CN111403454A - 显示面板 - Google Patents

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李莎莎
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Abstract

本发明提供一种显示面板，包括阵列式分布的像素单元、GOA驱动电路以及数据线。显示面板用于双面显示，通过在基板上设置一组薄膜晶体管，包括横向同层设置的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管用以驱动所述显示面板的正面显示，第二薄膜晶体管用于驱动所述显示面板反面显示，进而减小了双面显示面板的制备工序，提高了制备效率，以及减小了显示面板的厚度。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是一种显示面板。
背景技术
近年来，显示产品的发展日新月异，手机、电视、车载显示、PDA等产品已渗透到大众生活的方方面面，而人们对于显示器的要求也越来越高。柔性显示、双面显示、窄边框、四曲面屏等技术已成为目前显示产业的重点研究方向。
传统双面显示器通常需要制备两组TFT驱动，如图1，成本高，制作工艺繁琐，较难推广量产。
因此，急需提供一种新的双面显示面板，减小成本，提高制备效率。
发明内容
本发明的目的是，提供一种显示面板，用于双面显示，通过在基板上设置一组薄膜晶体管，包括横向设置的第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管用以驱动所述显示面板的正面显示，所述第二薄膜晶体管用于驱动所述显示面板的反面显示。
为达到上述目的，本发明提供一种显示面板，包括阵列式分布的像素单元，每组像素单元包括：基板，一侧设有第一缓冲层，另一侧设有第二缓冲层；介电层，设于所述第一缓冲层远离所述基板的一侧，所述介电层中横向设有第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管；第一电极，设于所述介电层远离所述第一缓冲层的一侧，所述第一电极连接所述第一薄膜晶体管；第二电极，设于所述第二缓冲层远离所述基板的一侧，所述第二电极连接所述第二薄膜晶体管。
进一步地，所述第一电极上依次设有第一有机功能层以及第一薄膜封装层；所述第二电极上依次设有第二有机功能层以及第二薄膜封装层；所述显示面板还包括：第一像素限定层以及第二像素限定层；所述第一像素限定层设于所述介电层与所述第一薄膜封装层之间且围绕所述第一电极以及所述第一有机功能层；所述第二像素限定层设于所述第二缓冲层与所述第二薄膜封装层之间且围绕所述第二电极以及所述第二有机功能层。
进一步地，所述第一电极与所述介电层之间包括一钝化层，所述钝化层中设有一第三电极，所述第三电极具有一间隙；所述第一电极上依次设液晶层以及彩膜基板；所述基板与所述第二缓冲层之间设有一背光模组；所述第二电极上依次设有第二有机功能层以及第二薄膜封装层；所述显示面板还包括第二像素限定层；所述第二像素限定层设于所述第二缓冲层与所述第二薄膜封装层之间且围绕所述第二电极以及所述第二有机功能层。
进一步地，所述介电层包括：栅极绝缘层，设于所述第一缓冲层远离所述基板的一侧；层间绝缘层，设于所述栅极绝缘层远离所述第一缓冲层的一侧；平坦化层，设于所述层间绝缘层远离所述栅极绝缘层的一侧。
进一步地，所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管的结构相同，皆包括：有源层，设于所述第一缓冲层上且被所述栅极绝缘层包覆；栅极，设于所述栅极绝缘层上且被所述层间绝缘层包覆，所述栅极对应所述有源层；源漏电极层，设于所述层间绝缘层上且被所述平坦化层包覆，所述源漏电极层包括源极以及漏级，所述源极以及所述漏级分别连接所述有源层。
进一步地，所述平坦化层具有凹槽，所述凹槽向下延伸至所述源漏电极层的上表面，所述第一电极通过所述凹槽向下连接所述源漏电极层。
进一步地，所述第二缓冲层具有一通孔，所述通孔向上贯穿所述基板、所述第一缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层直至至所述源漏电极层的下表面，所述第二电极通过所述通孔向上连接所述源漏电极层。
进一步地，所述第二薄膜晶体管的漏级具有一延伸部，所述通孔对应所述延伸部。
进一步地，所述凹槽对应所述第一薄膜晶体管的源极或漏级。
进一步地，还包括：GOA驱动电路，设于所述显示面板的非显示区，所述GOA驱动电路连接所述显示单元；数据线，设于所述显示面板的绑定区，所述数据线连接所述显示单元；在所述显示单元中，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的数量比为1:1～3:1。
