TW202113395A - 放射線檢測器的製造方法 - Google Patents

放射線檢測器的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202113395A
TW202113395A TW109127819A TW109127819A TW202113395A TW 202113395 A TW202113395 A TW 202113395A TW 109127819 A TW109127819 A TW 109127819A TW 109127819 A TW109127819 A TW 109127819A TW 202113395 A TW202113395 A TW 202113395A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
radiation detector
manufacturing
base material
reinforcing member
Prior art date
Application number
TW109127819A
Other languages
English (en)
Inventor
加藤宗貴
Original Assignee
日商富士軟片股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商富士軟片股份有限公司 filed Critical 日商富士軟片股份有限公司
Publication of TW202113395A publication Critical patent/TW202113395A/zh

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T7/00—Details of radiation-measuring instruments

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

本發明提供一種放射線檢測器的製造方法，該製造方法具備：在支撐體上設置撓性基材且在基材的像素區域上形成感測器基板之步驟，該感測器基板設置有蓄積與所照射之放射線相應之電荷之複數個像素；從支撐體剝離設置有複數個像素之感測器基板之步驟；在感測器基板中之從支撐體剝離之第2面上設置補強基材的強度之補強構件之步驟；及切割積層補強構件和基材而成之積層體的、與基材中之除了像素區域以外的區域對應之部分之步驟，並且能夠容易地提高基板中之形成有像素之像素區域的比例。

Description

放射線檢測器的製造方法
本發明有關一種放射線檢測器的製造方法。
先前，已知有一種以醫療診斷為目的而進行放射線攝影之放射線圖像攝影裝置。在該種放射線圖像攝影裝置中使用用於檢測透射了被攝體之放射線並生成放射線圖像之放射線檢測器。
作為放射線檢測器，存在如下者，其具備：閃爍器等轉換層，將放射線轉換成光；及基板，設置有蓄積依據由轉換層轉換之光產生之電荷之複數個像素。作為該種放射線檢測器，已知有從設置有像素之像素區域至放射線檢測器的邊緣的距離短之、所謂之窄邊框的放射線檢測器。例如，在日本特開2014-013193號公報中所記載的技術中，藉由沿像素區域的邊切割感測器基板來製造窄邊框的放射線檢測器。
然而，作為放射線檢測器，已知有在基板上使用了撓性基材者。藉由使用撓性基材，例如能夠使放射線圖像攝影裝置（放射線檢測器）輕型化，並且有時容易拍攝被攝體。
在該種使用了撓性基材之放射線檢測器中，感測器基板容易撓曲，因此與日本特開2014-013193號公報中所記載的技術不同，難以進行感測器基板的切割，並且有時因切割感測器基板而像素破損。
本揭示提供一種能夠容易地提高基板中之形成有像素之像素區域的比例之放射線檢測器的製造方法。
本揭示的第1態樣的放射線檢測器的製造方法具備：在支撐體上設置撓性基材且在基材的像素區域上形成基板之步驟，該基板設置有蓄積與所照射之放射線相應之電荷之複數個像素；從支撐體剝離設置有複數個像素之基板之步驟；在基板中之從支撐體剝離之表面上設置補強基材的強度之補強構件之步驟；及切割積層補強構件和基材而成之積層體的、與基材中之除了像素區域以外的區域對應之部分之步驟。
又，本揭示的第2態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣的放射線檢測器的製造方法中，補強構件及基材的切割面齊平。
又，本揭示的第3態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣或第2態樣的放射線檢測器的製造方法中，基板具有設置有端子部之端子區域，該端子部用於將電纜電連接至設置有複數個像素之表面上，在切割基材之步驟中，切割除了端子區域以外的區域。
又，本揭示的第4態樣的放射線檢測器的製造方法在第3態樣的放射線檢測器的製造方法中，在從支撐體剝離基板之步驟之前，還具備將電纜電連接至端子部之步驟。
又，本揭示的第5態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣或第2態樣的放射線檢測器的製造方法中，在切割基材之步驟之後，還具備沿基板的基材被切割之一側的邊設置用於將電纜電連接至設置有複數個像素之表面上的端子部之步驟。
又，本揭示的第6態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第5態樣之任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，補強構件的剛性高於基材。
又，本揭示的第7態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第6態樣之任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，補強構件的彎曲彈性模數為500MPa以上且3000MPa以下。
又，本揭示的第8態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第7態樣之任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，補強構件為將聚碳酸酯及聚對酞酸乙二酯中的至少一個作為材料之構件。
又，本揭示的第9態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第7態樣之任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，基材在設置有複數個像素之表面上具有標記，且在切割積層體之步驟中，切割與標記相應之位置。
又，本揭示的第10態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第9態樣之任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，在形成基板之步驟與從支撐體剝離基板之步驟之間，還具備在設置有複數個像素之基材的表面上形成將放射線轉換成光之轉換層之步驟，複數個像素中的每一個蓄積與由轉換層轉換之光相應之電荷。
又，本揭示的第11態樣的放射線檢測器的製造方法在第1態樣至第9態樣之任一態樣的放射線檢測器的製造方法中，複數個像素中的每一個包括接收放射線並產生電荷之感測器部，且蓄積在感測器部中所產生之電荷。 [發明效果]
依據本揭示，能夠容易地提高基板中之形成有像素之像素區域的比例。
以下，參閱圖式對本發明的實施形態進行詳細說明。再者，本實施形態並不限定本發明。
[第1實施形態] 本實施形態的放射線檢測器具有檢測透射了被攝體之放射線並輸出表示被攝體的放射線圖像之圖像訊息之功能。本實施形態的放射線檢測器具備感測器基板及將放射線轉換成光之轉換層（參閱圖2中放射線檢測器10的感測器基板12及轉換層14）。本實施形態的感測器基板12為本揭示的基板的一例。
首先，參閱圖1對本實施形態的放射線圖像攝影裝置中之電氣系統的結構的一例的概略進行說明。圖1係表示本實施形態的放射線圖像攝影裝置中之電氣系統的主要部分結構的一例之方塊圖。
如圖1所示，本實施形態的放射線圖像攝影裝置1具備放射線檢測器10、控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106及電源部108。
