CN110008936A - 一种指纹识别模组和指纹识别设备 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 206010049207 Adactyly Diseases 0.000 description 1
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007920 subcutaneous administration Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
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- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Abstract
本发明公开了一种指纹识别模组和指纹识别设备。其中，指纹识别模组包括：透明基底；至少一个指纹识别单元，位于透明基底的一侧，且指纹识别单元的感测面朝向透明基底设置；其中，指纹识别单元包括薄膜晶体管和指纹感测电极，薄膜晶体管包括栅极、掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜、位于栅极和金属氧化物半导体薄膜之间的栅绝缘层，以及分别与金属氧化物半导体薄膜连接的源极和漏极，源极或漏极与指纹感测电极电连接，指纹感测电极、栅极、源极和漏极均为透明电极。本发明解决了指纹感测电极受空间大小限制、指纹识别模组的膜层结构较为复杂以及制备指纹识别模组的工艺难度较大的问题。
Description
技术领域
本发明实施例涉及指纹识别技术领域，尤其涉及一种指纹识别模组和指纹识别设备。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，具有指纹识别功能的显示面板已经逐渐普及。
现有的指纹识别单元通常包括薄膜晶体管和指纹感测电极，由于现有的薄膜晶体管中的电极以及指纹感测电极一般为金属电极，为避免降低显示面板的开口率，指纹识别单元需设置于像素单元之间的间隙区，限定了指纹识别单元的位置，进而增加了工艺难度；且间隙区的面积很小，指纹感测电极受限于间隙区的大小无法具有足够大的面积，影响指纹识别单元的性能。
另外，由于薄膜晶体管在受到光照影响时，会产生电流，可能会影响其开关功能或其特性曲线，因此在现有指纹识别模组(尤其是光学式指纹识别模组)中，需要在指纹识别单元靠近显示面板发光器件的一侧设置遮光层，以避免显示面板出射的光线照射到薄膜晶体管上而影响薄膜晶体管。其中，遮光层需与指纹识别单元一一对应设置，需完全覆盖住指纹识别单元且不应影响图像显示，导致指纹识别模组的结构比较复杂，且进一步增加了制备指纹识别模组的工艺难度。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提出一种指纹识别模组和指纹识别设备，以解决指纹感测电极受空间大小限制、指纹识别模组的膜层结构较为复杂以及制备指纹识别模组的工艺难度较大的问题。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供了一种指纹识别模组，包括：
透明基底；
至少一个指纹识别单元，位于所述透明基底的一侧，且所述指纹识别单元的感测面朝向所述透明基底设置；
其中，所述指纹识别单元包括薄膜晶体管和指纹感测电极，所述薄膜晶体管包括栅极、掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜、位于所述栅极和所述金属氧化物半导体薄膜之间的栅绝缘层，以及分别与所述金属氧化物半导体薄膜连接的源极和漏极，所述源极或所述漏极与所述指纹感测电极电连接，所述指纹感测电极、所述栅极、所述源极和所述漏极均为透明电极。
可选的，所述指纹感测电极与所述薄膜晶体管中的一膜层位于同一层。
可选的，所述薄膜晶体管为底栅型结构，所述指纹感测电极与所述栅极位于同一层；或者，所述薄膜晶体管为顶栅型结构，所述指纹感测电极与所述金属氧化物半导体薄膜位于同一层。
可选的，所述指纹感测电极和所述栅极在同一工艺中制备。
可选的，所述薄膜晶体管和所述指纹感测电极层叠设置。
