Fターム(参考) 2G088 EE03 EE29 FF02 GG19 GG20 GG21 JJ05 JJ09 JJ37 LL21 LL23 4C093 AA03 CA06 EB12 EB13 EB17 EB20 5F088 AB05 BA03 BA10 BB07 EA04 EA07 GA02 HA15 JA16 LA07 LA08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI theme coat テ ー マ (reference) H01L 31/09 H01L 31/00 A F term (reference) 2G088 EE03 EE29 FF02 GG19 GG20 GG21 JJ05 JJ09 JJ37 LL21 LL23 4C093 AA03 CA06 EB12 EB13 EB17 EB20 5F088 AB05 BA03 BA10 BB07 EA04 EA07 GA02 HA15 JA16 LA07 LA08

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第1信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第2信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、 少なくとも、第1信号線を通る信号の電荷に影響する領
域では、前記伝熱手段が前記伝達部材に対向しない状態
で、前記増幅手段に対応して構成されていることを特徴
とする放射線撮像装置。
A converting means for converting radiation into an electric signal; an amplifying means for amplifying the signal converted by the converting means; a processing means for processing the signal amplified by the amplifying means; A flexible transmission member having a first signal line for transmitting a signal to the amplifying means and having a second signal line for transmitting a signal from the amplifying means to the processing means; A radiation imaging apparatus comprising: a heat transfer unit configured to transfer generated heat to a cooling unit, wherein the heat transfer unit does not face the transfer member at least in a region that affects a charge of a signal passing through the first signal line. And a radiation imaging apparatus configured to correspond to the amplification means.
【請求項2】 前記伝熱手段と前記増幅手段とを接触さ
せ、且つ前記伝熱手段の前記増幅手段と接触している面
の総面積を、前記増幅手段の前記伝熱手段と接触してい
る面の総面積よりも小さくすることを特徴とする請求項
1に記載の放射線撮像装置。
2. The heat transfer means is brought into contact with the amplification means, and the total area of the surface of the heat transfer means in contact with the amplification means is brought into contact with the heat transfer means of the amplification means. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the total area of the surfaces is smaller than the total area.
【請求項3】 前記伝熱手段は、前記第1,第2信号線
側の双方で前記冷却手段と前記増幅手段との距離を保つ
第1,第2保持部材によって保持されていることを特徴
とする請求項1又は2に記載の放射線撮像装置。
3. The heat transfer means is held by first and second holding members for keeping a distance between the cooling means and the amplification means on both the first and second signal lines. The radiation imaging apparatus according to claim 1 or 2, wherein
【請求項4】 前記伝熱手段は、前記第2保持部材を通
す孔が設けられており、前記孔に前記第2保持部材を通
すことによって放熱手段本体の位置を保持することを特
徴とする請求項3に記載の放射線撮像装置。
4. The heat transfer means is provided with a hole through which the second holding member passes, and the position of the heat radiating means main body is held by passing the second holding member through the hole. The radiation imaging apparatus according to claim 3.
【請求項5】 前記伝熱手段は、前記第1,第2保持手
段によって位置決めされるような形状としていることを
特徴とする請求項3に記載の放射線撮像装置。
5. The radiation imaging apparatus according to claim 3, wherein the heat transfer means is shaped so as to be positioned by the first and second holding means.
【請求項6】 放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第1信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第2信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、 前記増幅手段と前記伝熱手段との間に絶縁体を備え、前
記冷却手段をアースに落とすことを特徴とする放射線撮
像装置。
6. A converting means for converting radiation into an electric signal, an amplifying means for amplifying the signal converted by the converting means, a processing means for processing the signal amplified by the amplifying means, and: A flexible transmission member having a first signal line for transmitting a signal to the amplifying means and having a second signal line for transmitting a signal from the amplifying means to the processing means; A radiation imaging apparatus comprising: a heat transfer unit that transfers generated heat to a cooling unit; wherein an insulator is provided between the amplification unit and the heat transfer unit, and the cooling unit is dropped to ground. Radiation imaging device.
【請求項7】 放射線を電気信号に変換する変換手段
と、前記変換手段によって変換された信号を増幅する増
幅手段と、該増幅手段で増幅された信号を処理する処理
手段と、前記変換手段から増幅手段への信号の伝達のた
めに第1信号線を有すると共に前記増幅手段から前記処
理手段への信号を伝達するために第2信号線を有する柔
軟性のある伝達部材と、前記増幅手段の発生熱を冷却手
段に伝熱する伝熱手段とを備えた放射線撮像装置におい
て、 前記伝熱手段と前記冷却手段とを前記第1信号線側で固
定部材によって固定し、該固定部材をアースに落とすこ
とを特徴とする放射線撮像装置。
7. Conversion means for converting radiation into an electric signal, amplification means for amplifying the signal converted by the conversion means, processing means for processing the signal amplified by the amplification means, A flexible transmission member having a first signal line for transmitting a signal to the amplifying means and having a second signal line for transmitting a signal from the amplifying means to the processing means; A radiation imaging apparatus comprising: a heat transfer unit that transfers generated heat to a cooling unit; wherein the heat transfer unit and the cooling unit are fixed by a fixing member on the first signal line side, and the fixing member is grounded. A radiation imaging apparatus characterized by being dropped.
【請求項8】 前記固定部材は、さらに、前記伝熱部材
と前記伝達部材との間に絶縁体を介して前記冷却手段側
と該伝達部材とを固定することを特徴とする請求項7に
記載の放射線撮像装置。
8. The fixing member according to claim 7, wherein the fixing member further fixes the cooling means side and the transmission member via an insulator between the heat transmission member and the transmission member. The radiation imaging apparatus according to claim 1.
【請求項9】 前記伝熱手段と前記冷却手段とを前記第
2信号線側で固定部材によって固定し、該固定部材をア
ースに落とすことを特徴とする請求項7又は8に記載の
放射線撮像装置。
9. The radiation imaging apparatus according to claim 7, wherein the heat transfer means and the cooling means are fixed by a fixing member on the second signal line side, and the fixing member is dropped to the ground. apparatus.
【請求項10】 請求項1から9のいずれかに記載の放
射線撮像装置と、 前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段
と、 前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段
と、 前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段
と、 前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理
手段と、 前記放射線を発生させるための放射線源とを具備するこ
とを特徴とする放射線撮像システム。
10. A radiation imaging apparatus according to claim 1, a signal processing means for processing a signal from said radiation imaging apparatus, and a recording means for recording a signal from said signal processing means. Display means for displaying a signal from the signal processing means, transmission processing means for transmitting a signal from the signal processing means, and a radiation source for generating the radiation. Characteristic radiation imaging system.
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