JP2005003444A - 放射線検出装置及び放射線撮像システム - Google Patents
放射線検出装置及び放射線撮像システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005003444A JP2005003444A JP2003165293A JP2003165293A JP2005003444A JP 2005003444 A JP2005003444 A JP 2005003444A JP 2003165293 A JP2003165293 A JP 2003165293A JP 2003165293 A JP2003165293 A JP 2003165293A JP 2005003444 A JP2005003444 A JP 2005003444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- photomultiplier tube
- pixel
- detection apparatus
- converted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【課題】平面型の光電子増倍管と光センサ・アレイとを積層化することにより、大面積かつ小型で透視撮影が可能な高感度な放射線検出装置を提供する。
【解決手段】X線は入射窓のAl基板1より入射し、CsI蛍光体2において可視光に変換され、更に、変換光はS20光電陰極面3において電子に変換される。電子は、GaPダイノード4において増倍され、硫化亜鉛系のP20蛍光体5において、再び、可視光に変換され、MIS型PDとTFTを組み合わせたセンサ基板7により検出される。
【選択図】 図1
【解決手段】X線は入射窓のAl基板1より入射し、CsI蛍光体2において可視光に変換され、更に、変換光はS20光電陰極面3において電子に変換される。電子は、GaPダイノード4において増倍され、硫化亜鉛系のP20蛍光体5において、再び、可視光に変換され、MIS型PDとTFTを組み合わせたセンサ基板7により検出される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、X線、γ線などの放射線を検出する放射線検出装置に関し、特に、医療画像診断装置、非破壊検査装置、放射線を用いた分析装置などに応用して好適な放射線検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、X線を用いた医療画像診断において、デジタル化を可能としたフラットパネル検出器(以下、FPDと略記)が開発され、静止画像を得る一般撮影が一般化しつつある。勿論、動画像を得る透視撮影に適応すべく、様々な開発が行われている。
【0003】
従来、この種の代表的なFPDとしては、本発明者らが提案しているMIS型光電変換素子(以下、MIS型PDと略記)とスイッチTFT(Thin Film Transistor)とから構成されたMIS―TFT構造の光センサ・アレイと蛍光体を組み合わせた放射線検出装置がある(例えば、特許文献1及び2参照)。
【0004】
一方、PIN型光電変換素子(以下、PIN型PDと略記)とスイッチTFTとを組み合わせたPIN−TFT構造、或いは、スイッチ素子にPIN型ダイオードを用いたPIN−PIN構造の光センサ・アレイなど多岐に渡る提案がされている。PIN型PDとTFTを用いたFPDは、Xerox社により開示されている(例えば、特許文献3参照)。
【0005】
基本的には、上述の様な素子構成により、放射線を一旦、可視光に変換し、光センサで読み取る構成が一般的であり、これらは、一般に、間接型放射線検出装置と言われる。特に、MIS―TFT構造のFPDは、製造方法が簡便で、低価格で機能的にも満足できる放射線検出装置である。
【0006】
一方、上記間接型に対して、放射線を直接、電荷に変換する直接型の放射線検出装置がある。例えば、アモルファス・セレン(a−Se)膜を用いた直接型放射線検出装置がある(例えば、非特許文献1参照)。これは、放射線を直接、電気信号に変換させるa−Se半導体薄膜を用いた放射線検出装置である。これは、間接型に比べて光学的損失がなく、また、発生した電荷を電界により引き出すため、十分厚膜化でき、その結果、高感度な検出装置が実現できると考えられている。
【0007】
一般的なFPDの模式的な等価回路図を図12に示す。101は光電変換素子部、102は転送用TFT部、103はTFT駆動配線、104は信号線、105はバイアス配線、106は信号処理回路、107はTFT駆動回路、108はA/D変換部である。
【0008】
X線などの放射線は、図面に鉛直方向上部より入射する。間接型の場合、蛍光体(図示省略)により可視光に変換され、変換光は、光電変換素子部101により電荷に変換され、光電変換素子部101内に蓄積される。その後、TFT駆動回路107より、TFT駆動配線を介して転送用TFT部102を動作させ、この蓄積電荷を信号線104に転送し、信号処理回路106にて処理され、更に、A/D変換部108にてA/D変換されて出力される。
【0009】