可选的，所述指纹感测电极位于所述薄膜晶体管靠近所述透明基底的一侧。
可选的，所述指纹感测电极在所述透明基底上的垂直投影位于所述薄膜晶体管在所述透明基底上的垂直投影的范围内。
可选的，所述金属氧化物半导体薄膜的厚度为5nm～100nm。
可选的，所述指纹感测电极的厚度为50nm～500nm。
可选的，所述金属氧化物半导体薄膜为金属氧化物MO和稀土氧化物RO形成的(MO)x(RO)y半导体薄膜，其中，0<x<1，0.0001≤y≤0.2，x+y＝1。
可选的，M为In、Zn、Ga、Sn、Si、Al、Mg、Zr、Hf和Ta中的一种或至少两种的任意组合。
可选的，R为Pr、Tb、Dy和Yb中的一种或至少两种的任意组合。
另一方面，本发明实施例提供了一种指纹识别设备，包括本发明实施例提供的指纹识别模组。
本发明的有益效果是：本发明的技术方案通过在透明基底上制备指纹识别单元，并采用透明电极形成指纹识别单元中的指纹感测电极以及薄膜晶体管的的栅极、源极和漏极；同时薄膜晶体管的有源层采用掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜，而其中的稀土氧化物作为光稳定剂，提高了有源层的光稳定性，从而使得薄膜晶体管不受光照影响，由此可避免遮光层的设置，简化指纹识别模组的膜层结构；掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜配合透明的指纹识别单元使得显示面板的开口率完全不受指纹识别模组的影响，相应的，指纹识别单元在显示面板内可以任意排布，不受显示面板像素排布的限制，进而降低了工艺难度，且指纹感测电极的面积可以做的足够大，提高指纹识别单元的性能。另外，在透明基底上形成指纹识别单元，且指纹识别单元的感测面朝向透明基底设置，使得透明基底直接作为指纹识别单元的保护层，进而不需要额外的盖板保护层，减少了指纹识别模组的厚度。因此，本发明的技术方案可增大指纹感测电极的(感测)面积，不受显示面板空间大小的限制，避免设置遮光层，简化了指纹识别模组的膜层结构，且大大降低了制备指纹识别模组的工艺难度。
附图说明
下面将通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本发明的上述及其他特征和优点，附图中：
图1是本发明实施例提供的指纹识别模组的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种指纹识别模组的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种指纹识别模组的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的又一种指纹识别模组的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种指纹识别模组的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的又一种指纹识别模组的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的另一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的指纹识别模组的结构示意图，该指纹识别模组可应用于具有指纹识别功能的指纹识别设备中，可实现指纹识别设备的轻薄化。如图1所示，本实施例提供的指纹识别模组包括：
透明基底10；
至少一个指纹识别单元100(图中示意性地示出了一个指纹识别单元100)，位于透明基底10的一侧，且指纹识别单元100的感测面朝向透明基底10设置；
其中，指纹识别单元100包括薄膜晶体管20和指纹感测电极30，薄膜晶体管20包括栅极21、掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜22、位于栅极21和金属氧化物半导体薄膜22之间的栅绝缘层23，以及分别与金属氧化物半导体薄膜22连接的源极24和漏极25，源极24或漏极25与指纹感测电极30电连接(本实施例中漏极25与指纹感测电极30电连接)，指纹感测电极30、栅极21、源极24和漏极25均为透明电极。另外，在指纹识别单元100远离透明基底10的一侧覆盖有绝缘层40。