本发明的有益效果是：本发明提供一种显示面板，用于双面显示，通过在基板上设置一组薄膜晶体管，包括横向设置第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管用以驱动所述显示面板的正面显示，所述第二薄膜晶体管用于驱动所述显示面板反面显示，进而减小了双面显示面板的制备工序，提高了制备效率，以及减小了显示面板的厚度。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的描述。
图1为现有技术显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例1提供的显示面板的平面图；
图3为图2的一实施例的一组像素单元沿I-I’方向的剖面图。
图4为图2的其他实施例的一组像素单元沿I-I’方向的剖面图。
图5为本发明实施例2提供的显示面板的平面图。
图6为本发明实施例3提供的显示面板的平面图。
图7为图2的另一实施例的一组像素单元沿I-I’方向的剖面图。
显示面板100；像素单元210；GOA驱动电路11；
数据线12；绑定区220；基板101；
介电层11；第一电极107；第一像素限定层109；
第二电极114；第二像素限定层111；第一缓冲层102；
第二缓冲层103；第一有机功能层108；第一薄膜封装层110；
第二有机功能层113；第二薄膜封装层112；有源层201；
栅极202；源漏电极层203；延伸部204；
凹槽1061；通孔1031；栅极绝缘层104；
层间绝缘层105；平坦化层106。
具体实施方式
为了更好地理解本发明的内容，下面通过具体的实施例对本发明作进一步说明，但本发明的实施和保护范围不限于此。
以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
本发明提供一种显示面板，包括阵列式分布的像素单元。
每组像素单元包括：基板、介电层、第一电极、第一像素限定层、第二电极以及第二像素限定层。
所述基板一侧设有第一缓冲层，另一侧设有第二缓冲层；所述介电层设于所述第一缓冲层远离所述基板的一侧，所述介电层中横向设有第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。
所述第一电极设于所述介电层远离所述第一缓冲层的一侧，所述第一电极连接所述第一薄膜晶体管，所述第一电极上依次设有第一有机功能层以及第一薄膜封装层。
所述第一像素限定层设于所述介电层与所述第一薄膜封装层之间且围绕所述第一电极以及所述第一有机功能层。
所述第二电极设于所述第二缓冲层远离所述基板的一侧，所述第二电极连接所述第二薄膜晶体管，所述第二电极上依次设有第二有机功能层以及第二薄膜封装层。
所述第二像素限定层设于所述第二缓冲层与所述第二薄膜封装层之间且围绕所述第二电极以及所述第二有机功能层。
如图2所示，本发明一实施例提供的一种显示面板100，包括阵列式分布的像素单元210、GOA驱动电路11以及数据线12。
所述像素单元210包括对应所述显示面板100正面的第一子像素(R1、G1、B1)以及对应所述显示面板100背面的第二子像素(R2、G2、B2)。
所述GOA驱动电路11，设于所述显示面板100的非显示区，所述GOA驱动电路11连接所述显示单元进行驱动所述显示面板100的双面显示。
所述数据线12设于所述显示面板100的绑定区220，所述数据线12连接所述显示单元。通过驱动IC调控数据线的电流输出，即可实现双面显示。
如图3所示，每组像素单元210的层状结构包括：基板101、介电层11、第一电极107、第一像素限定层109、第二电极114以及第二像素限定层111。
所述基板101一侧设有第一缓冲层102，另一侧设有第二缓冲层103。玻璃或其他有机柔性材料制成基板101。第一缓冲层102以及第二缓冲层103主要由氮化硅、氧化硅等无机材料构成。
所述介电层11设于所述第一缓冲层102远离所述基板101的一侧，所述介电层11中横向设有第一薄膜晶体管200以及第二薄膜晶体管300。
在所述显示单元中，所述第一薄膜晶体管200与所述第二薄膜晶体管300的数量比为1:1～3:1。
所述介电层11包括：栅极绝缘层104、层间绝缘层105以及平坦化层106。
所述栅极绝缘层104设于所述第一缓冲层102远离所述基板101的一侧；栅极绝缘层104主要由氮化硅、氧化硅等无机材料构成。
所述层间绝缘层105设于所述栅极绝缘层104远离所述第一缓冲层102的一侧，主要由氮化硅、氧化硅等无机材料构成。
所述平坦化层106设于所述层间绝缘层105远离所述栅极绝缘层104的一侧，主要由有机材料构成。
所述第一薄膜晶体管200以及所述第二薄膜晶体管300的结构相同，皆包括：有源层201、栅极202以及源漏电极层203。
所述有源层201设于所述第一缓冲层102上且被所述栅极绝缘层104包覆，由多晶硅/掺杂多晶硅构成。
所述栅极202设于所述栅极绝缘层104上且被所述层间绝缘层105包覆，所述栅极202对应所述有源层201，一般由电阻率低的金属构成。
所述源漏电极层203设于所述层间绝缘层105上且被所述平坦化层106包覆，所述源漏电极层203包括源极以及漏级，所述源极以及所述漏级分别连接所述有源层201，一般由电阻率低的金属构成。
