TW201831921A - 放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能夠得到高畫質的放射線圖像之放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置。一種放射線檢測器，其具有依序設置有下述構件之部分：像素陣列，形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷；轉換層，將放射線轉換成光線；光透射性黏著層，厚度為2 μm以上且7 μm以下；及反射層，使由轉換層轉換之光線反射到TFT基板。
Description
本發明係關於一種放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置。
一直以來，已知有以醫療診斷為目的而進行放射線攝影之放射線圖像攝影裝置。在這樣的放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射了被攝體之放射線並生成放射線圖像之放射線檢測器。
作為放射線檢測器，存在具備下述構件者（參閱日本特開2014-71077號公報及日本特開2014-185857號公報）：像素陣列，形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷；轉換層，將放射線轉換成光線；及反射層，使由轉換層轉換之光線反射到基板側。
上述現有技術中，存在轉換層與反射層的配置關係不適當的情況，會擔心由放射線檢測器得到之放射線圖像的畫質降低。
本發明提供一種能夠得到高畫質的放射線圖像之放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置。
本發明的第1形態的放射線檢測器，其具有依序設置有下述構件之部分：像素陣列，形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷；轉換層，將放射線轉換成光線；光透射性黏著層，厚度為2 μm以上且7 μm以下；及反射層，使由轉換層轉換之光線反射到基板側。
又，本發明的第2形態的放射線檢測器在第1形態的放射線檢測器的基礎上，還包含具有像素區域且在像素區域設置有像素陣列之基板。
又，本發明的第3形態的放射線檢測器在第1形態的放射線檢測器的基礎上，還包含：剝離層；及基板，設置有剝離層，像素陣列隔著剝離層而設置在基板上，像素陣列更包含隔著剝離層而設置的基板。
又，本發明的第4形態的放射線檢測器在第2形態或第3形態的放射線檢測器的基礎上，還具備：黏接層，具有在包含於轉換層的外緣到基板的外緣之間之區域覆蓋基板之部分；及保護層，覆蓋積層體和黏接層，該積層體包含轉換層、積層於轉換層之黏著層、及積層於黏著層之反射層。
又，本發明的第5形態的放射線檢測器在第4形態的放射線檢測器的基礎上，黏接層所覆蓋之區域包含積層體的與基板相對向之面的至少一部分。
又，本發明的第6形態的放射線檢測器的黏著層在第1形態至第5形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，設置在包含轉換層的中央部之區域。
又，本發明的第7形態的放射線檢測器在第1形態至第5形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，黏著層在內含像素陣列之區域覆蓋轉換層。
又，本發明的第8形態的放射線檢測器在第1形態至第7形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層包含黏著層側成為末端之CsI的柱狀結晶。
又，本發明的第9形態的放射線檢測器在第8形態的放射線檢測器的基礎上，柱狀結晶的末端亦可以侵入於黏著層。
又，本發明的第10形態的放射線檢測器在第1形態至第7形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層為塗佈於像素陣列且分散有GOS之樹脂層。
又，本發明的第11形態的放射線檢測器在第1形態至第10形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，反射層的材料為白色PET。
又，本發明的第12形態的放射線檢測器在第11形態的放射線檢測器的基礎上，反射層的厚度為10 μm以上且40 μm以下。
又，本發明的第13形態的放射線檢測器在第1形態至第12形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，反射層設置在與像素陣列對應之區域。
又，本發明的第14形態的放射線檢測器在第1形態至第13形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，就反射層而言，黏著層的折射率與轉換層的折射率之差小於空氣中的折射率與轉換層的折射率之差。
又，本發明的第15形態的放射線檢測器在第1形態至第14形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層的周緣部具有越向外側厚度變得越薄之傾斜。
又，本發明的第16形態的放射線檢測器在第1形態至第14形態中的任一形態的放射線檢測器的基礎上，轉換層至少覆蓋包含像素陣列之區域。
本發明的第17形態的放射線圖像攝影裝置，其具備：第1形態至第16形態中的任一形態的放射線檢測器；控制部，輸出用於讀取積蓄在複數個像素中之電荷之控制訊號；驅動部，根據控制訊號，從複數個像素讀取電荷；及訊號處理部，輸入與從複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並生成與所輸入之電訊號對應之圖像資料而輸出至控制部。 [發明效果]
依本發明，能夠得到高畫質的放射線圖像。
以下，參閱附圖對本發明的實施形態進行詳細說明。另外，本實施形態並不限定本發明。
[第1實施形態] 本實施形態的放射線檢測器具有檢測透射了被攝體之放射線而輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像資料之功能。本實施形態的放射線檢測器具備TFT（Thin Film Transistor（薄膜電晶體））基板及將放射線轉換成光線之轉換層（參閱圖3，放射線檢測器10的TFT基板12及轉換層14）。