放射線檢測器10具備感測器基板12及將放射線轉換成光之轉換層（參閱圖2）。感測器基板12具備撓性基材11及設置於基材11的第1面11A上之複數個像素30。再者，以下，有時將複數個像素30簡稱為“像素30”。
如圖1所示，本實施形態的各像素30具備依據由轉換層轉換之光產生電荷並蓄積之感測器部34及讀取藉由感測器部34蓄積之電荷之開關元件32。在本實施形態中，作為一例，將薄膜電晶體（TFT：Thin Film Transistor）用作開關元件32。因此，以下將開關元件32稱為“TFT32”。在本實施形態中，形成有感測器部34及TFT32，還設置有在基材11的第1面11A上形成有像素30之層來作為被平坦化之層。
像素30在感測器基板12的像素區域35中沿一個方向（與圖1的橫向對應之掃描配線方向，以下亦稱為“行方向”）及與行方向交叉之方向（與圖1的縱向對應之訊號配線方向，以下亦稱為“列方向”）配置成二維狀。在圖1中，簡化示出了像素30的排列，例如像素30在行方向及列方向上配置有1024個×1024個。
又，放射線檢測器10中彼此交叉地設置有每一行像素30中所具備之用於控制TFT32的開關狀態（開啟及關閉）之複數個掃描配線38和每一列像素30中所具備之讀取蓄積於感測器部34中之電荷之複數個訊號配線36。複數個掃描配線38中的每一個分別經由電纜112A（參閱圖2）與驅動部102連接，從而從驅動部102輸出之、驅動TFT32來控制開關狀態之驅動訊號在複數個掃描配線38中的每一個中流動。又，複數個訊號配線36中的每一個分別經由電纜112B（參閱圖2）與訊號處理部104連接，從而從各像素30讀取之電荷作為電訊號輸出至訊號處理部104。訊號處理部104生成並輸出與所輸入之電訊號相應之圖像資料。
在訊號處理部104中連接有後述控制部100，且從訊號處理部104輸出之圖像資料依序輸出至控制部100。在控制部100中連接有圖像記憶體106，從訊號處理部104依序輸出之圖像資料藉由控制部100之控制來依序儲存於圖像記憶體106中。圖像記憶體106具有能夠儲存規定數量的圖像資料的儲存容量，每當進行放射線圖像的拍攝時，藉由拍攝而獲得之圖像資料依序儲存於圖像記憶體106中。
控制部100具備CPU（Central Processing Unit：中央處理單元）100A、包括ROM（Read Only Memory：唯讀記憶體）和RAM（Random Access Memory：隨機存取記憶體）等之記憶體100B及快閃記憶體等非易失性儲存部100C。作為控制部100的一例，可以舉出微型電腦等。控制部100控制放射線圖像攝影裝置1的整體的動作。
再者，在本實施形態的放射線圖像攝影裝置1中，圖像記憶體106及控制部100等形成於控制基板110上。
又，為了向各像素30施加偏壓，各像素30的感測器部34中，在訊號配線36的配線方向上設置有共用配線39。共用配線39與感測器基板12的外部的偏壓電源（省略圖示）連接，從而從偏壓電源向各像素30施加偏壓。
電源部108向控制部100、驅動部102、訊號處理部104、圖像記憶體106及電源部108等各種元件和各種電路供給電力。再者，圖1中，為了避免複雜化，省略連接電源部108與各種元件和各種電路之配線的圖示。
進而，對放射線圖像攝影裝置1進行詳細說明。圖2係從基材11的第1面11A側觀察本實施形態的放射線檢測器10之俯視圖的一例。又，圖3A係圖2中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖的一例，圖3B係圖2中之放射線檢測器10的B-B線剖面圖的一例。
基材11的第1面11A分為設置有端子部60之端子區域60A及未設置有端子部60之除了端子區域以外的區域60B。在除了端子區域以外的區域60B上設置有像素區域35，該像素區域35上設置有上述像素30。
基材11為具有撓性且包括例如PI（PolyImide：聚醯亞胺）等塑膠之樹脂片。基材11的厚度只要為依據材質的硬度及感測器基板12的大小（第1面11A或第2面11B的面積）等而可以獲得所期望的撓性之厚度即可。作為具有撓性之例子，是指當矩形的基材11為單體時，在固定了基材11的一邊之狀態下，在從所固定之邊遠離10cm之位置上基材11以基於基材11的自重的重力垂下2mm以上（變得低於所固定之邊的高度）者。作為基材11為樹脂片的情況的具體例，只要為厚度為5μm～125μm者即可，厚度為20μm～50μm者為更佳。
再者，基材11具有能夠承受像素30的製造之特性，在本實施形態中，具有能夠承受非晶矽TFT（a-Si TFT）的製造之特性。作為該種基材11所具有之特性，在300℃～400℃下之熱膨脹係數（CTE：Coefficient of Thermal Expansion）為與非晶矽（Si）晶圓相同程度（例如，±5ppm/K）為較佳，具體而言，20ppm/K以下為較佳。又，作為基材11的熱收縮率，在厚度為25μm的狀態下，在400℃下之熱收縮率為0.5%以下為較佳。又，基材11的彈性模數在300℃～400℃之間的溫度區域內不具有通常的PI所具有之轉移點，在500℃下之彈性模數為1GPa以上為較佳。
又，為了抑制基於自身之後向散射線，本實施形態的基材11具有微粒子層為較佳，該微粒子層包含平均粒徑為0.05μm以上且2.5μm以下並且吸收後向散射線之無機的微粒子。再者，作為該種無機的微粒子，在為樹脂性基材11的情況下，使用原子號碼大於構成基材11之有機物之原子且原子號碼為30以下之無機物為較佳。作為該種微粒的具體例，可以舉出原子號碼為14的Si的氧化物亦即SiO2 、原子號碼為12的Mg的氧化物亦即MgO、原子號碼為13的Al的氧化物亦即Al2 O3 及原子號碼為22的Ti的氧化物亦即TiO2 等。作為具有該種特性之樹脂片的具體例，可以舉出XENOMAX（註冊商標）。
再者，使用測微器（micrometer）測定了本實施形態中之上述厚度。依據JIS K7197：1991測定了熱膨脹係數。再者，關於測定，從基材11的主表面每15度改變一次角度來切取試驗片，測定所切取之各試驗片之熱膨脹係數並將最高值設為基材11的熱膨脹係數。分別在MD（Machine Direction：縱向）方向及TD（Transverse Direction：橫向）方向上，在-50℃～450℃下以10℃間隔進行熱膨脹係數的測定，並將（ppm/℃）換算成（ppm/K）。關於熱膨脹係數的測量，使用了MAC Science公司製TMA4000S裝置，將樣本長度設為10mm、將樣本寬度設為2mm、將初始負載設為34.5g/mm2 、將升溫速度設為5℃/min及將環境設為氬氣。
作為具有所期望的撓性之基材11，並不限定於樹脂片等樹脂製者。例如，基材11可以為厚度相對薄之玻璃基板等。
如圖2～圖3B所示，複數個像素30設置於基材11的第1面11A上之除了端子區域以外的區域60B的內側的一部分區域上。又，在本實施形態的感測器基板12中，在基材11的第1面11A上之端子區域60A上未設置有像素30。在本實施形態中，將基材11的第1面11A上之設置有像素30之區域作為像素區域35。
又，如圖2～圖3B所示，本實施形態的轉換層14覆蓋像素區域35。在本實施形態中，作為轉換層14的一例，使用了包含CsI（碘化銫）之閃爍器。作為該種閃爍器，例如包括照射X射線時的發光光譜為400nm～700nm之CsI:Tl（添加有鉈之碘化銫）或CsI:Na（添加有鈉之碘化銫）為較佳。再者，CsI:Tl的可見光區域內之發光峰值波長為565nm。
如圖3A及圖3B所示，在本實施形態的轉換層14上設置有黏著層40、反射層42、接著層44及保護層46。
黏著層40覆蓋轉換層14的表面整體。黏著層40具有將反射層42固定於轉換層14上之功能。黏著層40具有光透射性為較佳。作為黏著層40的材料，例如能夠使用丙烯酸系黏著劑、熱熔系黏著劑及矽酮系接著劑。作為丙烯酸系黏著劑，例如可以舉出胺基甲酸酯丙烯酸酯、丙烯酸樹脂丙烯酸酯及環氧樹脂丙烯酸酯等。作為熱熔系黏著劑，例如可以舉出EVA（乙烯/乙烯酯共聚物樹脂）、EAA（乙烯與丙烯酸的共聚物樹脂）、EEA（乙烯-丙烯酸乙酯共聚物樹脂）及EMMA（乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物）等熱塑性塑膠。黏著層40的厚度為2μm以上且7μm以下為較佳。藉由將黏著層40的厚度設為2μm以上，能夠充分發揮將反射層42固定於轉換層14上之效果。進而，能夠抑制在轉換層14與反射層42之間形成空氣層之風險。若在轉換層14與反射層42之間形成空氣層，則從轉換層14射出之光有可能在空氣層與轉換層14之間及空氣層與反射層42之間反覆反射而發生多重反射。又，藉由將黏著層40的厚度設為7μm以下，能夠抑制MTF（Modulation Transfer Function：調製傳遞函數）及DQE（Detective Quantum Efficiency：探測量子效率）的降低。