勿論、上述の光電変換素子部を直接変換素子部、或いは、それに接続された容量部などの機能素子に見立てれば、同一の等価回路となり直接型においても説明可能である。
【0010】
更に、高感度な放射線検出装置として、平面型の光電子増倍管とCCDを光学的に組み合わせ、高感度化を目指した平面型イメージインテンシファイア(以下、平面型I.Iと略記)なども開発されている(例えば、非特許文献2参照)。
【0011】
【特許文献1】
特開平8−116044号公報(特許第3066944号)
【特許文献2】
米国特許6075256号明細書
【特許文献3】
米国特許6288435号明細書
【非特許文献1】
SPIE(Society of Photo−Optical Instrumentation Engineers) Vol.2708 P511〜P522
【非特許文献2】
SPIE Vol.3977(2000)P145
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の間接型FPDにおいては、大面積で、且つ、完全デジタル化が達成され、一般撮影に主に使用され始めている状況であるが、透視撮影には、未だ感度の点で十分でない状況である。即ち、現在、透視撮影に使用されている従来のイメージインテンシファイア(以下、I.Iと略記)の感度は、上述のFPDの感度に比較して、概ね、1桁以上高いと推定され、単純に言い換えれば、FPDを用いた場合、放射線量が1桁以上多く必要となり、現状の間接型FPDでは、透視撮影は困難である。
【0013】
一方、現在、直接型材料として最も注目されているa−Se半導体薄膜は材料的な環境安定性に欠け、高温時の構造変化など本質的な問題を抱えている。更に、高電圧を印加する必要があるため、装置側での安全対策が必要となる。その結果、高価格化、大型化、取り扱いにおける煩雑化を伴い、汎用化には到らないと考えられる。
【0014】
また、平面型I.Iは平面型の光電子増倍管をCCDとレンズを用いて光学的に接続しているため、真に平面型とは言い難く、従来のI.Iと同様に装置的に大掛かりとなり、大面積化は、即ち、装置の大型化となり、従来のI.Iと同様の問題を抱える。即ち、従来のFPDと同様な扱いは困難である。
【0015】
そこで本発明は、大面積かつ小型化が達成でき、さらに透視撮影が可能な高感度な撮影装置を、平面型の光電子増倍管と光センサ・アレイとを積層化することにより実現可能とした放射線検出装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明は、平面型の光電子増倍管と、この光電子増倍管から出力された出力光を検出して電気信号に変換する光電変換素子、及びその電気信号を読み出すスイッチTFTを含んで構成される平面型センサ・アレイとを積層化して構成することを特徴とする。
【0017】
また、光電子増倍管を挟む上部基板と下部基板とを備え、センサ・アレイは、その下部基板に形成される。
【0018】
更に、光電子増倍管は、画素単位に分割された構造であり、その画素ピッチとセンサ・アレイの画素ピッチは、互いに略同一ピッチ、或いは、光電子増倍管の画素ピッチはセンサ・アレイの画素ピッチの略整数倍となる様に配列した。
【0019】
以上の構成によって、大面積かつ小型で高感度な撮影装置を実現することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0021】
(実施形態1)
図1は、第1実施形態の放射線検出装置の模式的断面図である。1はAl基板、2はCsI蛍光体、3はS20光電陰極、4はダイノード、5はP20蛍光体、6は透明基板、7はセンサ基板である。同図において、X線は入射窓のAl基板1より入射し、CsI蛍光体2において可視光に変換され、更に、変換光はS20光電陰極面3において電子に変換される。電子は、GaPダイノード4において増倍され、硫化亜鉛系のP20蛍光体5において、再び、可視光に変換され、MIS型PDとTFTを組み合わせたセンサ基板7により検出される。
【0022】
次に、図2に1画素の模式的断面図を示す。11は絶縁基板、12はMIS型PDの下電極、13はスイッチTFTのゲート電極、14は絶縁層、15は真性a−Si半導体層、16はn型μc−Si層、17はバイアス線、18は信号線、19は保護層である。本実施形態では、MIS型PDとTFTとから構成されるセンサ・アレイを例としたが、PIN型PDとTFTとから構成されるセンサ・アレイでも本質的には同様である。
【0023】
図3は、センサ基板の1画素の模式的平面図を示す。103はTFT駆動配線、104は信号線、101は光電変換素子部、102はTFT部である。
【0024】
また、図4に平面型の光電子増倍管の1画素の模式的平面図を示す。夫々の画素ピッチは同一であり、画素中心を同一として積層される。即ち、上述の平面型の光電子増倍管は、CsI蛍光体の柱状結晶から導光された変換光が各画素毎に区画されたダイノードで増倍され、その信号がセンサ基板の区画された単一画素に入射する構成になっている。
【0025】
光電子増倍管の1画素の形態としては、図5、図6などの形状が考えられる。図5では開効率を最大限確保する場合であり、角部は一定の曲率を持たせた構造である。また、図6は転送用TFT部に入射する光を遮光する構造である。