首先，參閱圖1對本實施形態的放射線檢測器中的TFT基板12的構成的一例進行說明。如圖1所示，本實施形態的TFT基板12為在基材11的像素區域35形成有包含複數個像素30之像素陣列31之基板。亦即，TFT基板12為基材11自身具備像素陣列31之基板。因此，以下，由於設置有“像素陣列31”之區域的定義與“像素區域35”相同，因此對於“像素陣列31”，有時會稱為“像素區域35”，又，“像素區域35”有時會稱為“像素陣列31”。本實施形態的TFT基板12為本發明的具備像素陣列之基板的一例。
基材11例如為無鹼玻璃等玻璃基板或包含聚醯亞胺等塑膠之樹脂薄片等。作為樹脂薄片的具體例，可舉出XENOMAX（註冊商標）。又，基材11可以具有可撓性，此時，作為基材11，上述樹脂薄片或比較薄的玻璃基板等為較佳。若考慮可撓性，則例如基材11為樹脂薄片時，厚度為5 μm～125 μm者為較佳。又，例如基材11為玻璃基板時，通常在一邊為43 cm以下的尺寸下，若厚度為0.3 mm以下則具有可撓性，因此厚度為0.3 mm以下者為較佳。
每個像素30包含感測器部34及開關元件32。感測器部34根據由轉換層轉換之光線而產生電荷並積蓄。開關元件32讀取由感測器部34積蓄之電荷。本實施形態中，作為一例，將薄膜電晶體（TFT）用作開關元件32。因此，以下將開關元件32稱為“TFT32”。
複數個像素30在TFT基板12的像素區域35中二維狀地配置在一個方向（與圖1的橫方向對應之掃描配線方向，以下還稱為“行方向”）及與行方向交叉之交叉方向（與圖1的縱方向對應之訊號配線方向，以下還稱為“列方向”）上。圖1中，簡化示出了像素30的排列，例如在行方向及列方向上配置1024個×1024個像素30。
又，放射線檢測器10中相互交叉而設置有複數個掃描配線38和複數個訊號配線36，複數個掃描配線38用於控制TFT32的開關狀態（開啟及關閉），複數個訊號配線36存在於像素30的每一列，並且讀取積蓄在感測器部34之電荷。複數個掃描配線38中的各配線經由分別設置在TFT基板12之襯墊（省略圖示）而與放射線檢測器10的外部驅動部（參閱圖25及圖26，驅動部103）連接，藉此使從驅動部輸出且控制TFT32的開關狀態之控制訊號流過。又，複數個訊號配線36中的各配線經由分別設置在TFT基板12之襯墊（省略圖示）而與放射線檢測器10的外部的訊號處理部（參閱圖25及圖26，訊號處理部104）連接，藉此將從各像素30讀取之電荷輸出至訊號處理部。
又，為了向各像素30施加偏壓，各像素30的感測器部34中，在訊號配線36的配線方向上設置有共用配線39。共用配線39經由設置在TFT基板12之襯墊（省略圖示）而與放射線檢測器10的外部的偏壓電源連接，藉此從偏壓電源向各像素30施加偏壓。
本實施形態的放射線檢測器10中，在TFT基板12上形成有轉換層14。圖2係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖3係圖2中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。另外，以下在放射線檢測器10的結構中稱為“上”時，表示在以TFT基板12側為基準之位置關係中為上。
如圖2及圖3所示，本實施形態的轉換層14設置在包含TFT基板12的像素區域35之一部分區域上。如此，本實施形態的轉換層14未設置在TFT基板12的外周部的區域上。
本實施形態中，作為轉換層14的一例，使用包含CsI（碘化銫）之閃爍體。作為這樣的閃爍體，例如包含照射X線時的發射光譜為400 nm～700 nm之CsI:Tl（添加有鉈之碘化銫）或CsI:Na（添加有鈉之碘化銫）為較佳。另外，CsI:Tl的可見光區域中的發射峰值波長為565 nm。
如圖5所示之一例，本實施形態的放射線檢測器10中，轉換層14在TFT基板12上藉由真空蒸鍍法、濺射法及CVD（Chemical Vapor Deposition（化學氣相沉積））法等氣相沉積法而直接形成為條狀的柱狀結晶14A。作為轉換層14的形成方法，例如可舉出如下真空蒸鍍法，亦即，當使用CsI:Tl作為轉換層14時，在真空度為0.01 Pa～10 Pa的環境下，利用電阻加熱式坩堝等加熱機構對CsI:Tl進行加熱而使其氣化，並將TFT基板12的溫度設為室溫（20℃）～300℃而使CsI:Tl沉積在TFT基板12上。作為轉換層14的厚度，100 μm～800 μm為較佳。
另外，本實施形態中，將轉換層14的柱狀結晶14A的、生長方向的基點側（本實施形態中的TFT基板12側）的端部稱為“根部”，將生長方向上與根部相反一側的尖端部稱為“末端”。
又，本實施形態的轉換層14如上述那樣藉由氣相沉積法而形成，因此如圖3所示，轉換層14的外周部總體上具有越向外側厚度變得越薄之傾向，因此，具有越向外側厚度變得越薄之傾斜。本實施形態中，以在忽略製造誤差及測定誤差時厚度被視為大致恆定之、從轉換層14的中央到預先設定之範圍內的轉換層14的厚度的平均值為基準，作為一例，如圖4所示那樣將相對於基準厚度之相對膜厚（以下，還稱為“相對膜厚”）為90%以下的外周區域稱為“周緣部（周緣部14C）”。又，如圖4所示，將被周緣部14C所包圍之轉換層14的區域稱為“中央部（中央部14B）”。換言之，“中央部”係指至少包含轉換層14的厚度大致恆定的部分，且還包含相對膜厚超過90%之部分之區域。本實施形態中，作為具體例，將在從轉換層14的外周距離5 mm以內的區域內，且相對膜厚為90%以下的外周區域稱為“周緣部（周緣部14C）”。因此，如圖3及圖4等所示，周緣部14C具有隨著轉換層14的厚度朝向外周而逐漸變薄之傾向。
而且，如圖2～圖5所示，本實施形態的放射線檢測器10具備黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22。
作為一例，如圖2及圖3所示，黏著層16設置在包含轉換層14的周緣部14C的一部分及整個中央部14B之區域上。又，如圖5所示，本實施形態的放射線檢測器10中，轉換層14的末端侵入到黏著層16。
本實施形態的黏著層16為光透射性層，作為黏著層16的材料，可舉出丙烯酸系黏著劑、熱熔系黏著劑及聚矽氧系黏接劑等。作為丙烯酸系黏著劑，例如可舉出聚胺酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯及環氧丙烯酸酯等。作為熱熔系黏著劑，例如可舉出EVA（乙烯･乙酸乙烯酯共聚樹脂）、EAA（乙烯與丙烯酸的共聚樹脂）、EEA（乙烯-丙烯酸乙酯共聚樹脂）及EMMA（乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物）等熱塑性塑膠。