反射層42覆蓋黏著層40的表面整體。反射層42具有反射由轉換層14轉換之光之功能。反射層42由有機系材料構成為較佳。作為反射層42的材料，例如能夠使用白PET（Polyethylene Terephthalate：聚對酞酸乙二酯）、TiO2 、Al2 O3 、發泡白PET、聚酯系高反射薄片及鏡面反射鋁等。白PET為向PET添加TiO2 或硫酸鋇等白色顏料而成者，發泡白PET為表面呈多孔狀之白PET。又，聚酯系高反射薄片為具有重疊複數個較薄之聚酯薄片而成之多層構造之薄片（薄膜）。反射層42的厚度為10μm以上且40μm以下為較佳。
接著層44覆蓋反射層42的表面整體。接著層44的端部延伸至感測器基板12的表面。亦即，接著層44的其端部接著至感測器基板12。接著層44具有將反射層42及保護層46固定於轉換層14上之功能。作為接著層44的材料，能夠使用與黏著層40的材料相同的材料，但是接著層44所具有之接著力大於黏著層40所具有之接著力為較佳。
保護層46設置成覆蓋轉換層14整體且其端部覆蓋感測器基板12的一部分。保護層46作為防止水分浸入到轉換層14之防濕膜而發揮功能。作為保護層46的材料，例如能夠使用包括PET、PPS（PolyPhenylene Sulfide：聚苯硫）、OPP（Oriented PolyPropylene：二軸延伸聚丙烯薄膜）、PEN（PolyEthylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二酯）、PI等有機材料之有機膜或聚對二甲苯（註冊商標）。又，作為保護層46，可以使用樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜。作為樹脂薄膜與金屬薄膜的積層膜，例如可以舉出ALPET（註冊商標）的薄片。
又，如圖3A及圖3B所示，在本實施形態的放射線檢測器10的感測器基板12中之、基材11的第2面11B側，經由抗靜電層54及黏著劑52設置有補強構件50。
補強構件50具有補強基材11的強度之功能。本實施形態的補強構件50的彎曲剛性高於基材11，且相對於沿垂直方向施加於與轉換層14對向之面之力之尺寸變化（變形）小於相對於沿垂直方向施加於基材11的第2面11B之力之尺寸變化。具體而言，補強構件50的彎曲剛性為基材11的彎曲剛性的100倍以上為較佳。又，本實施形態的補強構件50的厚度厚於基材11的厚度。例如，在將XENOMAX（註冊商標）用作基材11之情況下，補強構件50的厚度為0.2mm～0.25mm左右為較佳。
具體而言，本實施形態的補強構件50使用彎曲彈性模數為500MPa以上且3000MPa以下的材料為較佳。從抑制基材11的撓曲之觀點考慮，補強構件50的彎曲剛性高於基材11為較佳。再者，若彎曲彈性模數降低，則彎曲剛性亦降低，為了獲得所期望的彎曲剛性，需要加厚補強構件50的厚度，從而導致放射線檢測器10整體的厚度增加。若考慮上述補強構件50的材料，則在要獲得超過140000Pacm4 之彎曲剛性之情況下，補強構件50的厚度存在相對變厚之傾向。因此，若獲得適當之剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度，則用於補強構件50之材料的彎曲彈性模數為500MPa以上且3000MPa以下為更佳。又，補強構件50的彎曲剛性為540Pacm4 以上且140000Pacm4 以下為較佳。
又，本實施形態的補強構件50的熱膨脹係數接近轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳，更佳為，補強構件50的熱膨脹係數與轉換層14的熱膨脹係數之比（補強構件50的熱膨脹係數/轉換層14的熱膨脹係數）為0.5以上且2以下為較佳。作為該種補強構件50的熱膨脹係數，30ppm/K以上且80ppm/K以下為較佳。例如，在轉換層14以CsI:Tl為材料之情況下，轉換層14的熱膨脹係數為50ppm/K。此時，作為相對接近於轉換層14之材料，可以舉出熱膨脹係數為60ppm/K～80ppm/K之PVC（Polyvinyl Chloride：聚氯乙烯）、熱膨脹係數為70ppm/K～80ppm/K之丙烯酸、熱膨脹係數為65ppm/K～70ppm/K之PET、熱膨脹係數為65ppm/K之PC（Polycarbonate：聚碳酸酯）及熱膨脹係數為45ppm/K～70ppm/K之鐵氟龍（註冊商標）等。進而，若考慮上述彎曲彈性模數，則作為補強構件50的材料，為包括PET及PC中的至少一者之材料為更佳。
從彈性的觀點考慮，補強構件50包括具有降伏點之材料為較佳。再者，在本實施形態中，“降伏點”是指，在拉伸材料之情況下，應力突然急劇下降之現象，在表示應力與變形的關係之曲線上，應力未增加而變形增加之點，在進行材料之拉伸強度試驗時的應力-變形曲線中之頂部。作為具有降伏點之樹脂，通常可以舉出硬而黏性強之樹脂及柔軟而黏性強且具有中等程度的強度之樹脂。作為硬而黏性強之樹脂，例如可以舉出PC等。又，作為柔軟而黏性強且具有中等程度的強度之樹脂，例如可以舉出聚丙烯等。
本實施形態的補強構件50為將塑膠作為材料之基板。依據上述理由，成為補強構件50的材料之塑膠為熱塑性樹脂為較佳，可以舉出PC、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯、尼龍、聚丙烯、ABS（Acrylonitrile Butadiene Styrene：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯）、工程塑料（engineering plastic）及聚苯醚中的至少一個。再者，補強構件50在該等中為聚丙烯、ABS、工程塑料、PET及聚苯醚中的至少一個為較佳，苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯及尼龍中的至少一個為更佳，PC及PET中的至少一個為進一步較佳。
另一方面，在本實施形態的放射線檢測器10的端子區域60A上設置有複數個（在本實施形態中，合計16個）端子部60。如圖2所示，端子區域60A設置於矩形的感測器基板12（基材11）的一對邊及與一對邊對向之邊（合計3邊）中的每一邊上。再者，端子區域60A是指，基材11的第1面11A上之設置有複數個端子部60之區域，至少包括端子部60與第1面11A接觸之區域。作為一例，在本實施形態中，將如下區域稱為端子區域60A，該區域至少包括在遍及感測器基板12（基材11）中之設置有端子部60之邊整體上端子部60與第1面11A接觸之區域。
如圖2所示，電纜112電連接至設置於基材11的端子區域60A上之端子部60中的每一個上。具體而言，如圖2所示，電纜112A熱壓接合至複數個（圖2中為各8個）端子部60中的每一個上，該複數個端子部60設置於基材11的相對向之一對邊中的每一邊上。電纜112A為所謂之COF（Chip on Film：薄膜覆晶），且在電纜112A上搭載有驅動IC（Integrated Circuit：積體電路）210。驅動IC210與電纜112A中所包括之複數個訊號線（省略圖示）連接。再者，將端子部60與電纜112A電連接之方法並不限定於本實施形態，例如可以設為藉由連接器電連接之形態。作為該種連接器，可以舉出ZIF（Zero Insertion Force，零插力）構造的連接器或Non-ZIF構造的連接器等。在本實施形態中，在統稱電纜112A及後述電纜112B而不各自區分之情況下，簡稱為“電纜112”。