所述第一电极107设于所述介电层11远离所述第一缓冲层102的一侧，所述第一电极107连接所述第一薄膜晶体管200，所述第一电极107上依次设有第一有机功能层108以及第一薄膜封装层110。所述第一电极107为阳极，其材料为氧化铟锡。所述第一薄膜封装层110的材料为氮氧硅及有机材料。
所述平坦化层106具有凹槽1061，所述凹槽1061向下延伸至所述源漏电极层203的上表面，所述第一电极107通过所述凹槽1061向下连接所述源漏电极层203。
所述凹槽1061对应所述第一薄膜晶体管200的源极或漏级。即所述第一电极107连接所述源极或漏级。
所述第一像素限定层109设于所述介电层11与所述第一薄膜封装层110之间且围绕所述第一电极107以及所述第一有机功能层108。
所述第二电极114设于所述第二缓冲层103远离所述基板101的一侧，所述第二电极114连接所述第二薄膜晶体管300，所述第二电极114上依次设有第二有机功能层113以及第二薄膜封装层112。所述第二薄膜封装层112的材料为氮氧硅及有机材料。
所述第一有机功能层108以及所述第二有机功能层113结构相同，皆包括：OLED器件层以及阴极，所述阴极设于所述OLED器件层远离所述基板101的一侧。如图4所示，在其他实施例中，正面显示的第一有机功能层为WOLED器件层，不过另外还需在正面的薄膜封装层上设置彩膜基板(CF)和黑色矩阵(BM)，彩膜基板(CF)与黑色矩阵(BM)同层设置，该实施例为WOLED+CF以及RGB+OLED器件。
一实施例的双面显示发光单元可设计为RGB(side by side)OLED器件，采用精细掩膜板(FMM)等技术分别蒸镀RGB三色。
所述第二缓冲层103具有一通孔1031，所述通孔1031向上贯穿所述基板101、所述第一缓冲层102、所述栅极绝缘层104、所述层间绝缘层105直至至所述源漏电极层203的下表面，所述第而电极通过所述通孔1031向上连接所述源漏电极层203。
所述第二薄膜晶体管300的漏级具有一延伸部204，所述通孔1031对应所述延伸部204。
因为第一薄膜晶体管200以及第二薄膜晶体管300紧密排列，设于所述显示面板100背面的第二电极114连接所述第二薄膜晶体管300的源漏电极层203时，不从第一薄膜晶体管200以及第二薄膜晶体管300之间走线，而是从第二薄膜晶体管300右侧走线，连接所述第二薄膜晶体管300的漏级的延伸部204。
所述第二像素限定层111设于所述第二缓冲层103与所述第二薄膜封装层112之间且围绕所述第二电极114以及所述第二有机功能层113。
在一实施例的显示单元中，用于正面显示的第一子像素与用于背面显示的第二子像素比为1:1，对应着的第一薄膜晶体管200与第二薄膜晶体管300的比为1:1。
如图5所示，在一显示单元中，用于正面显示的第一子像素与用于背面显示的第二子像素比为2:1，对应着的第一薄膜晶体管200与第二薄膜晶体管300的比为2:1。
如图6所示，在一显示单元中，用于正面显示的第一子像素与用于背面显示的第二子像素比为3:1，对应着的第一薄膜晶体管200与第二薄膜晶体管300的比为3:1。
在制备一实施例的显示面板100结构时，包括如下步骤。
a、在基底正面依次制备第一缓冲层102；第二缓冲层103；第一有机功能层108；第一薄膜封装层110；第二有机功能层113；第二薄膜封装层112；有源层201；栅极202；源漏电极层203等膜层，并通过曝光、蚀刻等工艺将每道膜层制备成相应的图形。
b、在正面的像素限定层上涂覆一层保护光阻(防止后续制程破坏TFT结构)，然后在基底背面对应位置打孔，连接孔需穿透基底值背面的电极，使源漏电极层下表面裸露出来，以便与背面的电极连接。
c、翻转基底，在其背面制备缓冲层，电极层及像素限定层。
d、去除正面像素限定层上的保护光阻，并在基底正反两面分别制备OLED器件、薄膜封装等膜层。
e、通过驱动IC调控数据线的电流输出，即可实现双面显示。
本发明一实施例提供一种显示面板100，用于双面显示，通过在基板101上设置一组薄膜晶体管，包括横向设置第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管用以驱动所述显示面板100的正面显示，所述第二薄膜晶体管用于驱动所述显示面板100反面显示，进而减小了双面显示面板100的制备工序，提高了制备效率，以及减小了显示面板100的厚度。
如图7所示，本发明另一实施例提供的显示面板100a，与一实施例不同之处在于，正反两面发光单元可分别设计为LCD以及OLED器件。
所述第一电极107a与所述介电层之间包括一钝化层301a，所述钝化层301a中设有一第三电极302a，所述第三电极302a具有一间隙。所述第三电极302a为BITO，所述第一电极107a为TITO。
所述凹槽1061a开在钝化层301a，所述第一电极107a通过所述凹槽1061a穿过所述间隙与第一薄膜晶体管200a连接。