本實施形態中，黏著層16的厚度X為2 μm以上且7 μm以下。又，雖然根據材料而不同，但黏著層16的折射率大致為1.5左右。
另一方面，作為一例，如圖2及圖3所示，反射層18設置在黏著層16上，並覆蓋黏著層16其本身的整個上表面。反射層18具有將由轉換層14轉換之光線反射到TFT基板12側之功能。
作為反射層18的材料，使用有機系材料者為較佳，例如，將白色PET（Polyethylene Terephthalate（聚對苯二甲酸乙二酯））、TiO2
、Al2
O3
、發泡白色PET、聚酯系高反射薄片及鏡面反射鋁等中的至少1種用作材料者為較佳。尤其，從反射率的觀點考慮，將白色PET用作材料者為較佳。
另外，白色PET係指在PET上添加有TiO2
或硫酸鋇等白色顏料者。又，聚酯系高反射薄片係指具有疊加有複數個薄的聚酯薄片之多層結構之薄片（薄膜）。又，發泡白色PET係指表面成為多孔質之白色PET。
本實施形態中，反射層18的厚度設為10 μm以上且40 μm以下。若反射層18的厚度變厚，則反射層18的外周部的上表面與轉換層14的上表面之間的段差增大。本實施形態中，對於黏接層20及保護層22，與上述之黏著層16相同地，藉由將黏接層20及保護層22的薄片（薄膜）貼合於已形成有反射層18之狀態的TFT基板12上而製造放射線檢測器10。若上述段差較大，則在反射層18上貼合黏接層20及保護層22時，有時會導致在該段差部分黏接層20及保護層22的至少一者翹起。
又，若反射層18的厚度變厚，則可以說成為具有剛性之狀態，因此有時變得難以沿著轉換層14的周緣部14C的傾斜而彎曲，從而變得難以加工。
從該等觀點進行研究之結果，在本實施形態的放射線檢測器10中使用白色PET作為反射層18的材料時，如上述那樣將反射層18的厚度設為40 μm以下。
另一方面，反射層18的厚度變得越薄，反射率越下降。若反射率下降，則藉由放射線檢測器10而得到之放射線圖像的畫質亦具有下降之傾向。因此，從藉由放射線檢測器10而得到之放射線圖像的畫質的觀點考慮，考慮所期望的反射率（例如，80%）而設定反射層18的厚度的下限值為較佳。在本實施形態的放射線檢測器10中使用白色PET作為反射層18的材料時，如上述那樣將反射層18的厚度設為10 μm以上。
另一方面，作為一例，如圖2及圖3所示，黏接層20設置在包含整個轉換層14（反射層18）及轉換層14的周緣部14C附近的TFT基板12之區域上。換言之，本實施形態的黏接層20覆蓋整個黏著層16及反射層18，並且覆蓋包含於轉換層14的外緣至基板12的外緣之間之區域之TFT基板12的表面的一部分。黏接層20具有將反射層18固定於TFT基板12及轉換層14之功能。
作為黏接層20的材料，例如可舉出與黏著層16相同的材料。
而且，作為一例，如圖2及圖3所示，保護層22設置在黏接層20上。本實施形態的保護層22覆蓋積層體19和黏接層20。積層體19包含轉換層14、積層於轉換層14之黏著層16、及積層於黏著層16之反射層18。本實施形態的保護層22具有保護轉換層14免受濕氣等水分的影響之功能。又，本實施形態的保護層22具有與黏接層20一同將反射層18固定於TFT基板12及轉換層14之功能。
作為保護層22的材料，例如可舉出有機膜。作為有機膜，例如可舉出PET、PPS（PolyPhenylene Sulfide（聚苯硫醚））、OPP（Oriented PolyPropylene（定向聚丙烯））、PEN（PolyEthylene Naphthalate（聚萘二甲酸乙二酯））、PI（PolyImide（聚醯亞胺））等。又，作為保護層22，亦可使用藉由使鋁箔與聚對苯二甲酸乙二酯等絕緣性薄片（薄膜）進行黏接等而將鋁積層而成之ALPET（註冊商標）薄片。
本發明人等發現黏著層16的厚度X與關於藉由放射線檢測器10而得到之放射線圖像的畫質之性能（以下，簡稱為放射線檢測器10的“性能”）之間的關係，因此參閱圖6進行說明。圖6中示出表示黏著層16的厚度X與放射線檢測器10的性能之間的對應關係的一例之圖表。
圖6所示之對應關係中，作為放射線檢測器10的性能，對靈敏度、MTF（Modulation Transfer Function（調變轉換函數））、及DQE（Detective Quantum Efficiency（量子檢測效率））進行評價。又，關於性能，將放射線的放射質量依據IEC（International Electrotechnical Commission（國際電機工業委員會））標準的IEC62220-1，以RQA5條件、且將放射線的劑量（吸收劑量）設為2.5 μGy而進行測定，並且作為將藉由圖27中示出的一例之未設置黏著層16的比較例的放射線檢測器100而測定之測定值設為100之相對值而進行了評價。
又，在進行性能測定時使用了如下放射線檢測器，亦即，在具備150μm見方的大小的像素30之TFT基板12上，對形成了使用了CsI之轉換層14之狀態者貼合黏著層16的薄片（薄膜），進一步在黏著層16上依序貼合反射層18、黏接層20及保護層22而成之放射線檢測器。作為黏著層16的薄片，使用了從100 m的輥狀黏著片上切出之薄片。因此，關於黏著層16的厚度，使用SEM（Scanning Electron Microscope（掃描電子顯微鏡）），對該輥的始端及終端各部分在寬度方向上不同之3處位置（共計6處位置）的厚度進行了測定，並將測定值的平均值設為黏著層的厚度X。又，作為黏著層16，使用了將丙烯酸系黏著劑作為材料者。另外，即使在作為黏著層16而使用了熱熔系黏著劑作為材料者的情況下，關於黏著層16的厚度X與放射線檢測器10的性能之間的對應關係，亦得到與圖6相同的傾向。
黏著層16的厚度X變得越厚，亦即轉換層14與反射層18之間的間隔越寬，導致由轉換層14轉換之光線在黏著層16內越模糊，因此作為結果，藉由放射線檢測器10得到之放射線圖像成為模糊之圖像。因此，如圖6所示，黏著層16的厚度X變得越厚，MTF及DQE越降低，並且其降低程度亦增加。
依據圖6所示之一例的對應關係，若黏著層16的厚度X超過7 μm，則DQE的降低程度進一步增加，導致比未設置黏著層16時（厚度X為0 μm時）更加降低。因此，在本實施形態的放射線檢測器10中，將黏著層16的厚度X設為7 μm以下。