電纜112A中之與和感測器基板12的端子部60電連接之一端相反的一側的另一端電連接至驅動基板200的連接區域202。作為一例，在本實施形態中，電纜112A中所包括之複數個訊號線（省略圖示）熱壓接合至驅動基板200，從而與搭載於驅動基板200上之電路及元件等（省略圖示）連接。再者，將驅動基板200與電纜112A電連接之方法並不限定於本實施形態，例如可以設為藉由連接器電連接之形態。作為該種連接器，可以舉出ZIF構造的連接器或Non-ZIF構造的連接器等。
本實施形態的驅動基板200為撓性PCB（Printed Circuit Board，印刷電路板）基板，所謂之撓性基板。又，搭載於驅動基板200上之電路零件（省略圖示）為主要用於數位訊號的處理中之零件（以下，稱為“數位零件”）。數位零件存在面積（大小）相對小於後述類比零件之傾向。作為數位零件的具體例，可以舉出數位緩衝器、旁路電容器、上拉/下拉電阻、阻尼電阻、EMC（Electro Magnetic Compatibility：電磁相容性）對策晶片零件及電源IC等。再者，驅動基板200可以不一定為撓性基板，亦可以為非撓性剛性基板，還可以使用剛性撓性基板。
在本實施形態中，藉由驅動基板200及搭載於電纜112A上之驅動IC210來實現驅動部102。再者，驅動IC210包括實現驅動部102之各種電路及元件中與搭載於驅動基板200上之數位零件不同之電路。
另一方面，電纜112B電連接至設置於與和電纜112A電連接之基材11的一邊交叉之邊上之複數個（圖2中為8個）端子部60中的每一個上。與電纜112A相同地，電纜112B為所謂之COF（Chip on Film），且在電纜112B上搭載有訊號處理IC310。訊號處理IC310與電纜112B中所包括之複數個訊號線（省略圖示）連接。再者，將端子部60與電纜112B電連接之方法並不限定於本實施形態，例如可以設為藉由連接器電連接之形態。作為該種連接器，可以舉出ZIF構造的連接器或Non-ZIF構造的連接器等。
電纜112B中之與和感測器基板12的端子部60電連接之一端相反的一側的另一端電連接至訊號處理基板300的連接區域302。作為一例，在本實施形態中，電纜112B中所包括之複數個訊號線（省略圖示）熱壓接合至訊號處理基板300，從而與搭載於訊號處理基板300上之電路及元件等（省略圖示）連接。再者，將訊號處理基板300與電纜112B電連接之方法並不限定於本實施形態，例如可以設為藉由連接器電連接之形態。作為該種連接器，可以舉出ZIF構造的連接器或Non-ZIF構造的連接器等。又，將電纜112A與驅動基板200電連接之方法和將電纜112B與訊號處理基板300電連接之方法可以為相同，亦可以不同。例如，可以設為如下形態，亦即，電纜112A和驅動基板200藉由熱壓接合而電連接，電纜112B和訊號處理基板300藉由連接器而電連接。
與上述驅動基板200相同地，本實施形態的訊號處理基板300為撓性PCB基板，所謂之撓性基板。搭載於訊號處理基板300上之電路零件（省略圖示）為主要用於類比訊號的處理中之零件（以下，稱為“類比零件”）。作為類比零件的具體例，可以舉出電荷放大器、類比數位轉換器（ADC）、數位類比轉換器（DAC）及電源IC等。又，本實施形態的電路零件還包括零件尺寸相對較大的電源周圍的線圈及平滑用大容量電容器。再者，訊號處理基板300可以不一定為撓性基板，亦可以為非撓性剛性基板，還可以使用剛性撓性基板。
在本實施形態中，藉由訊號處理基板300及搭載於電纜112B上之訊號處理IC310來實現訊號處理部104。再者，訊號處理IC310包括實現訊號處理部104之各種電路及元件中與搭載於訊號處理基板300上之類比零件不同之電路。
再者，在本實施形態中，對分別設置複數個驅動基板200及訊號處理基板300之形態進行了說明，但是驅動基板200及訊號處理基板300的數量並不限定於本實施形態。例如，可以為如下形態，亦即，將設置於感測器基板12的各邊上之驅動基板200及訊號處理基板300中的任一者作為一個基板。
另一方面，如圖3A所示，在本實施形態的放射線檢測器10中，將電纜112經由連接層62熱壓接合至端子部60，從而電纜112與端子部60電連接。
連接層62具有使端子部60與電纜112電連接之功能。作為連接層62，例如可以舉出各向異性導電膜等，能夠使用使導電性粒子（省略圖示）分散至藉由熱硬化之接著劑中之ACF（Anisotropic Conductive Film：各向異性導電薄膜）。
如圖3A所示，藉由加強構件64覆蓋積層體63中之基材11的第1面11A側，該積層體63由端子部60、連接層62及電纜112積層而成。又，藉由加強構件65覆蓋積層體的側面及基材11的側面，該積層體由端子部60、連接層62及電纜112積層而成。加強構件64及加強構件65具有加強端子部60與電纜112的電連接之功能。又，本實施形態的加強構件64及加強構件65具有防濕性。作為加強構件64及加強構件65，例如能夠使用防濕絕緣膜，並且能夠利用FPD（Flat Panel Display：平面顯示器）用防濕絕緣材料亦即塔菲膠：Tuffy（註冊商標）等。再者，加強構件64及加強構件65分別可以為由相同材料製成之構件，亦可以為由不同材料製成之構件。
參閱圖4A～圖4H對本實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例進行說明。
如圖4A所示，在形成感測器基板12之步驟中，首先，在相較於基材11厚度厚之玻璃基板等的支撐體400上經由剝離層（省略圖示）形成基材11。例如，在藉由層合法形成基材11之情況下，在支撐體400上貼合作為基材11之薄片。基材11的第2面11B與支撐體400側對向。再者，形成基材11之方法並不限定於本實施形態，例如可以為藉由塗佈法形成基材11之形態。
如圖4A所示，在本實施形態的基材11的第1面11A上設置有對準標記92，該對準標記92在切割後述圖4F及圖4G所示之積層體19之步驟中成為切割位置的標記。再者，設置對準標記92之時刻並不限定於本形態，例如，亦可以在後述圖4C所示之將電纜112電連接至端子部60之步驟之後，在基材11的第1面11A上設置對準標記92。本實施形態的對準標記92為本揭示的標記的一例。
進而，在基材11的第1面11A的除了端子區域以外的區域60B的像素區域35上形成像素30。再者，在本實施形態中，作為一例，經由使用了SiN等之底塗層（省略圖示）在基材11的第1面11A上形成像素30。藉此，形成在像素區域35上形成有像素30之感測器基板12。
進而，如圖4B所示，在形成轉換層14之步驟中，在像素30（像素區域35）上形成轉換層14。在本實施形態中，藉由真空沉積法、濺射法及CVD（Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積）法等氣相沉積法在感測器基板12上直接形成CsI轉換層14作為柱狀結晶。此時，轉換層14的與像素30接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向基點側。
再者，在將CsI閃爍器用作轉換層14之情況下，亦能夠藉由與本實施形態不同之方法在感測器基板12上形成轉換層14。例如，可以準備藉由氣相沉積法在鋁板等上沉積CsI而成者，並藉由黏著性薄片等貼合CsI的未與鋁板接觸之一側和感測器基板12的像素30，從而在感測器基板12上形成轉換層14。此時，將由保護層46覆蓋還包括鋁板之狀態的轉換層14整體之狀態者與感測器基板12的像素30進行貼合為較佳。再者，此時，轉換層14中之與像素30接觸之一側成為柱狀結晶的生長方向的前端側。
又，與本實施形態的放射線檢測器10不同地，可以將GOS（Gd2 O2 S:Tb）等用作轉換層14來代替CsI。此時，例如準備藉由黏著層等在由白PET等形成之支撐體上貼合使GOS分散於樹脂等黏合劑中之薄片而成者，藉由黏著性薄片等貼合GOS的未貼合支撐體之一側和感測器基板12的像素30，從而能夠在感測器基板12上形成轉換層14。再者，相較於使用GOS之情況，在轉換層14中使用CsI之情況下，從放射線向可見光的轉換效率變高。
又，在形成於感測器基板12上之轉換層14上，經由黏著層40設置反射層42，進而，經由接著層44設置保護層46。
接著，如圖4C所示，在將電纜112電連接至端子部60之步驟中，首先，在基材11的第1面11A上之端子區域60A上形成端子部60。再者，在基材11的端子區域60A上形成端子部60之時刻並不限定於本實施形態。可以在形成上述感測器基板12之步驟（圖4A）及形成轉換層14之步驟（圖4B）中的任一步驟中形成端子部60，亦可以在形成感測器基板12之步驟（圖4A）與形成轉換層14之步驟（圖4B）之間的時刻形成端子部60。