【0026】
本実施形態では、センサ基板と光電子増倍管を個別に作成し、粘着材、或いは接着剤などで貼り合せることにより簡便に製造可能である。この時、センサ画素と光電子増倍管の画素の中心が重なるように積層する。
【0027】
本実施形態により、解像度を低下させることなく、かえって向上させ、感度は1桁以上改善が可能となる。更に、大面積化に対しても、真の平面型I.Iを実現でき、コンパクトな放射線検出装置が実現可能となる。
【0028】
(実施形態2)
図7は、第2実施形態の模式的断面図を示す。図中の符番は実施形態1と同様である。本実施形態では、光電子増倍管の下基板である透明基板を取り除き、センサ基板表面に直接、積層した構造である。
【0029】
図8は、1画素の模式的断面図を示す。図中の符番は実施形態1と同様である。センサ基板の保護層19上に、直接、P20蛍光体5が積層され、順次ダイノード4、S20光電陰極3、CsI蛍光体2、Al基板1が積層されている構造である。
【0030】
この時、センサ基板の保護層は、平坦化層との組み合わせなどによる多層構成が信頼性向上、或いは、光電子増倍管を積層する上でも望ましい。
【0031】
本構成では、実施形態1に比較して、光電子増倍管の下基板である透明基板が取り除かれている構造であるため、透過光の散乱が少なく、解像度を更に改善できる。
【0032】
この時、P20蛍光体5、ダイノード4までは、センサ基板に連続して作成し、Al基板1上に積層されたCsI蛍光体2、S20光電陰極3の別基板を張り合わせることで製造可能である。勿論、光電子増倍管とセンサ基板間は、真空化され、周辺で封止されている構造である。
【0033】
(実施形態3)
本実施形態では、センサ基板の画素ピッチと光電子増倍管の画素ピッチの関係について述べる。通常、光電子増倍管の画素領域では、1次電子をダイノードに衝突させ、2次電子放出を誘発させ、増倍させるが、この時、上方から見たダイノードの形状は、収率の関係から円形が望ましいが、一方、センサ入射光量が低下する場合もあり、画素サイズとの関係で決定される。
【0034】
実施形態2においては、センサ基板の画素ピッチと光電子増倍管の画素ピッチが一致している場合について述べた。本実施形態では、光電子増倍管の画素ピッチがセンサ基板の画素ピッチの整数倍とし、解像力の更なる向上を達成する構成の一例を示す。
【0035】
図9に、光電子増倍管の画素とセンサ画素の関係を示す。図中、20はセンサ画素領域、4はダイノードである。一例として、1つのセンサ画素領域に、光電子増倍管の9画素が対応している。勿論、センサ画素ピッチに対応した適切な光電子増倍管の画素数がある。
【0036】
更に、光電子増倍管の画素ピッチに比較して、センサ画素ピッチが十分大きい場合、遮光すべきTFT領域に光電子増倍管の画素を設置しないことにより、高品位な画像を更に得ることも可能である。
【0037】
勿論、実施形態1の様に、矩形状の開口を有する光電子増倍管の画素形状であっても可能である。
【0038】
(実施形態4)
本実施形態では、センサ基板、或いは、平面型光電子増倍管のパターン露光時に必然的に発生する画素ピッチのズレ、及び、歪みが発生した場合についての一例を示す。
【0039】
画素ピッチのズレや歪みは、露光機の精度により決定され、通常2〜3μmである。故に、センサ基板と平面型光電子増倍管を重ね合わせる場合には最大で4〜6μm程度ずれる事が予想される。その結果、図10の様にセンサ基板、或いは、平面型光電子増倍管の画素において、ズレが発生してもセンサ画素内に平面型光電子増倍管の画素が入っている様に予め各画素間の距離を決定する。
【0040】
また、上記の様にマージンを考慮すれば、互いの画素ピッチを完全に同一とする必要は無い。
【0041】
(実施形態5)
図11は、本発明による放射線検出装置のX線診断システムへの適用例を示したものである。
【0042】
X線チューブ6050で発生したX線6060は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、放射線検出装置(イメージセンサ)6040に入射する。この入射したX線には被験者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応して表面の蛍光体によって可視光に変換し、これを光電子増倍して、さらに光電変換し、電気信号を得る。この電気信号はデジタル変換されイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室のディスプレイ6080で観察できる。
【0043】
また、この画像情報は電話回線6090等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。またフィルムプロセッサ6100によりフィルム6110に記録することもできる。
【0044】