如此，從抑制上述之光線模糊之觀點考慮，黏著層16的厚度X薄為較佳，如圖27所示之比較例的放射線檢測器100，未設置黏著層16時（厚度X為0μm時）為更佳。但是，未設置黏著層16時，在圖27所示之比較例的放射線檢測器100的情況下，在轉換層14與反射層18之間，會導致微小的空氣層（省略圖示）進入到區域102。尤其，當轉換層14包含柱狀結晶14A時，由於柱狀結晶14A的末端較尖，因此空氣變得容易進入到轉換層14與反射層18之間。
藉此，導致由轉換層14轉換且朝向反射層18之光線在空氣層與轉換層14之間、及在空氣層與反射層18之間發生多重反射。空氣中的折射率約為1，轉換層14的折射率雖然根據其材料而不同，但在包含CsI時，大致為1.8左右。如此，由於空氣中的折射率與轉換層14之間的折射率之差比較大，因此由反射層18反射之光線具有容易在空氣層與轉換層14的界面進行反射，並難以返回轉換層14之傾向。
由於多重反射而導致光線衰減，因此有助於由像素陣列31的像素30的感測器部34進行之電荷的產生之光線減少，其結果，如圖6所示，導致靈敏度及DQE降低。
另一方面，圖5中示出一例之設置有黏著層16時的放射線檢測器10中，很難在轉換層14與反射層18之間產生如上述那種空氣層。尤其，如圖5所示之一例，當轉換層14的柱狀結晶14A的末端侵入到黏著層16時，更難以產生空氣層。因此，很難發生如上述那種多重反射。
又，如上述那樣黏著層16的折射率大致為1.5。因此，黏著層16的折射率與轉換層14之間的折射率之差小於空氣中的折射率與轉換層14的折射率之差。因此，與空氣層相比，黏著層16更難以在與轉換層14之間發生反射，由反射層18反射之光線容易返回轉換層14。
依據圖6所示之一例的對應關係，當黏著層16的厚度X小於2 μm時，與黏著層16的厚度為2 μm時相比，靈敏度及DQE降低。因此，在本實施形態的放射線檢測器10中，將黏著層16的厚度X設為2 μm以上。另外，上述之黏著層16的輥的厚度的公差通常為±2 μm左右。此時，若將黏著層16的厚度X設為小於公差亦即2 μm，則在轉換層14與黏著層16之間可能會產生空氣層，因此並非為較佳。
另外，黏著層16具有將反射層18固定於轉換層14之功能，若黏著層16的厚度X為2 μm以上，則會得到抑制反射層18相對於轉換層14在面內方向（與厚度方向交叉之方向）偏離之充分的效果。
如此，圖2～圖5所示之本實施形態的放射線檢測器10中，在包含TFT基板12的像素區域35之區域上設置有轉換層14，在包含轉換層14的周緣部14C的一部分及中央部14B之區域上設置有黏著層16，在黏著層16上設置有反射層18。又，本實施形態的放射線檢測器10中，在包含整個轉換層14（反射層18）及轉換層14的周緣部14C附近的TFT基板12之區域上設置有黏接層20，在黏接層20上設置有保護層22。
而且，本實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16的厚度X為2 μm以上且7 μm以下。
藉此，依據本實施形態的放射線檢測器10，由轉換層14從放射線轉換之光線容易入射到像素陣列31（TFT基板12），並且所得之放射線圖像的模糊得到抑制。
另外，圖2～圖5所示之本實施形態的放射線檢測器10中，在為基材11的厚度比較厚之玻璃基板等時，在TFT基板12上如上述那樣依序形成轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22即可。另一方面，當基材11為比較薄的基板，例如為具有可撓性之基板時，如圖7所示之一例，在厚度比基材11厚的玻璃基板等支撐體50上經由剝離層52，例如利用層壓法等而形成TFT基板12。而且，與上述相同地依序形成轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22之後，利用剝離層52將TFT基板12從支撐體50上剝離。剝離方法並無特別限定，例如層壓法中，將TFT基板12（基材11）的四個邊中的任意一個邊作為剝離的起點，從成為起點之邊向相對向之邊，逐漸從支撐體50剝下TFT基板12，藉此進行機械剝離即可。又，例如，雷射剝離（laser Lift Off）法中，從支撐體50的背面（與設置有TFT基板12之面相反一側的面）照射雷射，藉由透射了支撐體50之雷射使剝離層52分解，藉此從支撐體50上剝離TFT基板12即可。
[第2實施形態] 繼而，對第2實施形態進行說明。另外，本實施形態的放射線檢測器10中，設置黏著層16及反射層18之區域與第1實施形態不同，因此參閱附圖，對設置黏著層16及反射層18之區域進行說明。
圖8係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖9係圖8中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖8及圖9所示，本實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16及反射層18設置在包含中央部及周緣部之轉換層14上的整個區域。換言之，本實施形態的黏著層16及反射層18覆蓋轉換層14的整個上表面。另一方面，本實施形態的黏著層16及反射層18並未直接設置在TFT基板12上。
如此，依據圖8及圖9所示之本實施形態的放射線檢測器10，與第1實施形態的放射線檢測器10相比，反射層18較大且覆蓋轉換層14的整個上表面，因此容易反射來自轉換層14的光線。
[第3實施形態] 繼而，對第3實施形態進行說明。另外，本實施形態的放射線檢測器10中，設置黏著層16及反射層18之區域與上述各實施形態不同，因此參閱附圖，對設置黏著層16及反射層18之區域進行說明。
圖10係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖11係圖10中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖10及圖11所示，與第2實施形態的放射線檢測器10相同地，本實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16及反射層18設置在包含中央部及周緣部之轉換層14上的整個區域。換言之，本實施形態的黏著層16及反射層18覆蓋轉換層14的整個上表面。又，與第2實施形態的放射線檢測器10不同地，本實施形態的放射線檢測器10中，設置有黏著層16及反射層18之區域到達至轉換層14的外周附近的TFT基板12上。換言之，本實施形態的放射線檢測器10中，在轉換層14的外周附近的TFT基板12上直接設置有黏著層16及反射層18。