進而，使電纜112經由連接層62熱壓接合至端子部60中，從而將端子部60與連接層62電連接。進而，藉由加強構件64（參閱圖3A）覆蓋積層體63。再者，作為一例，在本實施形態中，對分別將與驅動基板200電連接之電纜112A及與訊號處理基板300電連接之電纜112B電連接至基材11的端子部60之形態進行了說明，但是與基材11的端子部60電連接之電纜112的狀態並不限定於本形態。換言之，將驅動基板200電連接至電纜112A之時刻及將電纜112B電連接至訊號處理基板300之時刻中的每一個並不限定於本形態。例如，可以在切割後述圖4F及圖4G所示之積層體19之步驟之後，將驅動基板200電連接至電纜112A，並且將電纜112B電連接至訊號處理基板300。又，將驅動基板200電連接至電纜112A之時刻與將電纜112B電連接至訊號處理基板300之時刻可以不同。
接著，如圖4D所示，在從支撐體400剝離感測器基板12之步驟中，從支撐體400剝離設置有轉換層14且端子部60與電纜112電連接之狀態的感測器基板12。例如，在層合法中，將感測器基板12（基材11）的四邊中的任一邊作為剝離的起點，將感測器基板12從支撐體400從成為起點之邊朝向對向之邊逐漸剝離，從而進行機械剝離。
接著，如圖4E所示，在設置補強構件50之步驟中，藉由黏貼等在基材11的第2面11B上經由抗靜電層54及黏著劑52（參閱圖3A及圖3B）形成補強構件50。作為一例，在本實施形態中，將端子部60與電纜112電連接之感測器基板12以基材11的第2面11B成為上側之狀態安裝於具有對準功能之貼合裝置上。貼合裝置藉由使用了撮像裝置等之對準功能來識別設置有黏著劑52及抗靜電層54之補強構件50的角部及基材11的第2面11B的角部，並在兩個角部重疊之狀態下進行補強構件50與感測器基板12（基材11）的位置對準。如圖4E所示，貼合裝置在完成了補強構件50與感測器基板12（基材11）的位置對準之狀態下，使輥410向箭頭P方向移動以使補強構件50貼合至基材11的第2面11B上。
接著，如圖4F及圖4G所示，在切割感測器基板12與補強構件50積層而成之積層體19之步驟中，切割積層體19的與基材11中之除了像素區域35以外的區域對應之除了端子區域以外的區域60B的部分。在本實施形態中，切割積層體19中之與和基材11的電纜112B電連接之邊對向之邊的除了像素區域35以外的部分。具體而言，如圖4F及圖4G所示，切割由切割線90表示之位置並切開積層體19的端部，使放射線檢測器10成為圖4H所示之狀態。再者，在本實施形態中，切割線90係為了表示切割位置而圖示者，並不是實際設置於基材11的第1面11A上者。
作為一例，在本實施形態中，將感測器基板12與補強構件50積層而成之積層體19以基材11的第1面11A成為上側之狀態安裝於具有對準功能之切割裝置上。切割裝置藉由使用了撮像裝置等之對準功能來檢測設置於基材11的第1面11A上之兩處對準標記92，並依據所檢測之對準標記92確定切割線90。然後，切割裝置沿切割線90切割積層體19。
如此，在本實施形態中，切割基材11與補強構件50積層而成之積層體19。換言之，一體地切割基材11和補強構件50，因此如圖3B所示，基材11的切割面11C與補強構件50的切割面50C成為齊平的狀態。再者，基材11的切割面11C與補強構件50的切割面50C為“齊平”的狀態並不限定於切割面11C與切割面50C完全在同一平面上之情況，是指容許補強構件50的縮小或製造誤差等並視為“齊平”之狀態。在本實施形態中，基材11的切割面11C與補強構件50的切割面50C為“齊平”的狀態是指，基材11的切割面11C與補強構件50的切割面50C的位置之差少於如圖3A所示那樣將補強構件50貼合至基材11上時產生之基材11的側面11D與補強構件50的側面50D的位置之差之狀態，較佳為±10μm之狀態。
如此，在本實施形態中，藉由上述圖4A～圖4G所示之步驟來製造圖2～圖3B及圖4H所示之放射線檢測器10。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10的製造方法中，切割基材11與積層體19積層而成之積層體19的除了像素區域35以外的、除了端子區域以外的區域60B，因此能夠將積層體19（基材11）切割至像素區域35附近。因此，能夠在基材11（感測器基板12）的端部附近設置像素30。例如，在適用於乳房X光攝影裝置之放射線圖像攝影裝置1（放射線檢測器10）中，能夠將像素區域35設在更靠近被檢者的胸壁之位置，因此能夠拍攝包括鄰近被檢者的胸壁之放射線圖像。
[第2實施形態] 接著，對第2實施形態進行說明。本實施形態的放射線圖像攝影裝置1的電氣系統的結構與第1實施形態的放射線圖像攝影裝置1相同，因此省略說明。另一方面，圖5係從基材11的第1面11A側觀察本實施形態的放射線檢測器10之俯視圖的一例。又，圖6A係圖5中之放射線檢測器10的A-A線剖面圖的一例，圖6B係圖5中之放射線檢測器10的B-B線剖面圖的一例。
在第1實施形態的放射線檢測器10中，對如下形態進行了說明，亦即，電纜112A電連接至複數個端子部60中的每一個上，該複數個端子部60設置於基材11的相對向之一對邊中的每一邊上。相對於此，本實施形態的放射線檢測器10在如下方面不同，亦即，如圖5所示，僅在基材11的一邊設置有複數個端子部60，並且每一個與電纜112A電連接。
又，詳細內容將在後面進行敘述，但是在本實施形態的放射線檢測器10的製造方法中，沿設置有端子部60之端子區域60A的邊切割基材11與補強構件50的積層體19的部分。因此，如圖6A所示，在本實施形態的放射線檢測器10中，基材11的切割面11C及補強構件50的切割面50C成為積層體19中之端子區域60A側的端面。另一方面，如圖6B所示，在本實施形態的放射線檢測器10中，基材11的側面11D及補強構件50的側面50D成為積層體19中之除了端子區域以外的區域60B側的端面。
參閱圖7A～圖7G對本實施形態的放射線檢測器10的製造方法的一例進行說明。
如圖7A所示，在形成感測器基板12之步驟中，與在第1實施形態中所說明之形成感測器基板12之步驟（參閱圖4A）相同地，在支撐體400上經由剝離層（省略圖示）形成基材11。再者，在本實施形態中，為了切割作為端子區域60A之基材11（積層體19）的兩邊，在基材11的第1面11A上設置3個（對準標記92A、92B、92C）成為切割位置的標記之對準標記92。又，與第1實施形態相同地，在基材11的第1面11A的除了端子區域以外的區域60B的像素區域35上形成像素30。
進而，如圖7B所示，在形成轉換層之步驟中，與在第1實施形態中所說明之形成感測器基板12之步驟（參閱圖4A）相同地，在像素30（像素區域35）上形成轉換層14。又，在形成於感測器基板12上之轉換層14上，經由黏著層40設置反射層42，進而，經由接著層44設置保護層46。
接著，如圖7C所示，在從支撐體400剝離感測器基板12之步驟中，與在第1實施形態中所說明之從支撐體400剝離感測器基板12之步驟（參閱圖4D）相同地，從支撐體400剝離設置有轉換層14之狀態的感測器基板12。
接著，如圖7D所示，在設置補強構件50之步驟中，與第1實施形態的設置補強構件50之步驟（參閱圖4E）相同地，藉由黏貼等在基材11的第2面11B上經由抗靜電層54及黏著劑52（參閱圖6A及圖6B）形成補強構件50。
接著，如圖7E及圖7F所示，在切割感測器基板12與補強構件50積層而成之積層體19之步驟中，切割積層體19的與基材11中之除了像素區域35以外的區域對應之端子區域60A的部分。關於積層體19的切割方法，以與在第1實施形態中切割積層體19之步驟（參閱圖4F及圖4G）相同的方式進行即可。再者，在本實施形態中，藉由切割裝置，沿由對準標記92A及對準標記92B確定之切割線90A切割積層體19，並且沿由對準標記92B及對準標記92C確定之切割線90B切割積層體19。
如此，在本實施形態中，切割基材11與補強構件50積層而成之積層體19，因此如上所述，如圖6A所示，基材11的切割面11C與補強構件50的切割面50C成為齊平的狀態。