本实施例中，透明基底10的远离指纹识别单元100一侧的表面(图示结构的下表面)作为整个指纹识别模组的感测面，即用户的手指触碰到透明基底10的下表面时可进行指纹识别。指纹识别单元100形成于透明基底10的上表面，此时，透明基底10直接作为指纹识别单元100的保护层，进而不需要额外的盖板保护层，减少了指纹识别模组的厚度。其中，透明基底10可包括层叠的透明衬底11和缓冲层12，指纹识别单元100位于缓冲层12的远离透明衬底11一侧的表面。可选的，透明衬底11的材料为高铝强化玻璃、无碱玻璃、PEN塑料、聚酰亚胺和COP等透明材料，透明衬底11的厚度为10μm～700μm；缓冲层12的材料可以为SiO2、SiNx、AlOx和TiOx等氧化物绝缘材料，缓冲层12的厚度为50nm～500nm。
上述指纹感测电极30、栅极21、源极24和漏极25可以为ITO薄膜、IZO薄膜、Ag纳米线、超薄Ag膜和AZO薄膜等透明导电膜中的任一种，厚度为50nm～500nm，由此形成的指纹感测电极30、栅极21、源极24和漏极25均为透明电极，形成全透明的指纹识别单元100，进而在本实施例的指纹识别模组设置于显示面板的出光侧时，指纹识别单元100可透过显示面板出射的光线，即指纹识别单元100不会影响显示面板的出光，因而该指纹识别单元100不影响显示面板的开口率。
同时，考虑到现有的指纹识别模组需要在指纹识别单元100一侧设置遮光层，以避免薄膜晶体管因受光照影响而影响开关功能，而该遮光层同样会影响显示面板的开口率，进而导致指纹识别模组整体上影响显示面板的开口率。基于此，本发明实施例同时对薄膜晶体管的有源层进行改进，提高薄膜晶体管的光稳定性，从而避免设置遮光层，使整个指纹识别模组不影响显示面板的开口率。
具体的，现有的薄膜晶体管的有源层多采用氧化物半导体薄膜，氧化物半导体薄膜由于氧空位的存在，使得禁带中产生相应的带隙态。该带隙态受到特定能量的光照射后，会激发出相应的电子空穴对，其在栅场的作用下导致器件阈值电压的偏移，导致薄膜晶体管的性能改变，影响开关功能。基于该技术问题，发明人发现，当稀土氧化物掺杂到金属氧化物半导体中时，稀土金属原子替代了原金属原子而导致原来的M-M相互作用减弱，致使价带顶位移，使原金属氧化物半导体材料能带结构由直接带隙向间接带隙转变。在入射光照射时，价带电子需要与声子相互作用才能跃迁到导带，对输运特性产生贡献。因此，利用掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜形成薄膜晶体管的有源层，可以大大减少薄膜晶体管工作时的光生载流子。也即，在入射光照射时，薄膜晶体管的阈值电压和未受光照时相比几乎不发生偏移，同时其他性能参数亦不受光照影响。因此，使用该薄膜晶体管作为指纹识别单元100的开关管，可避免在指纹识别模组中设置遮光层，不仅降低制备遮光层时的工艺难度，节约了工艺流程，而且与全透明的指纹识别单元100相配合，可以是整个指纹识别模组不影响显示面板的开口率。由此，基于本实施例的技术方案，指纹识别单元100可不必限制于像素单元之间的间隙区，其可在显示面板上任意排布，降低工艺难度，指纹感测电极受空间大小限制，可以将指纹感测电极的感测面积做的足够大，提高指纹识别单元的性能；同时可避免遮光层的设置，可简化指纹识别模组的膜层结构，并进一步降低工艺难度。
可选的，本实施例中，金属氧化物半导体薄膜的厚度为5nm～100nm。金属氧化物半导体薄膜为金属氧化物MO和稀土氧化物RO形成的(MO)x(RO)y半导体薄膜，其中，0<x<1，0.0001≤y≤0.2，x+y＝1。其中，M可以为In、Zn、Ga、Sn、Si、Al、Mg、Zr、Hf和Ta中的一种或至少两种的任意组合。R可以为Pr、Tb、Dy和Yb中的一种或至少两种的任意组合。示例性的，上述金属氧化物半导体薄膜可以为IZO掺杂Pr6O11。