如此，依據圖10及圖11所示之本實施形態的放射線檢測器10，與第1實施形態的放射線檢測器10相比，反射層18較大且覆蓋轉換層14的整個上表面，因此容易反射來自轉換層14的光線。又，依據本實施形態的放射線檢測器10，黏著層16及反射層18到達至TFT基板12上，因此能夠將反射層18更穩定地固定於TFT基板12及轉換層14。
[第4實施形態] 繼而，對第4實施形態進行說明。另外，本實施形態的放射線檢測器10中，設置黏接層20之區域與第1實施形態不同，因此參閱附圖，對設置黏接層20之區域進行說明。
圖12係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖13係圖12中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖12及圖13所示，本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20設置在從轉換層14的周緣部附近的TFT基板12至反射層18（黏著層16）的外周部之區域上。亦即，本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20未覆蓋反射層18及轉換層14的整個上表面。如此，黏接層20設置在反射層18的外周上，藉此，本實施形態的放射線檢測器10中，能夠利用黏接層20抑制反射層18的、尤其是端部從轉換層14的剝離。
如此，依據圖12及圖13所示之本實施形態的放射線檢測器10，黏接層20未覆蓋轉換層14的整個上表面，因此能夠抑制放射線因從保護層22側進行照射並到達至轉換層14為止透射黏接層20而衰減的情況。
[第5實施形態] 繼而，對第5實施形態進行說明。另外，本實施形態的放射線檢測器10中，設置黏著層16及反射層18之區域與第3實施形態相同，設置黏接層20之區域與第4實施形態大致相同。參閱附圖，對設置黏著層16、反射層18及黏接層20之區域進行說明。
圖14係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖15係圖14中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖14及圖15所示，本實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16及反射層18設置在包含中央部及周緣部之轉換層14上的整個區域、及轉換層14的外周附近的TFT基板12上的區域。又，本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20設置在從轉換層14的周緣部附近的TFT基板12至反射層18（黏著層16）的外周部之區域上。
如此，依據圖14及圖15所示之本實施形態的放射線檢測器10，反射層18覆蓋轉換層14的整個上表面，因此容易反射來自轉換層14的光線。又，依據本實施形態的放射線檢測器10，黏著層16及反射層18到達至TFT基板12上，因此能夠將反射層18更穩定地固定於TFT基板12及轉換層14。而且，本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20未覆蓋轉換層14的整個上表面。因此，依據本實施形態的放射線檢測器10，能夠抑制放射線因從保護層22側進行照射並到達至轉換層14為止透射黏接層20而衰減的情況。
[第6實施形態] 繼而，對第6實施形態進行說明。另外，本實施形態的放射線檢測器10中，設置黏接層20之區域與第1實施形態不同，因此參閱附圖，對設置黏接層20之區域進行說明。
圖16係從形成有轉換層14之一側觀察本實施形態的放射線檢測器10之平面圖。又，圖17係圖16中的放射線檢測器10的A-A線剖面圖。
如圖16及圖17所示，本實施形態的放射線檢測器10中，黏接層20設置在轉換層14的外周附近的TFT基板12的區域上，並未設置在轉換層14及反射層18上。
如此，依據圖16及圖17所示之本實施形態的放射線檢測器10，黏接層20未覆蓋轉換層14的上表面，因此能夠進一步抑制放射線因從保護層22側進行照射並到達至轉換層14為止透射黏接層20而衰減的情況。
[第7實施形態] 上述各實施形態中，對具備在基材11的像素區域35設置有像素陣列31之TFT基板12之放射線檢測器10進行了說明。本實施形態中，對不具有基材11的放射線檢測器10進行說明。
圖18示出本實施形態的放射線檢測器10的一例的剖面圖。如圖18所示，本實施形態的放射線檢測器10與第1實施形態的放射線檢測器10（參閱圖2及圖3）相同地，具備像素陣列31、轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22。
又，如圖18所示，本實施形態的放射線檢測器10在不具備基材11（TFT基板12）這一方面與第1實施形態的放射線檢測器10（參閱圖3及圖4）不同。換言之，本實施形態中，在基材11（TFT基板12）上未設置像素區域35這一方面與第1實施形態的放射線檢測器10不同。
本實施形態的放射線檢測器10如下製造：在成為支撐體之基板60上，隔著剝離層62而設置像素陣列31之後，進一步形成轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22，然後利用剝離層62而剝離基板60。由於如此進行製造，因此本實施形態的放射線檢測器10不具備玻璃基板等基材11。
作為基板60，例如與參閱上述圖7而說明之支撐體50相同地，能夠使用玻璃基板等。又，作為剝離層62，係用於從像素陣列31剝離基板60者，利用熱方法、光學方法及化學方法中的至少1種方法，並藉由活化之有機或無機材料而形成。作為將剝離層62活化之方法的具體例，可舉出蝕刻。另外，本實施形態的基板60為設置有本發明的剝離層之基板的一例。