接著，如圖7G所示，在將電纜112電連接至端子部60之步驟中，與在第1實施形態中所說明之將電纜112電連接至端子部60之步驟（參閱圖4C）相同地，在基材11的第1面11A上之端子區域60A上形成端子部60。進而，使電纜112經由連接層62熱壓接合至端子部60中，從而將端子部60與連接層62電連接。進而，藉由加強構件64（參閱圖3A）覆蓋積層體63。
如此，在本實施形態中，藉由上述圖7A～圖7G所示之步驟來製造圖5～圖6B所示之放射線檢測器10。
如此，在本實施形態的放射線檢測器10的製造方法中，切割基材11與積層體19積層而成之積層體19的除了像素區域35以外的、除了端子區域以外的區域60B，因此成為補強構件50設置至端子部60的端部之狀態。因此，在將電纜112電連接至端子部60之步驟中，藉由補強構件50補強基材11的強度，因此端子部60部分不易受到損壞。
如以上所說明，上述各實施形態的放射線檢測器10的製造方法具備：在支撐體400上設置撓性基材11且在基材11的像素區域35上形成感測器基板12之步驟，該感測器基板12設置有蓄積與所照射之放射線相應之電荷之複數個像素30；及從支撐體400剝離設置有複數個像素30之感測器基板12之步驟。又，放射線檢測器10的製造方法具備：在感測器基板12中之從支撐體400剝離之第2面11B上設置補強基材11的強度之補強構件50之步驟；及切割積層補強構件50和基材11而成之積層體19的與基材11中之除了像素區域35以外的區域對應之部分之步驟。
例如，在將像素區域35形成至感測器基板12的端部附近並形成像素30之情況下，在放射線檢測器10的製造步驟中，在從支撐體400剝離感測器基板12之步驟中，感測器基板12撓曲，因此存在感測器基板12的端部附近的像素30破損之慮。但是，在本實施形態的放射線檢測器10的製造方法中，在從支撐體400剝離感測器基板12之後，切割基材11與補強構件50的積層體19。依據本實施形態的放射線檢測器10的製造方法，能夠在剝離感測器基板12之後，在像素區域35附近切割積層體19，因此能夠將像素30的破損得到抑制之像素區域35形成至感測器基板12的端部附近。
又，感測器基板12的基材11具有撓性，因此難以直接切割基材11。相對於此，在上述各實施形態的放射線檢測器10的製造方法中，在基材11上設置補強構件50之後，切割基材11與補強構件50的積層體19。相較於基材11，積層體19的厚度厚且剛性亦高，因此相較於基材11，積層體19更容易切割。因此，依據上述各實施形態的放射線檢測器10，能夠在不破壞像素30之情況下切割基材11（積層體19）的所期望的範圍。
因此，依據上述各實施形態的放射線檢測器10的製造方法，能夠容易地提高感測器基板12中之形成有像素30之像素區域35的比例。
再者，在上述各實施形態的放射線檢測器10的製造方法中，還可以具備在轉換層14上設置補強層48之步驟。亦即，放射線檢測器10可以具備補強層48。在圖8中，示出相當於上述圖3A所示之放射線檢測器10的A-A線剖面圖之、本變形例的放射線檢測器10的剖面圖的一例。
在圖8所示之放射線檢測器10中，在由保護層46覆蓋之轉換層14上還設置有補強層48。補強層48的彎曲剛性高於基材11，且相對於沿垂直方向施加於與轉換層14對向之面之力之尺寸變化（變形）小於相對於沿垂直方向施加於基材11的第1面11A之力之尺寸變化。又，補強層48的厚度厚於基材11的厚度。
補強層48使用彎曲彈性模數為150MPa以上且3000MPa以下的材料為較佳。從抑制基材11的撓曲之觀點考慮，補強層48的彎曲剛性高於基材11為較佳。再者，若彎曲彈性模數降低，則彎曲剛性亦降低，為了獲得所期望的彎曲剛性，需要加厚補強層48的厚度，從而導致放射線檢測器10整體的厚度增加。若考慮補強層48的材料，則在要獲得超過140000Pacm4 之彎曲剛性之情況下，補強層48的厚度存在相對變厚之傾向。因此，若獲得適當之剛性且考慮放射線檢測器10整體的厚度，則用於補強層48之材料的彎曲彈性模數為150MPa以上且3000MPa以下為更佳。又，補強層48的彎曲剛性為540Pacm4 以上且140000Pacm4 以下為較佳。
又，補強層48的熱膨脹係數接近轉換層14的材料的熱膨脹係數為較佳，更佳為，補強層48的熱膨脹係數與轉換層14的熱膨脹係數之比（補強層48的熱膨脹係數/轉換層14的熱膨脹係數）為0.5以上且2以下為較佳。作為該種補強層48的熱膨脹係數，30ppm/K以上且80ppm/K以下為較佳。例如，在轉換層14以CsI:Tl為材料之情況下，轉換層14的熱膨脹係數為50ppm/K。此時，作為相對接近於轉換層14之材料，可以舉出PVC、丙烯酸、PET、PC及鐵氟龍（註冊商標）等。進而，若考慮上述彎曲彈性模數，則作為補強層48的材料，為包括PET及PC中的至少一者之材料為更佳。又，從彈性的觀點考慮，補強層48包括具有降伏點之材料為較佳。
補強層48為將塑膠作為材料之基板。依據上述理由，成為補強層48的材料之塑膠為熱塑性樹脂為較佳，可以舉出PC、PET、苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯、尼龍、聚丙烯、ABS、工程塑料及聚苯醚中的至少一個。再者，補強層48在該等中為聚丙烯、ABS、工程塑料、PET及聚苯醚中的至少一個為較佳，苯乙烯、丙烯酸、聚醋酸酯及尼龍中的至少一個為更佳，PC及PET中的至少一個為進一步較佳。再者，補強層48與補強構件50的具體特性及材料等可以為相同，亦可以不同。
在使用氣相沉積法形成了轉換層14之情況下，如圖8及上述圖3A等所示，轉換層14形成為具有厚度朝向其外緣逐漸變薄之傾斜度。以下，將在忽略製造誤差及測定誤差之情況下的厚度被視為大致恆定之轉換層14的中央區域稱為中央部。又，將相對於轉換層14的中央部的平均厚度例如具有90%以下的厚度之轉換層14的外周區域稱為周緣部。亦即，轉換層14在周緣部中具有相對於感測器基板12傾斜之傾斜面。圖8所示之補強層48覆蓋轉換層14的中央部整體及周緣部的一部分。換言之，補強層48的外緣位於轉換層14的周緣部的傾斜面上。
再者，設置補強層48之位置等並不限定於圖8所示之形態。例如，補強層48可以為覆蓋轉換層14整體的形態。又，例如在圖8中，補強層48以沿轉換層14的傾斜部彎曲之狀態設置，但是亦可以設為未彎曲地板狀設置而在轉換層14的傾斜部與補強層48之間設置空間之狀態。
將該種補強層48設置於轉換層14之步驟在從支撐體400剝離感測器基板12之前進行為較佳。在轉換層14上設置有補強層48之放射線檢測器10中，更加補強基材11的強度。
再者，在上述各實施形態中，對放射線檢測器10為藉由轉換層14將放射線暫時轉換成光且將所轉換之光轉換成電荷之間接轉換型之形態進行了說明，但是並不限定於間接轉換型。放射線檢測器10可以為將放射線直接轉換成電荷之直接轉換型。直接轉換型放射線檢測器10中，代替上述轉換層14，感測器部34具有接收放射線並產生電荷之功能。作為直接轉換型感測器部34，例示出a-Se（非晶硒）及結晶CdTe（結晶碲化鎘）等。
在為直接轉換型放射線檢測器10的情況下，在上述參閱圖4A～圖4H進行了說明之步驟中省略形成圖4B所示之轉換層14之步驟。亦即，在形成圖4A所示之感測器基板12之步驟之後，實施圖4C所示之將電纜112電連接至端子部60之步驟。再者，在對像素30（像素區域35）設置保護層46等之情況下，在形成圖4A所示之感測器基板12之步驟中實施。
再者，如圖9～圖11所示，使用了上述實施形態的放射線檢測器10之放射線圖像攝影裝置1在收納於框體120中之狀態下使用。再者，作為一例，在圖9～圖11中，示出使用了第1實施形態的放射線檢測器10之放射線圖像攝影裝置1。
在圖9中，示出從基材11的第2面11B側照射放射線之ISS（Irradiation Side Sampling：放射側取樣）方式的放射線圖像攝影裝置1的一例的剖面圖。如圖9所示，在框體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向排列設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10配置成感測器基板12中之基材11的第1面11A側與透射了被攝體之放射線所照射之框體120的照射面120A側對向之狀態。