综上可知，本实施例提供指纹识别模组通过在透明基底上制备指纹识别单元，并采用透明电极形成指纹识别单元中的指纹感测电极以及薄膜晶体管的的栅极、源极和漏极；同时薄膜晶体管的有源层采用掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜，而其中的稀土氧化物作为光稳定剂，提高了有源层的光稳定性，从而使得薄膜晶体管不受光照影响，由此可避免遮光层的设置，简化指纹识别模组的膜层结构；掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜配合透明的指纹识别单元使得显示面板的开口率完全不受指纹识别模组的影响，相应的，指纹识别单元在显示面板内可以任意排布，不受显示面板像素排布的限制，进而降低了工艺难度，且指纹感测电极的面积可以做的足够大，提高指纹识别单元的性能。另外，在透明基底上形成指纹识别单元，且指纹识别单元的感测面朝向透明基底设置，使得透明基底直接作为指纹识别单元的保护层，进而不需要额外的盖板保护层，减少了指纹识别模组的厚度。因此，本实施例的技术方案可增大指纹感测电极的(感测)面积，不受显示面板空间大小的限制，避免设置遮光层，简化了指纹识别模组的膜层结构，且大大降低了制备指纹识别模组的工艺难度。
需要说明的是，本发明实施例提供的指纹识别模组可以为光学式指纹识别模组，也可以是电容式指纹识别模组。对于光学式指纹识别模组，其中的指纹感测电极为光敏感测电极，通过接收经用户手指反射的光线来识别指纹；对于电容式指纹识别模组，其中的指纹感测电极为电容感测电极，基于电容感测电极与导电的皮下电解液形成电场，通过检测指纹的脊与谷分别与电容感测电极之间的电容值的变化来识别指纹。优选的，本发明提供的指纹识别模块采用电容式指纹识别模块，与光学式指纹识别模块相比，电容式指纹识别模块中的电容感测电极不受光照的影响，因而可避免显示面板出射的光线对指纹识别单元的干扰，提高指纹识别的准确性。
可选的，指纹感测电极与薄膜晶体管中的一膜层位于同一层。由此，通过将指纹感测电极与薄膜晶体管中的一膜层同层设置，可以避免指纹感测电极单独一层设置，进而减少指纹感测电极带来的厚度的影响，进一步减少了指纹识别模组的厚度。
可选的，薄膜晶体管为底栅型结构，指纹感测电极与栅极位于同一层；或者，薄膜晶体管为顶栅型结构，指纹感测电极与金属氧化物半导体薄膜位于同一层。
示例性的，继续参考图1，薄膜晶体管为底栅型结构，具体为背沟道刻蚀型结构。指纹识别模组包括透明基底10，沉积于透明基底10表面的栅极21和指纹感测电极30，覆盖栅极21和指纹感测电极30的第一绝缘层，该第一绝缘层复用为栅绝缘层23，位于栅极21之上且形成于栅极绝缘层23表面的金属氧化物半导体薄膜22，分别与金属氧化物半导体薄膜22的两端电连接的源极24和漏极25，以及位于源极24和漏极25远离透明基底10一侧且整面覆盖的第二绝缘层40。其中，漏极25通过过孔与指纹感测电极30电连接；第一绝缘层可以为氮化硅层和氧化硅层的叠层结构，可采用化学气相沉积方式制备，其中氮化硅层的厚度为250nm，氧化硅层的厚度为50nm；第二绝缘层40的材料可以为氧化硅，可采用化学气相沉积方式制备，厚度为300nm。
在本发明另一实施例中，如图2所示，薄膜晶体管为底栅型结构，具体为刻蚀阻挡型结构。指纹识别模组包括透明基底10，沉积于透明基底10表面的栅极21和指纹感测电极30，覆盖栅极21和指纹感测电极30的第一绝缘层，该第一绝缘层复用为栅绝缘层23，位于栅极21之上且形成于栅极绝缘层23表面的金属氧化物半导体薄膜22，覆盖在金属氧化物半导体薄膜22上并与栅极21的位置相对应的刻蚀阻挡层26，分别与金属氧化物半导体薄膜22的两端电连接的源极24和漏极25，以及位于源极24和漏极25远离透明基底10一侧且整面覆盖的第二绝缘层40。其中，漏极25通过过孔与指纹感测电极30电连接；第一绝缘层可以为氮化硅层和氧化硅层的叠层结构，可采用化学气相沉积方式制备，其中氮化硅层的厚度为250nm，氧化硅层的厚度为50nm；刻蚀阻挡层26和第二绝缘层40的材料均可以为氧化硅，可采用化学气相沉积方式制备，厚度为300nm。