又，如圖19所示之一例，本實施形態的放射線檢測器10亦可以在像素陣列31與轉換層14之間具備阻擋層64等具有預先設定之功能之其他層。圖19所示之放射線檢測器10中，藉由設置阻擋層64，轉換層14中所含之熒光材料擴散於像素陣列31，因此能夠抑制像素30劣化。又，當藉由蝕刻將剝離層62活化時，阻擋層64發揮蝕刻停止（etch stop）功能。作為這樣的阻擋層64，能夠適用氮化矽等無機材料、或聚醯亞胺或BCB（Benzocyclobutene（苯環丁烯））等有機材料。
又，本實施形態的放射線檢測器10可以還具備隔著像素陣列31而與轉換層14相對向之轉換層。例如，圖20所示之一例中示出如下狀態，亦即，一對轉換層14、黏著層16、反射層18、黏接層20及保護層22設置成隔著像素陣列31及阻擋層66而相對向之狀態。作為此時的阻擋層66，能夠使用與上述阻擋層64相同者。
又，例如，圖21所示之一例中示出隔著像素陣列31及黏著層68與轉換層14相對向且還設置有轉換層74之狀態。作為此時的黏著層68，能夠使用與上述黏著層16相同者。又，作為此時的轉換層74，能夠適用GOS（Gd2
O2
S:Tb）等分散於樹脂等黏合劑者。
又，例如，如圖20所示之放射線檢測器10或如圖21所示之放射線檢測器10，本實施形態的放射線檢測器10中，放射線檢測器10具備相對向之兩個轉換層時，亦可以在轉換層彼此之間設置與各轉換層對應之像素陣列31。換言之，放射線檢測器10亦可以在照射到放射線之面相對向之狀態下，具備2組像素陣列31及轉換層（轉換層14或轉換層74）。另外，此時，為了減少像素陣列31彼此的光學串擾，亦可以在轉換層彼此之間設置遮光層。
如此，圖18～圖21所示之本實施形態的放射線檢測器10中，在像素陣列31上設置有轉換層14，在包含轉換層14的周緣部14C的一部分及中央部14B之區域上設置有黏著層16，在黏著層16上設置有反射層18。又，本實施形態的放射線檢測器10中，在包含整個轉換層14（反射層18）及轉換層14的周緣部14C附近的剝離層62（基板60）之區域上設置有黏接層20，在黏接層20上設置有保護層22。又，在本實施形態的放射線檢測器10中，亦與第1實施形態的放射線檢測器10相同地，黏著層16的厚度X為2 μm以上且7 μm以下。
藉此，依據本實施形態的放射線檢測器10，由轉換層14從放射線轉換之光線容易入射到像素陣列31，並且所得之放射線圖像的模糊得到抑制。
如以上說明，上述各實施形態的放射線檢測器10具有依序設置有下述構件之部分：像素陣列31，形成有積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷之複數個像素30；轉換層14，將放射線轉換成光線；光透射性黏著層16，厚度為2 μm以上且7 μm以下；及反射層18，使由轉換層14轉換之光線反射到像素陣列31。
又，上述各實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16覆蓋包含轉換層14的中央部之區域。又，上述各實施形態的放射線檢測器10中，黏著層16在內含像素陣列31之區域上覆蓋轉換層14。
藉由上述構成，依據上述各實施形態的放射線檢測器10，由轉換層14從放射線轉換之光線容易入射到像素陣列31，並且所得之放射線圖像的模糊得到抑制。
因此，依據上述各實施形態的放射線檢測器10，能夠得到高畫質的放射線圖像。
又，上述各實施形態的放射線檢測器10中，反射層18的側面被黏接層20及保護層22或保護層22覆蓋。當反射層18的側面露出時，濕氣等水分可能會從露出之部分侵入到內部，但上述各實施形態的放射線檢測器10中，由於反射層18的側面至少被保護層22覆蓋，因此能夠提高防濕效果。
另外，上述各實施形態的放射線檢測器10中，對設置有反射層18之區域與設置有黏著層16之區域相同之形態進行了說明，但並不限定於該形態。例如，如圖22所示之一例，亦可以設為在黏著層16的上表面的一部分區域而非黏著層16的整個上表面設置有反射層18之形態。
又，像素區域35與轉換層14、黏著層16及反射層18之間的配置關係亦不限定於上述各實施形態。例如，上述各實施形態中，對反射層18覆蓋整個像素陣列31（像素區域35）之形態進行了說明，但如圖23所示之一例，亦可以為反射層18未覆蓋像素陣列31（像素區域35）的外周部之形態。另外，如上述各實施形態的放射線檢測器10，與圖23所示之放射線檢測器10相比，反射層18覆蓋整個像素陣列31（像素區域35）之形態會提高根據位於像素陣列31（像素區域35）的外周部之像素30而得到之放射線圖像的畫質。
又，例如，上述各實施形態中，對像素陣列31（像素區域35）的外周到達至轉換層14的周緣部14C之形態進行了說明，但如圖24所示之一例，亦可以為像素陣列31（像素區域35）的外周在中央部14B內、亦即像素陣列31（像素區域35）的大小小於轉換層14的中央部14B的大小之形態。由轉換層14從放射線轉換之光量具有轉換層14的厚度變薄時減少之傾向，但如這樣在圖24所示之一例的形態中，由於像素陣列31（像素區域35）上的轉換層14的厚度變得大致均勻，因此像素陣列31的靈敏度特性提高。
又，上述各實施形態中，如圖1所示那樣對像素30以矩陣狀二維排列之形態進行了說明，但並不限定於此，例如亦可以為一維排列，亦可以為蜂窩排列。又，像素的形狀亦並無限定，可以為矩形，亦可以為六邊形等多邊形。而且，當然像素陣列31（像素區域35）的形狀亦並無限定。
又，轉換層14的形狀等亦不限定於上述各實施形態。上述各實施形態中，對轉換層14的形狀與像素陣列31（像素區域35）的形狀相同地為矩形形狀之形態進行了說明，但轉換層14的形狀亦可以為不與像素陣列31（像素區域35）相同的形狀。又，像素陣列31（像素區域35）的形狀例如亦可以為其他多邊形，亦可以為圓形，而非矩形形狀。
另外，上述各實施形態中，作為一例，對放射線檢測器10的轉換層14為包含CsI之閃爍體之形態進行了說明，但轉換層14亦可以為GOS等分散於樹脂等的黏合劑之閃爍體。使用GOS之轉換層14例如藉由如下形成：在TFT基板12或剝離層62等上直接塗佈分散有GOS之黏合劑之後，進行乾燥並使其固化而形成。作為轉換層14的形成方法，例如，亦可以採用一邊控制塗佈膜的厚度一邊在形成轉換層14之區域塗佈塗佈液之Giza法。另外，此時，在塗佈分散有GOS之黏合劑之前，亦可以進行用於將像素陣列31的表面活化之表面處理。又，在像素陣列31的表面，層間絕緣膜亦可以設置表面保護膜。