又，在圖10中，示出從轉換層14側照射放射線之PSS（Penetration Side Sampling：穿透側取樣）方式的放射線圖像攝影裝置1的一例的剖面圖。如圖10所示，在框體120內沿與放射線的入射方向交叉之方向排列設置有放射線檢測器10、電源部108及控制基板110。放射線檢測器10配置成感測器基板12中之基材11的第2面11B側與透射了被攝體之放射線所照射之框體120的照射面120A側對向之狀態。
控制基板110與驅動基板200藉由電纜220電連接。又，在圖9及圖10中省略記載，但是控制基板110與訊號處理基板300藉由電纜電連接。
又，控制基板110藉由電源線115與向形成於控制基板110上之圖像記憶體106和控制部100等供給電源之電源部108連接。
在圖9及圖10所示之放射線圖像攝影裝置1的框體120內，在射出透射了放射線檢測器10之放射線之一側還設置有薄片116。作為薄片116，例如可以舉出銅製薄片。銅製薄片由於入射放射線而不易產生二次放射線，因此具有防止向後方亦即轉換層14側散射之功能。再者，薄片116至少覆蓋轉換層14的射出放射線之一側的表面整體，並且覆蓋轉換層14整體為較佳。
又，在圖9及圖10所示之放射線圖像攝影裝置1的框體120內，在放射線所入射之一側（照射面120A側）還設置有保護層117。作為保護層117，能夠在絕緣性薄片（薄膜）上適用Alpet（註冊商標）薄片、Parylene（註冊商標）膜及聚對酞酸乙二酯等絕緣性薄片等防濕膜。保護層117具有針對像素區域35之防濕功能及抗靜電功能。因此，保護層117至少覆蓋像素區域35的放射線所入射之一側的表面整體為較佳，覆蓋放射線所入射之一側的感測器基板12的表面整體為較佳。
如圖9及圖10所示之例，電源部108及控制基板110中的每一個的厚度厚於放射線檢測器10之情況較多。該種情況下，如圖11所示之例，設置有放射線檢測器10之框體120的部分的厚度可以薄於分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分的厚度。再者，如此，在分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分的厚度不同之情況下，若在兩個部分的邊界部中產生段差，則存在使與邊界部120B接觸之被檢者感到不舒服等之慮，因此邊界部120B的形態設為具有傾斜之狀態為較佳。
藉此，能夠構成與放射線檢測器10的厚度相應之極薄型便捷式電子匣。
又，例如，此時，分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分中框體120的材質可以不同。進而，例如，分別設置有電源部108及控制基板110之框體120的部分與設置有放射線檢測器10之框體120的部分可以分開配置。
又，如上所述，框體120的放射線之尤其X射線的吸收率低且為高剛性為較佳，並且由彈性模數充分高之材料構成為較佳，但是亦可以與框體120的照射面120A對應之部分的放射線的吸收率低且為高剛性，並且由彈性模數充分高之材料構成，而其他部分由與和照射面120A對應之部分不同之材料、例如彈性模數低於照射面120A的部分之材料構成。
又，在上述各實施形態中，如圖1所示，對像素30二維排列成矩陣狀之態樣進行了說明，但是並不限定於此，例如亦可以為一維排列，還可以為蜂窩排列。又，像素的形狀亦無限定，可以為矩形，亦可以為六邊形等多邊形。進而，像素區域35的形狀亦並無限定，這是理所當然的。
除此以外，在上述各實施形態中所說明之放射線圖像攝影裝置1及放射線檢測器10等的結構和製造方法等為一例，在不脫離本發明的宗旨的範圍內，能夠依據狀況而進行變更，這是理所當然的。 2019年8月16日申請的日本專利申請2019-149303號的揭示的其整體被作為參閱而編入本說明書中。 本說明書中所記載之所有文獻、專利申請及技術規格與具體且單獨記載每個文獻、專利申請及技術規格被作為參閱而編入之情況相同程度地，作為參閱而編入本說明書中。
1:放射線圖像攝影裝置 10:放射線檢測器 11:基材、11A:第1面、11B:第2面、11C:切割面、11D:側面 12:感測器基板 14:轉換層 19:積層體 30:像素 32:TFT（開關元件） 34:感測器部 35:像素區域 36:訊號配線 38:掃描配線 39:共用配線 40:黏著層 42:反射層 44:接著層 46:保護層 48:補強層 50:補強構件、50C:切割面、50D:側面 52:黏著劑 54:抗靜電層 60:端子部、60A:端子區域、60B:除了端子區域以外的區域 62:連接層 63:積層體 64,65:加強構件 90,90A,90B:切割線 92,92A～92C:對準標記 100:控制部、100A:CPU、100B:記憶體、100C:儲存部 102:驅動部 104:訊號處理部 106:圖像記憶體 108:電源部 110:控制基板 112,112A,112B,220:電纜 115:電源線 116:薄片 117:保護層 120:框體、120A:照射面、120B:邊界部 200:驅動基板 202,302:連接區域 210:驅動IC 300:訊號處理基板 310:訊號處理IC 400:支撐體 410:輥 P:箭頭
圖1係表示第1實施形態的放射線圖像攝影裝置中之電氣系統的主要部分結構的一例之方塊圖。 圖2係從基材的第1面側觀察第1實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖3A係圖2所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖3B係圖2所示之放射線檢測器的B-B線剖面圖。 圖4A係用於說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖4B係用於說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖4C係用於說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖4D係用於說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖4E係用於說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖4F係用於說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖4G係用於說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖4H係用於說明第1實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖5係從基材的第1面側觀察第2實施形態的放射線檢測器的一例之俯視圖。 圖6A係圖5所示之放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖6B係圖5所示之放射線檢測器的B-B線剖面圖。 圖7A係用於說明第2實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖7B係用於說明第2實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖7C係用於說明第2實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖7D係用於說明第2實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖7E係用於說明第2實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖7F係用於說明第2實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖7G係用於說明第2實施形態的放射線檢測器的製造方法的一例的圖。 圖8係另一例的放射線檢測器的A-A線剖面圖。 圖9係收納於框體中之狀態的實施形態的放射線圖像攝影裝置的一例的剖面圖。 圖10係收納於框體中之狀態的實施形態的放射線圖像攝影裝置的另一例的剖面圖。 圖11係收納於框體中之狀態的實施形態的放射線圖像攝影裝置的另一例的剖面圖。
11:基材
11A:第1面
11B:第2面
12:感測器基板
14:轉換層
19:積層體
30:像素
35:像素區域