以上の実施形態では、X線撮像システムを例に説明したが、シンチレータによって放射線を光に変換し、この光を光電変換する装置構成としても、同様である。なお、放射線とはX線以外のα,β,γ線等を含む。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、平面型の光電子増倍管と光センサ・アレイとを積層化することにより、大面積かつ小型化が可能となり、透視撮影が可能な高感度な撮影装置を実現することができる。更に、高解像化も同時に達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1の放射線検出装置の模式的断面図である。
【図2】実施形態1の1画素の模式的断面図である。
【図3】センサ基板の1画素の模式的平面図である。
【図4】平面型光電子増倍管の1画素の模式的平面図である。
【図5】光電子増倍管の1画素の形態を示す図である。
【図6】光電子増倍管の1画素の形態を示す図である。
【図7】実施形態2の放射線検出装置の模式的断面図である。
【図8】実施形態2の1画素の模式的断面図である。
【図9】光電子増倍管の画素とセンサ画素の関係を示す図である。
【図10】光電子増倍管の画素とセンサ画素の関係を示す図である。
【図11】本発明による放射線検出装置のX線診断システムへの適用例を示す図である。
【図12】従来のFPDの模式的等価回路図である。
【符号の説明】
1 Al基板
2 CsI蛍光体
3 S20光電陰極
4 ダイノード
5 P20蛍光体
6 透明基板
7 センサ基板
11 絶縁基板
12 MIS型PDの下電極
13 スイッチTFTのゲート電極
14 絶縁層
15 真性a−Si半導体層
16 n型μc−Si層
17 バイアス線
18 信号線
19 保護層
20 センサ画素領域
101 光電変換素子部
102 転送用TFT部
103 TFT駆動配線
104 信号線
105 バイアス配線
106 信号処理回路
107 TFT駆動回路
108 A/D変換部
【発明の属する技術分野】
本発明は、X線、γ線などの放射線を検出する放射線検出装置に関し、特に、医療画像診断装置、非破壊検査装置、放射線を用いた分析装置などに応用して好適な放射線検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、X線を用いた医療画像診断において、デジタル化を可能としたフラットパネル検出器(以下、FPDと略記)が開発され、静止画像を得る一般撮影が一般化しつつある。勿論、動画像を得る透視撮影に適応すべく、様々な開発が行われている。
【0003】
従来、この種の代表的なFPDとしては、本発明者らが提案しているMIS型光電変換素子(以下、MIS型PDと略記)とスイッチTFT(Thin Film Transistor)とから構成されたMIS―TFT構造の光センサ・アレイと蛍光体を組み合わせた放射線検出装置がある(例えば、特許文献1及び2参照)。
【0004】
一方、PIN型光電変換素子(以下、PIN型PDと略記)とスイッチTFTとを組み合わせたPIN−TFT構造、或いは、スイッチ素子にPIN型ダイオードを用いたPIN−PIN構造の光センサ・アレイなど多岐に渡る提案がされている。PIN型PDとTFTを用いたFPDは、Xerox社により開示されている(例えば、特許文献3参照)。
【0005】
基本的には、上述の様な素子構成により、放射線を一旦、可視光に変換し、光センサで読み取る構成が一般的であり、これらは、一般に、間接型放射線検出装置と言われる。特に、MIS―TFT構造のFPDは、製造方法が簡便で、低価格で機能的にも満足できる放射線検出装置である。
【0006】
一方、上記間接型に対して、放射線を直接、電荷に変換する直接型の放射線検出装置がある。例えば、アモルファス・セレン(a−Se)膜を用いた直接型放射線検出装置がある(例えば、非特許文献1参照)。これは、放射線を直接、電気信号に変換させるa−Se半導体薄膜を用いた放射線検出装置である。これは、間接型に比べて光学的損失がなく、また、発生した電荷を電界により引き出すため、十分厚膜化でき、その結果、高感度な検出装置が実現できると考えられている。
【0007】
一般的なFPDの模式的な等価回路図を図12に示す。101は光電変換素子部、102は転送用TFT部、103はTFT駆動配線、104は信号線、105はバイアス配線、106は信号処理回路、107はTFT駆動回路、108はA/D変換部である。
【0008】
X線などの放射線は、図面に鉛直方向上部より入射する。間接型の場合、蛍光体(図示省略)により可視光に変換され、変換光は、光電変換素子部101により電荷に変換され、光電変換素子部101内に蓄積される。その後、TFT駆動回路107より、TFT駆動配線を介して転送用TFT部102を動作させ、この蓄積電荷を信号線104に転送し、信号処理回路106にて処理され、更に、A/D変換部108にてA/D変換されて出力される。
【0009】
勿論、上述の光電変換素子部を直接変換素子部、或いは、それに接続された容量部などの機能素子に見立てれば、同一の等価回路となり直接型においても説明可能である。
【0010】
更に、高感度な放射線検出装置として、平面型の光電子増倍管とCCDを光学的に組み合わせ、高感度化を目指した平面型イメージインテンシファイア(以下、平面型I.Iと略記)なども開発されている(例えば、非特許文献2参照)。
【0011】
【特許文献1】