在本发明又一实施例中，如图3所示，薄膜晶体管为顶栅型结构。指纹识别模组包括透明基底10，沉积于透明基底10表面的指纹感测电极30和金属氧化物半导体薄膜22，覆盖金属氧化物半导体薄膜22的沟道部分且依次层叠的栅绝缘层23和栅极21，覆盖栅极21和指纹感测电极30的第一绝缘层50，形成于第一绝缘层50表面的源极24和漏极25，源极24和漏极25通过过孔分别与金属氧化物半导体薄膜22的两端电连接，以及位于源极24和漏极25远离透明基底10一侧且整面覆盖的第二绝缘层40。其中，漏极25通过过孔与指纹感测电极30电连接；栅绝缘层23的材料可以为氧化硅，厚度为300nm；第一绝缘层50的材料可以为氮化硅，厚度为200nm；第二绝缘层40的材料均可以为氧化硅，可采用化学气相沉积方式制备，厚度为300nm。
可选的，上述实施例中，指纹感测电极30和栅极21在同一工艺中制备，即指纹感测电极30和栅极21采用相同的材料同时制备，并通过一步图案化形成，进而节约工艺流程。
另外，薄膜晶体管中的源极或漏极可复用为指纹感测电极，以图4和图5为例进行简要说明。参考图4，漏极25完全置于栅绝缘层23之上，漏极25复用为指纹感测电极30。参考图5，漏极25通过过孔部分沉积至透明基底10的表面，漏极25复用为指纹感测电极30。图5所示结构与图4所示结构相比，图5所示结构中漏极25所形成的指纹感测电极30更靠近指纹识别模组的感测面，即与接触感测面的手指之间的距离更小，进而感测到的电容值较大，可提高指纹识别单元的感测能力。
可选的，薄膜晶体管和指纹感测电极层叠设置。此时，与上述实施例的指纹识别模组的结构相比，在指纹识别单元所占面积相同的情况下，薄膜晶体管和指纹感测电极层叠设置时，由于薄膜晶体管不影响指纹感测电极所占的面积，因此指纹感测电极的感测面积可以做的更大，指纹识别单元的性能更好。
可选的，指纹感测电极位于薄膜晶体管靠近透明基底的一侧。指纹感测电极在透明基底上的垂直投影位于薄膜晶体管在透明基底上的垂直投影的范围内。
示例性的，如图6所示，指纹识别模组包括透明基底10，位于透明基底10之上且依次层叠设置的指纹感测电极30、第三绝缘层60和薄膜晶体管20，其中，薄膜晶体管20漏极通过过孔与指纹感测电极30电连接，薄膜晶体管20位于指纹感测电极30远离透明基底10的一侧，指纹感测电极30在透明基底10上的垂直投影位于薄膜晶体管20在透明基底10上的垂直投影的范围内。由此，在指纹识别单元所占面积较小的情况下，指纹感测电极30的感测面积便可做的足够大，以在不影响指纹感测性能的情况下减小指纹识别单元所占的面积。
另外，本发明实施例还提供了一种指纹识别设备，该指纹识别设备包括本发明任一实施例提供的指纹识别模组。
其中，指纹识别设备可以为显示装置、考勤机和门禁等。
本发明实施例所提供的指纹识别设备，包括本发明实施例所提供的指纹识别模组，具备相应的功能和有益效果。
示例性的，指纹识别设备为显示装置，该显示装置可以为液晶显示装置或有机发光显示装置等。在本发明一实施例中，指纹识别设备为顶发射型的有机发光显示装置，如图7所示，该显示装置包括显示面板1和指纹识别模组2(图中指纹识别模组2的薄膜晶体管仅示例性地示出了底栅型结构)，指纹识别模组2位于显示面板1的出光侧。
可选的，指纹识别模组2的透明基底复用为显示装置的盖板。由此可减小显示装置的厚度，实现显示装置的轻薄化。
在本发明另一实施例中，指纹识别设备为底发射型的有机发光显示装置，如图8所示，该显示装置包括显示面板1、指纹识别模组2(图中指纹识别模组2的薄膜晶体管仅示例性地示出了顶栅型结构)和封装层3，其中，显示面板1中的发光器件的薄膜晶体管4(图中仅示例性地示出了一个薄膜晶体管)与指纹识别模组2的薄膜晶体管位于同一层，优选地，发光器件的薄膜晶体管4与指纹识别模组2的薄膜晶体管采用相同工艺制备，由此使得显示面板1与指纹识别模组2一体化，从而在全屏范围内均可进行指纹识别，减少了具有指纹识别功能的显示装置的厚度，降低了该显示装置的成本。此外封装层覆盖显示面板1的背光面，可以包括薄膜封装或玻璃封装。该实施例中的指纹识别模组2为电容式指纹识别模组，此时，透明基底作为指纹识别模组2的介质层，本实施例可通过扫描线同时打开发光器件和指纹识别模组2的开关管，指纹识别时，通过透明基底，指纹感测电极与手指的真皮层之间形成指纹电容，指纹电容上累积的电荷通过外围专用控制IC读出，从而识别人体的指纹信息。