46:保護層
50:補強構件
60:端子部
60A:端子區域
60B:除了端子區域以外的區域
90:切割線
92:對準標記
112A,112B:電纜
200:驅動基板
210:驅動IC
300:訊號處理基板
310:訊號處理IC

Claims (11)

  1. 一種放射線檢測器的製造方法，前述製造方法具備： 在支撐體上設置撓性基材且在前述基材的像素區域上形成基板之步驟，前述基板設置有蓄積與所照射之放射線相應之電荷之複數個像素； 從前述支撐體剝離設置有前述複數個像素之前述基板之步驟； 在前述基板中之從前述支撐體剝離之表面上設置補強前述基材的強度之補強構件之步驟；及 切割積層前述補強構件和前述基材而成之積層體的、與前述基材中之除了前述像素區域以外的區域對應之部分之步驟。
  2. 如請求項1所述之放射線檢測器的製造方法，其中 前述補強構件及前述基材的切割面齊平。
  3. 如請求項1或請求項2所述之放射線檢測器的製造方法，其中 前述基板具有設置有端子部之端子區域，前述端子部用於將電纜電連接至設置有前述複數個像素之表面上， 在切割前述基材之步驟中，切割除了前述端子區域以外的區域。
  4. 如請求項3所述之放射線檢測器的製造方法，其係在從前述支撐體剝離前述基板之步驟之前， 還具備將電纜電連接至前述端子部之步驟。
  5. 如請求項1或請求項2所述之放射線檢測器的製造方法，其係在切割前述基材之步驟之後， 還具備沿前述基板的前述基材被切割之一側的邊設置用於將電纜電連接至設置有前述複數個像素之表面上的端子部之步驟。
  6. 如請求項1至請求項5之任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中 前述補強構件的剛性高於前述基材。
  7. 如請求項1至請求項6之任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中 前述補強構件的彎曲彈性模數為500MPa以上且3000MPa以下。
  8. 如請求項1至請求項7之任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中 前述補強構件為將聚碳酸酯及聚對酞酸乙二酯中的至少一個作為材料之構件。
  9. 如請求項1至請求項8之任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中 前述基材在設置有前述複數個像素之表面上具有標記， 在切割前述積層體之步驟中，切割與前述標記相應之位置。
  10. 如請求項1至請求項9之任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其係在形成前述基板之步驟與從前述支撐體剝離前述基板之步驟之間， 還具備在設置有前述複數個像素之前述基材的表面上形成將前述放射線轉換成光之轉換層之步驟， 前述複數個像素中的每一個蓄積與由前述轉換層轉換之前述光相應之電荷。
  11. 如請求項1至請求項9之任一項所述之放射線檢測器的製造方法，其中 前述複數個像素中的每一個包括接收前述放射線並產生電荷之感測器部，且蓄積在前述感測器部中所產生之電荷。
TW109127819A 2019-08-16 2020-08-14 放射線檢測器的製造方法 TW202113395A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019149303 2019-08-16
JP2019-149303 2019-08-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202113395A true TW202113395A (zh) 2021-04-01

Family

ID=74660960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109127819A TW202113395A (zh) 2019-08-16 2020-08-14 放射線檢測器的製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPWO2021033663A1 (zh)
TW (1) TW202113395A (zh)
WO (1) WO2021033663A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008151768A (ja) * 2006-11-22 2008-07-03 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線用シンチレータパネル、放射線用シンチレータパネルの製造方法、及び放射線画像撮影装置
JP2010127680A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像検出センサユニット
US20140198900A1 (en) * 2013-01-17 2014-07-17 Palo Alto Research Center Incorporated High resolution x-ray imaging with thin, flexible digital sensors
JP6731874B2 (ja) * 2017-03-22 2020-07-29 富士フイルム株式会社 放射線検出器及び放射線画像撮影装置
JP2019061130A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2021033663A1 (zh) 2021-02-25
WO2021033663A1 (ja) 2021-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN210465701U (zh) 放射线检测器以及放射线图像拍摄装置
TWI821460B (zh) 放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及製造方法
WO2019181570A1 (ja) 放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び製造方法
JP7376636B2 (ja) 放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法
US11802981B2 (en) Method of manufacturing radiation detector and radiographic imaging apparatus
JP7314119B2 (ja) 放射線検出器、放射線画像撮影装置及び放射線検出器の製造方法
JP7451787B2 (ja) 放射線画像撮影装置
US11624844B2 (en) Radiation detector and radiographic imaging apparatus
WO2021033663A1 (ja) 放射線検出器の製造方法
TWI834890B (zh) 放射線檢測器及放射線圖像攝影裝置
JP7332784B2 (ja) 放射線検出器、及び放射線画像撮影装置
TWI833894B (zh) 放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置
US11612366B2 (en) Radiation detector, radiography apparatus, and method of manufacturing radiation detector
US20220299662A1 (en) Method of manufacturing radiographic imaging apparatus
US20220102399A1 (en) Method of manufacturing radiographic imaging apparatus, and transport jig
TW202203855A (zh) 放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置及放射線檢測器之製造方法