特開平8−116044号公報(特許第3066944号)
【特許文献2】
米国特許6075256号明細書
【特許文献3】
米国特許6288435号明細書
【非特許文献1】
SPIE(Society of Photo−Optical Instrumentation Engineers) Vol.2708 P511〜P522
【非特許文献2】
SPIE Vol.3977(2000)P145
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の間接型FPDにおいては、大面積で、且つ、完全デジタル化が達成され、一般撮影に主に使用され始めている状況であるが、透視撮影には、未だ感度の点で十分でない状況である。即ち、現在、透視撮影に使用されている従来のイメージインテンシファイア(以下、I.Iと略記)の感度は、上述のFPDの感度に比較して、概ね、1桁以上高いと推定され、単純に言い換えれば、FPDを用いた場合、放射線量が1桁以上多く必要となり、現状の間接型FPDでは、透視撮影は困難である。
【0013】
一方、現在、直接型材料として最も注目されているa−Se半導体薄膜は材料的な環境安定性に欠け、高温時の構造変化など本質的な問題を抱えている。更に、高電圧を印加する必要があるため、装置側での安全対策が必要となる。その結果、高価格化、大型化、取り扱いにおける煩雑化を伴い、汎用化には到らないと考えられる。
【0014】
また、平面型I.Iは平面型の光電子増倍管をCCDとレンズを用いて光学的に接続しているため、真に平面型とは言い難く、従来のI.Iと同様に装置的に大掛かりとなり、大面積化は、即ち、装置の大型化となり、従来のI.Iと同様の問題を抱える。即ち、従来のFPDと同様な扱いは困難である。
【0015】
そこで本発明は、大面積かつ小型化が達成でき、さらに透視撮影が可能な高感度な撮影装置を、平面型の光電子増倍管と光センサ・アレイとを積層化することにより実現可能とした放射線検出装置を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するため、本発明は、平面型の光電子増倍管と、この光電子増倍管から出力された出力光を検出して電気信号に変換する光電変換素子、及びその電気信号を読み出すスイッチTFTを含んで構成される平面型センサ・アレイとを積層化して構成することを特徴とする。
【0017】
また、光電子増倍管を挟む上部基板と下部基板とを備え、センサ・アレイは、その下部基板に形成される。
【0018】
更に、光電子増倍管は、画素単位に分割された構造であり、その画素ピッチとセンサ・アレイの画素ピッチは、互いに略同一ピッチ、或いは、光電子増倍管の画素ピッチはセンサ・アレイの画素ピッチの略整数倍となる様に配列した。
【0019】
以上の構成によって、大面積かつ小型で高感度な撮影装置を実現することができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0021】
(実施形態1)
図1は、第1実施形態の放射線検出装置の模式的断面図である。1はAl基板、2はCsI蛍光体、3はS20光電陰極、4はダイノード、5はP20蛍光体、6は透明基板、7はセンサ基板である。同図において、X線は入射窓のAl基板1より入射し、CsI蛍光体2において可視光に変換され、更に、変換光はS20光電陰極面3において電子に変換される。電子は、GaPダイノード4において増倍され、硫化亜鉛系のP20蛍光体5において、再び、可視光に変換され、MIS型PDとTFTを組み合わせたセンサ基板7により検出される。
【0022】
次に、図2に1画素の模式的断面図を示す。11は絶縁基板、12はMIS型PDの下電極、13はスイッチTFTのゲート電極、14は絶縁層、15は真性a−Si半導体層、16はn型μc−Si層、17はバイアス線、18は信号線、19は保護層である。本実施形態では、MIS型PDとTFTとから構成されるセンサ・アレイを例としたが、PIN型PDとTFTとから構成されるセンサ・アレイでも本質的には同様である。
【0023】
図3は、センサ基板の1画素の模式的平面図を示す。103はTFT駆動配線、104は信号線、101は光電変換素子部、102はTFT部である。
【0024】
また、図4に平面型の光電子増倍管の1画素の模式的平面図を示す。夫々の画素ピッチは同一であり、画素中心を同一として積層される。即ち、上述の平面型の光電子増倍管は、CsI蛍光体の柱状結晶から導光された変換光が各画素毎に区画されたダイノードで増倍され、その信号がセンサ基板の区画された単一画素に入射する構成になっている。
【0025】
光電子増倍管の1画素の形態としては、図5、図6などの形状が考えられる。図5では開効率を最大限確保する場合であり、角部は一定の曲率を持たせた構造である。また、図6は転送用TFT部に入射する光を遮光する構造である。
【0026】
本実施形態では、センサ基板と光電子増倍管を個別に作成し、粘着材、或いは接着剤などで貼り合せることにより簡便に製造可能である。この時、センサ画素と光電子増倍管の画素の中心が重なるように積層する。
【0027】
本実施形態により、解像度を低下させることなく、かえって向上させ、感度は1桁以上改善が可能となる。更に、大面積化に対しても、真の平面型I.Iを実現でき、コンパクトな放射線検出装置が実現可能となる。