所述第一电极107a上依次设液晶层303a、彩膜基板304a和黑色矩阵305a，彩膜基板304a和黑色矩阵305a同层设置。
所述基板101a与所述第二缓冲层103a之间设有一背光模组306a；所述第二电极114a上依次设有第二有机功能层113a以及第二薄膜封装层112a。
所述显示面板100a只包括第二像素限定层111a；所述第二像素限定层111a设于所述第二缓冲层103a与所述第二薄膜封装层111a之间且围绕所述第二电极114a以及所述第二有机功能层113a。
应当指出，对于经充分说明的本发明来说，还可具有多种变换及改型的实施方案，并不局限于上述实施方式的具体实施例。上述实施例仅仅作为本发明的说明，而不是对本发明的限制。总之，本发明的保护范围应包括那些对于本领域普通技术人员来说显而易见的变换或替代以及改型。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列式分布的像素单元，每组像素单元包括：
基板，一侧设有第一缓冲层，另一侧设有第二缓冲层；
介电层，设于所述第一缓冲层远离所述基板的一侧，所述介电层中横向设有第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管；
第一电极，设于所述介电层远离所述第一缓冲层的一侧，所述第一电极连接所述第一薄膜晶体管；
第二电极，设于所述第二缓冲层远离所述基板的一侧，所述第二电极连接所述第二薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极上依次设有第一有机功能层以及第一薄膜封装层；
所述第二电极上依次设有第二有机功能层以及第二薄膜封装层；
所述显示面板还包括：第一像素限定层以及第二像素限定层；
所述第一像素限定层设于所述介电层与所述第一薄膜封装层之间且围绕所述第一电极以及所述第一有机功能层；
所述第二像素限定层设于所述第二缓冲层与所述第二薄膜封装层之间且围绕所述第二电极以及所述第二有机功能层。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一电极与所述介电层之间包括一钝化层，所述钝化层中设有一第三电极，所述第三电极具有一间隙；
所述第一电极上依次设液晶层以及彩膜基板；
所述基板与所述第二缓冲层之间设有一背光模组；
所述第二电极上依次设有第二有机功能层以及第二薄膜封装层；
所述显示面板还包括第二像素限定层；
所述第二像素限定层设于所述第二缓冲层与所述第二薄膜封装层之间且围绕所述第二电极以及所述第二有机功能层。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，
所述介电层包括：
栅极绝缘层，设于所述第一缓冲层远离所述基板的一侧；
层间绝缘层，设于所述栅极绝缘层远离所述第一缓冲层的一侧；
平坦化层，设于所述层间绝缘层远离所述栅极绝缘层的一侧。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管的结构相同，皆包括：
有源层，设于所述第一缓冲层上且被所述栅极绝缘层包覆；
栅极，设于所述栅极绝缘层上且被所述层间绝缘层包覆，所述栅极对应所述有源层；
源漏电极层，设于所述层间绝缘层上且被所述平坦化层包覆，所述源漏电极层包括源极以及漏级，所述源极以及所述漏级分别连接所述有源层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述平坦化层具有凹槽，所述凹槽向下延伸至所述源漏电极层的上表面，所述第一电极通过所述凹槽向下连接所述源漏电极层。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，
所述第二缓冲层具有一通孔，所述通孔向上贯穿所述基板、所述第一缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层直至所述源漏电极层的下表面，所述第二电极通过所述通孔向上连接所述源漏电极层。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，
所述第二薄膜晶体管的漏级具有一延伸部，所述通孔对应所述延伸部。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述凹槽对应所述第一薄膜晶体管的源极或漏级。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
GOA驱动电路，设于所述显示面板的非显示区，所述GOA驱动电路连接所述显示单元；
数据线，设于所述显示面板的绑定区，所述数据线连接所述显示单元；
在所述显示单元中，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的数量比为1:1～3:1。
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