像素陣列31的表面產生數μm左右的凹凸。因此，若在像素陣列31的表面上直接塗佈使用了GOS之轉換層14，則在轉換層14的表面上亦產生凹凸。因該凹凸而產生空氣層，與上述之使用了CsI之轉換層14相同地，由轉換層14轉換且朝向反射層18之光線在空氣層與轉換層14之間、及空氣層與反射層18之間發生多重反射而導致衰減。有助於藉由像素陣列31的像素30的感測器部34進行之電荷的產生之光線減少，其結果，導致靈敏度及DQE降低。
因此，能夠藉由設置黏著層16，而難以產生因凹凸而產生之空氣層。因此，不易發生如上述那種多重反射。但是，在第1實施形態中，如上述那樣當黏著層16的厚度X薄時，靈敏度及DQE降低。另一方面，黏著層16的厚度X變得越厚，藉由放射線檢測器10而得到之放射線圖像成為模糊之圖像。因此，在使用了GOS之轉換層14中，亦與使用了CsI之轉換層14相同地，黏著層16的厚度X設為2 μm以上且7 μm以下。
另外，上述各實施形態的放射線檢測器10亦可以適用於從TFT基板12側照射放射線之表面讀取方式（ISS：Irradiation Side Sampling方式）的放射線圖像攝影裝置中，亦可以適用於從轉換層14側照射放射線之背面讀取方式（PSS：Penetration Side Sampling方式）的放射線圖像攝影裝置中。
圖25中示出在表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置1中適用了第1實施形態的放射線檢測器10之狀態的一例的剖面圖。
如圖25所示，在箱體120內，在與放射線的入射方向交叉之方向上並排設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10中，在透射了被攝體之放射線照射到之箱體120的攝影面120A側，像素陣列31的未設置轉換層14之一側設置成相對向之狀態。
控制基板110為形成有記憶與從像素陣列31的像素30讀取之電荷對應之圖像資料之圖像記憶體210、或控制來自像素30的電荷的讀取等之控制部212等之基板，並且藉由包含複數個訊號配線之柔性電纜112而與像素陣列31的像素30電連接。另外，圖25所示之放射線圖像攝影裝置1設為在柔性電纜112上設置有藉由控制部212的控制而對像素30的TFT32的開關狀態進行控制之驅動部103、及生成並輸出與從像素30讀取之電荷對應之圖像資料之訊號處理部104之、所謂的COF（Chip On Film（薄膜覆晶）），但驅動部103及訊號處理部104中的至少一者亦可以形成在控制基板110上。
又，控制基板110藉由電源線114而與形成在控制基板110之圖像記憶體或210或向控制部212等供給電源之電源部108連接。
在圖25所示之放射線圖像攝影裝置1的箱體120內，在射出透射了放射線檢測器10之放射線之一側還設置有薄片116。作為薄片116，例如可舉出銅製薄片。銅製薄片因所入射之放射線而難以產生2次放射線，因此具有防止向後側亦即轉換層14側散射之功能。另外，薄片116至少覆蓋轉換層14的射出放射線之一側的整個面，又，覆蓋整個轉換層14為較佳。
又，在圖25所示之放射線圖像攝影裝置1的箱體120內，在放射線所入射之一側（攝影面120A側）還設置有保護層117。作為保護層117，能夠適用使鋁箔黏接於絕緣性薄片（薄膜）等而將鋁進行積層之ALPET（註冊商標）薄片、派瑞林（註冊商標）膜、及聚對苯二甲酸乙二酯等絕緣性薄片等的防濕膜。保護層117對像素陣列31具有防濕功能及抗靜電功能。因此，保護層117至少覆蓋像素陣列31的放射線所入射之一側的整個面為較佳，覆蓋放射線所入射之一側的TFT基板12的整個面為較佳。
另外，圖25中示出將電源部108及控制基板110這兩者設置在放射線檢測器10的一側、具體而言設置在矩形形狀的像素陣列31的一個邊側之形態，但設置電源部108及控制基板110之位置並不限定於圖25所示之形態。例如，亦可以將電源部108及控制基板110分散設置在像素陣列31的相對向之2個邊的每一個上，亦可以分散設置在相鄰之2個邊的每一個上。
又，圖26中示出在表面讀取方式的放射線圖像攝影裝置1中適用了第1實施形態的放射線檢測器10之狀態的另一例的剖面圖。
如圖26所示，在箱體120內，在與放射線的入射方向交叉之方向上並排設置有電源部108及控制基板110，放射線檢測器10與電源部108及控制基板110在放射線的入射方向上並排設置。
又，圖26所示之放射線圖像攝影裝置1中，在控制基板110及電源部108與薄片116之間設置有支撐放射線檢測器10及控制基板110之基座118。基座118中例如使用碳等。
此外，上述各實施形態中說明之放射線檢測器10等的構成或製造方法等為一例，在不脫離本發明的宗旨的範圍內，當然能夠根據狀況而進行變更。 於2016年12月26日申請的日本專利申請2016-251802號的發明、及於2017年6月28日申請的日本專利申請2017-126682號的發明，其全部內容藉由參閱收入本說明書中。 本說明書中所記載之所有文獻、專利申請及技術標準，以與具體且個別記載了藉由參閱收入個別文獻、專利申請及技術標準的情況相同程度地，藉由參閱收入本說明書中。
1‧‧‧放射線圖像攝影裝置
10、100‧‧‧放射線檢測器
11‧‧‧基材
12‧‧‧TFT基板
14、74‧‧‧轉換層
14A‧‧‧柱狀結晶
14B‧‧‧中央部
14C‧‧‧周緣部
16、68‧‧‧黏著層
18‧‧‧反射層
19‧‧‧積層體
20‧‧‧黏接層
22‧‧‧保護層
30‧‧‧像素
31‧‧‧像素陣列
32‧‧‧TFT
34‧‧‧感測器部
35‧‧‧像素區域
36‧‧‧訊號配線
38‧‧‧掃描配線
39‧‧‧共用配線
50‧‧‧支撐體
52、62‧‧‧剝離層
60‧‧‧基板
64、66‧‧‧阻擋層
74‧‧‧轉換層
102‧‧‧區域
103‧‧‧驅動部
104‧‧‧訊號處理部
108‧‧‧電源部
110‧‧‧控制基板
112‧‧‧柔性電纜
114‧‧‧電源線
116‧‧‧薄片
117‧‧‧保護層
118‧‧‧基座
120‧‧‧箱體
120A‧‧‧攝影面
210‧‧‧圖像記憶體
212‧‧‧控制部
X‧‧‧厚度