需要说明的是，上述实施例中的发光器件的像素驱动电路可以为2T1C或者具有补偿功能的多T多C的电路结构，指纹识别模块的指纹识别开关电路可以为1T1C或者具有放大功能的多T多C的电路结构，本实施例对此不作限制。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (13)
1.一种指纹识别模组，其特征在于，包括：
透明基底；
至少一个指纹识别单元，位于所述透明基底的一侧，且所述指纹识别单元的感测面朝向所述透明基底设置；
其中，所述指纹识别单元包括薄膜晶体管和指纹感测电极，所述薄膜晶体管包括栅极、掺杂有稀土氧化物的金属氧化物半导体薄膜、位于所述栅极和所述金属氧化物半导体薄膜之间的栅绝缘层，以及分别与所述金属氧化物半导体薄膜连接的源极和漏极，所述源极或所述漏极与所述指纹感测电极电连接，所述指纹感测电极、所述栅极、所述源极和所述漏极均为透明电极。
2.根据权利要求1所述的指纹识别模组，其特征在于，所述指纹感测电极与所述薄膜晶体管中的一膜层位于同一层。
3.根据权利要求2所述的指纹识别模组，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型结构，所述指纹感测电极与所述栅极位于同一层；或者，所述薄膜晶体管为顶栅型结构，所述指纹感测电极与所述金属氧化物半导体薄膜位于同一层。
4.根据权利要求3所述的指纹识别模组，其特征在于，所述指纹感测电极和所述栅极在同一工艺中制备。
5.根据权利要求1所述的指纹识别模组，其特征在于，所述薄膜晶体管和所述指纹感测电极层叠设置。
6.根据权利要求5所述的指纹识别模组，其特征在于，所述指纹感测电极位于所述薄膜晶体管靠近所述透明基底的一侧。
7.根据权利要求5所述的指纹识别模组，其特征在于，所述指纹感测电极在所述透明基底上的垂直投影位于所述薄膜晶体管在所述透明基底上的垂直投影的范围内。
8.根据权利要求1所述的指纹识别模组，其特征在于，所述金属氧化物半导体薄膜的厚度为5nm～100nm。
9.根据权利要求1所述的指纹识别模组，其特征在于，所述指纹感测电极的厚度为50nm～500nm。
10.根据权利要求1所述的指纹识别模组，其特征在于，所述金属氧化物半导体薄膜为金属氧化物MO和稀土氧化物RO形成的(MO)x(RO)y半导体薄膜，其中，0<x<1，0.0001≤y≤0.2，x+y＝1。
11.根据权利要求10所述的指纹识别模组，其特征在于，M为In、Zn、Ga、Sn、Si、Al、Mg、Zr、Hf和Ta中的一种或至少两种的任意组合。
12.根据权利要求10所述的指纹识别模组，其特征在于，R为Pr、Tb、Dy和Yb中的一种或至少两种的任意组合。
13.一种指纹识别设备，其特征在于，包括如权利要求1-12任一项所述的指纹识别模组。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910320321.2A CN110008936A (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 一种指纹识别模组和指纹识别设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910320321.2A CN110008936A (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 一种指纹识别模组和指纹识别设备 |
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| CN110008936A true CN110008936A (zh) | 2019-07-12 |
Family
ID=67173268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910320321.2A Pending CN110008936A (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 一种指纹识别模组和指纹识别设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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