【0028】
(実施形態2)
図7は、第2実施形態の模式的断面図を示す。図中の符番は実施形態1と同様である。本実施形態では、光電子増倍管の下基板である透明基板を取り除き、センサ基板表面に直接、積層した構造である。
【0029】
図8は、1画素の模式的断面図を示す。図中の符番は実施形態1と同様である。センサ基板の保護層19上に、直接、P20蛍光体5が積層され、順次ダイノード4、S20光電陰極3、CsI蛍光体2、Al基板1が積層されている構造である。
【0030】
この時、センサ基板の保護層は、平坦化層との組み合わせなどによる多層構成が信頼性向上、或いは、光電子増倍管を積層する上でも望ましい。
【0031】
本構成では、実施形態1に比較して、光電子増倍管の下基板である透明基板が取り除かれている構造であるため、透過光の散乱が少なく、解像度を更に改善できる。
【0032】
この時、P20蛍光体5、ダイノード4までは、センサ基板に連続して作成し、Al基板1上に積層されたCsI蛍光体2、S20光電陰極3の別基板を張り合わせることで製造可能である。勿論、光電子増倍管とセンサ基板間は、真空化され、周辺で封止されている構造である。
【0033】
(実施形態3)
本実施形態では、センサ基板の画素ピッチと光電子増倍管の画素ピッチの関係について述べる。通常、光電子増倍管の画素領域では、1次電子をダイノードに衝突させ、2次電子放出を誘発させ、増倍させるが、この時、上方から見たダイノードの形状は、収率の関係から円形が望ましいが、一方、センサ入射光量が低下する場合もあり、画素サイズとの関係で決定される。
【0034】
実施形態2においては、センサ基板の画素ピッチと光電子増倍管の画素ピッチが一致している場合について述べた。本実施形態では、光電子増倍管の画素ピッチがセンサ基板の画素ピッチの整数倍とし、解像力の更なる向上を達成する構成の一例を示す。
【0035】
図9に、光電子増倍管の画素とセンサ画素の関係を示す。図中、20はセンサ画素領域、4はダイノードである。一例として、1つのセンサ画素領域に、光電子増倍管の9画素が対応している。勿論、センサ画素ピッチに対応した適切な光電子増倍管の画素数がある。
【0036】
更に、光電子増倍管の画素ピッチに比較して、センサ画素ピッチが十分大きい場合、遮光すべきTFT領域に光電子増倍管の画素を設置しないことにより、高品位な画像を更に得ることも可能である。
【0037】
勿論、実施形態1の様に、矩形状の開口を有する光電子増倍管の画素形状であっても可能である。
【0038】
(実施形態4)
本実施形態では、センサ基板、或いは、平面型光電子増倍管のパターン露光時に必然的に発生する画素ピッチのズレ、及び、歪みが発生した場合についての一例を示す。
【0039】
画素ピッチのズレや歪みは、露光機の精度により決定され、通常2〜3μmである。故に、センサ基板と平面型光電子増倍管を重ね合わせる場合には最大で4〜6μm程度ずれる事が予想される。その結果、図10の様にセンサ基板、或いは、平面型光電子増倍管の画素において、ズレが発生してもセンサ画素内に平面型光電子増倍管の画素が入っている様に予め各画素間の距離を決定する。
【0040】
また、上記の様にマージンを考慮すれば、互いの画素ピッチを完全に同一とする必要は無い。
【0041】
(実施形態5)
図11は、本発明による放射線検出装置のX線診断システムへの適用例を示したものである。
【0042】
X線チューブ6050で発生したX線6060は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、放射線検出装置(イメージセンサ)6040に入射する。この入射したX線には被験者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応して表面の蛍光体によって可視光に変換し、これを光電子増倍して、さらに光電変換し、電気信号を得る。この電気信号はデジタル変換されイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室のディスプレイ6080で観察できる。
【0043】
また、この画像情報は電話回線6090等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。またフィルムプロセッサ6100によりフィルム6110に記録することもできる。
【0044】
以上の実施形態では、X線撮像システムを例に説明したが、シンチレータによって放射線を光に変換し、この光を光電変換する装置構成としても、同様である。なお、放射線とはX線以外のα,β,γ線等を含む。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、平面型の光電子増倍管と光センサ・アレイとを積層化することにより、大面積かつ小型化が可能となり、透視撮影が可能な高感度な撮影装置を実現することができる。更に、高解像化も同時に達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1の放射線検出装置の模式的断面図である。