圖1係表示第1實施形態的放射線檢測器中的TFT基板的構成的一例之構成圖。 圖2係從設置有轉換層之一側觀察第1實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖3係圖2所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖4係用於說明本實施形態的轉換層中的周緣部和中央部之剖面圖。 圖5係用於對第1實施形態的放射線檢測器中的轉換層、黏著層及反射層的一例進行說明之剖面圖。 圖6係表示黏著層的厚度與放射線檢測器的性能之間的對應關係的一例之圖表。 圖7係說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例之圖。 圖8係從設置有轉換層之一側觀察第2實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖9係圖8所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖10係從設置有轉換層之一側觀察第3實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖11係圖10所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖12係從設置有轉換層之一側觀察第4實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖13係圖12所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖14係從設置有轉換層之一側觀察第5實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖15係圖14所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖16係從設置有轉換層之一側觀察第6實施形態的放射線檢測器的一例之平面圖。 圖17係圖16所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖18係第7實施形態的放射線檢測器的一例的剖面圖。 圖19係第7實施形態的放射線檢測器的另一例的剖面圖。 圖20係第7實施形態的放射線檢測器中的、具有隔著像素陣列而相對向之兩個轉換層之構成的一例的剖面圖。 圖21係第7實施形態的放射線檢測器中的、具有隔著像素陣列而相對向之兩個轉換層之構成的另一例的剖面圖。 圖22係表示放射線檢測器中的黏著層與反射層之間的關係的另一例的截面之剖面圖。 圖23係表示放射線檢測器中的像素區域的另一例的截面之剖面圖。 圖24係表示放射線檢測器中的像素區域與轉換層之間的關係的另一例的截面之剖面圖。 圖25係表示適用了實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的一例的截面之剖面圖。 圖26係表示適用了實施形態的放射線檢測器之放射線圖像攝影裝置的另一例的截面之剖面圖。 圖27係用於對比較例的放射線檢測器中的轉換層、黏著層及反射層的一例進行說明之剖面圖。
Claims (17)
- 一種放射線檢測器，其具有依序設置有下述構件之部分： 像素陣列，形成有複數個像素，該複數個像素積蓄根據由放射線轉換之光線而產生之電荷； 轉換層，將該放射線轉換成光線； 光透射性黏著層，厚度為2 μm以上且7 μm以下；及 反射層，使由該轉換層轉換之光線反射到該像素陣列側。
- 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測器，其還包含具備該像素陣列之基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之放射線檢測器，其還包含： 剝離層；及 基板，設置有該剝離層， 該像素陣列隔著剝離層而設置在基板上。
- 如申請專利範圍第2或3項所述之放射線檢測器，其還具備： 黏接層，具有在包含於該轉換層的外緣到該基板的外緣之間之區域覆蓋該基板之部分；及 保護層，覆蓋積層體和該黏接層，該積層體包含該轉換層、積層於該轉換層之該黏著層、及積層於該黏著層之該反射層。
- 如申請專利範圍第4項所述之放射線檢測器，其中 該黏接層所覆蓋之區域包含該積層體的與該基板相對向之面的至少一部分。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層覆蓋包含該轉換層的中央部之區域。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層在內含該像素陣列之區域覆蓋該轉換層。
- 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層包含該黏著層側成為末端之CsI的柱狀結晶。
- 如申請專利範圍第8項所述之放射線檢測器，其中 該柱狀結晶的末端侵入於該黏著層。
- 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層為塗佈於該像素陣列且分散有GOS之樹脂層。
- 如申請專利範圍第1至10項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該反射層的材料為白色PET。
- 如申請專利範圍第11項所述之放射線檢測器，其中 該反射層的厚度為10 μm以上且40 μm以下。
- 如申請專利範圍第1至12項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該反射層設置在與該像素陣列對應之區域。
- 如申請專利範圍第1至13項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該黏著層的折射率與該轉換層的折射率之差小於空氣中的折射率與該轉換層的折射率之差。
- 如申請專利範圍第1至14項中任一項所述之放射線檢測器，其中 該轉換層的周緣部具有越向外側厚度變得越薄之傾斜。
- 如申請專利範圍第1至14項中任一項所述之放射線檢測器， 該轉換層至少覆蓋包含該像素陣列之區域。
- 一種放射線圖像攝影裝置，其具備： 申請專利範圍第1至16項中任一項所述之放射線檢測器； 控制部，輸出用於讀取積蓄在該複數個像素中之電荷之控制訊號； 驅動部，根據該控制訊號，從該複數個像素讀取電荷；及 訊號處理部，輸入與從該複數個像素讀取之電荷對應之電訊號，並生成與所輸入之電訊號對應之圖像資料而輸出至該控制部。
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