【図2】実施形態1の1画素の模式的断面図である。
【図3】センサ基板の1画素の模式的平面図である。
【図4】平面型光電子増倍管の1画素の模式的平面図である。
【図5】光電子増倍管の1画素の形態を示す図である。
【図6】光電子増倍管の1画素の形態を示す図である。
【図7】実施形態2の放射線検出装置の模式的断面図である。
【図8】実施形態2の1画素の模式的断面図である。
【図9】光電子増倍管の画素とセンサ画素の関係を示す図である。
【図10】光電子増倍管の画素とセンサ画素の関係を示す図である。
【図11】本発明による放射線検出装置のX線診断システムへの適用例を示す図である。
【図12】従来のFPDの模式的等価回路図である。
【符号の説明】
1 Al基板
2 CsI蛍光体
3 S20光電陰極
4 ダイノード
5 P20蛍光体
6 透明基板
7 センサ基板
11 絶縁基板
12 MIS型PDの下電極
13 スイッチTFTのゲート電極
14 絶縁層
15 真性a−Si半導体層
16 n型μc−Si層
17 バイアス線
18 信号線
19 保護層
20 センサ画素領域
101 光電変換素子部
102 転送用TFT部
103 TFT駆動配線
104 信号線
105 バイアス配線
106 信号処理回路
107 TFT駆動回路
108 A/D変換部
Claims (4)
- 平面型の光電子増倍管と、
この光電子増倍管から出力された出力光を検出して電気信号に変換する光電変換素子、及びその電気信号を読み出すスイッチを含んで構成される平面型センサ・アレイとを積層化して構成することを特徴とする放射線検出装置。 - 前記光電子増倍管を挟む上部基板と下部基板とを備え、
前記センサ・アレイは、該下部基板に形成されていることを特徴とする請求項1記載の放射線検出装置。 - 前記光電子増倍管は、画素単位に分割された構造であり、
該画素ピッチと前記センサ・アレイの画素ピッチは、互いに略同一ピッチ、或いは、前記光電子増倍管の画素ピッチは前記センサ・アレイの画素ピッチの略整数倍であることを特徴とする請求項1又は2記載の放射線検出装置。 - 被験者または被験物に放射線を照射するための放射線源と、
この放射線を検出する請求項1〜3のいずれか1項に記載の放射線検出装置と、
この検出された信号をデジタル変換して画像処理する画像処理手段と、
この処理された画像を表示する表示手段とを備えることを特徴とする放射線撮像システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003165293A JP2005003444A (ja) | 2003-06-10 | 2003-06-10 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003165293A JP2005003444A (ja) | 2003-06-10 | 2003-06-10 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005003444A true JP2005003444A (ja) | 2005-01-06 |
Family
ID=34091818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003165293A Pending JP2005003444A (ja) | 2003-06-10 | 2003-06-10 | 放射線検出装置及び放射線撮像システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005003444A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8103117B2 (en) | 2007-03-06 | 2012-01-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing apparatus and image processing method employing recursive filtering |
CN104950323A (zh) * | 2015-06-03 | 2015-09-30 | 清华大学 | 射线探测器 |
WO2021015578A1 (ko) * | 2019-07-23 | 2021-01-28 | 고려대학교 산학협력단 | 자가 발전형 페로브스카이트 x선 검출기 |
WO2023243756A1 (ko) * | 2021-06-14 | 2023-12-21 | (재)한국나노기술원 | 광 센서 패키지 및 어레이 장치 |
-
2003
- 2003-06-10 JP JP2003165293A patent/JP2005003444A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8103117B2 (en) | 2007-03-06 | 2012-01-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing apparatus and image processing method employing recursive filtering |
CN104950323A (zh) * | 2015-06-03 | 2015-09-30 | 清华大学 | 射线探测器 |
WO2021015578A1 (ko) * | 2019-07-23 | 2021-01-28 | 고려대학교 산학협력단 | 자가 발전형 페로브스카이트 x선 검출기 |
KR20210011667A (ko) * | 2019-07-23 | 2021-02-02 | 고려대학교 산학협력단 | 자가 발전형 페로브스카이트 x선 검출기 |
KR102276317B1 (ko) * | 2019-07-23 | 2021-07-12 | 고려대학교 산학협력단 | 자가 발전형 페로브스카이트 x선 검출기 |
US20220246873A1 (en) * | 2019-07-23 | 2022-08-04 | Korea University Research And Business Foundation | Self-powered perovskite x-ray detector |
EP3988969A4 (en) * | 2019-07-23 | 2023-07-19 | Korea University Research and Business Foundation | SELF-CONTAINED PEROVSKITE X-RAY DETECTOR |
US11744090B2 (en) | 2019-07-23 | 2023-08-29 | Korea University Research And Business Foundation | Self-powered perovskite X-ray detector |
WO2023243756A1 (ko) * | 2021-06-14 | 2023-12-21 | (재)한국나노기술원 | 광 센서 패키지 및 어레이 장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5043374B2 (ja) | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム | |
JP5043373B2 (ja) | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム | |
JP4908947B2 (ja) | 変換装置、放射線検出装置、及び放射線検出システム | |
JP5196739B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
TWI447924B (zh) | Radiation photography device | |
US8167486B2 (en) | Imaging system and driving method thereof | |
EP2168370B1 (en) | Radiation detecting apparatus and radiation imaging system | |
US7122804B2 (en) | X-ray imaging device | |
JP2007103578A (ja) | 光電変換装置及び放射線検出装置 | |
JP2007147370A (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
JP4054612B2 (ja) | 放射線撮像装置 | |
JP2004015000A (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
JP2005003444A (ja) | 放射線検出装置及び放射線撮像システム | |
EP2169719A2 (en) | X-ray detector | |
JP4018461B2 (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線撮像システム | |
JP2006128644A (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置、及び放射線撮像システム | |
JP5789223B2 (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP2004167075A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像方法 | |
JP2005129715A (ja) | 放射線検出装置 | |
JP2004014695A (ja) | 光電変換装置、放射線検出装置及びシステム | |
JP2006128645A (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置、及び放射線撮像システム | |
JP2003309256A (ja) | 放射線検出装置及びその製造方法 | |
JP2016020820A (ja) | 放射線検出器およびシンチレータパネル |